JP3483861B2 - フォトマスクユニット、フォトマスク装置、投影露光装置、投影露光方法及び半導体装置 - Google Patents
フォトマスクユニット、フォトマスク装置、投影露光装置、投影露光方法及び半導体装置Info
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- JP3483861B2 JP3483861B2 JP2001071864A JP2001071864A JP3483861B2 JP 3483861 B2 JP3483861 B2 JP 3483861B2 JP 2001071864 A JP2001071864 A JP 2001071864A JP 2001071864 A JP2001071864 A JP 2001071864A JP 3483861 B2 JP3483861 B2 JP 3483861B2
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、改善されたフォト
マスクの構造に関し、また、これを用いた投影露光装置
および投影露光方法ならびに半導体装置に関するもので
ある。また、具体的な適用としては、半導体集積回路製
造等において、回路パターン転写をする際の、被露光基
板に対する露光光の照度むらを抑えることを可能にした
フォトマスクの構造、使用に関するものである。
マスクの構造に関し、また、これを用いた投影露光装置
および投影露光方法ならびに半導体装置に関するもので
ある。また、具体的な適用としては、半導体集積回路製
造等において、回路パターン転写をする際の、被露光基
板に対する露光光の照度むらを抑えることを可能にした
フォトマスクの構造、使用に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、半導体集積回路のパターンをウ
エハ上に転写する光リソグラフイ露光技術の概念を示し
たものである。マスク基板１はペリクル膜２を備えてお
り、ペリクル膜２でカバーされた側にフォトマスクパタ
ーン３が形成されている。ペリクル膜２は、フォトマス
クパターン３に大気中の微粒子等の異物が付着するのを
防ぐため、フォトマスクパターン３とほぼ平行に、フレ
ーム７に張られている。露光光源６（具体的には発振さ
れたＦ２レーザ）からの光は、図５中の矢印のようにマ
スク基板１、ペリクル膜２、投影光学系４を透過し、被
露光基板５（具体的には半導体ウエハ）の上にフォトマ
スクの像を結像する。
エハ上に転写する光リソグラフイ露光技術の概念を示し
たものである。マスク基板１はペリクル膜２を備えてお
り、ペリクル膜２でカバーされた側にフォトマスクパタ
ーン３が形成されている。ペリクル膜２は、フォトマス
クパターン３に大気中の微粒子等の異物が付着するのを
防ぐため、フォトマスクパターン３とほぼ平行に、フレ
ーム７に張られている。露光光源６（具体的には発振さ
れたＦ２レーザ）からの光は、図５中の矢印のようにマ
スク基板１、ペリクル膜２、投影光学系４を透過し、被
露光基板５（具体的には半導体ウエハ）の上にフォトマ
スクの像を結像する。
【０００３】近年の半導体集積回路パターンでのデザイ
ンルール微細化に伴い、露光波長の短波長化が進んでい
る。現在、主流となっている回路パターン転写用露光装
置の光源は、波長２４８nmのＫｒＦエキシマレーザであ
り、波長１９３nmのＡｒＦエキシマレーザがこれに続
く。エキシマレーザの次は、真空紫外のＦ２レーザ（波
長１５７nm）である。
ンルール微細化に伴い、露光波長の短波長化が進んでい
る。現在、主流となっている回路パターン転写用露光装
置の光源は、波長２４８nmのＫｒＦエキシマレーザであ
り、波長１９３nmのＡｒＦエキシマレーザがこれに続
く。エキシマレーザの次は、真空紫外のＦ２レーザ（波
長１５７nm）である。
【０００４】ところで、Ｆ２レーザは大気中の酸素や水
分によって吸収されてしまう為、窒素等の不活性ガスに
よるパージが必要である。一方、このＦ２世代でもマス
ク基板上への異物付着は避ける必要があるため、ペリク
ルはなくてはならないものである。しかし、ペリクル
膜、特に有機物重合体より成るペリクル膜の膜厚は６０
０〜１０００ｎｍと薄く、Ｆ２レーザのような高エネル
ギーレーザの照射に対する耐光性が非常に低いため、そ
の寿命が短い。
分によって吸収されてしまう為、窒素等の不活性ガスに
よるパージが必要である。一方、このＦ２世代でもマス
ク基板上への異物付着は避ける必要があるため、ペリク
ルはなくてはならないものである。しかし、ペリクル
膜、特に有機物重合体より成るペリクル膜の膜厚は６０
０〜１０００ｎｍと薄く、Ｆ２レーザのような高エネル
ギーレーザの照射に対する耐光性が非常に低いため、そ
の寿命が短い。
【０００５】このような、ペリクル膜の短命という問題
を解決するために、本件の先行発明において、ペリクル
膜に接する空間を、通常は窒素等の不活性ガスのみから
なるガスに、活性ガスを混合させて、パージするという
方法を提案した。
を解決するために、本件の先行発明において、ペリクル
膜に接する空間を、通常は窒素等の不活性ガスのみから
なるガスに、活性ガスを混合させて、パージするという
方法を提案した。
【０００６】具体的には、図５に示すように、ペリクル
膜２を有するフォトマスクを用いた露光の際、フォトマ
スクの周囲を筐体９で囲み、不活性ガスに所定量の活性
ガスを混合したパージガスを用いてこの筐体内部９Ｃを
パージしたフォトマスク装置２００を、投影露光装置内
に装填して投影露光を行うという方法を提案した。
膜２を有するフォトマスクを用いた露光の際、フォトマ
スクの周囲を筐体９で囲み、不活性ガスに所定量の活性
ガスを混合したパージガスを用いてこの筐体内部９Ｃを
パージしたフォトマスク装置２００を、投影露光装置内
に装填して投影露光を行うという方法を提案した。
【０００７】あるいは、フォトマスクの基板１とペリク
ル膜２とフレーム７で囲まれる空間８を、不活性ガスに
所定量の活性ガスを混合したパージガスを用いてパージ
したフォトマスクユニット１００を、投影露光装置内に
装填し投影露光を行うという方法を提案した。
ル膜２とフレーム７で囲まれる空間８を、不活性ガスに
所定量の活性ガスを混合したパージガスを用いてパージ
したフォトマスクユニット１００を、投影露光装置内に
装填し投影露光を行うという方法を提案した。
