JP4860167B2 - ロードロック装置，処理システム及び処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は，ロードロック装置，そのロードロック装置とＣＶＤ装置等の基板処理装置とを備えた処理システム，及び，その処理システムにおける基板の処理方法に関する。
例えばＬＣＤ基板等の製造工程においては，減圧雰囲気下で基板に成膜，エッチング，アッシング等の所定の処理を施す基板処理装置を複数備えた，いわゆるマルチチャンバー型の処理システムが使用されている（例えば，特許文献１参照）。このような処理システムには，基板を搬送する基板搬送装置を備えた搬送室と，その周囲に設けられた複数の基板処理装置とを有する処理部が備えられている。そして，基板搬送装置の搬送アームにより，基板が各基板処理装置に対して搬入出されるようになっている。
さらに，この処理システムには，カセットステーション等を備えた搬入出部，及び，搬入出部と処理部との間に設けられたロードロック装置が備えられている。ロードロック装置は，処理部内を真空に保持し，大気圧となっている搬入出部側に開放させないことを目的に設けられるものであり，例えば搬送室に隣接させて配置される。かかる構成において，搬入出部に搬送された基板は，先ずロードロック装置の搬入出部側に設けた搬入出口を通じて，ロードロック装置内に収納される。そして，ロードロック装置内が減圧され真空になった後，ロードロック装置の処理部側に設けた搬入出口が開かれて搬送室に連通させられると，基板搬送装置の搬送アームにより，基板がロードロック装置から搬出され，各基板処理装置に搬送される。また，各基板処理装置で処理された基板は，基板搬送装置の搬送アームにより取り出され，ロードロック装置の搬入出部側の搬入出口を通じて，ロードロック装置内に収納される。そして，ロードロック装置内が加圧され大気圧に戻ると，ロードロック装置の搬入出部側の搬入出口が開かれて，基板が搬入出部に戻されるようになっている。
かかるロードロック装置としては，ロードロック装置内で基板を予備加熱するためのヒータを備えたものが知られている（例えば，特許文献２参照。）。また，加熱用プレートと冷却用プレートとを備え，基板を搬入出部から処理部に搬入するときは，加熱用プレートによって基板を加熱し，基板を処理部から搬入出部に搬出するときは，冷却用プレートによって基板を冷却できるようにしたものが提案されている（例えば，特許文献１参照）。
特表２００４−５２３８８０号公報 特開２００１−２３９１４４号公報
しかしながら，従来のロードロック装置にあっては，基板を効率的に加熱又は冷却することが難しく，より効率的な加熱又は冷却手段が望まれていた。また，基板が熱応力の影響により反り返ってしまうことがあった。その場合，基板に割れが生じる，搬送時に搬送アーム等での保持が不安定になる，カセットに好適に収納されないなどの不都合が懸念されていた。
本発明の目的は，基板を好適に加熱又は冷却できるロードロック装置，該ロードロック装置を備えた処理システム，及び，該ロードロック装置を用いた処理方法を提供することにある。
上記課題を解決するため，本発明によれば，処理部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬入口と，前記処理部側に設けた搬出口とを備えた第一のロードロック装置と，処理部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬出口と，前記処理部側に設けた搬入口とを備えた第二のロードロック装置と，を上下に積み重ねて備えたロードロック装置であって，前記第二のロードロック装置は，基板を冷却する上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートを備え，前記第二のロードロック装置は，前記第一のロードロック装置の上に設けられ，前記第二のロードロック装置の上面冷却用プレートは昇降可能であることを特徴とする，ロードロック装置が提供される。
このロードロック装置において，前記第一のロードロック装置は，基板を加熱する上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートを備えても良い。この場合，前記下面加熱用プレートは，昇降可能であっても良い。
また，本発明によれば，処理部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬入口と，前記処理部側に設けた搬出口とを備えた第一のロードロック装置と，処理部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬出口と，前記処理部側に設けた搬入口とを備えた第二のロードロック装置と，を上下に積み重ねて備えたロードロック装置であって，前記第一のロードロック装置は，基板を加熱する上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートを備え，前記第一のロードロック装置は，前記第二のロードロック装置の上に設けられ，前記第一のロードロック装置の上面加熱用プレートは昇降可能であることを特徴とする，ロードロック装置が提供される。
このロードロック装置において，前記第二のロードロック装置は，基板を冷却する上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートを備えても良い。この場合，前記下面冷却用プレートは，昇降可能であっても良い。
かかる構成によれば，上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートによって基板を両面から加熱することで，基板を効率的に加熱でき，さらに，両面の温度差が抑制されるので，基板の変形を防止できる。また，上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートによって基板を両面から冷却することで，基板を効率的に冷却でき，さらに，両面の温度差が抑制されるので，基板の変形を防止できる。
前記第一のロードロック装置および前記第二のロードロック装置において，前記基板は支持部材によって水平に支持されるとしても良い。
また，本発明によれば，基板を処理する１又は２以上の基板処理装置と，上記のロードロック装置と，前記基板処理装置とロードロック装置との間で基板を搬送する搬送装置とを備えたことを特徴とする，処理システムが提供される。
さらにまた，本発明によれば，基板を搬入出部から処理部に第一のロードロック装置を介して搬入し，前記処理部において処理し，前記処理部から前記搬入出部に前記第一のロードロックの下部に設けた第二のロードロック装置を介して搬出する基板の処理方法であって，前記第一のロードロック装置の処理部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記第一のロードロック装置の搬入出部側に設けた搬入口を開き，前記第一のロードロック装置の搬入口を通じて第一のロードロック装置内に基板を搬入し，第一のロードロック装置内に備えた上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートの間に収納し，前記第一のロードロック装置の搬入口を閉じ，前記上面加熱用プレートを下降させ，前記第一のロードロック装置内に収納された基板を，前記上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートによって両面から加熱し，前記第一のロードロック装置の搬入口を閉じたまま前記第一のロードロック装置の搬出口を開き，前記上面加熱用プレートを上昇させ，前記第一のロードロック装置の搬出口を通じて処理部に基板を搬入することを特徴とする，処理方法が提供される。
この処理方法にあっては，前記第二のロードロック装置の搬入出部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記第二のロードロック装置の処理部側に設けた搬入口を開き，前記第二のロードロック装置の搬入口を通じて第二のロードロック装置内に基板を搬入し，第二のロードロック装置内に備えた第一の冷却用プレート及び第二の冷却用プレートの間に収納し，前記第二のロードロック装置の搬入口を閉じ，前記第二のロードロック装置内に収納された基板を，前記第一の冷却用プレート及び第二の冷却用プレートによって両面から冷却し，前記第二のロードロック装置の搬入口を閉じたまま前記第二のロードロック装置の搬出口を開き，前記第二のロードロック装置の搬出口を通じて搬入出部に基板を搬出することとしても良い。
さらに，前記処理部は前記搬入出部よりも減圧されており，前記第一のロードロック装置に基板を搬入した後，前記第一のロードロック装置の搬入口を閉じ，前記第一のロードロック装置内を密閉状態とし，前記第一のロードロック装置内を所定の圧力まで減圧してから，前記第一のロードロック装置の搬出口を開き，前記第一のロードロック装置から処理部に基板を搬出することとしても良い。
また，本発明によれば，基板を搬入出部から処理部に第一のロードロック装置を介して搬入し，前記処理部において処理し，前記処理部から前記搬入出部に前記第一のロードロックの上部に設けた第二のロードロック装置を介して搬出する基板の処理方法であって，前記処理部から前記搬入出部に基板を搬送する際に，前記第二のロードロック装置の搬入出部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記第二のロードロック装置の処理部側に設けた搬入口を開き，前記第二のロードロック装置の搬入口を通じて第二のロードロック装置内に基板を搬入し，第二のロードロック装置内に備えた上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートの間に収納し，前記第二のロードロック装置の搬入口を閉じ，前記上面冷却用プレートを下降させ，前記第二のロードロック装置内に収納された基板を，前記上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートによって両面から冷却し，前記第二のロードロック装置の搬入口を閉じたまま前記第二のロードロック装置の搬出口を開き，前記上面冷却用プレートを上昇させ，前記第二のロードロック装置の搬出口を通じて搬入出部に基板を搬出することを特徴とする，処理方法が提供される。
