JP7280132B2 - 真空チャンバ及び基板処理装置 - Google Patents
真空チャンバ及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7280132B2 JP7280132B2 JP2019130128A JP2019130128A JP7280132B2 JP 7280132 B2 JP7280132 B2 JP 7280132B2 JP 2019130128 A JP2019130128 A JP 2019130128A JP 2019130128 A JP2019130128 A JP 2019130128A JP 7280132 B2 JP7280132 B2 JP 7280132B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- block
- vacuum chamber
- chamber
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
- B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
Description
(1)昇降機構を構成するエアシリンダ等の駆動装置の駆動に伴って振動が発生すると、この振動が昇降機構を構成する他の部材又は昇降機構に隣接する部材に伝達する。これによって、ロードロックチャンバの内部に堆積したパーティクルが巻き上がって飛散し、基板にパーティクルが付着するという問題がある。
(2)真空雰囲気と大気圧雰囲気とが繰り返し生じることで、Oリングが蓋に押し潰されたり、Oリングに復元力が生じたりする。これにより、Oリングと蓋との間で生じた摩擦によってOリングからパーティクルが発生し、ロードロックチャンバの内部空間に飛散し、基板にパーティクルが付着するという問題がある。さらに、近年では、搬送対象の基板が大型化しており、例えば、1辺が1500mmを超えるような大型基板を搬送するためにロードロックチャンバも大型化している。これに応じて、蓋の面積の増加に伴って蓋の撓み量も増加し、真空雰囲気及び大気圧雰囲気の繰り返し生成によって、Oリングと蓋との間における摩擦量も従来よりも増加する。さらに、Oリングと蓋との間の摩擦だけでなく、ロードロックチャンバを構成する部材と蓋との接触に起因する摩擦によってパーティクルが発生し、基板にパーティクルが付着するという問題がある。
1.昇降機構の駆動に伴う振動に起因するパーティクルの巻き上げ及び飛散を防止し、搬送対象の基板に対するパーティクルの付着を防止する。
2.チャンバ本体と蓋との間のシール部材から生じるパーティクルの発生を防止し、搬送対象の基板に対するパーティクルの付着を防止する。
さらに、チャンバ本体の上部開口を蓋で閉塞する従来構造とは異なり、本発明の上記態様に係る真空チャンバは、環状の開口空間が連通することで形成された内部空間を有する。すなわち、リッドレス構造を実現することができる。この構成により、チャンバ本体と蓋との間のシール部材からパーティクルが発生という従来構造の問題を解決することができる。
以下の説明において、「基板処理装置の平面視」又は「真空チャンバの平面視」を単に「平面視」と称する場合がある。この平面視とは、基板処理装置や真空チャンバの上方(図1におけるZ方向)から見た平面を意味し、すなわち、図1に示す平面図と同義である。
また、以下の実施形態における「第1」、「第2」、「第3」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付しており、数量を限定しない。
図1に示すように、本実施形態に係る基板処理装置1は、トランスファチャンバ2と、ロードロックチャンバ10と、プロセスチャンバ1A~1Eと、大気搬送装置3と、制御部100とを備える。
トランスファチャンバ2、ロードロックチャンバ10、及びプロセスチャンバ1A~1Eには、内部空間を真空状態に保持するための真空ポンプ(不図示)と、内部空間にガスを供給するガス供給部とが接続されている。
制御部100は、トランスファチャンバ2、ロードロックチャンバ10、プロセスチャンバ1A~1E、真空搬送ロボット2a(搬送ロボット)、及び大気搬送ロボット3aを制御し、また、制御部100は、ゲートバルブ(不図示)の開閉動作も制御する。
トランスファチャンバ2には、ゲートバルブを介して、ロードロックチャンバ10が接続されている。同様に、トランスファチャンバ2には、ゲートバルブを介して、プロセスチャンバ1A~1Eの各々が接続されている。
トランスファチャンバ2は、平面視において多角形の形状を有する。トランスファチャンバ2の各辺には、ロードロックチャンバ10と、プロセスチャンバ1A~1Eとがゲートバルブを介して接続されている。
トランスファチャンバ2は、多角形であればよく、三角形から八角形程度まで、任意の平面形状とすることができる。
真空搬送ロボット2aは、ロードロックチャンバ10とトランスファチャンバ2との間、及び、トランスファチャンバ2と各プロセスチャンバとの間で、基板S(後述)の受け渡しを行う。