【０００８】これにより、ペリクル膜２の短波長光、例
えばＦ２レーザ光に対する耐光性を向上させ、ペリクル
膜２の寿命の延命化を図る。
えばＦ２レーザ光に対する耐光性を向上させ、ペリクル
膜２の寿命の延命化を図る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｆ２レーザ
は、酸素等の活性ガスや水分による吸収が大きい。従っ
て、パージガスが活性ガスを含む場合に、この活性ガス
の濃度が変化すれば、活性ガスによって吸収される露光
光量が変化し、露光光のフォトマスク装置またはフォト
マスクユニットに対する透過率に差が生じる。その結
果、露光光の被処理基板に対する照度が変化し、照度変
化を生じてしまうことになり、レジストパターンの寸法
変化を生じることとなる。従って、活性ガスの濃度変化
を制御する必要がある。
は、酸素等の活性ガスや水分による吸収が大きい。従っ
て、パージガスが活性ガスを含む場合に、この活性ガス
の濃度が変化すれば、活性ガスによって吸収される露光
光量が変化し、露光光のフォトマスク装置またはフォト
マスクユニットに対する透過率に差が生じる。その結
果、露光光の被処理基板に対する照度が変化し、照度変
化を生じてしまうことになり、レジストパターンの寸法
変化を生じることとなる。従って、活性ガスの濃度変化
を制御する必要がある。
【００１０】しかし、配管部での外部からのガスの混入
や各種部品から発生するガスのために、供給ガスの濃度
を一定に保つことは困難であり、露光装置の照度の変動
を生じる可能性がある。
や各種部品から発生するガスのために、供給ガスの濃度
を一定に保つことは困難であり、露光装置の照度の変動
を生じる可能性がある。
【００１１】この発明は、前述先行発明の課題を解決す
るために、改善されたフォトマスクとこれを用いた投影
露光装置及び投影露光方法を提供しようとするものであ
る。
るために、改善されたフォトマスクとこれを用いた投影
露光装置及び投影露光方法を提供しようとするものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明のフォトマスク
装置は、フォトマスク基板と、このフォトマスク基板の
表面に対向しこの表面と所定の間隔をおいて張設された
ペリクル膜と、このペリクル膜を保持しこのペリクル膜
と前記フォトマスク基板との間を封じるフレームとを備
えたフォトマスクユニットと、所定量の活性ガスを含む
不活性ガスからなるパージガスで満たされた内部空間
に、前記フォトマスクユニットを収容する筐体とを備え
たフォトマスク装置であって、前記フォトマスクユニッ
トを透過した露光光の照度から、前記筐体内部の前記活
性ガスの濃度を測定する濃度測定機構とこの濃度測定機
構の出力に応じて前記活性ガスの濃度を制御する制御機
構とを備えたものである。
装置は、フォトマスク基板と、このフォトマスク基板の
表面に対向しこの表面と所定の間隔をおいて張設された
ペリクル膜と、このペリクル膜を保持しこのペリクル膜
と前記フォトマスク基板との間を封じるフレームとを備
えたフォトマスクユニットと、所定量の活性ガスを含む
不活性ガスからなるパージガスで満たされた内部空間
に、前記フォトマスクユニットを収容する筐体とを備え
たフォトマスク装置であって、前記フォトマスクユニッ
トを透過した露光光の照度から、前記筐体内部の前記活
性ガスの濃度を測定する濃度測定機構とこの濃度測定機
構の出力に応じて前記活性ガスの濃度を制御する制御機
構とを備えたものである。
【００１３】また、この発明のフォトマスク装置は、前
記制御機構が、前記パージガスを前記筐体内部に供給す
るガス供給手段を備え、前記濃度測定機構の出力に応
じ、前記ガス供給手段から前記筐体内部に供給される前
記パージガス中の前記活性ガスの濃度を調整することに
よって、前記筐体内部の前記活性ガスの濃度を制御でき
るようにしたものである。
記制御機構が、前記パージガスを前記筐体内部に供給す
るガス供給手段を備え、前記濃度測定機構の出力に応
じ、前記ガス供給手段から前記筐体内部に供給される前
記パージガス中の前記活性ガスの濃度を調整することに
よって、前記筐体内部の前記活性ガスの濃度を制御でき
るようにしたものである。
【００１４】
【００１５】
【００１６】 次に、この発明のフォトマスクユニット
は、フォトマスク基板と、このフォトマスク基板の表面
に対向しこの表面と所定の間隔をおいて張設されたペリ
クル膜と、このペリクル膜を保持し、このペリクル膜と
前記フォトマスク基板との間を封じるフレームとを備
え、前記フォトマスク基板と前記フレームと前記ペリク
ル膜とによって区画される空間に、所定量の活性ガスを
含む不活性ガスからなるパージガスを満たしたフォトマ
スクユニットであって、前記フォトマスク基板または、
前記フォトマスクユニットを透過した露光光の照度か
ら、前記フォトマスクユニット内部の前記活性ガスの濃
度を測定する濃度測定機構と、この濃度測定機構の出力
に応じて前記パージガス中の前記活性ガスの濃度を制御
する制御機構とを備えたものである。
は、フォトマスク基板と、このフォトマスク基板の表面
に対向しこの表面と所定の間隔をおいて張設されたペリ
クル膜と、このペリクル膜を保持し、このペリクル膜と
前記フォトマスク基板との間を封じるフレームとを備
え、前記フォトマスク基板と前記フレームと前記ペリク
ル膜とによって区画される空間に、所定量の活性ガスを
含む不活性ガスからなるパージガスを満たしたフォトマ
スクユニットであって、前記フォトマスク基板または、
前記フォトマスクユニットを透過した露光光の照度か
ら、前記フォトマスクユニット内部の前記活性ガスの濃
度を測定する濃度測定機構と、この濃度測定機構の出力
に応じて前記パージガス中の前記活性ガスの濃度を制御
する制御機構とを備えたものである。
【００１７】また、この発明のフォトマスクユニット
は、前記制御機構が、前記パージガスを前記空間に供給
するガス供給手段を備え、前記濃度測定機構の出力に応
じ、前記ガス供給手段から前記空間に供給される前記パ
ージガスの前記活性ガスの濃度を調整することによっ
て、前記空間の前記活性ガスの濃度を制御できるように
したものである。
は、前記制御機構が、前記パージガスを前記空間に供給
するガス供給手段を備え、前記濃度測定機構の出力に応
じ、前記ガス供給手段から前記空間に供給される前記パ
