JP2001093827A - 処理システム - Google Patents
処理システムInfo
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- JP2001093827A JP2001093827A JP2000195805A JP2000195805A JP2001093827A JP 2001093827 A JP2001093827 A JP 2001093827A JP 2000195805 A JP2000195805 A JP 2000195805A JP 2000195805 A JP2000195805 A JP 2000195805A JP 2001093827 A JP2001093827 A JP 2001093827A
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- JP
- Japan
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- transfer
- processing
- exhaust
- substrate
- processing chamber
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Ventilation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 システム内に形成された気流を乱すようなこ
とがない処理システムを提供すること。 【解決手段】 第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手
段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４
の両方が同時に下方向に移動するとき、制御部１３９の
制御によって排気ファン１３５〜１３８の排気量が多く
なり、これにより清浄エアーのダウンフローが強まるよ
うになっている。第１搬送装置５０におけるウェハ搬送
手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６
４の両方が同時に下方向に移動した場合に生じる気流の
乱れは、このように強められたダウンフローによって吸
収される。
とがない処理システムを提供すること。 【解決手段】 第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手
段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４
の両方が同時に下方向に移動するとき、制御部１３９の
制御によって排気ファン１３５〜１３８の排気量が多く
なり、これにより清浄エアーのダウンフローが強まるよ
うになっている。第１搬送装置５０におけるウェハ搬送
手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６
４の両方が同時に下方向に移動した場合に生じる気流の
乱れは、このように強められたダウンフローによって吸
収される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イス製造に用いられる処理システムに関する。
イス製造に用いられる処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ（以
下、「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液
を供給してレジスト膜を形成し、所定のパターンを露光
した後に、このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
ジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ（以
下、「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液
を供給してレジスト膜を形成し、所定のパターンを露光
した後に、このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
【０００３】かかる塗布現像処理システムの一形態とし
て、ウェハを垂直方向に搬送する垂直搬送型の搬送装置
の周囲に、ウェハ上にレジストを塗布するためのレジス
ト塗布ユニット、現像液を供給するための現像処理ユニ
ット、加熱処理ユニット等の各種の処理ユニットを多段
に配置した構成は既に公知である。また、このような塗
布現像処理システムにおいては、一般にシステム内に清
浄エアーのダウンフローを形成してパーティクルの拡散
を防止している。
て、ウェハを垂直方向に搬送する垂直搬送型の搬送装置
の周囲に、ウェハ上にレジストを塗布するためのレジス
ト塗布ユニット、現像液を供給するための現像処理ユニ
ット、加熱処理ユニット等の各種の処理ユニットを多段
に配置した構成は既に公知である。また、このような塗
布現像処理システムにおいては、一般にシステム内に清
浄エアーのダウンフローを形成してパーティクルの拡散
を防止している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
塗布現像処理システムでは、処理能力を向上させるた
め、システム内に搬送装置を複数配置し、各搬送装置の
周囲にそれぞれ処理ユニットを配置することが考えられ
るが、システム内に搬送装置が複数配置されると、特に
これらの搬送装置が同時に下方向に移動するような場合
にシステム内に形成された清浄エアーのダウンフローが
乱れ、パーティクルがシステム内で拡散する虞がある。
また、これらの搬送装置から移動時に吹き出されたパー
ティクルを多く含む気体がその周囲に配置された処理ユ
ニット内に進入し、処理不良の原因になる、という問題
もある。
塗布現像処理システムでは、処理能力を向上させるた
め、システム内に搬送装置を複数配置し、各搬送装置の
周囲にそれぞれ処理ユニットを配置することが考えられ
るが、システム内に搬送装置が複数配置されると、特に
これらの搬送装置が同時に下方向に移動するような場合
にシステム内に形成された清浄エアーのダウンフローが
乱れ、パーティクルがシステム内で拡散する虞がある。
また、これらの搬送装置から移動時に吹き出されたパー
ティクルを多く含む気体がその周囲に配置された処理ユ
ニット内に進入し、処理不良の原因になる、という問題
もある。
【０００５】本発明は、かかる事情に対処するもので、
システム内に形成された気流を乱すようなことがない処
理システムを提供することを目的としている。
システム内に形成された気流を乱すようなことがない処
理システムを提供することを目的としている。
【０００６】本発明の目的は、搬送装置から処理室（ユ
ニット）内にパーティクルを多く含んだ気体が進入する
ようなことがない処理システムを提供することにある。
ニット）内にパーティクルを多く含んだ気体が進入する
ようなことがない処理システムを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送す
る搬送装置を複数有する処理システムにおいて、前記複
数の搬送装置の移動に応じて該システム内の気流を制御
することを特徴とする。その一態様として、前記複数の
搬送装置が同時に下方向に移動するとき該システム内の
下向きの気流を強めることを特徴とする。
め、本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送す
る搬送装置を複数有する処理システムにおいて、前記複
数の搬送装置の移動に応じて該システム内の気流を制御
することを特徴とする。その一態様として、前記複数の
搬送装置が同時に下方向に移動するとき該システム内の
下向きの気流を強めることを特徴とする。
【０００８】本発明では、例えば複数の搬送装置が同時
に下方向に移動するとき該システム内の下向きの気流を
強めているので、複数の搬送装置が同時に下方向に移動
するときに生じる下方向の気流がシステム内の気流によ
って吸収され、システム内に形成された気流を乱すよう
なことはなくなる。
に下方向に移動するとき該システム内の下向きの気流を
強めているので、複数の搬送装置が同時に下方向に移動
するときに生じる下方向の気流がシステム内の気流によ
って吸収され、システム内に形成された気流を乱すよう
なことはなくなる。
【０００９】本発明の処理システムは、垂直方向に基板
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、前記搬送装置の移動に応じて前記処理室内の圧力
を制御することを特徴とする。その一態様として、少な
くとも１つの前記搬送装置が移動するとき前記処理室内
の圧力を高めることを特徴とする。
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、前記搬送装置の移動に応じて前記処理室内の圧力
