JP2012069628A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高温の基板を冷却する際に、基板と基板支持部との摩擦により生じる傷を抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を、基板に熱処理を施す処理室と、前記処理室に接続され基板を搬送する基板搬送装置を備える搬送室と、前記搬送室に接続され前記処理室で熱処理された基板を冷却する冷却室とを備えるように構成し、さらに、前記冷却室内には、基板を支持するための基板支持部を備え、前記熱処理された基板を基板支持部で支持して冷却する際に、前記基板支持部により基板裏面に形成される傷の長さが０．２５ｍｍ以下となるように、前記基板支持部が基板裏面の３ヶ所以上の位置を支持するように構成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、供給された処理用ガスを用いて、半導体ウェハ等の基板を処理する基板処理技術に関するものであり、特に、基板を１枚又は数枚単位で処理する枚葉処理装置において、基板処理後に処理室から高温状態で搬出される基板の温度を低下させる際に、該温度低下に伴って、基板の載置面（裏面）が傷付くことを抑制することのできる基板処理装置に関する。

枚葉処理装置でＩＣの回路を製造する過程では、処理用ガスを用いて、様々な方法で基板表面に成膜等の基板処理を行っている。例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法では、気相反応を用いて、加熱処理等により膜の堆積等をしている。処理室において例えば６００℃の高温で処理された基板を搬出した後、該基板を基板収容器（キャリヤ）に収容するため、冷却室内の基板支持部に載置して冷却する。下記の特許文献１には、処理後の基板を冷却するようにした枚葉処理装置が記載されている。
従来、例えば、図５に示すように、冷却室内において、直径３００ｍｍのウェハの裏面を、Ａ点４ヶ所、Ｂ点３ヶ所、Ｃ点１ヶ所の計７ヶ所の基板支持部で支持し、１８０℃程度から室温（２５℃）程度まで冷却している。図５は、従来例における基板支持部の位置を示す図である。ウェハ中心からの距離は、Ａ点が１３３ｍｍ、Ｂ点が６３ｍｍ、Ｃ点が１０ｍｍである。
このとき、ウェハ冷却中にウェハ裏面に付いた傷は、Ａ点以外のＢ点やＣ点では小さく、問題とならないが、Ａ点の傷は大きく、後工程において問題となる。

特開２０１０−９８２４７号公報

Ａ点の傷の様子を調べたところ、図５のウェハの外側に示すように、Ａ点の傷は、ウェハの中心から放射状に、外方向に伸びており、その長さは３５０〜４００μｍであることが判明した。このＡ点の傷の様子から、傷の原因は、ウェハの熱収縮に伴い、ウェハ裏面と基板支持部とが擦れ合って生じたものと考えられる。
本発明は、高温の基板を冷却する際に、基板と基板支持部との摩擦により生じる傷を抑制することのできる基板処理装置を提供することを目的とするものである。

本明細書において開示される基板処理装置に関する発明のうち、代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
基板に熱処理を施す処理室と、
前記処理室に接続され、基板を搬送する基板搬送装置を備える搬送室と、
前記搬送室に接続され、前記処理室で熱処理された基板を冷却する冷却室とを備える基板処理装置であって、
前記冷却室内に基板を支持するための基板支持部を備え、前記熱処理された基板を前記基板支持部で支持して冷却する際に、前記基板支持部により基板裏面に形成される傷の長さが０．２５ｍｍ以下となるように、前記基板支持部が、基板裏面の３ヶ所以上の位置を支持するようにした基板処理装置。

上記のように基板処理装置を構成すると、高温の基板を冷却する際に、基板と基板支持部との摩擦により生じる傷を抑制することができ、基板裏面に形成される傷を、露光工程等の後工程で問題とならない大きさにすることができる。

本発明の実施例に係る基板処理装置を、上面から見た断面図である。 本発明の実施例に係る基板処理装置を、側面から見た断面図である。 本発明の実施例に係る基板支持部の位置を示す図である。 基板支持部の位置と傷の大きさの関係を示す図である。 従来例における基板支持部の位置を示す図である。

本発明の実施例に係る基板処理装置について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、基板処理装置を上面から見た図であり、図２は、基板処理装置を側面から見た図である。
なお、本発明が適用される基板処理装置においては、ウェハなどの基板を搬送するキャリヤとして、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用される。また、以下の説明において、前後左右は、図１のＸ１方向を右、Ｘ２方向を左、Ｙ１方向を前、Ｙ１方向を後とする。

