KR102185684B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

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사카에 야마시타
게이이치 나가쿠보
요시아키 사사키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 감압 분위기 하에서 기판을 처리하는 처리실과 반송실을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 처리실로부터 반송실에 반입되는 이물(디포)을 저감한다.
[해결 수단] 감압 분위기 하에서 기판을 처리하는 COR 모듈과 COR 모듈에 게이트(46b)를 통해서 접속된 트랜스퍼 모듈(30)을 구비한 기판 처리 장치는, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부에 불활성 가스를 공급하는 제 1 급기부(50)와, 게이트(46b)에 대해서 불활성 가스를 공급하는 제 2 급기부(70)와, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부의 분위기를 배출하는 배기부(60)를 갖는다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM}
본 발명은 감압 분위기 하에서 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 게이트를 통해서 접속된 반송실을 구비한 기판 처리 장치, 해당 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
예를 들면 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 하는 경우가 있다.)를 수납한 처리실을 감압 상태로 하고, 해당 웨이퍼에 소정의 처리를 실시하는 여러 처리 공정이 행해지고 있다. 또, 이들 복수의 처리 공정은 예를 들면 공통의 반송실의 주위에 처리실을 복수 배치한 기판 처리 장치를 이용해서 행해진다. 그리고, 복수의 처리실에서 복수의 웨이퍼에 대한 처리를 병행해서 행함으로써, 기판 처리의 효율을 향상시키고 있다.
이러한 기판 처리 장치에서는, 처리실에 대해서 웨이퍼를 반입출할 때, 처리실과 반송실을 분리하는 게이트(게이트 밸브)를 개방하고, 반송실에 마련된 반송 암을 이용해서 웨이퍼를 반송한다. 처리실과 반송실이 연통되었을 때에는, 처리실 내의 분위기가 반송실에 유입하고, 예를 들면 유기물의 먼지인 콘테미네이션(이하, 「오염」이라고 하는 경우가 있다.)이나 파티클 등에 의해, 반송실의 내부가 오염되는 경우가 있다. 또한, 반송실 내의 오염이나 파티클의 발생원은 상술한 처리실에 한정되는 것이 아니고, 이들은 여러 요인으로 반송실 내에 발생할 수 있다.
그래서, 특허문헌 1에는, 반송실 내에 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급 라인과, 반송실 내를 배기하는 배기 라인을 구비한 처리 장치가 제안되어 있다. 이러한 경우, 처리실에서 웨이퍼에 처리를 행하는 동안, 반송실 내에 상시 불활성 가스를 공급함으로써, 해당 반송실 내의 분위기를 청정하게 유지하는 것을 도모하고 있다.
일본 특허 제 4414869 호 공보
상술한 바와 같이 기판 처리 장치에서는, 웨이퍼에 대해서 여러 처리가 행해지는데, 예를 들면 COR(Chemical Oxide Removal) 처리와 PHT(Post Heat Treatment) 처리가 행해진다. COR 처리에서는, 처리 가스와 웨이퍼 상에 형성된 막을 반응시켜 생성물을 생성한다. 이러한 경우, COR 처리를 행하는 처리실에 대해서 반송 암에 의해 웨이퍼를 반입출할 때에는, 유기물의 생성물(이하, 「디포(depot)」라고 하는 경우가 있다.)이 웨이퍼나 반송 암에 부착하는 경우가 있다. 특히 COR 처리는 감압 분위기 하에서 행해지기 때문에, 웨이퍼나 반송 암이 냉각되어 디포가 부착되기 쉬워진다.
그렇지만, 특허문헌 1에 기재된 방법으로 반송실 내에 불활성 가스를 공급하는 것만으로는, 이와 같이 웨이퍼나 반송 암에 부착하는 디포를 저감할 수 없다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 감압 분위기 하에서 기판을 처리하는 처리실과 반송실을 구비한 기판 처리 장치로서, 처리실로부터 반송실에 반입되는 이물(디포)을 저감하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 감압 분위기 하에서 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 게이트를 통해서 접속된 반송실을 구비한 기판 처리 장치로서, 상기 반송실의 내부에 불활성 가스를 공급하는 제 1 급기부와, 상기 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급하는 제 2 급기부와, 상기 반송실의 내부의 분위기를 배출하는 배기부를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 처리실에 있어서의 기판의 처리중, 및 처리실과 반송실의 사이에서의 기판의 반송중에, 제 1 급기부로부터 반송실의 내부에 불활성 가스를 공급하고, 또한 배기부로부터 반송실의 내부를 배기함으로써, 오염이나 파티클 등을 제거해서, 반송실의 내부의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다.
또, 처리실과 반송실의 사이에서 기판을 반송하기 위해서 게이트를 열고 있을 때, 제 2 급기부로부터 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급함으로써, 게이트에 불활성 가스의 커텐을 형성한다. 그러면, 예를 들면 반송중의 기판이나 반송 암이 불활성 가스의 커텐을 통과하므로, 처리실에서 발생한 디포가 해당 기판이나 반송 암에 부착되기 어려워진다. 따라서, 처리실로부터 반송실에 반입되는 디포를 저감할 수 있다.
상기 제 2 급기부로부터 공급되는 불활성 가스는 가열되고 있어도 좋다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 반송실에 다른 게이트를 통해서 접속되고, 내부를 대기압 분위기와 감압 분위기로 전환 가능한 로드록실과, 상기 다른 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급하는 제 3 급기부를 더 갖고 있어도 좋다.
상기 제 3 급기부로부터 공급되는 불활성 가스는 가열되고 있어도 좋다.
상기 제 1 급기부는 상기 반송실에 있어서의 일단부에 마련되고, 상기 배기부는 상기 반송실에 있어서 상기 일단부에 대향하는 타단부에 마련되어 있어도 좋다.