を制御することを特徴とする。その一態様として、少な
くとも１つの前記搬送装置が移動するとき前記処理室内
の圧力を高めることを特徴とする。
【００１０】本発明では、例えば１つの搬送装置が移動
するとき処理室内の圧力を高めているので、搬送装置の
移動時に搬送装置から吹き出されたパーティクルを多く
含む気体が処理室内に進入することはなくなる。
するとき処理室内の圧力を高めているので、搬送装置の
移動時に搬送装置から吹き出されたパーティクルを多く
含む気体が処理室内に進入することはなくなる。
【００１１】本発明の処理システムは、垂直方向に基板
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、少なくとも１つの前記搬送装置が移動するときに
前記処理室内の気体を前記搬送装置に向けて吹き出すよ
うに制御することを特徴とする。
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、少なくとも１つの前記搬送装置が移動するときに
前記処理室内の気体を前記搬送装置に向けて吹き出すよ
うに制御することを特徴とする。
【００１２】本発明では、少なくとも１つの搬送装置が
移動するときに処理室内の気体を搬送装置に向けて吹き
出すように制御しているので、搬送装置の移動時に搬送
装置から吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処
理室内に進入することはなくなる。
移動するときに処理室内の気体を搬送装置に向けて吹き
出すように制御しているので、搬送装置の移動時に搬送
装置から吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処
理室内に進入することはなくなる。
【００１３】本発明の処理システムは、垂直方向に基板
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、前記処理室の、前記搬送装置との間で基板を受け
渡すための開口部にシャッター部材を設け、前記搬送装
置の移動に応じて前記シャッター部材による前記開口部
の開閉を制御することを特徴とする。その一態様とし
て、前記複数の搬送装置が同時に移動するときに前記シ
ャッター部材により前記開口部を閉じることを特徴とす
る。
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、前記処理室の、前記搬送装置との間で基板を受け
渡すための開口部にシャッター部材を設け、前記搬送装
置の移動に応じて前記シャッター部材による前記開口部
の開閉を制御することを特徴とする。その一態様とし
て、前記複数の搬送装置が同時に移動するときに前記シ
ャッター部材により前記開口部を閉じることを特徴とす
る。
【００１４】本発明では、複数の搬送装置が同時に移動
するときにシャッター部材により処理室に設けられた開
口部を閉じているので、搬送装置の移動時に搬送装置か
ら吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処理室内
に進入することはなくなる。なお、搬送装置が移動する
ときには搬送装置と処理室との間で基板の受け渡しは行
われないので、開口部を閉じることは処理上何の問題も
ない。
するときにシャッター部材により処理室に設けられた開
口部を閉じているので、搬送装置の移動時に搬送装置か
ら吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処理室内
に進入することはなくなる。なお、搬送装置が移動する
ときには搬送装置と処理室との間で基板の受け渡しは行
われないので、開口部を閉じることは処理上何の問題も
ない。
【００１５】本発明の処理システムは、上記構成の処理
システムにおいて、前記処理室内を排気する排気手段を
更に設け、前記シャッター部材により前記開口部を閉じ
ているときには前記処理室内の排気を強くし、前記開口
部を開いているときには前記処理室内の排気を弱くする
ことを特徴とする。
システムにおいて、前記処理室内を排気する排気手段を
更に設け、前記シャッター部材により前記開口部を閉じ
ているときには前記処理室内の排気を強くし、前記開口
部を開いているときには前記処理室内の排気を弱くする
ことを特徴とする。
【００１６】本発明では、開口部を開いているときには
処理室内の排気を弱くしているので、処理室が周囲と比
べ陽圧となり、開口部から処理室内にパーティクル等を
含んだ気体が進入することはなくなる。
処理室内の排気を弱くしているので、処理室が周囲と比
べ陽圧となり、開口部から処理室内にパーティクル等を
含んだ気体が進入することはなくなる。
【００１７】本発明の処理システムは、垂直方向に基板
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、上記搬送装置近傍に、上方移動する該搬送装置で
生じた圧力上昇に伴うエアーを流入口から流入させて排
気口から排気するバイパス手段を設けたことを特徴とす
る。
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、上記搬送装置近傍に、上方移動する該搬送装置で
生じた圧力上昇に伴うエアーを流入口から流入させて排
気口から排気するバイパス手段を設けたことを特徴とす
る。
【００１８】本発明によれば、搬送装置が上昇移動する
とき、搬送装置の上部空間の圧力が増大しても、エアー
の一部はバイパス手段を介して排気口から排気される。
このため、搬送装置は圧力上昇を伴うことがなく、清浄
アエーは乱れることなく搬送装置ないを下向きに流れて
外部へ放出される。
とき、搬送装置の上部空間の圧力が増大しても、エアー
の一部はバイパス手段を介して排気口から排気される。
このため、搬送装置は圧力上昇を伴うことがなく、清浄
アエーは乱れることなく搬送装置ないを下向きに流れて
外部へ放出される。
【００１９】また、本発明の処理システムは、垂直方向
に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装
置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システ
ムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向け
て供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向
に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送
装置を検知し、下方向に移動する前から前記供給装置を
作動させるように構成したことを特徴とする。
に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装
置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システ
ムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向け
て供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向
に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送
装置を検知し、下方向に移動する前から前記供給装置を
作動させるように構成したことを特徴とする。
【００２０】本発明によれば、下向きに移動する搬送装
置を事前に察知し、これに応じて搬送装置が下向きに移
動する前から予め作動させておくため、搬送装置内のエ
アーを過不足することなく供給でき、そのためエアーの
流れにかく乱が生じることがなく、微粒子の付着を抑制
することができる。
置を事前に察知し、これに応じて搬送装置が下向きに移
動する前から予め作動させておくため、搬送装置内のエ
アーを過不足することなく供給でき、そのためエアーの
流れにかく乱が生じることがなく、微粒子の付着を抑制
することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の実施の形態について説明する。図１〜図３は実施
の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示し、図
１は平面から、図２、図３は側面から見た様子を各々示
している。
発明の実施の形態について説明する。図１〜図３は実施
の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示し、図
１は平面から、図２、図３は側面から見た様子を各々示
している。
【００２２】この塗布現像処理システム１は、例えば２
５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理
システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対して
