JP2001345255A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2001345255A5 JP2001345255A5 JP2000165026A JP2000165026A JP2001345255A5 JP 2001345255 A5 JP2001345255 A5 JP 2001345255A5 JP 2000165026 A JP2000165026 A JP 2000165026A JP 2000165026 A JP2000165026 A JP 2000165026A JP 2001345255 A5 JP2001345255 A5 JP 2001345255A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate valve
- gas
- exposure apparatus
- housing
- gas curtain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
【発明の名称】露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法に関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法に関する。
【０００５】
本発明は、このような従来技術の課題を解決し、露光装置、コートディベロップ装置、ロードロック室のような装置における基板の搬入・搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることを目的とする。
本発明は、このような従来技術の課題を解決し、露光装置、コートディベロップ装置、ロードロック室のような装置における基板の搬入・搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置は、リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、筐体と、前記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置は、リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、筐体と、前記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明のリソグラフィ装置およびロードロック装置は、それぞれ、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
また、本発明のリソグラフィ装置およびロードロック装置は、それぞれ、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明において、前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガスを噴射する噴射手段を含むことが好ましい。また、前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことが好ましい。こうすることによって、基板がガスカーテンを通過する際、ガスカーテンの流れを乱すのを防ぐことができる。
本発明において、前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガスを噴射する噴射手段を含むことが好ましい。また、前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことが好ましい。こうすることによって、基板がガスカーテンを通過する際、ガスカーテンの流れを乱すのを防ぐことができる。
【０００９】
噴射するガスは、大気と同じ組成であってもよいが、各部屋の雰囲気と同じ組成の物を使用することが望ましい。各部屋の雰囲気と同じ組成とは、酸素や水分をパージするためのパージガスと同じものであれば良く、例えば、純粋な窒素ガスまたはヘリウムガス等の純粋な不活性ガスが挙げられる。これにより、管理している装置内部の酸素濃度等を上昇させることなく安定したガスカーテンを生成させることができる。
噴射するガスは、大気と同じ組成であってもよいが、各部屋の雰囲気と同じ組成の物を使用することが望ましい。各部屋の雰囲気と同じ組成とは、酸素や水分をパージするためのパージガスと同じものであれば良く、例えば、純粋な窒素ガスまたはヘリウムガス等の純粋な不活性ガスが挙げられる。これにより、管理している装置内部の酸素濃度等を上昇させることなく安定したガスカーテンを生成させることができる。
【００１０】
また、ガスカーテンのガス噴射部と、その反対側端部に、ガスの流動方向を規制するためのガイドを設けてもよい。これにより、ガスカーテンとパージ空間内の雰囲気との混入を避けることができるため、大気（あるいは雰囲気よりＯ２濃度が高いエアー）のようなコストの安いエアーを用いてガスカーテンを生成することができる。また、不活性ガスを使用する場合でも、ガスカーテンの乱流を防ぐことができるので、シール能力が向上する。
また、ガスカーテンのガス噴射部と、その反対側端部に、ガスの流動方向を規制するためのガイドを設けてもよい。これにより、ガスカーテンとパージ空間内の雰囲気との混入を避けることができるため、大気（あるいは雰囲気よりＯ２濃度が高いエアー）のようなコストの安いエアーを用いてガスカーテンを生成することができる。また、不活性ガスを使用する場合でも、ガスカーテンの乱流を防ぐことができるので、シール能力が向上する。
【００１１】
本発明において、ガスカーテンのガスは常に一定量噴射されても良いが、装置の運用コスト等を考慮して、必要時のみ発生させたり、流量を調節させることができる。
本発明において、ガスカーテンのガスは常に一定量噴射されても良いが、装置の運用コスト等を考慮して、必要時のみ発生させたり、流量を調節させることができる。
【００１２】
具体的には、第１の構成として、前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段（センサ、Ｆ２光透過率測定器等）と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
具体的には、第１の構成として、前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段（センサ、Ｆ２光透過率測定器等）と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
【００１３】
また第２の構成として、基板を検知する検知手段（センサまたはシーケンスで検知する手段）と、前記検知手段の検知結果に基づいて、前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
また第２の構成として、基板を検知する検知手段（センサまたはシーケンスで検知する手段）と、前記検知手段の検知結果に基づいて、前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
【００１４】
このような構成として、ゲート弁を開き、基板を移動させる時、基板が通過することをセンサで検知し、流量コントローラに信号を送り、ガスカーテンの流量を増加させＣＤ装置側からの酸素流入を防ぐことができる。また、ウエハ連続搬出入時は、ガスカーテンでシールし、しばらく使わないときにはゲート弁でシールすれば、エアーを節約することができる。
このような構成として、ゲート弁を開き、基板を移動させる時、基板が通過することをセンサで検知し、流量コントローラに信号を送り、ガスカーテンの流量を増加させＣＤ装置側からの酸素流入を防ぐことができる。また、ウエハ連続搬出入時は、ガスカーテンでシールし、しばらく使わないときにはゲート弁でシールすれば、エアーを節約することができる。
【００１５】
以上のような構成により、例えば、外部環境の酸素等の濃度が比較的高い状態でウエハあるいはレチクルを露光装置に搬入することが可能となる。そのため、例えば、ロードロック室内での不活性ガス置換の時間短縮が可能となる。
以上のような構成により、例えば、外部環境の酸素等の濃度が比較的高い状態でウエハあるいはレチクルを露光装置に搬入することが可能となる。そのため、例えば、ロードロック室内での不活性ガス置換の時間短縮が可能となる。
【００１７】
本発明のデバイス製造方法は、前記露光装置、リソグラフィ装置、またはロードロック装置を用いることを特徴とする。
本発明のデバイス製造方法は、前記露光装置、リソグラフィ装置、またはロードロック装置を用いることを特徴とする。
【００１９】
本発明のリソグラフィ方法は、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程を含むことを特徴とする。
本発明のリソグラフィ方法は、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程を含むことを特徴とする。
【００５９】
【発明の効果】
装置における基板の搬入または搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることができる。
【発明の効果】
