KR0169029B1 - 패턴 형성 방법과 이에 사용된 전자빔 노광 시스템 - Google Patents

패턴 형성 방법과 이에 사용된 전자빔 노광 시스템 Download PDF

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Abstract

화학 증폭 성질을 갖는 EB레지스트 필름의 패턴 형성 방법은 부가적인 필름을 사용하지 않으면서 해상도의 저하 없이 소정 패턴을 형성할 수 있다. 화학 증폭 성질을 갖는 EB 레지스트 필름이 지지부상에 또는 그 위에 형성된 후에, 상기 레지스트 필름은 산 가스와 접촉하여 그 표면상에서 가스를 흡수하는. 상기 흡수된 산 가스는 노광되어 발생한 산의 잃어버린 촉매작용을 보상하기 위한 촉매작용을 행하여, 현상 용액 내에서 레지스트 필름의 용해율 저하를 방지한다. 가스 흡수 공정은 레지스터 필름의 EB 노광 공정 전 및/또는 후에 수행될 수 있으며, EB 노광 공정과 동시에 수행될 수도 있다. 흡수될 산 가스로서는 HCl, HBr, H2O2, 또는 H2SO4를 사용함이 바람직하다.

Description

패턴 형성 방법과 이에 사용된 전자빔 노광 시스템
제1a도 내지 1f도는 종래의 EB 레지스트 필름의 패턴 형성 방법의 공정 순서도.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 레지스트 필름 패턴 형성 방법에 사용된 EB 노광 시스템의 구조 단면도.
제3a도 내지 3f도는 제1실시예에 의한 패턴 형성 방법의 공정 순서도.
제4도는 본 발명의 제2,3, 및4 실시예에 의한 레지스트 필름 패턴 형성 방법에 사용된 또다른 EB 노광 시스템의 구조 단면도.
제5a도 내지 5d도 는 제2실시예에 의한 패턴 형성 방법의 공정 순서도.
제6a도 내지 6e도는 제3실시예에 의한 패턴 형성 방법의 공정 순서도.
제7a도 내지 7f도는 제3실시예에 의한 패턴 형성 방법의 공정 순서도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 노광실 2 : 웨이퍼 교환실
3 : 가스 저장기 4 : 가스라인
7 : 전자공학 시스템 8 : 웨이퍼 스테이지
21 : 반도체 웨이퍼 22 : 레지스트 필름
본 발명은 패턴 형성방법과 이를 위해 사용된 전자빔 노광 시스템에 관한 것으로, 특히 전자빔으로 화학적 증폭 성질을 가진 레지스트에 패턴을 형성하는 방법과 상기 방법에 사용된 전자빔 노광 시스템에 관한 것이다.
리소그래피 기술의 진보 또는 개선은 집적도가 증가된 대규모 집적회로 제조를 위한 미세 패턴 형성에 필수 불가결한 것이다. 따라서, 고민감도와 고해상도가 가능한 화학적 증폭 성질을 갖는 다양한 레지스트와 자외선(UV), 원자외선(FUV), 전자빔(EB) 및 X-레이와 같은 노광 복사선을 사용하는 다양한 노광 프로세스가 연구되고 개발되었다.
일반적으로 포지티브 레지스트 형태는 산 발생기와 산 분해성 폴리머를 포함한다. 산 발생기는 노광 프로세스동안의 복사 에너지에 의하여 노광된 레지스트부분에 소정의 산을 발생시킨다.
이와같이 발생된 상은 분자간의 가교결합, 결합파괴, 또는 산분해성 폴리머의 분해 등과 같은 반응에서 촉매로서 작용한다.
상기 반응은 산 발생기로부터 동일한 산을 더 발생시키며, 이렇게 새롭게 발생된 산은 상기 반응을 촉진시키는 촉매로서 작용한다. 따라서, 상기 반응은 체인처럼 연속적으로 일어나며, 그 결과, 산분해성 폴리머의 분자량은 감소한다.
다음에 레지스트는 포스트-베이크 또는 포스트-노광 베이크(PEB)공정으로 명명되는 열처리 공정을 거치어 상기 반응을 더 촉진시켜, 폴리머의 분자량 감소를 더 야기시킨다.
일반적으로 네거티브 레지스트 형태는 산 발생기와 산 반응성 모노머와 산 중합성 폴리머를 포함한다. 포지티브 레지스트와 유사하게, 산발생기는 노광 프로세스 동안의 복사 에너지에 의하여 노광된 레지스트 부분에 소정의 산을 발생시킨다. 이와같이 발생된 산은 분자간의 가교결합, 결합파괴, 또는 산 반응성 모너머와 산 중합성 폴리머의 분해 등과 같은 반응에서의 촉매 역할을 한다.
상기 반응은 산 발생기로부터 동일한 산을 더 발생시키며, 이렇게 새롭게 발생된 산은 상기 반응을 촉진시키는 촉매로서 작용한다.
따라서, 상기 반응은 체인처럼 연속적으로 일어나며, 그 결과, 산 중합성 폴리머의 분자량은 증가한다.
상술한 것 처럼, 포지티브 및 네거티브 레지스트를 사용하여, 레지스트에 대한 복사 노광의 효과는 산 발생기에 의하여 발생된 산에 의하여 화학적으로 증폭되어, 레지스트상에 소망의 미세 패턴을 형성한다.
실질적인 LSI 제조공정에서는 EB 레지스트가 사용되며, 상기 레지스트는 반도체 웨이퍼상에 도포되고 노광 공정동안에 EB에 노출되며, 이 공정은 EB 노광 시스템의 진공실 내에서 수행된다. 상기 노광 공정후에, EB 레지스트로 도포된 웨이퍼를 진공실에서 꺼내어, 그 다음에 대기중에서, PEB공정을 수행한다.
다음에, EB 레지스트는 유기 알카리 현상 용액을 사용하여 현상 공정을 거치게 된다. 레지스트의 분자량이 낮은 부분, 즉, 불필요한 부분은 현상 용액에서 용해되기 때문에, 용액 내에서 용해되어 제거되며, 따라서 소망의 레지스트 패턴이 형성된다.
포지티브 레지스트 경우에, EB에 노광된 부분은 현상 용액 내에서 용해되어 제거된다. 네거티브 레지스트의 경우에는 비노광된 부분이 요약 내에서 용해되어 제거된다.
상술한 것 처럼, 화학 증폭성질을 갖는 EB 레지스트는 EB 노광 효과를 증폭시키기 때문에, 상기 레지스트는 쿼논디아지드를 함유하는 EB 활성 화합물과 노볼랙 수지로 이루어진 종래의 EB 레지스트보다 더 높은 민감도를 실현할 수 있다.
또한, EB 에 조금 노광시켜서 더 높은 민감도를 실현할 수 있으므로, 종래의 EB 레지스트 형태의 경우보다 더 다양한 EB 레지스트 재료가 최적의 EB 레지스트로서 선택된다. 이는 고해상도 EB 레지스트가 선택될 수 있음을 의미한다.
따라서, 화학 증폭 성질을 갖는 EB 레지스트는 고민감도와 고해상도를 가진다.
상술한 바와 같은, EB 레지스트를 사용한 종래의 패턴 형성 방법에 있어서는, EB 레지스트로 도포된 반도체 웨이퍼는 노광 공정 후에 EB 노광 시스템의 진공실로부터 끄집어 내어진 다음에 대기중에서 PEB 공정을 거쳐야 했다.
결과적으로, 노광된 레지스트는 대기와 접촉하며, 따라서 레지스트의 노광된 부분에 발생된 소정의 산은 대기와 반응하여 자체의 촉매작용을 잃게 된다. 이와같은 현상을 산의 탈활성화라고 부른다.
탈활성화는 대기중에 포함된 O2및/또는 CO2에 의하여 야기된다. 그러나, 최근에, 탈활성화는 대기중에 포함된 염기 또는 염기들 및/또는 습기에 의하여 야기된다는 것이 밝혀졌다.
