JP2001015432A - 処理システム及びデバイス製造方法 - Google Patents
処理システム及びデバイス製造方法Info
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- JP2001015432A JP2001015432A JP2000185819A JP2000185819A JP2001015432A JP 2001015432 A JP2001015432 A JP 2001015432A JP 2000185819 A JP2000185819 A JP 2000185819A JP 2000185819 A JP2000185819 A JP 2000185819A JP 2001015432 A JP2001015432 A JP 2001015432A
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- gate valve
- processing system
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数のチャンバを備えた処理システムにおい
て、高精度な露光処理や薄膜形成処理などの処理を可能
とする処理システムを提供する。 【解決手段】 本発明の処理システムは、処理装置を内
蔵し内部を気密に保ち得る第１チャンバと、ロードチャ
ンバとアンロードチャンバとを備える第２チャンバと、
該第１チャンバと該第２チャンバのそれぞれの雰囲気を
独立に管理する給排系と、該第１チャンバと該第２チャ
ンバとの間で試料を搬送する搬送ロボットと、該第１チ
ャンバと該第２チャンバとの間に設けられた開閉可能な
仕切弁と、該給排系、該搬送ロボットおよび該仕切弁の
動作を制御し、該第１チャンバに内蔵された該処理装置
による試料の処理中に次の試料を該ロードチャンバに導
入して待機させるコントローラとを有することを特徴と
する。
て、高精度な露光処理や薄膜形成処理などの処理を可能
とする処理システムを提供する。 【解決手段】 本発明の処理システムは、処理装置を内
蔵し内部を気密に保ち得る第１チャンバと、ロードチャ
ンバとアンロードチャンバとを備える第２チャンバと、
該第１チャンバと該第２チャンバのそれぞれの雰囲気を
独立に管理する給排系と、該第１チャンバと該第２チャ
ンバとの間で試料を搬送する搬送ロボットと、該第１チ
ャンバと該第２チャンバとの間に設けられた開閉可能な
仕切弁と、該給排系、該搬送ロボットおよび該仕切弁の
動作を制御し、該第１チャンバに内蔵された該処理装置
による試料の処理中に次の試料を該ロードチャンバに導
入して待機させるコントローラとを有することを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は減圧雰囲気の中にお
いて処理を行なう処理システム、例えば露光装置や薄膜
形成装置などのシステムに関するものである。
いて処理を行なう処理システム、例えば露光装置や薄膜
形成装置などのシステムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＳＲ光（シンクロトロン放射
光）を利用したＸ線露光装置が知られている。ＳＲ光は
空気中における減衰が大きいため、これを防ぐためにＳ
Ｒを発するシンクロトロンリング及びビームポート内は
超高真空に保たれ、遮断窓（ベリリウム窓、以下Ｂｅ窓
と略す）を通してマスク・ウエハが内蔵される露光装置
へと導かれる。又、マスク・ウエハが置かれる露光雰囲
気も、同様の理由から真空あるいは減圧ヘリウム中であ
ることが望ましく、したがって露光装置は減圧容器内に
置かれることになる。
光）を利用したＸ線露光装置が知られている。ＳＲ光は
空気中における減衰が大きいため、これを防ぐためにＳ
Ｒを発するシンクロトロンリング及びビームポート内は
超高真空に保たれ、遮断窓（ベリリウム窓、以下Ｂｅ窓
と略す）を通してマスク・ウエハが内蔵される露光装置
へと導かれる。又、マスク・ウエハが置かれる露光雰囲
気も、同様の理由から真空あるいは減圧ヘリウム中であ
ることが望ましく、したがって露光装置は減圧容器内に
置かれることになる。
【０００３】図１２は従来の処理システムの一例の構成
図を示している。同図において、１は減圧雰囲気下で露
光や薄膜形成等のプロセス処理を行うプロセスチャン
バ、２は試料の交換を行なうロードロックチャンバであ
る。図示はしていないが、これら２つのチャンバの給排
気を行なうためのポンプやバルブなどが設けられてい
る。２つのチャンバ間には、試料交換用の搬送経路とな
る仕切り弁９とベローズ１１が設けられ、仕切り弁９を
閉じることによって２つのチャンバのそれぞれの圧力が
維持される。
図を示している。同図において、１は減圧雰囲気下で露
光や薄膜形成等のプロセス処理を行うプロセスチャン
バ、２は試料の交換を行なうロードロックチャンバであ
る。図示はしていないが、これら２つのチャンバの給排
気を行なうためのポンプやバルブなどが設けられてい
る。２つのチャンバ間には、試料交換用の搬送経路とな
る仕切り弁９とベローズ１１が設けられ、仕切り弁９を
閉じることによって２つのチャンバのそれぞれの圧力が
維持される。
【０００４】プロセスチャンバ１は支持部材８ａ、８ｂ
によって、又、ロードロックチャンバ２は支持部材８
ｃ、８ｄによって第１の架台３の上にそれぞれ支持され
ている。この第１の架台３は空気バネであるエアマウン
ト１６を備え、床からの振動を遮断するようになってい
る。プロセスチャンバ１の内部には支持部材８ｅ、８ｆ
によって第２の架台４が支持され、第２の架台４上には
処理ステージ１２と搬送ロボット１３が搭載されてい
る。又、ロードロックチャンバ２の内部には支持部材８
ｇ、８ｈによって第３の架台５が支持され、第３の架台
５の上には基板等の試料１５を保持する試料保持台１４
が搭載されている。
によって、又、ロードロックチャンバ２は支持部材８
ｃ、８ｄによって第１の架台３の上にそれぞれ支持され
ている。この第１の架台３は空気バネであるエアマウン
ト１６を備え、床からの振動を遮断するようになってい
る。プロセスチャンバ１の内部には支持部材８ｅ、８ｆ
によって第２の架台４が支持され、第２の架台４上には
処理ステージ１２と搬送ロボット１３が搭載されてい
る。又、ロードロックチャンバ２の内部には支持部材８
ｇ、８ｈによって第３の架台５が支持され、第３の架台
５の上には基板等の試料１５を保持する試料保持台１４
が搭載されている。
【０００５】図１３は別の従来例の構成図を示してい
る。ＳＲ光は、内部が超高真空に保たれたビームポート
５１からＢｅ窓５２を通って内部が減圧ヘリウム雰囲気
