JP2624168B2 - パターン形成方法および電子線描画装置 - Google Patents

パターン形成方法および電子線描画装置

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JP2624168B2
JP2624168B2 JP6084240A JP8424094A JP2624168B2 JP 2624168 B2 JP2624168 B2 JP 2624168B2 JP 6084240 A JP6084240 A JP 6084240A JP 8424094 A JP8424094 A JP 8424094A JP 2624168 B2 JP2624168 B2 JP 2624168B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン形成方法および
電子線描画装置に係わり、特に電子ビームを照射して化
学増幅系レジストにパターンを形成する方法および化学
増幅系レジストにパターンを形成する電子線描画装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】高集積化するＬＳＩの微細パターン形成
にはリソグラフィ技術の進歩が不可欠であり、紫外線、
遠紫外線、電子線、Ｘ線等の露光方法と、高感度、高解
像度が得られる化学増幅系レジストが検討されている。
【０００３】化学増幅系レジストは、酸を発生する物質
を含み、露光工程で電子ビームが照射されたレジストの
箇所において電子ビームのエネルギーで酸が発生する。
【０００４】この発生した酸が触媒となって架橋、開
裂、分解等の反応が連鎖的に起こり、分子量の大きさが
変化する（ポジ型では分子量の大きさが小さくなり、ネ
ガ型では分子量の大きさが大きくなる）。そして上記レ
ジストの架橋、開裂、分解の反応により、さらに新たな
酸が発生し、その酸により連鎖的にさらに架橋、開裂、
分解の反応が進む。
【０００５】その後、露光工程を完了した半導体ウエハ
は電子線描画装置の真空チャンバから大気中に取り出さ
れ、熱処理を加えて上記反応をさらに促進させて電子ビ
ームが照射されたレジストの箇所の分子量をさらに変化
させる。この熱処理はポストベークあるいはポストイク
スポージャベーク（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａ
ｋｅ，以下、ＰＥＢ、と称す）といわれる。
【０００６】ＰＥＢにより十分の反応が終了した後、現
像工程でレジストの不要部分を除去する。レジストの分
子量の小さい部分は現像液に可溶であり、現像液に溶け
て除去されてレジストパターンが形成される。すなわち
ポジ型では電子ビームが照射されたレジストの箇所が溶
けて除去され、ネガ型では電子ビームが照射されないレ
ジストの箇所が溶けて除去される。
【０００７】このように化学増幅系レジストはわずかな
電子線（電子ビーム）により酸を発生させ、かつこれを
触媒として架橋、開裂、分解の反応をより増大させるこ
とができるので、従来のキノンジアジト系感光剤とノボ
ラック樹脂との組み合わせからなるレジストに比べ高い
感度が実現できる。
【０００８】またこのようにわずかな電子線により高感
度を実現できる為にレジスト材料に選択の幅ができて、
高解像性の材料を選択することができる。したがって化
学増幅系レジストは高解像度のレジストでもある。
【０００９】しかしながら上記したように、電子ビ−ム
露光後に真空チャンバから大気中に取り出してＰＥＢの
熱処理により十分に反応を促進しなければならないが、
この時、真空チャンバから出た半導体ウエハの露光され
た化学増幅系レジストは大気中の空気と触れることによ
り、その表面に発生してある酸が空気と反応して酸の触
媒としての働きをしなくなる。この現象を酸の失活とい
う。
【００１０】この酸の失活現象の空気中の原因物質は、
以前はＯ2 やＣＯ2 といわれていたが、最近では塩基成
分や水分であることが判ってきた。
【００１１】この酸の失活が起きると、架橋、開裂、分
解の反応が進まず、分子量の変化が起きなくなり、これ