일단 산의 탈활성화가 발생하면, 가교결합, 결합파괴 및 산 분해성 또는 산 중합성 폴리머의 분해와 같은 체인 반응은 만족할 만큼 진행하지 않으며, 따라서 레지스트 재료에서 바람직한 분자량 변화가 발생하지 않는다. 이는 레지스트 필름 표면에 있어서 현상용액 내의 레지스트 재료의 용해율 변화를 초래하여, 레지스트 패턴의 변형을 초래한다.
특히, 포지티브 레지스트의 경우에 형성된 레지스트 패턴의 사이즈가 커질 수 있는데 다시 말해서, 제거되어야 할 부분이 남게되는 경향이 있다. 따라서, 상기 형성된 레지스트 패턴은 T형 단면을 가진다. 마찬가지로 네거티브 레지스트의 경우에, 형성된 레지스트 패턴의 사이즈가 축소될 수 있는데, 다시 말해서, 제거되지 않아야 할 부분이 제거되는 경향이 있다. 따라서, 상기 형성된 레지스트 패턴은 역방향 T형 단면을 가진다.
따라서, 포지티브 및 네거티브 레지스트는 소망의 미세한 레지스트 패턴을 만들지 못하며, 이는 획득 가능한 레지스트 해상도가 감소됨을 의미한다.
이와 같은 해상도 감소는 EB 노광공정 끝난 후부터 PEB 공정 시작 까지의 대략 30분 내지 1시간의 시간에 따라 변한다.
해상도 저하의 문제점을 해결하기 위하여, 개선된 패턴 형성 방법이 개발되었으며, 일본 특개소 제4-204848호(1992년7월)에 개시되어 있다. 상기 종래의 방법은 레지스트 필름을 덮는 수용성 폴리머를 보호 필름으로 사용하며, 제1a 내지 1f도에 도시되어 설명되었다. 처음에, 화학 증폭 성질을 갖는 EB 레지스트가 반도체 웨어퍼(61)상에 또는 위에 도포되어, 제1a도와 같은 EB 레지스트 필름(62)을 만든다. 다음에 레지스트 필름(62)은 일반적인 프리-베이크 또는 프리-노광 베이크 공정을 거친다.
다음에, 레지스트 필름(62)과 혼합되지 않는 수용성 폴리머 재료가 레지스트 필름(62)상에 도포되어, 제1b도와 같이, 보호 필름(70)을 형성한다.
이와같이 보호 필름(70)이 도포된 EB 레지스트 필름(62)은 EB 노광 시스템의 진공실 내에서 보호 필름(70)을 통하여 EB(56)에 선택적으로 노출된다. 제1c도와 같이, 이러한 노광 공정을 통하여, 레지스트 필름(62)의 소정영역(62a)은 EB(56)에 노광되고 상기 노광된 부분(62a)에는 소정의 산이 발생한다.
이렇게 노광된 레지스트 필름(62)은, 보호필름(70)을 제거하지 않은 상태에서, 진공실로부터 대기중으로 옮겨진다. 보호필름(70)은 PEB 공정 직전에 제거되어 제1d도와 같이되며, 다음에 PEB 공정처리되어 제1e도와 같이 된다.
마지막으로, 이렇게 PEB 처리된 레지스트 필름(62)이 현상된다. 레지스트 필름(62)의 노광된 부분(62a)은 현상 공정 동안에 선택적으로 제거되며, 따라서, 제1f도처럼, 부분(62a)에 대응하는 위치에 개구부(62b)가 각각 형성된다.
그러므로, 소망의 패턴이 레지스트 필름(62)상에 형성된다.
제1a 내지 1f도에 도시된 종래의 패턴 형성 방법에 있어서, EB 레지스트 필름(62)은, 진공실에서 웨이퍼(61)가 끄집어 내어진 후에도, 보호 필름(70) 때문에 대기와 거의 접촉하지 않기 때문에, 노광된 부분(62a)에 발생된 산의 탈활성화를 방지할 수 있다.
그러나, 상기 방법은 보호 필름(70)의 형성 및 제거 공정을 더 필요로 하며, 따라서 패턴 형성을 위한 공정처리가 더 길어진다는 문제점이 발생한다.
또한, 레지스트 필름(62)에 인가된 전자는 필름(62)에 의하여 산란되고, 따라서 전자 산란 현상은 레지스트 필름(62)의 해상도에 영향을 미친다. 레지스트 필름(62)이 두꺼워질수록, 전자 산란은 심해진다. 따라서, 해상도 관점에서, 레지스트 필름(62)은 가능한한 얇게 형성되어야 한다.
그러나, 제1a도 내지 1f도에 도시된 종래 방법은 보호필름(70)을 필요로 한다. 따라서, 레지스터 필름(62)과 보호필름(70)의 전체 두께는 레지스트 필름(62)의 두께보다 두꺼워진다. 이것은 레지스터 필름(62)의 고유의 해상도의 감소라는 또다른 문제점을 초래한다.
따라서, 본 발명의 목적은 해상도를 저하시키지 않으면서 상기의 보호 필름과 같은 부가적 필름을 사용하지 않고서도, 화학 증폭 성질을 갖는 EB 레지스트의 소정 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 본 발명의 패턴 형성 방법에 사용될 수 있는 EB 노광 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1양태에 있어서, 패턴 형성 방법이 제공되었다.
상기 방법은 레지스트 필름의 노광된 부분에 제1의 산을 발생시키기 위하여 EB 레지스트 필름을 EB에 노광시키는 단계(노광 공정)와 레지스트 필름을 산성 가스와 접촉시켜 필름상에 산성 가스를 흡착시키는 단계(흡착 공정)를 포함한다.
레지스트 필름은 화학 증폭 성질을 가지며 지지부상에 또는 그 위에 형성된다. 레지스트 필름상에 흡착된 산성가스는 제2산을 생성하여 탈활성화로 인하여 잃어버린 상기 제1산의 작용을 보상한다.
흡착 공정은 노광 공정 전 및/또는 후에 수행될 수 있고, 노광 공정과 동시에 수행될 수도 있다.
흡착될 산성 가스로서, 임의의 산성 가스가 사용될 수 있다. 그러나 염화수소(HCl), 브롬화 수소(HBr), 과산화 수소(H2O2) 또는 황산(H2SO4)를 사용함이 바람직하며, 이는 상기 가스들이 레지스트 필름에 손상을 입히지 않으며 손쉽게 이용할 수 있기 때문이다.
EB레지스트 필름으로서, 화학 증폭 성질을 가지는 임의의 EB 레지스트가 사용된다. 또한, 상기 레지스트 필름은 포지티브 또는 네거티브일 수 있다.
지지부로서, 레지스트필름을 지지할 수 있는 임의의 부재가 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 부재는 반도체 기판 또는 웨이퍼를 포함하며, 상기 웨이퍼상에 또는 그 위에 형성된 하나 이상의 도체 또는 절연체 필름/층을 더 포함한다.
본 발명의 패턴 형성방법에 있어서, EB 레지스트 필름은 제2산을 만들기 위하여 산성 가스를 흡착한다. 따라서, 노광에 의하여 발생된 제1산이 탈활성화 현상으로 인하여 그 작용을 잃게 되면, 상기 제2산이 제1산의 작용을 보상하는 작용을 한다.
결과적으로, 종래 방법에서 도시된 보호 필름과 같은 부가적 필름의 사용없이도 레지스트 필름상에 소망의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 어떠한 부가적 필름도 사용되지 않았기 때문에, 획득 가능한 해상도의 저하가 없게 된다.
본 발명의 제2양태에 있어서, 화학증폭 성질을 갖는 EB 레지스트 필름을 EB로 노광하는 노광실과, EB를 생성하고, 이렇게 생성된 EB를 노광실 내의 레지스트 필름에 인가하는 전자 광학 시스템을 포함하는 EB 노광 시스템이 제공된다.
상기 시스템은 노광실 내로 산성가스를 유입시키는 가스 유입 구조부를 더 포함한다.
EB 레지스터 필름은 지지부상에 형성되며, 이는 제1양태의 방법에서 사용된 것과 유사하다.
노광 공정 동안에, 레지스트 필름을 갖는 지지부는 노광실 내에 제공된 스테이지상에 설치된다. 산성가스는 가스 유입 구조부에 의해 노광실내로 유입되어 흡착 공정 동안 레지스트 필름상에 흡착된다.
