KR102352718B1 - 진공챔버 및 기판 처리장치 - Google Patents

진공챔버 및 기판 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102352718B1
KR102352718B1 KR1020200058798A KR20200058798A KR102352718B1 KR 102352718 B1 KR102352718 B1 KR 102352718B1 KR 1020200058798 A KR1020200058798 A KR 1020200058798A KR 20200058798 A KR20200058798 A KR 20200058798A KR 102352718 B1 KR102352718 B1 KR 102352718B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
block body
vacuum chamber
chamber
groove
Prior art date
Application number
KR1020200058798A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210007824A (ko
Inventor
켄지 에토
사토히로 오카야마
코지 카메사키
요이치 아베
Original Assignee
가부시키가이샤 아루박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아루박 filed Critical 가부시키가이샤 아루박
Publication of KR20210007824A publication Critical patent/KR20210007824A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102352718B1 publication Critical patent/KR102352718B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 진공챔버는 기판의 반송방향에서 봤을 때, 환 형상의 개구공간을 가지는 복수의 블록체가 상기 반송방향을 따라 배치함으로써 구성되고, 상기 복수의 블록체의 상기 개구공간이 연통함으로써 형성된 내부공간의 분위기를 대기압 분위기와 진공 분위기로 전환 가능한 진공챔버로, 상기 복수의 블록체의 하나인 제1 블록체와, 상기 복수의 블록체의 하나이며, 상기 반송방향으로 교차하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 개구공간의 내측 하면에 형성된 홈을 가지며, 씰부재를 통해 상기 제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체와, 상기 홈이 연재하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 홈에 감합된 베이스부재와, 상기 기판이 접촉하는 지지단과, 상기 지지단과는 반대측에 위치하여 상기 베이스부재에 고정되는 고정단을 가지며, 상기 진공챔버의 내부에서 상기 기판을 지지하는 복수의 기판 지지핀을 가진다.

Description

진공챔버 및 기판 처리장치{VACUUM CHAMBER AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 진공챔버 및 기판 처리장치에 관한 것이다.
종래, 로드락 챔버로 불리는 진공챔버를 구비한 진공처리장치가 알려져 있다. 로드락 챔버는 대기압 분위기에 있는 진공처리장치의 외부와 진공 분위기에 있는 내부 사이에 기판반송을 수행한다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일반적으로, 로드락 챔버는 반송대상의 기판보다 큰 면적의 개구를 가지는 챔버 본체와, 챔버 본체의 상부 개구를 폐색하는 덮개와, 로드락 챔버의 출입구에 배치된 게이트 밸브로 구성된다. 챔버 본체와 덮개 사이의 접촉면, 및 챔버 본체와 게이트 밸브의 밸브 본체 사이의 접촉면에는 O링 등의 씰부재가 설치되고, 로드락 챔버의 밀폐성이 획득된다.
이러한 구성을 가지는 로드락 챔버의 내부에서는, 진공펌프의 구동에 의해 생성되는 진공 분위기와, 질소가스 등의 벤트가스의 공급에 의해 생성되는 대기압 분위기가 반복하여 발생한다.
로드락 챔버의 내부를 대기압 분위기로 함으로써, 대기압측 로봇암과 로드락 챔버 사이에 기판반송이 가능해진다. 로드락 챔버의 내부에 설치된 승강기구의 구동에 의해 리프트 핀이 상하방향으로 이동하고, 대기압측 로봇암에서 리프트 핀에 대해서 기판이 수도(受渡)되거나, 리프트 핀에서 대기압측 로봇암에 대해서 기판이 수도되거나 한다.
로드락 챔버의 내부를 진공 분위기로 함으로써, 로드락 챔버에 인접하는 반송챔버 내에 설치된 진공측 로봇암과 로드락 챔버 사이에 기판반송이 가능해진다. 승강기구의 구동에 의해 리프트 핀이 상하방향으로 이동하고, 진공측 로봇암에서 리프트 핀에 대해서 기판이 수도되거나, 리프트 핀에서 진공측 로봇암에 대해서 기판이 수도되거나 한다.
일본 공개특허 공보 제5462946호
그러나, 상기 종래의 로드락 챔버에서는 이하의 문제가 있다.
(1) 승강기구를 구성하는 에어 실린더 등의 구동장치의 구동에 따라 진동이 발생하면, 이 진동이 승강기구를 구성하는 다른 부재 또는 승강기구에 인접하는 부재로 전달한다. 이로 인해서, 로드락 챔버의 내부에 퇴적한 파티클이 감겨 올라가 비산하고, 기판에 파티클이 부착한다는 문제가 있다.
(2) 진공 분위기와 대기압 분위기가 반복하여 발생함으로써, O링이 덮개에 눌려 부수어지거나 O링에 복원력이 생기거나 한다. 이로 인해, O링과 덮개 사이에 생긴 마찰에 의해 O링에서 파티클이 발생하고, 로드락 챔버의 내부공간으로 비산하여 기판에 파티클이 부착한다는 문제가 있다. 더욱이, 근래에는 반송대상의 기판이 대형화하고 있고, 예를 들면, 한 변이 1500mm를 넘는 대형기판을 반송하기 위해서 로드락 챔버도 대형화하고 있다. 이에 따라, 덮개 면적의 증가에 따라 덮개의 휨양도 증가하고, 진공 분위기 및 대기압 분위기의 반복 생성에 의해 O링과 덮개 사이에서의 마찰량도 종래보다 증가한다. 더욱이, O링과 덮개 사이의 마찰뿐 아니라, 로드락 챔버를 구성하는 부재와 덮개의 접촉에 기인하는 마찰에 의해 파티클이 발생하고, 기판에 파티클이 부착한다는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 이하의 목적을 달성하는 진공챔버와 이 진공챔버를 구비한 기판 처리장치를 제공한다.
1. 승강기구의 구동에 따른 진동에 기인하는 파티클이 감겨 올라가는 것과 비산을 방지하고, 반송대상의 기판에 대한 파티클의 부착을 방지한다.
2. 챔버 본체와 덮개 사이의 씰부재에서 발생하는 파티클의 발생을 방지하고, 반송대상의 기판에 대한 파티클의 부착을 방지한다.
본 발명의 일 태양에 따른 진공챔버는 기판의 반송방향에서 봤을 때, 환 형상의 개구공간을 가지는 복수의 블록체가 상기 반송방향을 따라 배치함으로써 구성되고, 상기 복수의 블록체의 상기 개구공간이 연통함으로써 형성된 내부공간의 분위기를 대기압 분위기와 진공 분위기로 전환 가능한 진공챔버로, 상기 복수의 블록체의 하나인 제1 블록체와, 상기 복수의 블록체의 하나이고, 상기 반송방향으로 교차하는 방향으로 연장됨과 동시에, 상기 개구공간의 내측 하면에 형성된 홈을 가지며, 씰부재를 통해 상기 제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체와, 상기 홈이 연재하는 방향으로 연장됨과 동시에, 상기 홈에 감합된 베이스부재와, 상기 기판이 접촉하는 지지단과, 상기 지지단과는 반대측에 위치하여 상기 베이스부재에 고정되는 고정단을 가지며, 상기 진공챔버의 내부에서 상기 기판을 지지하는 복수의 기판 지지핀을 가진다.
본 발명의 일 태양에 따른 진공챔버에서, 상기 복수의 블록체 중 적어도 2개의 블록체 각각은 진공챔버의 평면에서 보면(平面視), 상기 진공챔버의 상기 내부공간의 4개의 모서리 영역(角領域)에 대응하는 위치에 설치된 배기부를 가져도 좋다.
본 발명의 일 태양에 따른 진공챔버에서, 상기 홈은 상기 제1 블록체와 상기 제2 블록체 사이에 위치하고, 상기 홈에 감합된 상기 베이스부재와 상기 기판 지지핀의 상기 고정단 사이에는, 상기 제1 블록체와 상기 제2 블록체 사이의 간극을 덮는 커버가 설치되어도 좋다.
본 발명의 일 태양에 따른 진공챔버에서, 상기 기판에 평행한 방향으로, 그리고, 상기 반송방향으로 교차하는 방향에서 본 측면에서 보면(側面視), 상기 복수의 블록체의 적어도 하나의 측면에는 창이 형성되어도 좋다.
본 발명의 일 태양에 따른 진공챔버에서, 상기 복수의 블록체 중 적어도 2개의 블록체의 각각은 진공챔버의 평면시에서, 상기 진공챔버의 내부에 배치되는 상기 기판의 4개의 모서리부에 대응하는 위치에 설치된 위치 결정기구를 가지며, 위치 결정기구는 상기 반송방향으로 평행한 축선 둘레로 회동 가능한 제1 롤러와, 상기 반송방향으로 직교하는 방향으로 평행한 축선 둘레로 회동 가능한 제2 롤러를 가지며, 상기 복수의 기판 지지핀의 상기 지지단에 상기 기판이 접촉한 상태에서, 상기 제1 롤러와 상기 제2 롤러에 의해 상기 기판의 모서리부의 위치를 결정해도 좋다.
본 발명의 일 태양에 따른 기판 처리장치는, 기판의 반송방향에서 봤을 때 환 형상의 개구공간을 가지는 복수의 블록체가 상기 반송방향을 따라 배치함으로써 구성되고, 상기 복수의 블록체의 상기 개구공간이 연통함으로써 형성된 내부공간의 분위기를 대기압 분위기와 진공 분위기로 전환 가능한 진공챔버와, 상기 진공챔버에 접속된 트랜스퍼 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버에 접속된 프로세스 챔버와, 상기 진공챔버와 상기 트랜스퍼 챔버 사이 및, 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 프로세스 챔버 사이에서 상기 기판의 수수를 수행하고, 또한, 상기 트랜스퍼 챔버의 내부에 설치된 반송로봇을 구비한다. 상기 진공챔버는 상기 복수의 블록체의 하나인 제1 블록체와, 상기 복수의 블록체의 하나이며, 상기 반송방향으로 교차하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 개구공간의 내측 하면에 형성된 홈을 가지며, 씰부재를 통해 상기 제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체와, 상기 홈이 연재하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 홈에 감합된 베이스부재와, 상기 기판이 접촉하는 지지단과, 상기 지지단과는 반대측에 위치하여 상기 베이스부재에 고정되는 고정단을 가지며, 상기 진공챔버의 내부에서 상기 기판을 지지하는 복수의 기판 지지핀을 가진다.