によりレジスト膜の表面付近での現像液による溶解速度
を変化させ、レジスト形状の劣化を引き起こす。
【００１２】すなわち、ポジ型レジストでは除去したい
部分にレジストが残り、ネガ型レジストでは除去すべき
ではないところまで除去されてしまうという現象が起
る。したがって、ポジ型レジストでは断面形状がＴ字型
（余分なところが残り）、ネガ型レジストでは凸字型
（必要なところまで除去される）になり、微細パターン
を形成することができない。そしてこのような現象によ
る解像度の低下は、露光からＰＥＢまでの経過時間に依
存することが知られている。
【００１３】この様な問題に対し特開平４−２０４８４
８号公報では、レジスト表面における酸の失活を防ぐた
めに、レジスト表面に水溶性高分子膜を保護膜として用
いる方法を提案している。このプロセスフローを図７に
示す。
【００１４】すなわち、半導体基板２１上に化学増幅系
レジスト２２を塗布した半導体ウエハ５（図７（Ａ））
をプレベークした後、レジスト２２と混合しない水溶性
高分子材料を保護膜７０として塗布し（図７（Ｂ））、
電子ビーム６をレジスト２２の選択的部分２２Ａに保護
膜７０を通して照射する露光工程（図７（Ｃ））の後
に、保護膜７０で被覆した状態で真空チャンバから大気
に取り出し、ＰＥＢの前に保護膜７０を除去し（図７
（Ｄ））、ＰＥＢの熱処理を行ない（図７（Ｅ））、現
像により電子ビームが照射したレジストの部分を除去し
た箇所２２Ｂを有するレジストパターンを得るものであ
る。
【００１５】このように図７は、水溶性高分子膜の存在
によってレジストを直接大気に接触させないようにし
て、レジスト表面からの酸の失活を防いでパターンを形
成する方法である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの様に
レジスト材料以外に保護膜を用いる方法においては、従
来のプロセスに比べ、この保護膜の塗布および除去の２
工程が追加されるから工程が長くなるという問題が生じ
る。
【００１７】また、電子線描画ではレジスト内での電子
の散乱によって解像度が影響されることから、レジスト
と保護膜により両者を足し併せた膜厚がレジストのみの
場合に比較して厚くなり、電子の散乱がそれだけ多くな
り、解像度が低下する。このことからレジスト上に保護
膜のような他の膜を付加する方法はレジスト本来の解像
性を低下させることになる。
【００１８】したがって本発明は、露光工程においてレ
ジスト上に保護膜を塗布形成することなく、また解像度
を低下させることなく、化学増幅系レジストを用いて安
定にパターンが形成ができる方法およびそれを実現する
ことができる電子線描画装置を提供することを目的とす
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、化学増
幅系レジストに電子ビームを照射して該レジストのパタ
ーンを形成するパターン形成方法において、前記電子ビ
ームの照射の前および後に前記レジストの表面に酸性ガ
スを吸着させるパターン形成方法にある。前記酸性ガス
は、ＨＣｌガス、ＨＢｒガス、Ｈ2 ＳＯ4 ガスもしくは
Ｈ2 Ｏ2 ガスであることが好ましい。あるいは本発明の
特徴は、化学増幅系レジストに電子ビームを照射して該
レジストのパターンを形成するパターン形成方法におい
て、前記電子ビームの照射中に前記レジストの表面に酸
性ガスを吸着させるパターン形成方法にある。
【００２０】本発明の他の特徴は、半導体ウエハを載置
し、この半導体ウエハに電子ビームを照射する電子光学
系を設けた露光チャンバを有する電子線露光装置におい
て、前記露光チャンバに酸性ガスを導入する手段を有す
ること電子線描画装置にある。
【００２１】このように電子線露光装置内に酸性ガスを
導入することにより、真空状態の露光装置内で化学増幅
系レジストの表面に酸性ガスが吸着させられる。これに
より、空気中で失活した化学増幅系レジストの酸機能を
吸着した酸で補うことができ、現像液中で化学増幅系レ
ジストの表面の溶解速度の低下を防ぐことが可能とな
る。また、工程数を増加させることなく、解像度及び寸
法精度の高いパターンが形成できる。