상기 반송실에는 기판을 반송하는 반송 암이 마련되고, 상기 반송 암은 2매의 기판을 해당 2매의 기판의 사이에 간격을 두고 겹치도록 유지해도 좋다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 감압 분위기 하에서 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 게이트를 통해서 접속된 반송실을 갖는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서, 상기 처리실에 있어서의 기판의 처리중, 및 상기 처리실과 상기 반송실의 사이에서의 기판의 반송중에, 제 1 급기부로부터 상기 반송실의 내부에 불활성 가스를 공급하고, 상기 처리실과 상기 반송실의 사이에서 기판을 반송하기 위해서 상기 게이트를 열고 있을 때, 제 2 급기부로부터 상기 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 제 2 급기부로부터 공급되는 불활성 가스는 가열되고 있어도 좋다.
상기 기판 처리 장치는 상기 반송실에 다른 게이트를 통해서 접속되고, 내부를 대기압 분위기와 감압 분위기로 전환 가능한 로드록실을 더 갖고, 상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 로드록실에 기판을 수용중, 및 상기 로드록실과 상기 반송실의 사이에서의 기판의 반송중에, 상기 제 1 급기부로부터 상기 반송실의 내부에 불활성 가스를 공급하고, 상기 로드록실과 상기 반송실의 사이에서 기판을 반송하기 위해서 상기 다른 게이트를 열고 있을 때, 제 3 급기부로부터 상기 다른 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급해도 좋다.
상기 제 3 급기부로부터 공급되는 불활성 가스는 가열되고 있어도 좋다.
또 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 의해 실행하게 하도록, 해당 기판 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 반송실의 내부의 분위기를 청정하게 유지하면서, 처리실로부터 반송실에 반입되는 이물(디포)을 저감할 수 있다. 그 결과, 기판 처리의 신뢰성을 향상시키고, 또한 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2는 반송 암의 구성을 나타내는 설명도이며, (a)는 반송 암의 전체를 나타내는 사시도이며, (b)는 반송 암의 픽부의 측면도이다.
도 3은 트랜스퍼 모듈에 마련되는 급기부와 배기부의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 4는 트랜스퍼 모듈에 있어서의 불활성 가스의 흐름을 나타내는 설명도이다.
도 5는 게이트에 있어서의 불활성 가스의 흐름을 나타내는 설명도이다.
도 6은 다른 실시 형태에 따른, 트랜스퍼 모듈에 마련되는 급기부와 배기부의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 7은 다른 실시 형태에 따른, 트랜스퍼 모듈에 있어서의 불활성 가스의 흐름을 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
먼저, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1)에 있어서, 기판으로서의 웨이퍼(W)에 COR 처리와 PHT 처리를 행하는 경우에 대해 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이 기판 처리 장치(1)는 복수의 웨이퍼(W)를 보관하는 웨이퍼 보관부(10)와, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 웨이퍼 처리부(11)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
웨이퍼 보관부(10)는 복수의 웨이퍼(W)를 보관하는 용기인 ?g(FOUP)(20)의 탑재대인 로드 포트(21)와, 보관된 웨이퍼(W)를 로드 포트(21)에 탑재된 ?g(20)으로부터 수취하고, 또 웨이퍼 처리부(11)에서 소정의 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 ?g(20)에 인도하는 로더 모듈(22)과, 로더 모듈(22)과 후술하는 트랜스퍼 모듈(30)의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고 받기 위해서 일시적으로 웨이퍼(W)를 유지하는 로드록실로서의 로드록 모듈(23a, 23b)을 갖고 있다.
?g(20)은 복수의 웨이퍼(W)를 등간격으로 다단으로 겹쳐지도록 해서 수용한다. 또, 로드 포트(21)에 탑재된 ?g(20)의 내부는 각각 통상 대기로 채워지지만, 해당 내부가 질소 가스 등으로 채워져서 밀폐되는 경우도 있다.
로더 모듈(22)은 내부가 직사각형의 하우징으로 이루어지고, 하우징의 내부는 대기압 분위기로 유지된다. 로더 모듈(22)의 하우징의 장변을 구성하는 1 측면에는 복수, 예를 들면 3개의 로드 포트(21)가 나란히 배열되어 있다. 또, 로더 모듈(22)은 하우징의 내부에 있어서 그 길이 방향으로 이동 가능한 반송 암(도시하지 않음)을 갖고 있다. 반송 암은 로드 포트(21)에 탑재된 ?g(20)으로부터 로드록 모듈(23a)에 웨이퍼(W)를 반송하고, 또 로드록 모듈(23b)로부터 ?g(20)에 웨이퍼(W)를 반출한다.
로드록 모듈(23a)은 대기압 분위기의 로드 포트(21)에 탑재된 ?g(20)에 수용된 웨이퍼(W)를, 내부가 감압 분위기인 후술하는 트랜스퍼 모듈(30)에 인도하기 위해, 웨이퍼(W)를 일시적으로 유지한다. 로드록 모듈(23a)은 2매의 웨이퍼(W)를 겹치도록 유지하는 상부 스토커(24a)와 하부 스토커(24b)를 갖고 있다.
로드록 모듈(23a)은 게이트 밸브(25a)가 마련된 게이트(25b)를 통해서 로더 모듈(22)에 접속되어 있다. 이 게이트 밸브(25a)에 의해, 로드록 모듈(23a)과 로더 모듈(22)의 사이의 기밀성의 확보와 서로의 연통을 양립한다. 또, 로드록 모듈(23a)은 게이트 밸브(26a)가 마련된 게이트(26b)를 통해서 후술하는 트랜스퍼 모듈(30)에 접속되어 있다. 이 게이트 밸브(26a)에 의해, 로드록 모듈(23a)과 트랜스퍼 모듈(30)의 사이의 기밀성의 확보와 서로의 연통을 양립한다.
