JP2001093827A - 処理システム - Google Patents
処理システムInfo
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- JP2001093827A JP2001093827A JP2000195805A JP2000195805A JP2001093827A JP 2001093827 A JP2001093827 A JP 2001093827A JP 2000195805 A JP2000195805 A JP 2000195805A JP 2000195805 A JP2000195805 A JP 2000195805A JP 2001093827 A JP2001093827 A JP 2001093827A
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Abstract
とがない処理システムを提供すること。 【解決手段】 第1搬送装置50におけるウェハ搬送手
段54と第2搬送装置60におけるウェハ搬送手段64
の両方が同時に下方向に移動するとき、制御部139の
制御によって排気ファン135〜138の排気量が多く
なり、これにより清浄エアーのダウンフローが強まるよ
うになっている。第1搬送装置50におけるウェハ搬送
手段54と第2搬送装置60におけるウェハ搬送手段6
4の両方が同時に下方向に移動した場合に生じる気流の
乱れは、このように強められたダウンフローによって吸
収される。
Description
イス製造に用いられる処理システムに関する。
ジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ(以
下、「ウェハ」という。)等の基板に対してレジスト液
を供給してレジスト膜を形成し、所定のパターンを露光
した後に、このウェハに対して現像液を供給して現像処
理している。このような一連の処理を行うにあたって
は、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
て、ウェハを垂直方向に搬送する垂直搬送型の搬送装置
の周囲に、ウェハ上にレジストを塗布するためのレジス
ト塗布ユニット、現像液を供給するための現像処理ユニ
ット、加熱処理ユニット等の各種の処理ユニットを多段
に配置した構成は既に公知である。また、このような塗
布現像処理システムにおいては、一般にシステム内に清
浄エアーのダウンフローを形成してパーティクルの拡散
を防止している。
塗布現像処理システムでは、処理能力を向上させるた
め、システム内に搬送装置を複数配置し、各搬送装置の
周囲にそれぞれ処理ユニットを配置することが考えられ
るが、システム内に搬送装置が複数配置されると、特に
これらの搬送装置が同時に下方向に移動するような場合
にシステム内に形成された清浄エアーのダウンフローが
乱れ、パーティクルがシステム内で拡散する虞がある。
また、これらの搬送装置から移動時に吹き出されたパー
ティクルを多く含む気体がその周囲に配置された処理ユ
ニット内に進入し、処理不良の原因になる、という問題
もある。
システム内に形成された気流を乱すようなことがない処
理システムを提供することを目的としている。
ニット)内にパーティクルを多く含んだ気体が進入する
ようなことがない処理システムを提供することにある。
め、本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送す
る搬送装置を複数有する処理システムにおいて、前記複
数の搬送装置の移動に応じて該システム内の気流を制御
することを特徴とする。その一態様として、前記複数の
搬送装置が同時に下方向に移動するとき該システム内の
下向きの気流を強めることを特徴とする。
に下方向に移動するとき該システム内の下向きの気流を
強めているので、複数の搬送装置が同時に下方向に移動
するときに生じる下方向の気流がシステム内の気流によ
って吸収され、システム内に形成された気流を乱すよう
なことはなくなる。
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、前記搬送装置の移動に応じて前記処理室内の圧力
を制御することを特徴とする。その一態様として、少な
くとも1つの前記搬送装置が移動するとき前記処理室内
の圧力を高めることを特徴とする。
するとき処理室内の圧力を高めているので、搬送装置の
移動時に搬送装置から吹き出されたパーティクルを多く
含む気体が処理室内に進入することはなくなる。
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、少なくとも1つの前記搬送装置が移動するときに
前記処理室内の気体を前記搬送装置に向けて吹き出すよ
うに制御することを特徴とする。
移動するときに処理室内の気体を搬送装置に向けて吹き
出すように制御しているので、搬送装置の移動時に搬送
装置から吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処
理室内に進入することはなくなる。
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、前記処理室の、前記搬送装置との間で基板を受け
渡すための開口部にシャッター部材を設け、前記搬送装
置の移動に応じて前記シャッター部材による前記開口部
の開閉を制御することを特徴とする。その一態様とし
て、前記複数の搬送装置が同時に移動するときに前記シ
ャッター部材により前記開口部を閉じることを特徴とす
る。
するときにシャッター部材により処理室に設けられた開