【００２２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を説明する。
【００２３】図１は本発明の第１の実施例のパターン形
成方法に用いる電子描画装置の概要を示す図である。ス
テージ８および電子光学系７を有する露光チャンバ１は
真空ポンプ系（図示省略）により高真空度の真空状態に
なっている。電子光学系７は電子銃、電子レンズ、偏向
器を含みそこから発せられた電子ビ−ム６によりステー
ジ上の半導体ウエハ５を選択的に露光する。
【００２４】露光チャンバ１に隣接してステージ９を有
するウエハ交換チャンバ２が設けられている。真空ポン
プ系（図示省略）により真空に粗引きされているウエハ
交換チャンバ２に酸化ガス供給源３から塩化水素（ＨＣ
ｌ）ガスがバルブ１５を介してにガスライン４によって
導入されているから、このウエハ交換チャンバ２は塩化
水素（ＨＣｌ）ガス２３が充填した低真空度の真空状態
になっている。
【００２５】また電子描画装置の外部の大気中に載置さ
れたウエハキャリア１１に半導体基板表面上に化学増幅
系レジストが塗布された半導体ウエハ８が複数枚収納さ
れている。
【００２６】またウエハ交換チャンバ１２の外壁には開
閉動作を行なうゲートバルブ１２が設けられ、ウエハキ
ャリア１１から半導体ウエハ５を矢印１０Ａの方向に搬
送させてウエハ交換チャンバ２内のステージ９上に載置
し、またステージ９上から半導体ウエハ５を矢印１０Ｄ
の方向に搬送させてウエハキャリア１１に収納できるよ
うになっている。
【００２７】同様に、露光チャンバ１とウエハ交換チャ
ンバ２間の隔壁には開閉動作を行なうゲートバルブ１３
が設けられ、ウエハ交換チャンバ２から半導体ウエハ５
を矢印１０Ｂの方向に搬送させてウエハ交換チャンバ２
内のステージ９上から露光チャンバ１のステージ８上に
載置し、またステージ８上から半導体ウエハ５を矢印１
０Ｃの方向に搬送させてステージ９上に載置にできるよ
うになっている。
【００２８】この電子描画装置はウェハ交換チャンバを
有しているので量産に適しており、半導体ウエハの搬送
移動および載置、バルブ１５，１２，１３の開閉、電子
ビーム露光等は全て制御系（図示省略）により自動的に
行うことができる。また、酸性ガスをウエハ交換チャン
バに導入し、露光チャンバに導入していないから、露光
チャンバ内の汚染や腐食が防止でき、また露光チャンバ
内の真空度の低下による電子ビームに対する悪影響が防
止できる。さらに化学増幅系レジストは電子ビ−ム露光
の前後に酸性ガスに晒されるからその表面に必要十分の
酸性ガスが吸着される。これによりポストベークまでの
空気中における期間に、露光で発生した表面の酸が触媒
作用を失なっても表面に吸着した酸で十分に補償される
から酸の失活防止がより確実なものとなる。潜像の形成
はあくまでも露光により発生した酸に依存するものであ
り、この酸性ガスによる酸の吸着は表面状態の補償であ
るからこの酸の吸着によりパターン形成そのものに支障
を生じることはない。また酸性ガスによる酸はレジスト
の表面に吸着させるだけで内部に浸透させるものではな
いからその吸着時間は厳密に制御する必要はないが、こ
の図１の装置を用いた場合のように、前のウエハが電子
ビーム露光している時間および後のウエハが電子ビーム
露光している時間に酸性ガスに晒しておくのが適切であ
る。
【００２９】次に図１の電子描画装置を用いた本発明の
第１の実施例のパターン形成方法を図２を参照して説明
する。
【００３０】まず図２（Ａ）に示すように、半導体ウエ
ハ５として半導体基板２１上にポジ型の化学増幅系レジ
スト２２を膜厚０．７μｍに塗布し、プリベークとして
９０℃で６０秒間ホットプレートによるベークを行な
う。このプリベークが完了した半導体ウエハ５がウエハ
キャリア１１に収納されている。
【００３１】次に図２（Ｂ）に示すように、電子描画装
置のウエハ交換チャンバ２に搬送された半導体ウエハ
は、ウエハ交換チャンバ２内のステージ９上において化
学増幅系レジスト２２の表面を低真空度の真空中でＨＣ
ｌガス２３に晒してこの表面にＨＣｌを吸着する。