装置における基板の搬入または搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることができる。
Claims (14)
- リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、
筐体と、
前記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、
前記筐体に設けられたゲート弁と、
前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガスを噴射する噴射手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
- 前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
- 前記ガスカーテンを構成するガスが大気および不活性ガスのいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の露光装置。
- 前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の露光装置。
- 基板を検知する検知手段と、前記検知手段の検知結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の露光装置。
- 前記ゲート弁を介して基板を搬送する搬送手段を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の露光装置。
- 前記基板は、ウエハおよびレチクルのいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
- ロードロック装置との間に前記ゲート弁を介在させたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の露光装置。
- リソグラフィ装置であって、
筐体と、
前記筐体に設けられたゲート弁と、
前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 露光装置、レジスト・コータおよびレジスト・ディベロッパの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
- ロードロック装置であって、
筐体と、
前記筐体に設けられたゲート弁と、
前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と
を有することを特徴とするロードロック装置。 - 請求項１〜９のいずれかに記載の露光装置、請求項１０および１１のいずれかに記載のリソグラフィ装置、または請求項１２に記載のロードロック装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、
ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程を含むことを特徴とするリソグラフィ方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000165026A JP3595756B2 (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | 露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法 |
| US09/864,256 US6638672B2 (en) | 2000-06-01 | 2001-05-25 | Exposure apparatus, coating/developing apparatus, method of transferring a substrate, method of producing a device, semiconductor production factory, and method of maintaining an exposure apparatus |
| EP01304750A EP1160839A3 (en) | 2000-06-01 | 2001-05-30 | Exposure apparatus, coating/developing apparatus, method of transferring a substrate, method of producing a device, semiconductor production factory, and method of maintaining an exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000165026A JP3595756B2 (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | 露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345255A JP2001345255A (ja) | 2001-12-14 |
| JP3595756B2 JP3595756B2 (ja) | 2004-12-02 |
| JP2001345255A5 true JP2001345255A5 (ja) | 2004-12-16 |
Family
ID=18668563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000165026A Expired - Fee Related JP3595756B2 (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | 露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6638672B2 (ja) |
| EP (1) | EP1160839A3 (ja) |
| JP (1) | JP3595756B2 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002252161A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 半導体製造システム |
| JP2005518655A (ja) * | 2001-07-15 | 2005-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理システム |
| US6800172B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Interfacial structure for semiconductor substrate processing chambers and substrate transfer chambers and for semiconductor substrate processing chambers and accessory attachments, and semiconductor substrate processor |
| US6858264B2 (en) * | 2002-04-24 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
| US6814813B2 (en) * | 2002-04-24 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
| JP4316210B2 (ja) | 2002-08-27 | 2009-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 保守システム，基板処理装置及び遠隔操作装置 |
| KR20040024516A (ko) * | 2002-09-13 | 2004-03-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
| EP1398669A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7647886B2 (en) | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
| TWI311691B (en) * | 2003-10-30 | 2009-07-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| US7906393B2 (en) | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