口部を閉じているので、搬送装置の移動時に搬送装置か
ら吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処理室内
に進入することはなくなる。なお、搬送装置が移動する
ときには搬送装置と処理室との間で基板の受け渡しは行
われないので、開口部を閉じることは処理上何の問題も
ない。
システムにおいて、前記処理室内を排気する排気手段を
更に設け、前記シャッター部材により前記開口部を閉じ
ているときには前記処理室内の排気を強くし、前記開口
部を開いているときには前記処理室内の排気を弱くする
ことを特徴とする。
処理室内の排気を弱くしているので、処理室が周囲と比
べ陽圧となり、開口部から処理室内にパーティクル等を
含んだ気体が進入することはなくなる。
を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周
囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにお
いて、上記搬送装置近傍に、上方移動する該搬送装置で
生じた圧力上昇に伴うエアーを流入口から流入させて排
気口から排気するバイパス手段を設けたことを特徴とす
る。
とき、搬送装置の上部空間の圧力が増大しても、エアー
の一部はバイパス手段を介して排気口から排気される。
このため、搬送装置は圧力上昇を伴うことがなく、清浄
アエーは乱れることなく搬送装置ないを下向きに流れて
外部へ放出される。
に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装
置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システ
ムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向け
て供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向
に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送
装置を検知し、下方向に移動する前から前記供給装置を
作動させるように構成したことを特徴とする。
置を事前に察知し、これに応じて搬送装置が下向きに移
動する前から予め作動させておくため、搬送装置内のエ
アーを過不足することなく供給でき、そのためエアーの
流れにかく乱が生じることがなく、微粒子の付着を抑制
することができる。
発明の実施の形態について説明する。図1〜図3は実施
の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示し、図
1は平面から、図2、図3は側面から見た様子を各々示
している。
5枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理
システム1に対して搬入出したり、カセットCに対して
ウェハWを搬入出するためのカセットステーション2
と、塗布現像処理工程の中でウェハWに対して所定の処
理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる
処理ステーション3と、この処理ステーション3に隣接
して設けられる露光装置4との間でウェハWの受け渡し
をするためのインターフェイス部5とを一体に接続した
構成を有している。
置台10上の位置決め突起10aの位置に、複数個のカ
セットCがウェハWの出入口を処理ステーション3側に
向けてX方向(図1中の上下方向)に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットCの配列方向(X方
向)及びカセットCに収容されたウェハWの配列方向
(Z方向;垂直方向)に移動可能なウェハ搬送体11が
搬送路12に沿って移動自在であり、各カセットCに対
して選択的にアクセスできるようになっている。
在に構成されており、後述する第1熱処理ユニット群7
0や第3熱処理ユニット群90に属するアライメントユ
ニット71、エクステンションユニット72に対してア
クセスできるように構成されている。
ト・反射防止膜塗布ユニット群20が、背面側に現像処
理ユニット群30がそれぞれ配置されている。正面側に
現像処理ユニット群30を、背面側にレジスト・反射防
止膜塗布ユニット群20をそれぞれ配置しても勿論構わ
ない。
は図2及び図3に示すように、カップCP内でウェハW
をスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウ
ェハWに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユ
ニット21、22が並列配置され、さらにこれら各レジ
スト塗布ユニット21、22の上段にはカップCP内で
ウェハWをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布し
て、該ウェハWに対して反射防止膜塗布処理を施す反射
防止膜塗布ユニット23、24が並列配置されている。
1、22(反射防止膜塗布ユニット23、24)間に
は、受け渡し部25及び中継搬送部28が配置されてい
る。受け渡し部25では、図4に示すように、下段にウ
ェハWを23℃に温調するための温調台26が配置さ
れ、上段に載置台27が配置されている。温調台26
は、ペルチェ素子等の冷却手段(図示を省略)が埋め込
まれた冷却板26a表面から複数の支持ピン26bを出
没可能に配置して構成される。また載置台27は、その
表面に複数の固定支持ピン27aを配置して構成され