ージガスの前記活性ガスの濃度を調整することによっ
て、前記空間の前記活性ガスの濃度を制御できるように
したものである。
【００１８】
【００１９】
【００２０】 次に、この発明のフォトマスク装置は、
この発明のフォトマスク装置において、前記フォトマス
クユニットとして、この発明のフォトマスクユニットを
用いたものである。
この発明のフォトマスク装置において、前記フォトマス
クユニットとして、この発明のフォトマスクユニットを
用いたものである。
【００２１】 次に、この発明の投影露光装置は、露光
光源と、ペリクル膜で保護されたフォトマスクと、投影
光学系とを備え、前記ペリクル膜に接する空間は、所定
量の活性ガスを含む不活性ガスからなるパージガスで満
たされている投影露光装置において、前記フォトマスク
を透過した露光光の照度から、前記空間に満たされた前
記活性ガスの濃度を測定する濃度測定機構と、この濃度
測定機構の出力に応じ、前記空間の前記活性ガスの濃度
を制御する濃度制御機構とを備えたものである。
光源と、ペリクル膜で保護されたフォトマスクと、投影
光学系とを備え、前記ペリクル膜に接する空間は、所定
量の活性ガスを含む不活性ガスからなるパージガスで満
たされている投影露光装置において、前記フォトマスク
を透過した露光光の照度から、前記空間に満たされた前
記活性ガスの濃度を測定する濃度測定機構と、この濃度
測定機構の出力に応じ、前記空間の前記活性ガスの濃度
を制御する濃度制御機構とを備えたものである。
【００２２】 また、この発明の投影露光装置は、露光
光源と、この露光光源からの光が照射される、この発明
のフォトマスク装置またはこの発明のフォトマスクユニ
ットと、前記フォトマスク装置またはフォトマスクユニ
ットを透過した光を被露光面に照射する光学系とを備え
たものである。
光源と、この露光光源からの光が照射される、この発明
のフォトマスク装置またはこの発明のフォトマスクユニ
ットと、前記フォトマスク装置またはフォトマスクユニ
ットを透過した光を被露光面に照射する光学系とを備え
たものである。
【００２３】 次に、この発明の投影露光方法は、露光
光源と、ペリクル膜で保護されたフォトマスクと、投影
光学系とを備え、前記露光光源からの光で前記フォトマ
スク上のフォトマスクパターンを照射して前記フォトマ
スクパターンの像を前記投影光学系により被露光面に投
影露光する方法において、前記フォトマスクを透過した
露光光の照度を測定して、この測定した照度から、前記
ペリクル膜に接し、所定量の活性ガスを含む不活性ガス
からなるパージガスで満たされた空間の前記活性ガスの
濃度を測定する第一の工程と、この測定された濃度に応
じて、前記活性ガスの濃度を制御しながら投影露光する
第二の工程を含むものである。
光源と、ペリクル膜で保護されたフォトマスクと、投影
光学系とを備え、前記露光光源からの光で前記フォトマ
スク上のフォトマスクパターンを照射して前記フォトマ
スクパターンの像を前記投影光学系により被露光面に投
影露光する方法において、前記フォトマスクを透過した
露光光の照度を測定して、この測定した照度から、前記
ペリクル膜に接し、所定量の活性ガスを含む不活性ガス
からなるパージガスで満たされた空間の前記活性ガスの
濃度を測定する第一の工程と、この測定された濃度に応
じて、前記活性ガスの濃度を制御しながら投影露光する
第二の工程を含むものである。
【００２４】
【００２５】
【００２６】次に、この発明は、前記のフォトマスク装
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記ペリクル膜が、有機膜により形成さ
れているものである。
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記ペリクル膜が、有機膜により形成さ
れているものである。
【００２７】また、この発明は、前記のフォトマスク装
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記活性ガスとして、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ
２、ＣＯ、酸化窒素類（ＮＯｘ）、酸化硫黄類（Ｓ
Ｏｘ）、酸素を含む有機ガスのいずれかを用いるもので
ある。
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記活性ガスとして、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ
２、ＣＯ、酸化窒素類（ＮＯｘ）、酸化硫黄類（Ｓ
Ｏｘ）、酸素を含む有機ガスのいずれかを用いるもので
ある。
【００２８】また、この発明は、前記のフォトマスク装
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記不活性ガスとして、Ｎ２、Ａｒ，Ｈ
ｅ等の希ガスのいずれかを用いるものである。
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記不活性ガスとして、Ｎ２、Ａｒ，Ｈ
ｅ等の希ガスのいずれかを用いるものである。
【００２９】また、この発明は、前記のフォトマスク装
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記活性ガスの濃度を、５０ｐｐｍ〜１
００００ｐｐｍとするものである。
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記活性ガスの濃度を、５０ｐｐｍ〜１
００００ｐｐｍとするものである。
【００３０】また、この発明は、前記のフォトマスク装
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記活性ガスの濃度変化を、使用する活
性ガスに応じた所定値内とするものである。
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記活性ガスの濃度変化を、使用する活
性ガスに応じた所定値内とするものである。
【００３１】また、この発明は、前記のフォトマスク装
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記活性ガスに吸収されることによる前
記露光光の透過率の変化を０．０５％以内に抑えるよう
