JP2002025890A - 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法

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JP2002025890A JP2000204491A JP2000204491A JP2002025890A JP 2002025890 A JP2002025890 A JP 2002025890A JP 2000204491 A JP2000204491 A JP 2000204491A JP 2000204491 A JP2000204491 A JP 2000204491A JP 2002025890 A JP2002025890 A JP 2002025890A
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真一 原
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハの前後処理を行なうコーターディベロ
ッパー等から減圧露光室等の処理室に到る搬送経路全体
のクリーン度を向上させる。 【解決手段】 マスクＭやウエハＷを保持する処理室３
とコーターディベロッパー８の間にはロードロック室５
と搬送機構９が設けられる。搬送機構９が大気中に露出
していると、ウエハのクリーン度を管理するのが難しい
ため、搬送機構９を覆うクリーンブース１４を設けて、
その中に清浄な空気の層流を発生させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造等のために、減圧雰囲気中あるいは減圧された特殊ガ
ス雰囲気中でウエハ等の被処理基板に処理を行なう、Ｘ
線露光装置、ＣＶＤ装置等に適した減圧処理装置、半導
体製造装置およびデバイス製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】減圧された雰囲気中で基板の処理を行な
う減圧処理装置の一例として、減圧されたヘリウム中で
マスク上に描かれたパターンをウエハ上に転写するＸ線
露光装置が知られている（特開平２−１００３１１号公
報参照）。
【０００３】図７は一従来例による半導体製造装置を示
す。これは、軟Ｘ線であるＳＲ光すなわちシンクロトロ
ン放射光（荷電粒子蓄積リング放射光）を露光光とする
もので、ＳＲ光を発生するＳＲ光源１０１と、ビームラ
イン１０２と、密封された処理室１０３を有し、ビーム
ライン１０２の内部は超高真空雰囲気となっていて、ゲ
ートバルブ１０２ａを介してＳＲ光源１０１と接続さ
れ、処理室１０３へＳＲ光を導く。
【０００４】処理室１０３内には、転写するパターンを
薄いメンブレンの上に描いてあるマスクＭ0 、ウエハＷ
0 が配設され、マスクＭ0 およびウエハＷ0 はそれぞ
れ、不図示の位置合わせステージに搭載されている。マ
スクＭ0 上に描かれたパターンをウエハＷ0 上に転写処
理を行なう露光時には、露光光であるＳＲ光の減衰を抑
えるために、処理室１０３内は例えば１５０Ｔｏｒｒに
減圧されたヘリウム雰囲気となっている。
【０００５】処理室１０３は、通常ベリリウムで作られ
たＸ線窓１０４を有し、処理室１０３のヘリウム雰囲気
とビームライン１０２の超高真空雰囲気を分離するため
の隔壁となっている。
【０００６】このような減圧処理装置では、マスクＭ0
あるいはウエハＷ0 を処理室１０３に搬入あるいは搬出
するたびに処理室１０３全体を大気開放すると、大気開
放および前述の減圧雰囲気を作成するのに時間がかか
り、スループットが低下する。このため、処理室１０３
に隣接して小型のロードロック室１０５を設け、このロ
ードロック室１０５を経てマスクＭ0 やウエハＷ0 を処
理室１０３に搬出入する。ロードロック室１０５は、処
理室側のゲートバルブ１０６と、大気側のゲートバルブ
１０７を有する。
【０００７】また、ウエハ上にレジストを塗布し、露光
後のウエハの現像を行なうコーターディベロッパー１０
８と、ロードロック室１０５の間には、ウエハを受け渡
すための搬送機構１０９が設けられる。
【０００８】ウエハＷ0 を処理室１０３内に搬入する場
合の手順は以下のとおりである。
【０００９】（１）大気側のゲートバルブ１０７を開
き、搬送機構１０９によりウエハをロードロック室１０
５に送り込む。このとき処理室側のゲートバルブ１０６
は閉じられている。
【００１０】（２）大気側のゲートバルブ１０７を閉
じ、ロードロック室１０５内を減圧ヘリウム雰囲気にす
る。
【００１１】（３）処理室側のゲートバルブ１０６を開
いて、処理室１０３内の搬送機構（不図示）によりウエ
ハＷ0 を処理室１０３内に搬送する。
【００１２】搬出する場合は、上記の逆の手順を行なえ