真空搬送ロボット2aは、回転軸と、この回転軸に取り付けられたアーム2bと、アーム2bの先端に取り付けられたロボットハンド2cと、アーム2b及びロボットハンド2cを上下方向に移動させる昇降機構2dとを備える。回転軸の軸周りをアーム2bが回転することで、ロボットハンド2cは、ロードロックチャンバ10及びプロセスチャンバ1A~1Eうち選択された1つのプロセスチャンバに対向する位置に配置される。この状態でアーム2bが駆動することにより、ロボットハンド2cは、トランスファチャンバ2と選択されたプロセスチャンバとの間で移動可能である。昇降機構2dの駆動により、ロボットハンド2cは、上下方向に沿って移動可能である。
なお、トランスファチャンバ2には、真空搬送ロボット2aを複数設置することもできる。
より具体的には、アーム2bの駆動により、ロボットハンド2cに基板Sが載置された状態、又は、ロボットハンド2cに基板Sが載置されていない状態で、ロボットハンド2cは、基板Sの下方位置とトランスファチャンバ2との間で移動すること可能である。
より具体的には、昇降機構2dの駆動により、ロボットハンド2cに基板Sが載置された状態、又は、ロボットハンド2cに基板Sが載置されていない状態で、基板Sの下方位置と基板Sの上方位置との間で、ロボットハンド2cを移動すること可能である。
プロセスチャンバ1A~1Eの各々は密閉された内部空間を有し、真空雰囲気等の密閉状態にある内部空間において基板を処理する。プロセスチャンバ1A~1Eの各々で行われる基板の処理としては、コーティング、スパッタリング、蒸着、各種CVD(Chemical Vapor Deposition)等の成膜、エッチング、アッシング、洗浄等の処理が挙げられるが、プロセスチャンバ1A~1Eにおいて行われる基板処理は、上記列挙された処理に限定されない。
なお、プロセスチャンバ1A~1Eの内部空間に配置される基板の枚数は、限定されず、1枚でもよいし、2枚以上の複数であってもよい。
大気搬送装置3は、大気搬送ロボット3aと、基板カセット4とを備える。
大気搬送ロボット3aは、回転軸と、この回転軸に取り付けられたアーム3bと、アーム3bの先端に取り付けられたロボットハンド3cと、アーム3bを上下方向に移動させる昇降機構3dとを備える。回転軸の軸周りをアーム3bが回転することで、ロボットハンド3cは、ロードロックチャンバ10又は基板カセット4に対向する位置に配置される。アーム3bの駆動により、ロボットハンド3cは、搬送方向TDに沿って移動可能である。昇降機構3dの駆動により、ロボットハンド3cは、上下方向に沿って移動可能である。
なお、基板カセットの構成として、一つの基板カセットが処理前基板と処理済基板との両方を搭載する構成に限定されない。処理前基板のみを搭載する専用の第1基板カセットと、処理済基板のみを搭載する専用の第2基板カセットとを備えた構成が採用されてもよい。
図1に示すように、ロードロックチャンバ10(真空チャンバ)は、大気搬送ロボット3aとトランスファチャンバ2との間に配置されている。大気搬送ロボット3aとロードロックチャンバ10との間には、Oリング等(シール部材)を介して大気側ゲートバルブAG(AG1、AG2)が設けられている。トランスファチャンバ2とロードロックチャンバ10との間には、Oリング等を介して真空側ゲートバルブVG(VG1、VG2)が設けられている。
同様に、2つの内部空間11のうち下方に位置する下内部空間11Lの搬送方向TDにおける両側には、大気側ゲートバルブAG2及び真空側ゲートバルブVG2が設けられている。大気側ゲートバルブAG2及び真空側ゲートバルブVG2の両方が閉じることにより下内部空間11Lが密閉される。この状態で、下内部空間11Lの雰囲気は、大気圧雰囲気と真空雰囲気とに切り替え可能である。
具体的に、開口空間OP1、OP2の各々は、内側下面ILと、内側上面IUと、2つの内側側面ISとで囲まれた空間であり、搬送方向TDに沿って延在している。
すなわち、上記の5つのブロック体で構成されたロードロックチャンバ10は、平面視においてチャンバの上方開口を閉塞する蓋を備えた従来構造とは異なり、リッドレス構造を実現する。
次に、図3A~図4を参照し、ロードロックチャンバ10の内部構造(上内部空間11Uの内部構造)について説明する。なお、下内部空間11Lの内部構造は、上内部空間11Uの内部構造と同じであるため、その説明を省略する。また、図3Aにおいて、上内部空間11Uに配置される基板は符号Sで示されている。
図3Aに示すように、第1ブロック体10Aは、Oリング等のシール部材を介して大気側ゲートバルブAG1に接触するシール面11aを有する。上内部空間11UにおけるX方向の両側において、第1ブロック体10Aの内側下面ILには、排気部11b、11cが設けられている。ここで、排気部11b、11cとは、第1ブロック体10Aに形成された穴(排気口)である。
図3Aに示すように、第2ブロック体10Bは、OリングSL(シール部材)を介して第1ブロック体10Aに固定接続されている。上内部空間11UにおけるX方向の両側において、第2ブロック体10Bの内側側面ISには、窓12aが設けられている。