【００３２】次に図２（Ｃ）に示すように、露光チャン
バ１内のステージ８上において、高真空の真空中で化学
増幅系レジスト２２の選択的部分２２Ａに電子ビーム６
を照射する。表面にＨＣｌガスを吸着してあっても露光
に何ら支障はない。
【００３３】次に図２（Ｄ）に示すように、電子ビ−ム
露光が完了した半導体ウエハ５は再度ウエハ交換チャン
バ２内のステージ９上においてその化学増幅系レジスト
２２の表面を低真空度の真空中でＨＣｌガス２３に晒し
てこの表面にＨＣｌを吸着する。
【００３４】次に図２（Ｅ）に示すように、半導体ウエ
ハ５を大気中に取り出してウエハキャリア１１に収納し
た半導体ウエハ５をホットプレートにより、ポストベー
クのＰＥＢとして１００℃で６０秒間の熱処理を行う。
ＰＥＢで吸着した酸性ガスのＨＣｌの酸も含めたレジス
トの酸により反応が促進する。また、このＰＥＢで所定
の反応が完了するから、ＰＥＢから現像までの期間は酸
の失活の問題は関係ない。
【００３５】次に図２（Ｆ）に示すように、所定の有機
アルカリ現像液により現像処理を行って、電子ビ−ムが
照射した部分を除去した箇所２２Ｂを有するレジストパ
ターンを得る。表面にＨＣｌガスを吸着してあっても露
光に何ら支障はない。また、余剰の酸は現像液に溶けて
除去される。
【００３６】上述したように、工程（Ａ）、（Ｅ）、
（Ｆ）が大気中の工程であり、工程（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）が低真空度、高真空度の真空中の工程である。
【００３７】上記プロセスによりレジスト表面での現像
液に対する難溶層発生によるＴ字型などの形状劣化のな
い垂直な０．２５μｍ幅のレジストパターンをウエハ内
およびウエハ間の線幅精度０．０２μｍ以内で得ること
ができた。
【００３８】したがってこの化学増幅系レジストパター
ンをマスクとしてその下の導電膜や絶縁膜をエッチング
することにより、精度のよいファイン導電膜パターンや
絶縁膜パターンが得られる。
【００３９】図３は本発明の実施例の電子描画装置の概
要を示す図である。尚、図３において図１と同一もしく
は類似の箇所は同じ符号で示してあるので重複する説明
は省略する。
【００４０】図３の実施例では、酸性ガス供給源３から
バルブ１６を通してガスライン４により露光チャンバ１
に酸性ガスであるＨＣｌガスを導入している。このよう
に露光チャンバに導入しているから、図１のようなウエ
ハ交換チャンバが存在しない簡素化された電子描画装置
でも本発明を適用することができる。この場合は露光チ
ャンバ１の外壁に開閉動作を行なうゲートバルブ１４が
設けられ、大気中から半導体ウエハ５を矢印１０Ｅの方
向に搬送移動させて露光チャンバ１内のステージ８上に
載置し、またステージ８上から半導体ウエハ５を矢印１
０Ｆの方向に搬送移動させて大気中に取り出してポスト
ベークのＰＥＢ熱処理を行なうことができる。また露光
チャンバ１は真空ポンプ系（図示省略）で真空引きがで
きるようになっている。
【００４１】次に図３の電子描画装置を用いた本発明の
第２の実施例のパターン形成方法を図４を参照して説明
する。
【００４２】まず図４（Ａ）に示すように、半導体ウエ
ハ５として半導体基板２１上にポジ型の化学増幅系レジ
スト２２を塗布し、プリベークとして９０℃で６０秒間
ホットプレートによるベークを行なう。このプリベーク
が完了した半導体ウエハ５が露光チャンバ１のステージ
８上に載置させる。
【００４３】次に図４（Ｂ）に示すように、バルブ１６
を開にしてＨＣｌガス２３を露光チャンバ１内に導入し
かつ真空ポンプ系で露光チャンバを真空引きすることに
より所定のＨＣｌガスを含む所定の真空度にした状態
で、化学増幅系レジスト２２の選択的部分２２Ａに電子
ビーム６を照射する。
【００４４】次に図４（Ｃ）に示すように、電子ビ−ム
露光が完了した半導体ウエハ５は大気中に取り出されて
ホットプレート上に載置されて、１００℃で６０秒間の
ＰＥＢ熱処理を行う。
【００４５】次に図４（Ｄ）に示すように、所定の有機
アルカリ現像液により現像処理を行って、電子ビ−ムが
照射した部分を除去した箇所２２Ｂを有するレジストパ