る。中継搬送部28は、受け渡し部25における温調台
26、載置台27及びレジスト塗布ユニット21、2
2、反射防止膜塗布ユニット23、24との間でウェハ
Wの受け渡しが可能なように、図示を省略した駆動系に
よって、これらに対して進退自在であり、θ方向に回転
可能であり、更にZ方向に昇降可能である搬送アーム2
9を有する。
調台26にウェハWが受け渡され、それを搬送アーム2
9がいずれかのレジスト塗布ユニット21、22、反射
防止膜塗布ユニット23、24に受け渡し、その後搬送
アーム29がレジスト或いは反射防止膜の塗布されたウ
ェハWをレジスト塗布ユニット21、22、反射防止膜
塗布ユニット23、24から受け取り、載置台27上に
載せ、それを第1搬送装置50が受け取るようになって
いる。
スト塗布ユニット等に渡すのではなく、一旦レジスト・
反射防止膜塗布ユニット群20内に配置された温調台2
6を介してレジスト塗布ユニット21、22、反射防止
膜塗布ユニット23、24に渡すように構成しているの
で、ウェハWをより正確な温度に温調した状態でレジス
ト塗布や反射防止膜塗布を行うことができ、また第1搬
送装置50側からレジスト塗布ユニット21、22、反
射防止膜塗布ユニット23、24にパーティクルが進入
することが少なくなる。
ト・反射防止膜塗布ユニット群20と同様に構成されて
いる。即ち、現像処理ユニット群30は、カップCP内
でウェハWをスピンチャックに載せて現像液を供給し
て、該ウェハWに対して現像処理を施す現像処理ユニッ
ト31、32が並列配置され、さらにこれら各現像処理
ユニット31、32の上段には現像処理ユニット33、
34が積み重ねられて構成されている。
32(33、34)間には、受け渡し部35及び中継搬
送部38が配置されている。受け渡し部35及び中継搬
送部38の構成については、図4に示したものと同様な
ので説明を省略する。そして、この場合も、ウェハWを
より正確な温度に温調した状態で現像処理を行うことが
でき、また第2搬送装置60側から現像処理ユニット3
1、32、33、34にパーティクルが進入することが
少なくなる。
の中心部には、ウェハWを載置自在な受け渡し台40が
備えられている。受け渡し台40は例えば多段に構成し
てもよい。
・反射防止膜塗布ユニット群20と現像処理ユニット群
30とは相対向しており、レジスト・反射防止膜塗布ユ
ニット群20と受け渡し台40との間には第1搬送装置
50が、現像処理ユニット群30と受け渡し台40との
間には第2搬送装置60がそれぞれ装備されている。
は基本的に同一の構成を有しており、第1搬送装置50
の構成を図5に基づいて説明すると、第1搬送装置50
は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部
51、52からなる筒状支持体53の内側に、上下方向
(Z方向)に昇降自在なウェハ搬送手段54(64)を
備えている。筒状支持体53はモータ55の回転軸に接
続されており、このモータ55の回転駆動力で、前記回
転軸を中心としてウェハ搬送手段54と共に一体に回転
する。従って、ウェハ搬送手段54はθ方向に回転自在
となっている。
は、ウェハWを保持する複数、例えば2本のピンセット
57、58が上下に備えられている。各ピンセット5
7、58は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持
体53の両壁部51、52間の側面開口部を通過自在な
形態及び大きさを有している。また、各ピンセット5
7、58は搬送基台56に内蔵されたモータ(図示せ
ず)により前後方向の移動が自在となっている。
の両側には、熱処理ユニットが配置されている。熱処理
ユニットには、第1熱処理ユニット70と、第2熱処理
ユニット80と、第3熱処理ユニット90と、第4熱処
理ユニット100とがあり、第1熱処理ユニット70及
び第3熱処理ユニット90はカセットステーション2側
に、第2熱処理ユニット80及び第4熱処理ユニット1
00はインターフェイス部5側に夫々配置されている。
00には、ウェハWの位置合わせを行うアライメントユ
ニット71と、ウェハWを待機させるエクステンション
ユニット72と、ウェハWを加熱処理する加熱処理ユニ
ット73〜77とが下から順に、例えば7段に積み重ね
られたものが配置される。
送するウェハ搬送体110が設けられており、ウェハ搬
送体110は搬送レール111に沿ったX方向の移動
と、Z方向(垂直方向)の移動と、θ方向の回転とがい
ずれも自在である。ウェハ搬送体110は、露光装置4
と、第2熱処理ユニット80及び第4熱処理ユニット1
00に属するエクステンションユニット72と、ウェハ
Wの周縁部を露光する周辺露光装置112との間でウェ
ハWを搬送することができるように構成されている。
システム1における清浄エアー供給系の構成を示す図で
ある。
テム1の上部には清浄エアーをシステム内に導入するた
めの供給口121〜124が設けられ、塗布現像処理シ
ステム1の下部には清浄エアーをシステム外に排気する
ための排出口125〜128が設けられている。例えば
供給口121〜124や排出口125〜128は、それ
ぞれ処理の種類に応じた領域に対応して設けられてい
る。ここでは、供給口121及び排気口125は第1搬
送装置50に対応する位置、供給口122及び排気口1
26は第2の搬送装置60に対応する位置、供給口12
3及び排気口127はレジスト・反射防止膜塗布ユニッ
ト群20に対応する位置、供給口124及び排気口12
8は現像処理ユニット群30に対応する位置に設けられ
ている。
28との間は、エアー循環用の配管129を介して接続