換言すると、基板Sに平行な方向であってかつ搬送方向TDに交差する方向(X方向)から見た側面視において、第2ブロック体10Bの側面に窓12aが形成されている。窓12aの外側(外壁部分)には、窓12aを覆うように、フランジ12bがOリングを介して固定されている。つまり、窓12aが第2ブロック体10Bに形成されていたとしても、フランジ12bによって、上内部空間11Uは密閉されている。フランジ12bは、取り外し可能である。フランジ12bが透明材料で構成されていれば、作業者は、フランジ12bを通じて、ロードロックチャンバ10の内部を観察することが可能である。
嵌合溝FGには、図3Bに示すベース部材20が嵌合している。ベース部材20は、嵌合溝FGが延在する方向(X方向)に延びており、すなわち、嵌合溝FGの形成部分を埋めるように、ベース部材20が設けられている。ベース部材20には、複数の基板支持ピン30が固定されている。
なお、ベース部材20の材料としては、テフロンに限定されず、上記の利点が得られれば、他の材料でベース部材20が構成されてもよい。
図4に示すように、各基板支持ピン30は、ロッド31と、ロッド31の上部31Uに回転可能に支持されたボールベア32(支持端)と、ボールベア32とは反対側に位置してベース部材20に固定される固定端33と、ベース部材20に形成されたネジ穴20Sに固定されるボルト34(締結部)とを有する。
ボールベア32の上端32Tは、基板Sが接触する部分である。基板支持ピン30によって基板Sが支持されると、ボールベア32と基板Sとが接触する。このとき、基板Sは、ボールベア32の回転によって滑らかに水平方向(X方向、Y方向)に移動可能であるので、基板Sに傷が発生することを防止することができる。
図3B及び図4に示すように、基板支持ピン30の固定端33とベース部材20との間には、溝カバー21(カバー)が配置されている。溝カバー21は、嵌合溝FGが延在する方向(X方向)に延びており、Y方向における溝カバー21の幅は、ベース部材20の幅よりも大きい。上記のようにベース部材20は嵌合溝FGに嵌合しているが、溝カバー21は、嵌合溝FGの内部に設けられていない。
溝カバー21の幅は、ベース部材20よりも大きいため、Z方向から見て、第1ブロック体10Aと第2ブロック体10Bとの間の隙間Gは、溝カバー21によって覆われる。
溝カバー21の材料としては、ベース部材20と同じ材料でもよいし、異なる材料であってもよい。
溝カバー21は、ベース部材20と一体に形成された一体品であってもよい。この場合、溝カバー21はベース部材20と同じ材料で形成される。また、この構成では、貫通孔21Pにネジ穴が形成されてもよい。
図3Aに示すように、第3ブロック体10Cは、OリングSL(図4参照)を介して第2ブロック体10Bに固定接続されている。上内部空間11UにおけるX方向の両側において、第3ブロック体10Cの内側側面ISには、開口13aが設けられており、この開口13aの内部にはベントフィルタ13bが設けられており、開口13aの外側(外壁部分)には、ガス供給部13cが設けられている。
図3Aに示すように、第4ブロック体10Dは、OリングSL(図4参照)を介して第3ブロック体10Cに固定接続されている。上内部空間11UにおけるX方向の両側において、第4ブロック体10Dの内側側面ISには、窓14aが設けられている。また、窓14aの外側(外壁部分)には、窓14aを覆うように、フランジ14bがOリングを介して固定されている。窓14a及びフランジ14bの構造は、上述した窓12a及びフランジ12bの構造と同じである。
図3Aに示すように、第5ブロック体10Eは、Oリング等のシール部材を介して真空側ゲートバルブVG1に接触するシール面15aを有する。上内部空間11UにおけるX方向の両側において、第5ブロック体10Eの内側下面ILには、排気部15b、15cが設けられている。ここで、排気部15b、15cとは、第5ブロック体10Eに形成された穴(排気口)である。
図3Aに示すように、ロードロックチャンバ10を構成する5つのブロック体のうち、2つのブロック体、即ち、第1ブロック体10A及び第5ブロック体10Eは排気部を有する。4つの排気部11b、11c、15b、15cは、上内部空間11Uの4つの角領域Kに対応する位置に設けられている。換言すると、4つの排気部は、基板Sの4つの角部に対応する位置に設けられている。
排気部の各々の形状は、特に限定されない。円形、楕円、長円、矩形等が採用される。4つの角領域Kの各々に位置する排気部は、複数の排気口で構成されてもよい。この場合、排気口の個数も限定されない。具体的に、図3Aに示す構成では、1つの角領域Kに1つの排気口が形成されているが、1つの角領域Kに複数の排気口が形成されてもよい。
4つの排気部11b、11c、15b、15cは、図2Bに示す下内部空間11Lにも設けられている。
上内部空間11Uに形成された4つの排気部11b、11c、15b、15cの各々は、ブロック体に形成された穴部を通じて、4つの分岐配管50Bに接続されている。4つの分岐配管50Bは、集合配管50Mに接続されており、集合配管50Mは、真空バルブ50Uを介して真空ポンプ50Pに接続されている。
また、上内部空間11U及び下内部空間11Lの両方の雰囲気を真空雰囲気又は大気圧雰囲気にすることが可能である。制御部100による真空バルブ50U、50Lの制御は、後述するロードロックチャンバ10における基板搬送の動作に応じて行われる。