前記処理部は前記搬入出部より減圧されており，前記第二のロードロック装置に基板を搬入した後，前記第二のロードロック装置の搬入口を閉じ，前記第二のロードロック装置内を密閉状態とし，前記第二のロードロック装置内を所定の圧力まで加圧してから，前記第二のロードロック装置の搬出口を開き，前記第二のロードロック装置から搬入出部に基板を搬出することとしても良い。
本発明によれば，上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートによって基板を両面から加熱することで，基板を効率的に加熱でき，さらに，両面の温度差が抑制されるので，基板の変形を防止できる。また，上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートによって基板を両面から冷却することで，基板を効率的に冷却でき，さらに，両面の温度差が抑制されるので，基板の変形を防止できる。基板の加熱又は冷却効率を向上させることで，スループットの向上を図ることができる。
以下，本発明の第一の実施の形態を，基板の一例としてのＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；液晶表示装置）用のガラス基板Ｇに対して，プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理により薄膜を成膜する工程を実施する処理システムに基づいて説明する。図１は，本発明の実施の形態にかかる処理システム１の概略的な構成を示した平面図である。図１に示す処理システム１は，いわゆるマルチチャンバー型の処理システムであり，処理システム１の外部に対して基板Ｇを搬入出させ，また，処理部３に対して基板Ｇを搬入出させるための搬入出部２と，ＣＶＤ処理を行う処理部３とを備えている。搬入出部２と処理部３との間には，ロードロック装置５が設置されている。
搬入出部２には，複数枚の基板Ｇを収納したカセットＣを載置する載置台１１と，基板Ｇを搬送する第一の搬送装置１２とが設けられている。載置台１１上には，図１において略水平方向のＸ軸方向に沿って，複数のカセットＣが並べられる。図２に示すように，載置台１１上のカセットＣ内には，略長方形の薄板状の基板Ｇが，略水平な姿勢で複数枚上下に並べて収納されている。
搬送装置１２は，水平方向のＹ軸方向において載置台１１の後方（図１においては右方）に備えられている。また，搬送装置１２は，Ｘ軸方向に沿って延設されたレール１３と，レール１３に沿って水平方向に移動可能な搬送機構１４とを備えている。搬送機構１４は，一枚の基板Ｇを略水平に保持する搬送アーム１５を備えており，搬送アーム１５は，Ｚ軸方向（鉛直方向）に屈伸及び略水平面内で旋回可能に構成されている。即ち，載置台１１上の各カセットＣの正面に設けられた開口１６に搬送アーム１５をアクセスさせて，基板Ｇを一枚ずつ取り出したり収納したりすることができる構成になっている。また，搬送装置１２を挟んで載置台１１と対向する側（Ｙ軸方向において搬送装置１２の後方）に設けられたロードロック装置５に対して，搬送アーム１５をアクセスさせ，基板Ｇを一枚ずつ搬入及び搬出させることができる。
図２に示すように，ロードロック装置５は，一対のロードロック装置，即ち，第一のロードロック装置２１及び第二のロードロック装置２２によって構成されている。第一のロードロック装置２１と第二のロードロック装置２２は，上下に積み重ねて備えられており，図示の例では，第一のロードロック装置２１の上に第二のロードロック装置２２が設けられている。また，Ｙ軸方向においてロードロック装置２１の前側（図２においては左側）には，後述するロードロック装置２１の搬入口６３を開閉するゲートバルブ２５が設けられており，Ｙ軸方向においてロードロック装置２１の後側には，後述するロードロック装置２１の搬出口６４を開閉するゲートバルブ２６が設けられている。Ｙ軸方向においてロードロック装置２２の後側には，後述するロードロック装置２２の搬入口１０３を開閉するゲートバルブ２７が設けられており，Ｙ軸方向においてロードロック装置２２の前側には，後述するロードロック装置２２の搬出口１０４を開閉するゲートバルブ２８が設けられている。かかる構成において，各ゲートバルブ２５，２８を閉じることにより，搬入出部２の雰囲気とロードロック装置２１，２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。また，各ゲートバルブ２６，２７を閉じることにより，処理部３の雰囲気とロードロック装置２１，２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。なお，基板Ｇは，搬入出部２から下段のロードロック装置２１を介して処理部３に搬入され，処理部３で処理された後は，上段のロードロック装置２２を介して搬入出部２に搬出される。このようにすると，処理後の基板Ｇにパーティクルが付着することを防止できる。各ロードロック装置２１，２２の構造については，後に詳細に説明する。
図１に示すように，処理部３には，基板Ｇを収納してプラズマＣＶＤ処理を施す複数，例えば５つの基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ，及び，ロードロック装置５と各基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅとの間で基板Ｇを搬送する第二の搬送装置３１が備えられている。第二の搬送装置３１は，密閉構造のチャンバ３２内に設けられた搬送室３３に格納されている。チャンバ３２は，Ｙ軸方向においてロードロック装置５の後方に設けられている。また，ロードロック装置５，及び，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅは，チャンバ３２の周囲を囲むように配置されている。
搬送室３３とロードロック装置２１，２２の間には，前述したゲートバルブ２６，２７がそれぞれ設けられており，各ゲートバルブ２６，２７によって搬送室３３内の雰囲気とロードロック装置２１，２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。搬送室３３と各基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅとの間には，それぞれゲートバルブ３５が設けられており，各ゲートバルブ３５によって基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅの開口を気密に閉塞し，搬送室３３内の雰囲気と各基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。また，図２に示すように，搬送室３３内を強制排気して減圧させるための排気路３６が設けられている。処理システム１における処理時，処理部３の搬送室３３，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ内は，搬入出部２よりも減圧雰囲気にされ，例えば真空状態にされる。
第二の搬送装置３１は，例えば多関節の搬送アーム５１を備えている。搬送アーム５１は，一枚の基板Ｇを略水平に保持することができ，Ｚ軸方向に屈伸及び略水平面内で旋回可能に構成されている。即ち，各ロードロック装置２１，２２，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅに，各ゲートバルブ２６，２７，３５を介して搬送アーム５１をアクセスさせて，基板Ｇを一枚ずつ搬入及び搬出させることができるように構成されている。
次に，前述したロードロック装置２１の構成について詳細に説明する。図３に示すように，ロードロック装置２１は，密閉構造のチャンバ６１を備えている。チャンバ６１の内部は，基板Ｇを収納するロードロック室６２となっている。
チャンバ６１の搬入出部２側，即ち，Ｙ軸方向において前側には，ロードロック室６２に基板Ｇを搬入するための搬入口６３が設けられている。搬入口６３には，前述したゲートバルブ２５が設けられており，ゲートバルブ２５によって気密に閉塞可能になっている。チャンバ６１の処理部３側，即ち，Ｙ軸方向において後側には，ロードロック室６２から基板Ｇを搬出するための搬出口６４が設けられている。搬出口６４には，前述したゲートバルブ２６が設けられており，ゲートバルブ２６によって気密に閉塞可能になっている。
ロードロック室６２内には，基板Ｇを支持する複数の保持部材７０が備えられている。各保持部材７０は略棒状をなし，チャンバ６１の底部から上方に突出するように設けられており，各保持部材７０の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより，基板Ｇを略水平に支持するようになっている。
さらに，ロードロック室６２内には，保持部材７０に支持された基板Ｇを加熱する第一の加熱用プレートとしての上面加熱用プレート７１，及び，第二の加熱用プレートとしての下面加熱用プレート７２が備えられている。上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２は，それぞれ交流電源７３に接続されており，交流電源７３から供給される電力によってそれぞれ昇温されるようになっている。