に、前記活性ガスの濃度変化を制御するものである。
置、フォトマスクユニット、投影露光装置及び投影露光
方法において、前記活性ガスに吸収されることによる前
記露光光の透過率の変化を０．０５％以内に抑えるよう
に、前記活性ガスの濃度変化を制御するものである。
【００３２】
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。なお、各図において、同一
または相当する部分には同一符号を付してその説明を簡
略化ないし省略する。
施の形態について説明する。なお、各図において、同一
または相当する部分には同一符号を付してその説明を簡
略化ないし省略する。
【００３４】実施の形態１．図１は、この発明の実施の
形態１で用いるフォトマスク装置の構造を示す断面図で
ある。
形態１で用いるフォトマスク装置の構造を示す断面図で
ある。
【００３５】図１において、１は、マスク基板、２は、
ペリクル膜、３は、フォトマスクパターン、７は、フレ
ーム（あるいは梁）、８は、空間およびこの空間に満た
されたガスを示す。マスク基板１の一表面にはフォトマ
スクパターン３が形成されており、このフォトマスクパ
ターン３を保護するために、フォトマスクパターン３と
所定の間隔（一般には約６ｍｍ）をおいて、ほぼ平行
に、ペリクル膜２がフレーム７に張られている。マスク
基板１とペリクル膜２とフレーム７とにより空間８が形
成され、この空間８に所定量の活性ガスが混合された不
活性ガスからなるパージガスが充填されている。
ペリクル膜、３は、フォトマスクパターン、７は、フレ
ーム（あるいは梁）、８は、空間およびこの空間に満た
されたガスを示す。マスク基板１の一表面にはフォトマ
スクパターン３が形成されており、このフォトマスクパ
ターン３を保護するために、フォトマスクパターン３と
所定の間隔（一般には約６ｍｍ）をおいて、ほぼ平行
に、ペリクル膜２がフレーム７に張られている。マスク
基板１とペリクル膜２とフレーム７とにより空間８が形
成され、この空間８に所定量の活性ガスが混合された不
活性ガスからなるパージガスが充填されている。
【００３６】なお、一般に、ペリクル膜２の材料として
はフッ素系ポリマーなどが用いられ、フレーム７の材料
としてはアルミ等が用いられる。しかし、この発明の範
囲内でこれに限るものではない。また、フレーム７は、
開口を有さず、マスク基板１とペリクル膜とフレーム７
により、密閉空間を形成するものでもよく、また、開口
またはガス供給口と回収口を有し、空間８のガスを流通
できるようにしたものでもよい。
はフッ素系ポリマーなどが用いられ、フレーム７の材料
としてはアルミ等が用いられる。しかし、この発明の範
囲内でこれに限るものではない。また、フレーム７は、
開口を有さず、マスク基板１とペリクル膜とフレーム７
により、密閉空間を形成するものでもよく、また、開口
またはガス供給口と回収口を有し、空間８のガスを流通
できるようにしたものでもよい。
【００３７】マスク基板１、ペリクル膜２、フォトマス
クパターン３、フレーム７を含めて、フォトマスクユニ
ット１００を構成する。
クパターン３、フレーム７を含めて、フォトマスクユニ
ット１００を構成する。
【００３８】また、９は、フォトマスクユニット１００
を内部に収容する筐体である。この筐体９の上面板９Ａ
と下面板９Ｂは光透過性の材料からなり、上面板９Ａと
下面板９Ｂの間隔は、好適には３ｃｍである。また、筐
体９の内部９Ｃにおいて、この筐体９の上面板９Ａ及び
下面板９Ｂとほぼ平行に、フォトマスクユニット１００
が、配置、支持されている（支持構造は図示省略）。
尚、上面板９Ａと下面板９Ｂの間隔は、３ｃｍ以下であ
ることが望ましいが、この発明の範囲内でこれに限るも
のではない。
を内部に収容する筐体である。この筐体９の上面板９Ａ
と下面板９Ｂは光透過性の材料からなり、上面板９Ａと
下面板９Ｂの間隔は、好適には３ｃｍである。また、筐
体９の内部９Ｃにおいて、この筐体９の上面板９Ａ及び
下面板９Ｂとほぼ平行に、フォトマスクユニット１００
が、配置、支持されている（支持構造は図示省略）。
尚、上面板９Ａと下面板９Ｂの間隔は、３ｃｍ以下であ
ることが望ましいが、この発明の範囲内でこれに限るも
のではない。
【００３９】また、筐体９にはガス供給手段１５と、ガ
ス回収手段１６が備えられている。内部９Ｃには、ガス
供給手段１５から供給されるパージガスが充填されてい
る。
ス回収手段１６が備えられている。内部９Ｃには、ガス
供給手段１５から供給されるパージガスが充填されてい
る。
【００４０】フォトマスクユニット１００を収容した筐
体９、ガス供給手段１５及びガス回収手段１６を含め
て、フォトマスク装置２００を構成する。
体９、ガス供給手段１５及びガス回収手段１６を含め
て、フォトマスク装置２００を構成する。
【００４１】尚、この明細書において、ペリクル膜を備
えたフォトマスクをフォトマスクユニットと称し、この
フォトマスクユニットを筐体内に収納したものをフォト
マスク装置と称することにする。また、この実施の形態
１では、フォトマスク装置２００に用いるフォトマスク
ユニットとして、前述のフォトマスクユニット１００を
用いたが、この発明の範囲内で他のフォトマスクユニッ
トであってもよい。
えたフォトマスクをフォトマスクユニットと称し、この
フォトマスクユニットを筐体内に収納したものをフォト
マスク装置と称することにする。また、この実施の形態
１では、フォトマスク装置２００に用いるフォトマスク
ユニットとして、前述のフォトマスクユニット１００を
用いたが、この発明の範囲内で他のフォトマスクユニッ
トであってもよい。
【００４２】また、フォトマスクユニット１００の空間
８及びフォトマスク装置２００の内部空間９Ｃを活性ガ
スが混合された不活性ガスからなるパージガスを用いて
パージするのは、ペリクル膜２、特に、有機材料のペリ
クル膜の延命化を図るためである。
８及びフォトマスク装置２００の内部空間９Ｃを活性ガ
スが混合された不活性ガスからなるパージガスを用いて
パージするのは、ペリクル膜２、特に、有機材料のペリ
クル膜の延命化を図るためである。
【００４３】この混合する活性ガスの濃度としては、５
０ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍの範囲が適当である。活性
ガスの濃度が高い方がペリクル膜の寿命が伸びるが、一