のステージ収納チャンバ６０内に導かれる。ステージ収
納チャンバ６０内には架台５８が設置され、架台５８に
はマスク５４を吸着保持するマスクチャック５３及びウ
エハチャック５６に吸着保持されたウエハ５５をマスク
５４に対して位置決めするためのステージ５７を支持し
ている。架台５８はビームポート５１の振動や床振動の
影響を抑えるために、空気バネであるエアマウント６１
により支持されている。
る。ＳＲ光は、内部が超高真空に保たれたビームポート
５１からＢｅ窓５２を通って内部が減圧ヘリウム雰囲気
のステージ収納チャンバ６０内に導かれる。ステージ収
納チャンバ６０内には架台５８が設置され、架台５８に
はマスク５４を吸着保持するマスクチャック５３及びウ
エハチャック５６に吸着保持されたウエハ５５をマスク
５４に対して位置決めするためのステージ５７を支持し
ている。架台５８はビームポート５１の振動や床振動の
影響を抑えるために、空気バネであるエアマウント６１
により支持されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、複数
のチャンバを備えた処理システムにおいて、高精度な露
光処理や薄膜形成処理などの処理を可能とする処理シス
テムを提供することである。
のチャンバを備えた処理システムにおいて、高精度な露
光処理や薄膜形成処理などの処理を可能とする処理シス
テムを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の処理システムは、処理装置を内蔵し内部を
気密に保ち得る第１チャンバと、ロードチャンバとアン
ロードチャンバとを備える第２チャンバと、該第１チャ
ンバと該第２チャンバのそれぞれの雰囲気を独立に管理
する給排系と、該第１チャンバと該第２チャンバとの間
で試料を搬送する搬送ロボットと、該第１チャンバと該
第２チャンバとの間に設けられた開閉可能な仕切弁と、
該給排系、該搬送ロボットおよび該仕切弁の動作を制御
し、該第１チャンバに内蔵された該処理装置による試料
の処理中に次の試料を該ロードチャンバに導入して待機
させるコントローラとを有することを特徴とする。ここ
で、前記コントローラは、試料への処理と別の試料の搬
送動作を並列的に行うことが望ましく、前記コントロー
ラは、前記ロードチャンバに試料を導入し、該ロードチ
ャンバを前記第１チャンバと同じ圧力状態にし、該第１
チャンバと該ロードチャンバとの間の仕切弁を開き、前
記搬送ロボットによって該ロードチャンバから該第１チ
ャンバに試料を導入する動作をコントロールすることが
好ましい。
めの本発明の処理システムは、処理装置を内蔵し内部を
気密に保ち得る第１チャンバと、ロードチャンバとアン
ロードチャンバとを備える第２チャンバと、該第１チャ
ンバと該第２チャンバのそれぞれの雰囲気を独立に管理
する給排系と、該第１チャンバと該第２チャンバとの間
で試料を搬送する搬送ロボットと、該第１チャンバと該
第２チャンバとの間に設けられた開閉可能な仕切弁と、
該給排系、該搬送ロボットおよび該仕切弁の動作を制御
し、該第１チャンバに内蔵された該処理装置による試料
の処理中に次の試料を該ロードチャンバに導入して待機
させるコントローラとを有することを特徴とする。ここ
で、前記コントローラは、試料への処理と別の試料の搬
送動作を並列的に行うことが望ましく、前記コントロー
ラは、前記ロードチャンバに試料を導入し、該ロードチ
ャンバを前記第１チャンバと同じ圧力状態にし、該第１
チャンバと該ロードチャンバとの間の仕切弁を開き、前
記搬送ロボットによって該ロードチャンバから該第１チ
ャンバに試料を導入する動作をコントロールすることが
好ましい。
【０００８】また、上記の目的を達成するための本発明
のデバイス製造方法は、処理装置を内蔵し気密に保ち得
る第１チャンバに試料を導入し、該処理装置において試
料を処理するデバイス製造方法であって、仕切弁を閉じ
て、給排系によって第２チャンバを該第１チャンバと同
じ圧力状態にし、該仕切弁を開き、搬送ロボットによっ
て該第２チャンバから第１チャンバに試料を導入し、該
仕切弁を閉じて、該第１チャンバに内蔵された該処理装
置による試料の処理中に次の試料を該ロードチャンバに
導入して待機させることを特徴とする。ここで、前記第
２チャンバは、ロードチャンバとアンロードチャンバと
を備えることが好ましい。また、前記アンロードチャン
バを減圧し、処理の済んだ試料を前記第１チャンバから
該アンロードチャンバに搬送することが好ましい。ま
た、前記試料への処理と別の試料の搬送動作を並列的に
行うことが好ましい。
のデバイス製造方法は、処理装置を内蔵し気密に保ち得
る第１チャンバに試料を導入し、該処理装置において試
料を処理するデバイス製造方法であって、仕切弁を閉じ
て、給排系によって第２チャンバを該第１チャンバと同
じ圧力状態にし、該仕切弁を開き、搬送ロボットによっ
て該第２チャンバから第１チャンバに試料を導入し、該
仕切弁を閉じて、該第１チャンバに内蔵された該処理装
置による試料の処理中に次の試料を該ロードチャンバに
導入して待機させることを特徴とする。ここで、前記第
２チャンバは、ロードチャンバとアンロードチャンバと
を備えることが好ましい。また、前記アンロードチャン
バを減圧し、処理の済んだ試料を前記第１チャンバから
該アンロードチャンバに搬送することが好ましい。ま
た、前記試料への処理と別の試料の搬送動作を並列的に
行うことが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】＜参考例１＞図１は第１の参考例
の処理システムの構成図である。同図において、先の図
５と同一の符号は同一の部材を表わす。
の処理システムの構成図である。同図において、先の図
５と同一の符号は同一の部材を表わす。
【００１０】プロセスチャンバ１とロードロックチャン
バ２は支柱２０によって床に固定されている。第１の架
台３と第２の架台４とは支持部材６ａ、６ｂによって結
合され、又、第２の架台４と第３の架台５とは支持部材
６ｃによって結合されている。これらの結合は高い剛性
を持ってなされ、第１の架台から第３の架台までは実質
的に一つの構造体とみなすことができるようになってい
る。ここで支持部材６ａ、６ｂとプロセスチャンバ１と
は弾性のベローズ１０ａ，１０ｂにより気密に接続さ
れ、支持部材６ｃとプロセスチャンバ１及びロードロッ
クチャンバ２とはそれぞれ弾性のベローズ１０ｃによっ
て気密に接続されている。これにより各チャンバ１、２
内の気密が保たれるようになっている。なお、支持部材
とチャンバとを気密に接続する弾性気密保持手段として
は、ベローズ以外の形態も考えられ、例えば多段Ｏリン
グや板バネなどを用いた機構が挙げられる。