또한, 로드록 모듈(23a)에는 가스를 공급하는 급기부(도시하지 않음)와 가스를 배출하는 배기부(도시하지 않음)가 접속되고, 급기부와 배기부에 의해 내부가 대기압 분위기와 감압 분위기로 전환 가능하게 구성되어 있다. 또한, 로드록 모듈(23b)이나 로드록 모듈(23a)과 마찬가지의 구성을 갖고 있다.
웨이퍼 처리부(11)는 2매의 웨이퍼(W)를 동시에 반송하는 반송실로서의 트랜스퍼 모듈(30)과, 트랜스퍼 모듈(30)로부터 반송된 웨이퍼(W)에 COR 처리를 실시하는 COR 모듈(31)과, 트랜스퍼 모듈(30)로부터 반송된 웨이퍼(W)에 PHT 처리를 실시하는 PHT 모듈(32)을 갖고 있다. 트랜스퍼 모듈(30)에 대해, COR 모듈(31)은 복수, 예를 들면 4개 마련되고, PHT 모듈(32)은 복수, 예를 들면 2개 마련되어 있다. 또한, 트랜스퍼 모듈(30), COR 모듈(31) 및 PHT 모듈(32)의 내부는 각각 감압 분위기로 유지된다.
COR 모듈(31)의 내부에는, 2매의 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 배열해서 탑재하는 2개의 스테이지(33a, 33b)가 마련되어 있다. COR 모듈(31)은 스테이지(33a, 33b)에 웨이퍼(W)를 배열해서 탑재함으로써, 2매의 웨이퍼(W)에 대해서 동시에 COR 처리를 실시한다. 또, COR 모듈(31)에는, 처리 가스나 퍼지 가스 등을 공급하는 급기부(도시하지 않음)와 가스를 배출하는 배기부(도시하지 않음)가 접속되어 있다.
PHT 모듈(32)의 내부에는, 2매의 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 배열해서 탑재하는 2개의 스테이지(34a, 34b)가 마련되어 있다. PHT 모듈(32)은 스테이지(34a, 34b)에 웨이퍼(W)를 배열해서 탑재함으로써, 2매의 웨이퍼(W)에 대해서 동시에 PHT 처리를 실시한다. 또, PHT 모듈(32)에는, 가스를 공급하는 급기부(도시하지 않음)와 가스를 배출하는 배기부(도시하지 않음)가 접속되어 있다.
트랜스퍼 모듈(30)은 미처리의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보관부(10)로부터 COR 모듈(31), PHT 모듈(32)에 순차 반송하고, 처리 완료의 웨이퍼(W)를 PHT 모듈(32)로부터 웨이퍼 보관부(10)에 반출한다. 트랜스퍼 모듈(30)은 내부가 직사각형의 하우징으로 이루어지고, 하우징의 내부는 감압 분위기로 유지된다.
트랜스퍼 모듈(30)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 기구(40)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(40)는 2매의 웨이퍼(W)를 겹치도록 유지해서 이동하는 반송 암(41a, 41b)과, 반송 암(41a, 41b)을 회전 가능하게 지지하는 회전대(42)와, 회전대(42)를 탑재한 회전 탑재대(43)를 갖고 있다. 트랜스퍼 모듈(30)의 내부에는, 그 길이 방향으로 연장하는 안내 레일(44)이 마련되어 있다. 회전 탑재대(43)는 안내 레일(44) 상에 마련되고, 웨이퍼 반송 기구(40)는 안내 레일(44)을 따라서 이동 가능하게 구성되어 있다.
여기서, 상술한 반송 암(41a, 41b)의 구성에 대해 상세하게 설명한다. 도 2는 반송 암(41a, 41b)의 구성을 나타내는 설명도이며, (a)는 반송 암(41a, 41b)의 전체를 나타내는 사시도이며, (b)는 반송 암(41a)의 픽부(45a)의 측면도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이 반송 암(41a, 41b)은 각각, 선단에 있어서 2매의 웨이퍼(W)를 탑재하는 픽부(45a, 45b)를 갖고 있다. 반송 암(41a)은 복수의 링크(절)부를 복수의 조인트(관절)부에서 회전 가능하게 연결한 링크 기구를 갖고 있다. 반송 암(41a)의 링크 기구의 일단은 회전대(42)에 의해 자유롭게 회전하도록 지지되어 있다. 또, 반송 암(41a)의 링크 기구의 타단은 자유단이며, 타단에 픽부(45a)가 마련되어 있다.
픽부(45a)는 2각 포크 형상의 상부 픽(45at)과 하부 픽(45ab)을 소정의 거리(t)만큼 이간해서 적층한 구성을 갖고 있다. 픽부(45a)는 상부 픽(45at)의 상면에 1매의 웨이퍼(W)를 탑재하고, 하부 픽(45ab)의 상면(상부 픽(45at)과 하부 픽(45ab)의 사이)에 또한 1매의 웨이퍼(W)를 탑재한다. 즉, 반송 암(41a)은 픽부(45a)에 의해 2매의 웨이퍼(W)를 사이에 간격을 두고 겹치도록 유지한다.
또, 반송 암(41a)은 링크 기구의 일단의 회전 및 링크 기구에 의한 타단의 이동에 의해, 타단의 픽부(45a)에 탑재한 각 웨이퍼(W)를 소망의 위치로 이동한다. 또한, 반송 암(41b)은 반송 암(41a)과 마찬가지의 구성을 갖고 있다. 반송 암(41a, 41b)은 한 번에 2매의 웨이퍼(W)를 탑재하기 때문에, 웨이퍼 반송 기구(40)는 반송 암(41a, 41b)에 의해 동시에 4매의 웨이퍼(W)를 반송 가능하다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 트랜스퍼 모듈(30)에는, 상술한 바와 같이 게이트 밸브(26a, 26a)를 통해서 로드록 모듈(23a, 23b)이 접속되어 있다. 또, 트랜스퍼 모듈(30)에는, 게이트 밸브(46a)가 마련된 게이트(46b)를 통해서 COR 모듈(31)이 접속되어 있다. 이 게이트 밸브(46a)에 의해, 트랜스퍼 모듈(30)과 COR 모듈(31) 사이의 기밀성의 확보와 서로의 연통을 양립한다. 또한, 트랜스퍼 모듈(30)에는, 게이트 밸브(47a)가 마련된 게이트(47b)를 통해서 PHT 모듈(32)이 접속되어 있다. 이 게이트 밸브(47a)에 의해, 트랜스퍼 모듈(30)과 PHT 모듈(32) 사이의 기밀성의 확보와 서로의 연통을 양립한다.