され、配管129上には温調装置130が配置されてい
る。また、各供給口121〜124にはファン・フィル
タ・ユニット131〜134が配置され、各排出口12
5〜128には排気ファン135〜138が配置されて
いる。排気ファン135〜138は制御部139によっ
て排気量の制御が行われるようになっている。
ム1内に供給された清浄エアーはシステム1内でダウン
フローを形成し、排出口125〜128からシステム1
外に排出され、配管129を通り温調及び清浄が行わ
れ、再び供給口121〜124からシステム1内に供給
されるようになっている。
0におけるウェハ搬送手段54と第2搬送装置60にお
けるウェハ搬送手段64の両方が同時に下方向に移動す
るとき、制御部139の制御によって排気ファン13
5、136の排気量が多くなり、これにより清浄エアー
のダウンフローが強まるようになっている。
1搬送装置50におけるウェハ搬送手段54と第2搬送
装置60におけるウェハ搬送手段64の両方が同時に下
方向に移動した場合に生じる気流の乱れは、上記のよう
に強められたダウンフローによって吸収される。よっ
て、パーティクルがシステム1内で拡散することなく、
排出口125、126から排出される。
する。
系の構成を示す図である。
部139がレジスト・反射防止膜塗布ユニット群20に
対応するファン・フィルタ・ユニット133及び現像処
理ユニット群30に対応するファン・フィルタ・ユニッ
ト134によるシステム1内への清浄エアーの導入量を
制御するようになっている。
50におけるウェハ搬送手段54や第2搬送装置60に
おけるウェハ搬送手段64が移動するとき、制御部13
9の制御によってレジスト・反射防止膜塗布ユニット群
20に対応するファン・フィルタ・ユニット133及び
現像処理ユニット群30に対応するファン・フィルタ・
ユニット134によるシステム1内への清浄エアーの導
入量を多くなるように制御し、レジスト・反射防止膜塗
布ユニット群20及び現像処理ユニット群30内の圧力
が第1搬送装置50や第2搬送装置60等が配置された
他の領域に比べ高くなるようにされている。
50におけるウェハ搬送手段54や第2搬送装置60に
おけるウェハ搬送手段64が移動した場合に生じたパー
ティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群20及
び現像処理ユニット群30内に進入することはない。よ
って、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群2
0及び現像処理ユニット群30内での処理を正常に行う
ことができる。
明する。
系の構成を示す図である。
スト・反射防止膜塗布ユニット群20及び現像処理ユニ
ット群30にそれぞれ第1搬送装置50や第2搬送装置
60に向けて排気を行うための排気口141及び排気フ
ァン142を設けたものである。排気ファン142は制
御部139によって作動が制御される。
50におけるウェハ搬送手段54や第2搬送装置60に
おけるウェハ搬送手段64が移動するとき、制御部13
9の制御によって排気ファン142が作動し、レジスト
・反射防止膜塗布ユニット群20及び現像処理ユニット
群30から第1搬送装置50や第2搬送装置60に向け
て排気を行われるようになっている。
50におけるウェハ搬送手段54や第2搬送装置60に
おけるウェハ搬送手段64が移動した場合に生じたパー
ティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群20及
び現像処理ユニット群30内に進入することはない。よ
って、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群2
0及び現像処理ユニット群30内での処理を正常に行う
ことができる。
明する。
示す図である。
反射防止膜塗布ユニット群20における第1搬送装置5
0との間でウェハWの受け渡しを行うための開口部15
2、更に現像処理ユニット群30における第2搬送装置
60との間でウェハWの受け渡しを行うための開口部1
53に、それぞれ開口部を開閉するためのシャッター部
材154及びシャッター開閉機構155が設けられてい
る。シャッター開閉機構155は制御部139によって
作動が制御されるようになっている。
50におけるウェハ搬送手段54と第2搬送装置60に
おけるウェハ搬送手段64が同時に移動するとき、この
ようなときには第1搬送装置50及び第2搬送装置60
とレジスト・反射防止膜塗布ユニット群20及び現像処
理ユニット群30との間でウェハWの受け渡しは行われ
ないので、制御部139の制御によってシャッター部材
154により開口部152、153が閉じられるように
なっている。
50におけるウェハ搬送手段54や第2搬送装置60に
おけるウェハ搬送手段64が同時に移動した場合に生じ
たパーティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群
20及び現像処理ユニット群30内に進入することはな
い。よって、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニッ
ト群20及び現像処理ユニット群30内での処理を正常
に行うことができる。
ット群20及び現像処理ユニット群30に対応する排気
ファン137、138による排気量を制御部139によ
って制御可能に構成すると共に、シャッター部材154
により開口部152、153を閉じているときには排気
ファン137、138による排気量を多くし、開口部1
52、153を開いているときには排気ファン137、