흡착 공정은 노광 공정 전 및/또는 후에 수행되며, 또한 노광 공정과 동시에 수행될 수 있다.
상기 시스템에서, 노광실 부근에 흡착실이 부가적으로 제공될 수 있다. 이 경우에, 노광실 대신에 흡착실 내로 산성 가스가 유입되도록 가스 유입 구조부가 제조된다.
상기 레지스트 필름을 갖는 지지부는 흡착실 내에 제공된 스테이지에 설치되며, 따라서 상기 레지스트 필름은 노광 공정 동안에 상기 가스 유입구조부에 의하여 흡착실 내로 유입된 산성 가스를 흡착한다.
노광 공정은 노광실 내에서 수행된다. 흡착 공정은 흡착실에서 수행되므로, 노광실 내로 산성 가스가 유입될 필요가 없다.
본 발명의 EB 노광 시스템에서, 레지스트 필름은 필요에 따라 노광실 또는 흡착실에서 산성 가스를 흡착한다. 따라서, 노광에 의하여 발생된 제1산이 탈활성화 현상으로 인하여 그 작 용을 잃게 되면, 제2산이 제1산의 작용을 보상하기 위하여 작용하게 된다.
결과적으로, 해상도 저하없이 종래 방법에 도시된 보호 필름과 같은 부가적 필름의 사용 없이도 소망의 레지스트 패턴을 레지스트 필름상에 형성할 수 있다.
[실시예1]
본 발명의 제1실시예에 의한 패턴 형성 방법은 제2도에 도시된 EB 노광 시스템을 사용하여 수행한다.
제2도에서, 노광실(1)은 웨이퍼 스테이지(8)와 전자 광학 시스템(7)을 포함한다. EB 레지스트 필름(22)으로 도포된 반도체 웨이퍼(21)(제3도 참조)는 노광 공정 동안에 웨이퍼 스테이지(8)상에 설치된다 전자 광학 시스템(7)은 EB (6)을 생성하고, 노광 공정 동안에 레지스트 필름(22)에 EB(6)를 인가한다.
전자 광학 시스템(7)은 전자총, 전자렌즈 시스템 및 EB편향 장치를 포함한다(무도시).
흡착실의 역할도 하는 웨이퍼 교환실(2)은 노광실(1)에 인접하여 제공된다. 상기 교환실(2)은 노광 공정 전후에 EB 레지스트 필름(22)을 갖는 반도체 웨이퍼(21)를 교환하기 위해 설치된 웨이퍼 스테이지(9)를 포함한다.
가스 저장기(3)는 가스 라인(4)을 통하여 웨이퍼 교환실(2)과 연결되도록 설치된다. 가스 라인(4)에 설치된 밸브(15)는 필요에 따라 라인(4)을 개폐한다. 가스 저장기(3)는 산성 가스로서 HCl 가스를 저장한다.
노광 공정 동안에, 노광실(1) 내의 공기는 진공 펌프 시스템(무도시)에 의하여 빼내지며, 따라서 노광실(1)은 10-5내지 10-6Torr정도의 고진공 상태로 된다. 만약 압력이 10-5Torr보다 높다면, EB(6)의 요동이 초래된다. 10-6Torr미만의 압력은 진공 펌프 시스템의 능력 한계 때문에 실질적으로 어렵다.
또한, 웨이퍼 교환실(2)내의 공기는 다른 진공 펌프 시스템(무도시)에 의해 빼내어지며, 이와 동시에, 저장기(3)로부터 웨이퍼 교환실(2)내로 HCl 가스가 유입되어, 10-3내지 10-4Torr 정도의 저진공 상태로 된다. 만약 압력이 10-3Torr 보다 높으면, 웨이퍼 교환실(2)내로 HCl가스(23)의 유입이 어렵게 된다. 만약 압력이 10-4Torr보다 낮으면, 레지스트 필름(22)상에 HCl 가스(23)가 흡착되기 어렵다.
레지스트 필름(22)으로 도포된 복수개의 반도체 웨이퍼(21)를 유지하며 운송하는 웨이퍼 캐리어(11)가 EB 노광 시스템 외부에 제공된다.
웨이퍼 교환실(2)의 외벽에 게이트 밸브(12)가 설치되며, 따라서 웨이퍼 캐리어(11) 내에 있는 웨이퍼(21)는 개방된 게이트 밸브(12)를 통하여 화살표(10A) 방향으로 이동하여 웨이퍼 교환실(2) 내의 웨이퍼 스테이지(9) 상에 연속적으로 놓여진다. 노광실(1)내에서 EB(6)에 노광되고 웨이퍼 스테이지(9) 상에 놓여진 웨이퍼(21)는 화살표(10d)방향을 따라서 웨이퍼 캐리어(11)로 이동한다.
이와 유사하게, 노광실(1)과 웨이퍼 교환실(2)의 분할벽에 게이트 밸브(13)가 제공되며, 따라서 웨이퍼 교환실(2) 내의 웨이퍼 스테이지(9) 상에 설치된 웨이퍼(21)는 개방된 게이트 밸브(13)를 통하여 화살표(10B)를 따라서 노광실(1) 내로 연속적으로 이동하여 웨이퍼 스테이지(8) 상에 놓여진다. 이와 반대로, 웨이퍼 스테이지(8)상에 놓여져 EB(6)상에 노광된 웨이퍼(21)는 개방된 게이트 밸브(13)를 통하여 화살표(10C)를 따라서 웨이퍼 스테이지(9)로 이동한다.
제어 시스템(무도시)은 웨이퍼(21)의 이동 및 배치, 게이트 밸브(15,12 및 13)의 개폐, 레지스트 필름(22)의 EB(6)에의 노광을 제어한다.
제2도에 도시된 EB 노광 시스템에서, 웨이퍼 교환실(2)이 설치되고 웨이퍼 캐리어(11)가 부가적으로 사용된 상기 시스템은 고집적의 패턴 형성에 적합하다.
HCl 가스가 노광실(1)내로 유입되지 않고 웨이퍼 교환실(2) 내로 유입되기 때문에, 노광실(1)내의 레지스트 필름(22)의 오염 및/또는 부식이 방지되고, HCl 가스로 인한 노광실(1)내의 진공도가 감소되는 것에 의해 EB(6)는 영향을 받지 않는다.
또한, EB노광 공정 전 및/또는 후에 EB 레지스트 필름(22)이 웨이퍼 교환실(2)내의 HCl 가스(23)에 노광되기 때문에, 레지스트 필름(22)은 그 표면에서 가스(23)를 충분히 흡착할 수 있다. 따라서, EB(6)로의 노광에 의하여 레지스트 필름(22)의 노광된 부분에 발생된 산이 탈활성화 현상으로 인하여 자체의 촉매 작용을 잃어버리게 되어도, 레지스트 필름(22) 상에 흡착된 HCl 가스(23)는 상기 잃어버린 촉매 작용을 보상하게 된다. 결과적으로, 부가적인 필름의 사용 없이도 레지스트 필름(22)상에 소망의 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 해상도의 저하가 일어나지 않는다.
노광으로 발생한 산에 의하여 레지스트 필름(22)내에 잠상이 형성되며, 흡착된 HCl가스(23)에 의해 발생된 다른 산은 손실된 산의 촉매 작용을 보상한다. 따라서, 레지스트 필름(22)상에서의 HCl가스(23)의 흡착은 패턴 형성을 방해하지 않는다 .
흡착된 HCl 가스(23)에 의해 레지스트 필름(22)의 표면상에 상기의 보상하는 산이 발생하며, 필름(22)내로 더 깊게 침투하지 않으며, 따라서 가스(23)의 흡착시간을 엄격히 제어할 필요는 없다. 그러나, 목적 대상인 레지스트 필름(22)은 레지스터 필름(22)의 노광 공정 전 또는 후 동안에 웨이퍼 교환실(2) 내의 HCl가스(23)에 노출됨이 적합하다.
다음에, 제3a도 내지 3f도와 관련시켜 제1실시예에 의한 패턴 형성 방법을 설명하겠다. 상기 방법은, 제2도의 EB 노광 시스템을 사용하여, 다음 공정 순서로 수행된다.