図3Aに示すように、ロードロックチャンバ10を構成する5つのブロック体のうち、2つのブロック体、即ち、第1ブロック体10A及び第5ブロック体10Eは位置決め機構を有する。
4つの位置決め機構41、42、43、44は、上内部空間11Uの4つの角領域Kに対応する位置に設けられている。換言すると、4つの位置決め機構は、基板Sの4つの角部に対応する位置に設けられている。
以下の説明では、位置決め機構42について説明するが、他の位置決め機構41、43、44の各々も位置決め機構42と同じ構成を有するため、説明を省略する。
第2ローラ45Xは、搬送方向TDに直交するX方向に平行な軸線AXの周りに回動可能である。第2ローラ45Xの内端45XEは、基板Sの角部であってX方向に延びる基板Sの端面に接触可能である。
次に、図7A~図7Dを参照し、ロードロックチャンバ10に対する基板S(処理前基板SP、処理済基板)の搬送動作について詳細に説明する。
以下の説明では、上内部空間11Uにおける基板搬送について説明する。下内部空間11Lにおいても、上内部空間11Uと同様の基板搬送が行われるため、説明を省略する。
図7A~図7Dは、図1~図3Bに示すロードロックチャンバ10を構成する部材のうち要部のみを示している。
具体的に、大気搬送ロボット3aが駆動することにより、ロボットハンド3cが基板カセット4から処理前基板SPを取り出し、ロボットハンド3cは、処理前基板SPを搬送方向TDに沿って開口空間OP1を通過させ、上内部空間11Uの内部に処理前基板SPを搬送する。
その後、ロボットハンド3cは、上内部空間11Uから退避し、大気側ゲートバルブAG1が閉じる。
上内部空間11Uの内部圧力がトランスファチャンバ2の内部圧力と略同じになると、大気側ゲートバルブAG1が閉じた状態で、真空側ゲートバルブVGが開く。
具体的に、真空搬送ロボット2a(アーム2b)が駆動することにより、ロボットハンド2cがトランスファチャンバ2から上内部空間11Uに入り、かつ、処理前基板SPの下方位置に配置される。このとき、処理前基板SPとロボットハンド2cとが接触しないように処理前基板SPとロボットハンド2cとの間に隙間が形成された状態で、ロボットハンド2cは、トランスファチャンバ2から処理前基板SPの下方位置に向けて移動する。
プロセスチャンバにおける処理を行うことで、処理済基板が得られ、処理済基板は、真空搬送ロボット2aによってトランスファチャンバ2から上内部空間11Uに戻される。ここで、真空搬送ロボット2aは、処理済基板を必ずしも上内部空間11Uに戻す必要はなく、処理済基板を下内部空間11Lに戻してもよい。以下の説明では、処理済基板を上内部空間11Uに戻す場合について説明する。
続いて、昇降機構2dが駆動することで、方向LDに沿って、ロボットハンド2cが下降し、ロボットハンド2cは、処理済基板を基板支持ピン30(30a、30b、30c)上に配置する。これによって、ロボットハンド2cから基板支持ピン30(30a、30b、30c)に対する処理済基板を受け渡しが行われる。処理済基板は、位置決め機構41、42、43、44によって位置決めされる。その後、処理済基板とロボットハンド2cとが離間した状態で、アーム2bは、処理済基板の下方位置からトランスファチャンバ2に向けて移動する。すなわち、ロボットハンド2cは、ロードロックチャンバ10から退避し、真空側ゲートバルブVG1が閉じる。
大気搬送ロボット3aの昇降機構3dが駆動し、ロボットハンド3cは上昇する。すると、ロボットハンド3cは、処理済基板の下面を支持する。ロボットハンド3cが上昇すると、処理済基板は、基板支持ピン30(30a、30b、30c)から離間し、基板支持ピン30からロボットハンド3cへ処理済基板が受け渡される。ロボットハンド3cは、処理済基板を保持した状態で、処理済基板を上内部空間11Uから基板カセット4に搬送する。処理済基板の搬送が終了すると、大気側ゲートバルブAG1が閉じる。
さらに、従来構造では、大型の蓋とOリングとの間の摩擦だけでなく、ロードロックチャンバを構成する部材と大型の蓋との接触に起因する摩擦によってパーティクルが発生し、基板にパーティクルが付着するという問題もあるが、このような問題も解決することができる。
本発明の「開口空間の内側下面に形成された溝」は、互いに隣接する2つのブロック体の間の位置に形成された嵌合溝FG(溝12G、13G、14G、15G)に限定されない。
嵌合溝FGが形成されている位置とは異なる位置であって、5つのブロック体のうち少なくともいずれかのブロック体の内側下面ILに、略U字状の溝が直接的に形成されてもよい。換言すると、この溝は、例えば、溝12Gと溝13Gとの間、溝13Gと溝14Gとの間、溝14Gと溝15Gとの間において、内側下面IL上に形成されてもよい。
この溝には、上述した実施形態と同様に、ベース部材20が嵌合され、ベース部材20に複数の基板支持ピン30が固定される。
すなわち、本変形例に係るロードロックチャンバ10は、嵌合溝FGにベース部材20が嵌合された構造と、嵌合溝FGとは異なる位置に形成された溝にもベース部材20が嵌合された構造との両方を備えてもよい。
Claims (7)
