TWI485798B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI485798B
TWI485798B TW098130640A TW98130640A TWI485798B TW I485798 B TWI485798 B TW I485798B TW 098130640 A TW098130640 A TW 098130640A TW 98130640 A TW98130640 A TW 98130640A TW I485798 B TWI485798 B TW I485798B
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Akira Takahashi
Hidehiro Yanai
Masakazu Sakata
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Hitachi Int Electric Inc
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Description

基板處理裝置
本發明係有關基板處理裝置及基板處理方法。
作為基板處理裝置的一例，晶圓依裝載口(load port)、承載室、搬運室、處理室之順序搬運，而在處理室處理。
處理室係以閘門閥遮蔽之獨立空間，晶圓可在各室個別處理。
通常，在基板載置台上進行處理者，在1室僅能處理1個晶圓。專利文獻1已揭示將未處理晶圓互相搬運到處理室，而從處理室分別送回到處理完畢晶圓基板支撐體之際，與接著處理之未處理晶圓相互換裝的技術。
專利文獻1：日本專利特開2006-86180號公報
以前的基板處理裝置係成為存放晶圓之承載室為2室，具有將晶圓傳送到各室的機器手臂之搬運室為1室，處理晶圓之處理室為2室之構成。以此裝置之構成，將不易使產能超過每小時200片。若要更提高產能時，單純地在搬運室外周部追加處理室，雖可圖謀產能的提高。然而，相對地搬運室內之搬運機器手臂將大型化，且又由於處理室的追加，所以占地面積將無可避免地擴大。
本發明之目的係在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，能實現兼顧高產能化及占地面積化之相反條件。
根據本發明之一形態，提供一種基板處理裝置，具有：搬運室及處理基板之處理室；該搬運室具有將基板從該搬運室搬運到該處理室之第1基板搬運構件；該處理室具有第1處理部，係與該搬運室鄰接，具有第1基板載置台；第2處理部，係鄰接於該第1處理部之內、與該搬運室不同的側，具有第2基板載置台；第2基板搬運構件，係在該第1處理部與該第2處理部之間搬運基板；及控制部，係至少控制該第2基板搬運構件。處理室具有第1處理部與第2處理部，因可同時處理，所以與先前比較處理片數會增加，而可提高產能。又，以4個反應室保持裝置來說，與其他公司的構成相比，能以節省占地面積的方式配置。
又，根據本發明之另一形態，提供一種基板處理方法，將至少2片基板供給至具有第1處理部、第2處理部及載置基板之基板載置台的處理室之步驟；將至少將2片基板分別載置於該第1處理部之第1基板搬運機構及該第2處理部的第2基板搬運機構之步驟；及當將基板載置於該基板載置台時，以使該第1基板搬運機構與內含在該基板載置台之加熱器的距離，及該第2基板搬運機構與內含在該基板載置台之加熱器的距離成為相同的方式，相對地控制該第1基板搬運機構與該第2基板搬運機構、或者是該基板載置台之步驟。據此，第1處理部與第2處理部各別的基板與加熱器的距離成為相同，加熱條件將為相同，基板溫度將以同樣的比率上升。
依據本發明，能實現兼顧高產能化及省占地面積化之相反條件。
 發明之最佳實施形態
其次，依據圖面說明本發明之實施形態。
第1圖係根據本發明之實施形態的基板處理裝置10之整體構成圖，從裝置10上面觀看之概念圖。