ウェハＷを搬入出するためのカセットステーション２
と、塗布現像処理工程の中でウェハＷに対して所定の処
理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる
処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接
して設けられる露光装置４との間でウェハＷの受け渡し
をするためのインターフェイス部５とを一体に接続した
構成を有している。
５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理
システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対して
ウェハＷを搬入出するためのカセットステーション２
と、塗布現像処理工程の中でウェハＷに対して所定の処
理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる
処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接
して設けられる露光装置４との間でウェハＷの受け渡し
をするためのインターフェイス部５とを一体に接続した
構成を有している。
【００２３】カセットステーション２では、カセット載
置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカ
セットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に
向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方
向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配列方向
（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体１１が
搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対
して選択的にアクセスできるようになっている。
置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカ
セットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に
向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方
向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配列方向
（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体１１が
搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対
して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２４】このウェハ搬送体１１はθ方向にも回転自
在に構成されており、後述する第１熱処理ユニット群７
０や第３熱処理ユニット群９０に属するアライメントユ
ニット７１、エクステンションユニット７２に対してア
クセスできるように構成されている。
在に構成されており、後述する第１熱処理ユニット群７
０や第３熱処理ユニット群９０に属するアライメントユ
ニット７１、エクステンションユニット７２に対してア
クセスできるように構成されている。
【００２５】処理ステーション３では、正面側にレジス
ト・反射防止膜塗布ユニット群２０が、背面側に現像処
理ユニット群３０がそれぞれ配置されている。正面側に
現像処理ユニット群３０を、背面側にレジスト・反射防
止膜塗布ユニット群２０をそれぞれ配置しても勿論構わ
ない。
ト・反射防止膜塗布ユニット群２０が、背面側に現像処
理ユニット群３０がそれぞれ配置されている。正面側に
現像処理ユニット群３０を、背面側にレジスト・反射防
止膜塗布ユニット群２０をそれぞれ配置しても勿論構わ
ない。
【００２６】レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０
は図２及び図３に示すように、カップＣＰ内でウェハＷ
をスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウ
ェハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユ
ニット２１、２２が並列配置され、さらにこれら各レジ
スト塗布ユニット２１、２２の上段にはカップＣＰ内で
ウェハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布し
て、該ウェハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射
防止膜塗布ユニット２３、２４が並列配置されている。
は図２及び図３に示すように、カップＣＰ内でウェハＷ
をスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウ
ェハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユ
ニット２１、２２が並列配置され、さらにこれら各レジ
スト塗布ユニット２１、２２の上段にはカップＣＰ内で
ウェハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布し
て、該ウェハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射
防止膜塗布ユニット２３、２４が並列配置されている。
【００２７】並列に配置されたレジスト塗布ユニット２
１、２２（反射防止膜塗布ユニット２３、２４）間に
は、受け渡し部２５及び中継搬送部２８が配置されてい
る。受け渡し部２５では、図４に示すように、下段にウ
ェハＷを２３℃に温調するための温調台２６が配置さ
れ、上段に載置台２７が配置されている。温調台２６
は、ペルチェ素子等の冷却手段（図示を省略）が埋め込
まれた冷却板２６ａ表面から複数の支持ピン２６ｂを出
没可能に配置して構成される。また載置台２７は、その
表面に複数の固定支持ピン２７ａを配置して構成され
る。中継搬送部２８は、受け渡し部２５における温調台
２６、載置台２７及びレジスト塗布ユニット２１、２
２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４との間でウェハ
Ｗの受け渡しが可能なように、図示を省略した駆動系に
よって、これらに対して進退自在であり、θ方向に回転
可能であり、更にＺ方向に昇降可能である搬送アーム２
９を有する。
１、２２（反射防止膜塗布ユニット２３、２４）間に
は、受け渡し部２５及び中継搬送部２８が配置されてい
る。受け渡し部２５では、図４に示すように、下段にウ
ェハＷを２３℃に温調するための温調台２６が配置さ
れ、上段に載置台２７が配置されている。温調台２６
は、ペルチェ素子等の冷却手段（図示を省略）が埋め込
まれた冷却板２６ａ表面から複数の支持ピン２６ｂを出
没可能に配置して構成される。また載置台２７は、その
表面に複数の固定支持ピン２７ａを配置して構成され
る。中継搬送部２８は、受け渡し部２５における温調台
２６、載置台２７及びレジスト塗布ユニット２１、２
２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４との間でウェハ
Ｗの受け渡しが可能なように、図示を省略した駆動系に
よって、これらに対して進退自在であり、θ方向に回転
可能であり、更にＺ方向に昇降可能である搬送アーム２
９を有する。
【００２８】そして、後述する第１搬送装置５０から温
調台２６にウェハＷが受け渡され、それを搬送アーム２
９がいずれかのレジスト塗布ユニット２１、２２、反射
防止膜塗布ユニット２３、２４に受け渡し、その後搬送
アーム２９がレジスト或いは反射防止膜の塗布されたウ
ェハＷをレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜
塗布ユニット２３、２４から受け取り、載置台２７上に
載せ、それを第１搬送装置５０が受け取るようになって
いる。
調台２６にウェハＷが受け渡され、それを搬送アーム２
９がいずれかのレジスト塗布ユニット２１、２２、反射
防止膜塗布ユニット２３、２４に受け渡し、その後搬送
アーム２９がレジスト或いは反射防止膜の塗布されたウ
ェハＷをレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜
塗布ユニット２３、２４から受け取り、載置台２７上に
載せ、それを第１搬送装置５０が受け取るようになって
いる。
【００２９】このように第１搬送装置５０から直接レジ
スト塗布ユニット等に渡すのではなく、一旦レジスト・