트랜스퍼 모듈(30)에서는, 로드록 모듈(23a)에 있어서 겹치도록 상부 스토커(24a)와 하부 스토커(24b)에 의해 유지된 2매의 웨이퍼(W)를, 반송 암(41a)에서도 겹치도록 유지해서 수취하고, COR 모듈(31)과 PHT 모듈(32)에 반송한다. 또, PHT 모듈(32)에서 처리가 실시된 2매의 웨이퍼(W)를, 반송 암(41b)이 겹치도록 유지하고, 로드록 모듈(23b)에 반출한다.
상술한 바와 같이 트랜스퍼 모듈(30)의 내부는 감압 분위기로 유지된다. 여기서, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부의 분위기 제어에 대해 상세하게 설명한다. 도 3은 트랜스퍼 모듈(30)에 마련되는 급기부와 배기부의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이 트랜스퍼 모듈(30)에는, 내부에 불활성 가스를 공급하는 제 1 급기부(50)가 마련되어 있다. 제 1 급기부(50)는 제 1 급기 라인(51)(급기관)을 갖고 있다. 제 1 급기 라인(51)의 일단부는 트랜스퍼 모듈(30)의 저면의 일단부에 개구한 급기구(52)에 연통하고 있다. 제 1 급기 라인(51)의 타단부는 내부에 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스를 저장하는 가스 공급원(53)에 연통하고 있다. 제 1 급기 라인(51)에는, 온 오프 밸브(54), 압력 조정 밸브(55)(PCV : Pressure Control Valve), 유량계(56)가, 급기구(52)로부터 가스 공급원(53)을 향해 이 순서로 마련되어 있다. 압력 조정 밸브(55)는 트랜스퍼 모듈(30)의 내부의 압력을 측정하는 압력계(57)에 접속되고, 해당 압력계(57)의 측정 결과에 근거해서, 불활성 가스의 압력을 조정한다.
트랜스퍼 모듈(30)에는, 내부의 분위기를 배출하는 배기부(60)가 마련되어 있다. 배기부(60)는 배기 라인(61)(배기관)을 갖고 있다. 배기 라인(61)의 일단부는 트랜스퍼 모듈(30)의 저면의 타단부에 개구한 배기구(62)에 연통하고 있다. 즉, 급기구(52)와 배기구(62)는 대향해서 배치되어 있다. 배기 라인(61)의 타단부는 트랜스퍼 모듈(30)의 내부를 진공 흡입하는 드라이 펌프(63)에 연통하고 있다. 배기 라인(61)에는, 온 오프 밸브(64), 버터플라이 밸브(65)가 배기구(62)로부터 드라이 펌프(63)를 향해 이 순서로 마련되어 있다.
여기서, 드라이 펌프(63)의 배기 성능이나 배관 직경, 배관 길이에 따라서 불활성 가스의 유량이 변동하기 때문에, 복수의 기판 처리 장치(1) 간에, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부의 정상 압력이 변동한다. 본 실시 형태에서는, 버터플라이 밸브(65)를 마련함으로써, 장치간 차이를 억제할 수 있고, 정상 압력에서의 불활성 가스의 유량을 고정화할 수 있다. 이것에 의해, 드라이 펌프(63)의 배기 성능이나 배관 직경, 배관 길이에 의존하지 않는 트랜스퍼 모듈(30)이 실현된다.
트랜스퍼 모듈(30)과 COR 모듈(31)의 사이에 마련된 게이트(46b)에는, 해당 게이트(46b)에 불활성 가스를 공급하는 제 2 급기부(70)가 마련되어 있다. 제 2 급기부(70)는 제 2 급기 라인(71)(급기관)을 갖고 있다. 제 2 급기 라인(71)의 일단부는 노즐(72)에 연통하고 있다. 노즐(72)에는, 불활성 가스의 공급구(도시하지 않음)가 복수 형성되어 있다. 노즐(72)은 예를 들면 게이트(46b)의 아래쪽에 마련되고, 게이트(46b)를 덮도록 불활성 가스를 공급한다. 제 2 급기 라인(71)의 타단부는 가스 공급원(53)에 연통하고 있다. 즉, 가스 공급원(53)은 제 1 급기부(50)와 제 2 급기부(70)에 공통해서 마련되어 있다. 제 2 급기 라인(71)에는, 히터(73), 온 오프 밸브(74), 유량계(56)가, 노즐(72)로부터 가스 공급원(53)을 향해 이 순서로 마련되어 있다. 그리고, 제 2 급기부(70)로부터 게이트(46b)에 대해서, 히터(73)에 의해 가열된 불활성 가스를 공급하고, 해당 게이트(46b)를 덮도록 불활성 가스의 커텐을 형성한다. 또한, 도시의 예에서는, 제 2 급기부(70)는 1개의 게이트(46b)에 대해서 마련되어 있지만, 다른 3개의 게이트(46b)에 대해서도 마찬가지로 마련되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 이상의 기판 처리 장치(1)에는 제어부(80)가 마련되어 있다. 제어부(80)는 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또, 프로그램 저장부에는, 상술의 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어해서, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 후술의 현상 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 데스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있는 것이며, 그 기억 매체로부터 제어부(80)에 인스톨된 것이어도 좋다.