方濃度が高いほど光の透過量が減る傾向にある。したが
って、適切な濃度は、必要に応じて選択されうるもので
ある。ペリクル膜の寿命と光の透過率の両立を図る範囲
が上述の範囲となる。
０ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍの範囲が適当である。活性
ガスの濃度が高い方がペリクル膜の寿命が伸びるが、一
方濃度が高いほど光の透過量が減る傾向にある。したが
って、適切な濃度は、必要に応じて選択されうるもので
ある。ペリクル膜の寿命と光の透過率の両立を図る範囲
が上述の範囲となる。
【００４４】図１において、１２は、濃度測定機構、１
３は、制御器、１４はマスフローコントローラを示す。
また、不活性ガス供給口１０Ｂ、及び、マスフローコン
トローラ１４の備えられた活性ガス供給口１０Ａを含め
てガス供給手段１５を構成する。
３は、制御器、１４はマスフローコントローラを示す。
また、不活性ガス供給口１０Ｂ、及び、マスフローコン
トローラ１４の備えられた活性ガス供給口１０Ａを含め
てガス供給手段１５を構成する。
【００４５】また、濃度測定機構１２は、濃度測定セン
サ（図示せず）を含んで構成される。濃度測定機構１２
の出力は、制御器１３に伝えられ、制御器１３は、測定
された濃度に応じて、マスフローコントローラ１４を制
御する。制御器１３とガス供給手段１５を含めて、制御
機構５０を構成する。
サ（図示せず）を含んで構成される。濃度測定機構１２
の出力は、制御器１３に伝えられ、制御器１３は、測定
された濃度に応じて、マスフローコントローラ１４を制
御する。制御器１３とガス供給手段１５を含めて、制御
機構５０を構成する。
【００４６】図２は、この実施の形態１による投影露光
系の概念構成を示す図である。図２において、４は、投
影光学系、５は、被露光基板、６は露光光源を示し、全
体として投影露光装置の概念構成を示す。被露光基板５
は例えば半導体ウエハであり、露光光源６は例えばＦ２
レーザである。
系の概念構成を示す図である。図２において、４は、投
影光学系、５は、被露光基板、６は露光光源を示し、全
体として投影露光装置の概念構成を示す。被露光基板５
は例えば半導体ウエハであり、露光光源６は例えばＦ２
レーザである。
【００４７】また、この実施の形態１による投影露光装
置は、フォトマスクとして、図１において説明したフォ
トマスク装置２００が装填され、このフォトマスク装置
２００と、露光光源６、投影光学系４、被露光基板５を
載せる台（図示せず）を含めて投影露光装置を構成す
る。
置は、フォトマスクとして、図１において説明したフォ
トマスク装置２００が装填され、このフォトマスク装置
２００と、露光光源６、投影光学系４、被露光基板５を
載せる台（図示せず）を含めて投影露光装置を構成す
る。
【００４８】次にこの投影露光装置を用いて投影露光す
る際の投影露光装置及びフォトマスク装置の動作につい
て、図１及び図２を用いて説明する。
る際の投影露光装置及びフォトマスク装置の動作につい
て、図１及び図２を用いて説明する。
【００４９】図２に矢印で示すように、露光光源６から
発する露光光（具体的にはＦ２レーザ光）は、フォトマ
スク装置２００を経て、投影光学系４に入射し、この投
影光学系４で収束され、被露光基板５の表面の被露光面
にマスクパターンが投影される。
発する露光光（具体的にはＦ２レーザ光）は、フォトマ
スク装置２００を経て、投影光学系４に入射し、この投
影光学系４で収束され、被露光基板５の表面の被露光面
にマスクパターンが投影される。
【００５０】フォトマスク装置２００内では、露光光
は、図１に矢印で示すように、筐体９の上面板９Ａ、フ
ォトマスク基板１、フォトマスクパターン３、ペリクル
膜２を経て、筐体９の下面板９Ｂに至る。また、この
間、露光光は、パージガスでパージされた空間８及び内
部９Ｃを透過する。Ｆ２レーザ光は、活性ガスによる吸
収が大きいため、空間８及び内部９Ｃのガスに含まれる
活性ガスに吸収され、露光光量に変化が生じる。従っ
て、空間８または内部９Ｃの濃度が変化すれば、この活
性ガスによる露光光の吸収量は変化し、その結果、照度
変化を生じることになる。
は、図１に矢印で示すように、筐体９の上面板９Ａ、フ
ォトマスク基板１、フォトマスクパターン３、ペリクル
膜２を経て、筐体９の下面板９Ｂに至る。また、この
間、露光光は、パージガスでパージされた空間８及び内
部９Ｃを透過する。Ｆ２レーザ光は、活性ガスによる吸
収が大きいため、空間８及び内部９Ｃのガスに含まれる
活性ガスに吸収され、露光光量に変化が生じる。従っ
て、空間８または内部９Ｃの濃度が変化すれば、この活
性ガスによる露光光の吸収量は変化し、その結果、照度
変化を生じることになる。
【００５１】例えば、Ｆ２レーザー光に対してＯ２は１
ｍ、１ｐｐｍで約１．４５％の吸収率を持つ。また、筐
体９の上面板９Ａと下面板９Ｂの間隔は３ｃｍである。
したがって、不活性ガスに混合する活性ガスとしてＯ２
を使用する場合、Ｆ２レーザー光が筐体９の内部９Ｃを
透過する際の、Ｏ２によるＦ２レーザー光の吸収率は、
約０．０４％となる。一方、露光装置全体での照度むら
を０．５％以内に抑えるためには、Ｏ２の濃度むら、揺
らぎによる透過率の変化は０．０５％以内に抑える必要
がある。以上より、筐体内部９ＣでのＯ２の濃度の変化
を１．２ｐｐｍに抑える必要がある。
ｍ、１ｐｐｍで約１．４５％の吸収率を持つ。また、筐
体９の上面板９Ａと下面板９Ｂの間隔は３ｃｍである。
したがって、不活性ガスに混合する活性ガスとしてＯ２
を使用する場合、Ｆ２レーザー光が筐体９の内部９Ｃを
透過する際の、Ｏ２によるＦ２レーザー光の吸収率は、
約０．０４％となる。一方、露光装置全体での照度むら
を０．５％以内に抑えるためには、Ｏ２の濃度むら、揺
らぎによる透過率の変化は０．０５％以内に抑える必要
がある。以上より、筐体内部９ＣでのＯ２の濃度の変化
を１．２ｐｐｍに抑える必要がある。
【００５２】このため、この実施の形態１においては、
ガス供給手段１５から供給される活性ガスの濃度を制御
する。これについて説明する。筐体内部９Ｃの活性ガス
の濃度は、ガス回収口１１に備え付けられた濃度測定機
構１２によって測定される。この濃度測定機構１２によ
って測定された濃度は、制御器１３に伝えられる。制御
器１３は、活性ガス供給口１０Ａに備え付けられている