본 발명의 일 태양에 따른 기판 처리장치에서는, 상기 반송로봇은 로봇 핸드와, 상기 로봇 핸드를 상기 반송방향을 따라 이동시키는 암과, 상기 로봇 핸드를 상기 기판의 연직방향을 따라 이동시키는 승강기구를 구비하고, 상기 진공챔버의 상기 내부공간에서, 상기 암이 구동함으로써 상기 로봇 핸드는, 상기 기판의 하방위치와 상기 트랜스퍼 챔버 사이에서 이동하고, 상기 승강기구가 구동함으로써 상기 로봇 핸드는, 상기 기판의 하방위치와 상기 기판의 상방위치 사이에서 상기 로봇 핸드를 상하동 시켜도 좋다.
본 발명의 상기 태양에 따른 진공챔버에 따르면, 블록체(제2 블록체)의 개구공간의 내측 하면에 형성된 홈에 베이스부재가 감합되고, 베이스부재에 고정된 복수의 기판 지지핀에 의해 기판이 지지된다. 이 구성에 따라, 종래 구조와 같은 승강기구를 이용할 필요가 없고, 승강기구의 구동에 따른 진동에 기인하는 파티클이 감겨 올라오거나 비산을 방지할 수 있다.
더욱이, 챔버 본체의 상부 개구를 덮개로 폐색하는 종래 구조와는 달리, 본 발명의 상기 태양에 따른 진공챔버는 환 형상의 개구공간이 연통함으로써 형성된 내부공간을 가진다. 즉, 리드 리스(lidless) 구조를 실현할 수 있다. 이 구성으로 인해, 챔버 본체와 덮개 사이의 씰부재에서 파티클이 발생하는 종래 구조의 문제를 해결할 수 있다.
본 발명의 상기 태양에 따른 진공챔버에 따르면, 진공챔버의 내부공간의 4개의 모서리 영역에 대응하는 위치에 배기부를 설치함으로써, 진공챔버의 내부의 기체는 4개의 배기부를 향해 분산적으로 유동한다. 한편, 진공챔버에 배기부가 1개만 설치되어 있는 종래 구조에서는, 진공챔버의 내부의 기체는 1개의 배기부를 향해 집중적으로 유동한다. 따라서, 본 발명의 상기 태양에 따른 진공챔버에 따르면, 배기부 하나당 흐르는 유량을 작게 할 수 있고, 예를 들면, 종래보다 1/4 정도로 유량을 작게 할 수 있으며, 더욱이, 4개의 배기부를 향해 유동하는 분산적인 흐름이 발생한다. 종래 구조와 비교하여 진공챔버 내에 발생하는 기류의 발생을 완화할 수 있고, 파티클이 감겨 올라가는 것과 비산을 방지할 수 있다. 그 결과, 반송대상의 기판에 대한 파티클의 부착을 방지할 수 있다.
본 발명의 상기 태양에 따른 진공챔버에 따르면, 제1 블록체와 제2 블록체 사이의 간극을 덮는 커버를 설치함으로써, 제1 블록체와 제2 블록체 사이의 간극에 퇴적한 파티클이 진공챔버의 내부에 비산하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 반송대상의 기판에 대한 파티클의 부착을 방지할 수 있다.
본 발명의 상기 태양에 따른 진공챔버에 따르면, 블록체의 측면으로 창이 형성되어 있으므로, 창을 통해 기판 지지핀이 고정된 베이스부재의 교환작업이나, 진공챔버의 내부공간의 클리닝 등의 메인터넌스 작업을 수행할 수 있다.
본 발명의 상기 태양에 따른 진공챔버에 따르면, 진공챔버에 배치되는 기판의 4개의 모서리부에 대응하는 위치에 위치 결정기구를 설치함으로써, 진공챔버 내에서, 기판의 위치가 밀리는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 상기 태양에 따른 진공처리장치에 따르면, 상술한 진공챔버와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치의 개략 구조를 나타내는 평면도이다.
도 2a는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버의 개략 구조를 나타내는 사시도이다.
도 2b는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버의 개략 구조를 나타내는 도면이고, 대기측 게이트 밸브를 제외한 상태에서의 기판의 반송방향에서 본 로드락 챔버를 나타내는 정면도이다.
도 3a는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버의 내부구조를 나타내는 도면이고, 도 2b가 도시하는 선A-A에 따른 단면도이다.
도 3b는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버의 내부에 배치되는 베이스부재를 나타내는 사시도이다.
도 4는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버를 구성하는 블록체의 요부, 베이스부재 및 기판 지지핀을 나타내는 도면이고, 도 3a가 도시하는 선B-B에 따른 부분 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버에 설치된 배기부와 진공펌프 사이에 설치된 배관 및 밸브를 포함한 배기계를 설명하는 도면이다.
도 6은, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버의 블록체를 나타내는 단면도이며, 블록체의 내측 하면에 설치된 위치 결정기구를 나타내는 측면도이다.
도 7a는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버에서의 기판반송을 설명하는 도면이다.
도 7b는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버에서의 기판반송을 설명하는 도면이다.
도 7c는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버에서의 기판반송을 설명하는 도면이다.
도 7d는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치를 구성하는 로드락 챔버에서의 기판반송을 설명하는 도면이다.
본 발명의 실시형태에 따른 진공챔버를 구비하는 기판 처리장치에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 본 실시형태의 설명에 이용하는 각 도면에서는 각 부재를 인식 가능한 크기로 하기 위해, 각 부재의 축척을 적절히 변경하고 있다.
이하의 설명에서, “기판 처리장치의 평면시” 또는 “진공챔버의 평면시”를 단순히 “평면시”라고 칭하는 경우가 있다. 이 평면시란, 기판 처리장치나 진공챔버의 상방(도 1에서의 Z방향)에서 본 평면을 의미하고, 즉, 도 1에 나타내는 평면도와 동의어이다.
또한, 이하에 설명하는 실시형태에서의 “제1”, “제2”, “제3” 등의 서수사는 구성요소의 혼동을 피하기 위해서 부여하며, 수량을 한정하지 않는다.
(기판 처리장치)
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리장치(1)는 트랜스퍼 챔버(2)와, 로드락 챔버(10)와, 프로세스 챔버(1A~1E)와, 대기 반송장치(3)와, 제어부(100)를 구비한다.
트랜스퍼 챔버(2), 로드락 챔버(10) 및 프로세스 챔버(1A~1E)에는 내부공간을 진공상태로 유지하기 위한 진공펌프(미도시)와, 내부공간에 가스를 공급하는 가스 공급부가 접속된다.
제어부(100)는 트랜스퍼 챔버(2), 로드락 챔버(10), 프로세스 챔버(1A~1E), 진공 반송로봇(2a)(반송로봇), 및 대기 반송로봇(3a)을 제어하고, 또한, 제어부(100)는 게이트 밸브(미도시)의 개폐동작도 제어한다.
트랜스퍼 챔버(2)에는 게이트 밸브를 통해 로드락 챔버(10)가 접속된다. 마찬가지로, 트랜스퍼 챔버(2)에는 게이트 밸브를 통해 프로세스 챔버(1A~1E)의 각각이 접속된다.
(트랜스퍼 챔버)
트랜스퍼 챔버(2)는 평면시에서 다각형의 형상을 가진다. 트랜스퍼 챔버(2)의 각 변에는 로드락 챔버(10)와, 프로세스 챔버(1A~1E)가 게이트 밸브를 통해 접속된다.
트랜스퍼 챔버(2)는 다각형이면 좋고, 삼각형에서 팔각형 정도까지 임의의 평면형상으로 할 수 있다.
트랜스퍼 챔버(2)의 내부에는 진공 반송로봇(2a)이 설치되고, 트랜스퍼 챔버(2)와 로드락 챔버(10) 사이 및, 트랜스퍼 챔버(2)와 프로세스 챔버(1A~1E) 각각 사이에서 기판을 반송 가능(기판의 수수가 가능)하게 되어 있다.
(진공 반송로봇)
진공 반송로봇(2a)은 로드락 챔버(10)와 트랜스퍼 챔버(2) 사이 및, 트랜스퍼 챔버(2)와 각 프로세스 챔버 사이에서 기판(S)(후술)의 수수를 수행한다.
진공 반송로봇(2a)은 회전축과, 이 회전축에 장착된 암(2b)과, 암(2b)의 선단에 장착된 로봇 핸드(2c)와, 암(2b) 및 로봇 핸드(2c)를 상하방향으로 이동시키는 승강기구(2d)를 구비한다. 회전축의 축 둘레를 암(2b)이 회전함으로써, 로봇 핸드(2c)는 로드락 챔버(10) 및 프로세스 챔버(1A~1E)중 선택된 1개의 프로세스 챔버에 대향하는 위치에 배치된다. 이 상태에서 암(2b)이 구동함으로써, 로봇 핸드(2c)는 트랜스퍼 챔버(2)와 선택된 프로세스 챔버 사이에서 이동 가능하다. 승강기구(2d)의 구동에 의해 로봇 핸드(2c)는 상하방향을 따라 이동 가능하다.
또한, 트랜스퍼 챔버(2)에는 진공 반송로봇(2a)을 복수 설치할 수도 있다.
암(2b)은 기판(S)의 반송방향(TD)(후술)에 따라 로봇 핸드(2c)를 이동하는 것이 가능하다.
보다 구체적으로는, 암(2b)의 구동에 의해 로봇 핸드(2c)에 기판(S)이 재치(載置)된 상태, 또는 로봇 핸드(2c)에 기판(S)이 재치되지 않은 상태에서, 로봇 핸드(2c)는 기판(S)의 하방위치와 트랜스퍼 챔버(2) 사이에서 이동하는 것이 가능하다.
승강기구(2d)는 기판(S)의 연직방향(상하방향, 중력방향, Z방향, 또는 방향(LD, UD)(후술))을 따라 로봇 핸드(2c)를 이동하는 것이 가능하다.
보다 구체적으로는, 승강기구(2d)의 구동에 의해 로봇 핸드(2c)에 기판(S)이 재치된 상태, 또는 로봇 핸드(2c)에 기판(S)이 재치되지 않은 상태에서, 기판(S)의 하방위치와 기판(S)의 상방위치 사이에서 로봇 핸드(2c)를 이동하는 것이 가능하다.
(프로세스 챔버)
프로세스 챔버(1A~1E) 각각은 밀폐된 내부공간을 가지며, 진공 분위기 등의 밀폐상태에 있는 내부공간에서 기판을 처리한다. 프로세스 챔버(1A~1E) 각각에서 수행되는 기판의 처리로는 코팅, 스퍼터링, 증착, 각종 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 성막, 에칭, 애싱, 세정 등의 처리를 들 수 있지만, 프로세스 챔버(1A~1E)에서 이루어지는 기판처리는 상기 열거된 처리로 한정되지 않는다.