図１および図２に示されているように、基板処理装置は、第１搬送室１０３を備えている。第１搬送室１０３は、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得る構造として構成されている。第１搬送室１０３の筐体１０１は、平面視（上側から見た形）が六角形で、上下両端が閉塞された箱形状に形成されている。第１搬送室１０３には、第１ウェハ移載機１１２が設置されている。第１ウェハ移載機１１２は、負圧下においてウェハ２００を移載可能である。第１ウェハ移載機１１２は、第１搬送室１０３の気密性を維持した状態で、エレベータ１１５によって、昇降できるように構成されている。

筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得る構造に構成されている。さらに、予備室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。

予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第２搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第２搬送室１２１にはウェハ２００を移載する第２ウェハ移載機１２４が設置されている。第２ウェハ移載機１２４は第２搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
図１に示されているように、第２搬送室１２１の左側にはノッチまたはオリフラ合わせ装置（プリアライナ）１０６が設置されている。また、図２示されているように、第２搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。

図１および図２に示されているように、第２搬送室１２１の筐体１２５の前側には、ウェハ２００を第２搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。ウェハ搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはＩＯステージ１０５が設置されている。ポッドオープナ１０８は、ポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共にウェハ搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２と、クロージャ１４２を駆動する駆動機構１３６とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対するウェハ２００の出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ：Rail Guided Vehicle）によって、ＩＯステージ１０５に対して、供給および排出されるようになっている。

図１に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち後ろ側（背面側）に位置する二枚の側壁には、ウェハに所望の処理を行う第１処理炉２０２と、第２処理炉１３７とがゲートバルブ１３０、１３１を介してそれぞれ隣接して連結されている。第１処理炉２０２および第２処理炉１３７はいずれもコールドウォール式の処理炉によって構成されている。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第１クーリングユニット１３８と、第２クーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されている。第１クーリングユニット１３８および第２クーリングユニット１３９は、いずれも処理済みのウェハ２００を冷却する基板冷却室として構成され、真空状態でウェハ２００を冷却するが、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスを流しながら冷却するように構成してもよい。

また、図１、図２に示すように、制御部としてのコントローラ２８１は、信号線Ａを通じて真空搬送ロボット１１２、信号線Ｂを通じて大気搬送ロボット１２４、信号線Ｃを通じてゲートバルブ１２７，１２８，１２９，１３０，１３１，２４４、信号線Ｄを通じてポッドオープナ１０８、信号線Ｅを通じてプリアライナ１０６、信号線Ｆを通じてクリーンユニット１１８と接続される等、基板処理装置を構成する各構成部と電気的に接続され、更に各構成部の動作を制御するように構成されている。

第１クーリングユニット１３８内および第２クーリングユニット１３９内には、ウェハ２００を支持する基板支持部が複数設けられている。基板支持部は、半球状の凸部形状であり、該半球状の凸部で、ウェハ２００の裏面を支持する。前記半球状の凸部の半径は約３ｍｍである。また、基板支持部の材質は石英である。

次に、基板支持部の位置と傷の大きさの関係について、図４を用いて説明する。図４は、基板支持部の位置と傷の大きさの関係を示す図である。すなわち、基板が基板温度１８０℃から２５℃に冷却され、基板が収縮するときに、基板支持部と基板が擦れ、基板裏面に形成される傷の長さと、基板支持部の位置（基板中心からの距離）の関係を示す図である。図４において、縦軸は傷の長さ、横軸は基板中心からの距離を示す。図４に示すように、基板裏面に形成される傷の長さは、基板中心からの距離に比例する。なお、基板裏面に形成される傷の長さは、熱膨張係数と温度差（この場合は、１８０℃−２５℃＝１５５℃）と基板中心からの距離との積で算出することができる。
図４に示すように、傷の長さは、ウェハ２００の中心から６５ｍｍの位置では約２４０μｍである。

冷却前の基板は、全方向に等しく熱膨張していると考えられるため、基板中心付近では、熱膨張による基板形状の変化量は少なく、基板中心からの距離が長くなるほど、熱膨張による基板形状の変化量は多くなる。したがって、基板が冷却され、基板が収縮するときにおける、基板支持部と基板が擦れる長さ、つまり、基板裏面に形成される傷の長さは、基板中心からの距離に比例する。

次に、本発明の実施例に係る基板支持部の位置について、図３を用いて説明する。図３は、本発明の実施例に係る基板支持部の位置を示す図である。図３において、エリア１は、ウェハ最外周の位置であり、ウェハ２００の縁から５ｍｍ以内の領域である。例えば、直径３００ｍｍのウェハの場合は、エリア１は、ウェハ２００の中心から１４５ｍｍ以上外側の領域となる。エリア１は、製品（半導体装置等のデバイス）として使用されない領域なので、裏面に傷が付いたとしても問題とならない。したがって、エリア１内において、３ヶ所以上でウェハを支持すればよい。

