KR20200014726A - 이동가능한 차폐부 캐리어를 갖는 장치 - Google Patents

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제바스티안 군터 창크
안드레아스 자우어
마티아스 크렙스
안나벨레 호프만
예리 지그문트
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치가 설명된다. 프로세싱 장치 시스템은 진공 챔버, 및 진공 챔버에 제공된 증착 소스를 포함한다. 장치는, 기판을 운송하도록 적응된 제1 운송 트랙 및 마스크를 운송하도록 적응된 제2 운송 트랙을 갖는 제1 트랙 어레인지먼트를 더 포함한다. 게다가, 장치는, 마스크의 오염을 방지하기 위해, 증착 소스와 마스크 사이에서 마스크 차폐부를 운송하도록 적응된 제3 운송 트랙을 포함한다. 제3 운송 트랙은 진공 챔버 외부로 마스크 차폐부를 운송하도록 적응되고, 그에 따라, 증착 소스로부터의 재료로 오염된 마스크 차폐부를 분해 및 세정하는 것이 가능하다.

Description

이동가능한 차폐부 캐리어를 갖는 장치
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 장치, 트랙 어레인지먼트(track arrangement), 마스크 차폐부, 및 마스크 차폐부를 이동시키기 위한 방법에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용의 실시예들은 진공 프로세싱 장치의 마스크 차폐부들의 유지보수에 관한 것이다. 본원에서 설명되는 방법들 및 장치들은 유기 발광 다이오드(OLED) 디바이스들의 제조에서 사용될 수 있다.
[0002] 기판 상의 층 증착을 위한 기법들은, 예컨대, 열 증발, 물리 기상 증착(PVD), 및 화학 기상 증착(CVD)을 포함한다. 코팅된 기판들은 여러 애플리케이션들에서 그리고 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 코팅된 기판들은 유기 발광 다이오드(OLED) 디바이스들의 분야에서 사용될 수 있다. OLED들은 정보를 디스플레이하기 위한 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들, 다른 핸드-헬드 디바이스들 등의 제조를 위해 사용될 수 있다. OLED 디바이스, 이를테면 OLED 디스플레이는 기판 상에 증착되는 2개의 전극들 사이에 위치된 유기 재료의 하나 이상의 층들을 포함할 수 있다.
[0003] 기판 상으로의 코팅 재료의 증착 동안, 기판은 기판 캐리어에 의해 홀딩될 수 있고, 마스크는 기판의 전방에서 마스크 캐리어에 의해 홀딩될 수 있다. 따라서, 재료 패턴, 예컨대, 마스크의 개구 패턴에 대응하는 복수의 픽셀들이 기판 상에 증착될 수 있다.
[0004] OLED 디바이스의 기능성은 전형적으로, 유기 재료의 코팅 두께에 따라 좌우되는데, 그 코팅 두께는 미리 결정된 범위 내에 있어야만 한다. 고-해상도 OLED 디바이스들을 획득하기 위해, 증발된 재료들의 증착에 대한 기술적 난제들이 극복될 필요가 있다. 특히, 진공 시스템을 통해 기판 캐리어들 및 마스크 캐리어들을 정확하게 그리고 매끄럽게 운송하는 것이 난제이다. 추가로, 예컨대 고-해상도 OLED 디바이스들을 생산하기 위한 고 품질 증착 결과들을 달성하는 데 있어서 마스크에 대한 기판의 정밀한 정렬이 중요하다. 추가로, 진공 프로세싱 시스템의 소유 비용을 감소시키기 위해, 시스템의 다운타임을 감소시키도록, 컴포넌트들의 세정이 단시간에 제공되는 것이 유익하다. 추가로, 진공 프로세싱 시스템의 하나의 부분에서의 유지보수를 다른 부분들이 여전히 동작될 수 있는 동안 가능하게 하는 것이 유익하다.
[0005] 상기된 바를 고려하면, 진공 챔버에서 기판들 및 마스크들을 서로에 대하여 정확하게 그리고 신뢰성 있게 포지셔닝 및 정렬하기 위한 장치들, 시스템들, 및 방법들을 제공할 뿐만 아니라, 용이하고 비용 효율적인 유지보수 수행을 가능하게 하는 장치들을 제공하는 것이 유익할 것이다. 추가로, 짧은 유휴 시간들로 진공 증착 시스템을 효율적으로 사용하는 것이 유익할 것이다.
[0006] 상기된 바를 고려하면, 기판을 프로세싱하기 위한 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템, 및 진공 챔버에서 마스크 캐리어에 대하여 기판 캐리어를 정렬하는 방법이 제공된다. 본 개시내용의 추가적인 양상들, 이익들, 및 특징들은 청구항들, 상세한 설명, 및 첨부 도면들로부터 명백하다.
[0007] 본 개시내용의 양상에 따르면, 진공 챔버, 진공 챔버에 제공된 증착 소스, 및 제1 트랙 어레인지먼트를 포함하는 진공 프로세싱 장치가 개시되며, 그 제1 트랙 어레인지먼트는, 기판을 운송하도록 적응된 제1 운송 트랙, 및 마스크를 운송하도록 적응된 제2 운송 트랙, 및 마스크의 오염을 방지하기 위해 증착 소스와 마스크 사이에서 마스크 차폐부를 운송하도록 적응된 제3 운송 트랙을 포함한다.
[0008] 본 출원의 다른 양상에 따르면, 진공 프로세싱 장치 내의 트랙 어레인지먼트가 개시된다. 트랙 어레인지먼트는, 진공 프로세싱 장치의 진공 챔버에서 기판을 운송하기 위한 제1 운송 트랙, 진공 프로세싱 장치의 진공 챔버에서 마스크를 운송하기 위한 제2 운송 트랙, 및 진공 프로세싱 장치의 진공 챔버에서 마스크 차폐부를 운송하기 위한 제3 운송 트랙을 포함한다.
[0009] 본 출원의 추가적인 양상에서, 마스크 차폐부가 개시된다. 마스크 차폐부 또는 차폐-어레인지먼트는 진공 프로세싱 장치의 운송 트랙 상에 배열될 수 있고, 차폐 프레임을 포함할 수 있다. 차폐 프레임은 마스크 프레임 및/또는 마스크 캐리어의 측부를 덮는 적어도 하나의 시트 금속 차폐부, 및/또는 마스크 캐리어의 에지를 덮는 사이드 차폐부(side shield)를 포함할 수 있다.
[0010] 본 출원의 실시예들은 진공 프로세싱 장치를 위한 마스크 차폐부를 교환하기 위한 방법을 포함한다. 방법은, 진공 챔버에 제공된 증착 소스를 백 포지션(back position)에 있게 하는 단계, 및 진공 챔버의 밸브(10)를 개방하는 단계를 포함할 수 있다. 추가로, 방법은, 진공 챔버 밖으로 마스크 차폐부의 제1 부분을 슬라이딩시키는 단계, 마스크 차폐부의 제1 부분으로부터 제1 차폐부들을 분해하는 단계, 진공 챔버 밖으로 마스크 차폐부의 제2 부분을 슬라이딩시키는 단계, 마스크 차폐부의 제2 부분으로부터 제2 차폐부들을 분해하는 단계를 포함할 수 있다.
[0011] 실시예들은 또한, 개시되는 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이고, 그리고 각각의 설명되는 방법 양상을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이들 방법 양상들은 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시내용에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들은 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 양상들을 포함한다.
[0012] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 아래에서 설명된다.
도 1은 종래 기술에 따른 진공 챔버들을 도시한다.
도 2는 본 출원의 실시예들에 따른 진공 챔버를 도시한다.
도 3a 및 도 3b는 본 출원의 실시예들의 측면도를 도시한다.
도 4는 본 출원의 실시예들에 따른, 다수의 챔버들을 갖는 진공 프로세싱 장치의 개략적인 개요를 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 본 출원의 실시예들에 따른 마스크 차폐부/차폐 어레인지먼트를 도시한다.