基板處理裝置10係例如以搬運室12為中心，配置有2個承載室14a、14b及2個處理室16a、16b，在承載室14a、14b的上游側配置有前模組之EFEM(Equipment Front End Module)18。
在EFEM18則構造成可搭載3台存放晶圓1的晶圓傳送盒(FOUP)(25片)。
在EFEM18內載置在大氣中可同時傳送複數片(5片)之大氣機器手臂(atmospheric robot)(未圖示)，可在2個承載室14a、14b之間進行晶圓傳送。又、本裝置具有控制各構成之控制器84。
如第2圖所示，在承載室14a、14b，設置有例如將25片之基板在縱方向隔著一定的間隔收容之基板支撐體(舟皿)20。基板支撐體20係例如以碳化矽或鋁所構成，具有例如3根連接上部板22與下部板24的支柱26。在支柱26的長度方向內側平行地形成例如25個的載置部28。又，基板支撐體20係在承載室14a、14b內在垂直方向移動(在上下方向移動)，同時以在垂直方向延伸之旋轉軸作為軸而旋轉。
在搬運室12，設置有在承載室14a、14b與處理室16a、16b之間搬運晶圓1的第1基板搬運構件30。第1基板搬運構件30係設置具有由上鈎爪32a及下鈎爪32b所構成之鈎爪對32的臂34。上鈎爪32a及下鈎爪32b係作成例如同一形狀，並在上下方向以既定的間隔隔開，從臂34分別在大致水平的相同方向延伸，分別形成可支撐晶圓1。臂34以在垂直方向延伸之旋轉軸作為軸而旋轉，同時在水平方向移動。搬運室12與處理室16a、搬運室12與處理室16b，如第3圖所示，分別透過閘門閥35予以連通。在處理室16a與處理室16b之間具有境界壁48，透過此境界壁48，使各個處理室之空氣成為獨立的狀態。
因此，存放在承載室14a、14b之未處理晶圓藉由配置在搬運室12之第1基板搬運構件30同時透過閘門閥35每一次傳送2片到處理室16a、16b。處理完畢之晶圓藉由第1基板搬運構件30每一次從處理室16a、16b傳送各2片到承載室14a、14b(第1基板搬運機構)。
在第3圖顯示處理室16的概要。
在處理室16，配置有2個基板載置台，搬運室12側之第1處理部36的基板載置台作為第1基板載置台37，另一方之第2處理部38的基板載置台作為第2基板載置台41。
第1處理部36與第2處理部38成為各自獨立的構造，若從裝置整體來看，成為與晶圓處理流動方向同方向之一列。
即，第2處理部38係從搬運室12隔著第1處理部36而配置在遠處。
第1處理部36與第2處理部38則透過同樣製程進行基板處理。
第1處理部36與第2處理部38係連通，而處理室16內則可升溫到300℃。
在第1基板載置台37及第2基板載置台41，內插有加熱器64進行加熱。又，第1基板載置台37及第2基板載置台41係以例如鋁(A5052、A5056等)所形成。
為了達成節省空間、低成本化的目的，承載室14a、14b、搬運室12及處理室16a、16b亦能以例如鋁(A5052)零件形成。
處理室16內之第1處理部36與第2處理部38之間的內側，即在靠近境界壁48側，設置有第2基板搬運構件40。
第2基板搬運構件40係以軸部43e作為中心而旋轉者，軸部43e，係配置在境界壁48側。
在另一方之處理室的第2基板搬運構件40，係隔著境界壁48與一方之處理室的第2基板搬運構件40對照地配置。由於對照地配置，可將用於控制各個第2基板搬運構件40之配線，於處理室16的下部，在水平方向的裝置中央，即在境界壁48附近集中設置。此結果，在配線空間方面，可針對每個零件將配線集中設置，而可使配線空間更有效率。又，由於以配置在境界壁48附近之軸部43e為中心旋轉，所以可將處理室16的外側作成圓形。由於作成圓形，可將裝置本體11的外廓11a作成傾斜狀，其結果，可確保更大的保養者進入之維修空間17。如果把軸部43e配置在處理室16的外側，則外廓11a無法作成傾斜狀，如此無法確保更大的保養者進入之維修空間17。