(웨이퍼 준비 공정)
처음에, 화학 증폭 성질을 갖는 포지티브 EB 레지스트가 반도체 웨이퍼(21)상에 또는 그 위에 도포되어, 제3a도와 같이, 두께 0.7㎛의 레지스트 필름(22)을 형성한다. 이 도포 공정은 반복 수행되어 레지스트 필름(22)을 갖는 복수개의 웨이퍼(21)를 준비한다.
포지티브 EB 레지스트는 산 발생기 및 산 분해성 폴리머를 포함한다.
(프리-베이크 공정)
다음에, 웨이퍼(21)는 핫 플레이트(무도시) 상에 놓여져 90℃에서 60초 동안 레지스트 필름(22)에 대하여 일반적인 프리-베이크 공정을 수행한다. 이렇게 프리-베이크된 웨이퍼(21)는 웨이퍼 캐리어(11)내에 들어간다.
(제1가스 흡착 공정)
다음에, 캐리어(11) 내의 웨이퍼(21)중의 하나가 개방된 게이트(12)를 통하여 웨이퍼 교환실(2) 내로 이동되어 스테이지(9)상에 놓여진다. 상기 이동전에, HCl 가스(23)(농도:100%)가 교환실(2) 내로 유입되어 교환실(2)는 저진공 상태로 되며, 따라서 상기 배치된 웨이퍼(21)는 가스(23)와 접촉하게 된다. 따라서, 제3b도에 도시된 것 처럼, 레지스트 필름(22)의 표면상에 HCl가스(23)가 흡착된다.
레지스트 필름(22)의 접촉 또는 흡착 시간은 레지스트 필름(22)상에 소정양의 가스(23)가 흡착되도록 설정되어 있으며, 일반적으로 1 내지 5분이다.
(노광 공정)
상기와 같이 흡착된 레지스트 필름(22)을 가지는 웨이퍼(21)는 개방된 게이트(13)를 통하여 노광실(1)내로 이동되어 스테이제(8)상에 놓여진다. 상기 노광실(1)은 고진공 상태로 유지된다. 상기 레지스트 필름(22)은 EB (6)에 선택적으로 노광되어, 제3c도처럼, 노광된 부분(22A)을 형성한다. 흡착된 HCl가스(23)는 상기 언급된 이유 때문에 EB노광에 있어서 어떤 문제점도 초래하지 않는다.
(제2가스 흡착 공정)
상기 노광된 레지스트 필름(22)을 갖는 웨이퍼(21)는 웨이퍼 교환실(2)내로 다시 이동되어 스테이지(9)상에 놓여진다. HCl가스(23)가 교환실(2)내에 있기 때문에, 제3d도처럼, 노광된 레지스트 필름(22)은 그 표면상에 가스(23)를 재흡착한다.
이와같이 가스를 두 번 흡착한 레지스트 필름(22)을 갖는 웨이퍼(21)는 개방된 게이트(12)를 통하여 웨이퍼 교환실(2)로부터 대기중으로 이동된다. 따라서, 가스가 두 번 흡착된 레지스트 필름(22)을 가지는 복수개의 웨이퍼(21)가 캐리어(11)내로 들어간다.
(포스트-노광 베이크 공정)
캐리어(11)에 있는 웨이퍼(21)는 핫 플레이트(무도시)상에 놓여져서, 제3e도처럼, 100℃,60초동안 상기 레지스트 필름(22)에 대하여 일반적인 PEB공정을 수행한다. 레지스트 필름(22)은 그 표면에 HCl가스(23)를 포함하기 때문에, EB 노광에 의해 필름(22) 내에 발생된 산(H+)은, 보상 HCl가스에 의해 발생된 소정산의 존재하에서, 레지스트 필름(22)의 화학 반응용 촉매로서의 작용을 한다. 레지스트 필름(22)의 소정반응은 PEB 공정 동안에 끝나기 때문에, 노광되어 발생된 산의 탈활성화로 인한 문제점은 PEB 공정이 끝나고 현상 공정이 시작되기까지의 시간 동안에는 발생하지 않는다.
(현상 공정)
최종적으로, 소정의 유기 알카리 현상 용액에 의해, 레지스트 필름(22)이 현상되며, 따라서 노광된 부분(22A)은 용액 내에서 용해되어, 제3f처럼, 노광된 부분(22A)에 대응하는 위치의 레지스트 필름(22)에 개구부(22B)가 형성된다. 흡착된 HCl가스(23)는 상기 현상 공정에서도 영향을 미치지 않는다. 여분의 산은 현상 용액 내에서 용해되어 레지스트 필름(22)에서 제거된다.
상기 공정 순서를 통하여, 레지스트 필름(22)의 소망의 패턴을 얻을 수 있으며, 각각의 개구부(22B)는 수직 벽을 가지며 T형 단면을 가지지 않는다.
발명자의 테스트 결과 완성된 레지스트 필름의 패턴은 수직벽을 가진 개구부를 형성하였으며 그 선폭은 0.25㎛이었다. 또한, 선폭은 ±0.02㎛의 정확도로 형성될 수 있었으며, 이는 단일 웨이퍼 뿐만 아니라 웨이퍼간에도 가능하였다.
만약 제1실시예의 방법에 의하여 패턴된 레지스트 필름(22)이 하부 도체 또는 절연체 필름을 선택적으로 에칭하기 위한 마스크로 사용되었다면, 상기 도체 또는 절연체 필름은 우수한 정확도로 미세하게 패턴이 형성된다.
제1 및 제2가스 흡착 공정중의 하나는 상기 방법의 작업 시간을 줄이기 위하여 취소될 수 있다.
[실시예2]
본 발명의 제2실시예에 의한 패턴 형성 방법은 제4도에 도시된 EB 노광 시스템을 사용하여 수행된다. 상기 시스템은 다음 구조를 가진다.
제4도에서, 노광실(1a)는 웨이퍼 스테이지(8a)와 전자 광학 시스템 (7a)를 포함한다. EB레지스트 필름(22)(제5도)으로 도포된 반도체 웨이퍼(21)는 노광 공정 및 흡착 공정 동안에 웨이퍼 스테이지(8a)상에 놓여진다. 상기 전자 광학 시스템(7a)은 EB(6a)를 생성하여 노광 공정시에 레지스트 필름(22)에 EB(6a)를 인가한다.
전자 광학 시스템(7a)은 전자총과, 전자 렌즈 시스템과 EB 편향 장치를 가진다.(무도시)
가스 저장기 (3a)는 가스 라인(4a)을 통하여 노광실 (1a)에 연결되도록 설치되어 있다. 가스 라인 (4a)에 설치된 밸브(16)는 필요시에 라인(4a)을 개폐한다. 가스 저장기(3a)는 산성 가스로서 HCl 가스 (23a)를 저장한다.
제2실시예에는 웨이퍼 교환실(2)이 없으며, HCl 가스(23a)는 노광실(1a)내로 유입된다. 따라서, 노광실은 흡착실 역할도 한다. 상기 시스템은 제1실시예의 시스템보다 그 구조가 더 간단하다는 장점이 있다.
게이트 밸브(14)는 노광실(1)의 벽에 설치되며, 따라서 웨이퍼 캐리어(무도시) 내에 있는 웨이퍼(21)는 개방된 게이트 밸브(14)를 통하여 화살표(10E) 방향을 따라서 노광실(1a)내로 연속적으로 이동하여 웨이퍼 스테이지(8a)상에 놓여진다. EB(6)에 노광된 웨이퍼(21)는 화살표 (10F)방향을 따라서 상기 노광실(1a)에서 끄집어내어져 웨이퍼 캐리어 내로 들어간다.
노광실(1a)내의 공기는 진공 펌프 시스템(무도시)에 의하여 펌핑질 되어지며 따라서 상기 노광실 (1)은 고진공 상태(예를 들면, 10-5내지 10-6Torr)로 된다.
또한, HCl가스(23a)가 저장기(3a)로부터 노광실(1a)내로 유입되기 때문에, 노광실(1a)내의 공기는 진공 펌프 시스템에 의하여 빼내어지고, 동시에, 가스(23a)가 노광실(1a)내로 유입되어 저진공 상태(예를 들면, 10-3내지 10-4Torr)로 된다.