본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있고, 다음으로, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 웨이퍼 처리에 대해 설명한다.
먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 ?g(20)이 로드 포트(21)에 탑재된다. 그 후, 로더 모듈(22)에 의해, ?g(20)으로부터 2매의 웨이퍼(W)가 취출되고, 로드록 모듈(23a)에 반입된다. 로드록 모듈(23a)에 웨이퍼(W)가 반입되면, 게이트 밸브(25a)가 닫히고, 로드록 모듈(23a) 내가 밀폐되어 감압된다. 그 후, 게이트 밸브(26a)가 개방되고, 로드록 모듈(23a)의 내부와 트랜스퍼 모듈(30)의 내부가 연통된다.
이때, 도 4에 나타내는 바와 같이 트랜스퍼 모듈(30)의 내부에는, 제 1 급기부(50)의 급기구(52)로부터 불활성 가스가 공급되고, 배기부(60)의 배기구(62)로부터 분위기가 배출되고 있다. 트랜스퍼 모듈(30)의 내부는 소정 압력의 감압 분위기로 유지되어 있다. 이 트랜스퍼 모듈(30)의 내부는 COR 모듈(31)과 PHT 모듈(32)의 각각의 내부보다 압력이 높고, 양(+)압으로 되어 있다. 또, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부에는, 급기구(52)로부터 배기구(62)를 향하는 일방향의 불활성 가스의 흐름(도 4 중의 화살표)이 형성되어 있다. 이 일방향의 불활성 가스의 흐름에 의해, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부에 있는 오염이나 파티클 등이 적절히 배출되고, 내부의 분위기가 청정하게 유지되어 있다.
다음으로, 로드록 모듈(23a)의 내부와 트랜스퍼 모듈(30)의 내부가 연통하면, 웨이퍼 반송 기구(40)의 반송 암(41a)에 의해 2매의 웨이퍼(W)가 겹치도록 유지되고, 로드록 모듈(23a)로부터 트랜스퍼 모듈(30)에 반입된다. 계속해서, 웨이퍼 반송 기구(40)가 하나의 COR 모듈(31)의 앞까지 이동한다.
다음으로, 게이트 밸브(46a)가 개방되고, 2매의 웨이퍼(W)를 유지하는 반송 암(41a)이 COR 모듈(31)에 진입한다. 그리고, 반송 암(41a)으로부터 스테이지(33a, 33b)의 각각에 1매씩 웨이퍼(W)가 탑재된다. 그 후, 반송 암(41a)은 COR 모듈(31)으로부터 퇴출한다.
이때, 도 5에 나타내는 바와 같이 게이트(46b)에 대해서, 제 2 급기부(70)의 노즐(72)로부터 불활성 가스가 공급되고, 게이트(46b)를 덮도록 불활성 가스의 커텐(도 5 중의 화살표)이 형성된다. 또, 히터(73)에 의해, 불활성 가스는 120℃~300℃로 가열되고 있다. 그리고, 2매의 웨이퍼(W)를 유지하는 반송 암(41a)이, 가열된 불활성 가스의 커텐을 통과한다. 여기서, COR 모듈(31)에 있어서의 COR 처리에서는 유기물의 생성물인 디포가 생기지만, 이와 같이 반송 암(41a)이 가열된 불활성 가스의 커텐을 통과하므로, 반송 암(41a)과 웨이퍼(W)에 디포가 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 반송 암(41a)이 COR 모듈(31)로부터 퇴출해도, 디포가 트랜스퍼 모듈(30)에 반입되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 이와 같이 COR 모듈(31)에 웨이퍼(W)를 반입할 때, 게이트 밸브(46a)가 개방되면, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부가 COR 모듈(31)의 내부보다 양(+)압으로 되어 있기 때문에, 트랜스퍼 모듈(30)로부터 COR 모듈(31)에 분위기가 흐른다. 이때, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부는 더 감압되기 때문에, 소정의 압력으로 되도록, 제 1 급기부(50)에서는 압력 조정 밸브(55)에 의해 불활성 가스의 압력이 조정된다. 그리고, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부와 COR 모듈(31)의 내부가 등압으로 되면, 분위기는 COR 모듈(31)에 흐르지 않게 된다.
다음으로, 반송 암(41a)이 COR 모듈(31)로부터 퇴출하면, 게이트 밸브(46a)가 닫히고, COR 모듈(31)에 있어서 2매의 웨이퍼(W)에 대해서 COR 처리가 행해진다. 또, 게이트 밸브(46a)가 닫히면, 제 2 급기부(70)로부터의 불활성 가스의 공급도 정지된다.
다음으로, COR 모듈(31)에 있어서의 COR 처리가 종료하면, 게이트 밸브(46a)가 개방되고, 반송 암(41a)이 COR 모듈(31)에 진입한다. 그리고, 스테이지(33a, 33b)로부터 반송 암(41a)에 2매의 웨이퍼(W)가 인도되고, 반송 암(41a)으로 2매의 W가 겹치도록 유지된다. 그 후, 반송 암(41a)은 COR 모듈(31)로부터 퇴출하고, 게이트 밸브(46a)가 닫힌다.
이때, 게이트(46b)에 대해서, 제 2 급기부(70)의 노즐(72)로부터 가열된 불활성 가스가 다시 공급되고, 게이트(46b)를 덮도록 불활성 가스의 커텐이 형성된다. 그리고, 2매의 웨이퍼(W)를 유지하는 반송 암(41a)이 가열된 불활성 가스의 커텐을 통과한다. 여기서, COR 처리는 감압 분위기 하에서 행해지기 때문에, 해당 COR 처리가 실시된 웨이퍼(W)는 냉각되고 있다. 그리고 일반적으로, 냉각된 것에는 디포가 부착되기 쉽다. 이 점에서, 본 실시 형태에서는, 이와 같이 반송 암(41a)이 가열된 불활성 가스의 커텐을 통과하므로, 반송 암(41a)과 웨이퍼(W)에 디포가 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 반송 암(41a)이 COR 모듈(31)로부터 퇴출해도, 디포가 트랜스퍼 모듈(30)에 반입되는 것을 억제할 수 있다.
