JP2001345255A5 - - Google Patents

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Description

【発明の名称】露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法よびリソグラフィ方法
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法よびリソグラフィ方法に関する。
【0005】
本発明は、このような従来技術の課題を解決し、露光装置、コートディベロップ装置、ロードロック室のような装置における基板の搬入・搬出時雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上図ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置は、リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、筐体と、記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、前記筐体に設けられたゲート弁と、記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【0007】
また、本発明のリソグラフィ装置およびロードロック装置は、それぞれ、筐体と、記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【0008】
本発明において、前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガス噴射する噴射手段を含むことが好ましい。また、前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことが好ましい。こうすることによって、基板がガスカーテンを通過する際、ガスカーテンの流れを乱すのを防ぐことができる。
【0009】
噴射するガスは、大気と同じ組成であってもよいが、各部屋の雰囲気と同じ組成の物を使用することが望ましい。各部屋の雰囲気と同じ組成とは、酸素や水分をパージするためのパージガスと同じものであれば良く、例えば、純粋な窒素ガスまたはヘリウムガス等の純粋な不活性ガスが挙げられる。これにより、管理している装置内部の酸素濃度を上昇させることなく安定したガスカーテンを生成させることができる。
【0010】
また、ガスカーテンのガス噴射部と、その反対側端部に、ガスの流動方向を規制するためのガイドを設けてもよい。これにより、ガスカーテンとパージ空間内の雰囲気との混入を避けることができるため、大気(あるいは雰囲気よりO濃度が高いエアー)のようなコストの安いエアーを用いてガスカーテンを成することができる。また、不活性ガスを使用する場合でも、ガスカーテンの乱流を防ぐことができるので、シール能力が向上する。
【0011】
本発明において、ガスカーテンのガスは常に一定量噴射されても良いが、装置の運用コスト等を考慮して、必要時のみ発生させたり、流量を調節させることができる。
【0012】
具体的には、第1の構成として、前記筐体の酸素およびのいずれかの濃度を計測する計測手段(センサ、F光透過率測定器等)と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段を有する構成とすることができる。
【0013】
また第2の構成として、検知する知手段(センサまたはシーケンスで検知する手段)と、前記検知手段の検知結果に基づいて、前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段を有する構成とすることができる。
【0014】
このような構成として、ゲート弁を開き、基板を移動させる時、基板が通過することをセンサで検知し、流量コントローラに信号を送り、ガスカーテンの流量を増加させCD装置側からの酸素流入を防ぐことができる。また、ウエハ連続搬出入時は、ガスカーテンでシールし、しばらく使わないときにはゲート弁でシールすれば、エアーを節約することができる。
【0015】
以上のような構成により、例えば、外部環境の酸素等の濃度が比較的高い状態でウエハあるいはレチクルを露光装置に搬入することが可能となる。そのため、例えば、ロードロック室内での不活性ガス置換の時間短縮が可能となる
【0017】
本発明のデバイス製造方法は、前記露光装置、リソグラフィ装置、またはロードロック装置を用いことを特徴とする。
【0019】
本発明のリソグラフィ方法は、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程を含むことを特徴とする。
【0059】
【発明の効果】
における基板搬入または搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上図ることができる。

Claims (14)

  1. リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、
    筐体と、
    記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、
    前記筐体に設けられたゲート弁と、
    記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と
    を有することを特徴とする露光装置。
  2. 前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガス噴射する噴射手段を含むことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  3. 前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
  4. 前記ガスカーテンを構成するガスがおよび不活性ガスのいずれかであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか記載の露光装置。
  5. 前記筐体の酸素およびのいずれかの濃度を計測する計測手段と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項1〜のいずれか記載の露光装置。
  6. 検知する知手段と、前記検知手段の検知結果に基づいて生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項1〜のいずれか記載の露光装置。
  7. 前記ゲート弁を介して基板を搬送する搬送手段を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の露光装置。
  8. 前記基板は、ウエハおよびレチクルのいずれかであることを特徴とする請求項に記載の露光装置。
  9. ードロック装置との間に前記ゲート弁を介在させたことを特徴とする請求項1〜のいずれか記載の露光装置。
  10. リソグラフィ装置であって、
    筐体と、
    前記筐体に設けられたゲート弁と、
    前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と
    を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
  11. 露光装置、レジスト・コータおよびレジスト・ディベロッパの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。
  12. ロードロック装置であって、
    筐体と、
    前記筐体に設けられたゲート弁と、
    前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と
    を有することを特徴とするロードロック装置。
  13. 請求項1〜9のいずれかに記載の露光装置、請求項10および11のいずれかに記載のリソグラフィ装置、または請求項12に記載のロードロック装置を用いことを特徴とするデバイス製造方法。
  14. 筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、
    ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程を含むことを特徴とするリソグラフィ方法。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002252161A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Hitachi Ltd 半導体製造システム
KR100914363B1 (ko) * 2001-07-15 2009-08-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 시스템
US6800172B2 (en) * 2002-02-22 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Interfacial structure for semiconductor substrate processing chambers and substrate transfer chambers and for semiconductor substrate processing chambers and accessory attachments, and semiconductor substrate processor
US6814813B2 (en) * 2002-04-24 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US6858264B2 (en) * 2002-04-24 2005-02-22 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
JP4316210B2 (ja) 2002-08-27 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 保守システム,基板処理装置及び遠隔操作装置
EP1398669A1 (en) * 2002-09-13 2004-03-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20040024516A (ko) * 2002-09-13 2004-03-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7647886B2 (en) 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
TWI311691B (en) * 2003-10-30 2009-07-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US20080151200A1 (en) * 2004-02-19 2008-06-26 Nikon Corporation Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US7408615B2 (en) * 2004-06-21 2008-08-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4781049B2 (ja) * 2005-08-30 2011-09-28 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US8794896B2 (en) * 2005-12-14 2014-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
US8113757B2 (en) 2006-08-01 2012-02-14 Tokyo Electron Limited Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber
JP5037058B2 (ja) * 2006-08-01 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法
US20100192844A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
JP2010287686A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び基板の裏面洗浄方法。
US9136149B2 (en) 2012-11-16 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Loading port, system for etching and cleaning wafers and method of use
US20170292764A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-12 Michael D. Newman Cryogenic exhaust control system and freezer having same
JP6951923B2 (ja) * 2017-09-27 2021-10-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
TWI815827B (zh) * 2017-11-07 2023-09-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置
US11270899B2 (en) * 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11194259B2 (en) * 2018-08-30 2021-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Equipment module with enhanced protection from airborne contaminants, and method of operation
US11740564B2 (en) * 2020-06-18 2023-08-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus and method using the same
CN114200791B (zh) * 2020-09-17 2023-12-08 株式会社斯库林集团 显影装置及显影方法
US20220344190A1 (en) * 2021-04-22 2022-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Air curtain for defect reduction
KR102315216B1 (ko) * 2021-05-13 2021-10-20 주식회사 엘에스텍 반도체 제조 설비용 에어 커튼 장치
CN115877665A (zh) * 2021-09-29 2023-03-31 长鑫存储技术有限公司 控温装置及控温方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0370134A (ja) * 1989-08-09 1991-03-26 Fujitsu Ltd 溶剤蒸気乾燥装置および乾燥方法
JPH0492410A (ja) * 1990-08-07 1992-03-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
US5997588A (en) * 1995-10-13 1999-12-07 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Semiconductor processing system with gas curtain

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