레지스트 필름(22)으로 도포된 복수개의 반도체 웨이퍼(21)를 유지하고 이송하는 웨이퍼 캐리어(11)는 EB 노광 시스템의 외부에 설치된다.
제어 시스템(무도시)은 웨이퍼(21)의 이동 및 배치, 밸브(14,16)의 개폐, 레지스트 필름(22)의 EB(6a)로의 노광 등을 제어한다.
상기 시스템으로서, EB 노광 공정 전 및/또는 후에 EB 레지스터 필름(22)은 노광실(1a)내에서 HCl가스 (23a)에 노출될 것이다. 상기 레지스트 필름(22)은 가스(23a)에 노출됨과 동시에 EB(6a)에 노광된다.
다음에, 제5a도 내지 제5d도와 연관지어 제2실시예에 의한 패턴 형성 방법을 설명하겠다. 상기 방법은 제4도의 EB 노광 시스템을 사용하여 다음 공정 순서로 수행된다.
(웨이퍼 준비 공정)
처음에, 화학 증폭 성질을 갖는 포지티브 EB 레지스트가 반도체 웨이퍼(21)상에 또는 그 위에 도포되어, 제5a도 처럼, 두께가 0.7㎛인 레지스트 필름(22)을 만든다. 상기 도포 공정을 반복 수행하여 레지스트 필름(22)을 갖는 복수개의 웨이퍼(21)를 준비한다.
(프리-베이크 공정)
다음에, 상기 웨이퍼(21)는 핫 플레이트(무도시)상에 놓여져서 90℃에서 60초 동안에 레지스트 필름(22)에 대한 일반적 프리-베이크 공정이 수행된다. 상기 프리-베이크된 웨이퍼(21)는 웨이퍼 캐리어내로 들어간다.
(가스 흡착 및 노광 공정)
다음에 캐리어 내의 웨이퍼(21)중의 첫 번째 하나가 개방된 게이트(14)를 통하여 노광실(2)내로 이동되어 스테이지(8a)상에 놓여진다. 상기의 이동전에, HCl 가스(23a)가 저장기(3a)로부터 실(1a)내로 유입되고, 이와 동시에 실(1a)내의 공기는 진공 펌프 시스템에 의하여 빼내어 지며, 따라서 저진공 상태로 된다. HCl 가스(23a)의 농도는 소정 값으로 제어된다.
레지스트 필름(21)은 HCl 가스(23a)와 접촉하여, 제5b도 처럼, 필름(22)의 표면상에서 가스(23a)를 흡착한다.
다음에, 레지스트 필름(22)은, EB(6a)에 선택적으로 노광되어, 제5b도처럼, 노광된 부분(22A)를 만든다. 흡착된 HCl가스(23a)는 상기 언급된 이유로 EB노광시에 문제를 야기하지 않는다.
이렇게 가스를 흡착하고 EB에 노광된 레지스트 필름922)을 갖는 웨이퍼(21)는 개방된 게이트(14)를 통하여 노광실(1a)로부터 대기중으로 이동된다. 따라서, 가스를 흡착하고 EB에 노광된 레지스트 필름(22)을 갖는 복수개의 웨이퍼(21)는 캐리어 내로 들어간다.
(포스트-노광 베이크 공정)
캐리어내에 있는 웨이퍼(21)는 핫 플레이트(무도시) 상에 놓여져서, 제5c도처럼, 100℃에서 60초 동안에 레지스트 필름(22)에 대한 일반적 PEB 공정을 수행한다. 레지스트 필름(22)의 소정 반응은 PEB 공정 동안에 끝난다.
(현상 공정)
마지막으로, 레지스트 필름(22)은 소정의 유기 알카리 현상 용액에 의해 현상되고, 따라서 노광된 부분(22A)은 용액 내에서 용해되며, 제5d도처럼, 노광된 부분(22A)에 대응하는 레지스트 필름(22)에 개구부(22B)를 형성한다.
상기 공정 순서는 제1실시예와 유사하며, 소망의 레지스트 필름(22)의 패턴을 얻을 수 있다. 각각의 개구부(22B)는 수직벽을 가지며 T형 단면을 가지지 않는다.
제2실시예의 방법에서, 제1실시예와 동일한 효과를 얻었다.
HCl 가스(23a)의 농도와 노광실(1a)내의 진공도는 정확히 제어되어야 한다. 그러나 HCl 가스 (23a)의 흡착과 EB(6a)에의 노광은 동시에 수행되기 때문에, 제1실시예의 방법보다는 패턴 형성시에 작업시간을 줄일 수 있다는 장점이 있다.
[실시예3]
제6a도 내지 6e도와 관련하여 제3실시예에 의한 패턴 형성 방법을 설명하겠다. 상기 방법은 제4도의 EB 노광 시스템을 사용하여 다음의 공정 순서로 수행된다.
(웨이퍼 준비 공정)
처음에, 실시예 2와 동일한 방법으로, 화학 증폭 성질을 가지는 포지티브 EB 레지스트 필름(22)이, 제6a도처럼, 반도체 웨이퍼(21)상에 또는 그 위에 형성된다. 상기 도포 공정을 반복 수행하여 레지스트 필름(22)을 갖는 복수개의 웨이퍼(21)를 준비한다.
(프리-베이크 공정)
다음에, 상기 웨이퍼(21)는 제2실시예의 프리=베이크 공정과 동일하게 처리된다. 상기 프리-베이크된 웨이퍼(21)는 웨이퍼 캐리어 내로 들어간다.
다음에, 캐리어 내의 웨이퍼(21)중의 첫 번째 하나가 개방된 게이트(14)를 통하여 노광실(1a)내로 이동되어 스테이지(8a)상에 놓여진다.
(가스 흡착 공정)
HCl 가스(23a)가 저장기(3a)로부터 노광실(1a)내로 유입되며, 동시에, 노광실(1a)내의 공기는 진공 펌프 시스템에 의해 빼내어지고, 결국 저진공 상태가 된다. HCl 가스(23a)의 농도는 소정값으로 조절된다.
레지스트 필름(21)은 HCl 가스(23a)와 접촉하며, 제6b도처럼, 필름(22)의 표면상에서 가스(23)를 흡착한다.
(노광 공정)
다음에, 벨브(16)가 폐쇄되어 노광실(1a)내로 HCl 가스(23a)가 유입되는 것을 차단하며, 노광실(1a)내의 공기는 빼내어지며, 결국 고진공 상태가 된다.
레지스트 필름(22)은 고진공 상태에서 EB(6a)에 선택적으로 노광되어, 제6c도 처럼, 노광된 부분(22A)을 만든다. 흡착된 HCl 가스(23a)는 상기 언급된 이유로 EB 노광시에 문제점을 야기하지 않는다.
이렇게 가스가 흡착되고 EB에 노광된 레지스트 필름(22)을 갖는 웨이퍼(21)는 개방된 게이트(14)를 통하여 노광실(1a)로부터 대기중으로 이동된다. 따라서, 가스가 흡착되고 EB 에 노광된 레지스트 필름(22)을 가지는 복수개의 웨이퍼(21)는 캐리어 내로 들어간다.
(포스트-노광 베이크 공정)
캐리어 내의 웨이퍼(21)는, 제6d도 처럼, 레지스트 필름(22)에 대하여 제2실시예와 동일한 PEB 공정을 수행한다.
(현상 공정)
마지막으로, 레지스트 필름(22)은 제2실시예와 동일한 방법으로 현상되며, 따라서 제6e도처럼, 노광된 부분(22A)에 대응하는 위치의 레지스트 필름(22)에는 개구부(22B)가 형성된다.
상기 공정 순서는 제1 및 제2실시예와 유사하며, 소망의 레지스트 필름(22)의 패턴을 얻을 수 있다. 각각의 개구부(22B)는 수직벽을 가지며, T형 단면을 가지지 않는다.
제3실시예의 방법에서, 제1실시예와 동일한 효과를 얻었다.
제2실시예와 비교시에, HCl 흡착 공정과 노광 공정이 분리되어 수행되었기 때문에, 패턴 형성시의 작업 시간은 제2실시예의 방법에서 보다는 길었다. 그러나 노광 공정을 HCl 가스(23a)의 효과없이 최적의 진공 상태에서 수행할 수 있었으며, HCL(23a)는 제2실시예의 경우보다 레지스트 필름(22)상에 더 쉽게 흡착된다는 장점이 있었다.