バ２は支柱２０によって床に固定されている。第１の架
台３と第２の架台４とは支持部材６ａ、６ｂによって結
合され、又、第２の架台４と第３の架台５とは支持部材
６ｃによって結合されている。これらの結合は高い剛性
を持ってなされ、第１の架台から第３の架台までは実質
的に一つの構造体とみなすことができるようになってい
る。ここで支持部材６ａ、６ｂとプロセスチャンバ１と
は弾性のベローズ１０ａ，１０ｂにより気密に接続さ
れ、支持部材６ｃとプロセスチャンバ１及びロードロッ
クチャンバ２とはそれぞれ弾性のベローズ１０ｃによっ
て気密に接続されている。これにより各チャンバ１、２
内の気密が保たれるようになっている。なお、支持部材
とチャンバとを気密に接続する弾性気密保持手段として
は、ベローズ以外の形態も考えられ、例えば多段Ｏリン
グや板バネなどを用いた機構が挙げられる。
【００１１】この構成にて、ロードロックチャンバ２か
らプロセスチャンバ１への試料の受け渡しのシーケンス
は以下の通りである。まず、仕切り弁９を閉じた状態に
てプロセスチャンバ１内を真空に排気する。一方、大気
状態にあるロードロックチャンバ２内に外部から試料を
導入して、試料保持台１４に試料１５をセットした後、
プロセスチャンバ１の圧力と同程度の真空状態にする。
次いで、仕切り弁９を開状態にして、搬送ロボット１３
によりロードロックチャンバ２から試料１５をベローズ
１１を通して取り出して、プロセスチャンバ１内の処理
ステージ１２へと搬送する。そして必要に応じて再度仕
切り弁９を閉じて、プロセスチャンバ１内で試料に対し
て露光や薄膜形成などの処理を施こす。処理の終わった
試料１５は、搬入経路と同じ経路でロードロックチャン
バ２へ搬出する。所定枚数の試料の処理が終わった所
で、仕切り弁９を閉状態にしてロードロックチャンバ２
を大気状態に戻して試料を外に取り出す。
らプロセスチャンバ１への試料の受け渡しのシーケンス
は以下の通りである。まず、仕切り弁９を閉じた状態に
てプロセスチャンバ１内を真空に排気する。一方、大気
状態にあるロードロックチャンバ２内に外部から試料を
導入して、試料保持台１４に試料１５をセットした後、
プロセスチャンバ１の圧力と同程度の真空状態にする。
次いで、仕切り弁９を開状態にして、搬送ロボット１３
によりロードロックチャンバ２から試料１５をベローズ
１１を通して取り出して、プロセスチャンバ１内の処理
ステージ１２へと搬送する。そして必要に応じて再度仕
切り弁９を閉じて、プロセスチャンバ１内で試料に対し
て露光や薄膜形成などの処理を施こす。処理の終わった
試料１５は、搬入経路と同じ経路でロードロックチャン
バ２へ搬出する。所定枚数の試料の処理が終わった所
で、仕切り弁９を閉状態にしてロードロックチャンバ２
を大気状態に戻して試料を外に取り出す。
【００１２】プロセスチャンバ１は減圧により変形が生
じ得るが、第２の架台４は第１の架台３に結合され、チ
ャンバ１には直接は結合されていないため、ベローズ１
０ａ、１０ｂの弾性によってチャンバ変形が吸収され
る。よって第２の架台４の位置は、プロセスチャンバ１
内の圧力状態に影響を受けず大気圧状態で調整された位
置関係が維持される。同様に、ロードロックチャンバ２
の減圧により生じ得る変形も、ベローズ１０ｃの働きに
よって第３の架台５には直接伝わらない。以上のことよ
り、プロセスチャンバ１とロードロックチャンバ２の圧
力がお互いどのような状態であっても、内蔵される構造
体は影響を受けないことになる。従って構造体上にある
処理ステージ１２と試料載置台１４との間での試料１５
の受け渡しは、搬送ロボット１３により高精度に行なう
ことができる。
じ得るが、第２の架台４は第１の架台３に結合され、チ
ャンバ１には直接は結合されていないため、ベローズ１
０ａ、１０ｂの弾性によってチャンバ変形が吸収され
る。よって第２の架台４の位置は、プロセスチャンバ１
内の圧力状態に影響を受けず大気圧状態で調整された位
置関係が維持される。同様に、ロードロックチャンバ２
の減圧により生じ得る変形も、ベローズ１０ｃの働きに
よって第３の架台５には直接伝わらない。以上のことよ
り、プロセスチャンバ１とロードロックチャンバ２の圧
力がお互いどのような状態であっても、内蔵される構造
体は影響を受けないことになる。従って構造体上にある
処理ステージ１２と試料載置台１４との間での試料１５
の受け渡しは、搬送ロボット１３により高精度に行なう
ことができる。
【００１３】＜参考例２＞図２は第２の参考例の装置の
構成図であり、先の図１と同一の符号は同一の部材を表
わす。プロセスチャンバ１とロードロックチャンバ２は
仕切り弁９及びベローズ１１を介して結合されていて、
両チャンバは支柱２０によって床に固定されている。一
方、第１の架台３と第２の架台４とは支持部材７ａ、７
ｂによって結合され、又、第３の架台５は支持部材７
ｃ、７ｄによって第１の架台３に結合されている。先の
実施例と同様、これらの結合は高い剛性を持ってなさ
れ、第１の架台から第３の架台５までは一つの構造体と
みなすことができる。ここで支持部材７ａ、７ｂとプロ
セスチャンバ１とは弾性のベローズ１２ａ、１２ｂによ
り気密に接続され、支持部材７ｃ、７ｄとロードロック
チャンバ２とは弾性のベローズ１２ｃ、１２ｄにより気
密に接続されている。これにより各チャンバ１、２内の
気密が保たれるようになっている。
構成図であり、先の図１と同一の符号は同一の部材を表
わす。プロセスチャンバ１とロードロックチャンバ２は
仕切り弁９及びベローズ１１を介して結合されていて、
両チャンバは支柱２０によって床に固定されている。一
方、第１の架台３と第２の架台４とは支持部材７ａ、７
ｂによって結合され、又、第３の架台５は支持部材７
ｃ、７ｄによって第１の架台３に結合されている。先の
実施例と同様、これらの結合は高い剛性を持ってなさ
れ、第１の架台から第３の架台５までは一つの構造体と
みなすことができる。ここで支持部材７ａ、７ｂとプロ
セスチャンバ１とは弾性のベローズ１２ａ、１２ｂによ
り気密に接続され、支持部材７ｃ、７ｄとロードロック
チャンバ２とは弾性のベローズ１２ｃ、１２ｄにより気
密に接続されている。これにより各チャンバ１、２内の
気密が保たれるようになっている。
【００１４】この構成において、プロセスチャンバ１と
ロードロックチャンバ２は実施例１と同様、減圧に伴う
変形をベローズ１２ａ〜１２ｄが吸収するため、チャン
バの変形が内部の構造体に悪影響を与えない。従って２
つのチャンバ間において試料１５の受け渡しを先の実施
例と同様に高精度に行なうことができる。又、本実施例
では、第１の架台３の上に第２の架台４と第３の架台５
の両方を結合した構造であるため、第１の架台３を基準
面として組立・調整を行えば良く、作業性が向上する。
