JP2010161169A - 真空処理装置、真空処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の真空処理装置によれば、第一、第二の受渡用真空槽112a,112bと処理用真空槽113とはそれぞれ接続されており、各受渡用真空槽112a,112b内に配置された第一、第二のトレイ21a,21bに基板31a,31bをそれぞれ配置し、各受渡用真空槽112a,112bから交互に処理用真空槽113へと、基板を第一、第二のトレイ21a,21bに乗ったまま搬入し、真空処理を行う。各トレイ21a,21bはこれらの真空槽112a,112b、113の外部に出ることはなく、また処理用真空槽112へは多数の受渡用真空槽から基板を出し入れできる。
【選択図】図2
Description
この場合、各基板を処理する際に、ハンドとピンとの間で基板を受け渡し、ハンドから真空処理室内の載置台上に基板を移載しようとすると、基板の枚数に応じてピンが増えるため、載置台上に形成するピンが出入りする穴も増加し、載置台中にヒータを設けることも困難となり、また、基板と載置台との間の接触面積が減少する。また、小径の基板がピン上から脱落する虞もある。
複数の基板をトレイ上に配置し、トレイを一枚の基板と見て搬送すると、従来と同じ構造の装置が使用でき、脱落の問題も解消できるが、トレイを基板と一緒に大気中に取り出すと大気が吸着し、トレイと共に基板を真空雰囲気中に搬入すると、トレイから吸着ガスが放出され、真空排気する時間が長くなったり、形成する薄膜の品質が悪化する。
真空雰囲気中で基板を搬送する装置は例えば下記文献に記載されている。
また、本発明は、前記処理用真空槽には、前記載置台上に配置された前記トレイを持ち上げる昇降装置が設けられた真空処理装置である。
また、本発明は、前記扉の外側には、基板搬送装置が設けられ、前記基板は前記基板搬送装置によって前記受渡用真空槽に搬出入される真空処理装置である。
また、本発明は、載置台が配置され、前記載置台上で複数の基板を真空処理する処理用真空槽と、前記処理用真空槽に仕切弁を介して接続され、大気との間に扉が設けられた複数の受渡用真空槽とを有する真空処理装置であって、前記仕切弁を閉じて複数の前記基板を前記受渡用真空槽内でトレイに乗せる工程と、前記受渡用真空槽を真空雰囲気にして前記仕切弁を開け、前記処理用真空槽と接続し、前記トレイを前記処理用真空槽内に搬入する工程と、前記処理用真空槽内で複数の前記基板を真空処理する工程と、前記真空処理が終了すると、処理された複数の前記基板は、前記トレイに乗せて前記処理用真空槽から搬入した前記受渡用真空槽内に戻す工程と、前記真空処理が終了する前に、他の前記受渡用真空槽内で未処理の複数の基板を別のトレイに乗せて待機させておき、処理が終了した複数の前記基板が前記真空処理層から搬出されると、待機させた複数の前記基板を前記別のトレイにのせて前記真空処理室内に搬入して前記真空処理を行う真空処理方法である。
トレイに水分等が吸着しないので、高い品質の薄膜を形成することができる。
この真空処理装置10は、第一の受渡室102aと第二の受渡室102bと処理室103を有している。第一の受渡室102aと第二の受渡室102bと処理室103は、第一の受渡用真空槽112aと、第二の受渡用真空槽112bと、処理用真空槽113とをそれぞれ有している。
第一、第二の受渡用真空槽112a,112bと処理用真空槽113とは第一、第二の仕切弁123a,123bによってそれぞれ接続されている。
第一、第二の受渡用真空槽112a,112bと大気雰囲気との間には第一、第二の扉122a,122bがそれぞれ設けられている。
ここでは、第一、第二の扉122a,122bの外側には、大気雰囲気に置かれた第一、第二の搬送室101a,101bがそれぞれ配置されており、第一、第二の扉122a,122bが開けられると、第一の受渡用真空槽112aの内部と第二の受渡用真空槽112bの内部は、それぞれ第一の搬送室101aの内部と第二の搬送室101bの内部に接続されるようになっている。
本発明の真空処理装置10では、複数枚数の基板をトレイに乗せて搬入し、トレイ毎に真空処理しており、図2は、第一のトレイ21aに乗った複数枚数の基板31aが処理用真空槽113内で真空処理中であり、次に処理すべき第二のトレイ21bに乗った複数枚数の基板31bが第二の受渡用真空槽112bで待機している状態を示す図面である。
処理用真空槽113の内部には、載置台165が配置されており、第一のトレイ21aは、この載置台165上に載置され、基板31aは、第一のトレイ21aの上に配置されている。
載置台165の内部にはヒータ166が配置されている。第一のトレイ21aの裏面は載置台165の表面と面接触し、基板の裏面は第一のトレイ21aの表面と面接触しており、予めこのヒータ166に通電して発熱させ、載置台165を昇温させると、載置台165に接触している第一のトレイ21a及びこの上の基板31aは、載置台165からの熱伝導によって加熱される。
処理用真空槽113の外部にはガス導入系172が配置されており、ガス導入系172からシャワープレート171に薄膜の原料ガスを供給し、シャワープレート171から処理用真空槽113内に原料ガスを散布させながらシャワープレート171に電圧173を印加すると、載置台165上の基板31a表面の上方で原料ガスのプラズマが形成され、化学反応により基板31a表面に薄膜が形成される。
処理室103はトレイを上下移動させる昇降装置161を有している。この昇降装置161は、一乃至複数本の横に配置された横棒から成る載置部(ここでは二本)162と、載置部162を上下移動させるモータ164を有している。
図19(a)に示すように、載置台165表面には載置部162の横棒本数と同数の直線状の溝168が形成されている。載置部162の幅は溝168の幅よりも狭く形成され、また、載置部162の厚みは溝168の深さよりも浅く形成されており、図20(a)、(b)に示すように、載置部162は溝168の内部に、載置台165表面と同じ深さか、それよりも深い位置で静止している。
第一のトレイ21aが載置台165の上に載置されると、第一のトレイ21aの底面は載置台表面と接触する。その状態を図21(a)、(b)に示す。
基板表面に所定膜厚の薄膜が形成された後、昇降装置161を動作させ、図3に示すように載置部162を上昇させ、基板31aを載置した第一のトレイ21aを載置部162上に乗せ、載置台165から離間させる。
第一のトレイ21aを載置台165上から載置部162に乗せて持ち上げた後、載置部162をハンド部155が移動する高さよりも高い位置で静止させておく。
予め第一の扉122aと第一の仕切弁123aとを閉じ、第一の受渡用真空槽112a内を真空排気しておき、処理用真空槽113内の原料ガスが真空排気によって除去された後、第一の仕切弁123aを開け、処理用真空槽113内部と第一の受渡用真空槽112a内部とを接続する。
載置部162の横棒は第一のトレイ21aの両端付近に位置しており、載置部162の横棒の間には第一のトレイ21aの裏面が露出している。第一の受渡用真空槽112a内のハンド部155は、第一のトレイ21aの露出部分の真下位置で静止させる。
次に、載置部162を降下させると、第一の受渡用真空槽112a内のハンド部155が横棒の間を通って、相対的に載置部162よりも上方位置に移動し、その際に、図18に示すように第一のトレイ21aとその上の基板31aがハンド部155上に移載される。
このとき、第二の受渡用真空槽112bは真空雰囲気にされており、未処理の基板31bが複数枚配置された第二のトレイ21bが第二のトレイ搬送装置151bのハンド部155上に配置されている。
真空処理された基板31aが処理用真空槽113から搬出された後、図5に示すように載置部162は処理用真空槽113内でハンド部155の移動する高さよりも低い位置に静止させておき、第二の仕切弁123bを開け、第二のトレイ21bを載置した第二のトレイ搬送装置151bのハンド部155を処理用真空槽113内に移動させ、載置部165の真上位置で静止させる。
