JP2005175281A - 減圧処理装置、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウエハ搬入時に、付着したごみを除去し、露光装置の歩留まりの低下を防止することが可能な減圧処理装置を提供する。
【解決手段】第1の気体で内部が所定圧力に維持された減圧容器と、第1及び第2の仕切り弁を有する雰囲気置換室とから成り、該雰囲気置換室は前記減圧容器と該第1の仕切り弁を介して接続連通され、該第2の仕切り弁を介して大気に連通される減圧処理装置において、雰囲気置換室の内部に長尺の不活性気体噴出部と該不活性気体噴出部をその長手方向と直交する方向に走査する走査機構を有する。
【選択図】図1
【解決手段】第1の気体で内部が所定圧力に維持された減圧容器と、第1及び第2の仕切り弁を有する雰囲気置換室とから成り、該雰囲気置換室は前記減圧容器と該第1の仕切り弁を介して接続連通され、該第2の仕切り弁を介して大気に連通される減圧処理装置において、雰囲気置換室の内部に長尺の不活性気体噴出部と該不活性気体噴出部をその長手方向と直交する方向に走査する走査機構を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体露光装置等に適用できる減圧処理装置、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。
近年、微細化する半導体製造に対してシンクロトロン放射光を用いた露光技術の開発が進められている。シンクロトロン放射光を用いる場合、空気中でのX線の減衰が問題となるが、これを防止するために露光装置の基幹部分はX線の減衰が小さいヘリウム雰囲気にしたチャンバ内に設置される。そして、露光用のウエハは1枚ごと、ロードロック内で大気からヘリウムに雰囲気置換されてからチャンバ内に搬入されて露光される。露光後はロードロックに戻され、ヘリウムから大気に雰囲気置換された後、取り出される。搬入時にウエハにごみが付着していた場合、露光装置としての歩留まりを低下させたり、プロキシミティ露光ではウエハとマスクの双方を傷付けたりする問題があった。このため出来る限り、ウエハを清浄な環境下で取り扱うようにミニエンバイロンメントシステムが採用されたりしている。上記のようなロードロックに関する従来の技術としては、特許文献1,2等がある。
しかしながら、ウエハへのごみの付着を完全に防止するのは難しく、又、ロードロック内に堆積したごみが雰囲気置換時に巻き上げられて、ウエハに付着するという問題もあった。
本発明の目的は、このような問題点に鑑み、ウエハ搬入時に、付着したごみを除去し、露光装置の歩留まりの低下を防止することにある。
この目的を達成するため、本発明では、ロードロック内にウエハ外径とほぼ同じ長さの不活性気体噴出部とそれをウエハ表面上で走査する機構を設けて、搬入したウエハ表面上を走査するようにした。又、不活性気体の噴出により吹き飛ばされたごみを回収するための不活性気体回収部を不活性気体噴出部に対向配置して一緒にウエハ表面上を走査するようにした。これによりウエハ表面上に付着したごみをロードロック以降に持ち込むことがなくなり、露光装置としての歩留まりの低下を防ぐとともに、プロキシミティ露光でもウエハとマスクの双方を傷付けたりする問題を回避できる。又、ごみ除去機能をロードロックに内包することになるため、露光装置全体の容積増加を防ぐことができる。
本発明によれば、ロードロックの雰囲気置換を行う前に、或は雰囲気置換をしながらロードロック内でウエハ表面上に付着したごみの除去を行うようにしたため、ごみの付着による露光装置としての歩留まりの低下を防止することができる。又、ごみ除去機能をロードロックに内包するようにしたため、装置全体のコストやスペースの増加をなくすことができる。
本発明の好ましい実施形態においては、不活性気体が窒素又は精製空気で、第1の気体がヘリウムである。減圧容器は露光装置のチャンバであり、露光装置はシンクロトロン放射光を露光光とするX線露光装置である。以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて具体的に説明する。