또한, 프로세스 챔버(1A~1E)에서 이루어지는 처리의 종류는 2이상의 프로세스 챔버에서 동일해도 좋고, 상이해도 좋다.
또한, 프로세스 챔버(1A~1E)의 내부공간에 배치되는 기판의 매수는 한정되지 않고, 1매여도 좋고, 2매 이상의 복수여도 좋다.
(대기 반송장치)
대기 반송장치(3)는 대기 반송로봇(3a)과 기판 카세트(4)를 구비한다.
대기 반송로봇(3a)은 회전축과, 이 회전축에 장착된 암(3b)과, 암(3b)의 선단에 장착된 로봇 핸드(3c)와, 암(3b)을 상하방향으로 이동시키는 승강기구(3d)를 구비한다. 회전축의 축 둘레를 암(3b)이 회전함으로써 로봇 핸드(3c)는 로드락 챔버(10) 또는 기판 카세트(4)에 대향하는 위치에 배치된다. 암(3b)의 구동에 의해 로봇 핸드(3c)는 반송방향(TD)을 따라 이동 가능하다. 승강기구(3d)의 구동에 의해 로봇 핸드(3c)는 상하방향을 따라 이동 가능하다.
기판 카세트(4)에는 Z방향을 따라 복수의 기판이 재치되어 있다. 복수의 기판은 Z방향에 대해서 수직인 방향으로 서로 평행하다. 기판 카세트(4)는 프로세스 챔버(1A~1E)에 따른 처리가 이루어지기 전의 처리전 기판과, 프로세스 챔버(1A~1E)에 따른 처리가 실행된 처리종료된 기판을 탑재하는 것이 가능하다.
또한, 기판 카세트의 구성으로서, 하나의 기판 카세트가 처리전 기판과 처리종료된 기판 양쪽을 탑재하는 구성으로 한정되지 않는다. 처리전 기판만을 탑재하는 전용의 제1 기판 카세트와, 처리종료된 기판만을 탑재하는 전용의 제2 기판 카세트를 구비한 구성이 채용되어도 좋다.
(로드락 챔버)
도 1에 나타내는 바와 같이, 로드락 챔버(10)(진공챔버)는 대기 반송로봇(3a)과 트랜스퍼 챔버(2) 사이에 배치된다. 대기 반송로봇(3a)과 로드락 챔버(10) 사이에는 O링 등 (씰부재)을 통해 대기측 게이트 밸브(AG(AG1, (AG2))가 설치되어 있다. 트랜스퍼 챔버(2)와 로드락 챔버(10) 사이에는 O링 등을 통해 진공측 게이트 밸브(VG(VG1, VG2))가 설치되어 있다.
구체적으로, 도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 로드락 챔버(10)는 상하방향(Z방향)으로 나란한 2개의 내부공간(11(11U, 11L))을 가진다. 2개의 내부공간(11) 중 상방에 위치하는 상측 내부공간(11U)의 반송방향(TD)에서의 양측에는 대기측 게이트 밸브(AG1) 및 진공측 게이트 밸브(VG1)가 설치되어 있다. 대기측 게이트 밸브(AG1) 및 진공측 게이트 밸브(VG1)의 양쪽이 닫힘으로써 상측 내부공간(11U)이 밀폐된다. 이 상태에서, 상측 내부공간(11U)의 분위기는 대기압 분위기와 진공 분위기로 전환 가능하다.
마찬가지로, 2개의 내부공간(11) 중 하방에 위치하는 하측 내부공간(11L)의 반송방향(TD)에서의 양측에는 대기측 게이트 밸브(AG2) 및 진공측 게이트 밸브(VG2)가 설치되어 있다. 대기측 게이트 밸브(AG2) 및 진공측 게이트 밸브(VG2) 양쪽이 닫힘으로써 하측 내부공간(11L)이 밀폐된다. 이 상태에서, 하측 내부공간(11L)의 분위기는 대기압 분위기와 진공 분위기로 전환 가능하다.
로드락 챔버(10)는 기판의 반송방향(TD)을 따라 배치된 복수의 블록체로 구성된다. 본 실시형태에서는 블록체의 수는 5개이며, 제1 블록체(10A), 제2 블록체(10B), 제3 블록체(10C), 제4 블록체(10D), 및 제5 블록체(10E)에 의해 로드락 챔버(10)가 구성된다. 5개의 블록체 중 서로 인접하는 2개의 블록체는 O링 홈에 압입된 O링(SL)(씰부재, 도 4 참조)을 통해 미도시의 나사 등의 체결부재에 의해 접속 고정된다. 블록체의 재료로는 예를 들면, 알루미늄 등의 금속이 채용된다.
복수의 블록체 각각은 반송방향(TD)에서 봤을 때 환 형상의 개구공간(OP)을 가지며, 즉, 각 블록체는 2개의 개구공간(OP1, OP2)을 가진다.
구체적으로, 개구공간(OP1, OP2) 각각은 내측 하면(IL)과, 내측 상면(IU)과, 2개의 내측 측면(IS)으로 둘러싸인 공간이며, 반송방향(TD)을 따라 연재하고 있다.
5개의 블록체의 개구공간(OP1)이 반송방향(TD)을 따라 연통함으로써, 상측 내부공간(11U)이 형성된다. 마찬가지로, 5개의 블록체의 개구공간(OP2)이 반송방향(TD)을 따라 연통함으로써 하측 내부공간(11L)이 형성된다.
즉, 상기의 5개의 블록체로 구성된 로드락 챔버(10)는 평면시에서 챔버의 상방 개구를 폐색하는 덮개를 구비한 종래 구조와는 달리, 리드레스 구조를 실현한다.
(로드락 챔버의 내부구조)
이어서, 도 3a 내지 도 4를 참조하여 로드락 챔버(10)의 내부구조(상측 내부공간(11U)의 내부구조)에 대해서 설명한다. 또한, 하측 내부공간(11L)의 내부구조는 상측 내부공간(11U)의 내부구조와 동일하므로, 그 설명을 생략한다. 또한, 도 3a에서, 상측 내부공간(11U)에 배치되는 기판은 부호 S로 나타낸다.
(제1 블록체)
도 3a에 나타내는 바와 같이, 제1 블록체(10A)는 O링 등의 씰부재를 통해 대기측 게이트 밸브(AG1)에 접촉하는 씰면(11a)을 가진다. 상측 내부공간(11U)에서의 X방향의 양측에서, 제1 블록체(10A)의 내측 하면(IL)에는 배기부(11b, 11c)가 설치된다. 여기서, 배기부(11b, 11c)는, 제1 블록체(10A)에 형성된 구멍(배기구)이다.
제1 블록체(10A)의 내측 하면(IL)에서, 2개의 배기부(11b, 11c) 위치보다 내측 위치에는 위치 결정기구(41, 42)가 배치한다. 씰면(11a)에 가까운 영역이고, 또한 기판(S)의 단부 영역과 중첩하는 위치에는 내측 하면(IL)에서 입설(入設)된 대기측 기판 지지핀(30a)(대기측 게이트 밸브(AG1)에 가까운 기판 지지핀)이 설치되어 있다. 본 실시형태에서, 대기측 기판 지지핀(30a)의 개수는 2개이지만, 이 개수는 한정되지 않는다.
(제2 블록체)
도 3a에 나타내는 바와 같이, 제2 블록체(10B)는 O링(SL)(씰부재)을 통해 제1 블록체(10A)에 고정 접속된다. 상측 내부공간(11U)에서의 X방향의 양측에서, 제2 블록체(10B)의 내측측면(IS)에는 창(12a)이 설치된다.
다시 말하면, 기판(S)에 평행한 방향이며 또한, 반송방향(TD)에 교차하는 방향(X방향)에서 본 측면시에서, 제2 블록체(10B)의 측면에 창(12a)이 형성된다. 창(12a)의 외측(외벽부분)에는 창(12a)를 덮도록 플랜지(12b)가 O링을 통해 고정된다. 즉, 창(12a)이 제2 블록체(10B)에 형성되었다 하더라도, 플랜지(12b)에 의해 상측 내부공간(11U)은 밀폐된다. 플랜지(12b)는 분리 가능하다. 플랜지(12b)가 투명재료로 구성되어 있으면, 작업자는 플랜지(12b)를 통해 로드락 챔버(10)의 내부를 관찰하는 것이 가능하다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제2 블록체(10B)의 내측 하면(IL)에는 반송방향(TD)에 교차하는 방향(X방향)으로 연장되는 홈(12G)이 형성된다. 홈(12G)은 제2 블록체(10B)에 형성된 수직면(12GV) 및 수평면(12GH)를 가지는 역L자형의 형상을 가진다. 제1 블록체(10A)와 제2 블록체(10B)가 접속됨으로써, 제1 블록체(10A)의 단면(11E)과 홈(12G)에 의해 대략 U자 태양의 감합홈(FG)이 형성된다. 즉, 감합홈(FG)은 제1 블록체(10A)와 제2 블록체(10B) 사이에 위치한다.
(베이스부재(20))
감합홈(FG)에는 도 3b에 나타내는 베이스부재(20)가 감합하고 있다. 베이스부재(20)는 감합홈(FG)이 연재하는 방향(X방향)으로 연장하고, 즉, 감합홈(FG)의 형성부분이 묻히도록 베이스부재(20)가 설치된다. 베이스부재(20)에는 복수의 기판 지지핀(30)이 고정된다.
베이스부재(20)의 재료로는, 테프론(등록상표)으로 알려진 폴리 테트라 플루오르 에틸렌(PTFE)을 들 수 있다. 베이스부재(20)로 테프론을 이용함으로써, 블록체의 구성재료로 이용되는 알루미늄의 표면에 대해서 베이스부재(20)가 매끄럽게 미끄러진다. 이 때문에, 감합홈(FG)에 베이스부재(20)를 용이하게 삽입하는 것이 가능해진다. 또한, 감합홈(FG)의 내면에 베이스부재(20)를 미끄러지게 하면서, 감합홈(FG)에 대한 베이스부재(20)의 탈착이 가능하므로, 베이스부재(20)의 교환작업 등의 메인터넌스성이 뛰어나다.
또한, 베이스부재(20)의 재료로는 테프론으로 한정되지 않고, 상기 이점을 얻을 수 있으면 다른 재료로 베이스부재(20)가 구성되어도 좋다.