その状態で載置部162を上昇させると、第二のトレイ搬送装置151bのハンド部155が載置部162の横棒の間を相対的に通過するように載置部162が上昇し、載置部162が第二のトレイ搬送装置151bのハンド部155よりも高くなったとき、図6に示すように第二のトレイ21bがハンド部155上から載置部162上に移載される。
このとき、真空処理された基板31aは、第一の受渡用真空槽112a内に位置しており、その真上には第一の吸着装置131aが配置されている。
第二の受渡室にも第一の吸着装置131aと同じ構成の第二の吸着装置131bが配置されており、同じ部品には同じ符号を付して一緒に説明する。
第一、第二の吸着装置131a,131bは、吸着部135と、吸着部135を上下移動させる吸着部移動装置133とを有している。
吸着部135の鉛直下方を向いた吸着面137には、基板31aより小径の凹部136が複数個形成されており、図14に示すように、各凹部136の内周面には、凹部136一個毎にそれぞれ複数個の気体噴出孔138が配置され、各凹部136の内側又は外側には、凹部136一個毎に複数個の突起140が配置されている。ここでは内側に配置されている。
その状態で第一の吸着装置131aの吸着部移動装置133によってその吸着部135を下降させると、凹部136が基板31aに接近する。
ここでは突起140は凹部136毎に四個ずつ設けられており、各凹部136周辺の突起140は、凹部136に基板31aが接近したときに、基板31aの四辺に近接した四辺よりも外側位置に配置されるように形成されている。各基板31aが突起140の間に入り込める向きとなるように、基板31aは配置されている。
従って、基板31aに凹部136が接近すると、図15に示すように基板31aは突起140の間に入り込む。
第一の受渡用真空槽112aの外部には不図示の気体供給系175が設けられており、この気体供給系175から各気体噴出孔138に気体が供給されると、基板31aと第一の吸着装置131aの吸着部135が非接触の状態で、基板31aと凹部136の間に気体が噴出される。気体噴出孔138からの気体の噴出方向は、半径方向とは垂直な方向であり、一個の凹部136の縁の円周上では気体は円周の同一方向に噴出される。
このとき、基板31aと吸着面137との間には、噴出気体の流束が形成されており、基板31aが吸着面137に接触しようとすると圧縮された流束の反発力によって押し戻され、基板31aは吸着面137と接触しないで凹部136に吸着された状態が維持される。
従って、第一の吸着装置131aの吸着部移動装置133によってその吸着部135を上方に移動させると、各基板31aは凹部136に非接触の状態で、図7に示すように第一の吸着装置131aの吸着部135に吸着されてこの吸着部135と一緒に上方に移動されるので、第一のトレイ21aは、第一の受渡用真空槽112a内に残っている。
第一、第二の基板搬送装置141a、141bは同じ構成であり、同じ部材には同じ符号を付して一緒に説明する。第一、第二の基板搬送装置141a、141bは、複数の基板を載置できる移動板145と、移動板145を水平方向に移動させる移動装置143を有している。移動板145が移動する高さは、ハンド部155が移動する高さよりも高く配置されており、第一、第二の基板搬送装置141a、141bの移動板145はいずれも、第一、第二のトレイ搬送装置151a,151bと衝突しない。
第一の吸着装置131aを降下させ、基板31aの裏面がその真下に位置する移動板145と接触するか又はその直前のときに降下を停止させ、吸着を解除すると図8に示すように、第一の吸着装置131aに吸着されていた基板31aは移動板145上に移載される。
次いで、基板31aを乗せた移動板145を第一の搬送室101aに戻すと、真空処理が行われた基板31aを真空処理装置10の外部に取り出すことができる。
第一の搬送室101a内では、真空処理済みの基板31aを装置外に取り出した後、未処理の基板を移動板145上に配置する。この配置の配列及び向きは、第一の吸着装置131aの凹部136の配列と同じ並びと向きにしておき、第一の扉122aを開け、未処理の基板を乗せた移動板145を、第一の受渡用真空槽112a内に搬入する。