反射防止膜塗布ユニット群２０内に配置された温調台２
６を介してレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止
膜塗布ユニット２３、２４に渡すように構成しているの
で、ウェハＷをより正確な温度に温調した状態でレジス
ト塗布や反射防止膜塗布を行うことができ、また第１搬
送装置５０側からレジスト塗布ユニット２１、２２、反
射防止膜塗布ユニット２３、２４にパーティクルが進入
することが少なくなる。
スト塗布ユニット等に渡すのではなく、一旦レジスト・
反射防止膜塗布ユニット群２０内に配置された温調台２
６を介してレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止
膜塗布ユニット２３、２４に渡すように構成しているの
で、ウェハＷをより正確な温度に温調した状態でレジス
ト塗布や反射防止膜塗布を行うことができ、また第１搬
送装置５０側からレジスト塗布ユニット２１、２２、反
射防止膜塗布ユニット２３、２４にパーティクルが進入
することが少なくなる。
【００３０】現像処理ユニット群３０についてもレジス
ト・反射防止膜塗布ユニット群２０と同様に構成されて
いる。即ち、現像処理ユニット群３０は、カップＣＰ内
でウェハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給し
て、該ウェハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニッ
ト３１、３２が並列配置され、さらにこれら各現像処理
ユニット３１、３２の上段には現像処理ユニット３３、
３４が積み重ねられて構成されている。
ト・反射防止膜塗布ユニット群２０と同様に構成されて
いる。即ち、現像処理ユニット群３０は、カップＣＰ内
でウェハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給し
て、該ウェハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニッ
ト３１、３２が並列配置され、さらにこれら各現像処理
ユニット３１、３２の上段には現像処理ユニット３３、
３４が積み重ねられて構成されている。
【００３１】並列に配置された現像処理ユニット３１、
３２（３３、３４）間には、受け渡し部３５及び中継搬
送部３８が配置されている。受け渡し部３５及び中継搬
送部３８の構成については、図４に示したものと同様な
ので説明を省略する。そして、この場合も、ウェハＷを
より正確な温度に温調した状態で現像処理を行うことが
でき、また第２搬送装置６０側から現像処理ユニット３
１、３２、３３、３４にパーティクルが進入することが
少なくなる。
３２（３３、３４）間には、受け渡し部３５及び中継搬
送部３８が配置されている。受け渡し部３５及び中継搬
送部３８の構成については、図４に示したものと同様な
ので説明を省略する。そして、この場合も、ウェハＷを
より正確な温度に温調した状態で現像処理を行うことが
でき、また第２搬送装置６０側から現像処理ユニット３
１、３２、３３、３４にパーティクルが進入することが
少なくなる。
【００３２】図１に示したように、処理ステーション３
の中心部には、ウェハＷを載置自在な受け渡し台４０が
備えられている。受け渡し台４０は例えば多段に構成し
てもよい。
の中心部には、ウェハＷを載置自在な受け渡し台４０が
備えられている。受け渡し台４０は例えば多段に構成し
てもよい。
【００３３】この受け渡し台４０を挟んで上記レジスト
・反射防止膜塗布ユニット群２０と現像処理ユニット群
３０とは相対向しており、レジスト・反射防止膜塗布ユ
ニット群２０と受け渡し台４０との間には第１搬送装置
５０が、現像処理ユニット群３０と受け渡し台４０との
間には第２搬送装置６０がそれぞれ装備されている。
・反射防止膜塗布ユニット群２０と現像処理ユニット群
３０とは相対向しており、レジスト・反射防止膜塗布ユ
ニット群２０と受け渡し台４０との間には第１搬送装置
５０が、現像処理ユニット群３０と受け渡し台４０との
間には第２搬送装置６０がそれぞれ装備されている。
【００３４】第１搬送装置５０と第２の搬送装置６０と
は基本的に同一の構成を有しており、第１搬送装置５０
の構成を図５に基づいて説明すると、第１搬送装置５０
は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部
５１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向
（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段５４（６４）を
備えている。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接
続されており、このモータ５５の回転駆動力で、前記回
転軸を中心としてウェハ搬送手段５４と共に一体に回転
する。従って、ウェハ搬送手段５４はθ方向に回転自在
となっている。
は基本的に同一の構成を有しており、第１搬送装置５０
の構成を図５に基づいて説明すると、第１搬送装置５０
は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部
５１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向
（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段５４（６４）を
備えている。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接
続されており、このモータ５５の回転駆動力で、前記回
転軸を中心としてウェハ搬送手段５４と共に一体に回転
する。従って、ウェハ搬送手段５４はθ方向に回転自在
となっている。
【００３５】ウェハ搬送手段５４の搬送基台５６上に
は、ウェハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット
５７、５８が上下に備えられている。各ピンセット５
７、５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持
体５３の両壁部５１、５２間の側面開口部を通過自在な
形態及び大きさを有している。また、各ピンセット５
７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せ
ず）により前後方向の移動が自在となっている。
は、ウェハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット
５７、５８が上下に備えられている。各ピンセット５
７、５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持
体５３の両壁部５１、５２間の側面開口部を通過自在な
形態及び大きさを有している。また、各ピンセット５
７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せ
ず）により前後方向の移動が自在となっている。
【００３６】第１搬送装置５０及び第２の搬送装置６０
の両側には、熱処理ユニットが配置されている。熱処理
ユニットには、第１熱処理ユニット７０と、第２熱処理
ユニット８０と、第３熱処理ユニット９０と、第４熱処
理ユニット１００とがあり、第１熱処理ユニット７０及
び第３熱処理ユニット９０はカセットステーション２側
に、第２熱処理ユニット８０及び第４熱処理ユニット１
００はインターフェイス部５側に夫々配置されている。
の両側には、熱処理ユニットが配置されている。熱処理
ユニットには、第１熱処理ユニット７０と、第２熱処理
ユニット８０と、第３熱処理ユニット９０と、第４熱処
理ユニット１００とがあり、第１熱処理ユニット７０及
び第３熱処理ユニット９０はカセットステーション２側
に、第２熱処理ユニット８０及び第４熱処理ユニット１
００はインターフェイス部５側に夫々配置されている。
【００３７】各熱処理ユニット群７０、８０、９０、１
００には、ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユ
ニット７１と、ウェハＷを待機させるエクステンション
ユニット７２と、ウェハＷを加熱処理する加熱処理ユニ
ット７３〜７７とが下から順に、例えば７段に積み重ね
られたものが配置される。
００には、ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユ
ニット７１と、ウェハＷを待機させるエクステンション
ユニット７２と、ウェハＷを加熱処理する加熱処理ユニ
ット７３〜７７とが下から順に、例えば７段に積み重ね
られたものが配置される。
【００３８】インターフェイス部５には、ウェハＷを搬
送するウェハ搬送体１１０が設けられており、ウェハ搬
送体１１０は搬送レール１１１に沿ったＸ方向の移動
と、Ｚ方向（垂直方向）の移動と、θ方向の回転とがい
ずれも自在である。ウェハ搬送体１１０は、露光装置４
と、第２熱処理ユニット８０及び第４熱処理ユニット１
００に属するエクステンションユニット７２と、ウェハ
Ｗの周縁部を露光する周辺露光装置１１２との間でウェ
ハＷを搬送することができるように構成されている。
送するウェハ搬送体１１０が設けられており、ウェハ搬
送体１１０は搬送レール１１１に沿ったＸ方向の移動
と、Ｚ方向（垂直方向）の移動と、θ方向の回転とがい
ずれも自在である。ウェハ搬送体１１０は、露光装置４
と、第２熱処理ユニット８０及び第４熱処理ユニット１
００に属するエクステンションユニット７２と、ウェハ
Ｗの周縁部を露光する周辺露光装置１１２との間でウェ
ハＷを搬送することができるように構成されている。
【００３９】図６はこのように構成された塗布現像処理
システム１における清浄エアー供給系の構成を示す図で
ある。
システム１における清浄エアー供給系の構成を示す図で
ある。
【００４０】図６に示すように、この塗布現像処理シス
テム１の上部には清浄エアーをシステム内に導入するた
めの供給口１２１〜１２４が設けられ、塗布現像処理シ
ステム１の下部には清浄エアーをシステム外に排気する
ための排出口１２５〜１２８が設けられている。例えば
供給口１２１〜１２４や排出口１２５〜１２８は、それ
ぞれ処理の種類に応じた領域に対応して設けられてい
る。ここでは、供給口１２１及び排気口１２５は第１搬
送装置５０に対応する位置、供給口１２２及び排気口１
２６は第２の搬送装置６０に対応する位置、供給口１２
３及び排気口１２７はレジスト・反射防止膜塗布ユニッ
ト群２０に対応する位置、供給口１２４及び排気口１２
８は現像処理ユニット群３０に対応する位置に設けられ
ている。
テム１の上部には清浄エアーをシステム内に導入するた
めの供給口１２１〜１２４が設けられ、塗布現像処理シ
ステム１の下部には清浄エアーをシステム外に排気する
ための排出口１２５〜１２８が設けられている。例えば
供給口１２１〜１２４や排出口１２５〜１２８は、それ
ぞれ処理の種類に応じた領域に対応して設けられてい
る。ここでは、供給口１２１及び排気口１２５は第１搬
送装置５０に対応する位置、供給口１２２及び排気口１
２６は第２の搬送装置６０に対応する位置、供給口１２
３及び排気口１２７はレジスト・反射防止膜塗布ユニッ
ト群２０に対応する位置、供給口１２４及び排気口１２
８は現像処理ユニット群３０に対応する位置に設けられ
ている。
【００４１】供給口１２１〜１２４と排出口１２５〜１
２８との間は、エアー循環用の配管１２９を介して接続
され、配管１２９上には温調装置１３０が配置されてい
る。また、各供給口１２１〜１２４にはファン・フィル
タ・ユニット１３１〜１３４が配置され、各排出口１２
５〜１２８には排気ファン１３５〜１３８が配置されて
いる。排気ファン１３５〜１３８は制御部１３９によっ
て排気量の制御が行われるようになっている。
２８との間は、エアー循環用の配管１２９を介して接続
され、配管１２９上には温調装置１３０が配置されてい
る。また、各供給口１２１〜１２４にはファン・フィル
タ・ユニット１３１〜１３４が配置され、各排出口１２
５〜１２８には排気ファン１３５〜１３８が配置されて
いる。排気ファン１３５〜１３８は制御部１３９によっ
て排気量の制御が行われるようになっている。
【００４２】そして、供給口１２１〜１２４からシステ
ム１内に供給された清浄エアーはシステム１内でダウン
フローを形成し、排出口１２５〜１２８からシステム１
外に排出され、配管１２９を通り温調及び清浄が行わ
れ、再び供給口１２１〜１２４からシステム１内に供給
されるようになっている。
ム１内に供給された清浄エアーはシステム１内でダウン
フローを形成し、排出口１２５〜１２８からシステム１
外に排出され、配管１２９を通り温調及び清浄が行わ
れ、再び供給口１２１〜１２４からシステム１内に供給
されるようになっている。
【００４３】ここで、本実施形態では、第１搬送装置５
０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０にお
けるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動す
るとき、制御部１３９の制御によって排気ファン１３
５、１３６の排気量が多くなり、これにより清浄エアー
のダウンフローが強まるようになっている。
０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０にお
けるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動す
るとき、制御部１３９の制御によって排気ファン１３
５、１３６の排気量が多くなり、これにより清浄エアー
のダウンフローが強まるようになっている。
【００４４】従って、本実施形態のシステム１では、第
１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送
装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下
方向に移動した場合に生じる気流の乱れは、上記のよう
に強められたダウンフローによって吸収される。よっ
て、パーティクルがシステム１内で拡散することなく、
排出口１２５、１２６から排出される。
１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送
装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下
方向に移動した場合に生じる気流の乱れは、上記のよう
に強められたダウンフローによって吸収される。よっ
て、パーティクルがシステム１内で拡散することなく、
排出口１２５、１２６から排出される。
【００４５】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。
する。
【００４６】図７はこの実施形態に係る清浄エアー供給
系の構成を示す図である。
系の構成を示す図である。
【００４７】図７に示した清浄エアー供給系では、制御
部１３９がレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０に
対応するファン・フィルタ・ユニット１３３及び現像処
理ユニット群３０に対応するファン・フィルタ・ユニッ
ト１３４によるシステム１内への清浄エアーの導入量を
制御するようになっている。
部１３９がレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０に
対応するファン・フィルタ・ユニット１３３及び現像処
理ユニット群３０に対応するファン・フィルタ・ユニッ
ト１３４によるシステム１内への清浄エアーの導入量を
制御するようになっている。
【００４８】そして、この実施形態では、第１搬送装置
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が移動するとき、制御部１３
９の制御によってレジスト・反射防止膜塗布ユニット群
２０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３３及び
現像処理ユニット群３０に対応するファン・フィルタ・
ユニット１３４によるシステム１内への清浄エアーの導
入量を多くなるように制御し、レジスト・反射防止膜塗
布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内の圧力
が第１搬送装置５０や第２搬送装置６０等が配置された
他の領域に比べ高くなるようにされている。
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が移動するとき、制御部１３
９の制御によってレジスト・反射防止膜塗布ユニット群
２０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３３及び
現像処理ユニット群３０に対応するファン・フィルタ・
ユニット１３４によるシステム１内への清浄エアーの導
入量を多くなるように制御し、レジスト・反射防止膜塗
布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内の圧力
が第１搬送装置５０や第２搬送装置６０等が配置された
他の領域に比べ高くなるようにされている。
【００４９】従って、この実施形態では、第１搬送装置
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が移動した場合に生じたパー
ティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及
び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よ
って、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２
０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行う
ことができる。
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が移動した場合に生じたパー
ティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及
び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よ
って、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２
０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行う
ことができる。
【００５０】次に本発明の更に他の実施形態について説
明する。
明する。
【００５１】図８はこの実施形態に係る清浄エアー供給
系の構成を示す図である。
系の構成を示す図である。
【００５２】図８に示した清浄エアー供給系では、レジ
スト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニ
ット群３０にそれぞれ第１搬送装置５０や第２搬送装置
６０に向けて排気を行うための排気口１４１及び排気フ
ァン１４２を設けたものである。排気ファン１４２は制
御部１３９によって作動が制御される。
スト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニ
ット群３０にそれぞれ第１搬送装置５０や第２搬送装置
６０に向けて排気を行うための排気口１４１及び排気フ
ァン１４２を設けたものである。排気ファン１４２は制
御部１３９によって作動が制御される。
【００５３】そして、この実施形態では、第１搬送装置
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が移動するとき、制御部１３
９の制御によって排気ファン１４２が作動し、レジスト
・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット
群３０から第１搬送装置５０や第２搬送装置６０に向け
て排気を行われるようになっている。
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が移動するとき、制御部１３
９の制御によって排気ファン１４２が作動し、レジスト
・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット
群３０から第１搬送装置５０や第２搬送装置６０に向け
て排気を行われるようになっている。
【００５４】従って、この実施形態では、第１搬送装置
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が移動した場合に生じたパー
ティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及
び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よ
って、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２
０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行う
ことができる。
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が移動した場合に生じたパー
ティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及
び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よ
って、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２
０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行う
ことができる。
【００５５】次に本発明の更に別の実施形態について説
明する。
明する。
【００５６】図９はこの実施形態に係るシステム構成を
示す図である。
示す図である。
【００５７】図９に示したシステム１では、レジスト・
反射防止膜塗布ユニット群２０における第１搬送装置５
０との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１５
２、更に現像処理ユニット群３０における第２搬送装置
６０との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１
５３に、それぞれ開口部を開閉するためのシャッター部
材１５４及びシャッター開閉機構１５５が設けられてい
る。シャッター開閉機構１５５は制御部１３９によって
作動が制御されるようになっている。
反射防止膜塗布ユニット群２０における第１搬送装置５
０との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１５
２、更に現像処理ユニット群３０における第２搬送装置
６０との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１
５３に、それぞれ開口部を開閉するためのシャッター部
材１５４及びシャッター開閉機構１５５が設けられてい
る。シャッター開閉機構１５５は制御部１３９によって
作動が制御されるようになっている。
【００５８】そして、この実施形態では、第１搬送装置
５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が同時に移動するとき、この
ようなときには第１搬送装置５０及び第２搬送装置６０
とレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処
理ユニット群３０との間でウェハＷの受け渡しは行われ
ないので、制御部１３９の制御によってシャッター部材
１５４により開口部１５２、１５３が閉じられるように
なっている。
５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が同時に移動するとき、この
ようなときには第１搬送装置５０及び第２搬送装置６０
とレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処
理ユニット群３０との間でウェハＷの受け渡しは行われ
ないので、制御部１３９の制御によってシャッター部材
１５４により開口部１５２、１５３が閉じられるように
なっている。
【００５９】従って、この実施形態では、第１搬送装置
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が同時に移動した場合に生じ
たパーティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群
２０及び現像処理ユニット群３０内に進入することはな
い。よって、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニッ
ト群２０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常
に行うことができる。
５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０に
おけるウェハ搬送手段６４が同時に移動した場合に生じ
たパーティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群
２０及び現像処理ユニット群３０内に進入することはな
い。よって、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニッ
ト群２０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常
に行うことができる。
【００６０】この場合、レジスト・反射防止膜塗布ユニ
ット群２０及び現像処理ユニット群３０に対応する排気
ファン１３７、１３８による排気量を制御部１３９によ
って制御可能に構成すると共に、シャッター部材１５４
により開口部１５２、１５３を閉じているときには排気
ファン１３７、１３８による排気量を多くし、開口部１
５２、１５３を開いているときには排気ファン１３７、
１３８による排気量を少なくするようにしてもよい。
ット群２０及び現像処理ユニット群３０に対応する排気
ファン１３７、１３８による排気量を制御部１３９によ
って制御可能に構成すると共に、シャッター部材１５４
により開口部１５２、１５３を閉じているときには排気
ファン１３７、１３８による排気量を多くし、開口部１