도 6a 내지 도 6d는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에 대한 마스크 차폐부의 여러 후속 스테이지들을 도시한다.
도 7은 본원에서 설명되는 방법들의 실시예들을 도시한다.
[0013] 이제, 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 그 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에 예시된다. 도면들의 아래의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 나타낸다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로서 제공되고, 본 개시내용의 제한으로서 의도되지 않는다.
[0014] 본 출원의 실시예에서, 진공 프로세싱 장치(40)가 개시된다(예컨대, 도 2 참조). 진공 프로세싱 장치(40)는 진공 챔버(12)를 포함한다. 증착 소스(33)가 진공 챔버(12)에 제공될 수 있다. 진공 챔버(12)는 제1 트랙 어레인지먼트(13)를 포함할 수 있다.
[0015] 제1 트랙 어레인지먼트(13)는 진공 챔버 내로 기판(16)을 운송하도록 적응된 제1 운송 트랙(13-1), 및 진공 챔버 내로 마스크를 운송하도록 적응된 제2 운송 트랙(13-2)을 포함할 수 있다. 추가로, 제3 운송 트랙(13-3)이 제공된다. 제3 트랙 어레인지먼트는, 마스크의 오염을 감소시키기 위해, 증착 소스(33)와 마스크 사이에서 마스크 차폐부(14)를 운송하도록 적응된다.
[0016] 진공 챔버(12) 내의 증착 소스(33)는, 본질적으로 수직으로 배열된 기판(16) 쪽으로 증발 재료를 지향시키도록 구성된 증기 소스일 수 있다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 마스크 차폐부는 마스크들 그리고 또한 마스크 캐리어들을 오염되지 않게 보호하기 위해 제공된다. 시스템의 유휴 시간들은 가능한 짧게 유지되어야 한다.
[0017] 본 개시내용의 실시예들은 특히, 대면적 기판들 상의 OLED 디스플레이들, 특히 RGB(red green blue) OLED 디바이스들을 제조하기 위한 진공 프로세싱 시스템들에 관한 것이며, 이를 위해 유기 및 다른 층들이 섀도우 마스크(shadow mask)를 이용하여 증착될 수 있다. 대면적 증착의 경우, 시스템이 작은 풋프린트를 갖기 위해 수직 기판 배향이 유익할 수 있다. 예컨대, 마스킹 증착을 위한 픽셀 정확도를 갖는 섀도우 마스크들을 이용한 수직 기판 프로세싱은 마스크 평면에 평행하게 작용하는 중력의 관점에서 매우 어려울 수 있다.
[0018] 본원에서 사용되는 바와 같은 "본질적인 수직 배향"은 수직 배향, 즉 중력 벡터로부터의 10° 이하, 특히 5° 이하의 편차를 갖는 배향으로서 이해될 수 있다. 예컨대, 기판(16)(또는 마스크)의 주 표면과 중력 벡터 사이의 각도는 +10° 내지 -10°, 특히 0° 내지 -5°일 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(16)(또는 마스크)의 배향은 운송 동안 및/또는 증착 동안 정확하게 수직이 아니라, 예컨대 0° 내지 -5°, 특히 -1° 내지 -5°의 경사각으로, 수직 축에 대하여 약간 경사질 수 있다. 음의 각도는 기판(16)(또는 마스크)이 하방으로 경사진 기판(16)(또는 마스크)의 배향을 나타낸다. 증착 동안의 중력 벡터로부터의 기판(16) 배향의 편차는 유익할 수 있고, 더 안정적인 증착 프로세스를 발생시킬 수 있거나, 또는 하방을 향하는 배향은 증착 동안 기판(16) 상의 입자들을 감소시키는 데 적합할 수 있다. 그러나, 운송 동안 및/또는 증착 동안 정확한 수직 배향(+/-1°)이 또한 가능하다. 다른 실시예들에서, 기판들(16) 및 마스크들은 비-수직 배향으로 운송될 수 있고, 그리고/또는 기판들(16)은 비-수직 배향, 예컨대 본질적인 수평 배향으로 코팅될 수 있다.
[0019] 대면적 기판 상의 증착, 특히, 섀도우 마스크(픽셀 마스크)를 이용한 마스킹 증착 동안, 기판 및 마스크는 정적일 수 있다. 정적 마스크-기판-어레인지먼트들은 디스플레이의 픽셀 사이즈의 정밀도로 마스킹 정확성을 가능하게 한다. 증착 소스(33)는 진공 챔버(12)에 제공될 수 있는 소스 운송 트랙을 따라 이동가능할 수 있다. 증착 소스(33)는 본질적인 수직 방향으로 연장되는 라인 소스로서 제공될 수 있다. 수직 방향의 증착 소스(33)의 높이는, 기판(16)을 지나게 증착 소스(33)를 이동시킴으로써 기판(16)이 코팅될 수 있도록, 수직으로 배향된 기판(16)의 높이에 적응될 수 있다.
[0020] 증착 소스(33)는 증착 영역 쪽으로 코팅 재료를 지향시키기 위한 복수의 증기 개구들 또는 노즐들을 갖는 분배 파이프를 포함할 수 있다. 추가로, 증착 소스(33)는, 코팅 재료를 가열 및 증발시키도록 구성된 도가니를 포함할 수 있다. 도가니는, 이를테면 분배 파이프와 유체 연통하도록, 분배 파이프에 연결될 수 있다.
[0021] 일부 실시예들에서, 증착 소스(33)는 회전가능할 수 있다. 예컨대, 증착 소스(33)는, 증착 소스(33)의 증기 개구들이 제1 증착 영역 쪽으로 지향되는 제1 배향으로부터, 증기 개구들이 제2 증착 영역 쪽으로 지향되는 제2 배향으로 회전가능할 수 있다. 제1 증착 영역 및 제2 증착 영역은 증착 소스(33)의 대향 측들에 위치될 수 있고, 증착 소스(33)는 증착 영역과 제2 증착 영역 사이에서 약 180°의 각도로 회전가능할 수 있다.
[0022] 진공 프로세싱 장치(40)는 제1 트랙 어레인지먼트(13)를 더 포함할 수 있다. 제1 트랙 어레인지먼트(13)는 진공 챔버(12) 내로 기판(16)을 운송하도록 적응될 수 있는 제1 운송 트랙(13-1)을 포함할 수 있다. 제1 트랙 어레인지먼트(13)는 진공 챔버(12) 내로 마스크를 운송하도록 적응될 수 있는 제2 운송 트랙(13-2)을 포함할 수 있다.
[0023] 기판(16)은 제1 운송 트랙(13-1) 상에서 기판 캐리어(36)에 의해 운반될 수 있으며, 마스크(17)는 제2 운송 트랙(13-2) 상에서 마스크 캐리어(37)에 의해 운반될 수 있다. 제1 및 제2 운송 트랙(13-1 및 13-2)은 진공 챔버(12) 내에, 예컨대 인접 진공 챔버로부터의 운송 경로를 적어도 부분적으로 형성할 수 있다. 도 3a 및 도 3b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 정렬 시스템이 제공될 수 있고, 그에 따라, 정렬 시스템의 정렬 유닛을 통해, 마스크 캐리어(37)에 의해 운반되는 마스크에 대하여, 기판 캐리어(36)에 의해 운반되는 기판(16)이 정렬될 수 있다.