第2基板搬運構件40，係將透過第1基板搬運構件30搬運之2片未處理晶圓之中的1片傳送到第2處理部38的第2基板載置台41，更將第2基板載置台41之處理完畢的晶圓傳送到第1基板搬運構件30的鈎爪上(第2基板搬運機構)。
第4圖係第1基板搬運構件30周邊的側視圖。
在靠近第1基板搬運構件30的上鈎爪32a及下鈎爪32b之臂34，作為基板停止構件的晶圓止動器70係以從下鈎爪32b在垂直方向上方延伸的狀態設置。晶圓止動器70，亦可作為例如將基板在垂直方向進行排列之整列板來使用。
晶圓止動器70係沿著第1基板搬運構件30的外形而形成。又，晶圓止動器70的上端面，如第4圖所示，係配置在比第1基板搬運構件30的上鈎爪32a上的晶圓1的上面更上方。藉此，第2基板搬運構件40會旋轉，即使有越位的情況時，晶圓1也會被晶圓止動器70制止，可防止晶圓1疊上晶圓止動器70。又，晶圓止動器70係被配置在不與第2基板搬運構件40互相干擾的位置。由於設置晶圓止動器70，防止晶圓1從第1基板搬運構件30偏離而載置到第1基板載置台37上。又，由於將晶圓止動器70配置在不與第2基板搬運構件40互相干擾之位置，可使第1基板搬運構件30及第2基板搬運構件40同時存在於第1處理部36的第1基板載置台37上。藉此，可提高產能。
第5圖係顯示處理部16內的第2基板搬運構件40在第2處理部38待機時(基板處理時)的樣子。
第2基板搬運構件40具有由較晶圓外徑更大的圓弧部43a；與由圓弧部43a切口之切口部43b；從圓弧部43a朝向圓弧部中心大致水平地設置之載置晶圓的爪部43c；及設有支撐圓弧部43a之框部43d之臂47。
圓弧部43a與框部43d係連續地形成，從臂47大致水平地裝設，透過爪部43c可支撐晶圓1。
臂47係以在垂直方向延伸之軸部43e作為旋轉軸而旋轉，同時能朝垂直方向升降。
切口部43b係配置在當軸部43e旋轉，而位於第1處理部36側時，在與搬運室12與處理室16之間的閘門閥35相對之位置。
因此，第2基板搬運構件40會升降，作為係旋轉軸之軸部43e會旋轉。由於如此動作之進行，藉由第1基板搬運構件30被搬運到處理室16內的2片晶圓之中，可將1片晶圓從第1處理部36上方搬運載置到位於搬運室12之遠處的第2處理部38。
第2基板搬運構件40係因藉由從第1基板載置台37及第2基板載置台41之熱輻射形成高溫(約250℃)，較佳由具耐電漿性、耐高熱性之例如氧化鋁陶瓷(純度99.6%以上)、石英、SiC(碳化矽)、AlN(氮化鋁)等所形成。由於由相對於金屬零件熱膨脹係數較小例如氧化鋁陶瓷(純度99.6%以上)所形成，可防止由熱變形所導致的彎曲等而造成的搬運可靠度劣化。但是，在第2基板搬運構件40的基部因為位置、水平調整的需求而使用金屬零件。
第1基板載置台37及第2基板載置台41係在處理室16內藉由固定構件(不圖示)固定在裝置本體11。又，在第1基板載置台37的外圍，作為基板保持部的3個第1基板保持銷39a係貫通在垂直方向，基板保持銷上下升降，因此使基板大致水平地升降。又，在第2基板載置台41的外圍，作為基板保持部的3個第2基板保持銷39b貫通在垂直方向，基板保持銷上下升降，因此基板大致水平地升降。因此，透過閘門閥35藉由第1基板搬運構件30搬運之晶圓係透過基板保持銷39a、39b而載置於基板載置台上。也就是說，藉由控制器84之控制，由於馬達會旋轉及反向旋轉，使第1基板保持銷39a、第2基板保持銷39b會在上下方向移動。
在第6圖及第7圖顯示在處理室16內晶圓傳送流程的概要。
關於第6(a)~(d)圖及第7(e)~(h)圖，上圖為處理室16的俯視圖。下圖為描繪上圖之截面圖，而為說明用的圖面。
在下圖，基板保持銷39a之一被設置在第1處理部36之內，接近閘門閥35的位置。此乃為了說明上的方便。實際上如上圖，在第1處理部36之內，接近閘門閥35的位置，即第1基板搬運構件30在如第6(c)圖之上圖之待機位置，並無設置基板保持銷39a。
