CN116564849A - 衬底处理设备 - Google Patents

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CN116564849A CN202211688829.6A CN202211688829A CN116564849A CN 116564849 A CN116564849 A CN 116564849A CN 202211688829 A CN202211688829 A CN 202211688829A CN 116564849 A CN116564849 A CN 116564849A
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李营浚
金光洙
严基象
李偶滥
姜钟和
郑渶宪
李政炫
朴岽云
丁宣旭
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Abstract

本公开涉及一种衬底处理设备,该衬底处理设备包括:烘烤室、打开和关闭烘烤室的开口的室门、烘烤室中的第一支撑板、将设置在第一支撑板上的空间分隔成在第一水平方向上彼此间隔开的第一热处理空间并且在第二水平方向和竖直方向上延伸的第一分隔壁、被布置在第一热处理空间中的第一热处理模块、在第一水平方向上跨越第一热处理空间延伸的第一排气导管、联接到第一排气导管的第一密封支架、被配置成密封第一密封支架与室门之间的间隙的第一水平封装部、以及被配置成密封第一分隔壁与室门之间的间隙的第一竖直封装部。

Description

衬底处理设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月31日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0194110号韩国专利申请的优先权,该申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及一种衬底处理设备。
背景技术
在半导体制造中,光刻过程是在衬底(诸如晶片)上形成期望的图案。用于执行光刻过程的系统顺序地或选择性地执行涂覆过程、烘烤过程和显影过程。此处,在用于烘烤过程的烘烤室中,衬底被冷却或加热。在烘烤室中设置有多个处理空间,其中气流根据在烘烤室中执行的过程的进度而改变,并且存在以下问题:多个处理空间的过程环境(例如温度、压力、湿度等)山于烘烤室中的气流而变得不均匀,并且衬底处理的可靠性劣化。
发明内容
提供了一种具有提高的衬底处理可靠性的衬底处理设备。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述,并且部分将从描述中显而易见,或者可以通过实践本公开中呈现的实施例学习。
根据本公开的一方面,一种衬底处理设备,包括:烘烤室;室门,其打开和关闭所述烘烤室的开口;第一支撑板,其设置在所述烘烤室中;第一分隔壁,其将设置在所述第一支撑板上的空间分隔成在第一水平方向上彼此间隔开的第一热处理空间,并且在所述第一支撑板上在第二水平方向和竖直方向上延伸,其中所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向,并且所述竖直方向垂直于所述第一水平方向和所述第二水平方向;第一热处理模块,其被布置在所述第一热处理空间中并且包括第一加热台,衬底分别被安装在所述第一加热台上;第一排气导管,其在所述第一水平方向上跨越所述第一热处理空间延伸,并且从所述第一热处理模块排出的气体通过所述第一排气导管引导;第一密封支架,其联接到所述第一排气导管并且在所述第一水平方向上沿所述第一排气导管延伸;第一水平封装部(packing),其在所述第一水平方向上沿所述第一密封支架延伸,并且被配置成密封所述第一密封支架与所述室门之间的间隙;以及第一竖直封装部,其在所述竖直方向上沿所述第一分隔壁的面向所述室门的边缘延伸,并且被配置成密封所述第一分隔壁与所述室门之间的间隙。
根据本公开的另一方面,一种衬底处理设备,包括:烘烤室;室门,其打开和关闭所述烘烤室的开口;第一支撑板,其被设置在所述烘烤室中;加热单元,其被布置在设置在所述第一支撑板上的第一热处理空间中,并且包括被配置成加热衬底的第一加热台和容纳所述第一加热台的第一加热室;第一排气导管,其连接至第一排气管并且将通过所述第一排气管引导的气体排放到外部,所述第一排气管连接至所述第一加热室的上侧;第二排气导管,其被设置在所述第一排气导管的一侧上并且包括多个连通孔,所述连通孔使所述第一热处理空间与设置在所述第二排气导管中的内部流动路径之间连通;连接管,其在所述第二排气导管与所述第一加热室之间延伸,以使所述第二排气导管的内部流动路径与所述第一加热室中的空间之间连通;密封支架,其联接到所述第一排气导管的面向所述室门的一侧,并且在所述第一排气导管延伸的方向上延伸;以及水平封装部,其沿所述密封支架延伸,并且被配置成密封所述密封支架与所述室门之间的间隙。
根据本公开的另一方面,一种衬底处理设备,包括:烘烤室;室门,其打开和关闭所述烘烤室的开口;第一支撑板,其设置在所述烘烤室中;第一分隔壁,其将设置在所述第一支撑板上的空间分隔成在第一水平方向上彼此间隔开的第一热处理空间,并且在所述第一支撑板上在第二水平方向和竖直方向上延伸,其中所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向,并且所述竖直方向垂直于所述第一水平方向和所述第二水平方向;第一热处理模块,其被布置在所述第一热处理空间中,所述第一热处理模块中的每个包括被配置成冷却衬底的第一冷却台和被配置成加热所述衬底的第一加热台;第一排气导管,其在所述第一水平方向上跨越所述第一热处理空间延伸,并且从所述第一热处理模块排出的气体通过所述第一排气导管引导;第二排气导管,其在所述第一水平方向上跨越所述第一热处理空间延伸,并且包括多个连通孔,所述连通孔使设置在所述第二排气导管中的流动路径与所述第一热处理空间之间连通;第一密封支架,其联接到所述第一排气导管并且在所述第一水平方向上沿所述第一排气导管延伸;第一水平封装部,其在所述第一水平方向上沿所述第一密封支架延伸,并且被配置成密封所述第一密封支架与所述室门之间的间隙;第一竖直封装部,其在所述竖直方向上沿所述第一分隔壁的面向所述室门的边缘延伸,并且被配置成密封所述第一分隔壁与所述室门之间的间隙;第二支撑板,其设置在所述第一支撑板下方;第二分隔壁,其将设置在所述第一支撑板与所述第二支撑板之间的空间分隔成在所述第一水平方向上彼此间隔开的第二热处理空间,并且在所述第二水平方向和所述竖直方向上延伸;第二热处理模块,其被布置在所述第二热处理空间中,并且各自包括被配置成冷却衬底的第二冷却台和被配置成加热所述衬底的第二加热台;以及第二竖直封装部,其在所述竖直方向上沿所述第二分隔壁的面向所述室门的边缘延伸,并且被配置成密封在所述第二分隔壁与所述室门之间的间隙。
附图说明
根据结合附图进行的以下描述,本公开的某些实施例的上述和其他方面、特征和优点将更加显而易见,其中:
图1是示意性示出根据实施例的衬底处理设备的干面图;
图2是沿线A-A截取的图1的衬底处理设备的简图;
图3是沿线B-B截取的图1的衬底处理设备的简图;
图4是沿线C-C截取的图1的衬底处理设备的简图;
图5是示意性示出根据实施例的衬底处理设备的平面图;
图6是沿线VI-VI’截取的图5的衬底处理设备的横截面图;
图7是沿线VII-VII’截取的图5的衬底处理设备的横截面图;
图8是示出图5的衬底处理设备的一些部件的分解立体图;以及
图9是示出衬底处理设备的第二排气导管和孔打开/关闭块的平面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例,在附图中示出实施例的示例,其中相似的附图标记始终指代相似的元件。在这方面,呈现的实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于本文所阐述的描述。因此,以下仅通过参考附图来描述实施例,以解释本说明书的各方面。如本文所用,术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任何和所有组合。诸如“至少一个”的表达当出现在元件列表前面时修改整个元件列表,而不是修改列表中的单个元件。
在下文中,将参考附图详细描述实施例。附图中相同的附图标记用于相同的部件,并且将省略其冗余描述。
图1是示意性示出根据实施例的衬底处理系统1的平面图。图2是沿线A-A截取的图1的衬底处理系统1的简图,图3是沿线B-B截取的图1的衬底处理系统1的简图,以及图4是沿线C-C截取的图1的衬底处理系统1的简图。
参考图1至图4,衬底处理系统1包括装载端口100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前和曝光后处理模块600以及接口模块700。装载端口100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前和曝光后处理模块600以及接口模块700在一个方向上以对齐方式顺序地布置。
在下文中,将装载端口100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前和曝光后处理模块600以及接口模块700的布置方向称为第一水平方向X,将从上方观察时垂直于第一水平方向X的方向称为第二水平方向Y,并且将垂直于第一水平方向X和第二水平方向Y的方向称为竖直方向Z。
衬底W在被容纳在盒20中时被移动。此处,盒20具有可从外部密封的结构。例如,盒20可以是在其前部具有门的前开式晶圆传送盒(a front-opening unified pod(FOUP))。
装载端口100具有安装台120,在所述安装台上放置容纳有衬底W的盒20。提供了多个安装台120,并且安装台120被布置成沿第二水平方向Y对齐。图1示出了提供四个安装台120。
转位模块200在放置在装载端口100的安装台120上的盒20与第一缓冲模块300之间传送衬底W。转位模块200具有框架210、转位机器人220和导轨230。框架210被设置成大致中空的矩形的平行六面体形状,并且被布置在装载端口100与第一缓冲模块300之间。转位模块200的框架210可以设置在比下面将描述的第一缓冲模块300的框架310的高度低的高度处。转位机器人220和导轨230布置在框架210中。转位机器人220具有4轴从动结构,使得直接处理衬底W的手221在第一水平方向X、第二水平方向Y和竖直方向Z上是可移动且可旋转的。转位机器人220具有手221、臂222、支撑件223以及保持件224。手221被安装成固定到臂222。臂222被以可延伸且可旋转的结构设置。支撑件223被布置成使得其纵向方向在竖直方向Z上。臂222被联接到支撑件223,以便可沿支撑件223移动。支撑件223固定地联接到保持件224。导轨230被设置成使得其纵向方向布置在第二水平方向Y上。保持件224联接到导轨230,从而可沿导轨230线性移动。此外,尽管未示出,在框架210中还设置有打开和关闭盒20的门的开门器。
第一缓冲模块300包括框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机器人360。框架310被设置成呈中空的矩形的平行六面体的形状,并且被布置在转位模块200与涂覆和显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机器人360位于框架310内。冷却室350、第二缓冲器330和第一缓冲器320从底部沿竖直方向Z顺序地布置。第一缓冲器320位于与下面将描述的涂覆和显影模块400的涂覆模块401相对应的高度处,并且第二缓冲器330和冷却室350位于与下面将描述的涂覆和显影模块400中的显影模块402相对应的高度处。第一缓冲机器人360在第二水平方向Y上与第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器320间隔开预设距离。
第缓冲器320和第二缓冲器330各自暂时存储多个衬底W。第二缓冲器330具有壳体331和多个支撑件332。支撑件332布置在壳体331内并且在竖直方向Z上彼此间隔开。每个支撑件332上放置一个衬底W。壳体331在设有转位机器人220的一侧、设有第一缓冲机器人360的一侧、以及设有以下将描述的显影模块402的显影机器人482的一侧上具有开口(未示出),使得转位机器人220、第一缓冲机器人360以及显影机器人482运载衬底W进入或离开壳体331中的支撑件332。第一缓冲器320具有与第二缓冲器330的结构基本相似的结构。然而,第一缓冲器320的壳体321在设置有第一缓冲机器人360的一侧,以及在设置有位于下面将描述的涂覆模块401中的涂覆机器人432的一侧具有开口。设置在第一缓冲器320中的支撑件322的数量和设置在第二缓冲器330中的支撑件332的数量可以彼此相等或不同。根据示例,设置在第二缓冲器330中的支撑件332的数量可以大于设置在第一缓冲器320中的支撑件322的数量。
第一缓冲机器人360在第一缓冲器320与第一缓冲器330之间传送衬底W。第一缓冲机器人360具有手361、臂362和支撑件363。手361被安装成固定到臂362。臂362设置成可延伸结构,使得手361可在第二水平方向Y上移动。臂362联接到支撑件363,以便可沿支撑件363在竖直方向Z上线性移动。支撑件363具有从对应于第二缓冲器330的位置延伸到对应于第一缓冲器320的位置的长度。支撑件363可以设置成向上或向下延伸更长。第一缓冲机器人360可以被设置成使得手361被简单地在第一水平方向Y和竖直方向Z上进行双轴驱动。
冷却室350冷却衬底W。冷却室350具有壳体351和冷却板352。冷却板352具有放置衬底W的上表面和冷却衬底W的冷却件353。冷却件353可以使用各种冷却方法,诸如使用冷却水的冷却或使用热电元件的冷却。此外,可以在冷却室350中设置将衬底W放置在冷却板352上的升降销组件(未示出)。壳体351在设置有转位机器人220的一侧上,以及在设置有下面将描述的显影模块402的显影机器人482的一侧上具有开口(未示出),使得转位机器人220和显影机器人482运载衬底W进入或离开冷却板352。此外,可以在冷却室350中设置门(未示出)以打开和关闭上述开口。
涂覆和显影模块400在曝光过程之前执行在衬底W上涂覆光致抗蚀剂的过程,并且在曝光过程之后执行对衬底W进行显影的过程。涂覆和显影模块400具有大致矩形的平行六面体形状。涂覆和显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。涂覆模块401和显影模块402被布置成彼此被分隔在不同的层中。根据示例,涂覆模块401位于显影模块402上。
涂覆模块401执行在衬底W上涂覆光敏液体(诸如光致抗蚀剂)的过程,并且执行在抗蚀剂涂覆过程之前和之后的热处理过程(诸如加热和冷却衬底W)。涂覆模块401包括抗蚀剂涂覆单元410、烘烤单元420和传送室430。抗蚀剂涂覆单元410、传送室430和烘烤单元420被顺序地布置在第二水平方向Y上。因此,抗蚀剂涂覆单元410和烘烤单元420在第二水平方向Y上彼此间隔开,并且传送室430位于它们之间。在第一水平方向X和竖直方向Z中的每个上设置多个抗蚀剂涂覆单元410。在第一水平方向X和竖直方向Z中的每个上设置多个烘烤单元420。
传送室430被定位成在第一水平方向X上平行于第一缓冲模块300的第一缓冲器320。涂覆机器人432和导轨433位于传送室430中。传送室430具有大致矩形形状。涂覆机器人432在烘烤单元420、抗蚀剂涂覆单元400、第一缓冲模块300的第一缓冲部320和下面将描述的第二缓冲模块500的第一冷却室520之间传送衬底W。导轨433被布置成使得其纵向方向平行于第一水平方向X。导轨433引导涂覆机器人432在第一水平方向X上线性移动。涂覆机器人432具有手434、臂435、支撑件436和保持件437。手434被安装成固定到臂435。臂435被设置成可延伸结构,使得手434可在水平方向上移动。支撑件436被设置成使得其纵向方向布置在竖直方向Z上。臂435被联接到支撑件436,以便可沿支撑件436在竖直方向Z上线性移动。支撑件436被固定地联接到保持件437,并且保持件437被联接到导轨433,以便可沿导轨433移动。
抗蚀剂涂覆单元410全部具有相同的结构。然而,各个抗蚀剂涂覆单元410所使用的光敏液体的类型可以彼此不同。例如,可以使用化学增强的抗蚀剂作为光敏液体。抗蚀剂涂覆单元410在衬底W上涂覆光敏液体。抗蚀剂涂覆单元410具有壳体411、支撑板412和喷嘴413。壳体411具有带有开放顶部的杯形。支撑板412位于壳体411中并且支撑衬底W。支撑板412设置成可旋转的。喷嘴413将光敏液体供应到放置在支撑板412上的衬底W上。喷嘴413可以具有圆管状形状,并将光敏液体供应到衬底W的中心。可选地,喷嘴413的长度可以对应于衬底W的直径,并且喷嘴413的出口可以设置为狭缝。此外,可以在抗蚀剂涂覆单元410中另外设置喷嘴414,该喷嘴414供应清洁溶液(诸如去离子水)以清洁涂覆有光敏液体的衬底W的表面。
烘烤单元420对衬底W进行加热处理。烘烤单元420在施加光敏液体之前和之后对衬底W进行加热处理。烘烤单元420可以将衬底W加热到预设温度,以便在涂覆光敏液体之前改变衬底W的表面性质,并在衬底W上形成处理液膜(诸如粘合剂)。烘烤单元420在减压环境中对涂覆有光敏液体的衬底W进行热处理,以使包含在光敏液膜中的挥发性物质挥发。
烘烤单元420包括冷却台421和加热单元422。冷却台421对由加热单元422热处理的衬底W进行冷却。冷却台421被设置成圆形板形状。在冷却台421中设置冷却件,诸如冷却水或热电元件。例如,可以将放置在冷却台422上的衬底W冷却到等于或接近室温的温度。加热单元422加热衬底W。加热单元422在常压环境中或在低于所述常压的减压环境中加热衬底W。
显影模块402执行用于通过供应显影溶液去除部分光致抗蚀剂来在衬底W上获得图案的显影过程,并且执行在显影过程之前和之后的热处理过程,诸如对衬底W执行加热和冷却。显影模块402包括显影单元460、烘烤单元470和传送室480。显影单元460、传送室480、以及烘烤单元470在第二水平方向Y上顺序地布置。因此,显影单元460和烘烤单元470在第二水平方向Y上彼此间隔开,传送室480位于它们之间。在第一水平方向X和竖直方向Z中的每个上设置多个显影单元460。在第一水平方向X和竖直方向Z中的每个上设置多个烘烤单元470。
传送室480被定位成在第一水平方向X上平行于第一缓冲模块300的第二缓冲器330。显影机器人482和导轨483位于传送室480中。传送室480具有大致矩形形状。显影机器人482在烘烤单元470、显影单元460、第一缓冲模块300的第二缓冲器330和冷却室350以及第二缓冲模块500的第二冷却室540之间传送衬底W。导轨483被布置成使得其纵向方向平行于第一水平方向X。导轨483引导显影机器人482在第一水平方向X上线性移动。显影机器人482包括手484、臂485、支撑件486和保持件487。手484安装成固定到臂485。臂485被设置成可延伸结构,使得手484可在水平方向上移动。支撑件486被设置为使得其纵向方向布置在竖直方向Z上。臂485被联接到支撑件486,以便可沿支撑件486在竖直方向Z上线性移动。支撑件486被固定地联接到保持件487。保持件487被联接到导轨483,以便可沿导轨483移动。
显影单元460全部具有相同的结构。然而,显影单元460所使用的显影溶液的类型可以彼此不同。显影单元460去除衬底W上的光致抗蚀剂的光照射区域。此时,保护膜的光照射区域也被去除。取决于选择性使用的光致抗蚀剂的类型,可以仅去除光致抗蚀剂和保护膜的区域之中的未被光照射的区域。
显影单元460具有壳体461、支撑板462和喷嘴463。壳体461具有带有开放顶部的杯形。支撑板462位于壳体461中并支撑衬底W。支撑板462被设置成可旋转的。喷嘴463将显影溶液供应到放置在支撑板462上的衬底W上。喷嘴463可以具有圆管状形状,并将显影溶液供应到衬底W的中心。可选地,喷嘴463可以具有对应于衬底W的直径的长度,并且喷嘴463的出口可以设置为狭缝。此外,可以在显影单元460中另外设置喷嘴464,该喷嘴464供应清洁溶液(诸如去离子水)以清洁供应有显影溶液的衬底W的表面。
显影模块402的烘烤单元470对衬底W进行热处理。例如,烘烤单元470执行在执行显影过程之前加热衬底W的后烘烤过程、在执行显影过程之后加热衬底W的硬烘烤过程、以及在每个烘烤过程之后冷却经加热的衬底W的冷却过程。烘烤单元470具有冷却台471或加热单元472。冷却件473(诸如冷却水或热电元件)设置在冷却台471中。替代地,加热器474(诸如热丝或热电元件)设置在加热单元472中。冷却台471和加热单元472可以分别设置在一个烘烤单元470中。可选地,一些烘烤单元470可以仅具有冷却台471,而其他烘烤单元可以仅具有加热单元472。显影模块402的烘烤单元470具有与涂覆模块401的烘烤单元420相同的配置,因此将省略其详细描述。
第二缓冲模块500被设置为通过其在涂覆和显影模块400与曝光前和曝光后处理模块600之间传送衬底W的通道。此外,第二缓冲模块500在衬底W上执行特定过程,诸如冷却过程或边缘曝光过程。第二缓冲模块500具有框架510、缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲机器人560。框架510具有矩形的平行六面体形状。缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲机器人560位于框架510中。缓冲器520、第一冷却室530、以及边缘曝光室550被布置在与涂覆模块401相对应的高度处。第二冷却室540被布置在与显影模块402相对应的高度处。缓冲器520、第一冷却室530和第二冷却室540被顺序地布置成沿竖直方向Z对齐。当从上方观察时,缓冲器520沿涂覆模块401的传送室430和第一水平方向X布置。边缘曝光室550在第二水平方向Y上与缓冲器520或第一冷却室530间隔开预设距离。
第二缓冲机器人560在缓冲器520、第一冷却室530和边缘曝光室550之间传送衬底W。第二缓冲机器人560位于边缘曝光室550和缓冲器520之间。第二缓冲机器人560可以以与第一缓冲机器人360的结构类似的结构设置。第一冷却室530和边缘曝光室550对已经在涂覆模块401中对其执行了过程的衬底W执行后续过程。第一冷却室530冷却已经在涂覆模块401中对其执行了过程的衬底W。第一冷却室530具有与第一缓冲模块300的冷却室350的结构类似的结构。边缘曝光室550曝光已经在第一冷却室530中对其执行了冷却过程的衬底W的边缘。在将衬底W传送到下面将描述的预处理模块601之前,缓冲器520暂时存储已经在边缘曝光室530中对其执行了过程的衬底W。在将衬底W传送到显影模块402之前,第二冷却室540冷却已经在后处理模块602(下面将描述)中对其执行了过程的衬底W。第二缓冲模块500还可以具有添加在与显影模块402相对应的高度处的缓冲器。在这种情况下,已经在后处理模块602中对其执行了过程的衬底W可以暂时存储在所添加的缓冲器中,然后被传送到显影模块402。
在曝光设备900执行浸没曝光过程的情况下,在浸没曝光期间,曝光前和曝光后处理模块600可以执行涂覆保护膜以保护涂覆在衬底W上的光致抗蚀剂膜的过程。此外,曝光前和曝光后处理模块600可以在曝光后执行清洁衬底W的过程。此外,在通过使用化学增强的抗蚀剂执行涂覆过程的情况下,曝光前和曝光后处理模块600可以执行曝光后烘烤过程。
曝光前和曝光后处理模块600具有预处理模块601和后处理模块602。预处理模块601在执行曝光过程之前执行处理衬底W的过程,并且后处理模块602在曝光过程之后执行处理衬底W的过程。预处理模块601和后处理模块602被布置成彼此分隔在不同的层中。根据示例,预处理模块601位于后处理模块602上。预处理模块601设置在与涂覆模块401的高度相同的高度处。后处理模块602设置在与显影模块402的高度相同的高度处。预处理模块601具有保护膜涂覆单元610、烘烤单元620和传送室630。保护膜涂覆单元610、传送室630和烘烤单元620顺序地布置在第二水平方向Y上。因此,保护膜涂覆单元610和烘烤单元620在第二水平方向Y上彼此间隔开,其中传送室630位于它们之间。设置有多个保护膜涂覆单元610,并且可以在竖直方向Z上布置多个保护膜涂覆单元610,以形成不同的层。可选地,可以在第一水平方向X和竖直方向Z中的每个上设置多个保护膜涂覆单元610。设置有多个烘烤单元620,并且可以在竖直方向Z上布置多个烘烤单元620,以形成不同的层。可选地,可以在第一水平方向X和竖直方向Z中的每个上设置多个烘烤单元620。
传送室630被定位成在第一水平方向X上平行于第二缓冲模块500的第一冷却室530。预处理机器人632位于传送室630中。传送室630具有大致正方形或矩形形状。预处理机器人632在保护膜涂覆单元610、烘烤单元620、第二缓冲模块500的缓冲器520和下面将描述的接口模块700的第一缓冲器720之间传送衬底W。预处理机器人632具有手633、臂634和支撑件635。手633安装成固定到臂634。臂634被设置成可延伸且可旋转的结构。臂634联接到支撑件635,以便可沿支撑件635在竖直方向Z上线性移动。
保护膜涂覆单元610在衬底W上涂覆保护膜,以在浸没曝光期间保护抗蚀剂膜。保护膜涂覆单元610具有壳体611、支撑板612和喷嘴613。壳体611具有带有开放顶部的杯形。支撑板612位于壳体611中并支撑衬底W。支撑板612被设置成可旋转的。喷嘴613将用于形成保护膜的保护液体供应到放置在支撑板612上的衬底W上。喷嘴613可以具有圆管状形状,并将保护液体供应到衬底W的中心。可选地,喷嘴613可以具有对应于衬底W的直径的长度,并且喷嘴613的出口可以设置为狭缝。在这种情况下,支撑板612可以设置为固定的。保护液体包括可发泡材料。光致抗蚀剂和相对于水具有低亲和性的材料可以用作保护液体。例如,保护液体可以包括氟基溶剂。保护膜涂覆单元610在使放置在支撑板612上的衬底W旋转时向衬底W的中心区域供应保护液体。
烘烤单元620对涂覆有保护膜的衬底W进行热处理。烘烤单元620具有冷却台621或加热板622。冷却件623(诸如冷却水或热电元件)设置在冷却台621中。替代地,加热器624(诸如热丝或热电元件)设置在加热板622中。加热板622和冷却台621可以分别设置在一个烘烤单元620中。可选地,一些烘烤单元620可以仅具有加热板622,而其他烘烤单元可以仅具有冷却台621。
后处理模块602具有清洁室660、曝光后烘烤单元670和传送室680。清洁室660、传送室680和曝光后烘烤单元670在第二水平方向Y上顺序地布置。因此,清洁室660和曝光后烘烤单元670在第二水平方向Y上彼此间隔开,传送室680位于它们之间。设置有多个清洁室660,并且可以在竖直方向Z上布置多个清洁室660,以形成不同的层。可选地,可以在第一水平方向X和竖直方向Z中的每个上设置多个清洁室660。可以设置有多个曝光后烘烤单元670,并且可以在竖直方向Z上布置多个曝光后烘烤单元670,以形成不同的层。可选地,可以在第一水平方向X和竖直方向Z中的每个上设置多个曝光后烘烤单元670。
当从上方观察时,传送室680被定位成在第一水平方向X上平行于第二缓冲模块500的第二冷却室540。传送室680具有大致正方形或矩形形状。后处理机器人682位于传送室680中。后处理机器人682在清洁室660、曝光后烘烤单元670、第二缓冲模块500的第二冷却室540和下面将描述的接口模块700的第二缓冲器730之间传送衬底W。设置在后处理模块602中的后处理机器人682可以具有与设置在预处理模块601中的预处理机器人632的结构相同的结构。
清洁室660在曝光过程之后清洁衬底W。清洁室660具有壳体661、支撑板662和喷嘴663。壳体661具有带有开放顶部的杯形。支撑板662位于壳体661中并支撑衬底W。支撑板662被设置成可旋转的。喷嘴663将清洁溶液供应到放置在支撑板662上的衬底W上。可以使用水(诸如去离子水)作为清洁溶液。清洁室660在使放置在支撑板662上的衬底W旋转时将清洁溶液供应到衬底W的中心区域。可选地,在衬底W旋转时,喷嘴663可以从衬底W的中心区域线性地或旋转地移动到边缘区域。
曝光后烘烤单元670通过使用远紫外线来加热已经在其上执行了曝光过程的衬底W。在曝光后烘烤过程中,通过加热衬底W以增强通过曝光而在光致抗蚀剂中产生的酸来完成光致抗蚀剂的性质改变。曝光后烘烤单元670具有加热板672。加热器674(诸如热丝或热电元件)设置在加热板672中。曝光后烘烤单元670还可以在其中包括冷却台671。冷却件673(诸如冷却水或热电元件)设置在冷却台671中。此外,可选地,还可以提供仅具有冷却台671的烘烤单元。
如上所述,在曝光前和曝光后处理模块600中,预处理模块601和后处理模块602彼此完全分离。此外,预处理模块601的传送室630和后处理模块602的传送室680可以设置成具有相同的尺寸,并且当从上方观察时彼此完全重叠。此外,保护膜涂覆单元610和清洁室660可以设置成具有相同的尺寸并且当从上方观察时彼此完全重叠。此外,烘烤单元620和曝光后烘烤单元670可以设置成具有相同的尺寸并且当从上方观察时彼此完全重叠。
接口模块700在曝光前和曝光后处理模块600与曝光设备900之间传送衬底W。接口模块700具有框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机器人740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机器人740位于框架710中。第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此间隔开预设距离,并且被布置成彼此堆叠。第一缓冲器720被布置成高于第二缓冲器730。第一缓冲器720位于与预处理模块601相对应的高度处,第二缓冲器730位于与后处理模块602相对应的高度处。当从上方观察时,第一缓冲器720被布置成在第一水平方向X上与预处理模块601的传送室630对齐,并且第二缓冲器730被布置成在第一水平方向X上与后处理模块602的传送室630对齐。
接口机器人740被定位成在第二水平方向Y上与第一缓冲器720和第二缓冲器730间隔开。接口机器人740在第一缓冲器720、第二缓冲器720和曝光设备900之间传送衬底W。接口机器人740具有与第二缓冲机器人560的结构基本上类似的结构。
第一缓冲器720暂时存储已经在预处理模块601中在其上执行了过程的衬底W,然后将它们传送到曝光设备900。此外,第二缓冲器730暂时存储已经在曝光设备900中在其上执行了过程的衬底W,然后将它们传送到后处理模块602。第一缓冲器720具有壳体721和多个支撑件722。支撑件722布置在壳体721内并在竖直方向Z上彼此间隔开。每个支撑件722上放置一个衬底W。壳体721在设置有接口机器人740的一侧,以及设置有预处理机器人632的一侧上具有开口(未示出),使得接口机器人740和预处理机器人632运载衬底W进入或离开壳体721的支撑件722。第二缓冲器730具有与第一缓冲器720的结构基本上类似的结构。然而,第二缓冲器730的壳体在设置有接口机器人740的一侧,以及设置有后处理机器人682的一侧上具有开口(未示出)。如上所述,可以仅在接口模块中,而不在用于对衬底执行特定过程的室中,设置缓冲器和机器人。
图5是示意性示出根据实施例的衬底处理设备1000的平面图。图6是沿线VI-VI’截取的图5的衬底处理设备1000的横截面图。图7是沿线VII-VII’截取的图5的衬底处理设备1000的横截面图。图8是示出图5的衬底处理设备1000的一些部件的分解立体图。图9是示出衬底处理设备1000的第二排气导管1420和孔打开/关闭块1471的平面图。
参考图5至图9,衬底处理设备1000可以被配置成在衬底上执行热处理过程。衬底处理设备1000可以对应于上面参照图1至图4描述的涂覆模块401的烘烤单元420、显影模块402的烘烤单元470、预处理模块601的烘烤单元620、以及后处理模块602的曝光后烘烤单元670中的任何一个。
衬底处理设备1000可以包括烘烤室1110、室门1200、第支撑板1120、第一分隔壁1510、第一热处理模块PU1、第一排气导管1410、第二排气导管1420、第一密封支架1610、第一水平封装部1710和第一竖直封装部1720。
烘烤室1110可以提供用于处理衬底的空间。例如,烘烤室1110可以具有大致矩形的平行六面体形状。在烘烤室1110的一个侧壁中设置入口1111,该入口1111呈狭缝形式并且衬底通过其被载入或取出,并且可以在烘烤室1110的另一侧壁中形成山室门1200打开和关闭的开口。
室门1200被铰接至烘烤室1110,并可围绕铰链轴线在用于打开烘烤室1110的开口的打开位置与用于关闭烘烤室1110的开口的关闭位置之间枢转。在其他实施例中,室门1200可以可拆卸地安装在烘烤室1110上。室门1200可以被设置成用于维护烘烤室1110的内部。室门1200的门框架1210可以包括由透明材料形成的窗口1220。例如,窗口1220可以包括玻璃或透明塑料(诸如丙烯酸树脂)。
第一支撑板1120安装在烘烤室1110中,并且可以将烘烤室1110中的空间分隔成上部空间和下部空间。第一支撑板1120可以支撑第一热处理模块PU1。第一支撑板1120的在其上安装第一热处理模块PU1的安装表面(即上表面)可以大致平行于第一水平方向X和第二水平方向Y。
第一分隔壁1510可以布置在第一支撑板1120上,以将设置在第一支撑板1120上的空间分隔成在第一水平方向X上彼此间隔开的第一热处理空间PS1。每个第一热处理空间PS1可以被限定为在两个相邻的第一分隔壁1510之间的空间,或者在第一分隔壁1510与烘烤室1110的内表面之间的空间。第一分隔壁1510可以在垂直于第一支撑板1120的安装表面的方向上竖立,以阻挡在第一热处理空间PS1之间的朝向横向方向的气流。第一分隔壁1510可以在第一支撑板1120上沿第二水平方向Y和竖直方向Z延伸。第一分隔壁1510可以与第一排气导管1410和第二排气导管1420接触,第一排气导管1410和第二排气导管1420被布置成邻近于室门1200,并且封装部构件可以被设置在第一分隔壁1510与第一排气导管1410之间以及在第一分隔壁1510与第二排气导管1420之间。图5示出了通过设置在第一支撑板1120上的两个第一分隔壁1510彼此分离的三个第一热处理空间PS1。然而,这是示例,并且可以在第一支撑板1120上设置彼此分离的两个、四个、或更多个第一热处理空间PS1。
被配置成加热衬底的第一热处理模块PU1可以被布置在由第一分隔壁1510分离和分隔的第一热处理空间PS1的每个中。第一热处理模块PU1可以包括沿第二水平方向Y被布置在第一支撑板1120上的第一冷却台1310和第一加热单元1320。第一冷却台1310可以具有冷却件(诸如冷却水或热电元件),并且可以冷却安装在安装表面上的衬底。例如,安装在第一冷却台1310的安装表面上的衬底可以被冷却到等于或接近于室温的温度。第一加热单元1320可以加热衬底。第一加热单元1320可以在常压环境中或在低于所述常压的减压的环境中加热衬底。尽管附图中未示出,但是可以在每个第一热处理空间PS1中设置衬底传送机器人,所述衬底传送机器人被配置成在第一冷却台1310与第一加热单元1320之间传送衬底。
第一加热单元1320可以包括第一加热室1322和第一加热台1323,该第一加热室1322包括第一下主体和第一上主体,并且该第一加热台1323设置在第一加热室1322中。第一加热室1322的第一上主体可以通过升降构件,在与第一下主体连接的关闭位置和与第一下主体间隔开的打开位置之间上下移动。用于排出第一加热室1322中的气体的第一排气管1324可以连接到第一加热室1322的第一上主体。第一排气管1324可以从第一加热室1322的第一上主体的出口端口延伸到下面将描述的第一排气导管1410的入口端口1411,并且第一加热室1322中的气体可以通过第一排气管1324和第一排气导管1410排出到外部。第一加热室1322的第一上主体具有入口端口1325,用于将处理气体供应到第一加热室1322中的第一供应管1813连接到入口端口1325,并且从气体供应装置1811提供的处理气体可以通过第一供应管1813供应到第一加热室1322中。第一加热台1323可以具有加热器(诸如热丝或热电元件),并且可以加热安装在安装表面上的衬底。
第一排气导管1410可以安装在第一支撑板1120上或从第一支撑板1120延伸的导管支架上,并且可以布置成与室门1200相邻。第一排气导管1410可以在第一水平方向X上跨越第一热处理空间PS1延伸,并且可以连接到设置在烘烤室1110外部的排气泵1911。当排气泵1911排空第一排气导管1410中的流动路径时,第一加热室1322中的包含污染物(例如烟气)的气体可以通过第一排气管1324和第一排气导管1410排放到外部。
第二排气导管1420可以设置在第一排气导管1410的一侧,并且可以安装在第一支撑板1120上或从第一支撑板1120延伸的导管支架上。第二排气导管1420可以在第一水平方向X上跨越第一热处理空间PS1延伸,并且可以连接到设置在烘烤室1110外部的减压构件1913(诸如真空泵)。用于使第二排气导管1420中的流动路径与第一加热室1322的内部空间连通的连接管1490可以设置在第二排气导管1420与被设置在第一加热室1322的第一下主体中的排气端口之间。减压构件1913可以通过连接管1490和第二排气导管1420排出在第一加热室1322的内部空间中的气体,从而控制第一加热室1322中的环境(诸如压力或温度)。例如,减压构件1913可以在第一加热室1322中提供常压环境或低于常压的减压环境。
第二排气导管1420可以包括在第一热处理空间PS1与第二排气导管1420的流动路径之间连通的多个连通孔1421。当减压构件1913使第二排气导管1420中的流动路径减压时,在第一热处理空间PS1中提供朝向多个连通孔1421的气流,因此可以消除在第一热处理空间PS1中的气流堵塞。
在实施例中,如图9所示,被配置成打开和关闭第二排气导管1420的多个连通孔1421的孔打开/关闭块1471可以设置在第二排气导管1420上。孔打开/关闭块1471可以包括负责打开和关闭多个连通孔1421的多个子打开/关闭块1472。例如,通过多个子打开/关闭块1472,可以关闭多个连通孔1421中的一些,并且可以打开多个连通孔1421中的另一些。多个子打开/关闭块1472的打开/关闭操作可以山致动器自动控制,或者可以山操作员实施。
第一密封支架1610可以联接到第一排气导管1410的面向室门1200的一侧。第一密封支架1610可以在第一水平方向X上跨越第一热处理空间PS1延伸。第一密封支架1610可以在第一水平方向X上沿第一排气导管1410延伸,并且可以从第一排气导管1410的一端延伸到另一端。
第一水平封装部1710可以设置在第一密封支架1610与室门1200之间,以密封第一密封支架1610与室门1200之间的间隙。第一水平封装部1710可以在第一水平方向X上从第一密封支架1610的一端延伸到另一端。具有与第一密封支架1610的形状和长度相对应的形状和宽度的第一水平块1241可以设置在门框架1210的内表面上。第一水平封装部1710可以在第一水平封装部1710延伸的方向上,与第一密封支架1610和第一水平块1241中的每个连续接触。第一水平封装部1710可以设置在第一密封支架1610与第一水平块1241之间,并且可以固定地联接到第一密封支架1610和第一水平块1241中的任何一个。例如,第一水平封装部1710可以固定地联接到第一密封支架1610,并且与第一水平块1241紧密接触,以在第一密封支架1610与第一水平块1241之间密封。
第一竖直封装部1720可以设置在第一分隔壁1510与室门1200之间,以密封第一分隔壁1510与室门1200之间的间隙。第一竖直封装部1720可以在竖直方向Z上沿第一分隔壁1510的面向室门1200的边缘延伸。第一竖直封装部1720可以在竖直方向Z上从第一分隔壁1510的边缘的下端延伸到上端。具有与第一分隔壁1520的长度相对应的长度的第一竖直块1242可以设置在门框架1210的内表面上。第一竖直封装部1720可以在第一竖直封装部1720延伸的方向上,与第一分隔壁1510和第一竖直块1242中的每个连续接触。第一竖直封装部1720可以设置在第一分隔壁1510与第一竖直块1242之间,并且可以固定地联接到第一分隔壁1510和第一竖直块1242中的任何一个。例如,第一竖直封装部1720可以固定地联接到第一分隔壁1510的边缘,并且与第一竖直块1242紧密接触,以在第一分隔壁1510与第一竖直块1242之间密封。
第一水平封装部1710和第一竖直封装部1720可以彼此直接连接。在实施例中,第一水平封装部1710和第一竖直封装部1720可以一体地形成并由相同的材料制成。
第一水平块1241和第一竖直块1242可以彼此直接连接。在实施例中,第一水平块1241和第一竖直块1242可以一体地形成并由相同的材料制成。
此外,衬底处理设备1000还可以包括第二支撑板1130、第二分隔壁1550、第二热处理模块PU2、第三排气导管1430、第四排气导管1440、第二密封支架1650、第二水平封装部1750和第二竖直封装部1730。
第二支撑板1130可以安装在烘烤室1110中,并且可以设置在第一支撑板1120的下侧。第二支撑板1130可以支撑第二热处理模块PU2。第二支撑板1130的安装有第二热处理模块PU2的安装表面(即上表面)可以基本上平行于第一水平方向X和第二水平方向Y。
第二分隔壁1550可以布置在第二支撑板1130上,以将设置在第二支撑板1130上的空间分隔成在第一水平方向X上彼此间隔开的第二热处理空间PS2。每个第二热处理空间PS2可以被限定为在两个相邻的第二分隔壁1550之间的空间,或在第二分隔壁1550与烘烤室1110的内表面之间的空间。第二分隔壁1550可以在垂直于第二支撑板1130的安装表面的方向上竖立,以阻挡在第二热处理空间PS2之间的朝向横向方向的气流。第二分隔壁1550可以在第二支撑板1130上在第二水平方向Y和竖直方向Z上延伸,第二分隔壁1550的下端可以与第二支撑板1130接触,并且第二分隔壁1550的上端可以与第一支撑板1120接触。第二分隔壁1550可以与第三排气导管1430和第四排气导管1440接触,第三排气导管1430和第四排气导管1440被布置成与室门1200相邻,并且封装部构件可以设置在第二分隔壁1550与第三排气导管1430之间以及在第二分隔壁1550与第四排气导管1440之间。
被配置成加热衬底的第二热处理模块PU2可以布置在通过第二分隔壁1550分离和分隔的第二热处理空间PS2的每个中。第二热处理模块PU2可以包括沿第二水平方向Y布置在第二支撑板1130上的第二冷却台1330和第二加热单元1340。尽管附图中未示出,但是可以在每个第二热处理空间PS2中设置衬底传送机器人,所述衬底传送机器人被配置成在第二冷却台1330与第二加热单元1340之间传送衬底。
第二加热单元1340可以包括第二加热室1342和第二加热台1343,第二加热室1342包括第二下主体和第二上主体,并且第二加热台1343设置在第二加热室1342中。第二加热室1342的配置可以与上述的第一加热室1322的配置基本上相同或相似,并且第二加热台1343可以与上述的第一加热台1323的配置基本上相同或相似,因此将省略其详细描述。用于排出第二加热室1342中的气体的第二排气管1344可以连接到第二加热室1342的第二上主体,并且第二排气管1344可以从第二加热室1342的第二上主体的出口端口延伸到下面将描述的第三排气导管1430的入口端口。输送从气体供应装置1811提供的处理气体的第二供应管1815可以连接到第二加热室1342的第二上主体的入口端口1345。
第三排气导管1430可以安装在第二支撑板1130上或从第二支撑板1130延伸的导管支架上,并且可以布置成与室门1200相邻。第三排气导管1430可以在第一水平方向X上跨越第二热处理空间PS2延伸,并且可以连接到设置在烘烤室1110外部的排气泵1911。当排气泵1911使第二排气导管1420中的流动路径排空时,第二加热室1342中的包含污染物(诸如烟气)的气体可以通过第二排气管1344和第三排气导管1430排放到外部。
第四排气导管1440可以设置在第三排气导管1430的一侧,并且可以安装在第二支撑板1130或从第二支撑板1130延伸的导管支架上。第四排气导管1440可以在第一水平方向X上跨越第二热处理空间PS2延伸,并且可以连接到设置在烘烤室1110外部的减压构件1913。可以在第四排气导管1440与设置在第二加热室1342的第二下主体中的排气端口之间设置连接管,所述连接管用于将第四排气导管1440中的流动路径与第二加热室1342的内部空间连通。减压构件1913可以通过第四排气导管1440以及在第四排气导管1440与第二加热室1342之间延伸的连接管,排出在第二加热室1342的内部空间中的气体,以控制第二加热室1342中的环境(诸如压力或温度)。
第四排气导管1440可以包括使第二热处理空间PS2与第四排气导管1440的流动路径之间连通的多个连通孔。当减压构件1913使第四排气导管1440中的流动路径减压时,在第二热处理空间PS2中提供朝向多个连通孔的气流,因此可以消除第二热处理空间PS2中的气流堵塞。此外,类似于上面参考图9描述的孔打开/关闭块1471,可以在第四排气导管1440上进一步设置被配置成打开和关闭第四排气导管1440的多个连通孔的孔打开/关闭块。
第二密封支架1650可以联接到第三排气导管1430的面向室门1200的一侧。第二密封支架1650可以在第一水平方向X上跨越第二热处理空间PS2延伸。第二密封支架1650可以在第一水平方向X上沿第二排气导管1420延伸,并且可以从第一排气导管1420的一端延伸到另一端。
第二水平封装部1750可以设置在第一密封支架1650与室门1200之间,以密封第二密封支架1650与室门1200之间的间隙。第二水平封装部1750可以在第一水平方向X上从第二密封支架1650的一端延伸到另一端。具有与第二密封支架1650的形状和长度相对应的形状和尺寸的第二水平块1245可以设置在门框架1210的内表面上。第二水平封装部1750可以在第二水平封装部1750延伸的方向上,与第二密封支架1650和第二水平块1245中的每个连续接触。第二水平封装部1750可以设置在第二密封支架1650与第二水平块1245之间,并且可以固定地联接到第二密封支架1 650和第二水平块1 245中的任何一个。例如,第二水平封装部1750可以固定地联接到第二密封支架1650,并且与第二水平块1245紧密接触,以在第二密封支架1650与第二水平块1245之间密封。
第二竖直封装部1730可以设置在第二分隔壁1550与室门1200之间,以密封第二分隔壁1550与室门1200之间的间隙。第二竖直封装部1730可以在竖直方向Z上沿第二分隔壁1550的面向室门1200的边缘延伸。第二竖直封装部1730可以在竖直方向Z上从第二分隔壁1550的边缘的下端延伸到上端。具有与第二分隔壁1550的长度相对应的长度的第二竖直块1243可以设置在门框架1210的内表面上。第二竖直封装部1730可以在第二竖直封装部1730延伸的方向上,与第二分隔壁1550和第二竖直块1243中的每个连续接触。第二竖直封装部1730可以设置在第二分隔壁1550与第二竖直块1243之间,并且可以固定地联接到第二分隔壁1550和第二竖直块1243中的任何一个。例如,第二竖直封装部1730可以固定地联接到第二分隔壁1550的边缘,并且与第二竖直块1243紧密接触,以在第二分隔壁1550与第二竖直块1243之间密封。
第二水平封装部1750和第二竖直封装部1730可以彼此直接连接。在实施例中,第二水平封装部1750和第二竖直封装部1730可以一体地形成并由相同的材料制成。此外,第二竖直封装部1730的上端可以连接到第一水平封装部1710。在实施例中,第一水平封装部1710、第一竖直封装部1720、第二水平封装部1750以及第二竖直封装部1730可以一体地形成并由相同的材料制成。
第二水平块1245和第二竖直块1243可以彼此直接连接。在实施例中,第二水平块1245和第二竖直块1243可以一体地形成并山相同的材料制成。此外,第二竖直块1243的上端可以连接到第一水平块1241。在实施例中,第一水平块1241、第一竖直块1242、第二水平块1245、以及第二竖直块1243可以一体地形成并山相同的材料制成。
在实施例中,可以在第一排气导管1410和第二排气导管1420的下方设置第一分离板1520,第一分离板1520被配置成阻挡在邻近室门1200的区域中的朝向竖直方向Z的气流。即,第一分离板1520可以阻挡在设置在第一支撑板1120的上侧上的第一热处理空间PS1与设置在第一支撑板1120下侧上的第二热处理空间PS2之间的气流。第一分离板1520可以连接到第一支撑板1120的面向室门1200的边缘,并且封装部构件可以设置在第一分离板1520与第一支撑板1120之间。第一分离板1520可以固定地联接到第一排气导管1410的底表面和/或第一排气导管1420的底表面,并且可以在第一水平方向X上从第一排气导管1440的一端延伸到另一端。
在实施例中,可以在第三排气导管1430和第四排气导管1440的下方设置第二分离板1560,第二分离板1560被配置成阻挡在邻近室门1200的区域中的朝向竖直方向Z的气流。即,第二分离板1560可以阻挡在设置在第二支撑板1130的上侧上的第二热处理空间PS2与设置在第二支撑板1130的下侧上的另一空间之间的气流。第二分离板1560可以连接到第二支撑板1130的面向室门1200的边缘,并且封装部构件可以设置在第二分离板1560与第二支撑板1130之间。第二分离板1560可以固定地联接到第三排气导管1430的底表面和/或第四排气导管1440的底表面,并且可以在第一水平方向X上从第三排气导管1430的一端延伸到另一端。
第一支撑板1120可以包括第一供应管1813穿过的开口,并且第二支撑板1130可以包括第一供应管1813和第二供应管1815穿过的开口。在实施例中,第一密封块1530覆盖并关闭第一支撑板1120的开口并且包括第一供应管1813穿过的管通孔,第一密封块1530可以安装在第一支撑板1120上,并且第二密封块1570覆盖并关闭第二支撑板1130的开口并且包括第一供应管1813和第二供应管1815穿过的管通孔,第二密封块1570可以安装在第二支撑板1130上。第一密封块1530可以阻挡朝向竖直方向Z并穿过第一支撑板1120的开口的气流,并且第二密封块1570可以阻挡朝向竖直方向Z并穿过第一支撑板1130的开口的气流。第一密封块1530的管通孔的尺寸可以与第一供应管1813的尺寸基本上相似,并且第二密封块1570的管通孔的尺寸可以与第一供应管1813的尺寸或第二供应管1815的尺寸基本上相似。设置在第一密封块1530中的管通孔的数量可以大于穿过第一密封块1530的第一供应管1813的数量,并且在这种情况下,第一密封块1530的未插入第一供应管1813的管通孔可以由单独的块关闭。类似地,设置在第二密封块1570中的管通孔的数量大于穿过第二密封块1570的第一供应管1813的数量和第二供应管1815的数量之和,并且在这种情况下,第二密封块1570的未插入第一供应管1813或第二供应管1815的管通孔可以山单独的块关闭。
在实施例中,用于将第一供应管1813和第二供应管1815彼此分离的管分离膜1590可以设置在第一支撑板1120与第二支撑板1130之间。管分离膜1590可以在竖直方向Z上从第一支撑板1120延伸到第二支撑板1130,并且可以具有围绕第一供应管1813的管状形状,或竖立在第一供应管1803与第二热处理模块PU2之间的平板形状。管分离膜1590可以将第一供应管1823穿过的路径与第二供应管1815穿过的路径彼此分离。此外,管分离膜1590可以布置在第二供应管1815与第二热处理模块PU2之间,以防止从第一支撑板1120的开口泄漏的气体流向第二热处理模块PU2。
根据实施例,烘烤室1110中的朝向横向方向且在横向方向上彼此相邻的热处理空间之间的气流可以被分隔壁和竖直封装部阻挡,因此,可以均匀地控制在横向方向上彼此相邻的热处理空间的环境。
此外,根据实施例,设置在烘烤室1110中的每个热处理空间可以通过排气导管的连通孔与排气导管的内部流动路径连通,并且可以在每个热处理空间中提供朝向减压排气导管的连通孔1421的气流。因此,可以消除在每个热处理空间中的气流堵塞现象,从而可以均匀地控制每个热处理空间中的环境。此外,朝向减压排气导管的连通孔1421的气流具有相对高的流量,因此可以抑制导致气流不均匀的湍流的产生。
此外,根据实施例,烘烤室1110中的朝向竖直方向Z的气流(例如,山热引起的向上气流)可以被密封板、水平封装部、分离板、和/或密封块阻挡或抑制,因此可以均匀地控制每个热处理空间的环境。
最后,根据实施例,通过控制烘烤室1110中的气流并因此均匀地控制每个热处理空间的环境,可以提高衬底处理的可靠性。
应当理解,本文中描述的实施例应当仅在描述意义上考虑,而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下,可以对实施例进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种衬底处理设备,包括:
烘烤室;
室门,所述室门打开和关闭所述烘烤室的开口;
第一支撑板,所述第一支撑板设置在所述烘烤室中;
第一分隔壁,所述第一分隔壁将设置在所述第一支撑板上的空间分隔成在第一水平方向上彼此间隔开的第一热处理空间,并且所述第一分隔壁在所述第一支撑板上在第二水平方向和竖直方向上延伸,其中所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向,并且所述竖直方向垂直于所述第一水平方向和所述第二水平方向;
第一热处理模块,所述第一热处理模块被布置在所述第一热处理空间中并且包括第一加热台,衬底分别被安装在所述第一加热台上;
第一排气导管,所述第一排气导管在所述第一水平方向上跨越所述第一热处理空间延伸,并且从所述第一热处理模块排出的气体被通过所述第一排气导管引导;
第一密封支架,所述第一密封支架被联接到所述第一排气导管并且所述第一密封支架在所述第一水平方向上沿所述第一排气导管延伸;
第一水平封装部,所述第一水平封装部在所述第一水平方向上沿所述第一密封支架延伸,并且所述第一水平封装部被配置成密封在所述第一密封支架与所述室门之间的间隙;以及
第一竖直封装部,所述第一竖直封装部在所述竖直方向上沿所述第一分隔壁的面向所述室门的边缘延伸,并且所述第一竖直封装部被配置成密封在所述第一分隔壁与所述室门之间的间隙。
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中,所述室门包括:
门框架;
第一水平块,所述第一水平块被设置在所述门框架的内表面上,并且所述第一水平块与所述第一水平封装部紧密接触;以及
第一竖直块,所述第一竖直块被设置在所述门框架的内表面上,并且所述第一竖直块与所述第一竖直封装部紧密接触。
3.根据权利要求1所述的衬底处理设备,还包括设置在所述第一排气导管的一侧上的第二排气导管,
其中,所述第二排气导管包括多个连通孔,所述连通孔使设置在所述第二排气导管中的流动路径与所述第一热处理空间之间连通。
4.根据权利要求3所述的衬底处理设备,还包括
孔打开/关闭块,所述孔打开/关闭块设置在所述第二排气导管上,以打开和关闭所述第二排气导管的多个连通孔。
5.根据权利要求1所述的衬底处理设备,进一步包括:
第二支撑板,所述第二支撑板设置在所述第一支撑板下方;
第二分隔壁,所述第二分隔壁将设置在所述第一支撑板与所述第二支撑板之间的空间分隔成在所述第一水平方向上彼此间隔开的第二热处理空间,并且所述第二分隔壁在所述第二水平方向和所述竖直方向上延伸;
第二热处理模块,所述第二热处理模块被布置在所述第二热处理空间中并且包括第二加热台,衬底分别被安装在所述第二加热台上;以及
第二竖直封装部,所述第二竖直封装部在所述竖直方向上沿所述第二分隔壁的面向所述室门的边缘延伸,并且所述第二竖直封装部被配置成密封在所述第二分隔壁与所述室门之间的间隙。
6.根据权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述室门包括:
门框架;以及
第二竖直块,所述第二竖直块被设置在所述门框架的内表面上,并且与所述第二竖直封装部紧密接触。
7.根据权利要求5所述的衬底处理设备,还包括第一分离板,所述第一分离板被设置在所述第一排气导管的下方,并且被配置成阻挡在所述第一热处理空间与所述第二热处理空间之间的气流。
8.根据权利要求5所述的衬底处理设备,还包括:
第一供应管,所述第一供应管被配置成将处理气体输送到容纳有所述第一加热台的第一室,并且所述第一供应管延伸穿过所述第一支撑板的开口和所述第二支撑板的开口;以及
第二供应管,所述第二供应管被配置成将处理气体输送到容纳有所述第二加热台的第二室,并且所述第二供应管延伸穿过所述第二支撑板的开口。
9.根据权利要求8所述的衬底处理设备,还包括:
第一密封块,所述第一密封块联接到所述第一支撑板以覆盖所述第一支撑板的开口,并且所述第一密封块包括所述第一供应管穿过的管通孔;以及
第二密封块,所述第二密封块联接到所述第二支撑板以覆盖所述第二支撑板的开口,并且所述第二密封块包括所述第一供应管和所述第二供应管穿过的管通孔。
10.根据权利要求8所述的衬底处理设备,还包括管分离膜,所述管分离膜在所述第一支撑板与所述第二支撑板之间沿所述竖直方向延伸,并且所述管分离膜被布置在所述第一供应管与所述第二供应管之间。
11.根据权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述第一热处理模块中的每个第一热处理模块还包括衬底被安装在其上的第一冷却台,并且
所述第二热处理模块中的每个第二热处理模块还包括衬底被安装在其上的第二冷却台。
12.一种衬底处理设备,包括:
烘烤室;
室门,所述室门打开和关闭所述烘烤室的开口;
第一支撑板,所述第一支撑板被设置在所述烘烤室中;
加热单元,所述加热单元被布置在设置在所述第一支撑板上的第一热处理空间中,并且所述加热单元包括被配置成加热衬底的第一加热台和容纳所述第一加热台的第一加热室;
第一排气导管,所述第一排气导管连接至第一排气管并且将通过所述第一排气管引导的气体排放到外部,所述第一排气管连接至所述第一加热室的上侧;
第二排气导管,所述第二排气导管被设置在所述第一排气导管的一侧上并且包括多个连通孔,所述连通孔使所述第一热处理空间与设置在所述第二排气导管中的内部流动路径之间连通;
连接管,所述连接管在所述第二排气导管与所述第一加热室之间延伸,以使所述第二排气导管中的内部流动路径与所述第一加热室中的空间之间连通;
密封支架,所述密封支架联接到所述第一排气导管的面向所述室门的一侧,并且在所述第一排气导管延伸的方向上延伸;以及
水平封装部,所述水平封装部沿所述密封支架延伸,并且被配置成密封所述密封支架与所述室门之间的间隙。
13.根据权利要求12所述的衬底处理设备,还包括第一分隔壁,所述第一分隔壁在所述第一支撑板上沿所述竖直方向竖立,以将所述第一热处理空间分隔成多个空间,
其中,所述第一分隔壁连接到所述第一排气导管和所述第二排气导管,并且
被配置成密封在所述室门与所述第一分隔壁之间的间隙的第一竖直封装部被联接到所述第一分隔壁的面向所述室门的边缘。
14.根据权利要求12所述的衬底处理设备,还包括孔打开/关闭块,所述孔打开/关闭块设置在所述第二排气导管上,以打开和关闭所述第二排气导管的多个连通孔。
15.根据权利要求12所述的衬底处理设备,还包括冷却台,所述冷却台被布置在设置在所述第一支撑板上的所述第一热处理空间中,并且所述冷却台被配置成冷却所述衬底。
16.根据权利要求12所述的衬底处理设备,还包括:
第二支撑板,所述第二支撑板设置在所述第一支撑板下方;
第二加热单元,所述第二加热单元被布置在设置在所述第一支撑板与所述第二支撑板之间的第二热处理空间中,并且所述第二加热单元包括被配置成加热衬底的第二加热台和容纳所述第二加热台的第二加热室;
第三排气导管,所述第三排气导管连接至第二排气管并且将通过所述第二排气管引导的气体排放到外部,所述第二排气管连接至所述第一加热室的上侧;以及
第四排气导管,所述第四排气导管被设置在所述第三排气导管的一侧上并且包括多个连通孔,所述连通孔使所述第二热处理空间与设置在所述第四排气导管中的内部流动路径之间连通。
17.根据权利要求16所述的衬底处理设备,还包括第二分隔壁,所述第二分隔壁在所述第二支撑板上沿所述竖直方向竖立,以将所述第二热处理空间分隔成多个空间,
其中,所述第二分隔壁连接到所述第三排气导管和所述第四排气导管,并且
被配置成密封在所述室门与所述第二分隔壁之间的间隙的第二竖直封装部被联接到所述第二分隔壁的面向所述室门的边缘。
18.根据权利要求16所述的衬底处理设备,还包括:
第一供应管,所述第一供应管被配置成将处理气体输送到所述第一加热室,并且所述第一供应管延伸穿过所述第一支撑板的开口和所述第二支撑板的开口;以及
第二供应管,所述第二供应管被配置成将处理气体输送到所述第二加热室,并且所述第二供应管延伸穿过所述第二支撑板的开口;
第一密封块,所述第一密封块联接到所述第一支撑板以覆盖所述第一支撑板的开口,并且包括所述第一供应管穿过的管通孔;以及
第二密封块,所述第二密封块联接到所述第二支撑板以覆盖所述第二支撑板的开口,并且包括所述第一供应管和所述第二供应管穿过的管通孔。
19.一种衬底处理设备,包括:
烘烤室;
室门,所述室门打开和关闭所述烘烤室的开口;
第一支撑板,所述第一支撑板设置在所述烘烤室中;
第一分隔壁,所述第一分隔壁将设置在所述第一支撑板上的空间分隔成在第一水平方向上彼此间隔开的第一热处理空间,并且在所述第一支撑板上在第二水平方向和竖直方向上延伸,其中所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向,并且所述竖直方向垂直于所述第一水平方向和所述第二水平方向;
第一热处理模块,所述第一热处理模块被布置在所述第一热处理空间中,所述第一热处理模块中的每个第一热处理模块包括被配置成冷却衬底的第一冷却台和被配置成加热所述衬底的第一加热台;
第一排气导管,所述第一排气导管在所述第一水平方向上跨越所述第一热处理空间延伸,并且从所述第一热处理模块排出的气体通过所述第一排气导管引导;
第二排气导管,所述第二排气导管在所述第一水平方向上跨越所述第一热处理空间延伸,并且包括多个连通孔,所述连通孔使设置在所述第二排气导管中的流动路径与所述第一热处理空间之间连通;
第一密封支架,所述第一密封支架联接到所述第一排气导管并且在所述第一水平方向上沿所述第一排气导管延伸;
第一水平封装部,所述第一水平封装部在所述第一水平方向上沿所述第一密封支架延伸,并且被配置成密封在所述第一密封支架与所述室门之间的间隙;以及
第一竖直封装部,所述第一竖直封装部在所述竖直方向上沿所述第一分隔壁的面向所述室门的边缘延伸,并且被配置成密封在所述第一分隔壁与所述室门之间的间隙;
第二支撑板,所述第二支撑板设置在所述第一支撑板下方;
第二分隔壁,所述第二分隔壁将设置在所述第一支撑板与所述第二支撑板之间的空间分隔成在所述第一水平方向上彼此间隔开的第二热处理空间,并且所述第二分隔壁在所述第二水平方向和所述竖直方向上延伸;
第二热处理模块,所述第二热处理模块被布置在所述第二热处理空间中,并且所述第二热处理模块中的每个第二热处理模块包括被配置成冷却衬底的第二冷却台和被配置成加热所述衬底的第二加热台;以及
第二竖直封装部,所述第二竖直封装部在所述竖直方向上沿所述第二分隔壁的面向所述室门的边缘延伸,并且被配置成密封在所述第二分隔壁与所述室门之间的间隙。
20.根据权利要求19所述的衬底处理设备,其中,所述室门包括:
第一水平块,所述第一水平块与所述第一水平封装部紧密接触;
第一竖直块,所述第一竖直块与所述第一竖直封装部紧密接触,并且连接至所述第一水平块;以及
第二竖直块,所述第二竖直块与所述第二竖直封装部紧密接触,并且连接至所述第一水平块,
其中,所述第一水平封装部在所述第一水平封装部延伸的方向上与所述第一密封支架和所述第一水平块中的每一个连续接触,
所述第一竖直封装部在所述第一竖直封装部延伸的方向上与所述第一分隔壁和所述第一竖直块中的每一个连续接触,
所述第二竖直封装部在所述第二竖直封装部延伸的方向上与所述第二分隔壁和所述第二竖直块中的每一个连续接触,并且
所述第一竖直封装部和所述第二竖直封装部均直接连接到所述第一水平封装部。
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