ロードロックチャンバ２は実施例１と同様、減圧に伴う
変形をベローズ１２ａ〜１２ｄが吸収するため、チャン
バの変形が内部の構造体に悪影響を与えない。従って２
つのチャンバ間において試料１５の受け渡しを先の実施
例と同様に高精度に行なうことができる。又、本実施例
では、第１の架台３の上に第２の架台４と第３の架台５
の両方を結合した構造であるため、第１の架台３を基準
面として組立・調整を行えば良く、作業性が向上する。
【００１５】＜実施例１＞将来の半導体製造工程におい
ては、ますます人が関わる作業が減ることが予想され
る。従来のバッチ処理から枚葉処理に移行するのに伴
い、搬送ロボットなどによる試料の受け渡しは製造ライ
ンにおいては重要な課題となる。また、６４ＭＤＲＡＭ
以降の半導体製造技術の中で、化学増幅型レジストはそ
の特性上、レジスト塗布から露光、現像、リンスに至る
まで、一枚毎にきめ細かな時間管理が要求されているの
で、枚葉処理を行う製造ラインが必要となる。本実施例
では、減圧雰囲気の中で試料の受け渡しを行う場合と、
大気圧中で試料の受け渡しを行う場合が混在する製造ラ
インにおいて、試料の高精度搬送を実現するものであ
る。
ては、ますます人が関わる作業が減ることが予想され
る。従来のバッチ処理から枚葉処理に移行するのに伴
い、搬送ロボットなどによる試料の受け渡しは製造ライ
ンにおいては重要な課題となる。また、６４ＭＤＲＡＭ
以降の半導体製造技術の中で、化学増幅型レジストはそ
の特性上、レジスト塗布から露光、現像、リンスに至る
まで、一枚毎にきめ細かな時間管理が要求されているの
で、枚葉処理を行う製造ラインが必要となる。本実施例
では、減圧雰囲気の中で試料の受け渡しを行う場合と、
大気圧中で試料の受け渡しを行う場合が混在する製造ラ
インにおいて、試料の高精度搬送を実現するものであ
る。
【００１６】図３は本実施例の処理システムを含む製造
ラインを模式的に示した図、図４は各チャンバ間の結合
状態を示す断面図である。図３において、１０１はプロ
セスチャンバ、１０２ａはロードチャンバ、１０２ｂは
アンロードチャンバ、１２１は搬送モジュールチャンバ
を示す。ロードチャンバ１０２ａとプロセスチャンバ１
０１との間には仕切弁１０９ａが、搬送モジュールチャ
ンバ１２１とロードチャンバ１０２ａとの間には仕切弁
１２２ａ及びベローズ１２３ａが設けられている。ま
た、アンロードチャンバ１０２ｂとプロセスチャンバ１
０１との間には仕切弁１０９ｂが、搬送モジュールチャ
ンバ１２１とアンロードチャンバ１０２ｂとの間には仕
切弁１２２ｂ及びベローズ１２３ｂが設けられている。
１１３ａ，１１３ｂは各チャンバ間で試料を搬送するた
めの搬送ロボット、１２４ａ，１２４ｂは試料を搬送す
る経路となるクリーントンネル、１３１はレジスト塗布
ステーション、１３２はレジスト現像ステーション、１
３３はリンスステーションである。
ラインを模式的に示した図、図４は各チャンバ間の結合
状態を示す断面図である。図３において、１０１はプロ
セスチャンバ、１０２ａはロードチャンバ、１０２ｂは
アンロードチャンバ、１２１は搬送モジュールチャンバ
を示す。ロードチャンバ１０２ａとプロセスチャンバ１
０１との間には仕切弁１０９ａが、搬送モジュールチャ
ンバ１２１とロードチャンバ１０２ａとの間には仕切弁
１２２ａ及びベローズ１２３ａが設けられている。ま
た、アンロードチャンバ１０２ｂとプロセスチャンバ１
０１との間には仕切弁１０９ｂが、搬送モジュールチャ
ンバ１２１とアンロードチャンバ１０２ｂとの間には仕
切弁１２２ｂ及びベローズ１２３ｂが設けられている。
１１３ａ，１１３ｂは各チャンバ間で試料を搬送するた
めの搬送ロボット、１２４ａ，１２４ｂは試料を搬送す
る経路となるクリーントンネル、１３１はレジスト塗布
ステーション、１３２はレジスト現像ステーション、１
３３はリンスステーションである。
【００１７】図４は、プロセスチャンバ１０１、ロード
チャンバ１０２ａ、搬送モジュール１２１のそれぞれの
結合関係を示す。プロセスチャンバ１０１とロードチャ
ンバ１０２ａとは、内部の機器同士を結合する支持部材
１０６ｃ，１０６ｄ、およびベローズ１１０ｃ〜１１０
ｆによって先に説明した実施例と同様の結合状態となっ
ている。搬送モジュールチャンバ１２１は、プロセスチ
ャンバ１０１やロードチャンバ１０２ａの支持手段とは
別の支持手段である支柱１２０によって支持されてい
る。また、プロセスチャンバ１０１とロードチャンバ１
０２ａは、ポンプやレギュレータなどからなる給排系に
よってそれぞれ独立に減圧状態と大気圧状態を取り得る
ようになっている。また、上記給排系、搬送ロボット、
仕切弁などの全ての動作を制御するため、コンピュータ
を有するコントローラ１５０が設けられ、システム全体
の動作をコントロールしている。
チャンバ１０２ａ、搬送モジュール１２１のそれぞれの
結合関係を示す。プロセスチャンバ１０１とロードチャ
ンバ１０２ａとは、内部の機器同士を結合する支持部材
１０６ｃ，１０６ｄ、およびベローズ１１０ｃ〜１１０
ｆによって先に説明した実施例と同様の結合状態となっ
ている。搬送モジュールチャンバ１２１は、プロセスチ
ャンバ１０１やロードチャンバ１０２ａの支持手段とは
別の支持手段である支柱１２０によって支持されてい
る。また、プロセスチャンバ１０１とロードチャンバ１
０２ａは、ポンプやレギュレータなどからなる給排系に
よってそれぞれ独立に減圧状態と大気圧状態を取り得る
ようになっている。また、上記給排系、搬送ロボット、
仕切弁などの全ての動作を制御するため、コンピュータ
を有するコントローラ１５０が設けられ、システム全体
の動作をコントロールしている。
【００１８】次に、製造工程での試料の流れに沿って装
置動作を説明する。試料に対して露光処理を行うまでの
手順は以下の通りである。なお、図５は各ステップにお
ける、チャンバの圧力状態と仕切弁の開閉状態を示す。
置動作を説明する。試料に対して露光処理を行うまでの
手順は以下の通りである。なお、図５は各ステップにお
ける、チャンバの圧力状態と仕切弁の開閉状態を示す。
【００１９】(1)レジスト塗布ステーション１３１にお
いて、試料に化学増幅型レジストを塗布する。
いて、試料に化学増幅型レジストを塗布する。
【００２０】(2)搬送ロボット１１３ｂによってクリー
ントンネル１２４ａを通して、レジスト塗布ステーショ
ン１３１から搬送モジュールチャンバ１２１に試料を搬
送する。
ントンネル１２４ａを通して、レジスト塗布ステーショ
ン１３１から搬送モジュールチャンバ１２１に試料を搬
送する。
【００２１】(3)仕切弁１２２ａを開け、搬送ロボット
１１３ｂによって搬送モジュールチャンバ１２１からか
らロードチャンバ１０２ａに試料を導入する。このとき