あるいは、エリア１内でウェハを支持するのではなく、図３のエリア２内でウェハを支持することもできる。図３において、エリア２は、ウェハ２００の中心から６５ｍｍ以内の領域である。例えば、５００℃以下の熱処理プロセスの場合、シリコン（Ｓｉ）の熱膨張係数は２４Ｅ−６なので、ウェハの熱収縮による位置ズレは、ウェハ２００の中心から６５ｍｍの位置では、計算上は約２４０μｍとなる。実際には、ウェハの撓みなどにより一部相殺されるので、２００μｍ程度となる。２４０〜２００μｍ程度の傷は、現状では、裏面傷として問題とならない。したがって、エリア２内において、３ヶ所以上でウェハを支持すればよい。

ここで、ウェハの熱収縮による位置ズレが、ウェハの撓みにより相殺される理由は、次の通りである。すなわち、基板支持部に載置されたウェハは、自重と温度により、その中心部が周辺部よりも下方となるように、曲面を描くように撓む。ウェハが熱収縮するとき、基板支持部上のウェハ裏面には内向きの力が働く。一方、ウェハが冷却され収縮すると、ウェハの撓みが是正され曲面がより平面に近づくので、基板支持部上のウェハ裏面に外向きの力が働く。かくして、ウェハの熱収縮による位置ズレは、ウェハの撓みにより一部相殺される。

上述したように、エリア２内において、３ヶ所以上でウェハ２００を支持する場合は、熱処理されたウェハ２００を冷却する際に、基板支持部によりウェハ２００裏面に形成される傷の長さを０．２５ｍｍ以下とすることができ、ウェハ２００裏面に形成される傷の長さを、露光工程等の後工程で問題とならない大きさにすることができる。
なお、エリア２を、ウェハ２００の中心より５ｍｍ以上で６５ｍｍ以内の位置としてもよい。ウェハ２００の中心より５ｍｍ以上の位置であれば、基板支持部を３ヶ所以上設けることが容易である。
ウェハ２００の中心より５ｍｍ以上で６５ｍｍ以内の位置では、ウェハ２００裏面に形成される傷の長さを、０．０１８ｍｍ以上で０．２５ｍｍ以下とすることができ、露光工程等の後工程で問題とならない。

あるいは、エリア１内とエリア２内の両方に基板支持部を位置させて、エリア１内とエリア２内の計３ヶ所以上でウェハを支持するようにしてもよい。あるいは、エリア１内の１ヶ所以上とエリア２内の３ヶ所以上でウェハを支持するようにしてもよい。このようにしても、ウェハ２００裏面に形成される傷の長さを、露光工程等の後工程で問題とならない大きさにすることができる。

また、より高温の熱処理プロセスの場合は、ウェハの撓みが問題になることが懸念されるが、そのときは、エリア１内において３ヶ所以上でウェハを支持し、かつエリア２内において１ヶ所以上でウェハを支持すれば、ウェハの撓みの問題を解消できる。

以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程を説明する。
未処理のウェハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００のウェハ出し入れ口が開放される。

ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第２搬送室１２１に設置された第２ウェハ移載機１２４は、ポッド１００からウェハ２００をピックアップして予備室１２２に搬入し、ウェハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には、予備室１２２の第１搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第１搬送室１０３内の負圧は維持されている。ポッド１００に収納された所定枚数、例えば２５枚のウェハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。

予備室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ２４４が開かれ、予備室１２２と第１搬送室１０３とが連通される。続いて、第１搬送室１０３の第１ウェハ移載機１１２は基板置き台１４０からウェハ２００をピックアップして第１搬送室１０３に搬入する。ゲートバルブ２４４が閉じられた後、ゲートバルブ１３０が開かれ、第１搬送室１０３と第１処理炉２０２とが連通される。続いて第１ウェハ移載機１１２は、ウェハ２００を第１搬送室１０３から第１処理炉２０２に搬入して、第１処理炉２０２内の支持具に移載する。ゲートバルブ１３０が閉じられた後、第１処理炉２０２内は、所定の処理圧、所定の処理温度に調整され、第１処理炉２０２内に処理ガスが供給され、ウェハ２００に所望の処理が施される。