- 基板の搬送方向から見て環状の開口空間を有する複数のブロック体が前記搬送方向に沿って配置することによって構成され、前記複数のブロック体の前記開口空間が連通することで形成された内部空間の雰囲気を大気圧雰囲気と真空雰囲気とに切り替え可能な真空チャンバであって、
前記複数のブロック体の一つである第1ブロック体と、
前記複数のブロック体の一つであり、前記搬送方向に交差する方向に延びるとともに前記開口空間の内側下面に形成された溝を有し、シール部材を介して前記第1ブロック体に接続固定された第2ブロック体と、
前記溝が延在する方向に延びるとともに前記溝に嵌合されたベース部材と、
前記基板が接触する支持端と、前記支持端とは反対側に位置して前記ベース部材に固定される固定端とを有し、前記真空チャンバの内部において前記基板を支持する複数の基板支持ピンと、
を有する真空チャンバ。 - 前記真空チャンバの平面視において、
前記複数のブロック体のうち少なくとも2つのブロック体の各々は、
前記真空チャンバの前記内部空間の4つの角領域に対応する位置に設けられた排気部を有する、
請求項1に記載の真空チャンバ。 - 前記溝は、前記第1ブロック体と前記第2ブロック体との間に位置し、
前記溝に嵌合された前記ベース部材と前記基板支持ピンの前記固定端との間には、前記第1ブロック体と前記第2ブロック体との間の隙間を覆うカバーが設けられている、
請求項1又は請求項2に記載の真空チャンバ。 - 前記基板に平行な方向であってかつ前記搬送方向に交差する方向から見た側面視において、
前記複数のブロック体の少なくとも一つの側面には、窓が形成されている、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の真空チャンバ。 - 前記真空チャンバの平面視において、
前記複数のブロック体のうち少なくとも2つのブロック体の各々は、
前記真空チャンバの内部に配置される前記基板の4つの角部に対応する位置に設けられた位置決め機構を有し、
各位置決め機構は、
前記搬送方向に平行な軸線周りに回動可能な第1ローラと、
前記搬送方向に直交する方向に平行な軸線周りに回動可能な第2ローラと、
を有し、
前記複数の基板支持ピンの前記支持端に前記基板が接触した状態で、前記第1ローラと前記第2ローラとによって前記基板の角部の位置を決定する、
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の真空チャンバ。 - 基板の搬送方向から見て環状の開口空間を有する複数のブロック体が前記搬送方向に沿って配置することによって構成され、前記複数のブロック体の前記開口空間が連通することで形成された内部空間の雰囲気を大気圧雰囲気と真空雰囲気とに切り替え可能な真空チャンバと、
前記真空チャンバに接続されたトランスファチャンバと、
前記トランスファチャンバに接続されたプロセスチャンバと、
前記真空チャンバと前記トランスファチャンバとの間、及び、前記トランスファチャンバと前記プロセスチャンバとの間で、前記基板の受け渡しを行い、かつ、前記トランスファチャンバの内部に設けられた搬送ロボットと、
を備え、
前記真空チャンバは、
前記複数のブロック体の一つである第1ブロック体と、
前記複数のブロック体の一つであり、前記搬送方向に交差する方向に延びるとともに前記開口空間の内側下面に形成された溝を有し、シール部材を介して前記第1ブロック体に接続固定された第2ブロック体と、
前記溝が延在する方向に延びるとともに前記溝に嵌合されたベース部材と、
前記基板が接触する支持端と、前記支持端とは反対側に位置して前記ベース部材に固定される固定端とを有し、前記真空チャンバの内部において前記基板を支持する複数の基板支持ピンと、
を有する、
基板処理装置。 - 前記搬送ロボットは、
ロボットハンドと、
前記ロボットハンドを前記搬送方向に沿って移動させるアームと、
前記ロボットハンドを前記基板の鉛直方向に沿って移動させる昇降機構と、
を備え、
前記真空チャンバの前記内部空間において、
前記アームが駆動することにより、前記ロボットハンドは、前記基板の下方位置と前記トランスファチャンバとの間で移動し、
前記昇降機構が駆動することにより、前記ロボットハンドは、前記基板の下方位置と前記基板の上方位置との間で、前記ロボットハンドを上下動させる、
請求項6に記載の基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019130128A JP7280132B2 (ja) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 真空チャンバ及び基板処理装置 |
CN202010406402.7A CN112210765B (zh) | 2019-07-12 | 2020-05-14 | 真空室及基板处理装置 |
KR1020200058798A KR102352718B1 (ko) | 2019-07-12 | 2020-05-18 | 진공챔버 및 기판 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019130128A JP7280132B2 (ja) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 真空チャンバ及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021015900A JP2021015900A (ja) | 2021-02-12 |