138による排気量を少なくするようにしてもよい。
ているときにはレジスト・反射防止膜塗布ユニット群2
0及び現像処理ユニット群30内が周囲と比べ陽圧とな
り、開口部152、153からレジスト・反射防止膜塗
布ユニット群20及び現像処理ユニット群30内にパー
ティクル等を含んだ気体が進入することはなくなる。
清浄エアー供給系に係る別の実施形態を説明する。図6
に示した実施形態の構成と相違する点は、第1搬送装置
50と第2搬送装置60との間ないしはこれら各搬送装
置50,60の近傍にバイパス手段としての一対のダク
ト160を設けた点にある。ダクト160はボックス形
状に形成され、その上部の各面にエアーの流入口161
が、その下部には排気口162がそれぞれ設けられる。
の強弱運転を制御部139により制御する排気手段が設
けられる。
の搬送装置が上方に移動するとき、それに応じて排気フ
ァン163を作動せしめてダクト160内のエアーを排
気させる。そして、制御部139により一つの搬送装置
が作動するときは、排気ファン163による排気を弱く
し、二つの搬送装置が同時に作動するときは、排気を強
くするために排気ファン163を強く作動させるように
制御する。
0が各搬送装置50,60近傍に設けられているため、
エアーの一部は流入口161からダクト160内に流入
し、排気口162を経て排出されていき、圧力上昇を回
避できる。
ウェハ搬送手段54,64の作動状況に応じて制御部1
39により排気ファン163の強弱が制御される。
装置50,60内の圧力上昇を回避でき、ウェハ搬送手
段54,64の上昇作動が円滑になるだけでなく、排気
ファン162へ流れる下向きのエアーは乱れを生じるこ
ともなく、その結果,微粒子がシステム内で拡散するこ
ともなく、排出口125、126から外部へ放出され
る。これと同時にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群
20ないしは現像処理ユニット群30内へのパーティク
ルの浸入を効果的に抑制できる。
る。また、この流入口161は常時開口するように形成
してもよいが、ウェハ搬送手段54,64が上昇すると
きのみ開口させ、それ以外のときは閉じるように形成す
ることもできる。
置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システ
ムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向け
て供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向
に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送
装置を検知し、下方向に移動する前から清浄エアーをダ
ウンフローさせるように供給装置を作動させるように構
成することもできる。
空間に清浄エアーを均一に流すことができ、それだけパ
ーティクル等の微粒子を効率よく外部へ排出することが
できる。
施形態にも適宜摘要することができる。
を例に挙げて説明したが、LCD基板等の他の基板にも
本発明を適用することができる。
システム内に形成された気流を乱すようなことがなく、
或いは搬送装置から処理室(ユニット)内にパーティク
ルを多く含んだ気体が進入するようなことはないので、
処理室内での処理を正常に行うことができる。
ムの構成を示す平面図である。
理ステーションの左側面図である。
理ステーションの右側面図である。
ジスト・反射防止膜塗布ユニット群の受け渡し部及び中
継搬送部の構成を示す図である。
1の搬送装置の構成を示す斜視図である。
ムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
テムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図であ
る。
システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図であ
る。
理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図で
ある。
Claims (13)
- 【請求項1】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 前記複数の搬送装置の移動に応じて該システム内の気流
を制御する手段とを具備することを特徴とする処理シス
テム。 - 【請求項2】 請求項1記載の処理システムにおいて、 前記制御手段は、前記複数の搬送装置が同時に下方向に
移動するとき該システム内の下向きの気流を強めること
を特徴とする処理システム。 - 【請求項3】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処
理室と、 前記搬送装置の移動に応じて前記処理室内の圧力を制御
する手段とを具備することを特徴とする処理システム。 - 【請求項4】 請求項3記載の処理システムにおいて、 前記制御手段は、少なくとも1つの前記搬送装置が移動
するとき前記処理室内の圧力を高めることを特徴とする
処理システム。 - 【請求項5】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処
理室と、 少なくとも1つの前記搬送装置が移動するときに前記処
理室内の気体を前記搬送装置に向けて吹き出すように制
御する手段とを具備することを特徴とする処理システ
ム。 - 【請求項6】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、前記搬送装置との