マスフローコントローラ１４を制御する。
ガス供給手段１５から供給される活性ガスの濃度を制御
する。これについて説明する。筐体内部９Ｃの活性ガス
の濃度は、ガス回収口１１に備え付けられた濃度測定機
構１２によって測定される。この濃度測定機構１２によ
って測定された濃度は、制御器１３に伝えられる。制御
器１３は、活性ガス供給口１０Ａに備え付けられている
マスフローコントローラ１４を制御する。
【００５３】ガス供給手段１５において、この活性ガス
供給口１０Ａから供給される調整された量の活性ガス
と、不活性ガス供給口１０Ｂから供給される不活性ガス
を混合させ、筐体内部の濃度変化を、所定値内（例えば
活性ガスにＯ２を用いる場合１．２ｐｐｍ以内）に抑え
るようなパージガスが作られる。このパージガスは、ガ
ス供給口１０を通して、筐体内部９Ｃに供給され、筐体
内部９Ｃをパージする。
供給口１０Ａから供給される調整された量の活性ガス
と、不活性ガス供給口１０Ｂから供給される不活性ガス
を混合させ、筐体内部の濃度変化を、所定値内（例えば
活性ガスにＯ２を用いる場合１．２ｐｐｍ以内）に抑え
るようなパージガスが作られる。このパージガスは、ガ
ス供給口１０を通して、筐体内部９Ｃに供給され、筐体
内部９Ｃをパージする。
【００５４】このようにして、活性ガスの濃度変化は抑
えられ、この濃度変化による照度変化を抑えることがで
きる。
えられ、この濃度変化による照度変化を抑えることがで
きる。
【００５５】尚、上記に説明した不活性ガスとしては、
Ｎ２，Ａｒ，Ｈｅのいずれかが適当であるが、必ずしも
これらに制限されるものではない。また、この不活性ガ
スの混合する活性ガスとしては、Ｏ２を用いて説明した
が、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ２、ＣＯ、酸化窒素類（Ｎ
Ｏｘ）、酸化硫黄類（ＳＯｘ）、Ｏ２を含む有機ガスの
いずれかから選択するのがよい。しかし、必ずしもこれ
らに限定する必要はない。
Ｎ２，Ａｒ，Ｈｅのいずれかが適当であるが、必ずしも
これらに制限されるものではない。また、この不活性ガ
スの混合する活性ガスとしては、Ｏ２を用いて説明した
が、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ２、ＣＯ、酸化窒素類（Ｎ
Ｏｘ）、酸化硫黄類（ＳＯｘ）、Ｏ２を含む有機ガスの
いずれかから選択するのがよい。しかし、必ずしもこれ
らに限定する必要はない。
【００５６】また、この実施の形態１において、フォト
マスクユニット１００の空間８は、前記パージガスで満
たされ、密閉されているものであるが、フォトマスクユ
ニットのフレーム７に、フォトマスクユニット内の雰囲
気をパージするための開口をもつものや、あるいは、ガ
ス供給口と回収口が設けられたものを用いて、流通状態
で、空間８が筐体内部９Ｃと同一の活性ガスの濃度に保
たれるようにしてもよい。
マスクユニット１００の空間８は、前記パージガスで満
たされ、密閉されているものであるが、フォトマスクユ
ニットのフレーム７に、フォトマスクユニット内の雰囲
気をパージするための開口をもつものや、あるいは、ガ
ス供給口と回収口が設けられたものを用いて、流通状態
で、空間８が筐体内部９Ｃと同一の活性ガスの濃度に保
たれるようにしてもよい。
【００５７】また、この実施の形態１においてパージガ
スは、ガス回収口１１を通して、ガス回収手段１６に回
収される。しかし、ガス回収手段１６は装備されておら
ず、単にガス回収口１１を備えるだけでもよい。
スは、ガス回収口１１を通して、ガス回収手段１６に回
収される。しかし、ガス回収手段１６は装備されておら
ず、単にガス回収口１１を備えるだけでもよい。
【００５８】さらに、この実施の形態１において、フォ
トマスク装置はガス供給手段とガス回収手段とを有し
て、これによって内部９Ｃの濃度を制御するものである
が、これに限らず、内部９Ｃの濃度を制御できるもので
あればよい。
トマスク装置はガス供給手段とガス回収手段とを有し
て、これによって内部９Ｃの濃度を制御するものである
が、これに限らず、内部９Ｃの濃度を制御できるもので
あればよい。
【００５９】なお、この実施の形態における活性ガスと
不活性ガスについての説明は、後に続く他の実施の形態
についても当てはまるものである。したがって、その都
度説明することは省略する。
不活性ガスについての説明は、後に続く他の実施の形態
についても当てはまるものである。したがって、その都
度説明することは省略する。
【００６０】実施の形態２．図３は、この発明の実施の
形態２によるフォトマスクユニットの構造を示す断面図
である。図３に示すフォトマスクユニット３００おい
て、１５はフォトマスク基板１に設けられたガス供給手
段、１６はフォトマスク基板１に設けられたガス回収手
段を示す。また、１２は、濃度測定機構、１３は、制御
器、１４は、マスフローコントローラを示す。
形態２によるフォトマスクユニットの構造を示す断面図
である。図３に示すフォトマスクユニット３００おい
て、１５はフォトマスク基板１に設けられたガス供給手
段、１６はフォトマスク基板１に設けられたガス回収手
段を示す。また、１２は、濃度測定機構、１３は、制御
器、１４は、マスフローコントローラを示す。
【００６１】この例では、濃度測定機構１２、制御器１
３及びマスフローコントローラ１４を含むガス供給手段
１５並びにガス回収手段１６ともフォトマスク付帯型に
なっている。
３及びマスフローコントローラ１４を含むガス供給手段
１５並びにガス回収手段１６ともフォトマスク付帯型に
なっている。
【００６２】この実施の形態２による投影露光装置は、
フォトマスクとして、図３において説明したフォトマス
クユニット３００を装填し、このフォトマスクユニット
３００と、露光光源６、投影光学系４、被露光基板５を
載せる台を含めて投影露光装置を構成する。その他の部
分は、図２と同様であるから説明を省略する。
フォトマスクとして、図３において説明したフォトマス
クユニット３００を装填し、このフォトマスクユニット
３００と、露光光源６、投影光学系４、被露光基板５を
載せる台を含めて投影露光装置を構成する。その他の部
分は、図２と同様であるから説明を省略する。
【００６３】このフォトマスクユニット３００では、フ
ォトマスク基板１とペリクル膜２の間の密閉空間８を活