上面加熱用プレート７１は，厚みを有する略長方形板状をなし，チャンバ６１の天井に沿って略水平に備えられており，保持部材７０に支持された基板Ｇの上面（例えばデバイスが形成される表面）側に配置され，チャンバ６１に対して固定されている。また，保持部材７０に支持された基板Ｇの上面に対して略平行な姿勢で対向するようになっている。なお，上面加熱用プレート７１の下面の面積は基板Ｇの上面の面積より大きく，基板Ｇの上面全体を覆うようにして加熱することができる。
下面加熱用プレート７２は，厚みを有する略長方形板状をなし，チャンバ６１の底面に沿って略水平に備えられており，保持部材７０に支持された基板Ｇの下面（例えばデバイスが形成されない裏面）側に配置される。前述した保持部材７０は，下面加熱用プレート７２に形成された複数の孔７４内にそれぞれ配置されている。下面加熱用プレート７２は，保持部材７０によって保持された基板Ｇの下面に対して略平行な姿勢で対向する。
また，下面加熱用プレート７２は上下に昇降可能に構成されており，上面加熱用プレート７１に対して近接及び離隔することができる。例えば図３に示すように，チャンバ６１の下方に昇降機構としてのシリンダ７５が設けられており，シリンダ７５に接続されたロット７６が，チャンバ６１の底部を上下に貫通するように設けられている。下面加熱用プレート７２は，ロット７６の下端部に取り付けられている。そして，シリンダ７５の駆動によって，ロット７６がＺ軸方向に昇降することにより，下面加熱用プレート７２がロット７６と一体的に，各孔７４をそれぞれ保持部材７０に沿って移動させながら昇降するようになっている。
さらに，下面加熱用プレート７２の上面には，加熱時に基板Ｇを支持するための複数の支持部材７８が設けられている。下面加熱用プレート７２を待機位置Ｐ１に下降させたとき，支持部材７８は，保持部材７０の上端部より下方に位置する。そのため，保持部材７０に基板Ｇが保持されていても，支持部材７８は基板Ｇに接触しないようになっている。一方，下面加熱用プレート７２を待機位置Ｐ１から上昇させることにより，支持部材７８を保持部材７０の上端部より上方に移動させることができる。即ち，保持部材７０に保持された基板Ｇを，支持部材７８によって持ち上げ，支持部材７８によって基板Ｇを支持する状態にすることができる。支持部材７８は，各支持部材７８の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより，基板Ｇを略水平に支持するようになっている。支持部材７８に支持された基板Ｇの下面と下面加熱用プレート７２の上面との間には，略均一な幅の隙間が形成され，基板Ｇと下面加熱用プレート７２が互いに近接配置されるように構成されている。基板Ｇの加熱時，下面加熱用プレート７２は，加熱処理位置Ｐ２に上昇させられ，この状態では，複数の支持部材７８によって基板Ｇが支持されるようになっており，また，支持部材７８に支持された基板Ｇと前述した上面加熱用プレート７１が近接し，支持部材７８に支持された基板Ｇの上面と前述した上面加熱用プレート７１の下面との間に，略均一な幅の隙間が形成されるようになっている。即ち，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２は，両者の間に収納された基板Ｇに対して，それぞれ相対的に近接及び離隔可能な構成となっている。なお，下面加熱用プレート７２の上面の面積は基板Ｇの下面の面積より大きく，基板Ｇの下面全体を覆うようにして加熱することができる。
このように，下面加熱用プレート７２をチャンバ６１に対して昇降させる構成とすれば，基板Ｇを保持部材７０に受け渡す際に下面加熱用プレート７２を待機位置Ｐ１に下降させることで，余裕を持って受け渡しを行うことができ，基板Ｇの加熱時には加熱処理位置Ｐ２に上昇させることで，基板Ｇを効率的に加熱することができる。また，シリンダ７５をチャンバ６１の下方に配置することができ，上面加熱用プレート７１をチャンバ６１に対して昇降可能にする場合よりも，省スペースを図ることができる。即ち，上面加熱用プレート７１を昇降可能にする場合，上段のロードロック装置２２と下段のロードロック装置２１との間に昇降機構を設置することとなり，ロードロック装置２１の搬入口６３，搬出口６４とロードロック装置２２の後述する搬入口１０３，搬出口１０４との間の高さが高くなってしまうが，そのような不都合が無く，その間の高さを低くすることができる。従って，搬送装置１２，３１の上下移動範囲も小さくすることができ，基板Ｇの搬送効率が良くなる。
また，チャンバ６２には，ロードロック室６２内に例えばＮ２（窒素）ガスやＨｅ（ヘリウム）ガス等の不活性ガスを供給するガス供給路８５，及び，ロードロック室６２内を強制排気する排気路８６が接続されている。即ち，ガス供給路８５からのガス供給と排気路８６による強制排気により，ロードロック室６２内の圧力を調節することができる。
次に，前述したロードロック装置２２の構成について詳細に説明する。図３に示すように，ロードロック装置２２は，密閉構造のチャンバ１０１を備えている。図示の例では，チャンバ１０１は下段のロードロック装置２１のチャンバ６１の上面に載せられている。チャンバ１０１の内部は，基板Ｇを収納するロードロック室１０２となっている。
チャンバ１０１の処理部３側，即ち，Ｙ軸方向において後側には，ロードロック室１０２に基板Ｇを搬入するための搬入口１０３が設けられている。搬入口１０３には，前述したゲートバルブ２７が設けられており，ゲートバルブ２７によって気密に閉塞可能になっている。チャンバ１０１の搬入出部２側，即ち，Ｙ軸方向において前側には，ロードロック室１０２から基板Ｇを搬出するための搬出口１０４が設けられている。搬出口１０４には，前述したゲートバルブ２８が設けられており，ゲートバルブ２８によって気密に閉塞可能になっている。
ロードロック室１０２内には，基板Ｇを保持するための複数の支持部材１１０が備えられている。各支持部材１１０は略棒状をなし，チャンバ１０１の底部から上方に突出するように設けられており，各支持部材１１０の上端部に基板Ｇの下面を載せることにより，基板Ｇを略水平に保持するようになっている。
さらに，ロードロック室１０２内には，基板Ｇを冷却する第一の冷却用プレートとしての上面冷却用プレート１１１，及び，第二の冷却用プレートとしての下面冷却用プレート１１２が備えられている。上面冷却用プレート１１１，下面冷却用プレート１１２には，冷却水を送水する冷却水送水路１１３，１１４がそれぞれ内蔵されており，冷却水送水路１１３，１１４を流れる冷却水の冷熱によって各上面冷却用プレート１１１，下面冷却用プレート１１２が冷却されるようになっている。
上面冷却用プレート１１１は，厚みを有する略長方形板状をなし，チャンバ１０１の天井に沿って略水平に備えられており，支持部材１１０に支持された基板Ｇの上面（例えばデバイスが形成される表面）側に配置される。また，支持部材１１０に支持された基板Ｇの上面に対して略平行な姿勢で対向するようになっている。
また，上面冷却用プレート１１１は，上下に昇降可能に構成されており，支持部材１１０に支持された基板Ｇに対して近接及び離隔することができる。例えば図３に示すように，チャンバ１０１の上方に昇降機構としてのシリンダ１２５が設けられており，シリンダ１２５に接続されたロット１２６が，チャンバ１０１の天井を上下に貫通するように設けられている。上面冷却用プレート１１１は，ロット１２６の下端部に取り付けられている。そして，シリンダ１２５の駆動によって，ロット１２６がＺ軸方向に昇降することにより，上面冷却用プレート１１１がロット１２６と一体的に昇降するようになっている。上面冷却用プレート１１１は，例えば支持部材１１０に支持された基板Ｇから離隔する上方の待機位置Ｐ３と，基板Ｇに近接する下方の冷却処理位置Ｐ４とに移動する。なお，上面冷却用プレート１１１の下面の面積は基板Ｇの上面の面積より大きく，支持部材１１０に支持された基板Ｇの上面全体を覆うようにして冷却することができる。
このように，上面冷却用プレート１１１をチャンバ１０１に対して昇降させる構成とすれば，基板Ｇを支持部材１１０に受け渡す際に上面冷却用プレート１１１を待機位置Ｐ３に上昇させることで，余裕を持って受け渡しを行うことができ，基板Ｇの冷却時には冷却処理位置Ｐ４に下降させることで，基板Ｇを効率的に冷却することができる。また，シリンダ１２５をチャンバ１０１の上方に配置することができ，下面冷却用プレート１１２をチャンバ１０１に対して昇降可能にする場合よりも，省スペースを図ることができる。即ち，下面冷却用プレート１１２を昇降可能にする場合，上段のロードロック装置２２と下段のロードロック装置２１との間に昇降機構を設置することとなり，前述したロードロック装置２１の搬入口６３，搬出口６４とロードロック装置２２の搬入口１０３，搬出口１０４との間の高さが高くなってしまうが，そのような不都合が無く，その間の高さを低くすることができる。従って，搬送装置１２，３１の上下移動範囲も小さくすることができ，基板Ｇの搬送効率が良くなる。
下面冷却用プレート１１２は，厚みを有する略長方形板状をなし，チャンバ６１の底面に沿って略水平に備えられており，支持部材１１０に支持された基板Ｇの下面（例えばデバイスが形成されない裏面）側に配置され，チャンバ１０１に対して固定されている。前述した支持部材１１０は，下面冷却用プレート１１２に形成された複数の孔１２８内にそれぞれ配置されている。下面冷却用プレート１１２は，支持部材１１０によって支持された基板Ｇの下面に対して略平行な姿勢で対向する。また，基板Ｇと下面冷却用プレート１１２との間に，略均一な幅の隙間が形成された状態で，基板Ｇと下面冷却用プレート１１２が互いに近接配置されるようになっている。下面冷却用プレート１１２の上面の面積は基板Ｇの下面の面積より大きく，支持部材１１０に支持された基板Ｇの下面全体を覆うようにして冷却することができる。