(기판 지지핀)
도 4에 나타내는 바와 같이, 각 기판 지지핀(30)은 로드(31)와, 로드(31)의 상부(31U)에 회전 가능하게 지지된 볼 베어링(32)(지지단)과, 볼 베어링(32)과는 반대측에 위치하여 베이스부재(20)에 고정되는 고정단(33)과, 베이스부재(20)에 형성된 나사구멍(20S)에 고정되는 볼트(34)(체결부)를 가진다.
볼 베어링(32)의 상단(32T)은 기판(S)이 접촉하는 부분이다. 기판 지지핀(30)에 의해 기판(S)이 지지되면, 볼 베어링(32)과 기판(S)이 접촉한다. 이 때, 기판(S)은 볼 베어링(32)의 회전에 의해 매끄럽게 수평방향(X방향, Y방향)으로 이동 가능하므로, 기판(S)에 흠이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 실시형태에서, 1개의 베이스부재(20)에 고정되는 기판 지지핀(30)의 개수는 4개이다. 기판 지지핀(30)의 개수는 4개로 한정되지 않는다. 기판 지지핀(30)의 개수 및 기판 지지핀(30)의 배치 피치는 로봇 핸드(2c, 3c)에 대한 간섭을 피하도록, 또한, 기판 지지핀(30)에 의해 지지된 기판(S)의 자중에 의한 휨양이 최소가 되도록 결정된다. 로드(31)의 길이, 즉, 기판 지지핀(30)의 높이는 로봇 핸드(2c, 3c)에 의한 기판(S)의 상하방향의 이동량이나 개구공간(OP1)의 개구 높이 등에 따라 결정된다.
상술한 대기측 기판 지지핀(30a), 진공측 기판 지지핀(30b)(후술), 및 기판 모서리부 지지핀(30c)(후술)의 구성도 기판 지지핀(30)과 동일한 구성이 채용된다. 단, 기판(S)이 내측 하면(IL)에 대해서 수평에 유지되도록 기판 지지핀(30), 진공측 기판 지지핀(30b), 및 기판 모서리부 지지핀(30c)의 높이가 조정된다.
(홈 커버)
도 3b 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판 지지핀(30)의 고정단(33)과 베이스부재(20) 사이에는 홈 커버(21)(커버)가 배치되어 있다. 홈 커버(21)는 감합홈(FG)이 연재하는 방향(X방향)으로 연장하고, Y방향에서의 홈 커버(21)의 폭은 베이스부재(20)의 폭보다 크다. 상기와 같이 베이스부재(20)는 감합홈(FG)에 감합하고 있으나, 홈 커버(21)는 감합홈(FG)의 내부에 설치되지 않는다.
홈 커버(21)는 관통공(21P)을 가진다. 관통공(21P)은 베이스부재(20)에 형성된 나사구멍(20S)에 대응하는 위치에 설치된다. 관통공(21P)의 크기는 볼트(34)의 지름보다 크다. 볼트(34)는 관통공(21P)을 통해 나사구멍(20S)에 고정된다. 나사구멍(20S)에 대한 볼트(34)의 체결력에 의해 홈 커버(21)는 베이스부재(20)에 고정된다.
홈 커버(21)의 하면(21L)은 제1 블록체(10A) 및 제2 블록체(10B)의 내측 하면(IL)에 접촉한다. 홈 커버(21)의 상면(21U)은 상측 내부공간(11U)에 노출하고, 고정단(33)의 모서리부에서 제1 블록체(10A) 및 제2 블록체(10B)의 내측 하면(IL)를 향해 경사진 형상을 가진다.
홈 커버(21)의 폭은 베이스부재(20)보다 크므로, Z방향에서 봤을 때, 제1 블록체(10A)와 제2 블록체(10B) 사이의 간극(G)은 홈 커버(21)에 의해 덮인다. 홈 커버(21)의 재료로는 베이스부재(20)와 동일한 재료여도 좋고, 다른 재료여도 좋다.
또한, 도 4에 나타내는 구조에서는 홈 커버(21)는 베이스부재(20)에서 분리한 별체이다. 이 경우, 홈 커버(21)는 기판 지지핀(30)의 길이(높이)를 조정하는 스페이서로서 기능해도 좋다.
홈 커버(21)는 베이스부재(20)와 일체로 형성된 일체품이어도 좋다. 이 경우, 홈 커버(21)는 베이스부재(20)와 동일한 재료로 형성된다. 또한, 이 구성에서는 관통공(21P)에 나사구멍이 형성되어도 좋다.
이하에서 설명하는 제3 블록체(10C), 제4 블록체(10D), 및 제5 블록체(10E)에서도, 감합홈(FG)에 베이스부재(20)가 감합한 구조와 인접하는 2개의 블록체 사이의 간극(G)이 홈 커버(21)에 의해 덮인 구조가 채용된다.
(제3 블록체)
도 3a에 나타내는 바와 같이, 제3 블록체(10C)는 O링(SL)(도 4 참조)을 통해 제2 블록체(10B)에 고정 접속된다. 상측 내부공간(11U)에서의 X방향의 양측에서, 제3 블록체(10C)의 내측측면(IS)에는 개구(13a)가 설치된다. 개구(13a)의 내부에는 벤트 필터(13b)가 설치된다. 개구(13a)의 외측(외벽부분)에는 가스 공급부(13c)가 설치된다.
가스 공급부(13c)는 벤트 필터(13b)를 통해 로드락 챔버(10)의 내부에 벤트 가스(예를 들면, 질소 가스)를 공급한다. 벤트 필터(13b)는 가스 공급부(13c)에서 상측 내부공간(11U)으로 공급되는 가스의 흐름을 동일하게 분산시킨다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제3 블록체(10C)의 내측 하면(IL)에는 반송방향(TD)으로 교차하는 방향(X방향)으로 연장되는 홈(13G)이 형성된다. 홈(12G)과 마찬가지로, 홈(13G)은 수직면(13GV) 및 수평면(13GH)을 가지는 역L자형의 형상을 가진다. 제2 블록체(10B)와 제3 블록체(10C)가 접속됨으로써, 제2 블록체(10B)의 단면(12)과 홈(13G)에 의해 대략 U자 태양의 감합홈(FG)이 형성된다. 감합홈(FG)에는 도 3b에 나타내는 베이스부재(20)가 감합하고 있다.
또한, 제2 블록체(10B)와 제3 블록체(10C)와의 상대관계의 해석에 관하여, 제2 블록체(10B)는 본 발명의 “제1 블록체”에 상당하고, 제3 블록체(10C)는 본 발명의 “제2 블록체”에 상당한다. 즉, 제2 블록체(10B)에 접속 고정된 제3 블록체(10C)는 본 발명의 “제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체”에 상당한다. 또한, 제3 블록체(10C)에 형성된 홈(13G)은 본 발명의 “제2 블록체가 가지는 홈”에 상당하고, 제2 블록체(10B)의 단면(12E)과 홈(13G)으로 형성된 감합홈(FG)은 본 발명의 “제1 블록체와 제2 블록체 사이에 위치하는 홈”에 상당한다.
(제4 블록체)
도 3a에 나타내는 바와 같이, 제4 블록체(10D)는 O링(SL)(도 4 참조)을 통해 제3 블록체(10C)에 고정 접속된다. 상측 내부공간(11U)에서의 X방향의 양측에서, 제4 블록체(10D)의 내측측면(IS)에는 창(14a)이 설치된다. 또한, 창(14a)의 외측(외벽부분)에는 창(14a)을 덮도록, 플랜지(14b)가 O링을 통해 고정된다. 창(14a) 및 플랜지(14b)의 구조는 상술한 창(12a) 및 플랜지(12b)의 구조와 같다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제4 블록체(10D)의 내측 하면(IL)에는 반송방향(TD)으로 교차하는 방향(X방향)으로 연장되는 홈(14G)이 형성된다. 홈(12G, 13G)과 마찬가지로, 홈(14G)은 수직면(14GV) 및 수평면(14GH)을 가지는 역L자형의 형상을 가진다. 제3 블록체(10C)와 제4 블록체(10D)가 접속됨으로써, 제3 블록체(10C)의 단면(13E)과 홈(14G)에 의해 대략 U자 태양의 감합홈(FG)이 형성된다. 감합홈(FG)에는 도 3b에 나타내는 베이스부재(20)가 감합하고 있다.
또한, 제3 블록체(10C)와 제4 블록체(10D)와의 상대관계의 해석에 관하여, 제3 블록체(10C)는 본 발명의 “제1 블록체”에 상당하고, 제4 블록체(10D)는 본 발명의 “제2 블록체”에 상당한다. 즉, 제3 블록체(10C)에 접속 고정된 제4 블록체(10D)는 본 발명의 “제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체”에 상당한다. 또한, 제4 블록체(10D)에 형성된 홈(14G)은 본 발명의 “제2 블록체가 가지는 홈”에 상당하고, 제3 블록체(10C)의 단면(13E)과 홈(14G)으로 형성된 감합홈(FG)은 본 발명의 “제1 블록체와 제2 블록체 사이에 위치하는 홈”에 상당한다.
(제5 블록체)
도 3a에 나타내는 바와 같이, 제5 블록체(10E)는 O링 등의 씰부재를 통해 진공측 게이트 밸브(VG1)에 접촉하는 씰면(15a)을 가진다. 상측 내부공간(11U)에서의 X방향의 양측에서, 제5 블록체(10E)의 내측 하면(IL)에는 배기부(15b, 15c)가 설치된다. 여기서, 배기부(15b, 15c)란, 제5 블록체(10E)에 형성된 구멍(배기구)이다.
제5 블록체(10E)의 내측 하면(IL)에서, 2개의 배기부(15b, 15c)의 위치보다 내측의 위치에는 위치 결정기구(43, 44)가 배치한다. 씰면(15a)에 가까운 영역에서 있고, 또한, 기판(S)의 단부 영역과 중첩하는 위치에는 내측 하면(IL)에서 입설된 진공측 기판 지지핀(30b)(진공측 게이트 밸브(VG1)에 가까운 기판 지지핀)이 설치된다. 본 실시형태에서, 진공측 기판 지지핀(30b)의 개수는 2개이지만, 이 개수는 한정되지 않는다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 제5 블록체(10E)의 내측 하면(IL)에는 반송방향(TD)으로 교차하는 방향(X방향)으로 연장되는 홈(15G)이 형성된다. 홈(12G, 13G, 14G)와 마찬가지로, 홈(15G)은 수직면(15GV) 및 수평면(15GH)을 가지는 역L자형의 형상을 가진다. 제4 블록체(10D)와 제5 블록체(10E)가 접속됨으로써, 제4 블록체(10D)의 단면(14E)과 홈(15G)에 의해 대략 U자 태양의 감합홈(FG)이 형성된다. 감합홈(FG)에는 도 3b에 나타내는 베이스부재(20)가 감합하고 있다.