ターンが得る。
【００４６】この実施例のプロセスでは、ＨＣｌガス濃
度と真空度との制御を正確にしなければならないという
難点があるが、酸の吸着と電子ビーム露光とを同時に行
なっているから全体の作業時間が短縮できるというメリ
ットを有する。
【００４７】次に図３の電子描画装置を用いた本発明に
関係のある技術のパターン形成方法を図５を参照して説
明する。
【００４８】まず図５（Ａ）に示すように、半導体ウエ
ハ５として半導体基板２１上にポジ型の化学増幅系レジ
スト２２を塗布し、プリベークとして９０℃で６０秒間
ホットプレートによるベークを行なう。このプリベーク
が完了した半導体ウエハ５が露光チャンバ１のステージ
８上に載置させる。
【００４９】次に図５（Ｂ）に示すように、バルブ１６
を開にしてＨＣｌガス２３を露光チャンバ１内に導入
し、かつ真空ポンプ系で露光チャンバを真空引きするこ
とにより、低真空度の真空状態でＨＣｌガス２３を化学
増幅系レジスト２２の表面に吸着させる。
【００５０】次に図５（Ｃ）に示すように、バルブ５を
閉にしてＨＣｌガスの供給を停止して高真空度の真空状
態として、化学増幅系レジスト２２の選択的部分２２Ａ
に電子ビーム６を照射する。
【００５１】次に図５（Ｄ）に示すように、電子ビ−ム
露光が完了した半導体ウエハ５を大気中に取り出して、
ホットプレート上に載置して１００℃で６０秒間のＰＥ
Ｂを行う。
【００５２】次に図５（Ｅ）に示すように、所定の有機
アルカリ現像液により現像処理を行って、電子ビ−ムが
照射した部分を除去した箇所２２Ｂを有するレジストパ
ターンを得る。
【００５３】次に図３の電子描画装置を用いた本発明に
関係のある他の技術のパターン形成方法を図６を参照し
て説明する。
【００５４】まず図６（Ａ）に示すように、半導体ウエ
ハ５として半導体基板２１上にポジ型の化学増幅系レジ
スト２２を塗布し、プリベークとして９０℃で６０秒間
ホットプレートによるベークを行なう。このプリベーク
が完了した半導体ウエハ５を露光チャンバ１のステージ
８上に載置する。
【００５５】次に図６（Ｂ）に示すように、バルブ１６
を閉にしてＨＣｌガスの供給を停止して高真空度の真空
状態として、化学増幅系レジスト２２の選択的部分２２
Ａに電子ビーム６を照射する。
【００５６】次に図６（Ｃ）に示すように、バルブ１６
を開にしてＨＣｌガス２３を露光チャンバ１内に導入し
かつ真空系で露光チャンバを真空引きすることにより低
真空度の真空状態でＨＣｌガス２３を露光が完了した化
学増幅系レジスト２２の表面に吸着させる。
【００５７】次に図６（Ｄ）に示すように、電子ビ−ム
露光が完了した半導体ウエハ５を大気中に取り出して、
ホットプレート上に載置して１００℃で６０秒間のＰＥ
Ｂを行う。
【００５８】次に図６（Ｅ）に示すように、所定の有機
アルカリ現像液により現像処理を行って、電子ビ−ムが
照射した部分を除去した箇所２２Ｂを有するレジストパ
ターンを得る。
【００５９】図５および図６のプロセスを図４の実施例
のプロセスと比較すると、酸の吸着と電子ビーム露光と
を別のステップで行なうから全体の時間がそれだけ長く
なるが、電子ビームに真空度による影響を与えることな
く高真空度で露光を行うことができ、また所定のＨＣｌ
ガスの吸着を容易に行なうことができる。
【００６０】また図３の電子描画装置において、バルブ
１６を閉にして高真空度の真空状態で電子ビーム露光を
行い、電子ビーム露光の前と後の両時点においてバルブ
１６を開にしてＨＣｌガス２３を導入して低真空度の真
空状態で化学増幅系レジスト２２の表面にＨＣｌガス２
３を吸着させることもできるが、この実施例のプロセス
は図２の第１の実施例のプロセスと同じになるから説明
を省略する。
【００６１】上記実施例では、酸発生剤と酸分解性ポリ
マーから成るポジ型の化学増幅系レジストを例示して説
明したが、酸発性剤と酸反応性モノマーと酸重合性ポリ
マーから成るネガ型の化学増幅系レジスト、例えば商品
名ＳＡＬ６０１−ＥＲ７（シップレー社製）の場合も同
様に本発明が適用できることは明らかである。
【００６２】また上記実施例では酸性ガスとしてＨＣｌ
