JP2001345255A5 - - Google Patents
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Description
【発明の名称】露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法に関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法に関する。
【0005】
本発明は、このような従来技術の課題を解決し、露光装置、コートディベロップ装置、ロードロック室のような装置における基板の搬入・搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることを目的とする。
本発明は、このような従来技術の課題を解決し、露光装置、コートディベロップ装置、ロードロック室のような装置における基板の搬入・搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置は、リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、筐体と、前記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置は、リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、筐体と、前記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【0007】
また、本発明のリソグラフィ装置およびロードロック装置は、それぞれ、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
また、本発明のリソグラフィ装置およびロードロック装置は、それぞれ、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【0008】
本発明において、前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガスを噴射する噴射手段を含むことが好ましい。また、前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことが好ましい。こうすることによって、基板がガスカーテンを通過する際、ガスカーテンの流れを乱すのを防ぐことができる。
本発明において、前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガスを噴射する噴射手段を含むことが好ましい。また、前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことが好ましい。こうすることによって、基板がガスカーテンを通過する際、ガスカーテンの流れを乱すのを防ぐことができる。
【0009】
噴射するガスは、大気と同じ組成であってもよいが、各部屋の雰囲気と同じ組成の物を使用することが望ましい。各部屋の雰囲気と同じ組成とは、酸素や水分をパージするためのパージガスと同じものであれば良く、例えば、純粋な窒素ガスまたはヘリウムガス等の純粋な不活性ガスが挙げられる。これにより、管理している装置内部の酸素濃度等を上昇させることなく安定したガスカーテンを生成させることができる。
噴射するガスは、大気と同じ組成であってもよいが、各部屋の雰囲気と同じ組成の物を使用することが望ましい。各部屋の雰囲気と同じ組成とは、酸素や水分をパージするためのパージガスと同じものであれば良く、例えば、純粋な窒素ガスまたはヘリウムガス等の純粋な不活性ガスが挙げられる。これにより、管理している装置内部の酸素濃度等を上昇させることなく安定したガスカーテンを生成させることができる。
【0010】
また、ガスカーテンのガス噴射部と、その反対側端部に、ガスの流動方向を規制するためのガイドを設けてもよい。これにより、ガスカーテンとパージ空間内の雰囲気との混入を避けることができるため、大気(あるいは雰囲気よりO2濃度が高いエアー)のようなコストの安いエアーを用いてガスカーテンを生成することができる。また、不活性ガスを使用する場合でも、ガスカーテンの乱流を防ぐことができるので、シール能力が向上する。
また、ガスカーテンのガス噴射部と、その反対側端部に、ガスの流動方向を規制するためのガイドを設けてもよい。これにより、ガスカーテンとパージ空間内の雰囲気との混入を避けることができるため、大気(あるいは雰囲気よりO2濃度が高いエアー)のようなコストの安いエアーを用いてガスカーテンを生成することができる。また、不活性ガスを使用する場合でも、ガスカーテンの乱流を防ぐことができるので、シール能力が向上する。
【0011】
本発明において、ガスカーテンのガスは常に一定量噴射されても良いが、装置の運用コスト等を考慮して、必要時のみ発生させたり、流量を調節させることができる。
本発明において、ガスカーテンのガスは常に一定量噴射されても良いが、装置の運用コスト等を考慮して、必要時のみ発生させたり、流量を調節させることができる。
【0012】
具体的には、第1の構成として、前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段(センサ、F2光透過率測定器等)と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
具体的には、第1の構成として、前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段(センサ、F2光透過率測定器等)と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
【0013】
また第2の構成として、基板を検知する検知手段(センサまたはシーケンスで検知する手段)と、前記検知手段の検知結果に基づいて、前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
また第2の構成として、基板を検知する検知手段(センサまたはシーケンスで検知する手段)と、前記検知手段の検知結果に基づいて、前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
【0014】
このような構成として、ゲート弁を開き、基板を移動させる時、基板が通過することをセンサで検知し、流量コントローラに信号を送り、ガスカーテンの流量を増加させCD装置側からの酸素流入を防ぐことができる。また、ウエハ連続搬出入時は、ガスカーテンでシールし、しばらく使わないときにはゲート弁でシールすれば、エアーを節約することができる。
このような構成として、ゲート弁を開き、基板を移動させる時、基板が通過することをセンサで検知し、流量コントローラに信号を送り、ガスカーテンの流量を増加させCD装置側からの酸素流入を防ぐことができる。また、ウエハ連続搬出入時は、ガスカーテンでシールし、しばらく使わないときにはゲート弁でシールすれば、エアーを節約することができる。
【0015】
以上のような構成により、例えば、外部環境の酸素等の濃度が比較的高い状態でウエハあるいはレチクルを露光装置に搬入することが可能となる。そのため、例えば、ロードロック室内での不活性ガス置換の時間短縮が可能となる。
以上のような構成により、例えば、外部環境の酸素等の濃度が比較的高い状態でウエハあるいはレチクルを露光装置に搬入することが可能となる。そのため、例えば、ロードロック室内での不活性ガス置換の時間短縮が可能となる。
【0017】
本発明のデバイス製造方法は、前記露光装置、リソグラフィ装置、またはロードロック装置を用いることを特徴とする。
本発明のデバイス製造方法は、前記露光装置、リソグラフィ装置、またはロードロック装置を用いることを特徴とする。
【0019】
本発明のリソグラフィ方法は、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程を含むことを特徴とする。
本発明のリソグラフィ方法は、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程を含むことを特徴とする。
【0059】
【発明の効果】
装置における基板の搬入または搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることができる。
【発明の効果】
装置における基板の搬入または搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることができる。
Claims (14)
- リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、
筐体と、
前記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、
前記筐体に設けられたゲート弁と、
前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガスを噴射する噴射手段を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記ガスカーテンを構成するガスが大気および不活性ガスのいずれかであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の露光装置。
- 前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の露光装置。
- 基板を検知する検知手段と、前記検知手段の検知結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の露光装置。