ロードロックチャンバ１０２ａは大気圧、プロセスチャ
ンバ１０１は減圧状態となっている。プロセスチャンバ
１が減圧するとチャンバ変形が起こるが、ベローズ１２
３ａにより変形を吸収する。仮に吸収できない場合があ
っても、大気圧下における試料の受け渡しとなるため、
変形量を搬送ロボットがセンサにより検知して補正でき
るため、減圧下で行うより構成が簡単でコスト安で高精
度搬送が可能となる。〔図５(a)〕
１１３ｂによって搬送モジュールチャンバ１２１からか
らロードチャンバ１０２ａに試料を導入する。このとき
ロードロックチャンバ１０２ａは大気圧、プロセスチャ
ンバ１０１は減圧状態となっている。プロセスチャンバ
１が減圧するとチャンバ変形が起こるが、ベローズ１２
３ａにより変形を吸収する。仮に吸収できない場合があ
っても、大気圧下における試料の受け渡しとなるため、
変形量を搬送ロボットがセンサにより検知して補正でき
るため、減圧下で行うより構成が簡単でコスト安で高精
度搬送が可能となる。〔図５(a)〕
【００２２】(4)仕切弁１２２ａを閉じ、ロードロック
チャンバ１０２ａを減圧状態して、プロセスチャンバ１
の圧力と同じにする。この時、プロセスチャンバ１への
影響は何もない。〔図５(b)〕
チャンバ１０２ａを減圧状態して、プロセスチャンバ１
の圧力と同じにする。この時、プロセスチャンバ１への
影響は何もない。〔図５(b)〕
【００２３】(5)仕切弁１０９ａを開けて、搬送ロボッ
ト１１３ａによって、ロードチャンバ１０２ａからプロ
セスチャンバ１０１に試料を導入する。この２つのチャ
ンバ間での試料の受け渡しは先の実施例で説明した通り
である。〔図５(c)〕
ト１１３ａによって、ロードチャンバ１０２ａからプロ
セスチャンバ１０１に試料を導入する。この２つのチャ
ンバ間での試料の受け渡しは先の実施例で説明した通り
である。〔図５(c)〕
【００２４】(6)仕切弁１０９ａを閉じ、減圧されたプ
ロセスチャンバ１０１において、試料に対してＸ線によ
る露光処理を行う。〔図５(d)〕
ロセスチャンバ１０１において、試料に対してＸ線によ
る露光処理を行う。〔図５(d)〕
【００２５】(7)プロセスチャンバ１０１へ搬入後、ロ
ードチャンバ１０２ａをパージして大気圧へ戻す。そし
て、露光処理中に次の試料をロードチャンバ１０２ａに
導入して待機させる。
ードチャンバ１０２ａをパージして大気圧へ戻す。そし
て、露光処理中に次の試料をロードチャンバ１０２ａに
導入して待機させる。
【００２６】また、露光処理の済んだ試料を搬送する手
順は以下の通りである。
順は以下の通りである。
【００２７】(8)仕切弁１０９ｂを開け、搬送ロボット
１１３ａによって、露光処理の済んだ試料をプロセスチ
ャンバ１０１からアンロードチャンバに搬送する。アン
ロードチャンバ１０２ｂは減圧されている。
１１３ａによって、露光処理の済んだ試料をプロセスチ
ャンバ１０１からアンロードチャンバに搬送する。アン
ロードチャンバ１０２ｂは減圧されている。
【００２８】(9)仕切弁１０９ｂを閉じ、仕切弁１２２
ｂを開けて、アンロードチャンバ１０２ｂを大気圧に開
放する。
ｂを開けて、アンロードチャンバ１０２ｂを大気圧に開
放する。
【００２９】(10)搬送ロボット１１３ｂによってアンロ
ードチャンバ１０２ｂから搬送モジュールチャンバ１２
１へ搬送する。次いで搬送ロボット１１３ｂによって、
クリーントンネル１２４ｂを通して、試料をレジスト現
像ステーション１３２に搬送する。
ードチャンバ１０２ｂから搬送モジュールチャンバ１２
１へ搬送する。次いで搬送ロボット１１３ｂによって、
クリーントンネル１２４ｂを通して、試料をレジスト現
像ステーション１３２に搬送する。
【００３０】(11)レジスト現像ステーション１３２にお
いて試料の現像処理を行い、現像された試料はリンスス
テーション１３３に移行してリンス処理を行う。
いて試料の現像処理を行い、現像された試料はリンスス
テーション１３３に移行してリンス処理を行う。
【００３１】以上のように本実施例によれば、試料への
露光処理と別の試料の搬送動作を並列的に行うにあたっ
て、搬送動作による振動などが露光プロセスに悪影響を
与えないようなシステムになっている。
露光処理と別の試料の搬送動作を並列的に行うにあたっ
て、搬送動作による振動などが露光プロセスに悪影響を
与えないようなシステムになっている。
【００３２】＜実施例２＞図６は上記図４の構成の支持
部材１０６ｃ，１０６ｄについての変形例である別の実
施例の構成を示す。同図において、支持部材１０６ｃ−
１と１０６ｃ−２とに二分され、両者はチャンバの外の
大気圧下において連結される構成となっている。連結部
材１０６ｄ−１と１０６ｄ−２についても同様である。
部材１０６ｃ，１０６ｄについての変形例である別の実
施例の構成を示す。同図において、支持部材１０６ｃ−
１と１０６ｃ−２とに二分され、両者はチャンバの外の
大気圧下において連結される構成となっている。連結部
材１０６ｄ−１と１０６ｄ−２についても同様である。
【００３３】この構成によれば、枚葉処理を行う製造ラ
インにおいて、組立およびメンテナンスの向上を図るた
め、FRU(Field Replaceable Unit)の考え方に基づき、
ユニットの交換の容易性が達成される。すなわち、ロー
ドチャンバ１０２ａを交換する際に、最低限の組立工数
で作業が終了することができる。
インにおいて、組立およびメンテナンスの向上を図るた
め、FRU(Field Replaceable Unit)の考え方に基づき、
ユニットの交換の容易性が達成される。すなわち、ロー
ドチャンバ１０２ａを交換する際に、最低限の組立工数
で作業が終了することができる。
【００３４】＜実施例３＞次に本発明の第３の実施例の
Ｘ線露光システムについて図７を用いて説明する。同図
において、ＳＲ光源（不図示）で発生したＳＲ光は、ビ
ームポート２０１によって導かれ、Ｂｅ（ベリリウム）
窓２０２を通してチャンバ３０１内へ導入される。チャ
ンバ３０１とビームポート２０１とは弾性のベローズ２
１４によって気密に接続されている。ここでチャンバ３
０１内は１５０Ｔｏｒｒ程度の減圧ヘリウム雰囲気とな
っている。
Ｘ線露光システムについて図７を用いて説明する。同図
において、ＳＲ光源（不図示）で発生したＳＲ光は、ビ
ームポート２０１によって導かれ、Ｂｅ（ベリリウム）
窓２０２を通してチャンバ３０１内へ導入される。チャ
ンバ３０１とビームポート２０１とは弾性のベローズ２
１４によって気密に接続されている。ここでチャンバ３
０１内は１５０Ｔｏｒｒ程度の減圧ヘリウム雰囲気とな
っている。
【００３５】次にチャンバ３０１内に配置された露光装
置について説明する。マスク２０４はマスクチャック２