（塩化水素）ガスを例示して説明したが、この他にＨＢ
ｒガス、Ｈ2 ＳＯ4 ガスもしくはＨ2 Ｏ2 ガスを本発明
の酸性ガスとして適用することも可能である。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電子ビー
ムを用いて化学増幅系レジストのパターンを形成する電
子線描画装置において、酸性ガスを導入するガスライン
を設けることにより真空状態の電子線描画装置内で酸性
ガスを化学増幅系レジストの表面に吸着させることがで
きる。したがって、露光を完了して装置から外気中に取
り出されてからＰＥＢ熱処理を行うまでの空気中の期間
において、露光により発生した表面の酸が空気に接して
触媒作用を失っても表面に吸着した酸によりこれを補償
することができ露光部分の酸の失活が防止されたことに
なる。したがってＰＥＢで充分の反応が行われ、これに
より現像工程で所定の断面形状のレジストパターンが得
られる。
【００６４】また本発明は真空状態の電子線描画装置内
で酸性ガスを化学増幅系レジストの表面に吸着させるパ
ターン形成方法であるから、従来行われていた保護膜の
塗布およびその剥離除去等の工程を付加する必要がな
い。したがって、短期間のレジストプロセスを実現する
ことができ、さらに微細かつ寸法精度の良いパターン形
成を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例のパターン形成方法に用
いる電子線描画装置の概要を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施例のパターン形成方法を示
す断面図である。
【図３】本発明の実施例の電子線描画装置の概要を示す
図である。
【図４】本発明の第２の実施例のパターン形成方法を示
す断面図である。
【図５】本発明に関係のある技術のパターン形成方法を
示す断面図である。
【図６】本発明に関係のある他の技術のパターン形成方
法を示す断面図である。
【図７】従来技術のパターン形成方法を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 露光チャンバ ２ ウエハ交換チャンバ ３ 酸性ガス供給源 ４ ガスライン ５ 半導体ウエハ ６ 電子ビーム ７ 電子光学系 ８，９ ステージ １０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ
半導体ウエハの搬送方向 １１ ウエハキャリア １２，１３，１４ ゲートバルブ １５，１６ バルブ ２１ 半導体基板 ２２ 化学増幅系レジスト ２２Ａ 化学増幅系レジストに電子ビームが照射され
た部分 ２２Ｂ 化学増幅系レジストが現像により除去された
箇所 ２３ ＨＣｌガス ７０ 保護膜

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 化学増幅系レジストに電子ビームを照射
    して該レジストのパターンを形成するパターン形成方法
    において、前記電子ビームの照射の前および後に前記レ
    ジストの表面に酸性ガスを吸着させることを特徴とする
    パターン形成方法。
  2. 【請求項２】 前記酸性ガスは、ＨＣｌガス、ＨＢｒガ
    ス、Ｈ2 ＳＯ4 ガスもしくはＨ2 Ｏ2 ガスであることを
    特徴とする請求項１記載のパターン形成方法。
  3. 【請求項３】 化学増幅系レジストに電子ビームを照射
    して該レジストのパターンを形成するパターン形成方法
    において、前記電子ビームの照射中に前記レジストの表
    面に酸性ガスを吸着させることを特徴とするパターン形
    成方法。
  4. 【請求項４】 半導体ウエハを載置しこの半導体ウエハ
    に電子ビームを照射する電子光学系を設けた露光チャン
    バを有する電子線描画装置において、前記露光チャンバ
    に酸性ガスを導入する手段を有することを特徴とする電
    子線描画装置。
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