[0024] 제1 운송 트랙들(13-1) 및 제2 운송 트랙들(13-2)이 도 1에 예시된다. 기판(16)이 제1 운송 트랙(13-1)에 제공된다. 제1 운송 트랙(13-1)은 기판 또는 기판 캐리어를 운반하도록 적응될 수 있다. 기판 또는 기판 캐리어가 제1 운송 트랙에 의해 부상될 수 있거나, 또는 기판(16)과 제1 운송 트랙(13-1)이 기계적으로 링크될 수 있다. 마스크(17)가 제2 운송 트랙(13-2)에 제공된다. 제2 운송 트랙(13-2)은 마스크 또는 마스크 캐리어를 운반하도록 적응될 수 있다. 마스크 또는 마스크 캐리어가 제2 운송 트랙에 의해 부상될 수 있거나, 또는 마스크(17)와 제2 운송 트랙(13-2)이 기계적으로 링크될 수 있다.
[0025] 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 운송 트랙(13-1) 및 제2 운송 트랙(13-2)은 진공 챔버(12) 내로, 그리고 진공 챔버(12) 밖으로, 예컨대 인접 진공 챔버 안으로 기판 또는 마스크를 운송하는 것을 가능하게 할 수 있다. 추가적인 진공 챔버에 인접한, 진공 챔버의 측은 진공 챔버의 제1 측일 수 있다. 진공 챔버의 다른 측, 즉 제2 측에 유지보수 챔버(5)가 제공될 수 있다. 제2 측은 제1 측과 대향할 수 있다. 유지보수 챔버는 컴포넌트들, 이를테면 증착 소스(33)가 유지보수 챔버 내로 이송될 수 있게 한다.
[0026] 본 개시내용의 실시예들은 진공 프로세싱 시스템 내의 프로세싱 챔버들의 유휴 시간들을 감소시킬 수 있게 하며, 여기서, 기판들은 기판 캐리어들 상에서 시스템을 통해 라우팅될 수 있고, 마스크들은, 예컨대 마스크 캐리어들 상에서, 시스템을 통해 라우팅될 수 있다.
[0027] 본원에서 사용되는 바와 같은 "기판 캐리어"라는 용어는 진공 시스템에서 기판(16) 운송 경로를 따라 기판(16)을 운반하도록 구성된 캐리어 디바이스에 관련된다. 기판 캐리어(36)는 기판(16) 상으로의 코팅 재료의 증착 동안 기판(16)을 홀딩할 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(16)은, 운송 및/또는 증착 동안, 비-수평 배향, 특히 본질적인 수직 배향으로 기판 캐리어(36)에 홀딩될 수 있다.
[0028] 예컨대, 기판(16)은 진공 챔버를 통하는 운송 동안, 진공 챔버(12)에서 기판(16)을 예컨대 마스크에 대하여 포지셔닝하는 동안, 및/또는 기판(16) 상의 재료의 증착 동안, 기판 캐리어(36)의 홀딩 표면에 홀딩될 수 있다. 특히, 기판(16)은 척킹 디바이스, 예컨대, 정전 척 및/또는 자기 척에 의해 기판 캐리어(36)에 홀딩될 수 있다. 척킹 디바이스는 기판 캐리어(36)에 통합될 수 있다.
[0029] 기판 캐리어(36)는, 특히 비-수평 배향으로, 기판(16)을 홀딩하도록 구성된 홀딩 표면을 갖는 캐리어 바디를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 캐리어 바디는, 예컨대 선형 모터를 포함하는 기판 운송 시스템에 의해 기판 운송 경로를 따라 이동될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 캐리어(36)는, 예컨대 자기 부상 시스템에 의해, 운송 동안 가이딩 구조에 비접촉식으로 홀딩될 수 있다.
[0030] 예컨대, 기판 캐리어(36)는 기판(16) 상에 작용하는 인력을 제공하도록 구성된 전극 어레인지먼트를 포함할 수 있다. 기판 캐리어(36)는 기판 캐리어(36)의 홀딩 표면에 기판(16)을 홀딩하기 위한 인력을 제공하도록 구성된 복수의 전극들을 갖는 전극 어레인지먼트를 포함할 수 있다. 기판 캐리어(36)의 제어기는, 인력("척킹력"이라고 또한 지칭됨)을 제공하기 위해, 전극 어레인지먼트에 하나 이상의 전압들을 인가하도록 구성될 수 있다.
[0031] 전극 어레인지먼트의 복수의 전극들은 바디에 매립될 수 있거나, 또는 바디 상에 제공, 예컨대 배치될 수 있다. 바디는 유전체 바디, 이를테면 유전체 플레이트일 수 있다. 유전체 바디는 유전체 재료, 바람직하게는 고 열 전도도 유전체 재료, 이를테면 열분해 붕소 질화물, 알루미늄 질화물, 실리콘 질화물, 알루미나, 또는 동등한 재료로 제작될 수 있지만, 폴리이미드와 같은 재료들로 제조될 수도 있다. 복수의 전극들, 이를테면, 미세 금속 스트립들의 그리드(grid)가 유전체 플레이트 상에 배치될 수 있고, 얇은 유전체 층으로 덮일 수 있다.
[0032] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 캐리어(36)는 복수의 전극들에 하나 이상의 전압들을 인가하도록 구성된 하나 이상의 전압 소스들을 포함할 수 있다. 일부 구현들에서, 하나 이상의 전압 소스들은 복수의 전극들 중 적어도 일부의 전극들을 접지시키도록 구성된다. 예컨대, 하나 이상의 전압 소스들은 제1 극성을 갖는 제1 전압, 제2 극성을 갖는 제2 전압, 및/또는 접지를 복수의 전극들에 인가하도록 구성될 수 있다. 장치는 기판 캐리어(36) 및/또는 마스크 캐리어(37)의 비접촉식 부상 및/또는 비접촉식 운송을 위해 구성될 수 있다. 예컨대, 장치는 기판 캐리어(36) 및/또는 마스크 캐리어(37)의 비접촉식 부상을 위해 구성된 가이딩 구조를 포함할 수 있다. 마찬가지로, 장치는 기판 캐리어(36) 및/또는 마스크 캐리어(37)의 비접촉식 운송을 위해 구성된 구동 구조를 포함할 수 있다. 특히, 캐리어는 기계력들 대신 자기력들을 사용하여 부상 또는 부유 상태로 홀딩될 수 있다. 예컨대, 일부 구현들에서, 특히, 기판 캐리어(36) 및/또는 마스크 캐리어(37)의 부상, 이동, 및 포지셔닝 동안, 캐리어와 운송 트랙 사이에 기계적 접촉이 전혀 없을 수 있다.
[0033] 캐리어들의 비접촉식 부상 및/또는 운송은, 예컨대 가이드 레일들과의 기계적 접촉으로 인한 입자들이 운송 동안 생성되지 않는다는 점에서 유익하다. 비접촉식 부상 및/또는 운송을 사용하는 경우 입자 생성이 최소화되기 때문에, 기판(16) 상에 증착되는 층들의 개선된 순도 및 균일성이 제공될 수 있다.
[0034] 유사하게, 본원에서 사용되는 바와 같은 "마스크 캐리어"라는 용어는 진공 챔버(12)에서 마스크 운송 경로를 따라 마스크를 운송하기 위해 마스크를 운반하도록 구성된 캐리어 디바이스에 관련될 수 있다. 마스크 캐리어(37)는 운송 동안, 기판(16)에 대한 정렬 동안, 및/또는 기판(16) 상의 증착 동안, 마스크(17)를 운반할 수 있다.
[0035] 마스크는 척킹 디바이스, 예컨대 기계 척, 이를테면 클램프, 정전 척, 및/또는 자기 척에 의해 마스크 캐리어(37)에 홀딩될 수 있다. 마스크 캐리어(37)에 연결될 수 있거나 또는 마스크 캐리어(37) 내에 통합될 수 있는 다른 타입들의 척킹 디바이스들이 사용될 수 있다.