０３に吸着保持され、又、ウエハ２０５はウエハチャッ
ク２０６に吸着保持されている。ウエハ２０５は位置合
わせステージ２０７によりマスク２０４に対して移動可
能な構成となっている。マスクチャック２０３と位置合
わせステージ２０７は架台２０８上に支持されて、架台
２０８の一部である架台支柱３０３は、床上に置かれた
空気バネであるエアマウント２１１にて支持されてい
る。そして架台支柱３０３はベローズ３０４によってチ
ャンバ３０１と気密に接続されている。架台支柱３０３
は支柱の長さを変えるための油圧シリンダ２１３を内蔵
しており、架台支柱３０３に取付けられた床との距離を
測定するための測距センサ２１２の測定値が一定になる
ように、制御装置２１５により油圧シリンダ２１３が制
御されている。又、チャンバ３０１はチャンバ支柱３０
５により床上に支持されており、チャンバ３０１と架台
２０８とは床に対して個別に支持された構成となってい
る。
置について説明する。マスク２０４はマスクチャック２
０３に吸着保持され、又、ウエハ２０５はウエハチャッ
ク２０６に吸着保持されている。ウエハ２０５は位置合
わせステージ２０７によりマスク２０４に対して移動可
能な構成となっている。マスクチャック２０３と位置合
わせステージ２０７は架台２０８上に支持されて、架台
２０８の一部である架台支柱３０３は、床上に置かれた
空気バネであるエアマウント２１１にて支持されてい
る。そして架台支柱３０３はベローズ３０４によってチ
ャンバ３０１と気密に接続されている。架台支柱３０３
は支柱の長さを変えるための油圧シリンダ２１３を内蔵
しており、架台支柱３０３に取付けられた床との距離を
測定するための測距センサ２１２の測定値が一定になる
ように、制御装置２１５により油圧シリンダ２１３が制
御されている。又、チャンバ３０１はチャンバ支柱３０
５により床上に支持されており、チャンバ３０１と架台
２０８とは床に対して個別に支持された構成となってい
る。
【００３６】ここでベローズ３０４の垂直方向の剛性
は、チャンバ３０１の壁及びエアマウント２１１に比べ
て十分に小さなものである。これにより減圧によって生
じるチャンバ３０１の変形をベローズ３０４にて吸収さ
せることができ、露光装置を搭載する架台２０８への悪
影響を排除することができる。又、床振動によって、チ
ャンバ３０１が振動してもベローズ３０４によって吸収
されるため、エアマウント２１１の性能を害することは
ない。更に高い精度が必要であれば、支柱３０５を架台
２０８を支持するエアマウント２１１とは別のエアマウ
ント上に設ければよい。この場合、ビームポート開口の
差圧によりチャンバ３０１の位置は変化するが、これは
チャンバと架台との間のベローズ３０４により吸収され
るため問題とはならない。
は、チャンバ３０１の壁及びエアマウント２１１に比べ
て十分に小さなものである。これにより減圧によって生
じるチャンバ３０１の変形をベローズ３０４にて吸収さ
せることができ、露光装置を搭載する架台２０８への悪
影響を排除することができる。又、床振動によって、チ
ャンバ３０１が振動してもベローズ３０４によって吸収
されるため、エアマウント２１１の性能を害することは
ない。更に高い精度が必要であれば、支柱３０５を架台
２０８を支持するエアマウント２１１とは別のエアマウ
ント上に設ければよい。この場合、ビームポート開口の
差圧によりチャンバ３０１の位置は変化するが、これは
チャンバと架台との間のベローズ３０４により吸収され
るため問題とはならない。
【００３７】又、エアマウント２１１がチャンバ３０１
の減圧ヘリウム雰囲気の外部に配置されているため、エ
アマウント２１１からの空気漏れによるチャンバ３０１
内の雰囲気の劣化を引き起こすことはなく、且つ減圧に
関係なくエアマウント２１１の高さすなわち架台２０８
上の露光装置の位置は一定に保たれる。
の減圧ヘリウム雰囲気の外部に配置されているため、エ
アマウント２１１からの空気漏れによるチャンバ３０１
内の雰囲気の劣化を引き起こすことはなく、且つ減圧に
関係なくエアマウント２１１の高さすなわち架台２０８
上の露光装置の位置は一定に保たれる。
【００３８】又、測距センサ２１２の測定値が一定にな
るように油圧シリンダ２１３を制御しているので、仮に
大気圧変動などがあっても架台２０８上の露光装置の姿
勢は高精度に保たれる。
るように油圧シリンダ２１３を制御しているので、仮に
大気圧変動などがあっても架台２０８上の露光装置の姿
勢は高精度に保たれる。
【００３９】なお、架台支柱３０３とチャンバ３０１と
を気密に接続する弾性気密保持手段としては、ベローズ
以外の形態も考えられ、例えば多段Ｏリングや板バネな
どを用いた機構が挙げられる。この一例を図８に示す。
同図において先の図７と同一の符号は同一の部材を表わ
す。本実施例では板ばね３０６と磁性流体シール３０７
とからなる弾性気密保持手段によって、架台支柱３０３
とチャンバ３０１とを気密に接続している。これは先の
ベローズよりも更に剛性を低くすることができ、チャン
バの変形や姿勢の変化をより効果的に吸収することがで
きる。
を気密に接続する弾性気密保持手段としては、ベローズ
以外の形態も考えられ、例えば多段Ｏリングや板バネな
どを用いた機構が挙げられる。この一例を図８に示す。
同図において先の図７と同一の符号は同一の部材を表わ
す。本実施例では板ばね３０６と磁性流体シール３０７
とからなる弾性気密保持手段によって、架台支柱３０３
とチャンバ３０１とを気密に接続している。これは先の
ベローズよりも更に剛性を低くすることができ、チャン
バの変形や姿勢の変化をより効果的に吸収することがで
きる。
【００４０】＜実施例４＞図９は本発明の更なる実施例
の構成を示す図であり、先の図７と同一の符号は同一の
部材を表わす。３１１はチャンバ３０１に接続された第
２チャンバであり、チャンバ３０１との間には開閉自在
な仕切り弁３００が設けられている。第２チャンバ３１
１内では、ウエハ交換装置３１０が第２の架台３０９上
に搭載されている。又、第２の架台３０９と架台２０８
とは高い剛性を有する架台支柱３０８によって剛接続さ
れている。ここで弾性のベローズ３２０によって、架台
支柱３０８とチャンバ３０１、チャンバ３１１がそれぞ
れ接続され、気密が封止されている。
の構成を示す図であり、先の図７と同一の符号は同一の
部材を表わす。３１１はチャンバ３０１に接続された第
２チャンバであり、チャンバ３０１との間には開閉自在
な仕切り弁３００が設けられている。第２チャンバ３１
１内では、ウエハ交換装置３１０が第２の架台３０９上
に搭載されている。又、第２の架台３０９と架台２０８
とは高い剛性を有する架台支柱３０８によって剛接続さ
れている。ここで弾性のベローズ３２０によって、架台
支柱３０８とチャンバ３０１、チャンバ３１１がそれぞ
れ接続され、気密が封止されている。
【００４１】この構成によれば、先の図７で説明した作
用効果に加えて、減圧によって生じるそれぞれのチャン
バ３０１及び３１１の変形や両チャンバ間の相対位置変
動はベローズ３２０にて吸収されるので、架台２０８に
搭載される露光装置と第２の架台３０９に搭載される装
置との間の位置ずれは起こらず、両者の間での受け渡し
精度に悪影響を与えることはない。
用効果に加えて、減圧によって生じるそれぞれのチャン
バ３０１及び３１１の変形や両チャンバ間の相対位置変
動はベローズ３２０にて吸収されるので、架台２０８に
搭載される露光装置と第２の架台３０９に搭載される装
置との間の位置ずれは起こらず、両者の間での受け渡し
精度に悪影響を与えることはない。
【００４２】＜実施例５＞次に上記説明した露光装置の
いずれかを利用したデバイスの製造方法の実施例を説明
する。図１０は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体
チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイク
ロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路
設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステッ
プ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
いずれかを利用したデバイスの製造方法の実施例を説明
する。図１０は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体
チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイク
ロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路
設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステッ
プ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
【００４３】図１１は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、複数のチャンバを備え
た処理システムにおいて、高精度な露光処理などの処理
が可能となる。
た処理システムにおいて、高精度な露光処理などの処理
が可能となる。
【図１】参考例の装置構成図である。
【図２】参考例の装置構成図である。
【図３】本発明の第１の実施例の装置構成図である。
【図４】第１実施例の装置の断面図である。
【図５】各ステップにおけるチャンバと仕切弁の状態を
示す図である。
示す図である。
【図６】第２実施例の装置構成図である。
【図７】第３実施例の装置構成図である。
【図８】図７の実施例の変形例の装置構成図である。
【図９】更になる実施例の装置構成図である。
【図１０】半導体デバイスの製造フローを示す図であ
る。
る。
【図１１】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
【図１２】従来の処理システムの構成図である。
【図１３】別の従来例の処理システムの構成図である。
１ プロセスチャンバ ２ ロードロックチャンバ ３、４、５ 第１、２、３の架台 ６ 支持部材 ７ 支持部材 ８ 支持部材 ９ 仕切り弁 １０、１１ ベローズ １２ 処理ステージ １３ 搬送ロボット １４ 試料載置台 １５ 試料 １０１ プロセスチャンバ １０２ａ ロードチャンバ １０２ｂ アンロードチャンバ １０６ 支持部材 １０９、１２２ 仕切弁 １２１ 搬送モジュールチャンバ １２３ ベローズ １２４ クリーントンネル １３１ レジスト塗布ステーション １３２ レジスト現像ステーション １３３ リンスステーション １５０ コントローラ ２０１ ビームポート ２０２ Ｂｅ窓 ２０３ マスクチャック ２０４ マスク ２０５ ウエハ ２０６ ウエハチャック ２０７ 位置合わせステージ ２０８ 架台 ２１１ エアマウント ３０１ チャンバ ３０３ 架台支柱 ３０４ ベローズ ３０５ チャンバ支柱 ３０６ 板ばね ３０７ 磁性流体シール ３０８ 架台支柱 ３０９ 第２の架台 ３１０ ウエハ交換装置 ３１１ 第２チャンバ
Claims (18)
- 【請求項１】 処理装置を内蔵し内部を気密に保ち得る
第１チャンバと、 ロードチャンバとアンロードチャンバとを備える第２チ
ャンバと、 該第１チャンバと該第２チャンバのそれぞれの雰囲気を
独立に管理する給排系と、 該第１チャンバと該第２チャンバとの間で試料を搬送す
る搬送ロボットと、 該第１チャンバと該第２チャンバとの間に設けられた開
閉可能な仕切弁と、 該給排系、該搬送ロボットおよび該仕切弁の動作を制御
し、該第１チャンバに内蔵された該処理装置による試料
の処理中に次の試料を該ロードチャンバに導入して待機
させるコントローラとを有することを特徴とする処理シ
ステム。 - 【請求項２】 前記第２チャンバに接続された第３チャ
ンバを有することを特徴とする請求項１に記載の処理シ
ステム。 - 【請求項３】 前記第２チャンバと前記第３チャンバと
の間に開閉可能な仕切弁が設けられていることを特徴と
する請求項２に記載の処理システム。 - 【請求項４】 前記第２チャンバと前記第３チャンバと
の間で試料を搬送する搬送ロボットを有することを特徴
とする請求項２または３に記載の処理システム。 - 【請求項５】 前記第２チャンバと前記第３チャンバと
の間がベローズによって接続されていることを特徴とす
る請求項２〜４いずれかに記載の処理システム。 - 【請求項６】 前記コントローラは、試料への処理と別
の試料の搬送動作を並列的に行うことを特徴とする請求
項１〜５いずれかに記載の処理システム。 - 【請求項７】 前記コントローラは、前記ロードチャン
バに試料を導入し、該ロードチャンバを前記第１チャン
バと同じ圧力状態にし、該第１チャンバと該ロードチャ
ンバとの間の仕切弁を開き、前記搬送ロボットによって
該ロードチャンバから該第１チャンバに試料を導入する
動作をコントロールすることを特徴とする請求項１〜６
いずれかに記載の処理システム。 - 【請求項８】 前記コントローラは、前記アンロードチ
ャンバを減圧し、処理の済んだ試料を前記第１チャンバ
から該アンロードチャンバに搬送することを特徴とする
請求項１〜７いずれかに記載の処理システム。 - 【請求項９】 前記第１チャンバにおいて内蔵する試料