間で基板を受け渡すための開口部を有し、基板を処理す
る処理室と、 前記開口部に設けられたシャッター部材と、 前記搬送装置の移動に応じて前記シャッター部材による
前記開口部の開閉を制御する手段とを具備することを特
徴とする処理システム。 - 【請求項7】 請求項6記載の処理システムにおいて、 前記制御手段は、前記複数の搬送装置が同時に移動する
ときに前記シャッター部材により前記開口部を閉じるこ
とを特徴とする処理システム。 - 【請求項8】 請求項6又は請求項7に記載の処理シス
テムにおいて,前記処理室内を排気する排気手段と、 前記シャッター部材により前記開口部を閉じているとき
には前記処理室内の排気を強くし、前記開口部を開いて
いるときには前記処理室内の排気を弱くするように制御
する手段とを更に具備することを特徴とする処理システ
ム。 - 【請求項9】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装
置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処
理室と、 上記搬送装置近傍に設けられ、上方移動する該搬送装置
で生じた圧力上昇に伴うエアーを流入口から流入させて
排気口から排気するバイパス手段とを具備することを特
徴とする処理システム。 - 【請求項10】 請求項9記載の処理システムにおい
て、 前記排気口に設けられた排気手段と、 前記搬送装置の作動する数が少ないときは前記排気手段
による排気が弱くなり、作動する数が多いときは前記排
気手段による排気が強くなるように制御する手段とを更
に具備することを特徴とする処理システム。 - 【請求項11】 請求項9又は請求項10記載の処理シ
ステムにおいて、 前記バイパス手段は、ボックス形状のダクトを有し、 前記流入口はダクトの上方に設けられていることを特徴
とする処理システム。 - 【請求項12】 請求項9〜請求項11のうちいずれか
1項に記載の処理システムにおいて、 前記流入口は、前記ダクトの周囲で、かつ、複数個設け
られていることを特徴とする処理システム。 - 【請求項13】 垂直方向に基板を搬送する複数の搬送
装置と、 これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処
理室と、 前記搬送装置の上方から該搬送装置に向けて清浄エアー
を供給する供給装置と、 下方向に移動する前記搬送装置に対しては、予めその移
動する搬送装置を検知し、下方向に移動する前から前記
供給装置を作動させるように制御する手段とを具備する
ことを特徴とする処理システム。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007227984A (ja) * | 2007-06-14 | 2007-09-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008198879A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
JP2009010291A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
WO2009016919A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Ihi Corporation | 処理装置および処理装置を含むクリーンシステム |
JP2009076805A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法 |
US8033244B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-10-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system |
JP2015146348A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efemシステム |
US9184071B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-11-10 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
US9299596B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-03-29 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates |
US9368383B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-06-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with substrate reordering |
US10134609B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-11-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate transporting device, substrate treating apparatus, and substrate transporting method |
JP2020167190A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