또한, COR 처리중, 및 COR 모듈(31)에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출중에, 트랜스퍼 모듈(30)에서는, 제 1 급기부(50)에 의한 불활성 가스의 공급과 배기부(60)에 의한 배기가 계속해서 행해지고 있다.
다음으로, 웨이퍼 반송 기구(40)가 하나의 PHT 모듈(32)의 앞까지 이동한다. 계속해서, 게이트 밸브(47a)가 개방되고, 2매의 웨이퍼(W)를 유지하는 반송 암(41a)이 PHT 모듈(32)에 진입한다. 그리고, 반송 암(41a)으로부터 스테이지(34a, 34b)의 각각에 1매씩 웨이퍼(W)가 탑재된다. 그 후, 반송 암(41a)은 COR 모듈(32)로부터 퇴출한다. 계속해서, 게이트 밸브(47a)가 닫히고, 2매의 웨이퍼(W)에 대해서 PHT 처리가 행해진다.
다음으로, PHT 처리가 종료하면, 게이트 밸브(47a)가 개방되고, 반송 암(41b)이 PHT 모듈(32)에 진입한다. 그리고, 스테이지(34a, 34b)로부터 반송 암(41b)에 2매의 웨이퍼(W)가 인도되고, 반송 암(41b)으로 2매의 W가 겹치도록 유지된다. 그 후, 반송 암(41b)은 PHT 모듈(32)로부터 퇴출하고, 게이트 밸브(47a)가 닫힌다.
또한, PHT 처리중, 및 PHT 모듈(32)에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출중에, 트랜스퍼 모듈(30)에서는, 제 1 급기부(50)에 의한 불활성 가스의 공급과 배기부(60)에 의한 배기가 계속해서 행해지고 있다.
그 후, 게이트 밸브(26a)가 개방되고, 웨이퍼 반송 기구(40)에 의해 2매의 웨이퍼(W)가 로드록 모듈(23b)에 반입된다. 로드록 모듈(23b) 내에 웨이퍼(W)가 반입되면, 게이트 밸브(26a)가 닫히고, 로드록 모듈(23b) 내가 밀폐되고, 대기 개방된다. 그 후, 로더 모듈(22)에 의해, 2매의 웨이퍼(W)가 ?g(20)에 수납된다. 이렇게 해서, 기판 처리 장치(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료한다.
이상의 실시의 형태에 따르면, COR 모듈(31)과 PHT 모듈(32)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리중, 및 COR 모듈(31)과 PHT 모듈(32)에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출중에 있어서, 트랜스퍼 모듈(30)에서는, 제 1 급기부(50)로부터 불활성 가스를 공급하고, 또한 배기부(60)로부터 배기하고 있다. 이 때문에, 오염이나 파티클 등을 제거해서, 트랜스퍼 모듈(30)의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다.
또, COR 모듈(31)과 트랜스퍼 모듈(30)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반입출할 때, 제 2 급기부(70)로부터 게이트(47b)에 대해서 가열된 불활성 가스를 공급함으로써, 게이트(47b)에 불활성 가스의 커텐을 형성하고 있다. 그렇게 하면, 반송중의 웨이퍼(W)나 반송 암(41a)이 불활성 가스의 커텐을 통과하므로, COR 모듈(31)에서 발생한 디포가 웨이퍼(W)나 반송 암(41a)에 부착되기 어려워진다. 또, 불활성 가스의 커텐은 게이트(46b)를 덮도록 형성되므로, 이 디포 부착 억제의 효과는 반송 암(41a)이 2단의 픽(45at, 45ab)을 가지고 있어도 누릴 수 있다. 따라서, COR 모듈(31)로부터 트랜스퍼 모듈(30)에 반입되는 디포를 저감할 수 있다.
여기서, COR 모듈(31)에 있어서의 COR 처리에서는 스테이지(33a, 33b)로부터 디포가 생기지만, 반송 암(41a)은 상부 픽(45at)과 하부 픽(45ab)을 가지고 있으므로, 상부 픽(45at)에 비해, 스테이지(33a, 33b) 측에 위치하는 하부 픽(45ab)의 이면에 디포가 부착되기 쉽다. 이 점에서, 본 실시 형태에서는, 도 5에 나타낸 바와 같이 노즐(72)이 게이트(46b)의 아래쪽에 마련되고, 게이트(46b)의 아래쪽으로부터 위쪽을 향해 불활성 가스의 커텐이 형성된다. 이러한 경우, 하부 픽(45ab)의 이면에 불활성 가스가 직접 뿜어지므로, 해당 하부 픽(45ab)의 이면에 디포가 부착되는 것을 더 적절히 억제할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에서는, 제 2 급기부(70)의 노즐(72)은 게이트(46b)의 아래쪽에 마련되어 있었지만, 노즐(72)의 배치는 이것에 한정되지 않고, 노즐(72)로부터 공급되는 불활성 가스가 게이트(46b)를 덮도록 배치되어 있으면 좋다. 예를 들면 노즐(72)은 게이트(46b)의 위쪽에 배치되고, 게이트(46b)의 위쪽으로부터 불활성 가스를 공급해도 좋고, 혹은 노즐(72)은 게이트(46b)의 상하 양쪽 모두에 배치되고, 게이트(46b)의 위쪽과 아래쪽으로부터 불활성 가스를 공급해도 좋다. 또, 노즐(72)은 게이트(46b)의 측방에 배치되고, 게이트(46b)의 측방으로부터 불활성 가스를 공급해도 좋다.