性ガスが混合された不活性ガスによりパージする際、ガ
ス供給手段１５からパージガス供給口１０を経てパージ
ガスを供給し、パージガス回収口１１を経てガス回収手
段１６にパージガスを回収する。
ォトマスク基板１とペリクル膜２の間の密閉空間８を活
性ガスが混合された不活性ガスによりパージする際、ガ
ス供給手段１５からパージガス供給口１０を経てパージ
ガスを供給し、パージガス回収口１１を経てガス回収手
段１６にパージガスを回収する。
【００６４】空間８内部の活性ガスの濃度は、濃度測定
機構１２によって測定され、その結果は制御器１３に伝
えられる。制御器１３は、活性ガスの濃度の変化が、所
定値内（例えば、活性ガスにＯ２を用いる場合１．２ｐ
ｐｍ以内）に抑えられるように、活性ガス供給口１０Ａ
に備え付けられているマスフローコントローラ１４を制
御する。これにより、活性ガス供給口１０Ａから供給さ
れる活性ガスの供給量は制御され、空間８に供給される
パージガスの活性ガスの濃度は制御される。このように
して、活性ガスの濃度変化は抑えられ、この濃度変化に
よる照度変化を抑えることができる。なお、ガス回収手
段１６は装備されておらず、単にガス回収口１１を備え
るだけでもよい。
機構１２によって測定され、その結果は制御器１３に伝
えられる。制御器１３は、活性ガスの濃度の変化が、所
定値内（例えば、活性ガスにＯ２を用いる場合１．２ｐ
ｐｍ以内）に抑えられるように、活性ガス供給口１０Ａ
に備え付けられているマスフローコントローラ１４を制
御する。これにより、活性ガス供給口１０Ａから供給さ
れる活性ガスの供給量は制御され、空間８に供給される
パージガスの活性ガスの濃度は制御される。このように
して、活性ガスの濃度変化は抑えられ、この濃度変化に
よる照度変化を抑えることができる。なお、ガス回収手
段１６は装備されておらず、単にガス回収口１１を備え
るだけでもよい。
【００６５】実施の形態３．図４は、この実施の形態３
によるフォトマスク装置の構造を示す図である。図４に
示すフォトマスク装置４００において、１２Ａは、照度
センサであり、筐体の下面板９Ｂに備えられている。ま
た、１２Ｂは、濃度計算系を示す。濃度測定機構１２は
照度センサ１２Ａ及び、濃度計算系１２Ｂを含み構成さ
れる。
によるフォトマスク装置の構造を示す図である。図４に
示すフォトマスク装置４００において、１２Ａは、照度
センサであり、筐体の下面板９Ｂに備えられている。ま
た、１２Ｂは、濃度計算系を示す。濃度測定機構１２は
照度センサ１２Ａ及び、濃度計算系１２Ｂを含み構成さ
れる。
【００６６】露光光は活性ガスによって吸収されるた
め、筐体内部９Ｃを透過した光の照度を測定すれば、内
部９Ｃの活性ガスの濃度を算出することが可能である。
これについて図４を用いて説明する。
め、筐体内部９Ｃを透過した光の照度を測定すれば、内
部９Ｃの活性ガスの濃度を算出することが可能である。
これについて図４を用いて説明する。
【００６７】照度センサ１２Ａは、筐体の下面板９Ｂに
備えられ、露光光は上面板９Ａ、フォトマスクユニット
１００を経て筐体内部９Ｃを透過し、下面板９Ｂに届い
た光の照度を測定する。この測定された照度は、濃度計
算系１２Ｂに伝えられ、この濃度計算系１２Ｂにより、
筐体内部９Ｃの活性ガスの濃度が算出される。その他の
部分は図２と同様であるから説明を省略する。
備えられ、露光光は上面板９Ａ、フォトマスクユニット
１００を経て筐体内部９Ｃを透過し、下面板９Ｂに届い
た光の照度を測定する。この測定された照度は、濃度計
算系１２Ｂに伝えられ、この濃度計算系１２Ｂにより、
筐体内部９Ｃの活性ガスの濃度が算出される。その他の
部分は図２と同様であるから説明を省略する。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ペリクル膜に接する空間の濃度を一定に保つことができ
るため、露光光の吸収量の変化を防ぎ、被処理基板に照
射される露光光量を一定にし、これによって、照度変化
が生じるのを防ぐことができる。
ペリクル膜に接する空間の濃度を一定に保つことができ
るため、露光光の吸収量の変化を防ぎ、被処理基板に照
射される露光光量を一定にし、これによって、照度変化
が生じるのを防ぐことができる。
【図１】 この発明の実施の形態１で用いるフォトマス
ク装置の構造を示す断面図である。
ク装置の構造を示す断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１におけるフォトマス
ク装置と、投影露光装置の概念を示す図である。
ク装置と、投影露光装置の概念を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態２におけるフォトマス
クユニットの構造を示す断面図である。
クユニットの構造を示す断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３におけるフォトマス
ク装置の構造を示す断面図である。
ク装置の構造を示す断面図である。
【図５】 光リソグラフイ露光技術の概念を示す図であ
る。
る。
１００，３００ フォトマスクユニット
２００ フォトマスク装置
５０ 制御機構
１ フォトマスク基板
２ ペリクル膜
３ フォトマスクパターン
４ 投影光学系
５ 被露光基板（ウエハ）
６ 露光光源（Ｆ２レーザ）
７ フレーム
８ 空間
９ 筐体
９Ａ 上面板，９Ｂ 下面板
９Ｃ 内部
１０ パージガス供給口
１０Ａ 不活性ガス供給口、 １０Ｂ 活性ガス供給口
１１ パージガス回収口
１２ 濃度測定機構、 １２Ａ 照度センサ、 １２Ｂ
濃度計算系 １３ 制御器 １４ マスフローコントローラ １５ ガス供給手段 １６ ガス回収手段
濃度計算系 １３ 制御器 １４ マスフローコントローラ １５ ガス供給手段 １６ ガス回収手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 1/14
Claims (17)
- 【請求項１】 フォトマスク基板と、このフォトマスク
基板の表面に対向しこの表面と所定の間隔をおいて張設
されたペリクル膜と、このペリクル膜を保持しこのペリ
クル膜と前記フォトマスク基板との間を封じるフレーム
とを備えたフォトマスクユニットと、 所定量の活性ガスを含む不活性ガスからなるパージガス
で満たされた内部空間に、前記フォトマスクユニットを