또한, 제4 블록체(10D)와 제5 블록체(10E)의 상대관계의 해석에 관하여, 제4 블록체(10D)는 본 발명의 “제1 블록체”에 상당하고, 제5 블록체(10E)는 본 발명의 “제2 블록체”에 상당한다. 즉, 제4 블록체(10D)에 접속 고정된 제5 블록체(10E)는 본 발명의 “제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체”에 상당한다. 또한, 제5 블록체(10E)에 형성된 홈(15G)은 본 발명의 “제2 블록체가 가지는 홈”에 상당하고, 제4 블록체(10D)의 단면(14E)과 홈(15G)으로 형성된 감합홈(FG)은 본 발명의 “제1 블록체와 제2 블록체 사이에 위치하는 홈”에 상당한다.
(배기계)
도 3a에 나타내는 바와 같이, 로드락 챔버(10)를 구성하는 5개의 블록체 중, 2개의 블록체, 즉, 제1 블록체(10A) 및 제5 블록체(10E)는 배기부를 가진다. 4개의 배기부(11b, 11c, 15b, 15c)는 상측 내부공간(11U)의 4개의 모서리 영역(角領域)(K)에 대응하는 위치에 설치된다. 다시 말하면, 4개의 배기부는 기판(S)의 4개의 모서리부에 대응하는 위치에 설치된다.
배기부의 각각의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 원형, 타원(楕圓), 장원(長圓), 직사각형(矩形) 등이 채용된다. 4개의 모서리 영역(K)의 각각에 위치하는 배기부는 복수의 배기구로 구성되어도 좋다. 이 경우, 배기구의 개수도 한정되지 않는다. 구체적으로, 도 3a에 나타내는 구성에서는, 1개의 모서리 영역(K)에 1개의 배기구가 형성되어 있으나, 1개의 모서리 영역(K)에 복수의 배기구가 형성되어도 좋다. 4개의 배기부(11b, 11c, 15b, 15c)는 도 2b에 나타내는 하측 내부공간(11L)에도 설치된다.
이어서, 도 5를 참조하여, 로드락 챔버(10)를 구성하는 2개의 상측 내부공간(11U) 및 하측 내부공간(11L)에 대해서, 4개의 배기부와 진공펌프(50P) 사이에 설치된 배관 및 밸브를 포함한 배기계를 설명한다.
상측 내부공간(11U)에 형성된 4개의 배기부(11b, 11c, 15b, 15c) 각각은 블록체에 형성된 구멍부를 통해서 4개의 분기배관(50B)에 접속된다. 4개의 분기배관(50B)은 집합배관(50M)에 접속되고, 집합배관(50M)은 진공밸브(50U)를 통해 진공펌프(50P)에 접속된다.
마찬가지로, 하측 내부공간(11L)에 형성된 4개의 배기부(11b, 11c, 15b, 15c)의 각각은 블록체에 형성된 구멍부를 통해 4개의 분기배관(50B)으로 접속된다. 4개의 분기배관(50B)은 집합배관(50M)에 접속되고, 집합배관(50M)은 진공밸브(50L)를 통해 진공펌프(50P)에 접속된다.
진공밸브(50U, 50L) 및 진공펌프(50P)는 제어부(100)에 접속된다. 제어부(100)는 진공밸브(50U, 50L)의 개폐동작을 개별적으로 제어한다. 예를 들면, 제어부(100)는 진공밸브(50U)만을 열고, 진공밸브(50L)만을 닫을 수 있다. 이 경우, 진공펌프(50P)와 상측 내부공간(11U)이 연통하여 상측 내부공간(11U)의 내부의 기체가 배기되고, 상측 내부공간(11U)을 진공 분위기로 하는 것이 가능하다. 한편, 진공밸브(50L)가 닫힌 상태에서, 가스 공급부(13c)에서 벤트가스를 하측 내부공간(11L)으로 공급함으로써, 하측 내부공간(11L)을 대기압 분위기로 하는 것이 가능하다.
또한, 상측 내부공간(11U) 및 하측 내부공간(11L) 양쪽 분위기를 진공 분위기 또는 대기압 분위기로 하는 것이 가능하다. 제어부(100)에 의한 진공밸브(50U, 50L)의 제어는 후술하는 로드락 챔버(10)에서의 기판반송의 동작에 따라 수행된다.
(위치 결정기구)
도 3a에 나타내는 바와 같이, 로드락 챔버(10)를 구성하는 5개의 블록체 중, 2개의 블록체, 즉, 제1 블록체(10A) 및 제5 블록체(10E)는 위치 결정기구를 가진다.
4개의 위치 결정기구(41, 42, 43, 44)는 상측 내부공간(11U)의 4개의 모서리 영역(K)에 대응하는 위치에 설치된다. 다시 말하면, 4개의 위치 결정기구는 기판(S)의 4개의 모서리부에 대응하는 위치에 설치된다.
이하의 설명에서는 위치 결정기구(42)에 대해 설명하나, 다른 위치 결정기구(41, 43, 44)의 각각도 위치 결정기구(42)와 동일한 구성을 가지므로 설명을 생략한다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 위치 결정기구(42)는 내측 하면(IL)에 고정된 베이스 플레이트(45P)와, 베이스 플레이트(45P)에 입설된 기판 모서리부 지지핀(30c)과, 베이스 플레이트(45P)에 입설된 제1 롤러 지지부(46Y) 및 제2 롤러 지지부(46X)와, 축선(AY)을 통해 제1 롤러 지지부(46Y)에 회전 가능하게 지지된 제1 롤러(45Y)와, 축선(AX)을 통해 제2 롤러 지지부(46X)에 회전 가능하게 지지된 제2 롤러(45X)를 가진다.
제1 롤러(45Y)는 반송방향(TD)에 평행한 축선(AY) 둘레로 회동 가능하다. 제1 롤러(45Y)의 내측단(45YE)은 기판(S)의 모서리부로, Y방향으로 연장되는 기판(S)의 단면에 접촉 가능하다.
제2 롤러(45X)는 반송방향(TD)으로 직교하는 X방향으로 평행한 축선(AX) 둘레로 회동 가능하다. 제2 롤러(45X)의 내측단(45XE)은 기판(S)의 모서리부로, X방향으로 연장되는 기판(S)의 단면에 접촉 가능하다.
복수의 기판 지지핀(30)의 볼 베어링(32)에 기판(S)이 접촉한 상태에서, 제1 롤러(45Y)와 제2 롤러(45X)에 의해 기판(S)의 모서리부 위치가 결정된다. 특히, 위치 결정기구(41, 42, 43, 44)는 기판(S)의 4개의 모서리부 각각에 대응하는 위치에 설치되고, 4개소에서 기판(S)의 위치가 결정된다. 제1 롤러(45Y)의 내측단(45YE) 및 제2 롤러(45X)의 내측단(45XE)이 기판(S)의 단면에 접촉하더라도, 제1 롤러(45Y) 및 제2 롤러(45X)는 회전하므로, 기판(S)에 흠이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 구성을 가지는 로드락 챔버(10)는 상하방향(Z방향)으로 기판을 이동시키는 구동기구를 구비하지 않는다. 내부공간(11)에서의 기판의 상하방향 이동은 후술하는 바와 같이 로봇 핸드(3c) 또는 로봇 핸드(2c)를 구동함으로써 수행된다.
(로드락 챔버에서의 동작)
이어서, 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 로드락 챔버(10)에 대한 기판(S)(처리전 기판(SP), 처리종료된 기판)의 반송동작에 대해 상세하게 설명한다.
이하의 설명에서는, 상측 내부공간(11U)에서의 기판반송에 대해 설명한다. 하측 내부공간(11L)에서도, 상측 내부공간(11U)과 마찬가지의 기판반송이 이루어지므로, 설명을 생략한다. 도 7a 내지 도 7d는 도 1 내지 도 3b에 나타내는 로드락 챔버(10)를 구성하는 부재 중 요부만을 나타내고 있다.
우선, 대기측 게이트 밸브(AG1) 및 진공측 게이트 밸브(VG)에 의해 상측 내부공간(11U)이 밀폐되고, 또한 진공밸브(50U)를 닫힌 상태로 한다. 이 상태에서, 가스 공급부(13c)에서 벤트 필터(13b)를 통해 상측 내부공간(11U)으로 벤트가스가 공급되고, 상측 내부공간(11U)의 내부압력이 대기압과 대략 동일하게 제어된다. 그 후, 진공측 게이트 밸브(VG1)가 닫힌 상태에서, 대기측 게이트 밸브(AG1)가 열린다.
이어서, 도 7a에 나타내는 바와 같이, 처리전 기판(SP)이 상측 내부공간(11U)으로 반송된다.
구체적으로, 대기 반송로봇(3a)이 구동함으로 인해, 로봇 핸드(3c)가 기판 카세트(4)에서 처리전 기판(SP)을 취출한다. 로봇 핸드(3c)는 처리전 기판(SP)을 반송방향(TD)을 따라 개구공간(OP1)을 통과시키고, 상측 내부공간(11U)의 내부에 처리전 기판(SP)을 반송한다.
이어서, 대기 반송로봇(3a)의 승강기구(3d)가 구동하고, 로봇 핸드(3c)는 방향(LD)으로 하강한다. 로봇 핸드(3c)에 의해 유지된 처리전 기판(SP)은 기판 지지핀(30)(30a, 30b, 30c)의 볼 베어링(32)에 접촉하고, 로봇 핸드(3c)에서 기판 지지핀(30)에 처리전 기판(SP)이 수도된다.
이로 인해, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 처리전 기판(SP)은 상측 내부공간(11U)의 내부에 배치된다. 이 때, 처리전 기판(SP)의 4개의 모서리부는 4개의 위치 결정기구(41, 42, 43, 44)의 제1 롤러(45Y) 및 제2 롤러(45X)에 접촉하고, 처리전 기판(SP)의 위치 결정이 이루어진다.
그 후, 로봇 핸드(3c)는 상측 내부공간(11U)에서 퇴피하고, 대기측 게이트 밸브(AG1)가 닫힌다.