第１処理炉２０２でウェハ２００に対する処理が完了すると、ゲートバルブ１３０が開かれ、処理済みのウェハ２００は第１ウェハ移載機１１２によって第１搬送室１０３に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１３０は閉じられる。

第１ウェハ移載機１１２は第１処理炉２０２から搬出したウェハ２００を第１クーリングユニット１３８へ搬送し、処理済みのウェハは冷却される。

第１クーリングユニット１３８に処理済みウェハ２００を搬送すると、第１ウェハ移載機１１２は予備室１２２の基板置き台１４０に予め準備されたウェハ２００を前述した作動と同様に、第１処理炉２０２に搬送し、第１処理炉２０２内でウェハ２００に所望の処理が施される。

第１クーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウェハ２００は第１ウェハ移載機１１２によって第１クーリングユニット１３８から第１搬送室１０３に搬出される。

冷却済みのウェハ２００が第１クーリングユニット１３８から第１搬送室１０３に搬出されたのち、ゲートバルブ１２７が開かれる。第１ウェハ移載機１１２は第１クーリングユニット１３８から搬出したウェハ２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。

以上の作動が繰り返されることにより、予備室１２２内に搬入された所定枚数、例えば２５枚のウェハ２００が順次処理されて行く。

予備室１２２内に搬入された全てのウェハ２００に対する処理が終了し、全ての処理済みウェハ２００が予備室１２３に収納され、予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。続いて、第２搬送室１２１の第２ウェハ移載機１２４は基板置き台１４１からウェハ２００をピックアップして第２搬送室１２１に搬出し、第２搬送室１２１のウェハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。２５枚の処理済みウェハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。

以上の作動は第１処理炉２０２および第１クーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第２処理炉１３７および第２クーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。また、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。

また、第１処理炉２０２と第２処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第１処理炉２０２と第２処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第１処理炉２０２でウェハ２００にある処理を行った後、続けて第２処理炉１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第１処理炉２０２でウェハ２００にある処理を行った後、第２処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第１クーリングユニット１３８又は第２クーリングユニット１３９を経由するようにしてもよい。

本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。本発明は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。

本明細書には、少なくとも次の発明が含まれる。すなわち、第１の発明は、
基板に熱処理を施す処理室と、
前記処理室に接続され、基板を搬送する基板搬送装置を備える搬送室と、
前記搬送室に接続され、前記処理室で熱処理された基板を冷却する冷却室とを備える基板処理装置であって、
前記冷却室内に基板を支持するための基板支持部を備え、前記熱処理された基板を前記基板支持部で支持して冷却する際に、前記基板支持部により基板裏面に形成される傷の長さが０．２５ｍｍ以下となるように、前記基板支持部が、基板裏面の３ヶ所以上の位置を支持するようにした基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板裏面に形成される傷の長さが０．２５ｍｍ以下となる位置を基板支持部が支持するので、基板裏面に形成される傷を、露光工程等の後工程で問題とならない大きさにすることができる。

なお、前記第１の発明において、基板裏面に形成される傷の長さが０．０１８ｍｍ以上で０．２５ｍｍ以下となる基板裏面の３ヶ所以上の位置を、前記基板支持部が支持するようにしてもよい。現状では、０．０１８ｍｍ以上で０．２５ｍｍ以下の長さの傷は、露光工程等の後工程で問題とならず、また、上記のようにすると、基板支持部を３ヶ所以上設けることが容易である。

第２の発明は、前記第１の発明の基板処理装置であって、
前記基板裏面に形成される傷の長さが０．２５ｍｍ以下となる位置は、前記基板の中心より６５ｍｍ以内の位置である基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板の中心から６５ｍｍ以内の位置を基板支持部が支持するので、基板裏面に形成される傷を、露光工程等の後工程で問題とならない大きさにすることができる。

なお、前記第２の発明において、前記基板裏面に形成される傷の長さが０．２５ｍｍ以下となる位置を、前記基板の中心より５ｍｍ以上で６５ｍｍ以内の位置としてもよい。基板の中心より５ｍｍ以上の位置であれば、基板支持部を３ヶ所以上設けることが容易である。

第３の発明は、
基板に熱処理を施す処理室と、
前記処理室に接続され、基板を搬送する基板搬送装置を備える搬送室と、
前記搬送室に接続され、前記処理室で熱処理された基板を冷却する冷却室とを備える基板処理装置であって、
前記冷却室内に基板を支持するための基板支持部を備え、基板の縁から５ｍｍ以内となる位置および基板の中心から６５ｍｍ以内の位置のうち、計３ヶ所以上の基板裏面の位置を、前記基板支持部が支持するようにした基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、基板支持部が基板を安定して支持することができ、また、基板の縁から５ｍｍ以内の位置では、傷が大きくても製品として使用されないので、傷が問題とならない。