| JP4572896B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2010-11-04 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| US7408615B2 (en) * | 2004-06-21 | 2008-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4781049B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-09-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US8794896B2 (en) * | 2005-12-14 | 2014-08-05 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit |
| US8113757B2 (en) | 2006-08-01 | 2012-02-14 | Tokyo Electron Limited | Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber |
| JP5037058B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 |
| US20100192844A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| JP2010287686A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及び基板の裏面洗浄方法。 |
| US9136149B2 (en) * | 2012-11-16 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Loading port, system for etching and cleaning wafers and method of use |
| US20170292764A1 (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-12 | Michael D. Newman | Cryogenic exhaust control system and freezer having same |
| JP6951923B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2021-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
| TWI815827B (zh) * | 2017-11-07 | 2023-09-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置 |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11194259B2 (en) * | 2018-08-30 | 2021-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Equipment module with enhanced protection from airborne contaminants, and method of operation |
| US11740564B2 (en) * | 2020-06-18 | 2023-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus and method using the same |
| CN114200791B (zh) * | 2020-09-17 | 2023-12-08 | 株式会社斯库林集团 | 显影装置及显影方法 |
| US20220344190A1 (en) * | 2021-04-22 | 2022-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Air curtain for defect reduction |
| KR102315216B1 (ko) * | 2021-05-13 | 2021-10-20 | 주식회사 엘에스텍 | 반도체 제조 설비용 에어 커튼 장치 |
| CN115877665A (zh) * | 2021-09-29 | 2023-03-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 控温装置及控温方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0370134A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Fujitsu Ltd | 溶剤蒸気乾燥装置および乾燥方法 |
| JPH0492410A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| US5997588A (en) * | 1995-10-13 | 1999-12-07 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Semiconductor processing system with gas curtain |
-
2000
- 2000-06-01 JP JP2000165026A patent/JP3595756B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-25 US US09/864,256 patent/US6638672B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-30 EP EP01304750A patent/EP1160839A3/en not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001345255A5 (ja) | ||
| JP3595756B2 (ja) | 露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法 | |
| US20020191166A1 (en) | Exposure apparatus | |
| JPH07245332A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置 | |
| Ishii et al. | Nanocomposite resist system | |
| US6710846B2 (en) | Environmental control apparatus for exposure apparatus | |
| JP4966922B2 (ja) | レジスト処理装置、レジスト塗布現像装置、およびレジスト処理方法 | |
| WO2005109476A1 (ja) | 基板の処理方法及び基板の処理装置 | |
| JP2009010076A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JP2005158926A (ja) | ロードロック装置および方法 | |
| US6994507B2 (en) | Transport apparatus | |
| JP2004179567A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0786370A (ja) | ガスパージ装置 | |
| US7973907B2 (en) | Method for treating substrate, method for conveying substrate, and apparatus for conveying substrate | |
| JP4372901B2 (ja) | ケース開閉装置 | |
| JPH10261558A (ja) | 加熱処理装置および加熱処理方法 | |
| US20060033905A1 (en) | Pellicle-reticle methods with reduced haze or wrinkle formation | |
| JP4391352B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| Itani et al. | A study of dissolution characteristics and acid diffusion in chemically amplified DUV resist | |
| KR0169029B1 (ko) | 패턴 형성 방법과 이에 사용된 전자빔 노광 시스템 | |
| US5085729A (en) | Uniformity using stagnant silylation | |
| JP3483861B2 (ja) | フォトマスクユニット、フォトマスク装置、投影露光装置、投影露光方法及び半導体装置 | |
| JPH0992595A (ja) | 加熱処理装置および加熱処理方法 | |
| WO2001073825A1 (fr) | Dispositif d'alignement, appareil et procede servant a transferer une tranche, puce et son procede de fabrication | |
| JP2002033264A (ja) | 投影露光装置 |