[0036] 예컨대, 마스크는 에지 배제 마스크(edge exclusion mask) 또는 섀도우 마스크일 수 있다. 에지 배제 마스크는 기판(16)의 코팅 동안 하나 이상의 에지 구역들 상에 재료가 증착되지 않도록, 기판(16)의 하나 이상의 에지 구역들을 마스킹하도록 구성된 마스크이다. 섀도우 마스크는 기판(16) 상에 증착될 복수의 피처(feature)들을 마스킹하도록 구성된 마스크이다. 예컨대, 섀도우 마스크는 복수의 작은 개구들, 예컨대, 작은 개구들의 그리드를 포함할 수 있다. 예컨대, 개구들은 디스플레이의 픽셀, 또는 디스플레이의 픽셀의 컬러에 대응할 수 있다.
[0037] 진공 프로세싱 장치(40)의 제1 트랙 어레인지먼트(13)는 제3 운송 트랙(13-3)을 더 포함할 수 있으며, 그 제3 운송 트랙(13-3)은 마스크 및/또는 특히 마스크 캐리어의 오염을 감소시키기 위해 증착 소스(33)와 마스크 사이에서 마스크 차폐부(14)를 운송하도록 적응될 수 있다.
[0038] 제3 운송 트랙(13-3)(도 2 참조)은 진공 챔버(12)로부터 마스크 차폐부(14)를 간단히 제거하는 것을 가능하게 할 수 있다. 마스크 차폐부(14)는 기판(16) 및 마스크 캐리어(37)와 본질적으로 독립적으로 이동될 수 있다. 기판(16) 및 마스크 캐리어(37)는, 제1 운송 트랙(13-1) 및 제2 운송 트랙(13-2)이라고 지칭되는 각각의 운송 경로들을 따라 이동될 수 있다(도 2). 추가로, 마스크, 또는 마스크를 지지하는 마스크 캐리어는 진공 챔버의 제2 측, 예컨대, 진공 프로세싱 시스템의 추가적인 진공 챔버와 대향하는 측에서 제거될 수 있다. 밸브(10)가 제2 측에 제공될 수 있다.
[0039] 마스크 차폐부(14)는 진공 챔버(12)에서 특히 증착 소스(33)와 정렬 시스템 사이에 제공될 수 있다. 마스크 차폐부(14)는 증착 소스(33)와 마스크 캐리어(37) 사이에 위치될 수 있다. 따라서, 마스크 차폐부(14)는, 코팅 재료에 의한 마스크 캐리어(37) 또는 진공 챔버(12)의 오염을 감소시키기 위해, 마스크 캐리어(37)를 적어도 부분적으로 차폐한다. 예컨대, 마스크 차폐부(14)는 마스크 캐리어(37)의 외측 부분이 마스크 차폐부(14)의 차폐 플레이트에 의해 보호되도록 형상화될 수 있다. 마스크 차폐부(14)는 마스크 캐리어(37)의 외측 부분 쪽으로 지향되는 코팅 재료를 적어도 부분적으로 차단한다. 기판(16) 쪽으로 지향되는 코팅 재료는 방해 없이 마스크 차폐부(14)를 통해 전파될 수 있다.
[0040] 예컨대, 마스크 차폐부(14)는 마스크 캐리어(37)를 적어도 부분적으로 덮고 차폐하도록 구성된 차폐 프레임(도 6b 내지 도 6d 참조)을 포함할 수 있다. 마스크 차폐부(14)는 도 3a 및 도 3b 그리고 또한 도 5a 및 도 5b에서 파선으로 표시된 개구(30)를 포함할 수 있으며, 그 개구(30)는 차폐 프레임에 제공되고, 그리고 코팅 재료가 마스크 차폐부(14)를 통해 기판(16) 쪽으로 통과할 수 있게 하도록 구성된다. 마스크 차폐부의 개구는 0.5 m2 이상, 특히 1 m2 이상의 사이즈를 가질 수 있다. 개구의 사이즈는 코팅될 기판(16)의 영역보다 더 클 수 있다.
[0041] 본원에서 사용되는 바와 같은, 기판(16) 또는 마스크를 "운송하는 것", "이동시키는 것", "라우팅하는 것", "회전시키는 것", "포지셔닝하는 것", 또는 "정렬하는 것"은 기판(16) 또는 마스크를 홀딩하는 기판 캐리어(36) 또는 마스크 캐리어(37)의 각각의 움직임을 나타낼 수 있다.
[0042] 마스크들 또는 기판들(16)의 운송은, 예컨대 자기 부상 시스템을 포함하는, 비접촉식 방식으로 제공될 수 있다. 비접촉식 운송은 제1 트랙 어레인지먼트(13)에 의해 제공될 수 있다.
[0043] 도 2는 3개의 운송 트랙들, 즉, 제1 운송 트랙(13-1), 제2 운송 트랙(13-2), 및 제3 운송 트랙(13-3)을 갖는 제1 트랙 어레인지먼트(13)를 도시한다. 점선은 제3 운송 트랙(13-3)을 나타낸다. 제3 운송 트랙은, 예컨대 밸브(10)를 통해, 진공 챔버(12) 밖으로 뻗어 있을 수 있다.
[0044] 본 출원의 다른 실시예에서, 제3 운송 트랙(13-3)은 마스크 차폐부(14)를 진공 챔버(12) 외부로 운송하도록 적응될 수 있다. 제3 운송 트랙(13-3)의 제1 파트는 진공 챔버(12)에 제공될 수 있다. 제3 운송 트랙(13-3)의 제2 파트는 진공 챔버(12) 외부에 제공될 수 있다.
[0045] 제3 운송 트랙(13-3)의 내측 및 외측 파트 각각은 상부 및 하부 부분을 포함할 수 있다. 따라서, 마스크 차폐부(14)는 제3 운송 트랙의 상부 및 하부 부분 상에 지지될 수 있고, 그에 따라, 마스크 차폐부는 기계적으로 안정적인 포지션으로 지지될 수 있다.
[0046] 제3 운송 트랙(13-3)의 적어도 외부에 놓인 상부 파트(60a)는 이동가능한 방식으로 배열될 수 있다. 상부 파트는, 상부 파트가, 예컨대, 도 6a에 도시된 바와 같은 피벗 축(61)을 중심으로 이동가능하도록 배열될 수 있다. 그러한 어레인지먼트에서, 유지보수를 수행하는 사람이, 운송 트랙의 파트들 상의 잠재적으로 날카로운 에지들로부터의 부상들에 대하여 보호될 수 있다.
[0047] 본 출원의 다른 실시예에서, 제1 운송 트랙(13-1)이 기판(16) 및/또는 마스크를, 진공 챔버의 제1 측에 제공된 추가적인 진공 챔버(41)로부터 진공 챔버(12) 내로, 그리고 진공 챔버(12) 밖으로 운송하도록 구성될 수 있는 것이 개시된다. 제3 운송 트랙(13-3)은 진공 챔버(12)의 제2 측에서 진공 챔버(12) 외부로 마스크 차폐부(14)를 운송하도록 적응될 수 있다. 제2 측은 제1 측과 대향하게 위치될 수 있다. 이러한 방식으로, 마스크들 및 기판(16)을 운반/운송하는 트랙들은 진공 프로세싱 장치(40)의 진공 부분 내에서 (하나의 진공 챔버(12)로부터 다른 진공 챔버로) 이동하는 반면, 차폐 어레인지먼트 또는 마스크 차폐부(14)를 운반하는 트랙은 진공 챔버(12) 외부로 마스크 차폐부(14)를 운송할 수 있다.
[0048] 도 6a에 도시된 바와 같이, 예컨대 진공 챔버(12)의 제2 측에, 진공 밀봉부 또는 진공 밸브(도 2의 참조 번호 10)가 제공될 수 있다. 진공 밀봉부는 포털 또는 도어(69)를 포함할 수 있다. 도어(69)는 진공 챔버를 밀봉할 수 있다. 도어는 개방 또는 폐쇄 포지션으로 제공될 수 있다. 도 6a는 개방 포지션에 있는 도어를 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 도어는, 진공 챔버의 벽, 예컨대 진공 챔버의 제2 측의 벽에 평행한 이동에 의해, 개방 포지션으로부터 폐쇄 포지션으로 그리고 그 반대로 이동될 수 있다.