이어서, 대기측 게이트 밸브(AG1) 및 진공측 게이트 밸브(VG)에 의해 상측 내부공간(11U)이 밀폐되고, 또한, 진공밸브(50U)를 열린 상태로 한다. 이로 인해, 4개의 배기부, 4개의 분기배관(50B), 및 집합배관(50M)을 통해 상측 내부공간(11U)은 진공펌프(50P)와 연통하고, 상측 내부공간(11U) 내의 기체가 진공펌프(50P)에 의해서 배기된다.
상측 내부공간(11U)의 내부압력이 트랜스퍼 챔버(2)의 내부압력과 대략 동일하게 되면, 대기측 게이트 밸브(AG1)가 닫힌 상태에서, 진공측 게이트 밸브(VG)가 열린다.
이어서, 도 7c에 나타내는 바와 같이, 처리전 기판(SP)이 상측 내부공간(11U)에서 트랜스퍼 챔버(2)로 반송된다.
구체적으로, 진공 반송로봇(2a)(암(2b))가 구동함으로써, 로봇 핸드(2c)가 트랜스퍼 챔버(2)에서 상측 내부공간(11U)으로 들어가고, 또한, 처리전 기판(SP)의 하방위치에 배치된다. 이 때, 처리전 기판(SP)과 로봇 핸드(2c)가 접촉하지 않도록 처리전 기판(SP)과 로봇 핸드(2c) 사이에 간극이 형성된 상태에서, 로봇 핸드(2c)는 트랜스퍼 챔버(2)에서 처리전 기판(SP)의 하방위치를 향해 이동한다.
이어서, 도 7d에 나타내는 바와 같이, 진공 반송로봇(2a)의 승강기구(2d))가 구동하고, 로봇 핸드(2c)는 방향(UD)(처리전 기판(SP)의 하방위치에서 상방위치로 향한 방향)으로 상승한다. 그러면, 로봇 핸드(2c)는 처리전 기판(SP)의 하면을 지지한다. 로봇 핸드(2c)가 방향(UD)으로 상승하면, 처리전 기판(SP)은 기판 지지핀(30)(30a, 30b, 30c)에서 이간하고, 기판 지지핀(30)에서 로봇 핸드(2c)로 처리전 기판(SP)이 수도된다. 로봇 핸드(2c)는 처리전 기판(SP)을 유지한 상태에서, 처리전 기판(SP)을 상측 내부공간(11U)에서 트랜스퍼 챔버(2) 내에 반송한다. 처리전 기판(SP)의 반송이 종료하면, 진공측 게이트 밸브(VG)가 닫힌다.
처리전 기판(SP)은 트랜스퍼 챔버(2)를 경유하여 프로세스 챔버(1A~1E) 중 적어도 1개의 프로세스 챔버에서 처리가 이루어진다.
프로세스 챔버에서의 처리를 수행함으로써 처리종료된 기판을 얻을 수 있고, 처리종료된 기판은 진공 반송로봇(2a)에 의해 트랜스퍼 챔버(2)에서 상측 내부공간(11U)으로 되돌아간다. 여기서, 진공 반송로봇(2a)은 처리종료된 기판을 반드시 상측 내부공간(11U)으로 되돌릴 필요는 없고, 처리종료된 기판을 하측 내부공간(11L)으로 되돌려도 좋다. 이하의 설명에서는 처리종료된 기판을 상측 내부공간(11U)으로 되돌리는 경우에 대해 설명한다.
우선, 상측 내부공간(11U)의 내부 분위기가 진공 분위기로 되는 상태에서, 진공측 게이트 밸브(VG1)가 열린다. 그 후, 로봇 핸드(2c)에 의해 처리종료된 기판이 유지된 상태에서, 반송방향(TD)을 따라 진공 반송로봇(2a)의 로봇 핸드(2c)가 처리종료된 기판을 상측 내부공간(11U)의 내부에 반송한다.
이어서, 승강기구(2d))가 구동함으로써 방향(LD)을 따라 로봇 핸드(2c)가 하강하고, 로봇 핸드(2c)는 처리종료된 기판을 기판 지지핀(30)(30a, 30b, 30c) 상에 배치한다. 이로 인해 로봇 핸드(2c)에서 기판 지지핀(30)(30a, 30b, 30c)에 대한 처리종료된 기판의 수수가 수행된다. 처리종료된 기판은 위치 결정기구(41, 42, 43, 44)에 의해 위치 결정된다. 그 후, 처리종료된 기판과 로봇 핸드(2c)가 이간한 상태에서, 암(2b)은 처리종료된 기판의 하방위치에서 트랜스퍼 챔버(2)를 향해 이동한다. 즉, 로봇 핸드(2c)는 로드락 챔버(10)에서 퇴피하고, 진공측 게이트 밸브(VG1)가 닫힌다.
대기측 게이트 밸브(AG1) 및 진공측 게이트 밸브(VG)에 의해 상측 내부공간(11U)이 밀폐되고, 또한, 진공밸브(50U)를 닫힌 상태로 한다. 이 상태에서, 가스 공급부(13c)에서 벤트 필터(13b)를 통해 상측 내부공간(11U)으로 벤트가스가 공급되고, 상측 내부공간(11U)의 내부압력이 대기압과 대략 동일하게 제어된다. 그 후, 진공측 게이트 밸브(VG)가 닫힌 상태에서 대기측 게이트 밸브(AG1)가 열린다.
그 후, 대기 반송로봇(3a)이 구동함으로 인해 로봇 핸드(3c)가 상측 내부공간(11U)으로 들어가고, 그리고, 처리종료된 기판의 하방위치에 배치된다.
대기 반송로봇(3a)의 승강기구(3d)가 구동하고, 로봇 핸드(3c)는 상승한다. 그러면, 로봇 핸드(3c)는 처리종료된 기판의 하면을 지지한다. 로봇 핸드(3c)가 상승하면, 처리종료된 기판은 기판 지지핀(30)(30a, 30b, 30c)에서 이간하고, 기판 지지핀(30)에서 로봇 핸드(3c)에 처리종료된 기판이 수도된다. 로봇 핸드(3c)는 처리종료된 기판을 유지한 상태에서, 처리종료된 기판을 상측 내부공간(11U)에서 기판 카세트(4)로 반송한다. 처리종료된 기판의 반송이 종료하면, 대기측 게이트 밸브(AG1가 닫힌다.
상술한 실시형태에 따른 기판 처리장치(1)의 로드락 챔버(10)에 따르면, 감합홈(FG)에 베이스부재(20)가 감합되고, 베이스부재(20)에 고정된 복수의 기판 지지핀(30)에 의해 기판(S)(처리전 기판(SP), 처리종료된 기판)을 지지할 수 있다. 이 구성에 따라, 종래의 구조와 같은 승강기구를 로드락 챔버(10)에 설치할 필요가 없고, 승강기구의 구동에 따른 진동에 기인하는 파티클이 감겨 올라가는 것과 비산을 방지할 수 있다.
더욱이, 챔버 본체의 상부 개구를 덮개로 폐색하는 종래 구조와는 달리, 실시형태에 따른 기판 처리장치(1)의 로드락 챔버(10)는 환 형상의 개구공간이 연통함으로써 형성된 내부공간을 가진다. 즉, 리드레스 구조를 실현할 수 있다. 이 구성에 따라, 챔버 본체와 덮개 사이의 O링에서 파티클이 발생하는 종래 구조의 문제를 해결할 수 있다.
특히, 기판(S)으로 1 변이 1500mm를 넘는 대형기판이 채용되는 경우는 로드락 챔버(10)의 크기도 증가하나, 로드락 챔버(10)는 리드레스 구조를 실현하고 있으므로, 대형의 덮개와 O링 사이에서의 마찰량이 현저하게 증가하는 종래 구조에서의 문제점을 해결할 수 있다.
더욱이, 종래 구조에서는 대형의 덮개와 O링 사이의 마찰뿐 아니라, 로드락 챔버를 구성하는 부재와 대형의 덮개의 접촉에 기인하는 마찰에 의해서 파티클이 발생하고, 기판에 파티클이 부착한다는 문제도 있으나, 이러한 문제도 해결할 수 있다.
본 실시형태에 따른 기판 처리장치(1)의 로드락 챔버(10)에 따르면, 상측 내부공간(11U)(하측 내부공간(11L))의 4개의 모서리 영역(K)에 대응하는 위치에 배기부(11b, 11c, 15b, 15c)를 설치함으로써, 상측 내부공간(11U)(하측 내부공간(11L)의 기체는 4개의 배기부를 향해 분산적으로 유동한다. 한편, 로드락 챔버에 배기부가 1개만 설치되어 있는 종래 구조에서는, 로드락 챔버의 내부의 기체는 1개의 배기부를 향해 집중적으로 유동한다. 따라서, 본 실시형태에 따른 기판 처리장치(1)의 로드락 챔버(10)에 따르면, 배기부 하나당 흐르는 유량을 작게 할 수 있고, 예를 들면, 종래보다 1/4 정도로 유량을 작게 할 수 있으며, 더욱이, 4개의 배기부를 향해 유동하는 분산적인 흐름이 발생한다. 종래 구조와 비교하여, 상측 내부공간(11U)(하측 내부공간(11L))에 발생하는 기류의 발생을 완화할 수 있고, 파티클이 감겨 올라가는 것과 비산을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판(S)에 대한 파티클의 부착을 방지할 수 있다.
본 실시형태에 따른 기판 처리장치(1)의 로드락 챔버(10)에 따르면, 서로 인접하는 2개의 블록체의 간극(G)을 덮는 홈 커버(21)를 설치함으로써, 서로 인접하는 2개의 블록체 사이의 간극(G)에 퇴적한 파티클이 상측 내부공간(11U)(하측 내부공간(11L))으로 비산하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판(S)에 대한 파티클의 부착을 방지할 수 있다.
본 실시형태에 따른 기판 처리장치(1)의 로드락 챔버(10)에 따르면, 블록체(10B, 10D)의 측면에 창(12a, 14a)이 형성되므로, 창(12a, 14a)을 통해 기판 지지핀(30)이 고정된 베이스부재(20)의 교환작업이나, 상측 내부공간(11U)(하측 내부공간(11L))의 클리닝 등의 메인터넌스 작업을 수행할 수 있다.
본 실시형태에 따른 기판 처리장치(1)의 로드락 챔버(10)에 따르면, 상측 내부공간(11U)(하측 내부공간(11L))에 배치되는 기판(S)의 4개의 모서리부에 대응하는 위치에 위치 결정기구(41, 42, 43, 44)를 설치함으로써, 상측 내부공간(11U)(하측 내부공간(11L)) 내에서, 기판(S)의 위치가 밀리는 것을 방지할 수 있다.