首先，處理室16內係與搬運室12同壓地被真空化。此外，在以下的說明，構成基板處理裝置10之各部的動作係藉由控制器84予以控制。
(第1步驟第6(a)圖)
打開閘門閥35，而第1基板載置台37之第1基板保持銷39a與第2基板載置台41的第2基板保持銷39b會上升。第2基板搬運構件40在第2處理部38側待機，與第1基板保持銷39a、第2基板保持銷39b一起上升。
(第2步驟第6(b)圖)
由於軸部43e會旋轉第2基板搬運構件40大致水平地移動到第1處理部36側。此時，第2基板搬運構件40的切口部43b，係與閘門閥35相對。
(第3步驟第6(c)圖)
第1基板搬運構件30一面將載置於上鈎爪32a及下鈎爪32b之2片晶圓同時搬運，一面透過閘門閥35從搬運室12移動到處理室16，而停止在第1處理部36上方。此時，第2基板搬運構件40係待機在收容於鈎爪對32的上鈎爪32a及下鈎爪32b之間的高位置。在此，晶圓止動器70因為被設定在比旋轉時之晶圓高度更高，所以成為抑制晶圓越位。又，由於設置在靠近上鈎爪32a及下鈎爪32b之臂的部位，因此可防止旋轉時與晶圓1的互相干擾。
(第4步驟第6(d)圖)
第1基板搬運構件30維持原狀不動的狀態，第1基板載置台37的第1基板保持銷39a會上升，將載置於下鈎爪32b之晶圓載置在第1基板保持銷39a上。再者，因為第2基板搬運構件40會上升，所以將載置在上鈎爪32a的晶圓載置於第2基板搬運構件40的爪部43c上。
(第5步驟第7(e)圖)
第1基板搬運構件30回到搬運室12內。在此、藉由設置晶圓止動器70，即使當第1基板搬運構件30的收縮動作時，可防止晶圓1的干涉。
(第6步驟第7(f)圖)
第2基板搬運構件40係在載置晶圓1的狀態下，由於軸部43e會旋轉所以大致水平地朝向第2處理部38側移動。
閘門閥35會關閉。
(第7步驟第7(g)圖)
軸部43e會下降，第2基板搬運構件40，係朝向第2基板載置台41的外周下方移動。
因為第2基板搬運構件40在晶圓處理中也在處理室16內待機，所以會阻礙從第2處理部38上方供應之處理氣體(例如O2 基等)之氣體的流動，有惡化晶圓面內的均勻性之虞。因此，需向不阻礙第2基板載置台41之外周的氣體流動之高度移動。
(第8步驟第7(h)圖)
第1基板載置台37之第1基板保持銷39a及第2基板載置台41之第2基板保持銷39b將晶圓1保持在大致水平的狀態下幾乎同時的下降，將晶圓1載置於第1基板載置台37及第2基板載置台41。即，各個的晶圓與對應於該等的晶圓之基板載置台的距離能以互相相等的方式使晶圓下降。
因為要使第1處理部36及第2處理部38對各個晶圓的熱影響相同之故。由於使熱影響相同，例如可使各個晶圓的蝕刻率均勻。基板處理為　CVD(Chemical Vapor Deposition)的情況，可以使各個的膜厚達到大致相同的厚度。
此外，沒有必要使熱影響完全相同，只要能使蝕刻率或膜厚均勻，即使有誤差亦可。各基板載置之時間的誤差，例如為2秒左右。
使第1基板保持銷39a與第2基板保持銷39b大致同時下降，使熱影響相同之外，亦可個別控制加熱器64。
又，在本裝置，基板保持銷39雖會下降，但亦可作成第1基板載置台37及第2基板載置台41上下之構成。
其後，將氣體供應到處理室16內，進行電漿生成(蝕刻處理)，基板處理後，實施相反的順序，將基板搬出。
第8圖係比較例之基板處理裝置50的整體構成圖，顯示從裝置50上面觀看概念圖。
比較例之基板處理裝置50之構成為有存放晶圓之承載室52為2室，具有使晶圓傳送至各室之機器手臂的搬運室54為1室，處理晶圓之處理室56為2室，在處理室1室成為僅處理1片之晶圓。
在第9圖係顯示比較例之基板處理裝置50的處理室56內晶圓傳送之流程的概要。
此外，在以下的說明，構成比較例之基板處理裝置50之各部的動作係藉由控制器86予以控制。
首先，處理室56內係被真空化至與搬運室54同壓。
(第1步驟)
閘門閥62會打開。
(第2步驟)
第3基板搬運構件60一面搬運晶圓1，一面透過閘門閥62從搬運室54移動到處理室56內，而在基板載置台66上方停止。在此，第3基板搬運構件60係可將晶圓一片一片地搬運。
(第3步驟)
第3基板搬運構件60維持原狀不動的狀態，基板保持銷68會上升，而晶圓1被載置在基板保持銷68上。
(第4步驟)
第3基板搬運構件60，回到搬運室54內。
(第5步驟)
基板保持銷68係將晶圓1保持大致水平狀態下下降，而載置於基板載置台66上，完成晶圓載置。
閘門閥62會關閉。
其後，供應氣體至處理室56內，進行電漿生成(蝕刻處理)，基板處理後，實行相反的順序，將基板運出。
如上述，根據本發明，作為4反應室之保持裝置，若與比較例之基板處理裝置50比較，則可以節省占地面積配置。又，如第10圖所示，根據依據本發明之實施形態的基板處理裝置10，因為沒有將晶圓1在橫向移動之處理室16，而有向深處進行之複數的處理室16，可使裝置10的橫向寬度變窄，而可配置複數個裝置10。又，根據本發明，除了從搬運室搬運晶圓之第1基板搬運構件30之外，因為亦具有第2基板搬運構件40，所以第1基板搬運構件30與第2基板搬運構件40可同時執行別的動作，而可對應高產能。又，由於第2基板搬運構件40被配置在處理室16內，所以在處理室16內部維持減壓/高溫的原狀下可搬運晶圓，第2基板搬運構件40為如氧化鋁陶瓷製的情況時，可將第2基板搬運構件40留在處理室16內的原狀下處理。再者，因為流用既存之基板處理裝置，可使變更點減少。
因此，根據本發明，可在維持節省占地面積配置的狀況使產能倍增。
第11圖係顯示本發明之第2實施形態。
在第2實施形態之基板處理裝置，係將上述之第1基板載置台37與第2基板載置台41作為1片的基板載置台65。在處理室16的中央，形成間壁68，而構成第1處理部36與第2處理部38。在第1處理部36與第2處理部38的上方分別從氣體供應管69供應處理氣體，而從氣體排氣管71排氣。在基板載置台65內插有加熱器64。在基板載置台65的中心，設置有使基板載置台65升降之升降機構67。在此，藉由使基板載置台65上升，使第1處理部36的晶圓1與加熱器64的距離，與第2處理部38的晶圓1與加熱器64的距離相同。
根據本發明之第2實施形態，由於將升降機構67設置於裝置本體的中心，所以能以簡易的構成平衡良好地升降基板載置台65，與各晶圓1之距離不容易產生偏差。即，使第1處理部36及第2處理部38對晶圓的熱影響相同，而可使蝕刻率均勻。
假設在使2個基板載置台上升情況下，對於每個基板載置台，基板載置台之升降機構是必要的，以致成本增加。又，各個基板載置台有必要調整加熱器64與晶圓1的距離，維修作業增加，維修成本也增加。又，在將一個加熱器埋入一個基板載置台之中的情況下，由於加熱器的加熱控制部只要一個即足夠，而不必多花費成本，且控制變為簡單。
第12圖係說明有關本發明的第3實施形態。
在第3實施形態之基板處理裝置，則具有2個基板載置台65，在2個基板載置台65分別內插有加熱器64。從處理室16的中央，處理室16完全透過間壁68隔離，而構成第1處理部36及第2處理部38。在第1處理部36與第2處理部38的上方分別從氣體供應管69供應處理氣體，而從氣體排氣管71排氣。
在第3實施形態，則與本發明的實施形態同樣，使第1處理部36的晶圓1與加熱器64的距離，與第2處理部38的晶圓1與加熱器64的距離相同。即，以來自加熱器對各個基板的熱影響水準相同的方式，使2個基板載置台65的基板保持銷39分別同時下降。
根據本發明之第3實施形態，因為處理室16被隔離，電漿將均勻地分佈在晶圓1上。
藉此，第1處理部36與第2處理部38，以同樣的溫度且相同的條件曝露在電漿中，可將均勻地對基板電漿處理。
又，本發明不限於以電漿處理基板之電漿處理裝置，半導體製造技術，尤其是，關於把被處理基板收容在處理室，在透過加熱器加熱之狀態下施以處理之熱處理技術，例如可利用於對製作有半導體積體電路裝置(半導體裝置)之半導體晶圓之氧化處理或擴散處理、離子植入後之載子活性化或平坦化用之回流或退火及使用熱CVD反應之成膜處理等之基板處理裝置而適用於有效者。
根據本發明之一形態，提供一種基板處理裝置具有：搬運室；及處理基板之處理室；該搬運室具有將基板從該搬運室搬運到該處理室之第1基板搬運構件；該處理室具有第1處理部，係與該搬運室鄰接，具有第1基板載置台；第2處理部，係鄰接於該第1處理部之內、與該搬運室不同的側，具有第2基板載置台；第2基板搬運構件，係在該第1處理部與該第2處理部之間搬運基板；及控制部，係至少控制該第2基板搬運構件。藉此，可提高產能。
理想上，該處理室至少設置二個，分別設置在該搬運室的一面。藉此，可兼顧產能的提高與經營成本(CoO,Cost of Ownership)之維持。
理想上，該處理室至少設置二個，從該處理室看，各個處理室的長度方向係配置在同方向。藉此，可兼顧產能的提高與成本之維持。
理想上，該第1處理部與該第2處理部，各個處理室係連通，該第2基板搬運構件具有：軸部、載置基板之圓弧部、及從該圓弧部予以切口之切口部，該軸部係構成為在垂直方向上升降而旋轉，該切口部係構成為與形成在該搬運室及該處理室之間的閘門閥相對。藉此，在連通之處理室，可將基板從一方的處理部搬運載置到另一方的處理部。又，藉由基板處理時將第2基板搬運構件下降，不會成為排氣的障礙。
理想上，該第1處理部具有使基板水平升降的基板保持部。藉此，對基板將有相同之熱影響。
理想上，該控制部係藉由該基板保持部，從配設於該第1處理部之具有第1加熱器的第1基板載置台上面，將基板以所欲的距離暫時待機，並藉由該第2基板搬運構件，從配設於該第2處理部之具有第2加熱器的第2基板載置台上面，將基板以該所欲的距離待機。藉此，從加熱器之加熱狀況將會相同，對於基板的熱影響亦會相同。
理想上，該控制部在該第1基板載置台與該第2基板載置台分別使基板待機後，透過該基板保持部使該第1基板載置台與該第1基板載置台上的基板下降，透過該第2基板搬運構件使該第2基板載置台與該第2基板載置台上的基板下降，當分別使其下降時，該第1基板載置台與該第1基板載置台上的基板，及該第2基板載置台與該第2基板載置台上的基板之距離成為相同的距離。藉此，使各別的基板與加熱器的距離相同，加熱條件將會相同，對於基板的熱影響亦會相同。
理想上，該第1基板搬運構件與該第2基板搬運構件係被配設於該第1處理部，以在具有第1加熱器之第1基板載置台上面待機的方式構成，該第1基板搬運構件係在與該第2基板搬運構件不接觸的位置具有基板停止構件。藉此，因為可在把第1基板搬運構件與該第2基板搬運構件同時在一方的處理部上待機的狀況下，進行基板之傳送，所以能以高產能搬運基板。
理想上，該基板停止構件係上端被配置在比載置於該第2基板搬運構件之基板更上方。藉此，在進行載置時，可防止基板從基板載置台飛出，防止基板的破損。
又，根據本發明之另一形態，提供一種基板處理裝置，具有：分別處理基板之第1處理部及第2處理部的處理室；至少一個基板載置台，係內裝在該處理室，具有加熱基板之加熱器；設在該第1處理部之第1基板搬運機構；設在該第2處理部之第2基板搬運機構；及控制部，在將基板載置於該基板載置台時，以使該第1基板搬運機構與該加熱器的距離，及該第2基板搬運機構與該加熱器的距離成為相同的方式，相對地控制第1基板搬運機構和該第2基板搬運機構，或該基板載置台。藉此，使各個基板與加熱器的距離相同，加熱條件將會相同，對基板之熱影響亦會相同。
又，根據本發明之另一形態，提供一種基板處理方法，包括：將至少2片基板供給至具有第1處理部、第2處理部、及載置基板之基板載置台的處理室之步驟；將該至少2片基板分別載置於該第1處理部之第1基板搬運機構及該第2處理部的第2基板搬運機構之步驟；及當將基板載置於該基板載置台時，以使該第1基板搬運機構與內含在該基板載置台之加熱器的距離，及該第2基板搬運機構與內含在該基板載置台之加熱器的距離成為相同的方式，相對地控制該第1基板搬運機構與該第2基板搬運機構或者是該基板載置台之步驟。藉此，使各個基板與加熱器的距離相同，加熱條件將會相同，對基板之熱影響亦會相同。
1．．．晶圓
10．．．基板處理裝置
12．．．搬運室
14．．．承載室
16．．．處理室
30．．．第1基板搬運構件
35．．．閘門閥
36．．．第1處理部
38．．．第2處理部
39．．．基板保持銷
40．．．第2基板搬運構件
64．．．加熱器
70．．．晶圓止動器
第1圖係用於本發明之實施形態的基板處理裝置之整體構成圖，從上面觀看的概念圖。
第2圖係用於本發明之實施形態的基板處理裝置之整體構成圖的縱截面圖。
第3圖係顯示在本發明之實施形態的基板處理裝置之處理室的立體圖。
第4圖係為了說明在本發明之實施形態的基板處理裝置之晶圓止動器與晶圓的位置關係圖。
第5圖係在本發明之實施形態的基板處理時之第2基板搬運構件周邊從上面觀看的視圖。
第6圖係在本發明之實施形態的處理室從上面觀看的視圖，顯示晶圓傳送的流程。
第7圖係在本發明之實施形態的處理室從上面觀看的視圖，顯示第6圖之晶圓傳送的連續流程。
第8圖係比較例之基板處理裝置的整體構成圖，為從上面觀看的視圖概念圖。
第9圖係比較例之基板處理裝置的處理室內從上面觀看的視圖，顯示晶圓傳送的流程。
第10圖係顯示根據本發明之實施形態的基板處理裝置10的配置例。
第11圖係顯示根據本發明之第2實施形態的基板處理裝置。
第12圖係顯示根據本發明之第3實施形態的基板處理裝置。
11‧‧‧基板處理裝置
16‧‧‧處理室
12‧‧‧搬運室
35‧‧‧閘門閥
36‧‧‧第1處理部
37‧‧‧第1基板載置台
38‧‧‧第2處理部
39a、39b‧‧‧基板保持銷
40‧‧‧第2基板搬運構件
41‧‧‧第2基板載置台
43a‧‧‧圓弧部
43c‧‧‧爪部
43d‧‧‧框部
43e‧‧‧軸部
47‧‧‧臂
48‧‧‧境界壁

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，具有：搬運室；及處理室，係處理基板；第1基板搬運構件，將基板從該搬運室搬運到該處理室；第1基板載置台，係具有將所載置的基板加熱之第1加熱器；第2基板載置台，係具有將所載置的基板加熱之第2加熱器；第1基板保持部，係在該第1基板載置台上維持既定距離而保持基板；第2基板保持部，係在該第2基板載置台上維持該既定距離而保持基板；第2基板搬運構件，係設置在該第1基板載置台與該第2基板載置台之間，從該第1基板搬運構件接承基板，再將基板載置於該第2基板保持部，在進行該基板的處理時，可待機於該第1基板載置台或該第2基板載置台的外周下側；及該處理室包含有該第1基板載置台、該第2基板載置台和該第2基板搬運構件，設置有該第1基板載置台與該第2基板載置台的空間是連通的。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該處理 室係至少設置2個，且分別設置在該搬運室的一面。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該第2基板搬運構件具有：軸部、載置基板之圓弧部、及從該圓弧部予以切口之切口部，該軸部係構成為在垂直方向上升降、旋轉，該切口部係構成為與形成在該搬運室及該處理室之間的閘門閥相對。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該第1基板保持部係構成相對於該基板移動，以使載置於該第2基板保持部的基板和該第2加熱器之間的距離，與載置於該第1基板保持部的基板和該第1加熱器之間的距離相同。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，又具有承載室(load lock)，其係具有基板支撐體，該基板支撐體在垂直方向上移動，且以延伸於垂直方向的旋轉軸旋轉。
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