[0049] 추가적인 실시예에서, 본 출원은 진공 프로세싱 장치(40)의 제3 운송 트랙(13-3)이 하부 파트 및 상부 파트를 가질 수 있는 것을 개시한다. 다른 실시예들에서, 제3 운송 트랙(13-3)은 진공 챔버(12) 내부의 하부 파트 및 상부 파트, 및 진공 챔버(12) 외부의 하부 파트 및 상부 파트를 가질 수 있다.
[0050] 제3 운송 트랙(13-3)의 내측 및 외측 부분들은, 제3 운송 트랙(13-3)의 내측 및 외측 부분들이, 진공 챔버 내부로부터 진공 챔버 외부로 이어지는 바람직하게 연속적이고 중단되지 않는 상부 및 하부 트랙을 형성할 수 있도록 하는 방식으로 배열될 수 있다. 이러한 방식으로, 마스크 차폐부(14)는 유지보수 목적을 위해 원활하고 안정된 방식으로 진공 챔버(12) 밖으로 이동될 수 있다.
[0051] 진공 프로세싱 장치(40)의 추가적인 실시예들에서, 마스크 차폐부(14)는 제2 부분으로부터 분리가능한 적어도 제1 부분을 가질 수 있다.
[0052] 진공 프로세싱 장치(40)의 비제한적인 예가 도 4에 도시된다. 장치는 다수의 설명된 진공 챔버들(12)을 포함할 수 있다. 진공 챔버들(12)은, 예컨대, 기판 캐리어들 상의 기판들 및 마스크 캐리어들 상의 마스크들을 운송하도록 적응될 수 있는 진공 챔버들(41)에 연결될 수 있다. 일반적으로, 서비스가 실시되지 않는 경우, 진공 프로세싱 장치(40)는 기판들의 코팅 프로세스를 위해 진공을 포함한다.
[0053] 유지보수, 예컨대 세정이 제공되는 경우, 각각의 진공 챔버(12)는 가압될 수 있다. 각각의 챔버 내의 진공은 공기로 대체될 수 있고, 그에 따라, 챔버는 환경 공기 압력을 가질 수 있다. 임의의 다른 챔버, 예컨대 진공 챔버(41)에 대한 연결은 밀봉부 또는 밸브(10)에 의해 밀봉될 수 있고, 그에 따라, 진공 프로세싱 장치(40)의 나머지에 대한 진공은 유지된다. 진공 프로세싱 시스템의 다른 부분들에서 프로세싱이 가능하다.
[0054] 진공 챔버(12)가 본 개시내용의 실시예(예컨대 도 2 참조)에 따르는 경우, 실행 중인 프로세스에 영향을 미치지 않으면서, 예컨대 마스크 차폐부에 대한 서비스를 수행하는 것이 가능할 수 있다. 마스크 차폐부가 마스크 차폐부를 위한 트랙(제3 운송 트랙(13-3)) 상에서 운송될 수 있기 때문에, 마스크 및 기판과 독립적으로 마스크 차폐부(14)가 핸들링될 수 있다. 마스크가 마스크 차폐부에 고정적으로 연결되지 않기 때문에, 마스크는 프로세스에서 유지될 수 있다.
[0055] 일반적으로, 마스크 차폐부는 마스크와 다른 세정 사이클을 필요로 한다. 세정은 마스크 차폐부(14) 또는 마스크 캐리어(37)를 오염시킨 증발 재료가 제거되는 것으로 이해되어야 한다. 마스크 차폐부가 세정되는 경우에 항상 마스크를 세정할 필요가 있는 것은 아니고, 그 반대도 마찬가지이다. 마스크 또는 마스크 차폐부에 대해 독립적으로 임의의 서비스를 수행하는 것이 가능함으로써, 진공 프로세싱 장치(40)의 다운타임들 또는 유휴 시간들이 개선될 수 있다.
[0056] 본 출원의 다른 실시예에서, 진공 프로세싱 장치(40) 내의 트랙 어레인지먼트가 개시된다. 트랙 어레인지먼트는 진공 프로세싱 장치(40)의 진공 챔버(12)에서 기판(16)을 운송하기 위한 제1 운송 트랙(13-1)을 포함할 수 있다. 트랙 어레인지먼트는 진공 프로세싱 장치(40)의 진공 챔버(12)에서 마스크를 운송하기 위한 제2 운송 트랙(13-2)을 더 포함할 수 있다. 트랙 어레인지먼트는 진공 프로세싱 장치(40)의 진공 챔버(12)에서 마스크 차폐부(14)를 운송하기 위한 제3 운송 트랙(13-3)을 더 포함할 수 있다.
[0057] 제1 트랙 어레인지먼트(13)와 유사하거나 또는 동일한 제2 트랙 어레인지먼트가 미러-반전(mirror-inverted) 방식으로 진공 프로세싱 장치(40)의 진공 챔버(12)에 제공될 수 있다. 제1 및/또는 제2 트랙 어레인지먼트는 도 4에 도시된 바와 같은 다수의 진공 챔버들(12)에 제공될 수 있다. 제1 및 제2 운송 트랙들은 진공 프로세싱 장치(40)의 진공 영역에만 제공되도록 적응될 수 있다.
[0058] 제3 운송 트랙이 진공 챔버(12)에 제공될 수 있다. 추가로, 제3 운송 트랙은 진공 챔버 외부로 연장될 수 있거나 또는 연장가능할 수 있다. 제3 운송 트랙(13-3)은 마스크 차폐부(14)에 대한 유지보수 및 세정 동작들을 위해 사용될 수 있다.
[0059] 마스크 차폐부(14)가 서비싱/유지 또는 세정될 때, 제1 및 제2 운송 트랙(13-2) 상의 기판(16) 및 마스크는, 진공 밸브(10)에 의해 추후에 폐쇄될 수 있는, 진공 챔버(12)에서의 제2 개구(11) 또는 밸브(10)(도 1, 도 2, 도 4)를 통해 진공 챔버(12)로부터 인접 진공 챔버(41)로 이송될 수 있다. 예컨대, 마스크 차폐부(14)의 세정, 또는 진공 챔버(12)로부터의 마스크 차폐부(14)의 언로딩은, 진공 챔버(12) 내의 프로세싱(코팅 등)이 완료되었을 때 수행될 수 있다.
[0060] 기판 및 마스크는 실행 중인 프로세스에서 유지될 수 있다. 기판들의 처리는, 마스크 차폐부들(14)에 대한 세정 또는 서비스가 실시되지 않는 다른 진공 챔버들에서 수행될 수 있다.
[0061] 제3 운송 트랙이 기판 또는 기판 캐리어(36), 및/또는 마스크 또는 마스크 캐리어(37)와 독립적으로 마스크 차폐부(14)의 언로딩을 가능하게 하기 때문에, 프로세스가 계속 유지될 수 있다.
[0062] 본 출원의 다른 실시예에서, 트랙 어레인지먼트의 제3 운송 트랙(13-3)은 진공 챔버(12)의 내부로부터 진공 챔버(12)의 외부로 마스크 차폐부(14)를 운송하도록 적응될 수 있다. 이는, 예컨대, 세정 또는 유지보수 때문에 이루어질 수 있다. 트랙 어레인지먼트는, 제3 운송 트랙(13-3)이 진공 챔버(12) 내부의 증착 소스(33)와 마스크 사이에서 마스크 차폐부(14)를 이동시키도록 구성될 수 있도록 이루어질 수 있다.
[0063] 다른 실시예에서, 트랙 어레인지먼트는, 마스크 차폐부(14)가 마스크 캐리어(37)의 오염을 감소시키기 위해 마스크를 적어도 부분적으로 차폐하도록 하는 방식으로, 제3 운송 트랙(13-3)이 마스크에 대하여 마스크 차폐부(14)를 정렬할 수 있도록 적응될 수 있게 이루어질 수 있다.
[0064] 코팅 재료가 마스크 차폐부(14)와 마스크 캐리어(37) 사이의 갭(31)(도 3a, 도 3b)에 진입하여 마스크 캐리어(37)를 오염시키는 것이 가능할 수 있다. 예컨대, 도 3a에 도시된 제1 포지션에서, 갭(31)은 제2 포지션과 비교하여 제1 방향(Z)으로 더 넓은 폭을 갖는다. 따라서, 증착 소스(33)로부터의 코팅 재료가 마스크 캐리어(37) 상에 충돌할 수 있고, 그에 따라, 그 갭(31)에 진입하는 코팅 재료에 의해 마스크 캐리어(37)가 오염될 수 있다. 추가로, 그 갭(31)에 진입하는 코팅 재료는 진공 챔버(12)의 내측 벽, 및/또는 진공 챔버(12) 내의 다른 디바이스들 또는 물체들을 오염시킬 수 있다.
[0065] 증착 결과는, 마스크에 의해 정의된 코팅 윈도우를 통해 기판(16) 상에 충돌하지 않는 코팅 재료에 의해 악영향을 받을 수 있다. 추가로, 진공 챔버(12) 및 마스크 캐리어(37)의 오염된 표면들은 빈번하게 세정될 수 있으며, 이는 증착 시스템의 빈번한 다운타임들 및 부가적인 비용들을 초래할 수 있다.
[0066] 따라서, 예컨대, 마스크 및 기판을 제3 운송 트랙(13-3) 어레인지먼트로 이동시키기 위해 정렬 시스템이 제공될 수 있다. 추가로, 제3 운송 트랙(13-3)에 의해 운송되는 마스크 차폐부(14)와, 마스크를 운반하는 마스크 캐리어(37)가 정렬될 수 있다. 마스크를 갖는 마스크 캐리어(37)와 마스크 차폐부(14)는 서로에 대하여 이동가능할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 마스크 캐리어가 마스크 차폐부 쪽으로 이동될 수 있다. 다른 실시예에서, 제3 운송 트랙(13-3)은, 마스크 차폐부(14)를 운송하기 위한 운송 트랙이, 마스크 차폐부(14)를 x방향, y-방향, 및 z-방향으로 이동시키도록 적응될 수 있는 정렬 시스템을 포함할 수 있도록 이루어질 수 있다.
[0067] 추가적인 실시예가 마스크 차폐부(14)를 개시한다. 마스크 차폐부(14)는 진공 프로세싱 장치(40)의 운송 트랙 상에 배열될 수 있다. 차폐 프레임(14)은 마스크 프레임 및/또는 마스크 캐리어의 측부를 덮는 적어도 하나의 시트 금속 차폐부, 및/또는 마스크 캐리어의 에지를 덮는 사이드 차폐부를 포함할 수 있다. 시트 금속 차폐부와 사이드 차폐부는 적어도 70°의 각도를 형성할 수 있다. 다른 실시예들에서, 마스크 차폐부(14)는 단일 차폐부를 포함할 수 있다. 마스크 차폐부(14)의 분해 및 세정이 용이하게 될 수 있다. 다른 실시예들에서, 마스크 차폐부(14)는, 개구(30), 특히, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같은 본질적인 직사각형 개구(30)를 포함하는 일체형 플레이트 컴포넌트를 포함할 수 있다. 그러한 어레인지먼트는 마스크 차폐부(14)의 유지보수 및 서비스를 가능하게 한다.
[0068] 추가적인 실시예는, 이전에 개시된 실시예들 중 임의의 실시예에 따라, 마스크 차폐부(14)가 진공 프로세싱 장치(40) 내의 진공 챔버(12)에서 마스크에 대하여 정렬되도록 구성될 수 있는 것을 개시한다. 이러한 목적을 위해, 마스크 차폐부(14)를 운반하는 제3 운송 트랙(13-3)의 마스크 차폐부(14)에 정렬 시스템이 제공될 수 있다.
[0069] 또 다른 실시예에서, 이전에 개시된 실시예들 중 임의의 실시예에 따라, 마스크 차폐부(14)가 적어도 부분적으로 진공 챔버(12) 외부로 이동될 수 있도록 하는 방식으로, 마스크 차폐부(14) 및 운송 트랙이 구성되도록, 마스크 차폐부(14)가 구성될 수 있는 것이 개시된다(도 2 및 도 6).
[0070] 제3 운송 트랙(13-3)에는 진공 챔버(12) 내의 제1 파트(도 6a 및 도 6b), 및 진공 챔버(12) 외부에 제공될 수 있는 제2 파트(60a, 13-3, 60b)가 제공될 수 있다. 이들 두 파트들은, 마스크 차폐부(14)가 진공 챔버 내의 개구를 통해 진공 챔버(12)로부터 진공 챔버(12) 외부로 이동될 수 있는 운송 트랙을 형성하도록 결합될 수 있다.
[0071] 제3 운송 트랙(13-3)의 내측 및 외측 파트 각각은 상부 및 하부 부분으로 구성될 수 있거나, 또는 상부 및 하부 부분을 포함할 수 있다. 따라서, 마스크 차폐부(14)는 마스크 차폐부(14)의 상부 및 하부 부분 상에서 지지될 수 있고, 그에 따라, 마스크 차폐부는 안정적인 포지션으로 지지될 수 있다. 제3 운송 트랙의 외부 상부 파트(60a)는 이동가능한 방식으로 배열될 수 있다. 외부 상부 파트는, 예컨대, 외부 상부 파트가 도 6a에 도시된 바와 같은 피벗 축(61)을 중심으로 이동가능할 수 있도록 하는 방식으로 배열될 수 있다. 그러한 어레인지먼트에서, 유지보수를 수행하는 사람은, 운송 트랙의 파트들 상의 잠재적으로 날카로운 에지들로부터의 부상들에 대하여 더 잘 보호될 수 있다.
[0072] 제3 운송 트랙의 내측 및 외측 파트들은, 트랙의 내측 및 외측 부분들이 바람직하게 연속적이고 중단되지 않는 상부 및 하부 트랙을 형성하도록 하는 방식으로 배열될 수 있다. 이러한 방식으로, 마스크 차폐부(14)는 원활한 방식으로 진공 챔버(12) 밖으로 이동될 수 있다.
[0073] 또한, 일부 양상들에 따르면, 증착 소스(33)(예컨대, 도 2의 증착 소스(33) 참조)의 이동을 위한 트랙이 진공 챔버 외부에 제2 소스 트랙 부분을 가질 수 있다. 예컨대, 진공 챔버 외부의 제2 소스 트랙 부분은 진공 챔버의 제2 측에 제공될 수 있으며, 그 제2 측은 진공 챔버의 제1 측과 대향하고, 그 제1 측에서 진공 챔버가 추가적인 진공 챔버에 연결된다. 따라서, 증착 소스는 증착 소스의 유지보수를 위해 진공 챔버 밖으로 이동될 수 있다. 이는, 사람이 증착 소스 및/또는 마스크 차폐부의 유지보수를 위해 진공 챔버에 진입할 필요가 없다는 이점을 갖는다. 상기된 바를 고려하면, 유지보수 동안 진공 챔버 내의 진공이 유지되지 않을 수 있지만, 오염의 정도가 감소된다.