また，チャンバ１０２には，ロードロック室１０２内に例えばＮ２（窒素）ガスやＨｅ（ヘリウム）ガス等の不活性ガスを供給するガス供給路１３１，及び，ロードロック室１０２内を強制排気する排気路１３２が接続されている。即ち，ガス供給路１３１からのガス供給と排気路１３２による強制排気により，ロードロック室１０２内の圧力を調節することができる。
次に，以上のように構成された処理システム１における基板Ｇの処理工程について説明する。先ず，複数枚の基板Ｇが収納されたキャリアＣが，開口１６を搬送装置１２側に向けた状態で載置台１１上に載置される。そして，搬送装置１２の搬送アーム１５が開口１６に進入させられ，一枚の基板Ｇが取り出される。基板Ｇを保持した搬送アーム１５は，下段に配置されたロードロック装置２１のゲートバルブ２５の前方に対向する位置に移動させられる。
一方，ロードロック装置２１は，閉塞状態のゲートバルブ２５，２６によって，搬入口６３，搬出口６４がそれぞれ気密に封じられており，ロードロック室６２が密閉されている。ロードロック装置２２は，閉塞状態のゲートバルブ２７，２８によって，搬入口１０３，搬出口１０４がそれぞれ気密に封じられており，ロードロック室１０２が密閉されている。従って，搬入出部２の雰囲気と処理部３の搬送室３３内の雰囲気とは，ロードロック装置２１，２２を介して互いに遮断された状態となっている。搬入出部２の雰囲気は例えば大気圧となっているのに対して，搬送室３３内は排気路３６からの排気により真空引きされている。搬送室３３は各ゲートバルブ２７，２８，３５によって密閉されているので，略真空状態を維持することができる。
ロードロック装置２１においては，先ず，ロードロック装置２１内を所定の圧力，即ち搬入出部２と略同一の略大気圧にした状態で，搬出口６４をゲートバルブ２６によって閉じたまま，ゲートバルブ２５を開放状態にして，搬入口６３を開口させる。これにより，ロードロック室６２は搬入口６３を介して搬入出部２の雰囲気と連通した状態になる。搬入口６３を開口させている間も，搬出口６４をゲートバルブ２６によって閉塞することにより，搬送室３３内の真空状態を維持することができる。また，下面加熱用プレート７２はシリンダ１２５の駆動により下降させておき，待機位置Ｐ１に待機させておく。こうして，搬入口６３を開口させるとともに，下面加熱用プレート７２を待機位置Ｐ１に配置した状態にしたら，基板Ｇを保持した搬送アーム１５をＹ軸方向に移動させ，ゲートバルブ２５，搬入口６３を介して，ロードロック室６２内に進入させ，基板Ｇを上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２との間に進入させ，搬送アーム１５から保持部材７０上に基板Ｇを受け渡す。下面加熱用プレート７２が下降していることにより，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２との間には，十分な空間が形成されており，搬送アーム１５は下面加熱用プレート７２や上面加熱用プレート７１に接触することなく，基板Ｇは余裕を持って保持部材７０に受け渡される。
このようにして基板Ｇがゲートバルブ２５，搬入口６３を通じて搬入され，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２との間に収納され，搬送アーム１５がロードロック室６２から退出したら，ゲートバルブ２５を閉じ，ロードロック室６２を密閉状態にして，ロードロック室６２内を排気路８６によって強制排気することにより，ロードロック室６２内を所定の圧力，即ち，搬送室３３内と略同圧の真空状態に減圧する。なお，ロードロック室６２内にガス供給路８５から不活性ガスを供給しながら，即ちロードロック室６２内を不活性ガスによってパージしながら減圧するようにしても良く，この場合，基板Ｇの加熱の促進を図ることができる。
一方，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２との間に収納された基板Ｇは，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２とによって加熱される。先ず，シリンダ７５の駆動により下面加熱用プレート７２が待機位置Ｐ１から上昇させられる。すると，下面加熱用プレート７２が上昇する途中で，基板Ｇは支持部材７８によって保持部材７０から持ち上げられ，支持部材７８によって支持された状態になる。支持部材７８に支持された基板Ｇは，下面加熱用プレート７２と一体的に上昇して，上面加熱用プレート７１に近接させられる。こうして，下面加熱用プレート７２が加熱処理位置Ｐ２に配置され，基板Ｇの上面全体に上面加熱用プレート７１が近接させられ，下面全体に下面加熱用プレート７２が近接させられた状態で，基板Ｇが上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２とによって加熱される。このように，基板Ｇを両面から加熱することにより，基板Ｇを均一に加熱することができ，また，短時間で効率的に加熱することができる。なお，基板Ｇの片面のみに加熱用プレートを近接させ片面のみから加熱する場合，加熱される側の面とその反対側の面との間で温度差が生じ，熱応力の影響により，基板Ｇの外周側が加熱用プレートから離れる向きに変形し，基板Ｇが反り返ってしまう心配があるが，上記のように，基板Ｇを上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２とによって両面から均等に加熱することにより，基板Ｇに温度差が生じることを防止できる。従って，基板Ｇが反り返ることを防止できる。
なお，ロードロック室６２における基板Ｇの加熱は，ロードロック室６２の減圧と並行して行うと良い。そうすれば，ロードロック室６２での処理時間を短縮することができ，効率的である。
ロードロック室６２が略真空状態になり，かつ，基板Ｇの加熱が終了したら，搬入口６３をゲートバルブ２５によって閉じたまま，ゲートバルブ２６を開放状態にして，搬出口６４を開口させる。これにより，ロードロック室６２は搬出口６４を介して搬送室３３の雰囲気と連通した状態になる。搬出口６４を開口させている間も，搬入口６３をゲートバルブ２５によって閉塞することにより，ロードロック室６２及び搬送室３３内の真空状態を維持することができる。
また，下面加熱用プレート７２は加熱処理位置Ｐ２から下降させ，待機位置Ｐ１に戻す。すると，下面加熱用プレート７２が下降する途中で，基板Ｇの下面に保持部材７０が当接し，基板Ｇが支持部材７８から保持部材７０に受け渡される。これにより，基板Ｇは，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２から離隔させられ，保持部材７０によって支持された状態になる。
こうして，搬出口６４を開口させるとともに，下面加熱用プレート７２を待機位置Ｐ１に配置した状態にしたら，第二の搬送装置３１の搬送アーム５１をＹ軸方向に移動させ，ゲートバルブ２６，搬出口６４を介して，ロードロック室６２内に進入させる。そして，搬送アーム５１によって保持部材７０から基板Ｇを受け取り，基板Ｇを保持した搬送アーム５１をロードロック室６２から退出させる。上面加熱用プレート７１が上昇していることにより，上面加熱用プレート７１と基板Ｇの間や，下面加熱用プレート７２と基板Ｇの間には，十分な空間が形成されているので，搬送アーム５１が上面加熱用プレート７１や下面加熱用プレート７２に接触することなく，基板Ｇは余裕を持ってロードロック室６２から搬出される。こうして，基板Ｇが，ロードロック室６２から搬出口６４，ゲートバルブ２６を通じて搬出され，処理部３の搬送室３３に搬入される。
搬送室３３に搬入された基板Ｇは，搬送アーム５１によって搬送室３３から基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅのいずれかに搬入され，所定のプラズマＣＶＤ処理による成膜が行われる。基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅにおいては，減圧雰囲気下で基板Ｇが加熱されるとともに，処理室内に反応ガスが供給され，マイクロ波のエネルギによって反応ガスがプラズマ化される。これにより，基板Ｇの表面上に所定の薄膜が形成される。ここで，搬入された基板Ｇはロードロック室６２において予備加熱されているので，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅにおける基板Ｇの加熱時間を短くすることができ，効率的に処理することができる。
基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅにおいて基板Ｇの処理が終了したら，搬送アーム５１によって基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅから基板Ｇを取り出し，搬送室３３に搬出させる。このとき，基板Ｇは高温状態となっている。
一方，ロードロック装置２２は，閉塞状態のゲートバルブ２７，２８によって，搬入口１０３，搬出口１０４をそれぞれ気密に封じ，ロードロック室１０２を密閉した状態にしておく。また，排気路１３２の強制排気によって，ロードロック室１０２内を所定の圧力，即ち搬送室３３と略同一の真空状態に減圧しておく。この状態で，搬出口１０４をゲートバルブ２８によって閉じたまま，ゲートバルブ２７を開放状態にして，搬入口１０３を開口させる。これにより，ロードロック室１０２は搬入口１０３を介して搬送室３３の雰囲気と連通した状態になる。搬入口１０３を開口させている間も，搬出口１０４をゲートバルブ２８によって閉塞することにより，ロードロック室１０２及び搬送室３３内の真空状態を維持することができる。また，上面冷却用プレート１１１はシリンダ１２５の駆動により上昇させておき，待機位置Ｐ３に待機させる。
搬入口１０３を開口させるとともに，下面冷却用プレート１１２を待機位置Ｐ３に配置した状態にしたら，基板Ｇを保持した搬送アーム５１をＹ軸方向に移動させ，ゲートバルブ２７，搬入口１０３を介して，ロードロック室１０２内に進入させ，さらに上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２との間に進入させる。そして，基板Ｇを搬送アーム５１から支持部材１１０上に受け渡す。上面冷却用プレート１１１が上昇していることにより，下面冷却用プレート１１２と上面冷却用プレート１１１との間には，十分な空間が形成されており，搬送アーム５１は下面冷却用プレート１１２に接触することなく，基板Ｇは余裕を持って支持部材１１０に受け渡される。
このようにして，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅから搬出された高温状態の基板Ｇが，ゲートバルブ２７，搬入口１０３通じて搬入され，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２との間に収納され，搬送アーム５１がロードロック室１０２から退出したら，ゲートバルブ２７を閉じ，ロードロック室１０２を密閉状態にする。そして，ロードロック室１０２内にガス供給路１３１から不活性ガスを供給して，ロードロック装置２１内が所定の圧力，即ち搬入出部２と略同一の略大気圧になるまで加圧する。
一方，基板Ｇは上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２とによって冷却される。冷却時は，シリンダ１２５の駆動により上面冷却用プレート１１１を下降させて冷却処理位置Ｐ４に配置し，基板Ｇの上面に近接させる。即ち，基板Ｇの上面全体に上面冷却用プレート１１１を近接させ，下面全体に下面冷却用プレート１１２を近接させ，上面冷却用プレート１１１と基板Ｇとの間，下面冷却用プレート１１２と基板Ｇとの間に，それぞれ略均一な幅の隙間を形成した状態で，基板Ｇを上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２とによって冷却する。このように，基板Ｇを両面から冷却することにより，基板Ｇを均一に冷却することができ，また，短時間で効率的に冷却することができる。なお，基板Ｇの片面のみに冷却用プレートを近接させ片面のみから冷却する場合，冷却される側の面とその反対側の面との間で温度差が生じ，熱応力の影響により，基板Ｇの外周側が冷却用プレートに近づく向きに変形し，基板Ｇが反り返ってしまう心配があるが，上記のように，基板Ｇを上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２とによって両面から均等に冷却することにより，基板Ｇに温度差が生じることを防止できる。従って，基板Ｇが反り返ることを防止できる。
なお，ロードロック室１０２における基板Ｇの冷却は，ロードロック室１０２の加圧と並行して行うと良い。そうすれば，ロードロック室１０２での処理時間を短縮することができ，効率的である。また，ガス供給路１３１から供給される不活性ガスの冷風によって，基板Ｇの冷却の促進を図るようにしても良い。
ロードロック室１０２が略大気圧状態になり，かつ，基板Ｇの冷却が終了したら，搬入口１０３をゲートバルブ２７によって閉じたまま，ゲートバルブ２８を開放状態にして，搬出口１０４を開口させる。これにより，ロードロック室１０２は搬出口１０４を介して搬入出部２の雰囲気と連通した状態になる。搬出口１０４を開口させている間も，搬入口１０３をゲートバルブ２７によって閉塞することにより，搬送室３３内の真空状態を維持することができる。上面冷却用プレート１１１は冷却処理位置Ｐ４から上昇させ，待機位置Ｐ３に戻す。
搬出口１０４を開口させるとともに，上面冷却用プレート１１１を待機位置Ｐ３に配置した状態にしたら，搬送装置１２の搬送アーム１５をＹ軸方向に移動させ，ゲートバルブ２８，搬出口１０４を介して，ロードロック室１０２内に進入させる。そして，搬送アーム１５によって支持部材１１０から基板Ｇを受け取り，基板Ｇを保持した搬送アーム１５をロードロック室１０２から退出させる。上面冷却用プレート１１１が上昇していることにより，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２との間には，十分な空間が形成されているので，搬送アーム５１が上面冷却用プレート１１１や下面冷却用プレート１１２に接触することなく，基板Ｇは余裕を持ってロードロック室１０２から搬出される。
こうして，基板Ｇはロードロック室１０２から搬出口１０４，ゲートバルブ２８を通じて搬出され，搬入出部２に搬出される。そして，搬送アーム１５によって載置台１１上のキャリアＣに戻される。以上のようにして，処理システム１における一連の処理工程が終了する。
なお，上記一連の工程において，ロードロック装置２１のロードロック室６２から搬送室３３に基板Ｇを搬出した後は，ゲートバルブ２６によって搬出口６４を閉じ，ロードロック室６２を再び密閉状態とし，ガス供給路８５からの不活性ガスの供給を開始して，ロードロック室６２を略大気圧に戻す。そして，基板Ｇを基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅに搬送してＣＶＤ処理する間に，次の未処理の基板Ｇをロードロック室６２に搬入し，ロードロック室６２の減圧及び基板Ｇの予備加熱を行うことができる。即ち，ロードロック装置２１での減圧及び予備加熱を連続的に行い，基板Ｇをロードロック室６２から基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅに順次搬送し，最大で５枚の基板Ｇを並行してＣＶＤ処理することができる。また，ロードロック装置２２のロードロック室１０２から搬入出部２に基板Ｇを搬出した後は，ゲートバルブ２８によって搬出口１０４を閉じ，ロードロック室１０２を密閉状態とし，排気路１３２によって強制排気を行い，ロードロック室１０２を真空状態に戻す。そして，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅから，次の処理済みの基板Ｇをロードロック室１０２に搬入し，ロードロック室１０２の加圧及び基板Ｇの冷却を行うことができる。即ち，処理済みの基板Ｇを基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅからロードロック室１０２に順次搬送し，ロードロック装置２２での加圧及び冷却を連続的に行い，基板Ｇを連続的に搬入出部２に戻すことができる。そして，基板Ｇが基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅから搬出された後に，すぐに未処理の基板Ｇをロードロック室６２から基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅに順次搬送することで，ＣＶＤ処理を連続的に行うことができる。こうして，ロードロック装置２１での減圧及び予備加熱，基板処理装置３０Ａ〜３０ＥでのＣＶＤ処理，及び，ロードロック装置２２での加圧及び冷却を，並行して行い，ロードロック装置２１，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅ，ロードロック装置２２を長く待機させることなく，それぞれ連続的に稼動させ，複数枚の基板Ｇを効率的に処理することができる。
かかる処理システム１によれば，ロードロック装置２１において，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２によって，基板Ｇを両面から加熱することで，基板Ｇを効率的に加熱できる。ロードロック装置２１における基板Ｇの加熱時間を短縮し，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅを長く待機させることなく，基板Ｇを効率的に基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅへ供給することができる。即ち，基板Ｇの加熱効率を向上させることで，スループットの向上を図ることができる。また，基板Ｇを両面から加熱することで，基板Ｇの両面の温度差が抑制されるので，基板Ｇの反り変形を防止できる。従って，基板Ｇに割れが生じたり，搬送時に搬送アーム５１による基板Ｇの保持が不安定になったりすることを防止して，基板Ｇを好適に，均一に加熱することができ，ひいては，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅにおいて，基板ＧにＣＶＤ処理を良好に施すことができる。
また，ロードロック装置２２において，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２によって，基板Ｇを両面から冷却することで，基板Ｇを効率的に冷却できる。ロードロック装置２２における基板Ｇの冷却時間を短縮し，基板Ｇを効率的に搬入出部２に搬出することができるので，基板処理装置３０Ａ〜３０Ｅにおいて処理が終了した基板Ｇを長く待機させることなく，効率的にロードロック装置２２に搬送し，搬入出部２に搬出することができる。即ち，基板Ｇの冷却効率を向上させることで，スループットの向上を図ることができる。また，基板Ｇを両面から冷却することで，基板Ｇの両面の温度差が抑制されるので，基板Ｇの反り変形を防止できる。従って，基板Ｇに割れが生じたり，搬送時に搬送アーム１５による基板Ｇの保持が不安定になったりすることを防止でき，また，基板ＧをカセットＣに確実に収納することができる。
以上，本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
以上の実施形態では，加熱用のロードロック装置２１を１台設けることとしたが，かかるロードロック装置２１は，２台以上設けても良い。また，冷却用のロードロック装置２２を１台設けることとしたが，かかるロードロック装置２２は，２台以上設けても良い。また，加熱用のロードロック装置２１と冷却用のロードロック装置２２は，上下に積み重ねるものに限定されず，例えば横に並べて設けるようにしても良く，離隔した位置に設けても良い。
ロードロック装置２１においては，下面加熱用プレート７２をチャンバ６１に対して昇降可能とし，さらに，下面加熱用プレート７２上の支持部材７８によって保持部材７０から基板Ｇを受け取る構成としたが，基板Ｇを受け取らず，保持部材７０（この場合は，加熱時に基板を支持する支持部材として機能）に支持された基板Ｇに単に近接する構成としても良い。また，上面加熱用プレート７１をチャンバ６１に対して昇降可能とし，上面加熱用プレート７１自体の昇降移動により，上面加熱用プレート７１を基板Ｇに近接及び離隔させることが可能な構成にしても良い。また，以上の実施形態では，上面加熱用プレート７１と下面加熱用プレート７２をそれぞれ基板Ｇに対して隙間を空けて近接させた状態で加熱を行うこととしたが，上面加熱用プレート７１又は下面加熱用プレート７２を基板Ｇに接触させた状態で加熱するようにしても良い。
また，ロードロック装置２１においては，上面冷却用プレート１１１をチャンバ１０１に対して昇降可能とし，基板Ｇに対して近接及び離隔させることが可能な構成とし，下面冷却用プレート１１２をチャンバ１０１に対して固定させた構成としたが，勿論，下面冷却用プレート１１２も基板Ｇに対して近接及び離隔させることが可能な構成としても良い。また，例えばロードロック装置２１における下面加熱用プレート７２と同様に，下面冷却用プレート１１２の上面に，基板Ｇを支持するための支持部材を設け，基板Ｇの冷却時に支持部材１１０から基板Ｇを受け取る構成としても良い。この場合，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２を，両者の間に収納された基板Ｇに対して，それぞれ相対的に近接及び離隔可能な構成にすることができる。また，以上の実施形態では，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２をそれぞれ基板Ｇに対して隙間を空けて近接させた状態で冷却を行うこととしたが，上面冷却用プレート１１１と下面冷却用プレート１１２を基板Ｇに接触させた状態で冷却するようにしても良い。
処理システムは，複数の基板処理装置を備えたマルチチャンバー型のものには限定されない。処理部に備える基板処理装置の台数は１台でも良い。また，以上の実施形態では，処理部３においてプラズマＣＶＤ処理を行う処理システム１について説明したが，処理部で行われる処理は他の処理であっても良い。本発明は，その他の減圧雰囲気下で行う処理，例えば熱ＣＶＤ処理，エッチング処理，アッシング処理等を処理部において行う処理システムに適用することもできる。また，以上の実施形態では，ＬＣＤ用基板Ｇを処理する場合について説明したが，基板は他のもの，例えば半導体ウェハ等であっても良い。
本発明は，例えば基板のＣＶＤ処理を行う処理システム，該処理システムに備えられるロードロック装置，該処理システムにおける処理方法に適用できる。
処理システムの構成を説明する概略平面図である。 処理システムの構成を説明する概略側面図である。 ロードロック装置の概略縦断面図である。
符号の説明
Ｇ 基板
１ 処理システム
２ 搬入出部
３ 処理部
５ ロードロック装置
２１ 第一のロードロック装置
２２ 第二のロードロック装置
３０Ａ〜３０Ｅ 基板処理装置
３１ 搬送装置
６１ ロードロック室
６３ 搬入口
６４ 搬出口
７１ 上面加熱用プレート
７２ 下面加熱用プレート
７５ シリンダ
７８ 支持部材
８５ ガス供給路
８６ 排気路
１０２ ロードロック室
１０３ 搬入口
１０４ 搬出口
１１０ 支持部材
１１１ 上面冷却用プレート
１１２ 下面冷却用プレート
１２５ シリンダ
１３１ ガス供給路
１３２ 排気路

Claims (10)

  1. 処理部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬入口と，前記処理部側に設けた搬出口とを備えた第一のロードロック装置と，処理部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬出口と，前記処理部側に設けた搬入口とを備えた第二のロードロック装置と，を上下に積み重ねて備えたロードロック装置であって，
    前記第二のロードロック装置は，基板を冷却する上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートを備え，
    前記第二のロードロック装置は，前記第一のロードロック装置の上に設けられ，
    前記第二のロードロック装置の上面冷却用プレートは昇降可能であることを特徴とする，ロードロック装置。
  2. 前記第一のロードロック装置は，基板を加熱する上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートを備えることを特徴とする請求項１に記載のロードロック装置。
  3. 前記下面加熱用プレートは，昇降可能であることを特徴とする請求項２に記載のロードロック装置。
  4. 処理部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬入口と，前記処理部側に設けた搬出口とを備えた第一のロードロック装置と，処理部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬出口と，前記処理部側に設けた搬入口とを備えた第二のロードロック装置と，を上下に積み重ねて備えたロードロック装置であって，
    前記第一のロードロック装置は，基板を加熱する上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートを備え，
    前記第一のロードロック装置は，前記第二のロードロック装置の上に設けられ，
    前記第一のロードロック装置の上面加熱用プレートは昇降可能であることを特徴とする，ロードロック装置。
  5. 前記第二のロードロック装置は，基板を冷却する上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートを備えることを特徴とする請求項４に記載のロードロック装置。
  6. 前記下面冷却用プレートは，昇降可能であることを特徴とする請求項５に記載のロードロック装置。
  7. 前記第一のロードロック装置および前記第二のロードロック装置において，前記基板は支持部材によって水平に支持されることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載のロードロック装置。
  8. 基板を処理する１又は２以上の基板処理装置と，
    請求項１〜７のいずれかに記載のロードロック装置と，
    前記基板処理装置とロードロック装置との間で基板を搬送する搬送装置とを備えたことを特徴とする，処理システム。
  9. 基板を搬入出部から処理部に第一のロードロック装置を介して搬入し，
    前記処理部において処理し，前記処理部から前記搬入出部に前記第一のロードロックの下部に設けた第二のロードロック装置を介して搬出する基板の処理方法であって，
    前記第一のロードロック装置の処理部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記第一のロードロック装置の搬入出部側に設けた搬入口を開き，
    前記第一のロードロック装置の搬入口を通じて第一のロードロック装置内に基板を搬入し，
    第一のロードロック装置内に備えた上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートの間に収納し， 前記第一のロードロック装置の搬入口を閉じ，
    前記上面加熱用プレートを下降させ，
    前記第一のロードロック装置内に収納された基板を，前記上面加熱用プレート及び下面加熱用プレートによって両面から加熱し，
    前記第一のロードロック装置の搬入口を閉じたまま前記第一のロードロック装置の搬出口を開き，前記上面加熱用プレートを上昇させ，前記第一のロードロック装置の搬出口を通じて処理部に基板を搬入することを特徴とする，処理方法。
  10. 基板を搬入出部から処理部に第一のロードロック装置を介して搬入し，前記処理部において処理し，前記処理部から前記搬入出部に前記第一のロードロックの上部に設けた第二のロードロック装置を介して搬出する基板の処理方法であって，
    前記処理部から前記搬入出部に基板を搬送する際に，前記第二のロードロック装置の搬入出部側に設けた搬出口を閉じたまま，前記第二のロードロック装置の処理部側に設けた搬入口を開き，
    前記第二のロードロック装置の搬入口を通じて第二のロードロック装置内に基板を搬入し，第二のロードロック装置内に備えた上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートの間に収納し，前記第二のロードロック装置の搬入口を閉じ，
    前記上面冷却用プレートを下降させ，
    前記第二のロードロック装置内に収納された基板を，前記上面冷却用プレート及び下面冷却用プレートによって両面から冷却し，
    前記第二のロードロック装置の搬入口を閉じたまま前記第二のロードロック装置の搬出口を開き，前記上面冷却用プレートを上昇させ，前記第二のロードロック装置の搬出口を通じて搬入出部に基板を搬出することを特徴とする，処理方法。
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US11/390,259 US20060245852A1 (en) 2005-03-30 2006-03-28 Load lock apparatus, load lock section, substrate processing system and substrate processing method
CNB2006100659565A CN100426454C (zh) 2005-03-30 2006-03-29 负载锁定装置、处理系统及处理方法
KR1020060028384A KR100802671B1 (ko) 2005-03-30 2006-03-29 기판 처리 방법
KR1020070105804A KR100854142B1 (ko) 2005-03-30 2007-10-19 로드 로크 장치 및 기판 처리 시스템

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Families Citing this family (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3910791B2 (ja) * 2000-09-19 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板の熱処理方法及び基板の熱処理装置
US7431585B2 (en) * 2002-01-24 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for heating substrates
US7467916B2 (en) * 2005-03-08 2008-12-23 Asm Japan K.K. Semiconductor-manufacturing apparatus equipped with cooling stage and semiconductor-manufacturing method using same
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US7695232B2 (en) * 2006-06-15 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Multi-level load lock chamber, transfer chamber, and robot suitable for interfacing with same
TWI455861B (zh) * 2007-05-18 2014-10-11 Brooks Automation Inc 基板加工工具、半導體加工工具、及基板加工裝置
KR101522324B1 (ko) 2007-05-18 2015-05-21 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 로드 락 빠른 펌프 벤트
US10541157B2 (en) 2007-05-18 2020-01-21 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
JPWO2009028595A1 (ja) * 2007-08-31 2010-12-02 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
US8033769B2 (en) 2007-11-30 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Loadlock designs and methods for using same
JP5108557B2 (ja) * 2008-02-27 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置および基板冷却方法
US8288288B1 (en) 2008-06-16 2012-10-16 Novellus Systems, Inc. Transferring heat in loadlocks
US20100014945A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus having all-round type wafer handling chamber
JP5000627B2 (ja) * 2008-11-27 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
US8033771B1 (en) 2008-12-11 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling
CN102859667A (zh) * 2010-04-30 2013-01-02 泰拉半导体株式会社 基板处理装置
JP5503006B2 (ja) * 2010-08-06 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、搬送モジュール、基板処理方法及び半導体素子の製造方法
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
WO2012098871A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US11171008B2 (en) * 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
KR101895307B1 (ko) * 2011-03-01 2018-10-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
JP6054314B2 (ja) 2011-03-01 2016-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板搬送及びラジカル閉じ込めのための方法及び装置
JP5883232B2 (ja) * 2011-03-26 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20120285621A1 (en) * 2011-05-10 2012-11-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing
JP2012250230A (ja) * 2011-06-02 2012-12-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 加熱装置、塗布装置及び加熱方法
KR101680950B1 (ko) * 2012-02-16 2016-11-29 쌩-고벵 글래스 프랑스 코팅된 기판을 처리하기 위한 처리 박스, 장치 및 방법
KR102068186B1 (ko) 2012-02-29 2020-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로드 록 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
JP5959914B2 (ja) * 2012-04-18 2016-08-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板搬送方法および記憶媒体
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
WO2014143846A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc Multi-position batch load lock apparatus and systems and methods including same
US20140271097A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
JP2015088694A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
KR20160041175A (ko) * 2014-10-06 2016-04-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이의 제조 장치
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10014196B2 (en) 2015-10-20 2018-07-03 Lam Research Corporation Wafer transport assembly with integrated buffers
US10304707B2 (en) * 2015-10-20 2019-05-28 Lam Research Corporation Load lock interface and integrated post-processing module
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
JP6719993B2 (ja) * 2016-06-30 2020-07-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
JP6836959B2 (ja) * 2017-05-16 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、処理システム、及び、多孔質膜をエッチングする方法
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
WO2019078989A1 (en) * 2017-10-16 2019-04-25 Applied Materials, Inc. HEATED SUPPORT BASE AT HIGH TEMPERATURE IN DOUBLE LOAD LOCKOUT CONFIGURATION
CN111213227B (zh) * 2017-10-19 2023-10-13 瑞士艾发科技 用于处理衬底的方法和设备
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10424487B2 (en) 2017-10-24 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Atomic layer etching processes
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10720348B2 (en) * 2018-05-18 2020-07-21 Applied Materials, Inc. Dual load lock chamber
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
KR20210022068A (ko) 2018-07-17 2021-03-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 입자 빔 검사 장치
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US20200126826A1 (en) * 2018-10-18 2020-04-23 Applied Materials, Inc. Load lock body portions, load lock apparatus, and methods for manufacturing the same
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US20200350188A1 (en) * 2019-05-02 2020-11-05 Intevac, Inc. Inline vacuum processing system with substrate and carrier cooling
JP7280132B2 (ja) * 2019-07-12 2023-05-23 株式会社アルバック 真空チャンバ及び基板処理装置
WO2021016115A1 (en) * 2019-07-19 2021-01-28 Applied Materials, Inc. Multi-object capable loadlock system
US11211269B2 (en) 2019-07-19 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Multi-object capable loadlock system
US11177048B2 (en) * 2019-11-20 2021-11-16 Applied Materials Israel Ltd. Method and system for evaluating objects
WO2021192001A1 (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 株式会社日立ハイテク 真空処理装置
KR102541982B1 (ko) * 2022-04-14 2023-06-13 주성엔지니어링(주) 기판처리시스템 및 기판처리방법

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR920009371B1 (ko) * 1990-05-21 1992-10-15 재단법인 한국전자통신연구소 양면 가열형 급속열처리 장치
US5199483A (en) * 1991-05-15 1993-04-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling wafers
JPH05160046A (ja) * 1991-12-05 1993-06-25 Kokusai Electric Co Ltd 基板加熱方法及びその装置
US5607009A (en) * 1993-01-28 1997-03-04 Applied Materials, Inc. Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor
JP3380988B2 (ja) * 1993-04-21 2003-02-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3288200B2 (ja) * 1995-06-09 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP3816929B2 (ja) * 1995-12-12 2006-08-30 東京エレクトロン株式会社 半導体処理装置
JPH09171953A (ja) 1995-12-20 1997-06-30 Sony Corp 基板加熱装置、基板加熱方法および半導体集積回路装置、フォトマスクならびに液晶表示装置
JPH10233423A (ja) * 1997-02-21 1998-09-02 Nikon Corp ロードロック式真空処理装置
US5944857A (en) * 1997-05-08 1999-08-31 Tokyo Electron Limited Multiple single-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
US6688375B1 (en) * 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
US6270582B1 (en) * 1997-12-15 2001-08-07 Applied Materials, Inc Single wafer load lock chamber for pre-processing and post-processing wafers in a vacuum processing system
US6086362A (en) * 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
US6375746B1 (en) * 1998-07-10 2002-04-23 Novellus Systems, Inc. Wafer processing architecture including load locks
TW418429B (en) * 1998-11-09 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
JP2000299367A (ja) * 1999-04-15 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び被処理体の搬送方法
US6558509B2 (en) * 1999-11-30 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Dual wafer load lock
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
WO2001072094A1 (en) * 2000-03-20 2001-09-27 Tokyo Electron Limited High speed photoresist stripping chamber
KR200206347Y1 (ko) 2000-07-24 2000-12-01 아남반도체주식회사 급속열처리시스템에서 반도체 웨이퍼의 양면냉각장치
KR20070037517A (ko) * 2000-09-15 2007-04-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록
US6729824B2 (en) * 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
KR20040090529A (ko) * 2003-04-17 2004-10-26 주식회사 제일 기판처리장치
JP3609077B1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-12 東京エレクトロン株式会社 高圧熱処理装置
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
EP1684951B1 (en) * 2003-11-10 2014-05-07 Brooks Automation, Inc. System for handling workpieces in a vacuum-based semiconductor handling system
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation

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