JP7280132B2 true JP7280132B2 (ja) | 2023-05-23 |
Family
ID=74058556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019130128A Active JP7280132B2 (ja) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 真空チャンバ及び基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7280132B2 (ja) |
KR (1) | KR102352718B1 (ja) |
CN (1) | CN112210765B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115958182B (zh) * | 2023-01-13 | 2023-12-26 | 烟台大学 | 基于生物基因高通量工程的高温合金成型装置及方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518674A (ja) | 2002-02-22 | 2005-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板支持体 |
JP2006137995A (ja) | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Ulvac Japan Ltd | 真空チャンバ |
KR100948860B1 (ko) | 2007-11-21 | 2010-03-22 | 주식회사 에스에프에이 | 화학 기상 증착 장치의 로드락 챔버 |
JP2018515932A (ja) | 2015-05-15 | 2018-06-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ロードロックチャンバ、ロードロックチャンバを有する真空処理システム及びロードロックチャンバを排気する方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3043848B2 (ja) * | 1990-07-20 | 2000-05-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US7207766B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber for large area substrate processing system |
JP4860167B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置,処理システム及び処理方法 |
US7845891B2 (en) * | 2006-01-13 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Decoupled chamber body |
US8124907B2 (en) * | 2006-08-04 | 2012-02-28 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment |
KR101411620B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2014-06-25 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 평판표시소자 제조장치의 로드 락 챔버 |
KR101000493B1 (ko) * | 2008-02-05 | 2010-12-14 | 주식회사 에스에프에이 | 화학 기상 증착 장치 |
JP2010135536A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック装置および真空処理システム |
JP5190387B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2013-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空装置及び基板処理装置 |
WO2012002499A1 (ja) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 株式会社アルバック | 基板処理装置及び基板冷却方法 |
KR20120100016A (ko) * | 2011-03-02 | 2012-09-12 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 지지 핀 및 이를 포함하는 로드 락 챔버 |
-
2019
- 2019-07-12 JP JP2019130128A patent/JP7280132B2/ja active Active
-
2020
- 2020-05-14 CN CN202010406402.7A patent/CN112210765B/zh active Active
- 2020-05-18 KR KR1020200058798A patent/KR102352718B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518674A (ja) | 2002-02-22 | 2005-06-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板支持体 |
JP2006137995A (ja) | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Ulvac Japan Ltd | 真空チャンバ |
KR100948860B1 (ko) | 2007-11-21 | 2010-03-22 | 주식회사 에스에프에이 | 화학 기상 증착 장치의 로드락 챔버 |
JP2018515932A (ja) | 2015-05-15 | 2018-06-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ロードロックチャンバ、ロードロックチャンバを有する真空処理システム及びロードロックチャンバを排気する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112210765A (zh) | 2021-01-12 |
KR102352718B1 (ko) | 2022-01-18 |
KR20210007824A (ko) | 2021-01-20 |
JP2021015900A (ja) | 2021-02-12 |
CN112210765B (zh) | 2022-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI539525B (zh) | 加熱裝置、塗佈裝置及加熱方法 | |
JP4404500B2 (ja) | 複バルブを備えた単体スロットバルブアクチュエータ、およびその実装方法 | |
US20050211169A1 (en) | Apparatus for manufacturing substrate | |
TW201620065A (zh) | 裝載埠及裝載埠的氣氛置換方法 | |
JP7037379B2 (ja) | 薄板状基板保持装置、及び保持装置を備える搬送ロボット | |
JP7084385B2 (ja) | 薄板状基板保持フィンガ、及びこのフィンガを備える搬送ロボット | |
JP2011517134A (ja) | クリーン移送ロボット | |
JP7280132B2 (ja) | 真空チャンバ及び基板処理装置 | |
US9530623B2 (en) | Process chamber apparatus, systems, and methods for controlling a gas flow pattern | |
US20020078980A1 (en) | System for processing substrate with liquid | |
CN101556911B (zh) | 基板处理装置 | |
KR102626528B1 (ko) | 국소 퍼지 기능을 갖는 반송 장치 | |
KR20200014726A (ko) | 이동가능한 차폐부 캐리어를 갖는 장치 | |
KR20120023055A (ko) | 반송 모듈 | |
KR20220023710A (ko) | 기판을 반송하는 장치, 기판을 처리하는 시스템, 및 기판을 처리하는 방법 | |
JP6853489B2 (ja) | Efem | |
JP2001077172A (ja) | 基板の処理装置、基板の搬送体、並びに電子部品の製造方法 | |
US20230407474A1 (en) | An atomic layer deposition apparatus and a method | |
JP7185545B2 (ja) | 仕切弁 | |
KR100289135B1 (ko) | 처리시스템및처리장치 | |
JP2018157025A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102139613B1 (ko) | 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치 | |
KR100740453B1 (ko) | 진공처리장치 | |
JP2005187114A (ja) | 真空処理装置 | |
JPH0543543U (ja) | 基板表面処理室の基板搬入口/搬出口遮断装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7280132 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |