JP2010123871A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理室内部の雰囲気が外部に漏洩することを確実に防止することができるとともに、処理室内のメンテナンスを外部から容易に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布処理室２１は、縦フレームＦａを含むフレームにより形成された開口部２１ｚを有する。フレームには開口部２１ｚを開閉可能にメンテナンス用扉Ｄが設けられる。開口部２１ｚを取り囲むように、フレームに溝付きトリム５０１が設けられる。溝付きトリム５０１は、開口部２１ｚがメンテナンス用扉Ｄにより閉塞された状態でメンテナンス用扉Ｄに接触することによりメンテナンス用扉Ｄに対向する溝５０１ｇを有する。開口部２１ｚがメンテナンス用扉Ｄにより閉塞された状態で、溝付きトリム５０１の溝５０１ｇとメンテナンス用扉Ｄとにより形成された空間の雰囲気が吸引ユニットにより吸引される。溝５０１ｇの内側の空間が外部に対して陰圧に保たれる。
【選択図】図１０

Description

本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

例えば、特許文献１に記載された基板処理装置は、複数の処理ブロックを備えている。各処理ブロックには、複数の熱処理部、複数の薬液処理部および搬送機構が設けられている。各処理ブロック内においては、搬送機構により基板が熱処理部および薬液処理部に搬送される。そして、熱処理部および薬液処理部において基板に所定の処理が行われる。
特開２００３−３２４１３９号公報

ところで、上記のような基板処理装置においては、薬液処理部のメンテナンスを定期的に行う必要がある。薬液処理部のメンテナンスに要する時間および労力を減らすためには、基板処理装置の外部から薬液処理部のメンテナンスを行うことが好ましい。基板処理装置の外部から薬液処理部のメンテナンスを行うための構成としては、例えば、基板処理装置の側面部に開閉可能な扉を設けることが考えられる。この場合、その扉を開くことにより、基板処理装置の外部から薬液処理部のメンテナンスを行うことが可能になる。

しかしながら、基板処理装置の側面部に開閉可能な扉を設けた場合、その扉から薬液処理部内の薬液成分が基板処理装置外に漏洩するおそれがある。それにより、基板処理装置の周辺雰囲気の汚染および他の装置における基板の処理不良を招くおそれがある。

本発明の目的は、処理室内部の雰囲気が外部に漏洩することを確実に防止することができるとともに、処理室内のメンテナンスを外部から容易に行うことができる基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、フレームにより形成された開口部を有し、基板に所定の処理を行う処理室と、開口部を開閉可能にフレームに設けられる扉と、開口部を取り囲むようにフレームに設けられ、開口部が扉により閉塞された状態で扉に接触することにより処理室の内部と外部との雰囲気を遮断するとともに少なくとも一部に扉に対向する凹部を有する封止部材と、開口部が扉により閉塞された状態で封止部材の凹部と扉とにより形成された空間を外部に対して陰圧に保つための第１の圧力調整部とを備えるものである。

この基板処理装置においては、処理室により基板に所定の処理が行われる。処理室はフレームにより形成された開口部を有し、フレームには開口部を開閉可能な扉が設けられる。これにより、作業者は、扉を開くことにより処理室内部のメンテナンスを容易に行うことができる。

フレームには、開口部を取り囲むように封止部材が設けられる。処理室の開口部が扉により閉塞されることにより、封止部材と扉とが接触する。これにより、処理室の内部と外部との雰囲気が遮断される。

ここで、封止部材の少なくとも一部には、処理室の開口部が扉により閉塞された状態で扉に対向する凹部が形成されている。処理室の開口部が扉により閉塞された状態においては、封止部材の凹部と扉とにより空間が形成される。封止部材の凹部と扉とにより形成された空間の雰囲気が、第１の圧力調整部により外部に対して陰圧に保たれる。

この場合、封止部材と扉との間に強い吸引力が作用する。これにより、フレーム側の封止部材と扉とが気密に接触する。すなわち、フレーム側の封止部材と扉との接触部に間隙が発生することが確実に防止される。それにより、処理室内部の雰囲気が、フレームと扉との間から外部に漏洩することが確実に防止される。その結果、基板処理装置の周辺雰囲気の汚染および他の装置における基板の処理不良の発生が十分かつ確実に防止される。

（２）基板処理装置は、処理室の内部が外部に対して陽圧となるように、処理室内の圧力状態を調整する第２の圧力調整部をさらに備えてもよい。

この場合、第２の圧力調整部により、処理室内部が外部に対して陽圧となるように調整される。これにより、処理室の開口部が扉により閉塞されている状態で、処理室内部に外部から塵埃が侵入することが確実に防止される。したがって、処理室内部における基板の汚染および処理不良の発生が十分に防止される。

このように、処理室の内部が陽圧となるように調整される場合でも、処理室の開口部が扉により閉塞されている状態においてはフレーム側の封止部材と扉との接触部に間隙が発生することが確実に防止されているので、処理室内部の雰囲気がフレームと扉との間から外部に漏洩することが確実に防止される。

（３）封止部材は、フレームに接合される第１の面と、開口部が扉により閉塞された状態で扉に接触する第２の面とを有し、凹部は、封止部材の第２の面に形成された溝であってもよい。

この場合、封止部材の第１の面がフレームに接合される。また、開口部が扉により閉塞された状態においては、封止部材の第２の面が扉に接触する。これにより、第２の面に形成された溝と扉とにより空間が形成される。

このように、封止部材の第２の面に溝を形成するだけで、開口部が扉により閉塞されることにより、封止部材の凹部と扉とにより極めて容易に空間が形成される。したがって、基板処理装置の構成が単純化し、製造が容易となる。

（４）フレームは中空構造による内部空間を有し、フレームおよび封止部材には、封止部材の凹部の内側の空間がフレームの内部空間と連通するように連通路が設けられ、第１の圧力調整部は、開口部が扉により閉塞された状態でフレームの内部空間の雰囲気を吸引するための吸引装置を含んでもよい。

この場合、フレームの内部空間の雰囲気が吸引装置により吸引される。これにより、開口部が扉により閉塞された状態においては、フレームの内部空間の雰囲気が吸引されることにより、封止部材の凹部と扉とにより形成された空間内の雰囲気がフレームおよび封止部材に設けられた連通路を通してフレームの内部空間に吸引される。

それにより、単純な構成で、封止部材の凹部と扉とにより形成された空間の雰囲気を外部に対して陰圧に保つことが可能となる。

（５）フレームは中空構造による内部空間を有し、フレームおよび封止部材には、封止部材の凹部の内側の空間がフレームの内部空間と連通するように連通路が設けられ、第１の圧力調整部は、開口部が扉により閉塞された状態でフレームの内部空間の雰囲気を吸引するために用いられる管路を含んでもよい。

この場合、フレームの内部空間の雰囲気を管路を通して吸引することができる。これにより、開口部が扉により閉塞された状態においては、フレームの内部空間の雰囲気が吸引されることにより、封止部材の凹部と扉とにより形成された空間内の雰囲気がフレームおよび封止部材に設けられた連通路を通してフレームの内部空間に吸引される。

それにより、単純な構成で、封止部材の凹部と扉とにより形成された空間の雰囲気を外部に対して陰圧に保つことが可能となる。

（６）基板処理装置は、扉を封止部材に磁力により吸引する磁力発生部材をさらに備えてもよい。

この場合、開口部が扉により閉塞された状態で、磁力発生部材の磁力により、扉が封止部材に吸引される。これにより、開口部が扉により閉塞された状態においては、封止部材と扉との間に磁気的な吸引力が作用する。そのため、フレーム側の封止部材と扉とがより気密に接触する。すなわち、フレーム側の封止部材と扉との接触部に間隙が発生することがより確実に防止される。それにより、処理室内部の雰囲気が、フレームと扉との間から外部に漏洩することがより確実に防止される。その結果、基板処理装置の周辺雰囲気の汚染および他の装置における基板の処理不良の発生がより十分かつ確実に防止される。

（７）処理室は、基板に薬液処理を行う薬液処理ユニットを備えてもよい。

この場合、処理室の内部では薬液処理ユニットにより基板に薬液処理が行われる。これにより、開口部が扉により閉塞された状態においては、薬液処理ユニットにより用いられる薬液の成分を含む雰囲気が、フレームと扉との間から外部に漏洩することが確実に防止される。それにより、基板処理装置の周辺雰囲気の汚染および他の装置における基板の処理不良の発生が十分かつ確実に防止される。

特に、処理室の内部が陽圧に調整される場合においても、フレームと扉との間から外部に漏洩することが確実に防止される。

（８）薬液処理ユニットは、基板にレジスト膜用の処理液または反射防止膜用の処理液を塗布する塗布処理ユニット、または基板に現像液を供給する現像処理ユニットであってもよい。

この場合、処理室の内部では、塗布処理ユニットによりレジスト膜用の処理液または反射防止膜用の処理液が基板に塗布される。または、現像処理ユニットにより現像液が基板に供給される。

これにより、開口部が扉により閉塞された状態においては、レジスト膜用の処理液、反射防止膜用の処理液または現像液の成分を含む雰囲気が、フレームと扉との間から外部に漏洩することが確実に防止される。

本発明によれば、処理室内の雰囲気が外部に漏洩することを確実に防止することができるとともに、処理室内部のメンテナンスを外部から容易に行うことができる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

さらに、以下の説明において、薬液には、レジスト膜用の処理液（レジスト液）、反射防止膜用の処理液および現像液等が含まれる。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。

図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。インターフェイスブロック１４に隣接するように露光装置１５が設けられる。露光装置１５においては、基板に露光処理が行われる。

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口１１７が形成される。

図１に示すように、塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。

現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図５参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図５参照）が設けられる。

図１に示すように、インターフェイスブロック１４には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンド１４３を有する。搬送機構１４１は、ハンド１４３により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンド１４４を有する。搬送機構１４２は、ハンド１４４により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

搬送機構１４１と搬送機構１４２との間には、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備えた基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１３（図５）および後述する複数のバッファＢＦ（図５）が設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにおいては、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。現像ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。

ここで、以下の説明においては、必要に応じて基板Ｗに薬液を供給する塗布処理部１２１および現像処理部１３１を薬液処理部と総称する。

図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００の側面部には、作業者が薬液処理部１２１，１３１のメンテナンスを行うためのメンテナンス用扉Ｄが設けられている。ここで、メンテナンスとは、保守、点検、修理、部品交換、整備および洗浄等を含む。

これらのメンテナンス用扉Ｄは、それぞれ薬液処理部１２１，１３１のフレームＦに取り付けられている。薬液処理部１２１，１３１のメンテナンス用扉ＤおよびフレームＦの詳細は後述する。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、図１の塗布処理部１２１および現像処理部１３１を＋Ｙ方向側から見た図である。また、図３は、図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。

図２および図３に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。また、図２に示すように、現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。

塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

図２に戻り、本実施の形態においては、塗布処理室２１および塗布処理室２３の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。また、塗布処理室２２および塗布処理室２４の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。

また、図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。さらに、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５（図２）が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

さらに、図２に示すように、各塗布処理室２１〜２４において、塗布処理ユニット１２９の上方には陽圧調整ユニット４１が設けられる。陽圧調整ユニット４１は、各塗布処理室２１〜２４内部の圧力を検出する圧力センサを備える。

陽圧調整ユニット４１は、圧力センサにより検出された圧力に基づいて、各塗布処理室２１〜２４の内部が基板処理装置１００の外部に対して陽圧となるように調整する。

また、各現像処理室３１〜３４において、現像処理ユニット１２９の上方にも陽圧調整ユニット４１が設けられる。これらの陽圧調整ユニット４１は、各現像処理室３１〜３４内部の圧力を検出する圧力センサを備える。

陽圧調整ユニット４１は、圧力センサにより検出された圧力に基づいて、各現像処理室３１〜３４の内部が基板処理装置１００の外部に対して陽圧となるように調整する。

なお、陽圧調整ユニット４１は、例えば清浄化された空気を下方に供給するためのファンフィルタユニット、または工場内の用力設備から供給される気体を各塗布処理室２１〜２４および現像処理室３１〜３４内部に供給する気体供給ユニットにより構成される。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１においてインターフェイスブロック１４に隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。また、本実施の形態においては、図２に示すように、流体ボックス部５０，６０内に吸引ユニット４０２が設けられる。吸引ユニット４０２の詳細は後述する。

（３）熱処理部の構成
図４は、図１の熱処理部１２３，１３３を−Ｙ方向側から見た図である。

図３および図４に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。図４に示すように、上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよび複数の密着強化処理ユニットＡＨＬが設けられる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための処理が行われる。なお、密着強化処理ユニットＡＨＬにおいては、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布される。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、複数の冷却ユニットＣＰ、複数の加熱ユニットＨＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。

また、上段熱処理部３０３においてインターフェイスブロック１４に隣接するように基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が設けられ、下段熱処理部３０４においてインターフェイスブロック１４に隣接するように基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が設けられる。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ９および基板載置部ＰＡＳＳ１１には、現像ブロック１３からインターフェイスブロック１４へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１０および基板載置部ＰＡＳＳ１２には、インターフェイスブロック１４から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。

図３に示すように、各熱処理ユニットＰＨＰは、加熱処理部１０１および冷却処理部１０２を有する。また、各冷却ユニットＣＰは、冷却処理部１０２を有する。加熱処理部１０１は、例えば、加熱プレートを有し、その加熱プレート上に載置された基板Ｗを加熱する。冷却処理部１０２は、例えば、冷却プレートを有し、その冷却プレート上に載置された基板Ｗを冷却する。

（４）搬送部の構成
（ａ）概略構成
図５は、図１の搬送部１２２，１３２の構成を説明するための図である。なお、図５は、搬送部１２２，１３２を−Ｙ方向側から見た図である。

図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。また、搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。

上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

図３に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図４）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図４）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向するように設けられる。

図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。また、上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、塗布ブロック１２から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、現像ブロック１３から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

（ｂ）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図６は、搬送機構１２７を示す斜視図である。

図５および図６に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図５に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

図５および図６に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図５）および上段熱処理部３０１（図４）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

なお、図５に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。

（５）インターフェイスブロックの構成
図７は、インターフェイスブロック１４の内部構成を示す図である。なお、図７は、インターフェイスブロック１４を＋Ｘ方向側から見た図である。

図７に示すように、インターフェイスブロック１４の略中央部に２つのバッファＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰが階層的に設けられる。また、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰの−Ｙ方向側に搬送機構１４１が設けられ、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰの＋Ｙ方向側に搬送機構１４２が設けられる。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに露光処理前の基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１３に露光処理後の基板Ｗが載置される。

（６）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。

（６−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図５を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図５）に搬送する。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。

（６−２）塗布ブロック１２の動作
以下、図１、図２、図４および図５を主に用いて塗布ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図４）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２１においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰ（図４）に搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、加熱処理部１０１（図３）および冷却処理部１０２（図３）により基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図４）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に搬送する。

搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、塗布ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図５）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、塗布ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（６−３）現像ブロック１３の動作
以下、図１、図２、図４および図５を主に用いて現像ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像ブロック１３における処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０３（図４）のエッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置するとともに、そのハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ１０（図４）から露光処理後の基板Ｗを取り出す。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１０から取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図４）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）または現像処理室３２（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。現像処理室３１，３２においては、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の加熱ユニットＨＰから加熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを加熱ユニットＨＰに搬入する。加熱ユニットＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０３（図４）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗを基板Ｗ基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）に搬送する。

搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、現像ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図５）、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２（図４）、塗布処理室３３，３４（図２）および下段熱処理部３０４（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、現像ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７,１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（６−４）インターフェイスブロック１４の動作
以下、図７を主に用いてインターフェイスブロック１４の動作について説明する。

まず、搬送機構１４１の動作について説明する。搬送機構１３７（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理前（エッジ露光後）の基板Ｗは、搬送機構１４１により取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される。基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

その後、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置されている露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像ブロック１３（図５）の上段熱処理部３０３の所定の熱処理ユニットＰＨＰに搬送する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光処理後の基板Ｗに熱処理が行われる。

次に、搬送機構１４１は、上段熱処理部３０３の他の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、上述したように、現像ブロック１３（図５）の搬送機構１３７（図５）により取り出される。これにより、露光処理後の基板Ｗのインターフェイスブロック１４から現像ブロック１３への受け渡しが完了する。

次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された露光処理前（エッジ露光後）の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する。その後、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置されている露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像ブロック１３（図５）の下段熱処理部３０４の所定の熱処理ユニットＰＨＰに搬送する。

次に、搬送機構１４１は、下段熱処理部３０４の他の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、現像ブロック１３（図５）の搬送機構１３８（図５）により取り出される。これにより、露光処理後の基板Ｗのインターフェイスブロック１４から現像ブロック１３への受け渡しが完了する。

搬送機構１４１は、上記の動作を繰り返す。それにより、インターフェイスブロック１４と上段熱処理部３０３との間での基板Ｗの受け渡しおよびインターフェイスブロック１４と下段熱処理部３０４との間での基板Ｗの受け渡しが交互に行われる。

ここで、本実施の形態においては、キャリア１１３（図５）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図２）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図４）における基板Ｗの処理速度と、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１２７（図５）の動作速度と搬送機構１２８（図５）の動作速度とは略等しい。また、現像処理室３１，３２（図２）および上段熱処理部３０３（図４）における基板Ｗの処理速度と、現像処理室３３，３４（図２）および下段熱処理部３０４（図４）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１３７（図５）の動作速度と搬送機構１３８（図５）の動作速度とは略等しい。

したがって、上記のように上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、現像ブロック１３（図５）から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。

なお、バッファＢＦは、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１１から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへ基板Ｗを交互に搬送することができない場合に用いられる。具体的には、例えば、塗布処理室２１，２２（図２）の塗布処理ユニット１２９（図２）に不具合が発生することにより基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が停止されている場合にバッファＢＦが用いられる。この場合、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗが搬送されるまで、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板ＷをバッファＢＦに搬送する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が再開された場合には、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ９から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへの基板Ｗの搬送およびバッファＢＦから基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへの基板Ｗの搬送を交互に行う。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、現像ブロック１３から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される基板Ｗの順序とを一致させることができる。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１１への基板Ｗの搬送が停止されている場合には、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１１への基板Ｗの搬送が再開されるまで、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板ＷをバッファＢＦに搬送する。

次に、搬送機構１４２の動作について説明する。

搬送機構１４１により基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置された基板Ｗは、所定の温度に冷却された後、搬送機構１４２により取り出される。搬送機構１４２は、その基板Ｗを露光装置１５（図１）に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、露光装置１５から露光処理後の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、上述したように、搬送機構１４１により熱処理ユニットＰＨＰへ搬送される。

搬送機構１４２は上記の処理を繰り返す。ここで、上述したように搬送機構１４１によって基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置される基板Ｗの順序は、キャリア１１３（図５）から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序に等しい。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、搬送機構１４２により露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。それにより、露光装置１５における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、一のキャリア１１３から基板処理装置１００に搬入された複数の基板Ｗ間において、露光処理の状態にばらつきが生じることを防止することができる。

（７）メンテナンス用扉Ｄおよびその周辺部材の構成
上述のように、基板処理装置１００の側面部には、作業者が薬液処理部１２１，１３１のメンテナンスを行うためのメンテナンス用扉Ｄが設けられている。以下では、薬液処理部として、塗布処理部１２１に設けられるメンテナンス用扉Ｄおよびその周辺部材の構成について説明する。なお、以下の説明においては、塗布処理部１２１の＋Ｙ方向側の面を塗布処理部１２１の正面とする。

図８は、塗布処理部１２１に設けられるメンテナンス用扉Ｄおよびその周辺部材の構造を説明するための図である。図８においては、塗布処理部１２１を構成するフレームＦの外観斜視図が示されている。

図８に示すように、塗布処理部１２１のフレームＦは、正面側で上下方向に延びる２本の縦フレームＦａと、正面側で２本の縦フレームＦａの上端および下端をつなぐように水平方向に延びる２本の横フレームＦｂとを含む。さらに、塗布処理部１２１のフレームＦは、正面側で塗布処理室２１，２２，２３，２４を仕切るように水平方向に延びる４つの仕切りフレームＦ１〜Ｆ４を含む。

塗布処理部１２１の正面側においては、作業者が外部から塗布処理室２１，２２，２３，２４内部のメンテナンスを行うことができるように開口部２１ｚ，２２ｚ，２３ｚ，２４ｚが形成されている。

図８に示すように、塗布処理室２１の開口部２１ｚは、２本の縦フレームＦａ、上側の横フレームＦｂおよび仕切りフレームＦ１により形成される。塗布処理室２２の開口部２２ｚは、２本の縦フレームＦａおよび２本の仕切りフレームＦ１，Ｆ２により形成される。塗布処理室２３の開口部２３ｚは、２本の縦フレームＦａおよび２本の仕切りフレームＦ２，Ｆ３により形成される。塗布処理室２４の開口部２４ｚは、２本の縦フレームＦａおよび２本の仕切りフレームＦ３，Ｆ４により形成される。

上記の各フレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１〜Ｆ４は、中空構造を有する。本実施の形態において、各フレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１〜Ｆ４は、断面が矩形に形成された角パイプにより構成されている。各フレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１〜Ｆ４は、互いの内部空間が連通するように接続されている。

一方の縦フレームＦａの下部には、吸気管４０１の一端が接続されている。吸気管４０１の他端は、塗布処理部１２１の下部に設けられる吸引ユニット４０２に接続されている。

吸引ユニット４０２は、吸気管４０１を介して上記の各フレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１〜Ｆ４の内部空間の雰囲気を吸引し、流通管４０３を通して外部に排出する。これにより、フレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１〜Ｆ４の内部空間は、外部よりも陰圧となるように調整される。

図８に太い破線で示すように、フレームＦには、各開口部２１ｚ〜２４ｚを開閉可能な複数のメンテナンス用扉Ｄが取り付けられている。

図９は、図８の一部拡大正面図である。図９においては、開口部２１ｚを形成する２本の縦フレームＦａ、１本の横フレームＦｂ、仕切りフレームＦ１およびメンテナンス用扉Ｄが示されている。

図９に示すように、メンテナンス用扉Ｄは、複数の蝶番ｇｉを介して横フレームＦｂに取り付けられる。これにより、図８に太い点線の矢印で示すように、メンテナンス用扉Ｄは、横フレームＦｂを中心として回動可能に支持される。なお、メンテナンス用扉Ｄには、図示しない取っ手が設けられる。作業者は、取っ手をつかんでメンテナンス用扉Ｄを回動させることにより、開口部２１ｚを開閉することができる。

メンテナンス用扉Ｄは、開口部２１ｚよりも大きく形成されている。これにより、開口部２１ｚが閉じた状態においては、メンテナンス用扉Ｄの周縁部と各フレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１の一部領域とが重なり合う。この一部領域には、各フレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１の長手方向に沿うように複数の貫通孔ｖが所定の間隔で並ぶように形成されている。以下の説明では、互いに隣接する貫通孔ｖの間隔を孔間隔と呼ぶ。

図１０はメンテナンス用扉Ｄおよびその周辺部材の横断面形状を示す図９のＱ−Ｑ線断面図である。図１１は図９の縦フレームＦａに取り付けられる部材およびメンテナンス用扉Ｄの一部を構成する部材の組み立て図である。

図１０においては、開口部２１ｚが閉じられた状態におけるメンテナンス用扉Ｄおよび縦フレームＦａの詳細構造が示されている。

図１０および図１１（ａ）に示すように、複数の貫通孔ｖが形成された縦フレームＦａには溝付きトリム５０１が取り付けられる。溝付きトリム５０１は、略矩形の断面を有する棒状部材である。

溝付きトリム５０１においては、長手方向に沿う一つの側面５０１ｂが縦フレームＦａへの取り付け面となる。側面５０１ｂと反対側の側面５０１ｆには、長手方向に延びる溝５０１ｇが形成されている。溝５０１ｇの底面ｇｂには、複数の貫通孔５０１ｈが上記の孔間隔と同じ間隔で並ぶように形成されている。

図１１（ａ）に矢印で示すように、溝付きトリム５０１が縦フレームＦａに取り付けられる際には、溝付きトリム５０１は、各貫通孔５０１ｈの中心と縦フレームＦａの各貫通孔ｖの中心とが一致するように位置決めされる。

これにより、図１０に示すように、溝付きトリム５０１が縦フレームＦａに取り付けられた状態では、縦フレームＦａの内部空間と溝付きトリム５０１の溝５０１ｇの内側の空間とが貫通孔ｖおよび貫通孔５０１ｈを通して連通する。

図１０に示すように、メンテナンス用扉Ｄは内板Ｄ１、外板Ｄ２、磁石ケース６０１、磁石６０２およびパッキンシート６０３を備える。メンテナンス用扉Ｄにおいては、内板Ｄ１の外縁と外板Ｄ２の外縁とが接合されている。

開口部２１ｚが閉じられた状態で縦フレームＦａに対向する内板Ｄ１の部分には、凹状部６００が形成されている。

図１０および図１１（ｂ）に示すように、内板Ｄ１の凹状部６００の底面６００ｂに磁石ケース６０１が取り付けられる。磁石ケース６０１の内部には、複数の磁石６０２が取り付けられる。また、磁石ケース６０１の外側には、磁石ケース６０１を挟んで複数の磁石６０２と対向するように帯状のパッキンシート６０３が接着される。

図１０に示すように、開口部２１ｚが閉じられた状態においては、内板Ｄ１に磁石ケース６０１を介して取り付けられたパッキンシート６０３が、溝付きトリム５０１の側面５０１ｆに当接する。

ここで、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、上述のように、フレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１〜Ｆ４の内部雰囲気が図８の吸引ユニット４０２により吸引される。

この場合、フレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１〜Ｆ４の内部空間が外部に対して陰圧となる。これにより、開口部２１ｚが閉じられた状態においては、図１０の太線の矢印で示すように、溝付きトリム５０１の溝５０１ｇの内側の空間の雰囲気が複数の貫通孔５０１ｈおよび複数の貫通孔ｖを通してフレームＦａ，Ｆｂ，Ｆ１〜Ｆ４の内部空間に吸引される。

そのため、パッキンシート６０３により覆われる溝付きトリム５０１の溝５０１ｇの内側の空間が外部に対して陰圧となり、溝付きトリム５０１とパッキンシート６０３との間に強い吸引力が働く。

上述のように、塗布処理室２１の内部空間は、外部から塵埃等が進入することを防止するために、陽圧調整ユニット４１（図２）により外部に対して陽圧となるように調整される。そのため、塗布処理室２１内の薬液成分を含む雰囲気が外部に漏洩することを確実に防止することが好ましい。

そこで、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、上述のように、溝付きトリム５０１が磁性材料により形成されている。これにより、開口部２１ｚが閉じられた状態においては、溝付きトリム５０１と磁石６０２との間に磁気的な吸引力が働く。それにより、開口部２１ｚの閉塞状態が、溝付きトリム５０１と磁石６０２との間に働く磁気的な吸引力により保持される。

これらより、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、開口部２１ｚが閉じられた状態で、フレームＦ側の溝付きトリム５０１とメンテナンス用扉Ｄの一部を構成するパッキンシート６０３との接触部に、溝付きトリム５０１の内側の雰囲気を吸引することによる吸引力および磁石６０２による磁力的な吸引力が作用する。

それにより、フレームＦ側の溝付きトリム５０１とメンテナンス用扉Ｄのパッキンシート６０３とが気密に接触する。すなわち、フレームＦ側の溝付きトリム５０１とメンテナンス用扉Ｄのパッキンシート６０３との接触部に間隙が発生することが防止される。その結果、塗布処理室２１内の薬液成分を含む雰囲気が、フレームＦとメンテナンス用扉Ｄとの間から外部に漏れ出ることが確実に防止される。

上記では、塗布処理室２１の開口部２１ｚを開閉するメンテナンス用扉Ｄおよびその周辺部材の構成について説明したが、塗布処理室２２〜２４の開口部２２ｚ〜２４ｚを開閉するメンテナンス用扉Ｄおよびその周辺部材の構成も上記と同様である。

したがって、塗布処理室２２〜２４の内部空間の薬液および雰囲気についても、上記と同様に、フレームＦとメンテナンス用扉Ｄとの間から外部に漏れ出ることが確実に防止される。その結果、基板処理装置１００の周辺雰囲気の汚染および他の装置における基板Ｗの処理不良の発生が十分かつ確実に防止される。

さらに、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、現像処理部１３１にも上記と同様の構成が設けられている。これにより、現像処理部１３１から薬液成分を含む雰囲気が漏洩することが確実に防止される。その結果、基板処理装置１００の周辺雰囲気の汚染および他の装置における基板Ｗの処理不良の発生が十分かつ確実に防止される。

（８）効果
この基板処理装置１００においては、塗布処理室２１〜２４および現像処理室３１〜３４により基板Ｗに所定の処理が行われる。これらの処理室２１〜２４，３１〜３４は、フレームＦにより形成された開口部２１ｚ〜２４ｚを有する。フレームＦには開口部２１ｚ〜２４ｚを開閉可能なメンテナンス用扉Ｄが設けられる。これにより、作業者は、メンテナンス用扉Ｄを開くことにより処理室２１〜２４，３１〜３４内部のメンテナンスを容易に行うことができる。

フレームＦには、開口部２１ｚ〜２４ｚを取り囲むように溝付きトリム５０１が設けられる。処理室２１〜２４，３１〜３４の開口部２１ｚ〜２４ｚがメンテナンス用扉Ｄにより閉塞されることにより、溝付きトリム５０１とメンテナンス用扉Ｄとが接触する。これにより、処理室２１〜２４，３１〜３４の内部と外部との雰囲気が遮断される。

ここで、溝付きトリム５０１の少なくとも一部には、処理室２１〜２４，３１〜３４の開口部２１ｚ〜２４ｚがメンテナンス用扉Ｄにより閉塞された状態でメンテナンス用扉Ｄに対向する溝５０１ｇが形成されている。

処理室２１〜２４，３１〜３４の開口部２１ｚ〜２４ｚがメンテナンス用扉Ｄにより閉塞された状態においては、溝付きトリム５０１の溝５０１ｇとメンテナンス用扉Ｄとにより空間が形成される。溝付きトリム５０１の溝５０１ｇとメンテナンス用扉Ｄとにより形成された空間の雰囲気が、吸気管４０１、吸引ユニット４０２、流通管４０３およびフレームＦにより外部に対して陰圧に保たれる。

この場合、溝付きトリム５０１とメンテナンス用扉Ｄとの間に強い吸引力が作用する。これにより、フレームＦ側の溝付きトリム５０１とメンテナンス用扉Ｄとが気密に接触する。すなわち、フレームＦ側の溝付きトリム５０１とメンテナンス用扉Ｄとの接触部に間隙が発生することが確実に防止される。

それにより、処理室２１〜２４，３１〜３４内部の雰囲気が、フレームＦとメンテナンス用扉Ｄとの間から外部に漏洩することが確実に防止される。その結果、基板処理装置１００の周辺雰囲気の汚染および他の装置における基板Ｗの処理不良の発生が十分かつ確実に防止される。

（９）変形例
上記の実施の形態では、流体ボックス部５０，６０内に設けられた吸引ユニット４０２がフレームＦ内の雰囲気を吸引するが、吸引ユニット４０２を設ける代わりに、図８の吸気管４０１を工場の排気用力設備に接続してもよい。この場合、フレームＦ内の雰囲気が工場の排気用力設備により吸引される。

薬液処理部１２１，１３１の各処理室２１〜２４，３１〜３４の開口部を形成するフレームＦは、中空構造を有するものであればよく、断面が矩形状の角パイプに限られない。例えば、円形状、楕円形状、三角形状、八角形状等の他の断面形状を有する中空のパイプをフレームＦとして用いてもよい。

上述のように、メンテナンス用扉Ｄは、作業者が外部から薬液処理部１２１，１３１の各処理室２１〜２４，３１〜３４内部のメンテナンスを行うために設けられている。

そこで、作業者による薬液処理部１２１，１３１のメンテナンスをさらに容易にするために、薬液処理部１２１，１３１は以下の構成を有してもよい。以下では、塗布処理部１２１の構成について説明する。

図１２は、図１の塗布処理部１２１の他の構成例を示す模式図である。図１２においては、図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図が示されている。

図１２に示すように、本例の塗布処理部１２１においては、各塗布処理室２１〜２４内で塗布処理ユニット１２９がユニット移動機構ＵＭにより支持される。

ここで、ユニット移動機構ＵＭは、Ｙ方向に移動可能に塗布処理室２１内に設けられる。これにより、作業者は、塗布処理室２１内の塗布処理ユニット１２９のメンテナンスを行う際に、矢印Ｊ１で示すようにメンテナンス用扉Ｄを開き、矢印Ｊ２で示すようにユニット移動機構ＵＭを開口部２１ｚから引き出すことができる。

それにより、作業者は、塗布処理ユニット１２９を容易に外部に引き出すことができるので、塗布処理ユニット１２９を構成するスピンチャック２５（図１）、カップ２７（図２）および駆動装置（図示せず）のメンテナンスが容易となる。

上記構成を現像処理部１３１にも適用することにより、現像処理ユニット１３９のメンテナンスも容易となる。

（１０）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、塗布処理室２１〜２４および現像処理室３１〜３４が処理室の例であり、メンテナンス用扉Ｄが扉の例であり、溝５０１ｇが凹部の例であり、溝付きトリム５０１が封止部材の例である。

また、吸気管４０１、吸引ユニット４０２、流通管４０３、フレームＦ，縦フレームＦａ，横フレームＦｂ、仕切りフレームＦ１〜Ｆ４が第１の圧力調整部の例であり、陽圧調整ユニット４１が第２の圧力調整部の例であり、側面５０１ｂが第１の面の例であり、側面５０１ｆが第２の面の例である。

さらに、溝５０１ｇが溝の例であり、貫通孔ｖ，５０１ｈが連通路の例であり、吸気管４０１および吸引ユニット４０２が吸引装置の例であり、吸気管４０１が管路の例であり、磁石６０２が磁力発生部材の例である。

また、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９が薬液処理ユニットの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板処理システムに利用することができる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の塗布処理部および現像処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。 図１の熱処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 図１の搬送部の構成を説明するための図である。 搬送機構を示す斜視図である。 インターフェイスブロックの内部構成を示す図である。 塗布処理部に設けられるメンテナンス用扉およびその周辺部材の構造を説明するための図である。 図８の一部拡大正面図である。 メンテナンス用扉およびその周辺部材の横断面形状を示す図９のＱ−Ｑ線断面図である。 図９の縦フレームに取り付けられる部材およびメンテナンス用扉の一部を構成する部材の組み立て図である。 図１の塗布処理部の他の構成例を示す模式図である。

符号の説明

１２ 塗布ブロック
１３ 現像ブロック
２１〜２４ 塗布処理室
２１ｚ〜２４ｚ 開口部
３１〜３４ 現像処理室
４１ 陽圧調整ユニット
１００ 基板処理装置
１２１ 塗布処理部
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
４０１ 吸気管
４０２ 吸引ユニット
４０３ 流通管
５０１ 溝付きトリム
５０１ｂ，５０１ｆ 側面
５０１ｇ 溝
６０２ 磁石
Ｄ メンテナンス用扉
Ｆ フレーム
Ｆ１〜Ｆ４ 仕切りフレーム
Ｆａ 縦フレーム
Ｆｂ 横フレーム
ｖ，５０１ｈ 貫通孔
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
   フレームにより形成された開口部を有し、基板に所定の処理を行う処理室と、
   前記開口部を開閉可能に前記フレームに設けられる扉と、
   前記開口部を取り囲むように前記フレームに設けられ、前記開口部が前記扉により閉塞された状態で前記扉に接触することにより前記処理室の内部と外部との雰囲気を遮断するとともに少なくとも一部に前記扉に対向する凹部を有する封止部材と、
   前記開口部が前記扉により閉塞された状態で前記封止部材の凹部と前記扉とにより形成された空間を外部に対して陰圧に保つための第１の圧力調整部とを備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理室の内部が外部に対して陽圧となるように、前記処理室内の圧力状態を調整する第２の圧力調整部をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記封止部材は、
   前記フレームに接合される第１の面と、
   前記開口部が前記扉により閉塞された状態で前記扉に接触する第２の面とを有し、
   前記凹部は、前記封止部材の前記第２の面に形成された溝であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
4. 前記フレームは中空構造による内部空間を有し、
   前記フレームおよび前記封止部材には、前記封止部材の前記凹部の内側の空間が前記フレームの内部空間と連通するように連通路が設けられ、
   前記第１の圧力調整部は、前記開口部が前記扉により閉塞された状態で前記フレームの内部空間の雰囲気を吸引するための吸引装置を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記フレームは中空構造による内部空間を有し、
   前記フレームおよび前記封止部材には、前記封止部材の前記凹部の内側の空間が前記フレームの内部空間と連通するように連通路が設けられ、
   前記第１の圧力調整部は、前記開口部が前記扉により閉塞された状態で前記フレームの内部空間の雰囲気を吸引するために用いられる管路を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記扉を前記封止部材に磁力により吸引する磁力発生部材をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記処理室は、基板に薬液処理を行う薬液処理ユニットを備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記薬液処理ユニットは、基板にレジスト膜用の処理液または反射防止膜用の処理液を塗布する塗布処理ユニット、または基板に現像液を供給する現像処理ユニットであることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。

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