に露光処理を行うことを特徴とする請求項１〜８いずれ
かに記載の処理システム。 - 【請求項１０】 前記露光処理は、ウエハに対するパタ
ーン露光であることを特徴とする請求項９に記載の処理
システム。 - 【請求項１１】 請求項１７に記載の処理システムを用
いてウエハに露光を行う工程を有することを特徴とする
デバイス製造方法。 - 【請求項１２】 処理装置を内蔵し気密に保ち得る第１
チャンバに試料を導入し、該処理装置において試料を処
理するデバイス製造方法であって、 仕切弁を閉じて、給排系によって第２チャンバを該第１
チャンバと同じ圧力状態にし、 該仕切弁を開き、搬送ロボットによって該第２チャンバ
から第１チャンバに試料を導入し、 該仕切弁を閉じて、該第１チャンバに内蔵された該処理
装置による試料の処理中に次の試料を該ロードチャンバ
に導入して待機させることを特徴とするデバイス製造方
法。 - 【請求項１３】 前記第２チャンバは、ロードチャンバ
とアンロードチャンバとを備えることを特徴とする請求
項１２に記載のデバイス製造方法。 - 【請求項１４】 前記アンロードチャンバを減圧し、処
理の済んだ試料を前記第１チャンバから該アンロードチ
ャンバに搬送することを特徴とする請求項１２または１
３に記載のデバイス製造方法。 - 【請求項１５】 前記試料への処理と別の試料の搬送動
作を並列的に行うことを特徴とする請求項１２〜１４い
ずれかに記載のデバイス製造方法。 - 【請求項１６】 前記第１チャンバにおいて内蔵する試
料に露光処理を行うことを特徴とする請求項１２〜１５
いずれかに記載のデバイス製造方法。 - 【請求項１７】 前記露光処理は、ウエハに対するパタ
ーン露光であることを特徴とする請求項１６に記載のデ
バイス製造方法。 - 【請求項１８】 感光剤を塗布したウエハを前記第１チ
ャンバに導入し、露光処理したウエハを搬送して現像を
行うことを特徴とする請求項１７に記載のデバイス製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000185819A JP3308967B2 (ja) | 1993-07-21 | 2000-06-21 | 処理システム及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18035393 | 1993-07-21 | ||
| JP5-180356 | 1993-07-21 | ||
| JP5-180353 | 1993-07-21 | ||
| JP18035693 | 1993-07-21 | ||
| JP2000185819A JP3308967B2 (ja) | 1993-07-21 | 2000-06-21 | 処理システム及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10100694A Division JP3200282B2 (ja) | 1993-07-21 | 1994-05-16 | 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法 |
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ID=27324836
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000185819A Expired - Fee Related JP3308967B2 (ja) | 1993-07-21 | 2000-06-21 | 処理システム及びデバイス製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3308967B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7576831B2 (en) | 2003-03-11 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for maintaining a machine part |
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| US10473399B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-11-12 | Tokyo Electron Limited | Connection structure, magnetic annealing device using same, and connecting method |
-
2000
- 2000-06-21 JP JP2000185819A patent/JP3308967B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7359031B2 (en) | 2003-03-11 | 2008-04-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects |
| US7576831B2 (en) | 2003-03-11 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for maintaining a machine part |
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| US7670754B2 (en) | 2003-12-03 | 2010-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus having a processing chamber, a vacuum chamber and first and second load lock chambers |
| US10473399B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-11-12 | Tokyo Electron Limited | Connection structure, magnetic annealing device using same, and connecting method |
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| Publication number | Publication date |
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