이상의 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에서는, 제 2 급기부(70)로부터 공급되는 불활성 가스는 히터(73)에 의해 가열되고 있지만, 이 가열은 반드시 필수는 아니다. 제 2 급기부(70)로부터 상온의 불활성 가스를 공급해도, 상술한 디포 저감의 효과를 가질 수 있다. 단, 가열한 불활성 가스를 공급하는 것이, 웨이퍼(W)나 반송 암(41a)에 디포가 부착되기 어렵고, 그 효과는 크다.
이상의 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에 있어서, 트랜스퍼 모듈(30)과 로드록 모듈(23a)의 사이에 마련된 게이트(26b)에는, 도 6에 나타내는 바와 같이 게이트(26b)에 불활성 가스를 공급하는 제 3 급기부(100)가 마련되어 있어도 좋다. 제 3 급기부(100)는 제 2 급기부(70)와 마찬가지의 구성을 갖고 있다. 즉, 제 3 급기부(100)는 제 3 급기 라인(101)(급기관)을 갖고 있다. 제 3 급기 라인(101)의 일단부는 노즐(102)에 연통하고 있다. 노즐(102)에는, 불활성 가스의 공급구(도시하지 않음)가 복수 형성되어 있다. 노즐(102)은 예를 들면 게이트(26b)의 아래쪽에 마련되고, 게이트(26b)를 덮도록 불활성 가스를 공급한다. 제 3 급기 라인(101)의 타단부는 가스 공급원(53)에 연통하고 있다. 즉, 가스 공급원(53)은 제 1 급기부(50), 제 2 급기부(70), 제 3 급기부(100)에 공통해서 마련되어 있다. 제 3 급기 라인(101)에는, 히터(103), 온 오프 밸브(104), 유량계(56)가, 노즐(102)로부터 가스 공급원(53)을 향해 이 순서로 마련되어 있다. 또한, 도시의 예에서는, 제 3 급기부(100)는 1개의 게이트(26b)에 대해서 마련되어 있지만, 다른 또 하나의 게이트(26b)에 대해서도 마찬가지로 마련되어 있다.
이러한 경우, 로드록 모듈(23a)과 트랜스퍼 모듈(30)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반입출할 때, 제 3 급기부(100)로부터 게이트(26b)에 대해서, 히터(103)에 의해 가열된 불활성 가스를 공급하고, 해당 게이트(26b)를 덮도록 불활성 가스의 커텐을 형성한다. 그리고, 반송 암(41a)은 가열된 불활성 가스의 커텐을 통과한다. 여기서, 로드록 모듈(23a)에서는, 대기압 분위기와 감압 분위기로 전환할 수 있고, 감압 분위기 하에서도 웨이퍼(W)가 유지된다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)가 냉각되기 때문에, 파티클 등이 부착되기 쉽다. 이 점에서, 본 실시 형태에서는, 반송 암(41a)이 가열된 불활성 가스의 커텐을 통과하므로, 반송 암(41a)과 웨이퍼(W)에 파티클 등이 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 파티클 등이 트랜스퍼 모듈(30)에 반입되는 것을 억제할 수 있다.
이상의 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에서는, 제 1 급기부(50)의 급기구(52)는 트랜스퍼 모듈(30)의 일단부에 마련되고, 배기부(60)의 배기구(62)는 트랜스퍼 모듈(30)의 타단부에 마련되어 있었지만, 이들 급기구(52)와 배기구(62)의 배치는 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면 급기구(52)와 배기구(62)의 배치가 반대로, 급기구(52)가 타단부에 마련되고, 배기구(62)가 일단부에 마련되어 있어도 좋다. 또, 도 7에 나타내는 바와 같이 급기구(52)는 일단부에 복수, 예를 들면 2개소로 마련되고, 배기구(62)는 타단부에 복수, 예를 들면 2개소로 마련되어 있어도 좋다.
이상의 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에 있어서, 제 1 급기부(50)에서는, 유량계(56)가 유량 조정 기능(MFC : Mass Flow Controller)을 갖고 있어도 좋다. 또, 배기부(60)에서는, 버터플라이 밸브(65) 대신에, 자동 압력 제어 밸브(APC : Auto Pressure Cotroller)를 마련해도 좋다. 이러한 경우, 공급계와 배기계를 자동으로 제어할 수 있고, 보다 엄밀한 분위기 제어를 실현하는 것이 가능해진다.
이상의 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에 있어서, 제 1 급기부(50)의 제 1 급기 라인(51)에는 히터(도시하지 않음)가 마련되고, 해당 제 1 급기부(50)로부터 공급되는 불활성 가스는 가열되고 있어도 좋다. 불활성 가스는 예를 들면 120℃~300℃로 가열된다. 이러한 경우, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부에 있어서, 오염이나 파티클이 웨이퍼(W)나 여러 부재에 부착되는 것을 보다 적절히 억제할 수 있다. 또한, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부를 가열하는 관점에서는, 예를 들면 트랜스퍼 모듈(30)의 하우징에 히터(도시하지 않음)를 마련하고, 트랜스퍼 모듈(30)의 내부 전체를 가열해도 좋다.
이상의 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1)에 있어서 COR 처리와 PHT 처리를 행하는 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 다른 처리를 행하는 경우에도 적용할 수 있다. 예를 들면 성막 처리나 에칭 처리 등, 감압 분위기로 행해지는 처리에 본 발명은 유용하다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다. 당업자이면, 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종의 변경예 또는 수정예에 도달할 수 있는 것은 분명하고, 그들에 대해서도 당연하게 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
1 : 기판 처리 장치 10 : 웨이퍼 보관부
11 : 웨이퍼 처리부 23a, 23b : 로드록 모듈
26a : 게이트 밸브 26b : 게이트
30 : 트랜스퍼 모듈 31 : COR 모듈
32 : PHT 모듈 40 : 웨이퍼 반송 기구
41a, 41b : 반송 암 45a, 45b : 픽부
45at, 45bt : 상부 픽 45ab, 45bb : 하부 픽
46a : 게이트 밸브 56b : 게이트
50 : 제 1 급기부 52 : 급기구
60 : 배기부 62 : 배기구
70 : 제 2 급기부 72 : 노즐
73 : 히터 80 : 제어부
100 : 제 3 급기부 102 : 노즐
103 :히터 W : 웨이퍼

Claims (11)

  1. 감압 분위기 하에서 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 게이트를 통해서 접속된 반송실을 구비한 기판 처리 장치로서,
    상기 반송실의 내부에 불활성 가스를 공급하는 제 1 급기부와,
    상기 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급하는 제 2 급기부와,
    상기 반송실의 내부의 분위기를 배출하는 배기부
    를 갖고,
    상기 제 2 급기부로부터 공급되는 불활성 가스는 가열되고 있으며,
    처리 전의 기판 및 상기 처리 전의 기판을 반송하는 반송 암이 상기 처리실로 진입할 때, 상기 처리 전의 기판 및 상기 반송 암의 냉각이 감소하도록, 상기 처리 전의 기판 및 상기 반송 암은 상기 게이트에서 상기 제 2 급기부로부터 공급되는 가열된 불활성 가스를 통과하고,
    상기 제 2 급기부로부터 상기 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급하는 노즐이 상기 게이트의 아래쪽에 마련되어, 상기 게이트의 아래쪽으로부터 위쪽을 향해 불활성 가스의 커튼을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송실에 다른 게이트를 통해서 접속되고, 내부를 대기압 분위기와 감압 분위기로 전환 가능한 로드록실과,
    상기 다른 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급하는 제 3 급기부를 더 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 급기부로부터 공급되는 불활성 가스는 가열되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 급기부는 상기 반송실에 있어서의 일단부에 마련되고,
    상기 배기부는 상기 반송실에 있어서 상기 일단부에 대향하는 타단부에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송실에는 기판을 반송하는 반송 암이 마련되고,
    상기 반송 암은 2매의 기판을 해당 2매의 기판의 사이에 간격을 두고 겹치도록 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 감압 분위기 하에서 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 게이트를 통해서 접속된 반송실을 가지는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서,
    상기 처리실에 있어서의 기판의 처리중, 및 상기 처리실과 상기 반송실의 사이에서의 기판의 반송중에 있어서, 제 1 급기부로부터 상기 반송실의 내부에 불활성 가스를 공급하고,
    상기 처리실과 상기 반송실의 사이에서 기판을 반송하기 위해서 상기 게이트를 열고 있을 때, 제 2 급기부로부터 상기 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급하며,
    상기 제 2 급기부로부터 공급되는 불활성 가스는 가열되고 있고,
    처리 전의 기판 및 상기 처리 전의 기판을 반송하는 반송 암이 상기 처리실로 진입할 때, 상기 처리 전의 기판 및 상기 반송 암의 냉각이 감소하도록, 상기 처리 전의 기판 및 상기 반송 암은 상기 게이트에서 상기 제 2 급기부로부터 공급되는 가열된 불활성 가스를 통과하며,
    상기 제 2 급기부로부터 상기 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급하는 노즐이 상기 게이트의 아래쪽에 마련되어, 상기 게이트의 아래쪽으로부터 위쪽을 향해 불활성 가스의 커튼을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 반송실에 다른 게이트를 통해서 접속되고, 내부를 대기압 분위기와 감압 분위기로 전환 가능한 로드록실을 더 갖고,
    상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 로드록실에 기판을 수용중, 및 상기 로드록실과 상기 반송실의 사이에서의 기판의 반송중에 있어서, 상기 제 1 급기부로부터 상기 반송실의 내부에 불활성 가스를 공급하고,
    상기 로드록실과 상기 반송실의 사이에서 기판을 반송하기 위해서 상기 다른 게이트를 열고 있을 때, 제 3 급기부로부터 상기 다른 게이트에 대해서 불활성 가스를 공급하는
    것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 3 급기부로부터 공급되는 불활성 가스는 가열되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 청구항 7에 기재된 기판 처리 방법을 기판 처리 장치에 의해 실행하게 하도록, 해당 기판 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11948810B2 (en) * 2017-11-15 2024-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for processing substrates or wafers
US11031264B2 (en) * 2018-08-15 2021-06-08 Taiwan Semoconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing system
JP7183635B2 (ja) * 2018-08-31 2022-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構、基板処理装置及び基板搬送方法
US11414748B2 (en) * 2019-09-25 2022-08-16 Intevac, Inc. System with dual-motion substrate carriers
CN110364467A (zh) * 2019-06-13 2019-10-22 上海提牛机电设备有限公司 空气阻隔装置、晶圆上料设备与空气阻隔控制方法
JP7154325B2 (ja) * 2021-01-20 2022-10-17 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US20220344190A1 (en) * 2021-04-22 2022-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Air curtain for defect reduction

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345255A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Canon Inc 露光装置、コートディベロップ装置、基板搬送方法、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP2009123723A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置または真空処理方法
JP2012160759A (ja) * 2012-05-15 2012-08-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置およびこれを備えた基板処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6267549B1 (en) * 1998-06-02 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Dual independent robot blades with minimal offset
JP2001319885A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造方法
JP2005175281A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Canon Inc 減圧処理装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP4414869B2 (ja) 2004-11-30 2010-02-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP4985031B2 (ja) * 2007-03-29 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体
JP6191853B2 (ja) * 2012-11-21 2017-09-06 Tdk株式会社 ロードロックチャンバ
KR102046592B1 (ko) * 2014-09-30 2019-11-22 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치
JP6240695B2 (ja) * 2016-03-02 2017-11-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345255A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Canon Inc 露光装置、コートディベロップ装置、基板搬送方法、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP2009123723A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置または真空処理方法
JP2012160759A (ja) * 2012-05-15 2012-08-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置およびこれを備えた基板処理装置

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