第４の発明は、前記第１の発明ないし第３の発明の基板処理装置であって、
前記基板支持部で支持される基板の直径が３００ｍｍ以上である基板処理装置。

第５の発明は、
真空搬送ロボットが基板を処理室に搬入する工程と、
前記処理室が前記基板に熱処理を施す工程と、
前記真空搬送ロボットが、前記熱処理が施された基板を前記処理室から搬出する工程と、
前記真空搬送ロボットが、前記熱処理が施された基板を、冷却室に搬入する工程と、
前記真空搬送ロボットが、前記冷却室内に設けられ、前記基板の支持部を前記基板の裏面に形成される傷が０．２５ｍｍ以下となるような位置に３ヶ所以上有する基板載置台に載置し冷却する工程と、
前記真空搬送ロボットが、前記基板を前記冷却室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
このように半導体装置の製造方法を構成すると、半導体装置の基板裏面に形成される傷を、露光工程等の後工程で問題とならない大きさにすることができる。

第６の発明は、
真空搬送ロボットが基板を処理室に搬入する工程と、
前記処理室が前記基板に熱処理を施す工程と、
前記真空搬送ロボットが、前記熱処理が施された基板を前記処理室から搬出する工程と、
前記真空搬送ロボットが、前記熱処理が施された基板を、冷却室に搬入する工程と、
前記真空搬送ロボットが、前記冷却室内に設けられ、前記基板の支持部を前記基板の縁から５ｍｍ以内となる位置および基板の中心から６５ｍｍ以内の位置のうち、計３ヶ所以上有する基板載置台に載置し冷却する工程と、
前記真空搬送ロボットが、前記基板を前記冷却室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
このように半導体装置の製造方法を構成すると、製造される半導体装置が形成される基板を、基板支持部が安定して支持することができ、また、基板の縁から５ｍｍ以内の位置では、傷が大きくても製品として使用されないので、傷が問題とならない。

１００・・ポッド、１００ａ・・キャップ、１０１・・筐体、１０３・・第１搬送室、１０５・・Ｉ／Ｏステージ、１０６・・ノッチ合わせ装置、１０８・・ポッドオープナ、１１２・・第１ウェハ移載機、１１５・・エレベータ、１１８・・クリーンユニット、１２１・・第２搬送室、１２２・・搬入用予備室、１２３・・搬出用予備室、１２４・・第２ウェハ移載機、１２５・・筐体、１２６・・エレベータ、１２７・・ゲートバルブ、１２８・・ゲートバルブ、１２９・・ゲートバルブ、１３０・・ゲートバルブ、１３１・・ゲートバルブ、１３２・・リニアアクチュエータ、１３４・・ウェハ搬入出口、１３６・・駆動機構、１３７・・第２処理炉、１３８・・第１クーリングユニット、１３９・・第２クーリングユニット、１４０・・基板置き台、１４１・・基板置き台、１４２・・クロージャ、２００・・ウェハ、２０２・・第１処理炉、２４４・・ゲートバルブ、２８１・・コントローラ。

Claims (3)

1. 基板に熱処理を施す処理室と、
   前記処理室に接続され、基板を搬送する基板搬送装置を備える搬送室と、
   前記搬送室に接続され、前記処理室で熱処理された基板を冷却する冷却室とを備える基板処理装置であって、
   前記冷却室内に基板を支持するための基板支持部を備え、前記熱処理された基板を前記基板支持部で支持して冷却する際に、前記基板支持部により基板裏面に形成される傷の長さが０．２５ｍｍ以下となるように、前記基板支持部が、基板裏面の３ヶ所以上の位置を支持するようにした基板処理装置。
2. 前記基板裏面に形成される傷の長さが０．２５ｍｍ以下となる位置は、前記基板の中心より６５ｍｍ以内の位置である、請求項１に記載された基板処理装置。
3. 基板に熱処理を施す処理室と、
   前記処理室に接続され、基板を搬送する基板搬送装置を備える搬送室と、
   前記搬送室に接続され、前記処理室で熱処理された基板を冷却する冷却室とを備える基板処理装置であって、
   前記冷却室内に基板を支持するための基板支持部を備え、基板の縁から５ｍｍ以内となる位置および基板の中心から６５ｍｍ以内の位置のうち、計３ヶ所以上の基板裏面の位置を、前記基板支持部が支持するようにした基板処理装置。

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