2000
- 2000-06-29 JP JP2000195805A patent/JP4294837B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008198879A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
JP2007227984A (ja) * | 2007-06-14 | 2007-09-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US9174235B2 (en) | 2007-06-29 | 2015-11-03 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus using horizontal treatment cell arrangements with parallel treatment lines |
JP2009010291A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
US10290521B2 (en) | 2007-06-29 | 2019-05-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe |
US9230834B2 (en) | 2007-06-29 | 2016-01-05 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
US9165807B2 (en) | 2007-06-29 | 2015-10-20 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with vertical treatment arrangement including vertical blowout and exhaust units |
WO2009016919A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Ihi Corporation | 処理装置および処理装置を含むクリーンシステム |
JP2009030899A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Ihi Corp | 薄板処理装置及びクリーン薄板処理システム |
CN101779085A (zh) * | 2007-07-27 | 2010-07-14 | 株式会社Ihi | 处理装置及具有处理装置的洁净系统 |
JP2009076805A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法 |
US9184071B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-11-10 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
US9687874B2 (en) | 2007-11-30 | 2017-06-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
US8033244B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-10-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system |
US9299596B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-03-29 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates |
US9368383B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-06-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with substrate reordering |
JP2015146348A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | Efemシステム |
US10134609B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-11-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate transporting device, substrate treating apparatus, and substrate transporting method |
US10727087B2 (en) | 2015-03-31 | 2020-07-28 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate transporting device, substrate treating apparatus, and substrate transporting method |
JP2020167190A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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