第一の受渡用真空槽112aでは、ハンド部155上に第一のトレイ21aが配置されており、未処理の基板を乗せた移動板145は、図10に示すように、吸着部135と第一のトレイ21aの間の位置で静止させる。符号32aは未処理の基板である。
このとき、搬入された基板32aは、吸着部135の各凹部136の真下に位置しており、第一の吸着装置131aを鉛直に降下させて基板32aを非接触で吸着し、図11に示すように、第一の吸着装置131aを上昇させる。
次いで、移動板145を第一の搬送室101aに戻すと、各基板32aの真下に第一のトレイ21aが配置されており、第一の扉122aを閉じると共に、第一の吸着装置131aを降下させ、第一のトレイ21a上に基板32aを載置する。
処理用真空槽113内での基板31bの真空処理が終了すると、上記と同様の手順で、真空処理が終了した基板31bを第二のトレイ21bと一緒に第二の受渡真空槽112bに搬出し、未処理の基板32aを処理用真空槽113内に搬入し、真空処理を続行する。
第一〜第四の受渡室102a〜102dには、上記第一、第二のトレイ搬送装置151a、151bと同じトレイ搬送装置が配置されており、第一〜第四の搬送室101a〜101dには、上記の第一、第二の基板搬送装置141a,141bと同じ基板搬送装置が
処理用真空槽113に対して四方向からトレイの搬出入が可能になっている。
なお、上記真空処理はスパッタ又はCVDの他、エッチングや表面処理も含まれる。
113……処理用真空槽
123a……第一の仕切弁 123b……第二の仕切弁
151a……第一のトレイ搬送装置 151b……第二のトレイ搬送装置
153……ハンド移動装置 155……ハンド部
162……載置部 163……支持部
165……載置台
21a……第一のトレイ 21b……第二のトレイ
31a……基板 31b……基板
Claims (4)
- 載置台が配置され、前記載置台上で複数の基板を真空処理する処理用真空槽と、
前記処理用真空槽に仕切弁を介して接続され、大気との間に扉が設けられた複数の受渡用真空槽とを有する真空処理装置であって、
前記各受渡真空槽内には、
前記扉から搬入された複数の前記基板を吸着して持ち上げた後、前記受渡真空槽内に位置するトレイに配置する吸着装置と、
真空雰囲気中で、前記トレイを前記処理用真空槽に搬出入させるトレイ搬送装置とが設けられ、
前記吸着装置は、前記トレイ搬送装置上の前記トレイから、複数の前記基板を吸着して持ち上げる真空処理装置。 - 前記処理用真空槽には、前記載置台上に配置された前記トレイを持ち上げる昇降装置が設けられた請求項1記載の真空処理装置。
- 前記扉の外側には、基板搬送装置が設けられ、前記基板は前記基板搬送装置によって前記受渡用真空槽に搬出入される請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の真空処理装置。
- 載置台が配置され、前記載置台上で複数の基板を真空処理する処理用真空槽と、
前記処理用真空槽に仕切弁を介して接続され、大気との間に扉が設けられた複数の受渡用真空槽とを有する真空処理装置であって、
前記仕切弁を閉じて複数の前記基板を前記受渡用真空槽内で前記トレイに乗せる工程と、
前記受渡用真空槽を真空雰囲気にして前記仕切弁を開け、前記処理用真空槽と接続し、前記トレイを前記処理用真空槽内に搬入する工程と、
前記処理用真空槽内で複数の前記基板を真空処理する工程と、
前記真空処理が終了すると、処理された複数の前記基板は、前記トレイに乗せて前記処理用真空槽から搬入した前記受渡用真空槽内に戻す工程と、
前記真空処理が終了する前に、他の前記受渡用真空槽内で未処理の複数の基板を別のトレイに乗せて待機させておき、処理が終了した複数の前記基板が前記真空処理層から搬出されると、待機させた複数の前記基板を前記別のトレイにのせて前記真空処理室内に搬入して前記真空処理を行う真空処理方法。
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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