ばよい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造工程
では、製造装置全体を工場のクリーンルーム内に設ける
ことで、塵埃等による汚染に対する対策を行なってき
た。しかし、近年の半導体の集積化に対応した０．２〜
０．１μｍレベルの微細加工のためには、必要なクリー
ン度もクラス１０からクラス１へと厳しくなり、これを
クリーンルーム全体で達成しようとすると、クリーンル
ームの建設・維持の費用は非常に高額なものとなる。さ
らに、１台の装置のメンテナンスを行なうとクリーンル
ーム全体のクリーン度が低下し、他の装置全体に影響が
及んでしまう。
【００１４】また、前述のように減圧処理装置にはスル
ープット向上のためロードロック室が必要不可欠である
が、ロードロック室内は、大気から処理室の雰囲気ある
いはその逆へと変化するため、雰囲気に応じたクリーン
度の管理が必要になる。
【００１５】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、被処理基板の搬送経
路すべてのクリーン度を低コストで管理して、被処理基
板の汚染を効果的に回避できる減圧処理装置、半導体製
造装置およびデバイス製造方法を提供することを目的と
するものである。
【００１６】本発明の第２の目的は、被処理基板の搬送
経路すべてのクリーン度を管理するとともに、被処理基
板の搬入、搬出時のロードロック室内のクリーン度の管
理を効率的に行なうことである。
【００１７】本発明の第３の目的は、被処理基板の搬送
経路すべてのクリーン度を管理するとともに、雰囲気に
応じたロードロック室内のクリーン度の管理を、簡便に
行なうことである。
【００１８】本発明の第４の目的は、被処理基板の搬送
経路すべてのクリーン度を管理するとともに、雰囲気に
応じたロードロック室内のクリーン度の管理を、水分の
混入を抑えて達成することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の減圧処理装置は、被処理基板の処理を行な
う処理室と、該処理室に接続されたロードロック室と、
該ロードロック室に前記被処理基板を搬送する搬送機構
と、該搬送機構を内蔵するクリーンブースと、該クリー
ンブース内に清浄な気体の層流を発生させるクリーンブ
ースガス流動機構を有することを特徴とする。
【００２０】ロードロック室に清浄な気体の層流を発生
させるロードロック室ガス流動機構が設けられていると
よい。
【００２１】処理室の雰囲気気体またはクリーンブース
内の気体を選択的にロードロック室に導入するための選
択手段が設けられているとよい。
【００２２】処理室の雰囲気気体または乾燥ガスを選択
的にロードロック室に導入するための選択手段が設けら
れているとよい。
【００２３】
【作用】被処理基板の前後処理を行なうコーターディベ
ロッパー等から被処理基板をロードロック室に搬送する
搬送機構が、クリーンルームの空気中に露出している
と、処理室およびロードロック室の雰囲気のクリーン度
を維持するのにクリーンルーム全体のクリーン度を上げ
なければならず、コスト高である。そこで、搬送機構に
よる搬送経路全体をクリーンブースに内蔵させるととも
に、クリーンブース内に清浄な気体の層流を発生させ
て、被処理基板に塵埃等が付着するのを防ぐ。
【００２４】クリーンルーム全体のクリーン度を上げる
ことなく、小型のクリーンブースを管理するだけで、搬
送中のウエハ等被処理基板を清浄な状態に維持できるた
め、クリーンルーム全体を厳しく管理する場合に比べて
低コストであり、またメンテナンス時に他の装置が影響
を受けることもない。
【００２５】ロードロック室に清浄な気体の層流を発生
させるロードロック室ガス流動機構が設けられていれ
ば、ロードロック室内の被処理基板を清浄に保つうえで
極めて有効である。
【００２６】処理室の雰囲気気体またはクリーンブース
内の空気を選択的にロードロック室に導入するための選
択手段が設けられていれば、気体を循環させることで、
より一層低コスト化を促進できる。
【００２７】処理室の雰囲気気体または乾燥ガスを選択
的にロードロック室に導入するための選択手段が設けら
れていれば、ロードロック室内へ水分が侵入するのを防
いで、被処理基板の汚染防止や、ロードロック室の真空
引きの時間短縮等に大きく貢献できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
【００２９】図１は第１の実施の形態による減圧処理装
置を示す。これは、軟Ｘ線であるＳＲ光を露光光とする
露光手段を有し、被処理基板であるウエハを連続的に処
理する、いわゆるインラインシステムのＸ線露光装置を
含む半導体製造装置であり、ＳＲ光を発生するＳＲ光源
１と、ビームライン２と、密封された処理室３を備えて
いる。
【００３０】ビームライン２の内部は超高真空雰囲気と