<実施の形態1>
図1に本発明の実施の形態1に係る露光装置の構成を示す。
図1に本発明の実施の形態1に係る露光装置の構成を示す。
図1において、1はステージ、シャッタ等が搭載された露光装置の基幹部分29やウエハ搬送ロボット28をその内部に有するチャンバ、2はチャンバ1と連通するための内側ゲートバルブ3とチャンバ外の大気と連通するための外側ゲートバルブ4とを有するロードロック、5は該ロードロック内部の圧力を検出する圧力センサ、6はロードロックの排気ラインで、真空排気バルブ7、真空排気用ポンプ8、大気中排気用バルブ9から成る。11はヘリウム循環装置で、ヘリウム供給ライン12とヘリウム回収ライン13を通して、一定の圧力と純度のヘリウムをチャンバ1に循環させ、該チャンバ内をX線露光に適した雰囲気に保つ。
10はロードロックから排気されたヘリウムを回収するためのヘリウム回収用バルブである。14はヘリウム供給手段、15はチャンバ用ヘリウム導入バルブ16、ロードロック用ヘリウム導入バルブ17、ヘリウム流量制御装置18から成るヘリウム供給ラインで、19は窒素供給手段、20は窒素導入バルブ21、窒素流量制御装置22から成る窒素供給ライン、23は再生ヘリウム導入バルブ24、再生ヘリウム流量制御装置25から成る再生ヘリウム供給ライン、26はウエハキャリヤ、27は該ウエハキャリヤとロードロック2との間でウエハの搬送を行うウエハ搬送用ロボット、28は該ロードロックと前記露光装置基幹部分29との間でウエハの搬送を行うウエハ搬送用ロボットである。
30はチャンバ1を大気に開放するための大気開放バルブ、31は真空排気バルブ32、真空排気用ポンプ33から成るチャンバ排気ライン、35はクリーンルーム床34を工場の建屋床36上において支持する支持部材、37は露光時に高真空となるビームライン38とチャンバ1を隔て、シンクロトロン放射光を透過させるベリリウムの窓、39はバイパスバルブ40を有するベリリウム窓37のバイパスライン、41は上流にあるシンクロトロンに接続し、常に高真空状態にあるビームライン42と前記ビームライン38とを切り離すためのゲートバルブ、43は高真空ゲージ、44は差圧センサ、45は絶対圧センサ、48及び49はビームライン38を、真空排気バルブ47を介して真空引きし、高真空状態に保つための真空排気ポンプである。
図2に本発明の実施の形態に係るロードロックの構成を示す。
51はウエハで、52はロードロック内でウエハ51が載置されるウエハ支持用のピンである。61は不活性気体噴出用ノズルで、該噴出用ノズルをy方向に上下するため機構(図示せず)とz方向にウエハ表面上を走査するための機構(図示せず)を有する。図3に不活性気体噴出用ノズル61の斜視図と不活性気体導入ラインの配管図を示す。62はウエハ径よりやや大きな長さを有する噴出用ノズル61の不活性気体噴出し口である。噴出用ノズル61にはヘリウム導入バルブ617及びヘリウム流量制御装置618を介してヘリウム供給ライン15と、窒素導入バルブ621及び窒素流量制御装置622を介して窒素導入ライン20とが不活性気体導入バルブ63と不活性気体導入ライン64,64’を通じて接続される。
図4は本発明の実施の形態1を説明するためのフローチャートで、この露光装置において大気に連通されたロードロックの雰囲気をヘリウムに置換する場合に使用される処理を示すものである。
この処理における装置各部の動作は不図示の制御装置により行われる。処理開始時は、内側ゲートバルブ3は閉じられ、外側ゲートバルブ4は開状態にあり、ロードロック2の内部は大気に連通され、大気雰囲気にある。最初に、ウエハ搬送ロボット27により、ウエハキャリヤ26からロードロック2にウエハが搬入され、ピン52に載置される。続いて図4に示す処理が開始されると、先ず、ステップS41で不活性気体噴出用ノズル61を図2の破線の位置から実線で示す、ウエハ表面近傍の高さの位置まで矢印A方向に下降させる。ステップS42で窒素導入バルブ621を開け、ステップS43で不活性気体導入バルブ63を開けることにより、噴出用ノズル61より窒素ガスの噴出が始まる。
次に、ステップS44で噴出用ノズル61を外側ゲートバルブ4に向かって矢印B方向に走査することにより、ウエハ表面に付着したごみをロードロックの外へ吹き飛ばす。走査が終わったら、ステップS45で不活性気体導入バルブを閉め、ステップS46で窒素導入バルブを閉める。次に、ステップS47で噴出用ノズル61をy方向に矢印Aとは逆に上昇させた後、ステップS47でz方向に矢印Bとは逆に移動させ、破線で示す最初に位置に戻す。ここで、ウエハ表面のごみ除去処理が終わり、雰囲気置換処理に入る。先ず、ステップS11で外側ゲートバルブ4を閉じる。
次に、ステップS21で真空排気バルブ7を開く。このとき、図1のヘリウム回収用バルブ10は閉じていて、大気中排気用バルブ9は開いているものとする。ステップS22のチェックで圧力センサ5の出力が所定の値を下回ったら、ステップS23で真空排気バルブ7を閉じる。次に、ステップS24でヘリウム導入バルブ17を開けて、ステップS25で圧力センサ5の出力をチェックして、チャンバ1と同じ圧力までロードロック2にヘリウムを導入した後、ステップS26でヘリウム導入バルブ17を閉じる。
最後に、ステップS12で内側ゲートバルブ3を開けて、ロードロック2をチャンバ1に連通させる。この一連の処理が終ると、ロードロック内のウエハはウエハ搬送用ロボット28により露光装置の基幹部分29へと搬送される。尚、噴出用ノズル61を元の位置に戻す、ステップS48をステップS41の前に行うようにしても良い。こうすると、ごみ除去後のウエハ51の上方を噴出用ノズル61が移動することがなくなり、噴出用ノズルの移動に伴う新たなごみの付着の問題を回避することができる。
<実施の形態2>
次に、ウエハ表面のごみをロードロックの外へ吹き飛ばすことに問題のある場合のごみ除去処理について説明する。図5に本発明の実施の形態2に係るロードロックの構成を、図6にその配管系をそれぞれ示す。
次に、ウエハ表面のごみをロードロックの外へ吹き飛ばすことに問題のある場合のごみ除去処理について説明する。図5に本発明の実施の形態2に係るロードロックの構成を、図6にその配管系をそれぞれ示す。
71は不活性気体回収用ノズルで、不活性気体噴出用ノズル61に対向して、一体に配置され、不活性気体排気バルブ73と不活性気体排気ライン74,74’を通じて真空排気用ポンプ8と接続される。
図7は本発明の実施の形態を説明するためのフローチャートで、ロードロックの雰囲気をヘリウムに置換する場合に使用されるものである。
ウエハ51が搬入・載置された後、図7の処理が開始されると、先ず、ステップS11で外側ゲートバルブを閉める。次に、ステップS71で2つのノズル61及び71を図5の破線の位置から実線で示す、ウエハ表面近傍の高さの位置まで矢印A方向に下降させる。続いて、ステップS72で不活性気体排気バルブ73を開け、回収用ノズル71を通しての排気を開始する。次に、ステップS42で窒素導入バルブ621を開け、ステップS43で不活性気体導入バルブ63を開けることにより、噴出用ノズル61より窒素ガスの噴出を開始する。
次に、ステップS73で噴出用ノズル61と回収用ノズル71を矢印B方向に走査することにより、ウエハ表面に付着したごみを噴出用ノズル61で吹き飛ばし、回収用ノズル71により吸引してロードロックから排出する。走査が終わったら、ステップS45で不活性気体導入バルブ63を閉め、ステップS46で窒素導入バルブ621を閉める。更に、ステップS74で不活性気体排気バルブ73を閉める。
次に、ステップS75で2つのノズル61及び71をy方向に矢印Aとは逆に上昇させた後、ステップS76でz方向に矢印Bとは逆に移動させ、破線で示す最初に位置に戻す。続いて、図4におけるステップS21〜S26から成る雰囲気置換処理S20を実行し、最後にステップS12により内側ゲートバルブ3を開けることにより一連の処理を終了する。尚、ステップS76は前記の図4での説明と同様にステップS71の前に行うようにしても良い。
<実施の形態3>
次に、ロードロックの雰囲気置換処理の真空引きの際に、ロードロック内部に堆積したごみが巻き上げられてウエハに付着する問題に対する対処を本発明の実施の形態により説明する。
次に、ロードロックの雰囲気置換処理の真空引きの際に、ロードロック内部に堆積したごみが巻き上げられてウエハに付着する問題に対する対処を本発明の実施の形態により説明する。
図8は本発明の実施の形態3を説明するためのフローチャートで、ロードロックの雰囲気をヘリウムに置換する場合に使用されるものである。
図8では、図7におけるステップS71〜S76のごみ除去処理S70をステップS21の真空排気バルブ7を開ける動作と並行して行うようにしている。これによりロードロックの真空排気時に巻き上げられてウエハに付着したごみを除去することが可能となる。
<実施の形態4>
図9は本発明の実施の形態4を説明するためのフローチャートで、ロードロックの雰囲気をヘリウムに置換する場合に使用されるものである。
図9は本発明の実施の形態4を説明するためのフローチャートで、ロードロックの雰囲気をヘリウムに置換する場合に使用されるものである。
図9では、上記のごみ除去処理S70(図7)において、ステップS42及びステップS46で窒素導入バルブ621の替わりにヘリウム導入バルブ617を使用するようにしたものをごみ除去処理S70’として、ロードロックのヘリウム充填と並行して行うようしている。具体的には、図9において、ステップS24のヘリウム導入バルブ17を開ける動作と並行して、ごみ除去処理S70’を行うことにより、ロードロックの真空排気時に巻き上げられてウエハに付着したごみを除去することが可能となる。
<実施の形態5>
図10は本発明の実施の形態5を説明するためのフローチャートで、ロードロックの雰囲気をヘリウムに置換する場合に使用されるものである。これもロードロックのヘリウム充填時に並行してウエハ表面のごみ除去を行うものであるが、ロードロックへのヘリウム充填を不活性気体噴出用ノズル61より行うようにしたものである。これにより、ヘリウム導入バルブ17及びヘリウム導入圧力制御装置18とそれに付随する配管が不要となり、装置のスペースの節約が可能となる。尚、以上の実施の形態の説明で窒素の代わりに精製空気を用いても本発明の目的とする効果は同様に得られる。
図10は本発明の実施の形態5を説明するためのフローチャートで、ロードロックの雰囲気をヘリウムに置換する場合に使用されるものである。これもロードロックのヘリウム充填時に並行してウエハ表面のごみ除去を行うものであるが、ロードロックへのヘリウム充填を不活性気体噴出用ノズル61より行うようにしたものである。これにより、ヘリウム導入バルブ17及びヘリウム導入圧力制御装置18とそれに付随する配管が不要となり、装置のスペースの節約が可能となる。尚、以上の実施の形態の説明で窒素の代わりに精製空気を用いても本発明の目的とする効果は同様に得られる。
ここで、本実施の形態は上記の実施の形態1〜5に限られない。本実施の形態は露光装置に適用可能であるのは勿論のこと、デバイスの製造方法へも適用可能である。ここでのデバイスの製造方法とは、上述の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法である。
本発明は、半導体露光装置等に適用できる減圧処理装置、露光装置及びデバイスの製造方法に対して適用可能である。
1 チャンバ
2 ロードロック
3 内側ゲートバルブ
4 外側ゲートバルブ
5 圧力センサ
7,73 真空排気バルブ
8 真空排気用ポンプ
15 ヘリウム供給ライン
17,617 ヘリウム導入バルブ
20 窒素供給ライン
21,621 窒素導入バルブ
51 ウエハ
61 不活性気体噴出用ノズル
71 不活性気体回収用ノズル
2 ロードロック
3 内側ゲートバルブ
4 外側ゲートバルブ
5 圧力センサ
7,73 真空排気バルブ
8 真空排気用ポンプ
15 ヘリウム供給ライン
17,617 ヘリウム導入バルブ
20 窒素供給ライン
21,621 窒素導入バルブ
51 ウエハ
61 不活性気体噴出用ノズル
71 不活性気体回収用ノズル
Claims (14)
- 第1の気体で内部が所定圧力に維持された減圧容器と、第1及び第2の仕切り弁を有する雰囲気置換室とから成り、該雰囲気置換室は前記減圧容器と該第1の仕切り弁を介して接続連通され、該第2の仕切り弁を介して大気に連通される減圧処理装置において、
雰囲気置換室の内部に長尺の不活性気体噴出部と該不活性気体噴出部をその長手方向と直交する方向に走査する走査機構を有することを特徴とする減圧処理装置。 - 走査機構に前記不活性気体噴出部と所定の距離を置いて走査方向に対向配置された、不活性気体回収部を有することを特徴とする請求項1記載の減圧処理装置。
- 被処理基板を雰囲気置換室に搬入した後、第2の仕切り弁を大気に連通した状態で、不活性気体噴出部より不活性気体を噴出させ、該不活性気体噴出部を第1の仕切り弁側から該第2の仕切り弁の開口の方向へ、前記被処理基板の表面から所定の距離を置いて、該被処理基板上を走査することを特徴とする請求項1記載の減圧処理装置。
- 被処理基板を雰囲気置換室に搬入した後、不活性気体回収部より真空排気するととも不活性気体噴出部より不活性気体を噴出させながら、前記被処理基板の表面から所定の距離を置いて、該被処理基板上を走査することを特徴とする請求項2記載の減圧処理装置。
- 被処理基板を雰囲気置換室に搬入した後、雰囲気置換室を第1の気体に置換するために雰囲気置換室の真空排気を行う際に、前記被処理基板の表面から所定の距離を置いて、該被処理基板上を不活性気体噴出部及び不活性気体回収部を走査することを特徴とする請求項4記載の減圧処理装置。
- 被処理基板を雰囲気置換室に搬入した後、雰囲気置換室を第1の気体に置換するために雰囲気置換室の真空排気を行なった後、第1の気体を雰囲気置換室に充填する際に、前記被処理基板の表面から所定の距離を置いて、該被処理基板上を不活性気体噴出部及び不活性気体回収部を走査することを特徴とする請求項4記載の減圧処理装置。
- 第1の気体がヘリウムであることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の減圧処理装置。
- 不活性気体が第1の気体と同じことを特徴とする請求項7記載の減圧処理装置。
- 第1の気体を雰囲気置換室に充填する際に不活性気体噴出部を通じて充填することを特徴とする請求項8記載の減圧処理装置。
- 不活性気体が窒素又は精製空気であることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の減圧処理装置。
- 減圧容器が露光装置のチャンバであることを特徴とする請求項1〜10の何れかに記載の減圧処理装置。
- 請求項1〜11の何れかに記載の減圧処理装置を有することを特徴とする露光装置。
- 請求項1〜11の何れかに記載の減圧処理装置を有し、前記減圧処理装置内部で被露光体を露光することを特徴とする露光装置。
- 請求項12又は13に記載の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003415080A JP2005175281A (ja) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | 減圧処理装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2019062091A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
-
2003
- 2003-12-12 JP JP2003415080A patent/JP2005175281A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
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