５２、１５３を開いているときには排気ファン１３７、
１３８による排気量を少なくするようにしてもよい。
【００６１】これにより、開口部１５２、１５３を開い
ているときにはレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２
０及び現像処理ユニット群３０内が周囲と比べ陽圧とな
り、開口部１５２、１５３からレジスト・反射防止膜塗
布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内にパー
ティクル等を含んだ気体が進入することはなくなる。
ているときにはレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２
０及び現像処理ユニット群３０内が周囲と比べ陽圧とな
り、開口部１５２、１５３からレジスト・反射防止膜塗
布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内にパー
ティクル等を含んだ気体が進入することはなくなる。
【００６２】次に、図１、図１０及び図１１を参照して
清浄エアー供給系に係る別の実施形態を説明する。図６
に示した実施形態の構成と相違する点は、第１搬送装置
５０と第２搬送装置６０との間ないしはこれら各搬送装
置５０，６０の近傍にバイパス手段としての一対のダク
ト１６０を設けた点にある。ダクト１６０はボックス形
状に形成され、その上部の各面にエアーの流入口１６１
が、その下部には排気口１６２がそれぞれ設けられる。
清浄エアー供給系に係る別の実施形態を説明する。図６
に示した実施形態の構成と相違する点は、第１搬送装置
５０と第２搬送装置６０との間ないしはこれら各搬送装
置５０，６０の近傍にバイパス手段としての一対のダク
ト１６０を設けた点にある。ダクト１６０はボックス形
状に形成され、その上部の各面にエアーの流入口１６１
が、その下部には排気口１６２がそれぞれ設けられる。
【００６３】また、排気口１６２には排気ファン１６３
の強弱運転を制御部１３９により制御する排気手段が設
けられる。
の強弱運転を制御部１３９により制御する排気手段が設
けられる。
【００６４】制御部１３９は、少なくともいずれか一方
の搬送装置が上方に移動するとき、それに応じて排気フ
ァン１６３を作動せしめてダクト１６０内のエアーを排
気させる。そして、制御部１３９により一つの搬送装置
が作動するときは、排気ファン１６３による排気を弱く
し、二つの搬送装置が同時に作動するときは、排気を強
くするために排気ファン１６３を強く作動させるように
制御する。
の搬送装置が上方に移動するとき、それに応じて排気フ
ァン１６３を作動せしめてダクト１６０内のエアーを排
気させる。そして、制御部１３９により一つの搬送装置
が作動するときは、排気ファン１６３による排気を弱く
し、二つの搬送装置が同時に作動するときは、排気を強
くするために排気ファン１６３を強く作動させるように
制御する。
【００６５】このようにバイパス手段であるダクト１６
０が各搬送装置５０，６０近傍に設けられているため、
エアーの一部は流入口１６１からダクト１６０内に流入
し、排気口１６２を経て排出されていき、圧力上昇を回
避できる。
０が各搬送装置５０，６０近傍に設けられているため、
エアーの一部は流入口１６１からダクト１６０内に流入
し、排気口１６２を経て排出されていき、圧力上昇を回
避できる。
【００６６】またこのとき、各搬送装置５０，６０の各
ウェハ搬送手段５４，６４の作動状況に応じて制御部１
３９により排気ファン１６３の強弱が制御される。
ウェハ搬送手段５４，６４の作動状況に応じて制御部１
３９により排気ファン１６３の強弱が制御される。
【００６７】かかる構成により、第１または第２の搬送
装置５０，６０内の圧力上昇を回避でき、ウェハ搬送手
段５４，６４の上昇作動が円滑になるだけでなく、排気
ファン１６２へ流れる下向きのエアーは乱れを生じるこ
ともなく、その結果,微粒子がシステム内で拡散するこ
ともなく、排出口１２５、１２６から外部へ放出され
る。これと同時にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群
２０ないしは現像処理ユニット群３０内へのパーティク
ルの浸入を効果的に抑制できる。
装置５０，６０内の圧力上昇を回避でき、ウェハ搬送手
段５４，６４の上昇作動が円滑になるだけでなく、排気
ファン１６２へ流れる下向きのエアーは乱れを生じるこ
ともなく、その結果,微粒子がシステム内で拡散するこ
ともなく、排出口１２５、１２６から外部へ放出され
る。これと同時にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群
２０ないしは現像処理ユニット群３０内へのパーティク
ルの浸入を効果的に抑制できる。
【００６８】なお、流入口１６１を設ける数は任意であ
る。また、この流入口１６１は常時開口するように形成
してもよいが、ウェハ搬送手段５４，６４が上昇すると
きのみ開口させ、それ以外のときは閉じるように形成す
ることもできる。
る。また、この流入口１６１は常時開口するように形成
してもよいが、ウェハ搬送手段５４，６４が上昇すると
きのみ開口させ、それ以外のときは閉じるように形成す
ることもできる。
【００６９】さらに別の実施形態では、これらの搬送装
置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システ
ムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向け
て供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向
に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送
装置を検知し、下方向に移動する前から清浄エアーをダ
ウンフローさせるように供給装置を作動させるように構
成することもできる。
置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システ
ムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向け
て供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向
に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送
装置を検知し、下方向に移動する前から清浄エアーをダ
ウンフローさせるように供給装置を作動させるように構
成することもできる。
【００７０】かかる構成により搬送装置５０，６０内の
空間に清浄エアーを均一に流すことができ、それだけパ
ーティクル等の微粒子を効率よく外部へ排出することが
できる。
空間に清浄エアーを均一に流すことができ、それだけパ
ーティクル等の微粒子を効率よく外部へ排出することが
できる。
【００７１】かかる構成は図７〜９に示された上記各実
施形態にも適宜摘要することができる。
施形態にも適宜摘要することができる。
【００７２】尚、上記実施形態では、基板としてウェハ
を例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも
本発明を適用することができる。
を例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも
本発明を適用することができる。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
システム内に形成された気流を乱すようなことがなく、
或いは搬送装置から処理室（ユニット）内にパーティク
ルを多く含んだ気体が進入するようなことはないので、
処理室内での処理を正常に行うことができる。
システム内に形成された気流を乱すようなことがなく、
或いは搬送装置から処理室（ユニット）内にパーティク
ルを多く含んだ気体が進入するようなことはないので、
処理室内での処理を正常に行うことができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムの構成を示す平面図である。
ムの構成を示す平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムにおける処
理ステーションの左側面図である。
理ステーションの左側面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムにおける処
理ステーションの右側面図である。
理ステーションの右側面図である。
【図４】図１に示した塗布現像処理システムにおけるレ
ジスト・反射防止膜塗布ユニット群の受け渡し部及び中
継搬送部の構成を示す図である。
ジスト・反射防止膜塗布ユニット群の受け渡し部及び中
継搬送部の構成を示す図である。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムにおける第
１の搬送装置の構成を示す斜視図である。
１の搬送装置の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
ムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理シス
テムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
テムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図８】本発明の更に他の実施形態に係る塗布現像処理
システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図であ
る。
システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図であ
る。
【図９】本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像処理
システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図であ
る。
システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図であ
る。
【図１０】本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像処
理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図で
ある。
理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図で
ある。
【図１１】ダクトの外観斜視図である。
２０ レジスト・反射防止膜塗布ユニット群 ３０ 現像処理ユニット群 ５０ 第１搬送装置 ６０ 第２搬送装置 １２１〜１２４ 供給口 １２５〜１２８ 排出口 １２９ 配管 １３０ 温調装置 １３１〜１３４ ファン・フィルタ・ユニット １３５〜１３８ 排気ファン １３９ 制御部 １４１ 排気口 １４２ 排気ファン １５２、１５３ 開口部 １５４ シャッター部材 １５５ シャッター開閉機構 Ｗ ウェハ
Claims (13)
- 【請求項１】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 前記複数の搬送装置の移動に応じて該システム内の気流
を制御する手段とを具備することを特徴とする処理シス
テム。 - 【請求項２】 請求項１記載の処理システムにおいて、 前記制御手段は、前記複数の搬送装置が同時に下方向に
移動するとき該システム内の下向きの気流を強めること
を特徴とする処理システム。 - 【請求項３】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処
理室と、 前記搬送装置の移動に応じて前記処理室内の圧力を制御
する手段とを具備することを特徴とする処理システム。 - 【請求項４】 請求項３記載の処理システムにおいて、 前記制御手段は、少なくとも１つの前記搬送装置が移動
するとき前記処理室内の圧力を高めることを特徴とする
処理システム。 - 【請求項５】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処
理室と、 少なくとも１つの前記搬送装置が移動するときに前記処
理室内の気体を前記搬送装置に向けて吹き出すように制
御する手段とを具備することを特徴とする処理システ
ム。 - 【請求項６】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、前記搬送装置との
間で基板を受け渡すための開口部を有し、基板を処理す
る処理室と、 前記開口部に設けられたシャッター部材と、 前記搬送装置の移動に応じて前記シャッター部材による
前記開口部の開閉を制御する手段とを具備することを特
徴とする処理システム。 - 【請求項７】 請求項６記載の処理システムにおいて、 前記制御手段は、前記複数の搬送装置が同時に移動する
ときに前記シャッター部材により前記開口部を閉じるこ
とを特徴とする処理システム。 - 【請求項８】 請求項６又は請求項７に記載の処理シス
テムにおいて,前記処理室内を排気する排気手段と、 前記シャッター部材により前記開口部を閉じているとき
には前記処理室内の排気を強くし、前記開口部を開いて
いるときには前記処理室内の排気を弱くするように制御
する手段とを更に具備することを特徴とする処理システ
ム。 - 【請求項９】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処
理室と、 上記搬送装置近傍に設けられ、上方移動する該搬送装置
で生じた圧力上昇に伴うエアーを流入口から流入させて
排気口から排気するバイパス手段とを具備することを特
徴とする処理システム。 - 【請求項１０】 請求項９記載の処理システムにおい
て、 前記排気口に設けられた排気手段と、 前記搬送装置の作動する数が少ないときは前記排気手段
による排気が弱くなり、作動する数が多いときは前記排
気手段による排気が強くなるように制御する手段とを更
に具備することを特徴とする処理システム。 - 【請求項１１】 請求項９又は請求項１０記載の処理シ
ステムにおいて、 前記バイパス手段は、ボックス形状のダクトを有し、 前記流入口はダクトの上方に設けられていることを特徴
とする処理システム。 - 【請求項１２】 請求項９〜請求項１１のうちいずれか
１項に記載の処理システムにおいて、 前記流入口は、前記ダクトの周囲で、かつ、複数個設け
られていることを特徴とする処理システム。 - 【請求項１３】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送
装置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処
理室と、 前記搬送装置の上方から該搬送装置に向けて清浄エアー
を供給する供給装置と、 下方向に移動する前記搬送装置に対しては、予めその移
動する搬送装置を検知し、下方向に移動する前から前記
供給装置を作動させるように制御する手段とを具備する
ことを特徴とする処理システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000195805A JP4294837B2 (ja) | 1999-07-16 | 2000-06-29 | 処理システム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20289499 | 1999-07-16 | ||
| JP11-202894 | 1999-07-16 | ||
| JP2000195805A JP4294837B2 (ja) | 1999-07-16 | 2000-06-29 | 処理システム |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007197457A Division JP2007277014A (ja) | 1999-07-16 | 2007-07-30 | 処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001093827A true JP2001093827A (ja) | 2001-04-06 |
| JP4294837B2 JP4294837B2 (ja) | 2009-07-15 |
Family
ID=26513628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000195805A Expired - Fee Related JP4294837B2 (ja) | 1999-07-16 | 2000-06-29 | 処理システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4294837B2 (ja) |
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|---|---|
| JP4294837B2 (ja) | 2009-07-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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| A521 | Written amendment |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090409 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
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