- 前記ゲート弁を介して基板を搬送する搬送手段を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の露光装置。
- 前記基板は、ウエハおよびレチクルのいずれかであることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- ロードロック装置との間に前記ゲート弁を介在させたことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の露光装置。
- リソグラフィ装置であって、
筐体と、
前記筐体に設けられたゲート弁と、
前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 露光装置、レジスト・コータおよびレジスト・ディベロッパの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- ロードロック装置であって、
筐体と、
前記筐体に設けられたゲート弁と、
前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と
を有することを特徴とするロードロック装置。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の露光装置、請求項10および11のいずれかに記載のリソグラフィ装置、または請求項12に記載のロードロック装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、
ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程を含むことを特徴とするリソグラフィ方法。
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US6800172B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Interfacial structure for semiconductor substrate processing chambers and substrate transfer chambers and for semiconductor substrate processing chambers and accessory attachments, and semiconductor substrate processor |
US6814813B2 (en) * | 2002-04-24 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus |
US6858264B2 (en) * | 2002-04-24 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
JP4316210B2 (ja) | 2002-08-27 | 2009-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 保守システム,基板処理装置及び遠隔操作装置 |
EP1398669A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20040024516A (ko) * | 2002-09-13 | 2004-03-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US7647886B2 (en) | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
TWI311691B (en) * | 2003-10-30 | 2009-07-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
US7906393B2 (en) | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
US20080151200A1 (en) * | 2004-02-19 | 2008-06-26 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
US7408615B2 (en) * | 2004-06-21 | 2008-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4781049B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-09-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US8794896B2 (en) * | 2005-12-14 | 2014-08-05 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit |
US8113757B2 (en) | 2006-08-01 | 2012-02-14 | Tokyo Electron Limited | Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber |
JP5037058B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 |
US20100192844A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
JP2010287686A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及び基板の裏面洗浄方法。 |
US9136149B2 (en) | 2012-11-16 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Loading port, system for etching and cleaning wafers and method of use |
US20170292764A1 (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-12 | Michael D. Newman | Cryogenic exhaust control system and freezer having same |
JP6951923B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2021-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
TWI815827B (zh) * | 2017-11-07 | 2023-09-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置 |
US11270899B2 (en) * | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11194259B2 (en) * | 2018-08-30 | 2021-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Equipment module with enhanced protection from airborne contaminants, and method of operation |
US11740564B2 (en) * | 2020-06-18 | 2023-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus and method using the same |
CN114200791B (zh) * | 2020-09-17 | 2023-12-08 | 株式会社斯库林集团 | 显影装置及显影方法 |
US20220344190A1 (en) * | 2021-04-22 | 2022-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Air curtain for defect reduction |
KR102315216B1 (ko) * | 2021-05-13 | 2021-10-20 | 주식회사 엘에스텍 | 반도체 제조 설비용 에어 커튼 장치 |
CN115877665A (zh) * | 2021-09-29 | 2023-03-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 控温装置及控温方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0370134A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Fujitsu Ltd | 溶剤蒸気乾燥装置および乾燥方法 |
JPH0492410A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
US5997588A (en) * | 1995-10-13 | 1999-12-07 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Semiconductor processing system with gas curtain |
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