(변형예)
본 발명의 “개구공간의 내측 하면에 형성된 홈”은 서로 인접하는 2개의 블록체의 사이의 위치에 형성된 감합홈(FG)(홈(12G, 13G, 14G, 15G))으로 한정되지 않는다.
감합홈(FG)이 형성되는 위치와는 다른 위치에, 5개의 블록체 중 적어도 어느 하나의 블록체의 내측 하면(IL)에 대략 U자 태양의 홈이 직접적으로 형성되어도 좋다. 다시 말하면, 이 홈은 예를 들면, 홈(12G)과 홈(13G) 사이, 홈(13G)과 홈(14G) 사이, 홈(14G)과 홈(15G) 사이에서 내측 하면(IL) 상에 형성되어도 좋다.
이 홈에는 상술한 실시형태와 마찬가지로, 베이스부재(20)가 감합되고, 베이스부재(20)에 복수의 기판 지지핀(30)이 고정된다.
즉, 본변형예에 따른 로드락 챔버(10)는 감합홈(FG)에 베이스부재(20)가 감합된 구조와 감합홈(FG)과는 상이한 위치에 형성된 홈에도 베이스부재(20)가 감합된 구조와의 양쪽을 구비해도 좋다.
이로 인해, 감합홈(FG)에 감합된 베이스부재(20)에 고정된 복수의 기판 지지핀(30)뿐이 아니라, 내측 하면(IL)에 직접적으로 형성된 홈에 감합된 베이스부재(20)에 고정된 복수의 기판 지지핀(30)에 의해 기판(S)을 지지할 수 있다. 이 때문에, 상술한 실시형태에 의해 얻어지는 효과와 더불어, 기판(S)을 지지하는 기판 지지핀(30)의 개수가 많아지고, 기판(S)이 보다 대형화하더라도 기판(S)의 휨양을 줄이면서, 로드락 챔버(10)의 내부에서 기판(S)을 수평으로 유지할 수 있다는 효과도 얻을 수 있다.
이상, 본 발명이 바람직한 실시형태를 설명하고, 상술한 바와 같이 설명하였는데, 이들은 본 발명의 예시적인 것이며, 한정하는 것으로 고려되어서는 안되는 것을 이해해야 한다. 추가, 생략, 치환, 및 그 외의 변경은 본 발명의 범위에서 일탈하지 않고 수행할 수 있다. 따라서, 본 발명은 상술한 설명에 의해 한정되는 것으로 간주되지 않고, 청구범위에 의해 제한된다.
상술한 실시형태에서는 5개의 블록체에 의해서 로드락 챔버(10)가 구성된 경우에 대해서 설명하였으나, 블록체의 개수는 한정되지 않는다. 블록체의 개수는 2개 이상이면, 6개 이상이어도 좋다.
상술한 실시형태에서는 감합홈(FG)(홈(12G, 13G, 14G, 15G))은 X방향으로 연장된다. 이 홈은 반드시 X방향으로 연장될 필요는 없고, 반송방향(TD)으로 교차하는 방향, 즉, 반송방향(TD)에 대해서 소정 각도로 경사하는 방향으로 홈이 형성되어도 좋다. 이 경우, 감합홈(FG)에 감합되는 베이스부재(20)도 반송방향(TD)에 대해서 소정 각도로 경사하는 방향으로 연재한다.
상술한 실시형태에서는 제2 블록체(10B) 및 제4 블록체(10D) 각각의 측면에서, 상측 내부공간(11U) 및 하측 내부공간(11L)에 대응하는 창(12a), (14a)이 형성된 경우에 대해서 설명하였다. 창은 제1 블록체(10A), 제3 블록체(10C), 제5 블록체(10E)에 설치되어도 좋다.
상술한 실시형태에서는 로드락 챔버(10)가 상측 내부공간(11U)과 하측 내부공간(11L) 2개의 내부공간을 구비한 경우에 대해서 설명하였으나, 내부공간의 개수는 2로 한정되지 않는다. 1개여도 좋고, 3이상이어도 좋다.
상술한 실시형태에서는 진공챔버의 내부에 배치되는 상기 기판(S)의 4개의 모서리부에 대응하는 위치에 위치 결정기구(41, 42, 43, 44)가 설치된 구조에 대해 설명하였으나, 위치 결정기구의 개수는 한정되지 않는다. 상술한 4개의 위치 결정기구에 더불어, 반송방향(TD)에 평행한 기판(S)의 단면에 접촉하는 롤러를 구비한 위치 결정기구가 로드락 챔버(10)의 내부에 설치되어도 좋다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명은 승강기구의 구동에 따른 진동에 기인하는 파티클이 감겨 올라가는 것과 비산을 방지하고, 챔버 본체와 덮개 사이의 씰부재에서 발생하는 파티클의 발생을 방지하고, 반송대상의 기판에 대한 파티클의 부착을 방지하는 진공챔버에 넓게 적용 가능하다.
1: 기판 처리장치
1A, 1B, 1C, 1D, 1E: 프로세스 챔버
2: 트랜스퍼 챔버
2a: 진공 반송로봇
2b, 3b: 암
2c, 3c: 로봇 핸드
2d, 3d: 승강기구
3: 대기 반송장치
3a: 대기 반송로봇
4: 기판 카세트
10: 로드락 챔버(진공챔버)
10A: 제1 블록체(블록체)
10B: 제2 블록체(블록체)
10C: 제3 블록체(블록체)
10D: 제4 블록체(블록체)
10E: 제5 블록체(블록체)
11: 내부공간
11a, 15a: 씰면
11b, 11c, 15b, 15c: 배기부
11E, 12E, 13E, 14E: 단면
11L: 하측 내부공간(내부공간)
11U: 상측 내부공간
12a, 14a: 창
12b, 14b: 플랜지
12G, 13G, 14G, 15G: 홈
12GH, 13GH, 14GH, 15GH: 수평면
12GV, 13GV, 14GV, 15GV: 수직면
13a: 개구
13b: 벤트 필터
13c: 가스 공급부
20: 베이스부재
20S: 나사구멍
21: 홈 커버
21L: 하면
21P: 관통공
21U: 상면
30: 기판 지지핀
30a: 대기측 기판 지지핀(기판 지지핀)
30b: 진공측 기판 지지핀(기판 지지핀)
30c: 기판 모서리부 지지핀(기판 지지핀)
31: 로드
31U: 상부
32: 볼 베어링(지지단)
32T: 상단
33: 고정단
34: 볼트
41, 42, 43, 44: 위치 결정기구
45P: 베이스 플레이트
45X: 제2 롤러
45XE, 45YE: 내측단
45Y: 제1 롤러
46X: 제2 롤러 지지부
46Y: 제1 롤러 지지부
50B: 분기 배관
50L, 50U: 진공 밸브
50M: 집합 배관
50P: 진공펌프
100: 제어부
AG, AG1, AG2: 대기측 게이트 밸브
AX, AY: 축선
FG: 감합홈
G: 간극
IL: 내측 하면
IS: 내측 측면
IU: 내측 상면
K: 모서리 영역
OP, OP1, OP2: 개구공간
S: 기판
SL: O링 씰부재
SP: 처리전 기판
TD: 반송방향
VG, VG1, VG2: 진공측 게이트 밸브

Claims (8)

  1. 기판의 반송방향에서 봤을 때, 환 형상의 개구공간을 가지는 복수의 블록체가 상기 반송방향을 따라 배치함으로써 구성되고, 상기 복수의 블록체의 상기 개구공간이 연통함으로써 형성된 내부공간의 분위기를 대기압 분위기와 진공 분위기로 전환 가능한 진공챔버로서,
    상기 복수의 블록체의 하나인 제1 블록체와,
    상기 복수의 블록체의 하나이며, 상기 반송방향으로 교차하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 개구공간의 내측 하면에 형성된 홈을 가지며, 씰부재를 통해 상기 제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체와,
    상기 홈이 연재하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 홈에 감합된 베이스부재와,
    상기 기판이 접촉하는 지지단과, 상기 지지단과는 반대측에 위치하여 상기 베이스부재에 고정되는 고정단을 가지며, 상기 진공챔버의 내부에서 상기 기판을 지지하는 복수의 기판 지지핀,
    을 가지고,
    상기 홈은 상기 제1 블록체와 상기 제2 블록체 사이에 위치하고,
    상기 홈에 감합된 상기 베이스부재와 상기 기판 지지핀의 상기 고정단 사이에는 상기 제1 블록체와 상기 제2 블록체 사이의 간극을 덮는 커버가 설치되어 있는,
    진공챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 진공챔버의 평면시에서,
    상기 복수의 블록체 중 적어도 2개의 블록체의 각각은,
    상기 진공챔버의 상기 내부공간의 4개의 모서리 영역에 대응하는 위치에 설치된 배기부를 가지는,
    진공챔버.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판에 평행한 방향이고, 또한, 상기 반송방향으로 교차하는 방향에서 본 측면시에서,
    상기 복수의 블록체의 적어도 하나의 측면에는 창이 형성되어 있는,
    진공챔버.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 진공챔버의 평면시에서,
    상기 복수의 블록체 중 적어도 2개의 블록체의 각각은,
    상기 진공챔버의 내부에 배치되는 상기 기판의 4개의 모서리부에 대응하는 위치에 설치된 위치 결정기구를 가지며,
    각 위치 결정기구는,
    상기 반송방향으로 평행한 축선 둘레로 회동 가능한 제1 롤러와,
    상기 반송방향으로 직교하는 방향으로 평행한 축선 둘레로 회동 가능한 제2 롤러,
    를 가지며,
    상기 복수의 기판 지지핀의 상기 지지단에 상기 기판이 접촉한 상태에서, 상기 제1 롤러와 상기 제2 롤러에 의해 상기 기판의 모서리부의 위치를 결정하는,
    진공챔버.