[0074] 본 개시내용의 실시예들 또는 양상들에 따르면, 서비스 포트가 제공된다. 서비스 포트는 진공 프로세싱 시스템의 컴포넌트를 진공 챔버, 예컨대 진공 프로세싱 챔버 외부로 이동시키기 위한 적어도 하나의 트랙 연장부를 포함한다. 예컨대, 진공 챔버는 도 4에 대하여 설명된 바와 같은 진공 챔버(12)일 수 있다. 전형적인 구현들에 따르면, 트랙 연장부는 제1 측과 대향하는 제2 측에서 진공 챔버(12) 외부로 컴포넌트를 이동시키도록 구성될 수 있으며, 여기서, 제1 측은 추가적인 진공 챔버에 연결된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 컴포넌트는 증착 소스 및/또는 고정식 마스크 차폐부일 수 있다. 적어도 하나의 트랙 연장부는 진공 챔버 외부에서의 유지보수를 가능하게 한다. 이는 유지보수 시간들을 감소시킬 수 있게 하고, 그리고/또는 진공 챔버의 오염을 감소시킨다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가적인 변형들에 따르면, 트랙 연장부는 진공 챔버 외부에 제공될 수 있다. 트랙 연장부는 진공 챔버 내의 트랙, 이를테면, 마스크 차폐부를 위한 트랙 또는 증착 소스를 위한 트랙을 연장시킬 수 있다.
[0075] 본원에서 설명되는 실시예들은, 예컨대 OLED 디스플레이 제조를 위해, 대면적 기판들 상으로의 증발이 가능한 장치들을 위해 활용될 수 있다. 구체적으로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 구조들 및 방법들이 제공되는 기판들은, 예컨대 0.5 m2 이상, 특히 1 m2 이상의 표면적을 갖는 대면적 기판들이다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67 m2(0.73 x 0.92 m)의 표면적에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2(1.1 m x 1.3 m)의 표면적에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2(1.95 m x 2.2 m)의 표면적에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2(2.2 m x 2.5 m)의 표면적에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2(2.85 m x 3.05 m)의 표면적에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 한층 더 큰 세대들 및 대응하는 표면적들이 유사하게 구현될 수 있다. GEN 세대들의 절반 사이즈들이 또한, OLED 디스플레이 제조에 제공될 수 있다.
[0076] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 두께는 0.1 mm 내지 1.8 mm일 수 있다. 기판 두께는 약 0.9 mm 이하, 이를테면 0.5 mm일 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "기판"이라는 용어는 특히, 실질적인 비가요성 기판들, 예컨대 웨이퍼, 사파이어 등과 같은 투명 결정의 슬라이스들, 또는 유리 플레이트를 포괄할 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않고, "기판"이라는 용어는 또한, 웹 또는 포일과 같은 가요성 기판들을 포함할 수 있다. "실질적인 비가요성"이라는 용어는 "가요성"과 구별하기 위한 것으로 이해된다. 구체적으로, 실질적인 비가요성 기판, 예컨대 0.9 mm 이하, 이를테면 0.5 mm 이하의 두께를 갖는 유리 플레이트는 어느 정도의 가요성을 가질 수 있는데, 여기서, 실질적인 비가요성 기판의 가요성은 가요성 기판들과 비교하여 작다.
[0077] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 유리(예컨대, 소다-석회 유리, 붕규산염 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다.
[0078] "마스킹"이라는 용어는 기판의 하나 이상의 구역들 상의 재료의 증착을 감소시키는 것 및/또는 방해하는 것을 포함할 수 있다. 마스킹은, 예컨대, 코팅될 영역을 정의하는 데 유용할 수 있다. 일부 애플리케이션들에서, 기판의 부분들이 코팅되고, 코팅되지 않을 부분들은 마스크에 의해 덮인다.
[0079] 본 출원의 추가적인 실시예에서, 진공 프로세싱 장치(40)에서 마스크 차폐부(14)를 교환 또는 유지하기 위한 방법이 제공된다. 마스크 차폐부(14)의 세정이 안정된 방식으로 수행될 수 있도록 의도된다. 특히, 진공 프로세싱 장치(40)의 다운타임 또는 유휴 시간이 감소될 수 있다.
[0080] 마스크 차폐부(14)는, 예컨대, 진공 챔버(12)로부터 마스크 차폐부(14)를 일시적으로 제거함으로써, 세정될 수 있다. 마스크 차폐부(14)는 유리하게, 제1 트랙 어레인지먼트(13)의 제3 운송 트랙 상에 배열될 수 있다.
[0081] 진공 프로세싱 장치(40)의 진공 챔버(12)에서, 제1 트랙 어레인지먼트(13)와 유사하거나 또는 동일한 제2 트랙 어레인지먼트가 미러-반전 또는 역전 어레인지먼트로 제공될 수 있다.
[0082] 제2 트랙 어레인지먼트는 아래에서 설명되는 바와 같이 제1 트랙 어레인지먼트(13)의 기능들을 유사한 방식으로 수행하도록 적응될 수 있다. 즉, 진공 챔버(12)에는 바람직하게, 진공 챔버(12)의 대향 포지션들 상에 2개의 기판들/마스크들/마스크 차폐부들이 제공될 수 있다. 이러한 방식으로, 증착 소스(33)는 진공 챔버(12)에서 2개의 기판들(16)을 처리할 수 있다.
[0083] 마스크 차폐부(14)를 장기간 간격들로 세정하는 것으로 충분할 수 있다. 예컨대, 마스크 차폐부(14)는 며칠의 증착 시간 후에 세정을 위해 진공 챔버(12)로부터 언로딩될 수 있다. 증착 시스템의 다운타임들이 감소될 수 있고, 세정이 용이하게 될 수 있다.
[0084] 예컨대 유지보수 또는 세정 프로시저들을 위해 마스크를 교환하기 위하여, 진공 챔버(12)(도 1, 도 2, 도 4, 및 도 6 참조)가 개방되어야만 한다. 진공 챔버(12)를 개방하기 전에, 진공 챔버(12)에 여전히 위치될 수 있는 기판들(16) 및 마스크들이 인접 진공 챔버(41)(도 2, 도 4)로 이송될 수 있다. 이송은 진공 조건들 하에서 이루어질 수 있다.
[0085] 이송은 제1 트랙 어레인지먼트(13), 바람직하게는 제1 트랙 어레인지먼트(13)의 제1 운송 트랙들(13-1) 및 제2 운송 트랙들(13-2)을 이용하여 수행될 수 있으며, 그 제1 운송 트랙들(13-1) 및 제2 운송 트랙들(13-2)은 진공 챔버(12)에서 기판들(16) 또는 마스크를 이송하도록 적응된다. 인접 진공 챔버(41)로의 이송이 완료되었을 때, 2개의 인접 챔버들(도 4, 12, 41) 사이의 연결부는, 2개의 인접 진공 챔버들 사이에 배열된 밸브(10)에 의해 기밀 방식으로 밀봉될 수 있고, 그에 따라, 진공 프로세스 장치(40) 내의 진공 조건이 유지된다.
[0086] 증착 소스(33)는 진공 챔버(12)에서 유지될 수 있고, 그리고 세이프티(safety) 포지션(백 포지션)으로 이송될 수 있다(702). 증착 소스(33)는 진공 챔버(12)에 제공될 수 있는 소스 운송 트랙을 따라 이동가능할 수 있다.
[0087] 진공 챔버(12)는, 특히, 진공 챔버(12) 내부의 진공이 환경 공기 압력과 동일하게 될 때, 개방될 수 있다(704). 진공 챔버(12) 외부에 배열된, 제3 운송 트랙(13-3)의 상부 파트(60a)가 이동되어 본질적인 수평 포지션으로 될 수 있고, 그에 따라, 진공 챔버(12) 내부의 제3 운송 트랙(13-3)의 상부 제1 파트가 진공 챔버(12) 외부의 상부 제2 파트와 동일 평면 상에 있게 된다.
[0088] 이제, 마스크 차폐부(14)의 제1 부분이 진공 챔버(12) 밖으로 슬라이딩될 수 있다(706). 마스크 차폐부(14)의 제1 부분으로부터의 제1 차폐부들이 세정을 위해 분해될 수 있다(708). 마스크 차폐부(14)의 제2 부분이 진공 챔버(12) 밖으로 슬라이딩될 수 있으며, 마스크 차폐부(14)의 남아 있는 제2 차폐부들이 서비스 또는 세정 목적들을 위해 분해될 수 있다(708).
[0089] 다른 실시예들에서, 마스크 차폐부(14)는 일체형으로 제공될 수 있고, 그에 따라, 전체로서 분해될 수 있다.
[0090] 이 방법에 의해, 다운타임 또는 유휴 시간이 낮게 유지될 수 있다. 마스크들 및 마스크 차폐부들(14)의 세정 사이클들은 상이하다. 마스크는 마스크 차폐부(14)와 비교하여 더 자주 세정되어야 한다. 마스크와 마스크 차폐부들(14)이 다소 고정적으로 연결된 이전의 시스템들에서, 마스크가 세정되어야 할 때, 마스크 차폐부(14)도 또한 고려되었다.
[0091] 본 출원은 마스크들 및 마스크 차폐부들(14)이 서로 독립적으로 그리고 개별적으로 세정될 수 있게 할 수 있다. 따라서, 진공 챔버(12) 내의 마스크 차폐부(14)가 세정될 필요가 있는 경우에도, 마스크 및 각각의 기판이 진공 프로세싱 장치에서 프로세싱될 수 있는 것이 가능하다.
[0092] 추가로, 일 실시예의 부분으로서 예시 또는 설명되는 특징들은 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 본 설명이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0093] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (16)

  1. 진공 챔버;
    상기 진공 챔버에 제공된 증착 소스; 및
    제1 트랙 어레인지먼트(track arrangement)
    를 포함하며,
    상기 제1 트랙 어레인지먼트는,
    진공 챔버 내로 기판을 운송하도록 적응된 제1 운송 트랙;
    진공 챔버 내로 마스크를 운송하도록 적응된 제2 운송 트랙; 및
    상기 마스크의 오염을 감소시키기 위해, 상기 증착 소스와 상기 마스크 사이에서 마스크 차폐부를 운송하도록 적응된 제3 운송 트랙
    을 포함하는,
    진공 프로세싱 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 운송 트랙은 상기 진공 챔버 외부로 상기 마스크 차폐부를 운송하도록 적응되는,
    진공 프로세싱 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제3 운송 트랙은 하부 파트 및 상부 파트를 갖는,
    진공 프로세싱 장치.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 운송 트랙은 상기 진공 챔버 내부의 하부 파트 및 상부 파트, 및 상기 진공 챔버 외부의 하부 파트 및 상부 파트를 갖는,
    진공 프로세싱 장치.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공 챔버 외부의, 상기 제3 트랙의 상부 파트는 이동가능한,
    진공 프로세싱 장치.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마스크 차폐부는 제2 부분으로부터 분리가능한 적어도 제1 부분을 갖는,
    진공 프로세싱 장치.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 운송 트랙은 상기 마스크에 대하여 상기 마스크 차폐부를 정렬하도록 구성되는,
    진공 프로세싱 장치.
  8. 진공 프로세싱 장치 내의 트랙 어레인지먼트로서,
    상기 진공 프로세싱 장치의 진공 챔버에서 기판을 운송하기 위한 제1 운송 트랙;
    상기 진공 프로세싱 장치의 상기 진공 챔버에서 마스크를 운송하기 위한 제2 운송 트랙; 및
    상기 진공 프로세싱 장치의 상기 진공 챔버에서 마스크 차폐부를 운송하기 위한 제3 운송 트랙
    을 포함하는,
    진공 프로세싱 장치 내의 트랙 어레인지먼트.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제3 운송 트랙은 상기 마스크 차폐부를 상기 진공 챔버의 내부로부터 상기 진공 챔버의 외부로 운송하도록 적응되는,
    진공 프로세싱 장치 내의 트랙 어레인지먼트.
  10. 제8 항 또는 제9 항에 있어서,
    상기 제3 운송 트랙은 상기 진공 챔버 내부의 증착 소스와 상기 마스크 사이에서 상기 마스크 차폐부를 이동시키도록 구성되는,
    진공 프로세싱 장치 내의 트랙 어레인지먼트.
  11. 제8 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 운송 트랙은, 상기 마스크 차폐부가 마스크 캐리어의 오염을 감소시키기 위해 상기 마스크를 적어도 부분적으로 차폐하도록, 상기 마스크에 대하여 상기 마스크 차폐부를 정렬하도록 구성되는,
    진공 프로세싱 장치 내의 트랙 어레인지먼트.
  12. 제8 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마스크 차폐부를 운송하기 위한 제3 운송 트랙은 상기 마스크 차폐부를 x-방향, y-방향, 및 z-방향으로 이동시키도록 적응된 정렬 시스템을 포함하는,
    진공 프로세싱 장치 내의 트랙 어레인지먼트.
  13. 차폐 프레임을 포함하며,
    상기 차폐 프레임은 마스크 프레임 및/또는 마스크 캐리어의 측부를 덮는 적어도 하나의 시트 금속 차폐부를 포함하고, 그리고 상기 마스크 캐리어의 에지를 덮는 사이드 차폐부(side shield)를 포함하는,
    진공 프로세싱 장치의 운송 트랙 상에 배열된 마스크 차폐부.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 마스크 차폐부는 상기 진공 프로세싱 장치 내의 진공 챔버에서 마스크에 대하여 정렬되도록 구성되는,
    진공 프로세싱 장치의 운송 트랙 상에 배열된 마스크 차폐부.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 마스크 차폐부 및 상기 운송 트랙은 상기 마스크 차폐부가 적어도 부분적으로 상기 진공 챔버 외부로 이동될 수 있도록 구성되는,
    진공 프로세싱 장치의 운송 트랙 상에 배열된 마스크 차폐부.
  16. 진공 프로세싱 장치를 위한 마스크 차폐부를 교환하기 위한 방법으로서,
    상기 진공 챔버에 제공된 증착 소스를 백 포지션(back position)에 있게 하는 단계;
    상기 진공 챔버의 밸브를 개방하는 단계;
    상기 진공 챔버 밖으로 상기 마스크 차폐부의 제1 부분을 슬라이딩시키는 단계;
    상기 마스크 차폐부의 상기 제1 부분으로부터 제1 차폐부들을 분해하는 단계;
    상기 진공 챔버 밖으로 상기 마스크 차폐부의 제2 부분을 슬라이딩시키는 단계; 및
    상기 마스크 차폐부의 상기 제2 부분으로부터 제2 차폐부들을 분해하는 단계
    를 포함하는,
    진공 프로세싱 장치를 위한 마스크 차폐부를 교환하기 위한 방법.
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WO2024003603A1 (en) * 2022-07-01 2024-01-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing system for processing of a plurality of substrates and method of processing a substrate in an in-line substrate processing system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010000447A1 (de) * 2010-02-17 2011-08-18 Aixtron Ag, 52134 Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte
JP2013163837A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Canon Tokki Corp 蒸着装置並びに蒸着装置を用いた成膜方法
KR20140019579A (ko) * 2012-08-06 2014-02-17 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
KR20140053625A (ko) * 2012-10-26 2014-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기물 증착 장치
KR102151616B1 (ko) * 2014-02-04 2020-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-라인 증착 시스템 및 유기 재료를 위한 증발 소스를 작동시키기 위한 방법
US10837111B2 (en) * 2015-01-12 2020-11-17 Applied Materials, Inc. Holding arrangement for supporting a substrate carrier and a mask carrier during layer deposition in a processing chamber, apparatus for depositing a layer on a substrate, and method for aligning a substrate carrier supporting a substrate and a mask carrier
KR20170038220A (ko) * 2015-09-30 2017-04-07 주식회사 선익시스템 기판 처리 장치 및 그 장치의 기판에 대한 마스크 장착 방법

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