なっていて、ゲートバルブ２ａを介してＳＲ光源１と接
続され、処理室３へＳＲ光を導く。処理室３内には、転
写するパターンを薄いメンブレンの上に描いてあるマス
クＭ、ウエハＷが配設され、マスクＭおよびウエハＷは
それぞれ不図示の位置合わせステージに搭載されてい
る。マスクＭ上に描かれたパターンをウエハＷ上に転写
処理を行なう露光時には、露光光であるＳＲ光の減衰を
抑えるために、処理室３内は例えば１５０Ｔｏｒｒに減
圧されたヘリウムの減圧雰囲気となっている。処理室３
は、通常ベリリウムで作られたＸ線窓４を有し、処理室
３のヘリウム雰囲気とビームライン２の超高真空雰囲気
を分離するための隔壁となっている。
【００３１】このような減圧処理装置では、マスクＭあ
るいはウエハＷを処理室３に搬入あるいは搬出するたび
に処理室３全体を大気あるいはクリーンルームの雰囲気
に開放すると、大気開放および前述の減圧雰囲気を作成
するのに時間がかかり、スループットが低下する。この
ため、処理室３に隣接して小型のロードロック室５を設
け、このロードロック室５を経てマスクＭやウエハＷを
処理室３に搬入あるいは搬出する。ロードロック室５
は、処理室側のゲートバルブ６と、大気側のゲートバル
ブ７を有する。
【００３２】露光前にウエハ上にレジストを塗布し、ま
た露光後のウエハの現像を行なうコーターディベロッパ
ー８と、ロードロック室５の間には、ウエハを受け渡す
ための搬送機構９が設けられる。
【００３３】処理室３内の上方には、パーティクルおよ
びケミカル成分を除去するためのフィルター１０が設け
られ、下方全面には整流板１１が配設されており、処理
室３内の雰囲気気体であるヘリウムは、ヘリウム循環ユ
ニット１２により排出され、ヘリウム循環用ダクト１３
を通って処理室３内のフィルター１０の上に戻される。
この構成により、処理室３内にはクリーン度の高いヘリ
ウムによる層流が形成される。
【００３４】ロードロック室５の大気側には、一面をゲ
ートバルブ７に、もう一面をコーターディベロッパー８
に接続されてウエハの搬送経路全体を覆うクリーンブー
ス１４が設けられる。クリーンブース１４は、搬送機構
９を内蔵し、その上方全面に設置されたフィルター１５
と、空気循環ユニット１６と、空気循環用ダクト１７に
よって構成されるクリーンブースガス流動機構を有す
る。クリーンブース１４内の空気は、空気循環ユニット
１６により排出され、空気循環用ダクト１７を通ってク
リーンブース１４内のフィルター１５の上に戻される。
この構成により、ウエハの搬送経路すべてにクリーン度
の高い清浄な気体である清浄空気の層流が形成される。
【００３５】ロードロック室５の上方全面には整流板１
８が設けられ、その上方に開口する供給管１９は一方が
ロードロック室５に接続され、もう一方は選択手段であ
る供給切り替えバルブ２０を介して処理室３とクリーン
ブース１４に接続されてロードロック室ガス流動機構を
構成している。供給切り替えバルブ２０により、供給管
１９を通ってロードロック室５内に供給する気体を、供
給停止、ヘリウム供給あるいは空気供給の三つの状態に
選択的に切り替えることができるように構成されてい
る。
【００３６】排気管２１は、一方がロードロック室５に
接続され、もう一方は排気切り替えバルブ２２を介して
排気手段２３、ヘリウム循環ユニット１２および空気循
環ユニット１６に接続されている。排気切り替えバルブ
２２により、排気管２１を通ってロードロック室５から
排気する気体を、排気手段２３による排気、空気循環ま
たはヘリウム循環の三つの状態に切り替えることができ
るように構成されている。また、整流板１８は、例えば
金属の板に多数の小穴をあけたパンチングメタル等から
構成されていて、供給管１９を通って供給された気体に
よりロードロック室５内で均等な流れ（層流）をつく
る。
【００３７】ウエハＷを処理室３内に搬入する場合の手
順は以下のとおりである。
【００３８】（０）まず処理室３内を不図示の排気手段
により真空（例えば０．１Ｔｏｒｒ）まで排気し、不図
示のヘリウム供給手段により例えば１５０Ｔｏｒｒまで
ヘリウムを供給する。その後ヘリウム循環ユニット１２
を駆動して処理室３内にヘリウムの層流を形成する。こ
のとき処理室側のゲートバルブ６は閉じ、大気側のゲー
トバルブ７は開いておく。また、供給切り替えバルブ２
０はクリーンブース側に、排気切り替えバルブ２２は空
気循環に切り替え、ロードロック室５内にクリーンな空
気の層流を形成させておく（図２の（ｂ）参照）。
【００３９】（１）コーターディベロッパー８によりレ
ジストが塗布されたウエハを、クリーンブース１４内の
搬送機構９によりロードロック室５に送り込む。この間
の搬送経路全面でクリーン度の高い空気の層流が形成さ
れているため、ウエハは非常にクリーン度の高い状態を
維持して搬送することができる。
【００４０】（２）ゲートバルブ７、供給切り替えバル
ブ２０を閉じ、排気切り替えバルブ２２を排気手段２３
による排気に切り替え、ロードロック室５内を０．１Ｔ
ｏｒｒまで排気し、排気切り替えバルブ２２をヘリウム
循環にする。
【００４１】（３）供給切り替えバルブ２０を処理室側
にする。必要があれば処理室３の圧力が低下した分は不
図示のヘリウム供給手段によりヘリウムを補う。この状
態でロードロック室５内にも処理室３と同様ヘリウムの
層流が形成される（図２の（ａ）参照）。
【００４２】（４）ロードロック室５が処理室３と同じ
圧力になったら、処理室側のゲートバルブ６を開いて、
処理室３内の搬送機構（不図示）によりウエハを処理室
３内に搬送する。
【００４３】次に露光処理の終了したウエハを搬出する
場合の手順を示す。
【００４４】（５）処理室３内の搬送機構により露光処
理の完了したウエハをロードロック室５内に搬送する。
【００４５】（６）処理室側のゲートバルブ６を閉じ、
排気切り替えバルブ２２を空気循環、供給切り替えバル
ブ２０をクリーンブース側にし、ロードロック室５内に
空気を送り込み大気圧にもどす。この状態でロードロッ
ク室５内に空気の層流が形成される（図２の（ｂ）参
照）。
【００４６】（７）ロードロック室５内がクリーンブー
ス１４内と同じ雰囲気になったら、大気側のゲートバル
ブ７を開け、搬送機構９によりウエハをコーターディベ
ロッパー８に受け渡す。
【００４７】図３は第１の実施の形態の一変形例を示
す。これは、搬送容器３０内に気密に封入されたウエハ
キャリヤ３１によりウエハを装置へ搬入、搬出するよう
に構成されたものであり、クリーンブース１４には、ウ
エハキャリヤ３１をクリーンブース１４内に搬出入する
ための昇降機構３２が設けられている。
【００４８】図４は第２の実施の形態を示す。これは、
ロードロック室５の大気開放を、乾燥ガスである乾燥窒
素により行なう場合である。クリーンブース４４は、一
面をロードロック室５の大気側のゲートバルブ７に、も
う一面をコーターディベロッパー８に接続されてウエハ
の搬送経路を覆うものであり、クリーンブース４４の上
方全面にはフィルター４５が設けられている。このクリ
ーンブース４４は開放方式であり、クリーンブース４４
の上方にはファンユニット４９が設けられる。クリーン
ブース４４内にはファンユニット４９により上方からフ
ィルター４５を通って空気が送り込まれ、下方より外部
へ排出される。この構成によりウエハ搬送経路全面にク
リーン度の高い気体である清浄空気による層流が形成さ
れている。
【００４９】供給管１９は、一方がロードロック室５に
接続され、もう一方は供給切り替えバルブ５０を介して
処理室３と乾燥窒素供給源６１に接続されている。供給
切り替えバルブ５０により、供給管１９を通ってロード
ロック室５内に供給する気体を供給停止、ヘリウム供給
あるいは乾燥窒素供給の三つの状態に切り替えることが
できる。また、流量調節バルブ６２により、ロードロッ
ク室５が所定の圧力になるように窒素の流量を調節する
ことができる。
【００５０】排気管５１は、一方がロードロック室５に
接続され、もう一方は排気切り替えバルブ５２を介して
排気手段５３とヘリウム循環ユニット１２に接続されて
いる。排気切り替えバルブ５２により、排気管５１を通
ってロードロック室５から排気する気体を排気手段５３
による排気あるいはヘリウム循環の二つの状態に切り替
えることができる。
【００５１】処理室３、Ｘ線窓４、ロードロック室５、
ゲートバルブ６、７、コーターディベロッパー８、搬送
機構９等については第１の実施の形態と同様であるから
同一符号で表わし、説明は省略する。
【００５２】ウエハを処理室３内に搬入する場合の手順
は以下のとおりである。
【００５３】（０）まず処理室３内に第１の実施の形態
と同様の手順でヘリウムの層流を形成する。このとき処
理室側のゲートバルブ６は閉じ、大気側のゲートバルブ
７は開いておく。また供給切り替えバルブ５０は窒素側
に、排気切り替えバルブ５２は排気側に切り替え、ロー
ドロック室５内にクリーンで乾燥した窒素による層流を
形成させておく。
【００５４】（１）搬送機構９により、コーターディベ
ロッパー８においてレジストが塗布されたウエハを、ロ
ードロック室５に送り込む。
【００５５】（２）大気側のゲートバルブ７、供給切り
替えバルブ５０を閉じ、排気切り替えバルブ５２を排気
手段側に切り替えて、ロードロック室５内を０．１Ｔｏ
ｒｒまで排気し、その後排気切り替えバルブ５２をヘリ
ウム循環にする。
【００５６】（３）供給切り替えバルブ５０を処理室側
にする。処理室３の圧力が低下した分は不図示のヘリウ
ム供給手段によりヘリウムを補う。この状態でロードロ
ック室５内にも処理室３と同様ヘリウムの層流が形成さ
れる。
【００５７】（０）ロードロック室５が処理室３と同じ
圧力になったら、処理室側のゲートバルブ６を開いて、
処理室３内の搬送機構（不図示）によりウエハを処理室
３に搬送する。
【００５８】次に露光処理の終了したウエハを搬出する
場合の手順を示す。
【００５９】（１）処理室３内の搬送機構により露光処
理の完了したウエハをロードロック室５内に搬送する。
【００６０】（２）処理室側のゲートバルブ６を閉じ、
供給切り替えバルブ５０を窒素側、排気切り替えバルブ
５２を排気手段側にし、流量調節バルブ６２で流量を調
節しながらロードロック室５内が大気圧になるまで窒素
を供給する。
【００６１】（３）クリーンブース４４と同じ圧力にな
ったら、大気側のゲートバルブ７を開け、搬送機構９に
よりウエハをコーターディベロッパー８に受け渡す。
【００６２】上記の第１、第２の実施の形態において
は、Ｘ線露光装置に適用した減圧処理装置について説明
したが、他の減圧処理装置にももちろん適用できる。
【００６３】また、クリーンブースとロードロック室の
接続をゲートバルブで行なったが、ロードロック室の一
部がクリーンブース室内に入り込む形で接続しても、も
ちろん構わない。
【００６４】フィルターは、パーティクルとケミカル成
分を除去できるものを使用したが、どちらか一方でもよ
い。また、整流板を使用したが、フィルターのみでも構
わない。
【００６５】ロードロック室の大気開放に、空気または
窒素を使用したが、状況に応じて他の気体の適用も可能
である。
【００６６】第１、第２の実施の形態によれば、減圧処
理室内に清浄な気体の層流を形成するとともに、少なく
ともロードロック室の一部と接続されたクリーンブース
を大気中の搬送経路に設置するものであるため、工場ク
リーンルーム全体のクリーン度を厳しく管理する必要が
無く、従って大幅にコストダウンが計られる。また、メ
ンテナンス時も他の装置は影響されない。
【００６７】加えて、ロードロック室内の気体の種類が
変わることに対応して流す気体の種類を変えられる構成
とすることにより、ロードロック室内の圧力・気体の種
類に係わらずクリーン度を向上させることができる。
【００６８】さらに、減圧処理室に循環装置とフィルタ
ーを設置して処理室内の気体を循環させて層流を形成す
ることにより、雰囲気気体の消費を低減し、低コスト化
を促進できる。
【００６９】また、ロードロック室の状態に応じて処理
室の雰囲気気体とクリーンブース内の気体を選択して供
給することにより、ボンベ、フィルター等を別途用意す
ることなく簡便な機構でクリーン度の向上が達成でき
る。
【００７０】さらに、ロードロック室の状態に応じて処
理室の雰囲気気体と乾燥窒素を選択して供給することに
より、ロードロック室内への水分の混入を抑えることが
でき、被処理基板の汚染防止、真空引きの時の時間短縮
が計られる。
【００７１】次にデバイス製造方法の実施例を説明す
る。図５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チ
ップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを
示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回
路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計し
た回路パターンを形成した原版であるマスク（レチク
ル）を製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いて基板であるウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組
立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
【００７２】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記のＸ線露光装置によってマス
クの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１
７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１
８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を
削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチン
グが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの
ステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多
重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法を
用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デ
バイスを製造することができる。
【００７３】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００７４】ロードロック室に到るまでのウエハ等被処
理基板の搬送経路に清浄な空気の層流を発生させ、被処
理基板に塵埃等が付着するのを防ぐことで、クリーンル
ーム全体の必要クリーン度を低減し、設備費やメンテナ
ンスのコストを大幅に削減できる。
【００７５】このような減圧処理装置によってウエハを
処理する半導体製造装置を用いれば、半導体デバイス等
の低価格化に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態を示す模式図である。
【図２】図１の装置の配管の切り替えを説明する図であ
る。
【図３】第１の実施の形態の一変形例を示す模式図であ
る。
【図４】第２の実施の形態を示す模式図である。
【図５】半導体製造工程を示すフローチャートである。
【図６】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図７】一従来例を示す模式図である。
【符号の説明】
１ ＳＲ光源 ２ ビームライン ３ 処理室 ４ Ｘ線窓 ５ ロードロック室 ６、７ ゲートバルブ ８ コーターディベロッパー ９ 搬送機構 １０、１５、４５ フィルター １２ ヘリウム循環ユニット １４、４４ クリーンブース １６ 空気循環ユニット ２０、５０ 供給切り替えバルブ ２２、５２ 排気切り替えバルブ ２３、５３ 排気手段 ３０ 搬送容器 ３１ ウエハキャリヤ ３２ 昇降機構 ４９ ファンユニット ６１ 乾燥窒素供給源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０３Ｅ ５０２Ｊ ５３１Ａ (72)発明者 寺島 茂 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H097 BA06 BA10 CA15 HA04 LA10 5F031 CA02 FA01 FA12 GA43 MA27 NA02 NA09 NA18 PA26 5F046 AA17 AA22 CD01 CD05 CD06 DA27 GA08 GC04

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理基板の処理を行なう処理室と、該
    処理室に接続されたロードロック室と、該ロードロック
    室に前記被処理基板を搬送する搬送機構と、該搬送機構
    を内蔵するクリーンブースと、該クリーンブース内に清
    浄な気体の層流を発生させるクリーンブースガス流動機
    構を有する減圧処理装置。
  2. 【請求項２】 処理室内が、減圧雰囲気に制御されるこ
    とを特徴とする請求項１記載の減圧処理装置。
  3. 【請求項３】 処理室が、ゲートバルブを介してロード
    ロック室に接続されていることを特徴とする請求項１ま
    たは２記載の減圧処理装置。
  4. 【請求項４】 ロードロック室に清浄な気体の層流を発
    生させるロードロック室ガス流動機構が設けられている
    ことを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の
    減圧処理装置。
  5. 【請求項５】 処理室の雰囲気気体またはクリーンブー
    ス内の気体を選択的にロードロック室に導入するための
    選択手段が設けられていることを特徴とする請求項２な
    いし４いずれか１項記載の減圧処理装置。
  6. 【請求項６】 処理室の雰囲気気体または乾燥ガスを選
    択的にロードロック室に導入するための選択手段が設け
    られていることを特徴とする請求項２ないし４いずれか
    １項記載の減圧処理装置。
  7. 【請求項７】 クリーンブースとロードロック室が、該
    ロードロック室のゲートバルブを介して接続されている
    ことを特徴とする請求項１ないし６いずれか１項記載の
    減圧処理装置。
  8. 【請求項８】 請求項１ないし７いずれか１項記載の減
    圧処理装置と、該減圧処理装置の処理室内の被処理基板
    を露光する露光手段を備えていることを特徴とする半導
    体製造装置。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の半導体製造装置によって
    半導体デバイスを製造する工程を有するデバイス製造方
    法。
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