  5. 기판의 반송방향에서 봤을 때, 환 형상의 개구공간을 가지는 복수의 블록체가 상기 반송방향을 따라 배치함으로써 구성되고, 상기 복수의 블록체의 상기 개구공간이 연통함으로써 형성된 내부공간의 분위기를 대기압 분위기와 진공 분위기로 전환 가능한 진공챔버로서,
    상기 복수의 블록체의 하나인 제1 블록체와,
    상기 복수의 블록체의 하나이며, 상기 반송방향으로 교차하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 개구공간의 내측 하면에 형성된 홈을 가지며, 씰부재를 통해 상기 제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체와,
    상기 홈이 연재하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 홈에 감합된 베이스부재와,
    상기 기판이 접촉하는 지지단과, 상기 지지단과는 반대측에 위치하여 상기 베이스부재에 고정되는 고정단을 가지며, 상기 진공챔버의 내부에서 상기 기판을 지지하는 복수의 기판 지지핀,
    을 가지고,
    상기 진공챔버의 평면시에서,
    상기 복수의 블록체 중 적어도 2개의 블록체의 각각은,
    상기 진공챔버의 내부에 배치되는 상기 기판의 4개의 모서리부에 대응하는 위치에 설치된 위치 결정기구를 가지며,
    각 위치 결정기구는,
    상기 반송방향으로 평행한 축선 둘레로 회동 가능한 제1 롤러와,
    상기 반송방향으로 직교하는 방향으로 평행한 축선 둘레로 회동 가능한 제2 롤러,
    를 가지며,
    상기 복수의 기판 지지핀의 상기 지지단에 상기 기판이 접촉한 상태에서, 상기 제1 롤러와 상기 제2 롤러에 의해 상기 기판의 모서리부의 위치를 결정하는,
    진공챔버.
  6. 기판의 반송방향에서 봤을 때, 환 형상의 개구공간을 가지는 복수의 블록체가 상기 반송방향을 따라 배치함으로써 구성되고, 상기 복수의 블록체의 상기 개구공간이 연통함으로써 형성된 내부공간의 분위기를 대기압 분위기와 진공 분위기로 전환 가능한 진공챔버와,
    상기 진공챔버에 접속된 트랜스퍼 챔버와,
    상기 트랜스퍼 챔버에 접속된 프로세스 챔버와,
    상기 진공챔버와 상기 트랜스퍼 챔버 사이, 및 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 프로세스 챔버 사이에서 상기 기판의 수수를 수행하고, 또한, 상기 트랜스퍼 챔버의 내부에 설치된 반송로봇,
    을 구비하고,
    상기 진공챔버는,
    상기 복수의 블록체의 하나인 제1 블록체와,
    상기 복수의 블록체의 하나이며, 상기 반송방향으로 교차하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 개구공간의 내측 하면에 형성된 홈을 가지며, 씰부재를 통해 상기 제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체와,
    상기 홈이 연재하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 홈에 감합된 베이스부재와,
    상기 기판이 접촉하는 지지단과, 상기 지지단과는 반대측에 위치하여 상기 베이스부재에 고정되는 고정단을 가지며, 상기 진공챔버의 내부에서 상기 기판을 지지하는 복수의 기판 지지핀,
    을 가지고,
    상기 홈은 상기 제1 블록체와 상기 제2 블록체 사이에 위치하고,
    상기 홈에 감합된 상기 베이스부재와 상기 기판 지지핀의 상기 고정단 사이에는 상기 제1 블록체와 상기 제2 블록체 사이의 간극을 덮는 커버가 설치되어 있는,
    기판 처리장치.
  7. 기판의 반송방향에서 봤을 때, 환 형상의 개구공간을 가지는 복수의 블록체가 상기 반송방향을 따라 배치함으로써 구성되고, 상기 복수의 블록체의 상기 개구공간이 연통함으로써 형성된 내부공간의 분위기를 대기압 분위기와 진공 분위기로 전환 가능한 진공챔버와,
    상기 진공챔버에 접속된 트랜스퍼 챔버와,
    상기 트랜스퍼 챔버에 접속된 프로세스 챔버와,
    상기 진공챔버와 상기 트랜스퍼 챔버 사이, 및 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 프로세스 챔버 사이에서 상기 기판의 수수를 수행하고, 또한, 상기 트랜스퍼 챔버의 내부에 설치된 반송로봇,
    을 구비하고,
    상기 진공챔버는,
    상기 복수의 블록체의 하나인 제1 블록체와,
    상기 복수의 블록체의 하나이며, 상기 반송방향으로 교차하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 개구공간의 내측 하면에 형성된 홈을 가지며, 씰부재를 통해 상기 제1 블록체에 접속 고정된 제2 블록체와,
    상기 홈이 연재하는 방향으로 연장됨과 동시에 상기 홈에 감합된 베이스부재와,
    상기 기판이 접촉하는 지지단과, 상기 지지단과는 반대측에 위치하여 상기 베이스부재에 고정되는 고정단을 가지며, 상기 진공챔버의 내부에서 상기 기판을 지지하는 복수의 기판 지지핀,
    을 가지고,
    상기 진공챔버의 평면시에서,
    상기 복수의 블록체 중 적어도 2개의 블록체의 각각은,
    상기 진공챔버의 내부에 배치되는 상기 기판의 4개의 모서리부에 대응하는 위치에 설치된 위치 결정기구를 가지며,
    각 위치 결정기구는,
    상기 반송방향으로 평행한 축선 둘레로 회동 가능한 제1 롤러와,
    상기 반송방향으로 직교하는 방향으로 평행한 축선 둘레로 회동 가능한 제2 롤러,
    를 가지며,
    상기 복수의 기판 지지핀의 상기 지지단에 상기 기판이 접촉한 상태에서, 상기 제1 롤러와 상기 제2 롤러에 의해 상기 기판의 모서리부의 위치를 결정하는,
    기판 처리장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 반송로봇은,
    로봇 핸드와,
    상기 로봇 핸드를 상기 반송방향을 따라 이동시키는 암과,
    상기 로봇 핸드를 상기 기판의 연직방향을 따라 이동시키는 승강기구,
    를 구비하고,
    상기 진공챔버의 상기 내부공간에서,
    상기 암이 구동함으로써, 상기 로봇 핸드는 상기 기판의 하방위치와 상기 트랜스퍼 챔버 사이에서 이동하고,
    상기 승강기구가 구동함으로써, 상기 로봇 핸드는 상기 기판의 하방위치와 상기 기판의 상방위치 사이에서 상하동 하는,
    기판 처리장치.
KR1020200058798A 2019-07-12 2020-05-18 진공챔버 및 기판 처리장치 KR102352718B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-130128 2019-07-12
JP2019130128A JP7280132B2 (ja) 2019-07-12 2019-07-12 真空チャンバ及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210007824A KR20210007824A (ko) 2021-01-20
KR102352718B1 true KR102352718B1 (ko) 2022-01-18

Family

ID=74058556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200058798A KR102352718B1 (ko) 2019-07-12 2020-05-18 진공챔버 및 기판 처리장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7280132B2 (ko)
KR (1) KR102352718B1 (ko)
CN (1) CN112210765B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115958182B (zh) * 2023-01-13 2023-12-26 烟台大学 基于生物基因高通量工程的高温合金成型装置及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100854142B1 (ko) 2005-03-30 2008-08-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 로드 로크 장치 및 기판 처리 시스템
KR100948860B1 (ko) * 2007-11-21 2010-03-22 주식회사 에스에프에이 화학 기상 증착 장치의 로드락 챔버

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3043848B2 (ja) * 1990-07-20 2000-05-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6824343B2 (en) 2002-02-22 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Substrate support
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
JP4587784B2 (ja) 2004-11-12 2010-11-24 株式会社アルバック 真空チャンバ
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US8124907B2 (en) * 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
KR101411620B1 (ko) * 2007-02-16 2014-06-25 엘아이지에이디피 주식회사 평판표시소자 제조장치의 로드 락 챔버
KR101000493B1 (ko) * 2008-02-05 2010-12-14 주식회사 에스에프에이 화학 기상 증착 장치
JP2010135536A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置および真空処理システム
JP5190387B2 (ja) * 2009-01-16 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 真空装置及び基板処理装置
WO2012002499A1 (ja) 2010-06-30 2012-01-05 株式会社アルバック 基板処理装置及び基板冷却方法
KR20120100016A (ko) * 2011-03-02 2012-09-12 엘아이지에이디피 주식회사 기판 지지 핀 및 이를 포함하는 로드 락 챔버
JP6602894B2 (ja) 2015-05-15 2019-11-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ロードロックチャンバ、ロードロックチャンバを有する真空処理システム及びロードロックチャンバを排気する方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100854142B1 (ko) 2005-03-30 2008-08-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 로드 로크 장치 및 기판 처리 시스템
KR100948860B1 (ko) * 2007-11-21 2010-03-22 주식회사 에스에프에이 화학 기상 증착 장치의 로드락 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
JP7280132B2 (ja) 2023-05-23
CN112210765A (zh) 2021-01-12
KR20210007824A (ko) 2021-01-20
JP2021015900A (ja) 2021-02-12
CN112210765B (zh) 2022-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10249525B2 (en) Dynamic leveling process heater lift
JP4404500B2 (ja) 複バルブを備えた単体スロットバルブアクチュエータ、およびその実装方法
JP6349750B2 (ja) Ｅｆｅｍ
JP7037379B2 (ja) 薄板状基板保持装置、及び保持装置を備える搬送ロボット
KR102107973B1 (ko) 진공 챔버 내의 기판을 프로세싱하기 위한 장치 및 시스템, 및 마스크 캐리어에 대해 기판 캐리어를 정렬하는 방법
TW201620065A (zh) 裝載埠及裝載埠的氣氛置換方法
TW201320190A (zh) 加熱裝置、塗佈裝置及加熱方法
KR20070029032A (ko) 이동식 이송챔버와 이를 포함하는 기판처리장치
KR102352718B1 (ko) 진공챔버 및 기판 처리장치
CN101254495A (zh) 基板的输送涂布装置
US20020078980A1 (en) System for processing substrate with liquid
KR102626528B1 (ko) 국소 퍼지 기능을 갖는 반송 장치
CN110548658B (zh) 减压干燥装置及减压干燥方法
KR101190106B1 (ko) 진공 증착용 얼라인먼트 장치
JP6583482B2 (ja) Ｅｆｅｍ
TWI678421B (zh) 真空腔室內加工基板之設備和系統及真空腔室內運輸載體之方法
TW202020192A (zh) 真空處理設備、軌道配置、遮罩遮蔽物及交換其之方法
JP2010123871A (ja) 基板処理装置
CN111663099A (zh) 向真空腔室内的多功能管线导入机构、成膜装置和系统
JP6853489B2 (ja) Ｅｆｅｍ
KR20190011106A (ko) 직교로봇
TWI793680B (zh) 基板處理裝置
KR102664998B1 (ko) 차압 측정 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비
KR102584725B1 (ko) 레이저 가공장치
JPH0543543U (ja) 基板表面処理室の基板搬入口／搬出口遮断装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant