JP7431310B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置に関する。
半導体製造工程のうち、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏ－ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程は、ウェーハのような基板上に所望のパターンを形成させる工程である。フォトリソグラフィ工程を遂行する設備は、塗布工程（ｃｏａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、ベーク工程（ｂａｋｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、現像工程（ｄｅｖｅｌｏｐ ｐｒｏｃｅｓｓ）を順次または選択的に遂行する。ここで、ベーク工程に用いられるベークチャンバ内では、基板を冷却または、加熱処理する。ベークチャンバ内には、多数の処理空間が提供されるが、ベークチャンバ内の工程進行状況によってベークチャンバ内の気流が変わり、ベークチャンバ内の気流によって多数の処理空間の工程雰囲気（例えば、温度、圧力、湿度など）が不均一になり、基板処理の信頼性が低下する問題がある。
本発明の技術的思想が解決しようとする課題は、基板処理の信頼性が向上した基板処理装置を提供することである。
上述した課題を解決するために本発明の技術的思想は、ベークチャンバ；前記ベークチャンバの開口を開閉するチャンバドア；前記ベークチャンバ内に提供された第１支持プレート；前記第１支持プレート上に提供された空間を第１水平方向に互いに離隔された第１熱処理空間に分離し、前記第１支持プレート上で第２水平方向及び垂直方向に延び、前記第２水平方向は、前記第１水平方向に垂直であり、前記垂直方向は、前記第１水平方向及び第２水平方向に垂直である、第１分離壁；前記第１熱処理空間に配置され、それぞれ基板が搭載される第１加熱ステージを含む第１熱処理モジュール；前記第１熱処理空間を横切って前記第１水平方向に延び、前記第１熱処理モジュールから排気されたガスが導入される第１排気ダクト；前記第１排気ダクトに結合され、前記第１排気ダクトに沿って前記第１水平方向に延びた第１密閉ブラケット；前記第１密閉ブラケットに沿って前記第１水平方向に延び、前記第１密閉ブラケットと前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第１水平パッキング；及び前記チャンバドアに対向する前記第１分離壁のエッジに沿って前記垂直方向に延び、前記第１分離壁と前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第１垂直パッキング；を含む基板処理装置を提供する。
上述した課題を解決するために本発明の技術的思想は、ベークチャンバ；前記ベークチャンバの開口を開閉するチャンバドア；前記ベークチャンバ内に提供された第１支持プレート；前記第１支持プレート上に提供された第１熱処理空間内に配置され、基板を加熱させるように構成された第１加熱ステージ及び前記第１加熱ステージが収容された第１加熱チャンバを含む加熱ユニット；前記第１加熱チャンバの上側に連結された第１排気管に連結され、前記第１排気管を介して導入したガスを外部に放出する第１排気ダクト；前記第１排気ダクトの一側に提供され、前記第１熱処理空間と内部流路を連通させる複数の連通ホールを含む第２排気ダクト；前記第２排気ダクトと前記第１加熱チャンバとの間から延び、前記第２排気ダクトの前記内部流路と前記第１加熱チャンバの内部空間とを連通させる連結管；前記チャンバドアに対向する前記第１排気ダクトの一側面に結合され、前記第１排気ダクトの延長方向に沿って延びた密閉ブラケット；及び前記密閉ブラケットに沿って延び、前記密閉ブラケットと前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された水平パッキング；を含む基板処理装置を提供する。
上述した課題を解決するために本発明の技術的思想は、ベークチャンバ；前記ベークチャンバの開口を開閉するチャンバドア；前記ベークチャンバ内に提供された第１支持プレート；前記第１支持プレート上に提供された空間を第１水平方向に互いに離隔された第１熱処理空間に分離し、前記第１支持プレート上で第２水平方向及び垂直方向に延び、前記第２水平方向は、前記第１水平方向に垂直であり、前記垂直方向は、前記第１水平方向及び第２水平方向に垂直である、第１分離壁；前記第１熱処理空間に配置され、それぞれ基板を冷却させるように構成された第１冷却ステージ及び基板を加熱させるように構成された第１加熱ステージを含む第１熱処理モジュール；前記第１熱処理空間を横切って前記第１水平方向に延び、前記第１熱処理モジュールから排気されたガスが導入される第１排気ダクト；前記第１熱処理空間を横切って前記第１水平方向に延び、内部に提供された流路と第１熱処理空間とを連通させる複数の連通ホールを含む第２排気ダクト；前記第１排気ダクトに結合され、前記第１排気ダクトに沿って前記第１水平方向に延びた第１密閉ブラケット；前記第１密閉ブラケットに沿って前記第１水平方向に延び、前記第１密閉ブラケットと前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第１水平パッキング；前記チャンバドアに対向する前記第１分離壁のエッジに沿って前記垂直方向に延び、前記第１分離壁と前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第１垂直パッキング；前記第１支持プレートの下側に提供された第２支持プレート；前記第１支持プレートと前記第２支持プレートとの間に提供された空間を第１水平方向に互いに離隔された第２熱処理空間に分離し、前記第２支持プレート上で前記第２水平方向及び前記垂直方向に延びた第２分離壁；前記第２熱処理空間に配置され、それぞれ基板を冷却させるように構成された第２冷却ステージ及び基板を加熱させるように構成された第２加熱ステージを含む第２熱処理モジュール；及び前記チャンバドアに対向する前記第２分離壁のエッジに沿って前記垂直方向に延び、前記第２分離壁と前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第２垂直パッキング；を含む基板処理装置を提供する。
本発明の例示的な実施形態によれば、横方向に隣接した熱処理空間の間で横方向への気流は、分離壁及び垂直パッキングによって遮蔽されるので、横方向に隣接した熱処理空間の雰囲気を均一に制御することができる。
また、本発明の例示的な実施形態によれば、ベークチャンバ内に提供された各熱処理空間は、排気ダクトの連通ホールを通じて排気ダクトの内部流路と連通し、各熱処理空間には、減圧された排気ダクトの連通ホールに向かう気流が提供されうる。これにより、各熱処理空間の気流停滞現象が除去されるので、各熱処理空間の雰囲気が均一に制御されうる。また、減圧された排気ダクトの連通ホールに向かう気流は、比較的大きい流速を有するので、気流の不均一性をもたらす乱流発生が抑制されうる。
また、本発明の例示的な実施形態によれば、ベークチャンバ内で垂直方向への気流（例えば、熱による上昇気流）は、密閉プレート、水平パッキング、分離プレート、及び／または、密閉ブロックによって遮断または抑制されるので、各熱処理空間の雰囲気を均一に制御することができる。
究極的に、本発明の例示的な実施形態によれば、ベークチャンバ内の気流を制御して各熱処理空間の雰囲気を均一に制御することで、基板処理の信頼性を向上させうる。
本発明の例示的な実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。 図１の基板処理装置をＡ－Ａ方向から見た図面である。 図１の基板処理装置をＢ－Ｂ方向から見た図面である。 図１の基板処理装置をＣ－Ｃ方向から見た図面である。 本発明の例示的な実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。 図５の基板処理装置をＶＩ－ＶＩ’線に沿って見た断面図である。 図５の基板処理装置をＶＩＩ－ＶＩＩ’線に沿って見た断面図である。 図５の基板処理装置の一部構成を示す分離斜視図である。 基板処理装置の第２排気ダクト及びホール開閉ブロックを示す平面図である。
以下、添付した図面を参照して本発明の技術的思想の実施形態について詳細に説明する。図面において同じ構成要素には、同じ参照符号を付し、これらについての重複説明は省略する。
図１は、本発明の例示的な実施形態による基板処理設備１を概略的に示す平面図である。図２は、図１の基板処理設備１をＡ－Ａ方向から見た図面であり、図３は、図１の基板処理設備１をＢ－Ｂ方向から見た図面であり、図４は、図１の基板処理設備１をＣ－Ｃ方向から見た図面である。
図１ないし図４を参照すれば、基板処理設備１は、ロードポート１００、インデックスモジュール２００、第１バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、第２バッファモジュール５００、露光前後処理モジュール６００、及びインターフェースモジュール７００を含む。ロードポート１００、インデックスモジュール２００、第１バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、第２バッファモジュール５００、露光前後処理モジュール６００、及びインターフェースモジュール７００は、順次に一方向に一列に配置される。
以下、ロードポート１００、インデックスモジュール２００、第１バッファモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、第２バッファモジュール５００、露光前後処理モジュール６００、及びインターフェースモジュール７００が配置された方向を第１水平方向Ｘと指称し、上部から見たとき、第１水平方向Ｘと垂直方向を第２水平方向Ｙと指称し、第１水平方向Ｘ及び第２水平方向Ｙとそれぞれ垂直方向を垂直方向Ｚと指称する。
基板Ｗは、カセット２０内に収納された状態に移動する。この際、カセット２０は、外部から密閉されることができる構造を有する。例えば、カセット２０としては、前方にドアを有する前面開放一体式ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ； ＦＯＵＰ）が使用される。
ロードポート１００は、基板Ｗが収納されたカセット２０が置かれる載置台１２０を有する。載置台１２０は、複数個が提供され、載置台１２０は、第２水平方向Ｙに沿って一列に配置される。図１では、４個の載置台１２０が提供されていると例示された。
インデックスモジュール２００は、ロードポート１００の載置台１２０に置かれたカセット２０と第１バッファモジュール３００との間に基板Ｗを移送する。インデックスモジュール２００は、フレーム２１０、インデックスロボット２２０、及びガイドレール２３０を有する。フレーム２１０は、大方のところ、内部が空いている直方体状に提供され、ロードポート１００と第１バッファモジュール３００との間に配置される。インデックスモジュール２００のフレーム２１０は、後述する第１バッファモジュール３００のフレーム３１０よりも低い高さに提供されうる。インデックスロボット２２０とガイドレール２３０は、フレーム２１０内に配置される。インデックスロボット２２０は、基板Ｗを直接ハンドリングするハンド２２１が第１水平方向Ｘ、第２水平方向Ｙ、垂直方向Ｚに移動可能であり、回転されるように４軸駆動が可能な構造を有する。インデックスロボット２２０は、ハンド２２１、アーム２２２、支持台２２３、及びホルダ２２４を有する。ハンド２２１は、アーム２２２に固設される。アーム２２２は、伸縮可能な構造及び回転可能な構造で提供される。支持台２２３は、その長手方向が垂直方向Ｚに沿って配置される。アーム２２２は、支持台２２３に沿って移動可能に支持台２２３に結合される。支持台２２３は、ホルダ２２４に固定結合される。ガイドレール２３０は、その長手方向が第２水平方向Ｙに沿って配置されるように提供される。ホルダ２２４は、ガイドレール２３０に沿って直線移動可能にガイドレール２３０に結合される。また、図示されていないが、フレーム２１０には、カセット２０のドアを開閉するドアオープナーがさらに提供される。
第１バッファモジュール３００は、フレーム３１０、第１バッファ３２０、第２バッファ３３０、冷却チャンバ３５０、及び第１バッファロボット３６０を有する。フレーム３１０は、内部が空いている直方体状に提供され、インデックスモジュール２００と塗布及び現像モジュール４００の間に配置される。第１バッファ３２０、第２バッファ３３０、冷却チャンバ３５０、及び第１バッファロボット３６０は、フレーム３１０内に位置される。冷却チャンバ３５０、第２バッファ３３０、及び第１バッファ３２０は、順次に下から垂直方向Ｚに沿って配置される。第１バッファ３２０は、後述する塗布及び現像モジュール４００の塗布モジュール４０１と対応する高さに位置され、第２バッファ３３０と冷却チャンバ３５０は、後述する塗布及び現像モジュール４００の現像モジュール４０２と対応する高さに位置される。第１バッファロボット３６０は、第２バッファ３３０、冷却チャンバ３５０、及び第１バッファ３２０と、第２水平方向Ｙに一定距離離隔されて位置される。
第１バッファ３２０と第２バッファ３３０は、それぞれ複数の基板Ｗを一時的に保管する。第２バッファ３３０は、ハウジング３３１と複数の支持台３３２を有する。支持台３３２は、ハウジング３３１内に配置され、互いに垂直方向Ｚに沿って離隔されて提供される。それぞれの支持台３３２には、１つの基板Ｗが置かれる。ハウジング３３１は、インデックスロボット２２０、第１バッファロボット３６０、及び後述する現像モジュール４０２の現像部ロボット４８２がハウジング３３１内の支持台３３２に基板Ｗを搬入または搬出するように、インデックスロボット２２０が提供された方向、第１バッファロボット３６０が提供された方向、及び現像部ロボット４８２が提供された方向に開口（図示せず）を有する。第１バッファ３２０は、第２バッファ３３０と概して類似した構造を有する。但し、第１バッファ３２０のハウジング３２１には、第１バッファロボット３６０が提供された方向及び後述する塗布モジュール４０１に位置された塗布部ロボット４３２が提供された方向に開口を有する。第１バッファ３２０に提供された支持台３２２の個数と第２バッファ３３０に提供された支持台３３２の個数は、同一であるか、互いに異なってもいる。一例によれば、第２バッファ３３０に提供された支持台３３２の個数は、第１バッファ３２０に提供された支持台３２２の個数よりも多い。
第１バッファロボット３６０は、第１バッファ３２０と第２バッファ３３０との間に基板Ｗを移送させる。第１バッファロボット３６０は、ハンド３６１、アーム３６２、及び支持台３６３を有する。ハンド３６１は、アーム３６２に固設される。アーム３６２は、伸縮可能な構造で提供され、ハンド３６１が第２水平方向Ｙに沿って移動可能にする。アーム３６２は、支持台３６３に沿って垂直方向Ｚに直線移動可能に支持台３６３に結合される。支持台３６３は、第２バッファ３３０に対応する位置から第１バッファ３２０に対応する位置まで延びた長さを有する。支持台３６３は、それより上または下方向にさらに長く提供されうる。第１バッファロボット３６０は、単にハンド３６１が第２水平方向Ｙ及び垂直方向Ｚに沿う２軸駆動のみ可能なように提供されうる。
冷却チャンバ３５０は、それぞれ基板Ｗを冷却する。冷却チャンバ３５０は、ハウジング３５１と冷却プレート３５２を有する。冷却プレート３５２は、基板Ｗが置かれる上面及び基板Ｗを冷却する冷却手段３５３を有する。冷却手段３５３では、冷却水による冷却や熱電素子を用いた冷却など多様な方式が使用されうる。また、冷却チャンバ３５０には、基板Ｗを冷却プレート３５２上に位置させるリフトピンアセンブリー（図示せず）が提供されうる。ハウジング３５１は、インデックスロボット２２０及び後述する現像モジュール４０２に提供された現像部ロボット４８２が冷却プレート３５２に基板Ｗを搬入または搬出することができるようにインデックスロボット２２０が提供された方向及び現像部ロボット４８２が提供された方向に開口（図示せず）を有する。また、冷却チャンバ３５０には、上述した開口を開閉するドア（図示せず）が提供されうる。
塗布及び現像モジュール４００は、露光工程前に基板Ｗ上にフォトレジストを塗布する工程及び露光工程後に基板Ｗを現像する工程を遂行する。塗布及び現像モジュール４００は、大方のところ直方体状を有する。塗布及び現像モジュール４００は、塗布モジュール４０１と現像モジュール４０２を有する。塗布モジュール４０１と現像モジュール４０２は、互いに層によって区画されるように配置される。一例によれば、塗布モジュール４０１は、現像モジュール４０２の上部に位置される。
塗布モジュール４０１は、基板Ｗに対してフォトレジストのような感光液を塗布する工程及びレジスト塗布工程前後に、基板Ｗに対して加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。塗布モジュール４０１は、レジスト塗布ユニット４１０、ベークユニット４２０、及び搬送チャンバ４３０を含む。レジスト塗布ユニット４１０、搬送チャンバ４３０、及びベークユニット４２０は、第２水平方向Ｙに沿って順次に配置される。したがって、レジスト塗布ユニット４１０とベークユニット４２０は、搬送チャンバ４３０を挟んで第２水平方向Ｙに互いに離隔されて位置される。レジスト塗布ユニット４１０は、複数個が提供され、第１水平方向Ｘ及び垂直方向Ｚにそれぞれ複数個ずつ提供される。ベークユニット４２０は、第１水平方向Ｘ及び垂直方向Ｚにそれぞれ複数個ずつ提供される。
搬送チャンバ４３０は、第１バッファモジュール３００の第１バッファ３２０と第１水平方向Ｘに並んで位置される。搬送チャンバ４３０内には、塗布部ロボット４３２とガイドレール４３３が位置される。搬送チャンバ４３０は、大方のところ長方形を有する。塗布部ロボット４３２は、ベークユニット４２０、レジスト塗布ユニット４００、第１バッファモジュール３００の第１バッファ３２０、及び後述する第２バッファモジュール５００の第１冷却チャンバ５２０の間に基板Ｗを移送する。ガイドレール４３３は、その長手方向が第１水平方向Ｘと並んで配置される。ガイドレール４３３は、塗布部ロボット４３２が第１水平方向Ｘに直線移動するように案内する。塗布部ロボット４３２は、ハンド４３４、アーム４３５、支持台４３６、及びホルダ４３７を有する。ハンド４３４は、アーム４３５に固設される。アーム４３５は、伸縮可能な構造で提供されてハンド４３４が水平方向に移動可能にする。支持台４３６は、その長手方向が垂直方向Ｚに沿って配置されるように提供される。アーム４３５は、支持台４３６に沿って垂直方向Ｚに直線移動可能に支持台４３６に結合される。支持台４３６は、ホルダ４３７に固定結合され、ホルダ４３７は、ガイドレール４３３に沿って移動可能にガイドレール４３３に結合される。
レジスト塗布ユニット４１０は、いずれも同一構造を有する。但し、それぞれのレジスト塗布ユニット４１０で使用される感光液の種類は、互いに異なってもいる。一例として感光液としては、化学増幅型レジスト（ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔ）が使用されうる。レジスト塗布ユニット４１０は、基板Ｗ上に感光液を塗布する。レジスト塗布ユニット４１０は、ハウジング４１１、支持プレート４１２、及びノズル４１３を有する。ハウジング４１１は、上部が開放されたカップ状を有する。支持プレート４１２は、ハウジング４１１内に位置され、基板Ｗを支持する。支持プレート４１２は、回転可能に提供される。ノズル４１３は、支持プレート４１２に置かれた基板Ｗ上に感光液を供給する。ノズル４１３は、円形管状を有し、基板Ｗの中心に感光液を供給する。選択的に、ノズル４１３は、基板Ｗの直径に適した長さを有し、ノズル４１３の吐出口は、スリットとして提供されうる。また、追加的にレジスト塗布ユニット４１０には、感光液が塗布された基板Ｗ表面を洗浄するために、脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル４１４がさらに提供されうる。
ベークユニット４２０は、基板Ｗを熱処理する。ベークユニット４２０は、感光液塗布前後のそれぞれにおいて基板Ｗを熱処理する。ベークユニット４２０は、感光液塗布前の基板Ｗの表面性質を変化させるために、基板Ｗを所定の温度に加熱し、その基板Ｗ上に粘着剤のような処理液膜を形成することができる。ベークユニット４２０は、感光液が塗布された基板Ｗを減圧雰囲気で熱処理し、感光液膜に含まれた揮発性物質を揮発させうる。
ベークユニット４２０は、冷却ステージ４２１及び加熱ユニット４２２を含む。冷却ステージ４２１は、加熱ユニット４２２によって加熱処理された基板Ｗを冷却処理する。冷却ステージ４２１は、円板状に提供される。冷却ステージ４２１の内部には、冷却水または熱電素子のような冷却手段が提供される。例えば、冷却ステージ４２１に置かれた基板Ｗは、常温と同一であるか、隣接した温度に冷却処理されうる。加熱ユニット４２２は、基板Ｗを加熱処理する。加熱ユニット４２２は、常圧またはそれより低い減圧雰囲気で基板Ｗを加熱処理する。
現像モジュール４０２は、基板Ｗ上にパターンを得るために現像液を供給してフォトレジストの一部を除去する現像工程、及び現像工程前後に基板Ｗに対して遂行される加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。現像モジュール４０２は、現像ユニット４６０、ベークユニット４７０、及び搬送チャンバ４８０を有する。現像ユニット４６０、搬送チャンバ４８０、及びベークユニット４７０は、第２水平方向Ｙに沿って順次に配置される。したがって、現像ユニット４６０とベークユニット４７０は、搬送チャンバ４８０を挟んで第２水平方向Ｙに互いに離隔されて位置される。現像ユニット４６０は、複数個が提供され、第１水平方向Ｘ及び垂直方向Ｚにそれぞれ複数個ずつ提供される。ベークユニット４７０は、第１水平方向Ｘ及び垂直方向Ｚにそれぞれ複数個ずつ提供される。
搬送チャンバ４８０は、第１バッファモジュール３００の第２バッファ３３０と第１水平方向Ｘに並んで位置される。搬送チャンバ４８０内には、現像部ロボット４８２とガイドレール４８３が位置される。搬送チャンバ４８０は、大方のところ長方形を有する。現像部ロボット４８２は、ベークユニット４７０、現像ユニット４６０、第１バッファモジュール３００の第２バッファ３３０と冷却チャンバ３５０、及び第２バッファモジュール５００の第２冷却チャンバ５４０の間に基板Ｗを移送する。ガイドレール４８３は、その長手方向が第１水平方向Ｘと並んで配置される。ガイドレール４８３は、現像部ロボット４８２が第１水平方向Ｘに直線移動するように案内する。現像部ロボット４８２は、ハンド４８４、アーム４８５、支持台４８６、及びホルダ４８７を有する。ハンド４８４は、アーム４８５に固設される。アーム４８５は、伸縮可能な構造によって提供されてハンド４８４が水平方向に移動可能にする。支持台４８６は、その長手方向が垂直方向Ｚに沿って配置されるように提供される。アーム４８５は、支持台４８６に沿って垂直方向Ｚに直線移動可能に支持台４８６に結合される。支持台４８６は、ホルダ４８７に固定結合される。ホルダ４８７は、ガイドレール４８３に沿って移動可能にガイドレール４８３に結合される。
現像ユニット４６０は、いずれも同一構造を有する。但し、それぞれの現像ユニット４６０で使用される現像液の種類は、互いに異なってもいる。現像ユニット４６０は、基板Ｗ上のフォトレジストのうち、光が照射された領域を除去する．この時、保護膜のうち、光が照射された領域も共に除去される。選択的に使用されるフォトレジストの種類によってフォトレジスト及び保護膜の領域のうち、光が照射されていない領域のみ除去されうる。
現像ユニット４６０は、ハウジング４６１、支持プレート４６２、及びノズル４６３を有する。ハウジング４６１は、上部が開放されたカップ状を有する。支持プレート４６２は、ハウジング４６１内に位置され、基板Ｗを支持する。支持プレート４６２は、回転可能に提供される。ノズル４６３は、支持プレート４６２に置かれた基板Ｗ上に現像液を供給する。ノズル４６３は、円形管状を有し、基板Ｗの中心に現像液を供給する。選択的にノズル４６３は、基板Ｗの直径に適した長さを有し、ノズル４６３の吐出口は、スリットとして提供されうる。また、現像ユニット４６０には、追加的に現像液が供給された基板Ｗ表面を洗浄するために、脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル４６４がさらに提供されうる。
現像モジュール４０２のベークユニット４７０は、基板Ｗを熱処理する。例えば、ベークユニット４７０は、現像工程が遂行される前に基板Ｗを加熱するポストベーク工程及び現像工程が遂行された後に、基板Ｗを加熱するハードベーク工程及びそれぞれのベーク工程以後に加熱された基板Ｗを冷却する冷却工程などを遂行する。ベークユニット４７０は、冷却ステージ４７１または加熱ユニット４７２を有する。冷却ステージ４７１には、冷却水または熱電素子のような冷却手段４７３が提供される。または、加熱ユニット４７２には、熱線または熱電素子のような加熱手段４７４が提供される。冷却ステージ４７１と加熱ユニット４７２は、１つのベークユニット４７０内にそれぞれ提供されうる。選択的にベークユニット４７０のうち、一部は、冷却ステージ４７１のみを備え、他の一部は、加熱ユニット４７２のみを備えることができる。現像モジュール４０２のベークユニット４７０は、塗布モジュール４０１のベークユニット４２０と同じ構成を有するので、これについての詳細な説明は省略する。
第２バッファモジュール５００は、塗布及び現像モジュール４００と露光前後処理モジュール６００との間に基板Ｗが運搬される通路として提供される。また、第２バッファモジュール５００は、基板Ｗに対して冷却工程やエッジ露光工程のような所定の工程を遂行する。第２バッファモジュール５００は、フレーム５１０、バッファ５２０、第１冷却チャンバ５３０、第２冷却チャンバ５４０、エッジ露光チャンバ５５０、及び第２バッファロボット５６０を有する。フレーム５１０は、直方体状を有する。バッファ５２０、第１冷却チャンバ５３０、第２冷却チャンバ５４０、エッジ露光チャンバ５５０、及び第２バッファロボット５６０は、フレーム５１０内に位置される。バッファ５２０、第１冷却チャンバ５３０、及びエッジ露光チャンバ５５０は、塗布モジュール４０１に対応する高さに配置される。第２冷却チャンバ５４０は、現像モジュール４０２に対応する高さに配置される。バッファ５２０、第１冷却チャンバ５３０、及び第２冷却チャンバ５４０は、順次に垂直方向Ｚに沿って一列に配置される。上部から見たとき、バッファ５２０は、塗布モジュール４０１の搬送チャンバ４３０と第１水平方向Ｘに沿って配置される。エッジ露光チャンバ５５０は、バッファ５２０または第１冷却チャンバ５３０と第２水平方向Ｙに一定距離離隔されて配置される。
第２バッファロボット５６０は、バッファ５２０、第１冷却チャンバ５３０、及びエッジ露光チャンバ５５０の間に基板Ｗを運搬する。第２バッファロボット５６０は、エッジ露光チャンバ５５０とバッファ５２０との間に位置される。第２バッファロボット５６０は、第１バッファロボット３６０と類似した構造によって提供される。第１冷却チャンバ５３０とエッジ露光チャンバ５５０は、塗布モジュール４０１で工程が遂行された基板Ｗに対して後続工程を遂行する。第１冷却チャンバ５３０は、塗布モジュール４０１で工程が遂行された基板Ｗを冷却する。第１冷却チャンバ５３０は、第１バッファモジュール３００の冷却チャンバ３５０と類似した構造を有する。エッジ露光チャンバ５５０は、第１冷却チャンバ５３０で冷却工程が遂行された基板Ｗに対してその縁部を露光する。バッファ５２０は、エッジ露光チャンバ５５０で工程が遂行された基板Ｗが後述する前処理モジュール６０１に運搬される前に基板Ｗを一時的に保管する。第２冷却チャンバ５４０は、後述する後処理モジュール６０２で工程が遂行された基板Ｗが現像モジュール４０２に運搬される前に基板Ｗを冷却する。第２バッファモジュール５００は、現像モジュール４０２と対応する高さに追加されたバッファをさらに有する。その場合、後処理モジュール６０２で工程が遂行された基板Ｗは、追加されたバッファに一時的に保管された後、現像モジュール４０２に運搬されうる。
露光前後処理モジュール６００は、露光装置９００が液浸露光工程を遂行する場合、液浸露光時に基板Ｗに塗布されたフォトレジスト膜を保護する保護膜を塗布する工程を処理する。また、露光前後処理モジュール６００は、露光以後に基板Ｗを洗浄する工程を遂行する。また、化学増幅型レジストを使用して塗布工程が遂行された場合、露光前後処理モジュール６００は、露光後ベーク工程を処理することができる。
露光前後処理モジュール６００は、前処理モジュール６０１と後処理モジュール６０２を有する。前処理モジュール６０１は、露光工程遂行前に基板Ｗを処理する工程を遂行し、後処理モジュール６０２は、露光工程以後に基板Ｗを処理する工程を遂行する。前処理モジュール６０１と後処理モジュール６０２は、互いに層によって区画されるように配置される。一例によれば、前処理モジュール６０１は、後処理モジュール６０２の上部に位置される。前処理モジュール６０１は、塗布モジュール４０１と同じ高さに提供される。後処理モジュール６０２は、現像モジュール４０２と同じ高さに提供される。前処理モジュール６０１は、保護膜塗布ユニット６１０、ベークユニット６２０、及び搬送チャンバ６３０を有する。保護膜塗布ユニット６１０、搬送チャンバ６３０、及びベークユニット６２０は、第２水平方向Ｙに沿って順次に配置される。したがって、保護膜塗布ユニット６１０とベークユニット６２０は、搬送チャンバ６３０を挟んで第２水平方向Ｙに互いに離隔されて位置される。保護膜塗布ユニット６１０は、複数個が提供され、互いに層をなすように垂直方向Ｚに沿って配置される。選択的に保護膜塗布ユニット６１０は、第１水平方向Ｘ及び垂直方向Ｚにそれぞれ複数個ずつ提供されうる。ベークユニット６２０は、複数個が提供され、互いに層をなすように垂直方向Ｚに沿って配置される。選択的にベークユニット６２０は、第１水平方向Ｘ及び垂直方向Ｚにそれぞれ複数個ずつ提供されうる。
搬送チャンバ６３０は、第２バッファモジュール５００の第１冷却チャンバ５３０と第１水平方向Ｘに並んで位置される。搬送チャンバ６３０内には、前処理ロボット６３２が位置される。搬送チャンバ６３０は、大方のところ正方形または長方形を有する。前処理ロボット６３２は、保護膜塗布ユニット６１０、ベークユニット６２０、第２バッファモジュール５００のバッファ５２０、及び後述するインターフェースモジュール７００の第１バッファ７２０の間に基板Ｗを移送する。前処理ロボット６３２は、ハンド６３３、アーム６３４、及び支持台６３５を有する。ハンド６３３は、アーム６３４に固設される。アーム６３４は、伸縮可能な構造及び回転可能な構造で提供される。アーム６３４は、支持台６３５に沿って垂直方向Ｚに直線移動可能に支持台６３５に結合される。
保護膜塗布ユニット６１０は、液浸露光時にレジスト膜を保護する保護膜を基板Ｗ上に塗布する。保護膜塗布ユニット６１０は、ハウジング６１１、支持プレート６１２、及びノズル６１３を有する。ハウジング６１１は、上部が開放されたカップ状を有する。支持プレート６１２は、ハウジング６１１内に位置され、基板Ｗを支持する。支持プレート６１２は、回転可能に提供される。ノズル６１３は、支持プレート６１２に置かれた基板Ｗ上に保護膜形成のための保護液を供給する。ノズル６１３は、円形管状を有し、基板Ｗの中心に保護液を供給する。選択的にノズル６１３は、基板Ｗの直径に適した長さを有し、ノズル６１３の吐出口はスリットとして提供されうる。その場合、支持プレート６１２は、固定状態で提供されうる。保護液は、発泡性材料を含む。保護液は、フォトレジスタ及び水との親和力の低い材料が使用されうる。例えば、保護液は、フッ素系の溶剤を含むことができる。保護膜塗布ユニット６１０は、支持プレート６１２に置かれた基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの中心領域に保護液を供給する。
ベークユニット６２０は、保護膜が塗布された基板Ｗを熱処理する。ベークユニット６２０は、冷却ステージ６２１または加熱プレート６２２を有する。冷却ステージ６２１には、冷却水または熱電素子のような冷却手段６２３が提供される。または、加熱プレート６２２には、熱線または熱電素子のような加熱手段６２４が提供される。加熱プレート６２２と冷却ステージ６２１は、１つのベークユニット６２０内にそれぞれ提供されうる。選択的にベークユニット６２０の一部は、加熱プレート６２２のみを備え、他の一部は、冷却ステージ６２１のみを備えることができる。
後処理モジュール６０２は、洗浄チャンバ６６０、露光後ベークユニット６７０、及び搬送チャンバ６８０を有する。洗浄チャンバ６６０、搬送チャンバ６８０、及び露光後ベークユニット６７０は、第２水平方向Ｙに沿って順次に配置される。したがって、洗浄チャンバ６６０と露光後ベークユニット６７０は、搬送チャンバ６８０を挟んで第２水平方向Ｙに互いに離隔されて位置される。洗浄チャンバ６６０は、複数個が提供され、互いに層をなすように垂直方向Ｚに沿って配置されうる。選択的に洗浄チャンバ６６０は、第１水平方向Ｘ及び垂直方向Ｚにそれぞれ複数個ずつ提供されうる。露光後ベークユニット６７０は、複数個が提供され、互いに層をなすように垂直方向Ｚに沿って配置されうる。選択的に露光後ベークユニット６７０は、第１水平方向Ｘ及び垂直方向Ｚにそれぞれ複数個ずつ提供されうる。
搬送チャンバ６８０は、上部から見たとき、第２バッファモジュール５００の第２冷却チャンバ５４０と第１水平方向Ｘに並んで位置される。搬送チャンバ６８０は、大方のところ正方形または長方形を有する。搬送チャンバ６８０内には、後処理ロボット６８２が位置される。後処理ロボット６８２は、洗浄チャンバ６６０、露光後ベークユニット６７０、第２バッファモジュール５００の第２冷却チャンバ５４０、及び後述するインターフェースモジュール７００の第２バッファ７３０の間に基板Ｗを運搬する。後処理モジュール６０２に提供された後処理ロボット６８２は、前処理モジュール６０１に提供された前処理ロボット６３２と同じ構造によって提供されうる。
洗浄チャンバ６６０は、露光工程以後に基板Ｗを洗浄する。洗浄チャンバ６６０は、ハウジング６６１、支持プレート６６２、及びノズル６６３を有する。ハウジング６６１は、上部が開放されたカップ状を有する。支持プレート６６２は、ハウジング６６１内に位置され、基板Ｗを支持する。支持プレート６６２は、回転可能に提供される。ノズル６６３は、支持プレート６６２に置かれた基板Ｗ上に洗浄液を供給する。洗浄液としては、脱イオン水のような水が使用されうる。洗浄チャンバ６６０は、支持プレート６６２に置かれた基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの中心領域に洗浄液を供給する。選択的に基板Ｗが回転される間にノズル６６３は、基板Ｗの中心領域から端領域まで直線移動または回転移動することができる。
露光後ベークユニット６７０は、遠紫外線を用いて露光工程が遂行された基板Ｗを加熱する。露光後ベーク工程は、基板Ｗを加熱して露光によってフォトレジストに生成された酸（ａｃｉｄ）を増幅させてフォトレジストの性質変化を完成させる。露光後ベークユニット６７０は、加熱プレート６７２を有する。加熱プレート６７２には、熱線または熱電素子のような加熱手段６７４が提供される。露光後ベークユニット６７０は、その内部に冷却ステージ６７１をさらに備えることができる。冷却ステージ６７１には、冷却水または熱電素子のような冷却手段６７３が提供される。また、選択的に冷却ステージ６７１のみを有するベークユニットがさらに提供されうる。
上述したように露光前後処理モジュール６００で前処理モジュール６０１と後処理モジュール６０２は、互いに完全に分離されるように提供される。また、前処理モジュール６０１の搬送チャンバ６３０と後処理モジュール６０２の搬送チャンバ６８０は、同一サイズに提供され、上部から見たとき、互いに完全に重畳されるように提供されうる。また、保護膜塗布ユニット６１０と洗浄チャンバ６６０は、互いに同じサイズに提供されて上部から見たとき、互いに完全に重畳されるように提供されうる。また、ベークユニット６２０と露光後ベークユニット６７０は、同一サイズに提供され、上部から見たとき、互いに完全に重畳されるように提供されうる。
インターフェースモジュール７００は、露光前後処理モジュール６００、及び露光装置９００の間に基板Ｗを移送する。インターフェースモジュール７００は、フレーム７１０、第１バッファ７２０、第２バッファ７３０、及びインターフェースロボット７４０を有する。第１バッファ７２０、第２バッファ７３０、及びインターフェースロボット７４０は、フレーム７１０内に位置される。第１バッファ７２０と第２バッファ７３０は、互いに一定距離離隔され、互いに積層されるように配置される。第１バッファ７２０は、第２バッファ７３０よりも高く配置される。第１バッファ７２０は、前処理モジュール６０１と対応する高さに位置され、第２バッファ７３０は、後処理モジュール６０２に対応する高さに配置される。上部から見たとき、第１バッファ７２０は、前処理モジュール６０１の搬送チャンバ６３０と第１水平方向Ｘに沿って一列に配置され、第２バッファ７３０は、後処理モジュール６０２の搬送チャンバ６３０と第１水平方向Ｘに沿って一列に配置されるように位置される。
インターフェースロボット７４０は、第１バッファ７２０及び第２バッファ７３０と第２水平方向Ｙに離隔されて位置される。インターフェースロボット７４０は、第１バッファ７２０、第２バッファ７３０、及び露光装置９００の間に基板Ｗを運搬する。インターフェースロボット７４０は、第２バッファロボット５６０と概して類似した構造を有する。
第１バッファ７２０は、前処理モジュール６０１で工程が遂行された基板Ｗが露光装置９００に移動される前にこれらを一時的に保管する。そして、第２バッファ７３０は、露光装置９００で工程が完了した基板Ｗが後処理モジュール６０２に移動される前に、これらを一時的に保管する。第１バッファ７２０は、ハウジング７２１と複数の支持台７２２を有する。支持台７２２は、ハウジング７２１内に配置され、互いに垂直方向Ｚに沿って離隔されて提供される。それぞれの支持台７２２には、１つの基板Ｗが置かれる。ハウジング７２１は、インターフェースロボット７４０及び前処理ロボット６３２がハウジング７２１内に、支持台７２２に基板Ｗを搬入または搬出することができるようにインターフェースロボット７４０が提供された方向及び前処理ロボット６３２が提供された方向に開口（図示せず）を有する。第２バッファ７３０は、第１バッファ７２０と概して類似した構造を有する。但し、第２バッファ７３０のハウジング４３５１には、インターフェースロボット７４０が提供された方向及び後処理ロボット６８２が提供された方向に開口（図示せず）を有する。インターフェースモジュールには、基板に対して所定の工程を遂行するチャンバの提供なしに上述したようにバッファ及びロボットのみ提供されうる。
図５は、本発明の例示的な実施形態による基板処理装置１０００を概略的に示す平面図である。図６は、図５の基板処理装置１０００をＶＩ－ＶＩ’線に沿って見た断面図である。図７は、図５の基板処理装置１０００をＶＩＩ－ＶＩＩ’線に沿って見た断面図である。図８は、図５の基板処理装置１０００の一部構成を示す分離斜視図である。図９は、基板処理装置１０００の第２排気ダクト１４２０及びホール開閉ブロック１４７１を示す平面図である。
図５ないし図９を参照すれば、基板処理装置１０００は、基板に対する熱処理工程を遂行するように構成されうる。基板処理装置１０００は、図１ないし図４を参照して説明された塗布モジュール４０１のベークユニット４２０、現像モジュール４０２のベークユニット４７０、前処理モジュール６０１のベークユニット６２０、及び後処理モジュール６０２のベークユニット６７０のうち、いずれか１つに該当する。
基板処理装置１０００は、ベークチャンバ１１１０、チャンバドア１２００、第１支持プレート１１２０、第１分離壁１５１０、第１熱処理モジュールＰＵ１、第１排気ダクト１４１０、第２排気ダクト１４２０、第１密閉ブラケット１６１０、第１水平パッキング１７１０、及び第１垂直パッキング１７２０を含む。
ベークチャンバ１１１０は、基板を処理するための空間を提供する。例えば、ベークチャンバ１１１０は、ほぼ直方体状を有することができる。ベークチャンバ１１１０の一側壁には、基板が搬入または搬出されるスリット状の出入口１１１１が提供され、ベークチャンバ１１１０の他側壁には、チャンバドア１２００によって開閉される開口が形成されうる。
チャンバドア１２００は、ベークチャンバ１１１０にヒンジ結合され、ヒンジ軸を中心にベークチャンバ１１１０の開口を開放する開放位置とベークチャンバ１１１０の開口を閉鎖する閉鎖位置の間で回動する。他の例示的な実施形態において、チャンバドア１２００は、ベークチャンバ１１１０に脱着可能に装着されうる。チャンバドア１２００は、ベークチャンバ１１１０の内部に対するメンテナンスのために備えられうる。チャンバドア１２００のドアフレーム１２１０は、透明素材のウィンドウ１２２０を含む。例えば、ウィンドウ１２２０は、ガラス、アクリル樹脂のような透明プラスチックなどを含む。
第１支持プレート１１２０は、ベークチャンバ１１１０内に装着され、ベークチャンバ１１１０内の空間を上部空間と下部空間とに区画することができる。第１支持プレート１１２０は、第１熱処理モジュールＰＵ１を支持することができる。第１熱処理モジュールＰＵ１が搭載された第１支持プレート１１２０の搭載面（すなわち、上面）は、概して第１水平方向Ｘ及び第２水平方向Ｙに平行でもある。
第１分離壁１５１０は、第１支持プレート１１２０上に配置され、第１支持プレート１１２０上に提供された空間を第１水平方向Ｘに互いに離隔された第１熱処理空間ＰＳ１に分離することができる。第１熱処理空間ＰＳ１は、隣接する２個の第１分離壁１５１０間の空間と定義されるか、または第１分離壁１５１０とベークチャンバ１１１０の内側面との間の空間と定義される。第１分離壁１５１０は、第１支持プレート１１２０の搭載面に垂直方向に立設され、第１熱処理空間ＰＳ１の間で横方向への気流を遮断することができる。第１分離壁１５１０は、第１支持プレート１１２０上で第２水平方向Ｙ及び垂直方向Ｚに延びる。第１分離壁１５１０は、チャンバドア１２００に隣接配置された第１排気ダクト１４１０及び第２排気ダクト１４２０に接触され、第１分離壁１５１０と第１排気ダクト１４１０との間、及び第１分離壁１５１０と第２排気ダクト１４２０との間には、パッキング部材が提供されうる。図５では、２個の第１分離壁１５１０によって第１支持プレート１１２０上に互いに分離された３個の第１熱処理空間ＰＳ１が提供されたと例示された。しかし、これは例示的なものであり、第１支持プレート１１２０上には、２個または４個以上の互いに分離された第１熱処理空間ＰＳ１が提供されうる。
第１分離壁１５１０によって分離及び区画された第１熱処理空間ＰＳ１それぞれには、基板を熱処理するように構成された第１熱処理モジュールＰＵ１が配置されうる。第１熱処理モジュールＰＵ１は、第１支持プレート１１２０上で第２水平方向Ｙに配列された第１冷却ステージ１３１０及び第１加熱ユニット１３２０を含む。第１冷却ステージ１３１０は、冷却水または熱電素子のような冷却手段を有し、搭載面に搭載された基板を冷却処理する。例えば、第１冷却ステージ１３１０の搭載面に搭載された基板は、常温と同一であるか、隣接した温度に冷却処理されうる。第１加熱ユニット１３２０は、基板を加熱処理することができる。第１加熱ユニット１３２０は、常圧またはそれより低い減圧雰囲気で基板を加熱処理することができる。図示されていないが、第１熱処理空間ＰＳ１それぞれには、第１冷却ステージ１３１０と第１加熱ユニット１３２０との間で基板を移送するように構成された基板移送ロボットが提供されうる。
第１加熱ユニット１３２０は、第１下部ボディー及び第１上部ボディーを含む第１加熱チャンバ１３２２と、第１加熱チャンバ１３２２内に提供された第１加熱ステージ１３２３を含む。第１加熱チャンバ１３２２の第１上部ボディーは、昇降部材によって第１下部ボディーに連結された閉鎖位置と第１下部ボディーから離隔された開放位置との間で昇降可能である。第１加熱チャンバ１３２２の第１上部ボディーには、第１加熱チャンバ１３２２内のガスを排気するための第１排気管１３２４が連結されうる。第１排気管１３２４は、第１加熱チャンバ１３２２の第１上部ボディーの流出ポートから後述する第１排気ダクト１４１０の流入ポート１４１１まで延び、第１加熱チャンバ１３２２内のガスは、第１排気管１３２４及び第１排気ダクト１４１０を介して外部に排気されうる。第１加熱チャンバ１３２２の第１上部ボディーは、第１加熱チャンバ１３２２内に処理ガスを供給するための第１供給配管１８１３が連結される流入ポート１３２５を有し、ガスサプライ１８１１から提供された処理ガスは、第１供給配管１８１３を通じて第１加熱チャンバ１３２２の内部に供給されうる。第１加熱ステージ１３２３は、熱線または熱電素子のような加熱手段を有し、搭載面に搭載された基板を加熱処理することができる。
第１排気ダクト１４１０は、第１支持プレート１１２０または第１支持プレート１１２０から延びたダクトブラケット上に装着され、チャンバドア１２００に隣接するように配置されうる。第１排気ダクト１４１０は、第１熱処理空間ＰＳ１を横切って第１水平方向Ｘに延び、ベークチャンバ１１１０の外部に提供された排気ポンプ１９１１に連結されうる。排気ポンプ１９１１が第１排気ダクト１４１０内の流路を真空排気すれば、第１加熱チャンバ１３２２内のヒューム（ｈｕｍｅ）などの汚染物質を含むガスは、第１排気管１３２４及び第１排気ダクト１４１０を介して外部に放出されうる。
第２排気ダクト１４２０は、第１排気ダクト１４１０の一側に提供され、第１支持プレート１１２０または第１支持プレート１１２０から延びたダクトブラケット上に装着されうる。第２排気ダクト１４２０は、第１熱処理空間ＰＳ１を横切って第１水平方向Ｘに延び、ベークチャンバ１１１０の外部に提供された真空ポンプのような減圧部材１９１３に連結されうる。第２排気ダクト１４２０と第１加熱チャンバ１３２２の第１下部ボディーに提供された排気口の間には、第２排気ダクト１４２０内の流路と第１加熱チャンバ１３２２の内部空間を連通させるための連結管１４９０が提供されうる。減圧部材１９１３は、連結管１４９０及び第２排気ダクト１４２０を通じて第１加熱チャンバ１３２２の内部空間のガスを排気し、第１加熱チャンバ１３２２内の圧力、温度などの雰囲気を調節することができる。例えば、減圧部材１９１３は、第１加熱チャンバ１３２２内に常圧またはそれより低い減圧雰囲気を提供することができる。
第２排気ダクト１４２０は、第１熱処理空間ＰＳ１と第２排気ダクト１４２０の流路とを連通させる複数の連通ホール１４２１を含む。減圧部材１９１３が第２排気ダクト１４２０内の流路を減圧させれば、第１熱処理空間ＰＳ１には、複数の連通ホール１４２１に向かう気流が提供され、これにより、第１熱処理空間ＰＳ１内の気流停滞現象が除去されうる。
例示的な実施形態において、図９に図示されたように、第２排気ダクト１４２０上には、第２排気ダクト１４２０の複数の連通ホール１４２１を開閉するように構成されたホール開閉ブロック１４７１が提供されうる。ホール開閉ブロック１４７１は、複数の連通ホール１４２１の開閉を担当する複数のサブ開閉ブロック１４７２を含む。例えば、複数のサブ開閉ブロック１４７２によって複数の連通ホール１４２１の一部は閉鎖され、複数の連通ホール１４２１の他の一部は開放されうる。複数のサブ開閉ブロック１４７２の開閉動作は、アクチュエータによって自動制御されるか、作業者によって実現されうる。
第１密閉ブラケット１６１０は、チャンバドア１２００に対向する第１排気ダクト１４１０の一側面に結合されうる。第１密閉ブラケット１６１０は、第１熱処理空間ＰＳ１を横切って第１水平方向Ｘに延びる。第１密閉ブラケット１６１０は、第１排気ダクト１４１０に沿って第１水平方向Ｘに延び、第１排気ダクト１４１０の一端から他端まで延びる。
第１水平パッキング１７１０は、第１密閉ブラケット１６１０とチャンバドア１２００との間に提供され、第１密閉ブラケット１６１０とチャンバドア１２００との間隙を密閉するように構成されうる。第１水平パッキング１７１０は、第１密閉ブラケット１６１０の一端から他端まで第１水平方向Ｘに延びる。ドアフレーム１２１０の内側面には、第１密閉ブラケット１６１０の形態及び長さに対応する形態及び長さを有する、第１水平ブロック１２４１が提供されうる。第１水平パッキング１７１０は、その延長方向に沿って第１密閉ブラケット１６１０及び第１水平ブロック１２４１それぞれと連続して接触されうる。第１水平パッキング１７１０は、第１密閉ブラケット１６１０と第１水平ブロック１２４１との間に提供され、第１密閉ブラケット１６１０及び第１水平ブロック１２４１のうち、いずれか１つに固定結合されうる。例えば、第１水平パッキング１７１０は、第１密閉ブラケット１６１０に固定結合され、第１水平ブロック１２４１に密着されて第１密閉ブラケット１６１０と第１水平ブロック１２４１との間を密閉する。
第１垂直パッキング１７２０は、第１分離壁１５１０とチャンバドア１２００との間に提供され、第１分離壁１５１０とチャンバドア１２００との間隙を密閉するように構成されうる。第１垂直パッキング１７２０は、チャンバドア１２００に対向する第１分離壁１５１０のエッジに沿って垂直方向Ｚに延びる。第１垂直パッキング１７２０は、第１分離壁１５１０のエッジの下端から上端まで垂直方向Ｚに延びる。ドアフレーム１２１０の内側面には、第１分離壁１５１０の長さに対応する長さを有する、第１垂直ブロック１２４２が提供されうる。第１垂直パッキング１７２０は、その延長方向に沿って第１分離壁１５１０及び第１垂直ブロック１２４２それぞれと連続して接触されうる。第１垂直パッキング１７２０は、第１分離壁１５１０と第１垂直ブロック１２４２との間に提供され、第１分離壁１５１０及び第１垂直ブロック１２４２のうち、いずれか１つに固定結合されうる。例えば、第１垂直パッキング１７２０は、第１分離壁１５１０のエッジに固定結合され、第１垂直ブロック１２４２に密着されて第１分離壁１５１０と第１垂直ブロック１２４２との間を密閉する。
第１水平パッキング１７１０と第１垂直パッキング１７２０は、直接連結されうる。例示的な実施形態において、第１水平パッキング１７１０と第１垂直パッキング１７２０は、一体に形成され、互いに等しい物質で形成されうる。
第１水平ブロック１２４１と第１垂直ブロック１２４２は、直接連結されうる。例示的な実施形態において、第１水平ブロック１２４１と第１垂直ブロック１２４２は、一体に形成され、互いに等しい物質で形成されうる。
また、基板処理装置１０００は、第２支持プレート１１３０、第２分離壁１５５０、第２熱処理モジュールＰＵ２、第３排気ダクト１４３０、第４排気ダクト１４４０、第２密閉ブラケット１６５０、第２水平パッキング１７５０、及び第２垂直パッキング１７３０をさらに含む。
第２支持プレート１１３０は、ベークチャンバ１１１０内に装着され、第１支持プレート１１２０の下側に提供されうる。第２支持プレート１１３０は、第２熱処理モジュールＰＵ２を支持する。第２熱処理モジュールＰＵ２が搭載された第２支持プレート１１３０の搭載面（すなわち、上面）は、概して第１水平方向Ｘ及び第２水平方向Ｙに平行でもある。
第２分離壁１５５０は、第２支持プレート１１３０上に配置され、第２支持プレート１１３０上に提供された空間を第１水平方向Ｘに互いに離隔された第２熱処理空間ＰＳ２に分離することができる。第２熱処理空間ＰＳ２は、隣接する２個の第２分離壁１５５０間の空間と定義されるか、または第２分離壁１５５０とベークチャンバ１１１０の内側面との空間と定義されうる。第２分離壁１５５０は、第２支持プレート１１３０の搭載面に垂直方向に立設され、第２熱処理空間ＰＳ２の間で横方向への気流を遮断することができる。第２分離壁１５５０は、第２支持プレート１１３０上で第２水平方向Ｙ及び垂直方向Ｚに延び、第２分離壁１５５０の下端は、第２支持プレート１１３０に接触され、第２分離壁１５５０の上端は、第１支持プレート１１２０に接触されうる。第２分離壁１５５０は、チャンバドア１２００に隣接配置された第３排気ダクト１４３０及び第４排気ダクト１４４０に接触され、第２分離壁１５５０と第３排気ダクト１４３０との間、及び第２分離壁１５５０と第４排気ダクト１４４０との間にはパッキング部材が提供されうる。
第２分離壁１５５０によって分離及び区画された第２熱処理空間ＰＳ２それぞれには、基板を熱処理するように構成された第２熱処理モジュールＰＵ２が配置されうる。第２熱処理モジュールＰＵ２は、第２支持プレート１１３０上で第２水平方向Ｙに配列された第２冷却ステージ１３３０及び第２加熱ユニット１３４０を含む。図示されていないが、第２熱処理空間ＰＳ２それぞれには、第２冷却ステージ１３３０と第２加熱ユニット１３４０との間で基板を移送するように構成された基板移送ロボットが提供されうる。
第２加熱ユニット１３４０は、第２下部ボディー及び第２上部ボディーを含む第２加熱チャンバ１３４２と、第２加熱チャンバ１３４２内に提供された第２加熱ステージ１３４３を含む。第２加熱チャンバ１３４２の構成は、前述した第１加熱チャンバ１３２２と実質的に同一または類似しており、第２加熱ステージ１３４３は、前述した第１加熱ステージ１３２３と実質的に同一または類似しているところ、これらについての詳細な説明は、省略する。第２加熱チャンバ１３４２の第２上部ボディーには、第２加熱チャンバ１３４２内のガスを排気するための第２排気管１３４４が連結され、第２排気管１３４４は、第２加熱チャンバ１３４２の第２上部ボディーの流出ポートから後述する第３排気ダクト１４３０の流入ポートまで延びる。第２加熱チャンバ１３４２の第２上部ボディーの流入ポート１３４５には、ガスサプライ１８１１から提供された処理ガスを伝達する第２供給配管１８１５が接続されうる。
第３排気ダクト１４３０は、第２支持プレート１１３０または第２支持プレート１１３０から延びたダクトブラケット上に装着され、チャンバドア１２００に隣接して配置されうる。第３排気ダクト１４３０は、第２熱処理空間ＰＳ２を横切って第１水平方向Ｘに延び、ベークチャンバ１１１０の外部に提供された排気ポンプ１９１１に連結されうる。排気ポンプ１９１１が第２排気ダクト１４２０内の流路を真空排気すれば、第２加熱チャンバ１３４２内のヒュームなどの汚染物質を含むガスは、第２排気管１３４４及び第３排気ダクト１４３０を介して外部に放出されうる。
第４排気ダクト１４４０は、第３排気ダクト１４３０の一側に提供され、第２支持プレート１１３０または第２支持プレート１１３０から延びたダクトブラケット上に装着されうる。第４排気ダクト１４４０は、第２熱処理空間ＰＳ２を横切って第１水平方向Ｘに延び、ベークチャンバ１１１０の外部に提供された減圧部材１９１３に連結されうる。第４排気ダクト１４４０と第２加熱チャンバ１３４２の第２下部ボディーに提供された排気口との間には、第４排気ダクト１４４０内の流路と第２加熱チャンバ１３４２の内部空間を連通させるための連結管が提供されうる。減圧部材１９１３は、第４排気ダクト１４４０及び第４排気ダクト１４４０と第２加熱チャンバ１３４２との間で延びた連結管を通じて第２加熱チャンバ１３４２の内部空間のガスを排気し、第２加熱チャンバ１３４２内の圧力、温度などの雰囲気を調節することができる。
第４排気ダクト１４４０は、第２熱処理空間ＰＳ２と第４排気ダクト１４４０の流路とを連通させる複数の連通ホールを含む。減圧部材１９１３が第４排気ダクト１４４０内の流路を減圧させれば、第２熱処理空間ＰＳ２には、複数の連通ホールに向かう気流が提供され、これにより、第２熱処理空間ＰＳ２内の気流停滞現象が除去されうる。また、第４排気ダクト１４４０上には、図９を参照して説明されたホール開閉ブロック１４７１と同様に、第４排気ダクト１４４０の複数の連通ホールを開閉するように構成されたホール開閉ブロックがさらに提供されうる。
第２密閉ブラケット１６５０は、チャンバドア１２００に対向する第３排気ダクト１４３０の一側面に結合されうる。第２密閉ブラケット１６５０は、第２熱処理空間ＰＳ２を横切って第１水平方向Ｘに延びる。第２密閉ブラケット１６５０は、第２排気ダクト１４２０に沿って第１水平方向Ｘに延び、第２排気ダクト１４２０の一端から他端まで延びる。
第２水平パッキング１７５０は、第２密閉ブラケット１６５０とチャンバドア１２００との間に提供され、第２密閉ブラケット１６５０とチャンバドア１２００との間隙を密閉するように構成されうる。第２水平パッキング１７５０は、第２密閉ブラケット１６５０の一端から他端まで第１水平方向Ｘに延びる。ドアフレーム１２１０の内側面には、第２密閉ブラケット１６５０の形態及び長さに対応する形態及び長さを有する、第２水平ブロック１２４５が提供されうる。第２水平パッキング１７５０は、その延長方向に沿って第２密閉ブラケット１６５０及び第２水平ブロック１２４５それぞれと連続して接触されうる。第２水平パッキング１７５０は、第２密閉ブラケット１６５０と第２水平ブロック１２４５との間に提供され、第２密閉ブラケット１６５０及び第２水平ブロック１２４５のうち、いずれか１つに固定結合されうる。例えば、第２水平パッキング１７５０は、第２密閉ブラケット１６５０に固定結合され、第２水平ブロック１２４５に密着されて第２密閉ブラケット１６５０と第２水平ブロック１２４５とを密閉する。
第２垂直パッキング１７３０は、第２分離壁１５５０とチャンバドア１２００との間に提供され、第２分離壁１５５０とチャンバドア１２００との間隙を密閉するように構成されうる。第２垂直パッキング１７３０は、チャンバドア１２００に対向する第２分離壁１５５０のエッジに沿って垂直方向Ｚに延びる。第２垂直パッキング１７３０は、第２分離壁１５５０のエッジの下端から上端まで垂直方向Ｚに延びる。ドアフレーム１２１０の内側面には、第２分離壁１５５０の長さに対応した長さを有する、第２垂直ブロック１２４３が提供されうる。第２垂直パッキング１７３０は、その延長方向に沿って第２分離壁１５５０及び第２垂直ブロック１２４３それぞれと連続して接触されうる。第２垂直パッキング１７３０は、第２分離壁１５５０と第２垂直ブロック１２４３との間に提供され、第２分離壁１５５０及び第２垂直ブロック１２４３のうち、いずれか１つに固定結合されうる。例えば、第２垂直パッキング１７３０は、第２分離壁１５５０のエッジに固定結合され、第２垂直ブロック１２４３に密着されて第２分離壁１５５０と第２垂直ブロック１２４３とを密閉する。
第２水平パッキング１７５０と第２垂直パッキング１７３０は、直接連結されうる。例示的な実施形態において、第２水平パッキング１７５０と第２垂直パッキング１７３０は、一体に形成され、互いに等しい物質で形成されうる。また、第２垂直パッキング１７３０の上端は、第１水平パッキング１７１０に連結されうる。例示的な実施形態において、第１水平パッキング１７１０、第１垂直パッキング１７２０、第２水平パッキング１７５０及び第２垂直パッキング１７３０は、一体に形成され、互いに等しい物質で形成されうる。
第２水平ブロック１２４５と第２垂直ブロック１２４３は、直接連結されうる。例示的な実施形態において、第２水平ブロック１２４５と第２垂直ブロック１２４３は、一体に形成され、互いに等しい物質で形成されうる。また、第２垂直ブロック１２４３の上端は、第１水平ブロック１２４１に連結されうる。例示的な実施形態において、第１水平ブロック１２４１、第１垂直ブロック１２４２、第２水平ブロック１２４５及び第２垂直ブロック１２４３は、一体に形成され、互いに等しい物質で形成されうる。
例示的な実施形態において、第１排気ダクト１４１０及び第２排気ダクト１４２０の下側には、チャンバドア１２００に近接した領域で垂直方向Ｚへの気流を遮断するように構成された第１分離プレート１５２０が設けられうる。すなわち、第１分離プレート１５２０は、第１支持プレート１１２０の上側に提供された第１熱処理空間ＰＳ１と第１支持プレート１１２０の下側に提供された第２熱処理空間ＰＳ２との気流を遮断する。第１分離プレート１５２０は、チャンバドア１２００に対向する第１支持プレート１１２０のエッジに連結され、第１分離プレート１５２０と第１支持プレート１１２０との間にはパッキング部材が提供されうる。第１分離プレート１５２０は、第１排気ダクト１４１０の底面及び／または第２排気ダクト１４２０の底面に固定結合され、第１排気ダクト１４１０の一端から他端まで第１水平方向Ｘに延びる。
例示的な実施形態において、第３排気ダクト１４３０及び第４排気ダクト１４４０の下側には、チャンバドア１２００に近接した領域で垂直方向Ｚへの気流を遮断するように構成された第２分離プレート１５６０が設けられうる。すなわち、第２分離プレート１５６０は、第２支持プレート１１３０の上側に提供された第２熱処理空間ＰＳ２と第２支持プレート１１３０の下側に提供された他の空間との気流を遮断する。第２分離プレート１５６０は、チャンバドア１２００に対向する第２支持プレート１１３０のエッジに連結され、第２分離プレート１５６０と第２支持プレート１１３０との間にはパッキング部材が提供されうる。第２分離プレート１５６０は、第３排気ダクト１４３０の底面及び／または第４排気ダクト１４４０の底面に固定結合され、第３排気ダクト１４３０の一端から他端まで第１水平方向Ｘに延びる。
第１支持プレート１１２０は、第１供給配管１８１３が通過する開口を含み、第２支持プレート１１３０は、第１供給配管１８１３及び第２供給配管１８１５が通過する開口を含む。例示的な実施形態において、第１支持プレート１１２０には、第１支持プレート１１２０の開口を覆って閉鎖するが、第１供給配管１８１３が通過する配管通過ホールを含む第１密閉ブロック５３０が装着され、第２支持プレート１１３０には、第２支持プレート１１３０の開口を覆って閉鎖するが、第１供給配管１８１３及び第２供給配管１８１５が通過する配管通過ホールを含む第２密閉ブロック１５７０が装着されうる。第１密閉ブロック５３０は、第１支持プレート１１２０の開口を通じる垂直方向Ｚの気流を遮断し、第２密閉ブロック１５７０は、第２支持プレート１１３０の開口を通じる垂直方向Ｚの気流を遮断する。第１密閉ブロック５３０の配管通過ホールのサイズは、第１供給配管１８１３のサイズと概して類似しており、第２密閉ブロック１５７０の配管通過ホールのサイズは、第１供給配管１８１３のサイズまたは第２供給配管１８１５のサイズとほぼ類似している。第１密閉ブロック１５３０に備えられた配管通過ホールの個数は、第１密閉ブロック１５３０を通過する第１供給配管１８１３の個数より多く、その場合、第１供給配管１８１３が挿入されていない第１密閉ブロック５３０の配管通過ホールは、別途のブロックによって閉鎖されうる。同様ｊに、第２密閉ブロック１５７０に備えられた配管通過ホールの個数は、第２密閉ブロック１５７０を通過する第１供給配管１８１３の個数及び第２供給配管１８１５の個数の和よりも多く、その場合、第１供給配管１８１３または第２供給配管１８１５が挿入されない第２密閉ブロック１５７０の配管通過ホールは、別途のブロックによって閉鎖されうる。
例示的な実施形態において、第１支持プレート１１２０と前記第２支持プレート１１３０との間には、第１供給配管１８１３と第２供給配管１８１５とを分離するための配管分離膜１５９０が提供されうる。配管分離膜１５９０は、第１支持プレート１１２０から第２支持プレート１１３０まで垂直方向Ｚに延び、第１供給配管１８１３を取り囲むチューブ状または第１供給配管１８１３と第２熱処理モジュールＰＵ２との間に立設された平板状を有する。配管分離膜１５９０は、第１供給配管１８１３が通過する経路と第２供給配管１８１５が通過する経路とを互いに分離させうる。また、配管分離膜１５９０は、第２供給配管１８１５と第２熱処理モジュールＰＵ２との間に配置され、第１支持プレート１１２０の開口から漏れた気体が第２熱処理モジュールＰＵ２側に流れることを遮断する。
本発明の例示的な実施形態によれば、ベークチャンバ１１１０において横方向に隣接する熱処理空間の間で横方向への気流は分離壁及び垂直パッキングによって遮蔽されるので、横方向に隣接した熱処理空間の雰囲気を均一に制御することができる。
また、本発明の例示的な実施形態によれば、ベークチャンバ１１１０内に提供された各熱処理空間は、排気ダクトの連通ホールを通じて排気ダクトの内部流路と連通し、各熱処理空間には、減圧された排気ダクトの連通ホール１４２１に向かう気流が提供されうる。これにより、各熱処理空間の気流停滞現象が除去されるので、各熱処理空間の雰囲気が均一に制御されうる。また、減圧された排気ダクトの連通ホール１４２１に向かう気流は、比較的大きい流速を有するので、気流の不均一性をもたらす乱流発生が抑制されうる。
また、本発明の例示的な実施形態によれば、ベークチャンバ１１１０内で垂直方向Ｚへの気流（例えば、熱による上昇気流）は、密閉プレート、水平パッキング、分離プレート、及び／または密閉ブロックによって遮断または抑制されるので、各熱処理空間の雰囲気を均一に制御することができる。
究極的に、本発明の例示的な実施形態によれば、ベークチャンバ１１１０内の気流を制御して各熱処理空間の雰囲気を均一に制御することで、基板処理の信頼性を向上させうる。
１０００ 基板処理装置
１１１０ ベークチャンバ
１２００ チャンバドア
ＰＳ１、ＰＳ２ 熱処理空間
ＰＵ１、ＰＵ２ 熱処理モジュール

Claims (20)

  1. ベークチャンバと、
    前記ベークチャンバの開口を開閉するチャンバドアと、
    前記ベークチャンバ内に提供された第１支持プレートと、
    前記第１支持プレート上に提供された空間を第１水平方向に互いに離隔された第１熱処理空間に分離し、前記第１支持プレート上で第２水平方向及び垂直方向に延び、前記第２水平方向は、前記第１水平方向に垂直であり、前記垂直方向は、前記第１水平方向及び第２水平方向に垂直である、第１分離壁と、
    前記第１熱処理空間に配置され、それぞれ基板が搭載される第１加熱ステージを含む第１熱処理モジュールと、
    前記第１熱処理空間を横切って前記第１水平方向に延び、前記第１熱処理モジュールから排気されたガスが導入される第１排気ダクトと、
    前記第１排気ダクトに結合され、前記第１排気ダクトに沿って前記第１水平方向に延びた第１密閉ブラケットと、
    前記第１密閉ブラケットに沿って前記第１水平方向に延び、前記第１密閉ブラケットと前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第１水平パッキングと、
    前記チャンバドアに対向する前記第１分離壁のエッジに沿って前記垂直方向に延び、前記第１分離壁と前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第１垂直パッキングと、を含む、基板処理装置。
  2. 前記チャンバドアは、
    ドアフレームと、
    前記ドアフレームの内側面に提供され、前記第１水平パッキングに密着される第１水平ブロックと、
    前記ドアフレームの内側面に提供され、前記第１垂直パッキングに密着される第１垂直ブロックと、を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１排気ダクトの一側に提供された第２排気ダクトをさらに含み、
    前記第２排気ダクトは、内部に提供された流路と第１熱処理空間とを連通させる複数の連通ホールを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第２排気ダクトの前記複数の連通ホールを開閉するように前記第２排気ダクト上に提供されたホール開閉ブロックをさらに含む、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記第１支持プレートの下側に提供された第２支持プレートと、
    前記第１支持プレートと前記第２支持プレートとの間に提供された空間を第１水平方向に互いに離隔された第２熱処理空間に分離し、前記第２支持プレート上で前記第２水平方向及び前記垂直方向に延びた第２分離壁と、
    前記第２熱処理空間に配置され、それぞれ基板が搭載される第２加熱ステージを含む第２熱処理モジュールと、
    前記チャンバドアに対向する前記第２分離壁のエッジに沿って前記垂直方向に延び、前記第２分離壁と前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第２垂直パッキングと、をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 前記チャンバドアは、
    ドアフレームと、
    前記ドアフレームの内側面に提供され、前記第２垂直パッキングに密着される第２垂直ブロックと、をさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１排気ダクトの下側に提供され、前記第１熱処理空間と前記第２熱処理空間との気流を遮断するように構成された第１分離プレートをさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置。
  8. 前記第１加熱ステージが収容された第１チャンバに処理ガスを伝達するように構成され、前記第１支持プレートの開口及び前記第２支持プレートの開口を通過して延びた第１供給配管と、
    前記第２加熱ステージが収容された第２チャンバに処理ガスを伝達するように構成され、前記第２支持プレートの前記開口を通過して延びた第２供給配管と、をさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置。
  9. 前記第１支持プレートの前記開口を覆うように前記第１支持プレートに結合されるが、前記第１供給配管が通過する配管通過ホールを含む第１密閉ブロックと、
    前記第２支持プレートの前記開口を覆うように前記第２支持プレートに結合されるが、前記第１供給配管及び前記第２供給配管が通過する配管通過ホールを含む第２密閉ブロックと、をさらに含む、請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記第１支持プレートと前記第２支持プレートとの間で垂直方向に延び、前記第１供給配管と前記第２供給配管との間に配置された配管分離膜をさらに含む、請求項８に記載の基板処理装置。
  11. 前記第１熱処理モジュールは、それぞれ基板が搭載される第１冷却ステージをさらに含み、
    前記第２熱処理モジュールは、それぞれ基板が搭載される第２冷却ステージをさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置。
  12. ベークチャンバと、
    前記ベークチャンバの開口を開閉するチャンバドアと、
    前記ベークチャンバ内に提供された第１支持プレートと、
    前記第１支持プレート上に提供された第１熱処理空間内に配置され、基板を加熱させるように構成された第１加熱ステージ及び前記第１加熱ステージが収容された第１加熱チャンバを含む加熱ユニットと、
    前記第１加熱チャンバの上側に連結された第１排気管に連結され、前記第１排気管を介して導入したガスを外部に放出する第１排気ダクトと、
    前記第１排気ダクトの一側に提供され、前記第１熱処理空間とその内部に提供された内部流路を連通させる複数の連通ホールを含む第２排気ダクトと、
    前記第２排気ダクトと前記第１加熱チャンバとの間から延び、前記第２排気ダクトの前記内部流路と前記第１加熱チャンバの内部空間とを連通させる連結管と、
    前記チャンバドアに対向する前記第１排気ダクトの一側面に結合され、前記第１排気ダクトの延長方向に沿って延びた密閉ブラケットと、
    前記密閉ブラケットに沿って延び、前記密閉ブラケットと前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された水平パッキングと、を含む、基板処理装置。
  13. 前記第１熱処理空間を多数の空間に分離されるように前記第１支持プレート上に垂直方向に立設された第１分離壁をさらに含み、
    前記第１分離壁は、前記第１排気ダクト及び前記第２排気ダクトに連結され、
    前記チャンバドアに対向する前記第１分離壁のエッジには、前記チャンバドアと前記第１分離壁とを密閉するための第１垂直パッキングが結合された、請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記第２排気ダクトの前記複数の連通ホールを開閉するように前記第２排気ダクト上に提供されたホール開閉ブロックをさらに含む、請求項１２に記載の基板処理装置。
  15. 前記第１支持プレート上に提供された前記第１熱処理空間内に配置され、基板を冷却させるように構成された冷却ステージをさらに含む、請求項１２に記載の基板処理装置。
  16. 前記第１支持プレートの下側に提供された第２支持プレートと、
    前記第１支持プレートと前記第２支持プレートとの間に提供された第２熱処理空間内に配置され、基板を加熱させるように構成された第２加熱ステージ及び前記第２加熱ステージが収容された第２加熱チャンバを含む第２加熱ユニットと、
    前記第２加熱チャンバの上側に連結された第２排気管に連結され、前記第２排気管を介して導入したガスを外部に放出する第３排気ダクトと、
    前記第３排気ダクトの一側に提供され、前記第２熱処理空間とその内部に提供された内部流路を連通させる複数の連通ホールを含む第４排気ダクトと、をさらに含む、請求項１２に記載の基板処理装置。
  17. 前記第２熱処理空間を多数の空間に分離されるように前記第２支持プレート上に垂直方向に立設された第２分離壁をさらに含み、
    前記第２分離壁は、前記第３排気ダクト及び前記第４排気ダクトに連結され、
    前記チャンバドアに対向する前記第２分離壁のエッジには、前記チャンバドアと前記第２分離壁との間を密閉するための第２垂直パッキングが結合された、請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記第１加熱チャンバに処理ガスを伝達するように構成され、前記第１支持プレートの開口及び前記第２支持プレートの開口を通過して延びた第１供給配管と、
    前記第２加熱チャンバに処理ガスを伝達するように構成され、前記第２支持プレートの前記開口を通過して延びた第２供給配管と、
    前記第１支持プレートの前記開口を覆うように前記第１支持プレートに結合されるが、前記第１供給配管が通過する配管通過ホールを含む第１密閉ブロックと、
    前記第２支持プレートの前記開口を覆うように前記第２支持プレートに結合されるが、前記第１供給配管及び前記第２供給配管が通過する配管通過ホールを含む第２密閉ブロックと、をさらに含む、請求項１６に記載の基板処理装置。
  19. ベークチャンバと、
    前記ベークチャンバの開口を開閉するチャンバドアと、
    前記ベークチャンバ内に提供された第１支持プレートと、
    前記第１支持プレート上に提供された空間を第１水平方向に互いに離隔された第１熱処理空間に分離し、前記第１支持プレート上で第２水平方向及び垂直方向に延び、前記第２水平方向は、前記第１水平方向に垂直であり、前記垂直方向は、前記第１水平方向及び第２水平方向に垂直である、第１分離壁と、
    前記第１熱処理空間に配置され、それぞれ基板を冷却させるように構成された第１冷却ステージ及び基板を加熱させるように構成された第１加熱ステージを含む第１熱処理モジュールと、
    前記第１熱処理空間を横切って前記第１水平方向に延び、前記第１熱処理モジュールから排気されたガスが導入される第１排気ダクトと、
    前記第１熱処理空間を横切って前記第１水平方向に延び、内部に提供された流路と第１熱処理空間とを連通させる複数の連通ホールを含む第２排気ダクトと、
    前記第１排気ダクトに結合され、前記第１排気ダクトに沿って前記第１水平方向に延びた第１密閉ブラケットと、
    前記第１密閉ブラケットに沿って前記第１水平方向に延び、前記第１密閉ブラケットと前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第１水平パッキングと、
    前記チャンバドアに対向する前記第１分離壁のエッジに沿って前記垂直方向に延び、前記第１分離壁と前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第１垂直パッキングと、
    前記第１支持プレートの下側に提供された第２支持プレートと、
    前記第１支持プレートと前記第２支持プレートとの間に提供された空間を第１水平方向に互いに離隔された第２熱処理空間に分離し、前記第２支持プレート上で前記第２水平方向及び前記垂直方向に延びた第２分離壁と、
    前記第２熱処理空間に配置され、それぞれ基板を冷却させるように構成された第２冷却ステージ及び基板を加熱させるように構成された第２加熱ステージを含む第２熱処理モジュールと、
    前記チャンバドアに対向する前記第２分離壁のエッジに沿って前記垂直方向に延び、前記第２分離壁と前記チャンバドアとの間の間隙を密閉するように構成された第２垂直パッキングと、を含む、基板処理装置。
  20. 前記チャンバドアは、
    前記第１水平パッキングに密着される第１水平ブロックと、
    前記第１垂直パッキングに密着され、前記第１水平ブロックに連結された第１垂直ブロックと、
    前記第２垂直パッキングに密着され、前記第１水平ブロックに連結された第２垂直ブロックと、を含み、
    前記第１水平パッキングは、の延長方向に沿って前記第１密閉ブラケット及び前記第１水平ブロックそれぞれと連続して接触され、
    前記第１垂直パッキングは、その延長方向に沿って前記第１分離壁及び前記第１垂直ブロックそれぞれと連続して接触され、
    前記第２垂直パッキングは、その延長方向に沿って前記第２分離壁及び前記第２垂直ブロックそれぞれと連続して接触され、
    前記第１垂直パッキング及び前記第２垂直パッキングは、それぞれ前記第１水平パッキングに直接連結された、請求項１９に記載の基板処理装置。
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