[실시예4]
제7a도 내지 7e와 연관하여 제4실시예에 의한 패턴 형성방법을 설명하겠다. 상기 방법은 제4도의 EB 노광 시스템을 사용하여 다음의 공정 순서로 수행된다.
(웨이퍼 준비 공정)
처음에, 제2실시예와 동일한 방법으로, 화학 증폭성질을 갖는 포지티브 EB 레지스트 필름(22)이, 제7a도처럼, 반도체 웨이퍼(21) 상에 또는 그 위에 형성된다. 상기 도포 공정을 반복 수행하여 레지스트 필름(22)이 있는 복수개의 웨이퍼(21)를 준비한다.
(프리-베이크 공정)
다음에, 상기 웨이퍼(21)는 제2실시예와 동일한 프리-베이크 공정 처리된다. 이렇게 프리-베이크된 웨이퍼(21)는 웨이퍼 캐리어 내로 들어간다.
다음에, 캐리어 내의 웨이퍼(21) 중의 첫 번째 하나는 개방된 게이트(14)를 통하여 노광실(1a)내로 이동하여 스테이지(8a)상에 놓여진다.
(노광 공정)
다음에, 밸브(16)를 폐쇄하여 노광실(1a)내로 HCl 가스(23a)가 유입됨을 차단하고, 노광실(1a)내의 공기를 진공 펌프 시스템으로 빼내어 고진공 상태로 만든다.
레지스트 필름(22)은 고진공 상태에서 EB(6a)에 선택적으로 노광되어, 제7b도처럼, 노광된 부분(22A)을 형성한다. 상기 스테이지에서 HCl 가스(23a)는 레지스트 필름(22)상에 흡착되지 않는다.
(가스 흡착 공정)
밸브(16)를 개방하여 저장기(3a)로부터 노광실(1a)내로 HCl 가스 (23a)를 유입시키고, 노광실(1a)내의 공기는 진공 펌프 시스템으로 빼내어 저진공 상태로 만든다. HCl 가스(23a)의 농도는 소정값으로 조절된다.
레지스트 필름(21)은 HCl 가스(23a)와 접촉하여, 제7c도처럼, 필름(22)의 표면상에서 가스(23)를 흡착한다.
EB에 노광되고 가스가 흡착된 레지스트 필름(22)을 갖는 웨이퍼(21)는 개방된 게이트(14)를 통하여 노광실(1a)로부터 대기중으로 이동한다. 따라서, 가스가 흡착되고 EB에 노광된 레지스트 필름(22)을 갖는 복수개의 웨이퍼(21)는 캐리어 내로 들어간다.
(포스트-노광 베이크 공정)
캐리어 내의 웨이퍼(21)는, 제7d도처럼, 레지스트 필름(22)에 대하여 제2실시예와 동일한 PEB 공정을 수행한다. 레지스트 필름(22)에 대한 소정 반응은 PEB공정동안에 끝난다.
(현상 공정)
마지막으로, 레지스트 필름(22)은 제2실시예와 동일한 방법으로 현상되어, 제7e도처럼, 노광된 부분(22A)에 대응하는 위치의 레지스트 필름(22)에 개구부 (22B)를 형성한다.
상기 공정 순서는 제1,2 및 3실시예와 유사하며, 소망의 레지스트 필름(22)을 얻을 수 있다. 각각의 개구부(22B)는 수직벽을 가지며 T형 단면을 가지지 않는다.
제4실시예의 방법에서, 제1실시예와 동일한 효과를 얻었다.
제3실시예와 유사한 제2실시예와 비교시에, HCl 흡착 공정과 노광 공정이 분리되어 수행되었기 때문에, 패턴 형성시의 작업 시간은 제2실시예의 방법보다 더 길다. 그러나, 제3실시예와 동일한 장점을 가진다.
[실시예5]
제5실시예의 패턴 형성방법은 제4도의 EB 노광 시스템이 사용된 것을 제외하면 제1실시예의 방법과 동일하다.
특히, 웨이퍼 준비 공정과 프리-베이크 공정은 제1실시예(제3a도)와 동일한 방법으로 수행된다.
다음에, 밸브(16)가 개방되어 저장기(3a)로부터 노광실(1a)내로 HCl 가스(@3a)가 유입되고, 노광실(1a)내의 공기는 진공 펌프 시스템에 의하여 빼내어져 저진공 상태로 된다. HCl 가스(23a)의 농도는 소정값으로 조절된다. 레지스트 필름(21)은 HCl 가스 (23a)와 접촉하며 필름(22)의 표면상에서 가스(23)를 흡착한다(제3b도).
다음에, 밸브(16)가 폐쇄되어 노광실(1a)내로의 HCl 가스(23a)유입을 차단하는 동안에, 노광실(1a)내의 공기를 진공 펌프 시스템으로 빼내어 고진공 상태로 만든다. 이렇게 흡착된 레지스트 필름(22)은 고진공 상태에서 EB(6a)에 선택적으로 노광되어 노광된 부분(22A)을 만든다(제3c도).
다음에, 밸브(16)가 다시 개방되어 HCl 가스(23a)가 노광실(1a)내로 유입되고 노광실(1a)내의 공기는 진공 펌프 시스템에 의하여 빼내어져 저진공 상태가 된다. HCl 가스(23a)의 농도는 소정값으로 조절된다. 레지스트 필름(21)은 HCl 가스(32a)와 다시 접촉하여 필름(22)의 표면상에서 가스(23a)를 흡착한다(제3d도).
이와같이 EB에 노광되고 가스가 두 번 흡착된 레지스트필름(22)을 갖는 웨이퍼(21)는 개방된 게이트(14)를 통하여 노광실(1a)에서 대기중으로 이동된다. 따라서, 가스가 흡착되고 EB에 노광된 레지스트 필름(22)을 갖는 복수개의 웨이퍼(21)는 캐리어 내로 들어간다.
캐리어내의 웨이퍼(21)는 레지스트 필름(22)에 대하여 제1실시예와 동일한 PEB 공정으로 처리된다(제3e도). 레지스트 필름(22)의 소정 반응은 PEB 공정동안에 끝난다.
마지막으로, 레지스트 필름(22)은 제2실시예와 동일한 방법으로 현상되어, 노광된 부분(22A)에 대응하는 위치의 레지스트 필름(22)에 개구부(22B)를 형성한다(제3f도).
상기 공정 순서는 제1,2,3 및 4실시예와 유사하며 소정의 레지스트 필름(22)의 패턴을 얻을 수 있다. 각각의 개구부(23B)는 수직벽을 가지며 T형 단면을 가지지 않는다.
제1 내지 5실시예에서, 오늄 염(onium salt) 과 같은 산발생기와 폴리-(p-t-부톡시카르보닐옥시스티렌)과 같은 산 분해성 폴리머를 포함하는 포지티브 EB 레지스트가 사용되었지만, 네거티브 EB도 사용할 수 있다. 일반적으로, 상기 네거티브 EB는 할로게나이드와같은 산 발생기, 헥사메톡시메틸멜라민과 같은 산 반응성 모너머, 및 노볼랙 수지와 같은 산중합성 폴리머를 포함한다.
본 발명에 사용 가능한 네거티브 레지스트의 일예는 SHIPLEY CO. LTD에서 제조된 SAL 601-ER7(상품명)이 있다.
제1 내지 5 실시예에서, HCl 가스는 산성 가스로 사용되었다. 그러나 다른 산성 가스도 사용 가능하며, HBr, H2SO4또는 H2O2가스를 사용함이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 형태를 설명하였지만, 당업자에게는 발명의 사상에서 벗어남이 없이 그 변형이 가능함이 명백할 것이다. 따라서, 발명의 범위는 다음 청구항에 의해 결정된다.

Claims (29)

  1. 레지스트 필름에 전자빔을 인가하여 화학 증폭 성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름의 패턴 형성 방법으로서, 상기 레지스트 필름은 지지부상에 또는 그 위에 형성되며, 상기 방법은, (a) 상기 레지스트 필름을 전자빔에 노광시켜 상기 레지스트 필름의 노광된 부분에 제1산을 발생시키는 단계와, (b)상기 레지스트 필름을 산성 가스와 접촉시켜 상기 레지스트 필름상에 상기 가스를 흡착시키는 단계를 구비하며, 상기 레지스트 필름상에 흡착된 상기 산성 가스는 탈활성화로 인하여 잃어버린 상기 제1산의 작용을 보상하는 제2산을 생성함을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레지스트 필름을 상기 산성 가스와 접촉시켜 상기 레지스트 필름상에 상기 가스를 흡착시키는 상기 단계(b)는 상기 레지스트 필름을 상기 전자빔에 노광시켜 제1산을 발생시키는 상기 단계(a)전에 수행됨을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레지스트 필름을 상기 산성 가스와 접촉시켜 상기 레지스트 필름상에 상기 가스를 흡착시키는 상기 단계 (b)는 상기 레지스트 필름을 상기 전자빔에 노광시켜 제1산을 발생시키는 상기 단계 (a)후에 수행됨을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 레지스트 필름을 상기 산성 가스와 접촉시켜 상기 레지스트 필름상에 상기 가스를 흡착시키는 상기 단계 (b)는 상기 레지스트 필름을 상기 전자빔에 노광시켜 제1산을 발생시키는 상기 단계 (a)전에 수행되며, 상기 단계(b)후에 재수행됨을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 레지스트 필름을 상기 산성 가스와 접촉시켜 상기 레지스트 필름상에 상기 가스를 흡착시키는 상기 단계 (b)는 상기 레지스트 필름을 상기 전자빔에 노광시켜 제1산을 발생시키는 상기 단계 (a)와 동시에 수행됨을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  6. 제1항에서, 상기 산성 가스는 HCL, HBr, H2O2및 H2SO4로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 가스임을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  7. (a)지지부상에 또는 그 위에 화학적으로 증폭성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름을 형성하는 단계와, (b)상기 레지스트 필름을 산성 가스와 접촉시켜 상기 가스를 상기 레지스트 필름상에 흡착시키는 단계와, (c)상기 산성 가스를 포함하는 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 노광실 내에 놓는 단계와, (d) 상기 노광실 내에서 상기 산성 가스를 포함하는 상기 레지스트 필름에 전자빔을 인가하여 상기 레지스트 필름의 노광된 부분에 상기 레지스트 필름에 의해 생성된 제1산을 발생시키는 단계와, (e)상기 노광된 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 상기 노광실로부터 끄집어내는 단계와, (f)상기 노광실 외부에서 상기 전자빔에 노광된 상기 레지스트 필름을 상기 산성 가스와 다시 접촉시켜 상기 레지스트 필름상에 상기 가스를 흡착시키는 단계와, (g)상기 산성 가스와 두 번 접촉된 상기 레지스트 필름을 열처리하는 단계와, (h)상기 열처리된 레지스트 필름을 현상하여 소정의 레지스트 필름의 패턴을 얻어내는 단계로 이루어지고, 상기 레지스트 필름상에 흡착된 상기 산성 가스는 탈활성화로 인해 잃어버린 상기 제1산의 작용을 보상하는 제2산을 생성함을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 산성 가스는 HCL, HBr, H2O2및 H2SO4로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 가스임을 특징으로 하는 패턴 형성 방법,
  9. (a)지지부상에 또는 그 위에 화학적으로 증폭 성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름을 형성하는 단계와, (b)상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 노광실 내에 놓는 단계와, (c)상기 노광실 내에서 상기 레지스트 필름에 전자빔을 인가하여 상기 레지스트필름의 노광된 부분에 상기 레지스트필름에 의해 생성된 제1산을 발생시키는 단계와, (d)상기 노광된 레지스트 필름을 갖는 지지부를 상기 노광실에서 끄집어 내는 단계와, (e)상기 노광실 외부에서 상기 전자빔에 노광된 상기 레지스트 필름과 상기 산성 가스를 접촉시켜 상기 레지스트 필름상에 상기 가스를 흡착시키는 단계와, (f)상기 산성 가스와 접촉한 상기 레지스트 필름을 열처리하는 단계와, (g)상기 열처리된 레지스트 필름을 현상하여 소정의 상기 레지스트 필름의 패턴을 얻는 단계로 이루어지고, 상기 레지스트 필름상에 흡착된 상기 산성 가스는 탈활성화로 인해 잃어버린 상기 제1산의 작용을 보상하는 제2산을 생성함을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 산성 가스는 HCL, HBr, H2O2및 H2SO4로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 가스임을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  11. (a)지지부상에 또는 그 위에 화학적으로 증폭 성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름을 형성하는 단계와, (b)상기 레지스트 필름과 산성 가스를 접촉시켜 상기 레지스트 필름상에 상기 가스를 흡착시키는 단계와, (c)상기 산성가스를 포함하는 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 노광실내에 놓는 단계와, (d)상기 노광실내에서 상기 산성 가스를 포함하는 상기 레지스트 필름에 전자빔을 인가하여 상기 레지스트 필름의 노광된 부분에 상기 레지스트 필름에 의해 생성된 제1산을 발생시키는 단계와, (e)상기 노광된 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 상기 노광실로부터 끄집어내는 단계와, (f)상기 산성 가스와 접촉된 상기 레지스트 필름을 열처리하는 단계와, (g)상기 열처리된 상기 레지스트 필름을 현상하여 소정의 상기 레지스트 필름의 패턴을 얻는 단계로 이루어지고, 상기 레지스터 필름상에 흡착된 상기 산성 가스는 탈활성화로 인해 잃어버린 상기 제1산의 작용을 보상하는 제2산을 생성함을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 산성 가스는 HCL, HBr, H2O2및 H2SO4로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 가스임을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  13. (a)지지부상에 또는 그 위에 화학적으로 증폭 성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름을 형성하는 단계와, (b)노광실 내로 산성 가스를 유입하는 단계와, (c)상기 산성 가스를 포함하는 상기 노광실 내에 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 놓아 상기 산성 가스를 상기 레지스트 필름상에 흡착시키는 단계와, (d)상기 산성 가스의 존재하에서 상기 노광실내의 상기 산성 가스를 포함하는 상기 레지스트 필름에 전자빔을 인가하여 상기 레지스트 필름의 노광된 부분에 상기 레지스트 필름에 의해 생성되는 제1산을 발생시키는 단계와, (e)상기 노광된 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 상기 노광실에서 끄집어내는 단계와, (f)상기 노광실 외부에서 상기 노광된 레지스트 필름을 열처리하는 단계와, (g)상기 열처리된 상기 레지스트 필름을 현상하여 소정의 상기 레지스트 필름의 패턴을 얻는 단계로 이루어지고, 상기 레지스터 필름상에 흡착된 상기 산성 가스는 탈활성화로 인해 잃어버린 상기 제1산의 작용을 보상하는 제2산을 생성함을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 산성 가스는 HCL, HBr, H2O2및 H2SO4로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 가스임을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  15. (a)지지부상에 또는 그 위에 화학적으로 증폭 성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름을 형성하는 단계와, (b)노광실 내로 산성 가스를 유입하는 단계와, (c)상기 노광실 내에 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 놓아서 상기 가스를 상기 레지스트 필름상에 흡착시키는 단계와, (d)상기 단계 (c) 후에 상기 노광실로부터 상기 산성 가스를 배출하는 단계와, (e)상기 노광실 내에서 상기 레지스트 필름에 전자빔을 인가하여 상기 레지스트 필름의 노광된 부분에 상기 레지스트 필름에 의해 생성되는 제1산을 발생시키는 단계와, (f)상기 노광된 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 상기 노광실에서 끄집어내는 단계와, (g)상기 노광실 외부에서 상기 산성 가스와 접촉된 상기 레지스트 필름을 열처리하는 단계와, (h)상기 열처리된 상기 레지스트 필름을 현상하여 소정의 상기 레지스트 필름의 패턴을 얻는 단계로 이루어지고, 상기 레지스터 필름상에 흡착된 상기 산성 가스는 탈활성화로 인하여 잃어버린 상기 제1산의 작용을 보상하는 제2산을 생성함을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 산성 가스는 HCL, HBr, H2O2및 H2SO4로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 가스임을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  17. (a)지지부상에 또는 그 위에 화학적으로 증폭 성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름을 형성하는 단계와, (b)상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 노광실 내에 놓는 단계와, (c) 상기 노광실 내에서 상기 레지스트 필름에 전자빔을 인가하여 상기 레지스트 필름의 노광된 부분에 상기 레지스트 필름에 의해 생성되는 제1산을 발생시키는 단계와, (d)상기 노광실내로 산성 가스를 유입시켜 상기 산성 가스를 상기 노광된 레지스트 필름상에 흡착시키는 단계와 (e)상기 산성 가스를 포함하는 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 상기 노광실에서 끄집어내는 단계와, (f)상기 노광실 외부에서 상기 산성 가스와 접촉된 상기 레지스트 필름을 열처리하는 단계와, (g)상기 열처리된 레지스트 필름을 현상하여 소정의 상기 레지스트 필름의 패턴을 얻어내는 단계로 이루어지고, 상기 레지스터 필름상에 흡착된 상기 산성 가스는 탈활성화로 인해 잃어버린 상기 제1산의 작용을 보상하는 제2산을 생성함을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 산성 가스는 HCL, HBr, H2O2및 H2SO4로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 가스임을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  19. (a)지지부상에 또는 그 위에 화학적으로 증폭 성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름을 형성하는 단계와, (b)노광실내로 산성 가스를 유입하는 단계와, (c)상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 상기 산성 가스를 포함하는 상기 노광실에 놓아서 상기 산성 가스를 상기 레지스트 필름상에 흡착시키는 단계와, (d)상기 단계 (c)후에 상기 노광실로부터 상기 산성 가스를 배출하는 단계와, (e)상기 노광실 내에서 상기 산성 가스를 포함하는 상기 레지스트 필름에 전자빔을 인가하여 상기 레지스트 필름의 노광된 부분에 상기 레지스트 필름에 의해 생성된 제1산을 발생시키는 단계와, (f)상기 단계 (e)후에 상기 노광실 내로 상기 산성 가스를 재유입시켜 상기 산성 가스를 상기 레지스트 필름 상에 흡착시키는 단계와, (g)상기 산성 가스와 두 번 접촉된 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 상기 노광실에서 끄집어내는 단계와, (h)상기 노광실 외부에서 상기 산성 가스와 두 번 접촉된 상기 레지스트 필름을 열처리하는 단계와, (i)상기 열처리된 상기 레지스트 필름을 현상하여 소정의 상기 레지스트 필름의 패턴을 얻어내는 단계로 이루어지고, 상기 레지스터 필름상에 흡착된 상기 산성 가스는 탈활성화로 인해 잃어버린 상기 제1산의 작용을 보상하는 제2산을 생성함을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 산성 가스는 HCL, HBr, H2O2및 H2SO4로 이루어지는 그룹 중에서 선택되는 가스임을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
  21. (a)지지부상에 또는 그 위에 형성되며 화학 증폭 성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름을 전자빔에 노광시키기 위한 노광실과, (b)상기 노광실내에 설치되어 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 얹어놓을 수 있는 제1스테이지와, (c)상기 전자빔을 생성하고 이렇게 생성된 상기 전자빔을 상기 노광실 내의 상기 레지스트 필름에 인가하는 전자 광학 시스템과, (d)산성 가스를 상기 레지스터 필름상에 흡착시키는 흡착실과, (e)상기 흡착실 내에 설치되어 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 얹어놓을 수 있는 제2 스테이지와, (f)상기 산성 가스를 상기 흡착실 내로 유입시키는 유입구조부와, (g)상기 노광실과 상기 흡착실 사이에 설치되어 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부의 이동을 가능하게 하는 게이트를 구비하고, 상기 레지스터 필름을 갖는 상기 지지부는 상기 노광실내의 상기 제1스테이지 상에 놓여져서 노광공정시에 상기 레지스트 필름을 상기 전자빔에 노광시키고, 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부는 상기 흡착실 내의 상기 제2스테이지상에 놓여져서 흡착 공정시에 상기 가스 유입 구조부에 의해 상기 흡착실내로 유입된 상기 산성 가스를 상기 레지스트 필름에 흡착시킴을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  22. 제21항에 있어서, 상기 가스 유입 구조부는 상기 레지스트필름이 상기 노광 공정 전에 상기 산성 가스를 흡착하도록 제어됨을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  23. 제21항에 있어서, 상기 가스 유입 구조부는 상기 레지스트필름이 상기 노광 공정 후에 상기 산성 가스를 흡착하도록 제어됨을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  24. 제2항에 있어서, 상기 가스 유입 구조부는 상기 레지스트필름이 상기 노광 공정 전 및 상기 노광 공정 후에 상기 산성 가스를 흡착하도록 제어됨을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  25. (a)지지부상에 또는 그 위에 형성되며 화학 증폭 성질을 갖는 전자빔 레지스트 필름을 전자빔에 노광시키기 위한 노광실과, (b)상기 노광실내에 설치되어 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부를 얹어 놓을 수 있는 스테이지와, (c)상기 전자빔을 생성하고 이렇게 생성된 상기 전자빔을 상기 노광실 내의 상기 레지스트 필름에 인가하는 전자 광학 시스템과, (d)산성 가스를 상기 노광실 내로 유입시키는 가스 유입 구조부를 구비하고, 상기 레지스터 필름을 갖는 상기 지지부는 상기 노광실 내의 상기 스테이지 상에 놓여져서 노광 공정시에 상기 레지스트 필름을 상기 전자빔에 노광시키고, 상기 레지스트 필름을 갖는 상기 지지부는 상기 스테이지상에 놓여져서 흡착 공정시에 상기 가스 유입 구조부에 의해 상기 노광실내로 유입된 상기 산성 가스를 상기 레지스트 필름에 흡착시킴을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  26. 제25항에 있어서, 상기 가스유입 구조부는 상기 산성 가스가 상기 노광실내로 유입되어 상기 레지스트 필름과 접촉되도록 제어되며, 이렇게 유입된 상기 산성 가스는 상기 노광 공정전에 상기 노광실로부터 배출되어 상기 산성 가스의 흡착은 상기 노광 공정전에만 수행됨을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  27. 제25항에 있어서, 상기 가스 유입 구조부는 상기 산성 가스가 상기 노광실내로 유입되어 상기 노광 공정후에 상기 레지스트 필름과 접촉하도록 제어되어 상기 산성 가스의 흡착은 상기 노광 공정후에만 수행됨을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  28. 제25항에 있어서, 상기 가스 유입 구조부는 (i)상기 산성 가스가 상기 노광실 내로 유입되어 상기 노광 공정전에 상기 레지스트 필름과 접촉되도록 하고, (ii)이렇게 유입된 상기 산성 가스가 상기 노광 공정전에 상기 노광실로부터 배출되도록 하고, (iii)상기 산성 가스가 상기 노광실내로 재유입되어 상기 노광 공정 후에 노광된 상기 레지스트 필름과 접촉되도록 제어되어, 상기 산성 가스의 흡착은 상기 노광 공정 전 및 후에 수행됨을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
  29. 제25항에 있어서, 상기 가스 유입 구조부는 상기 산성 가스가 상기 노광실내로 유입되어 상기 노광 공정 전에 상기 레지스트 필름과 접촉되도록 하고, 상기 노광 공정은 상기 유입된 상기 산성 가스의 존재하에서 수행되도록 제어되어, 상기 산성 가스의 흡착은 상기 노광 공정과 동시에 수행됨을 특징으로 하는 전자빔 노광 시스템.
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US6254936B1 (en) * 1998-09-14 2001-07-03 Silicon Valley Group, Inc. Environment exchange control for material on a wafer surface
US6780461B2 (en) 1998-09-14 2004-08-24 Asml Holding N.V. Environment exchange control for material on a wafer surface
US6309804B1 (en) * 1998-09-21 2001-10-30 Philips Semiconductor, Inc. Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by acid treatment
US6372658B1 (en) * 1998-09-21 2002-04-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. (Kpenv) Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by ashing

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04204848A (ja) * 1990-11-30 1992-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
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