収容する筐体とを備えたフォトマスク装置であって、前記フォトマスクユニットを透過した露光光の照度か
ら、 前記筐体内部の前記活性ガスの濃度を測定する濃度
測定機構と、 この濃度測定機構の出力に応じて前記活性ガスの濃度を
制御する制御機構とを備えたことを特徴とするフォトマ
スク装置。 - 【請求項２】 前記制御機構は、前記パージガスを前記
筐体内部に供給するガス供給手段を備え、 前記濃度測定機構の出力に応じ、前記ガス供給手段から
前記筐体内部に供給される前記パージガスの活性ガスの
濃度を調整することによって、前記筐体内部の前記活性
ガスの濃度を制御できるようにしたことを特徴とする請
求項１に記載のフォトマスク装置。 - 【請求項３】 前記制御機構は、前記筐体内部の前記活
性ガスの濃度変化を、使用する活性ガスに応じた所定値
内に制御することができることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のフォトマスク装置。 - 【請求項４】 前記ペリクル膜は、有機膜により形成さ
れていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに
記載のフォトマスク装置。 - 【請求項５】 フォトマスク基板と、このフォトマスク
基板の表面に対向しこの表面と所定の間隔をおいて張設
されたペリクル膜と、このペリクル膜を保持し、このペ
リクル膜と前記フォトマスク基板との間を封じるフレー
ムとを備え、 前記フォトマスク基板と前記フレームと前記ペリクル膜
とによって区画される空間に、所定量の活性ガスを含む
不活性ガスからなるパージガスを満たしたフォトマスク
ユニットであって、前記フォトマスク基板または、前記フォトマスクユニッ
トを透過した露光光の照度から、 前記フォトマスクユニ
ット内部の前記活性ガスの濃度を測定する濃度測定機構
と、 この濃度測定機構の出力に応じて前記活性ガスの濃度を
制御する制御機構とを備えたことを特徴とするフォトマ
スクユニット。 - 【請求項６】 前記制御機構は、前記パージガスを前記
空間に供給するガス供給手段を備え、 前記濃度測定機構の出力に応じ、前記ガス供給手段から
前記空間に供給される前記パージガス中の前記活性ガス
の濃度を調整することによって、前記空間の前記活性ガ
スの濃度を制御できるようにしたことを特徴とする請求
項５に記載のフォトマスクユニット。 - 【請求項７】 前記制御機構は、前記空間の前記活性ガ
スの濃度変化を、使用する活性ガスに応じた所定値内に
制御することができることを特徴とする請求項５または
６に記載のフォトマスクユニット。 - 【請求項８】 前記ペリクル膜は、有機膜により形成さ
れていることを特徴とする請求項５から７のいずれかに
記載のフォトマスクユニット。 - 【請求項９】 請求項１から４のいずれかに記載のフォ
トマスク装置において、前記フォトマスクユニットとし
て、請求項５から８のいずれかに記載のフォトマスクユ
ニットを用いたことを特徴とするフォトマスク装置。 - 【請求項１０】 露光光源と、ペリクル膜で保護された
フォトマスクと、投影光学系とを備え、 前記ペリクル膜に接する空間は、所定量の活性ガスを含
む不活性ガスからなるパージガスで満たされている投影
露光装置において、前記フォトマスクを透過した露光光の照度から 、前記空
間に満たされた前記活性ガスの濃度を測定する濃度測定
機構と、 この濃度測定機構の出力に応じ、前記空間の前記活性ガ
スの濃度を制御する濃度制御機構とを備えたことを特徴
とする投影露光装置。 - 【請求項１１】 露光光源と、 この露光光源からの光が照射される請求項１から４若し
くは請求項９のいずれかに記載のフォトマスク装置また
は請求項５から８のいずれかに記載のフォトマスクユニ
ットと、 前記フォトマスク装置またはフォトマスクユニットを透
過した光を被露光面に照射する光学系とを備えたことを
特徴とする投影露光装置。 - 【請求項１２】 露光光源と、ペリクル膜で保護された
フォトマスクと、投影光学系とを備え、 前記露光光源からの光で前記フォトマスク上のフォトマ
スクパターンを照射して前記フォトマスクパターンの像
を前記投影光学系により被露光面に投影露光する方法に
おいて、前記フォトマスクを透過した露光光の照度を測定して、
この測定した照度から、 前記ペリクル膜に接し、所定量
の活性ガスを含む不活性ガスからなるパージガスで満た
された空間の前記活性ガスの濃度を測定する第一の工程
と、 この測定された濃度に応じて、前記活性ガスの濃度を制
御しながら投影露光する第二の工程を含むことを特徴と
する投影露光方法。 - 【請求項１３】 前記活性ガスはＯ２、Ｏ３、ＣＯ２、
ＣＯ、酸化窒素類（ＮＯｘ）、酸化硫黄類（ＳＯｘ）、
酸素を含む有機ガスのいずれかとすることを特徴とする
請求項１２に記載の投影露光方法。 - 【請求項１４】 前記不活性ガスはＮ２または、Ａｒ、
Ｈｅ等の希ガスのいずれかとすることを特徴とする請求
項１２または１３に記載の投影露光方法。 - 【請求項１５】 前記第二の工程は、前記活性ガスの濃
度を、５０ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍに制御することを
特徴とする請求項１２から１４のいずれかに記載の投影
露光方法。 - 【請求項１６】 前記第二の工程は、前記活性ガスの濃
度の変化を、使用する活性ガスに応じた所定値内に制御
すること特徴とする請求項１２から１５のいずれかに記
載の投影露光方法。 - 【請求項１７】 前記第二の工程は、前記活性ガスに吸
収されることによる前記露光光の透過率の変化を０．０
５％以内に抑えるような範囲に、前記活性ガスの濃度変
化を制御することを特徴とする請求項１６に記載の投影
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001071864A JP3483861B2 (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | フォトマスクユニット、フォトマスク装置、投影露光装置、投影露光方法及び半導体装置 |
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|---|---|
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