TW202129822A - 直線運動機構及顆粒之飛散抑制方法 - Google Patents

直線運動機構及顆粒之飛散抑制方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202129822A
TW202129822A TW109142355A TW109142355A TW202129822A TW 202129822 A TW202129822 A TW 202129822A TW 109142355 A TW109142355 A TW 109142355A TW 109142355 A TW109142355 A TW 109142355A TW 202129822 A TW202129822 A TW 202129822A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sealing belt
opening
box
motion mechanism
linear motion
Prior art date
Application number
TW109142355A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI860430B (zh
Inventor
飽本正巳
飯田成昭
中島常長
佐佐木慶介
安武孝洋
松下一也
井手康盛
大関雅人
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202129822A publication Critical patent/TW202129822A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI860430B publication Critical patent/TWI860430B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00—Programme-controlled manipulators
    • B25J9/0096—Programme-controlled manipulators co-operating with a working support, e.g. work-table
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明對於以下情形進行抑制：當箱體內的內部移動體所連接的外部移動體在箱體外直線運動時，顆粒自用來將內部移動體與外部移動體加以連接而設在箱體的開口部往該箱體外部飛散。本發明具備：內部移動體，設在內部受到排氣的箱體內，進行直線運動並且使自前述開口部往該箱體外部伸出的連接部所連接的箱體外部之外部移動體移動；密封皮帶，在箱體內設成在前述直線方向上延伸來封塞前述開口部，並且寬度方向上的兩端部的一面側與該開口部的口緣部分開而相向；及變形抑制部，設為與該密封皮帶的寬度方向兩端部的另一面側相向，用來將在該內部移動體連接成因應於前述內部移動體的移動而移動之前述密封皮帶之變形加以抑制。

Description

直線運動機構及顆粒之飛散抑制方法
本公開說明係關於直線運動機構及顆粒飛散抑制方法。
用來製造半導體的基板處理裝置，進行以下種種處理：藉由將阻蝕劑等各種化學液的供給至基板即半導體晶圓(以下稱為晶圓)來進行的成膜處理、阻蝕劑膜之顯影處理等。此種基板處理裝置包含例如搬運晶圓的搬運臂或是用來進行化學液供給的噴嘴之移動機構。此等搬運臂或是噴嘴之移動機構組入有：直線運動機構，使晶圓的保持部或是噴嘴等移動對象在直線方向上移動。
就直線運動機構而言，已知有例如專利文獻1所記載者，其具備：外殼，內部受到排氣；直線運動機構，在外殼的內部使移動構件在直線方向上往復移動；形成於外殼的狹縫；及密封機構(密封皮帶)，自外殼內封塞該狹縫。並且，專利文獻1亦有揭示：當移動構件的一部分經由上述狹縫而伸出到外部而與移動對象連接，並使該移動對象移動時，為了抑制移動構件之移動所致的外殼內之局部性壓力上昇，而於外殼設置使該外殼內外連通的通氣口。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2002-305230號公報
[發明所欲解決之問題]
本公開說明提供一種技術，當使箱體內的內部移動體所連接的外部移動體在箱體外直線運動時，抑制顆粒自用來將內部移動體與外部移動體加以連接而設在箱體的開口部往該箱體外部飛散。 [解決問題之方式]
本公開說明之直線運動機構具備： 箱體，內部受到排氣； 開口部，形成於前述箱體； 內部移動體，設在前述箱體內，在直線方向上移動；及 連接部，在前述內部移動體設成自前述開口部往該箱體外部伸出，並且在箱體外部與外部移動體連接，用以使前述外部移動體伴隨前述內部移動體的移動而移動； 密封皮帶，在箱體內設成在前述直線方向上延伸來封塞前述開口部，並且寬度方向上兩端部的一面側與該開口部的口緣部分開而相向；及 變形抑制部，設為與該密封皮帶的寬度方向兩端部的另一面側相向，用來將在該內部移動體連接成因應於前述內部移動體的移動而在前述直線方向上移動之前述密封皮帶之變形加以抑制； 或者吸引部，設在前述箱體，對於在該內部移動體勾掛成與前述內部移動體之位置對應的第1部位比與該第1部在前述直線方向上不同的第2部位更離開前述開口部的前述密封皮帶之前述兩端部的一面側進行吸引，用以使前述第2部位密接在前述開口部的口緣部。 [發明之效果]
依據本公開說明，當使箱體內的內部移動體所連接的外部移動體在箱體外直線運動時，抑制顆粒自用來將內部移動體與外部移動體加以連接而設在箱體的開口部往該箱體外部飛散。
（實施發明之較佳形態）
[第1實施形態] 就第1實施形態而言，說明將本技術之直線運動機構應用在搬運半導體製造用之基板即晶圓W的搬運臂11之例。圖1係顯示處理部10的立體圖，其具備：形成基板搬運機構之上述搬運臂11；及模組群，搬運臂11來傳遞晶圓W。此處理部10構成後述的基板處理裝置即塗佈顯影裝置，設置在大氣環境。
圖中12係框體，其容納將阻蝕劑塗佈至晶圓W的多數之阻蝕劑塗佈模組14，並具備晶圓W的搬運口13。框體12面向搬運臂11所移動的晶圓W之搬運通道15，阻蝕劑塗佈模組14沿著該搬運通道15的長度方向來排列。又，沿著搬運通道15的長度方向將多數加熱模組17設成與框體12隔著搬運通道15而相向。加熱模組17疊成上下兩層而形成疊層體。
搬運通道15的長度方向的一端側設有塔樓T1，塔樓T1設有晶圓W往處理部10的搬入用模組即傳遞模組TRS。搬運臂11自傳遞模組TRS起依阻蝕劑塗佈模組14、加熱模組17的順序搬運晶圓W，而在晶圓W依序進行阻蝕劑膜的形成、加熱處理。接著搬運臂11將經過加熱處理的晶圓W搬運至自處理部10搬出用的傳遞模組TRS(圖1中未予圖示)。
搬運臂11具備兩個支持部2、基台21、昇降台22、框架23及箱體24，並由框架23與箱體24所構成。支持部2、基台21、昇降台22、框架23相當於外部移動體，並由箱體24及後述的箱體24內所含的用以使框架23移動的各部份，及將箱體24內加以排氣的風扇來構成直線運動機構1。
支持部2支持晶圓W背面。兩個支持部2在基台21上設成彼此上下重疊，並彼此獨立在基台21上進退。基台21設在昇降台22上，構成為在昇降台22上繞垂直軸自由旋轉。昇降台22設成受到在上下方向上延伸的框架23所圍繞，在框架23內昇降。框架23構成為如後所述地水平移動。藉由支持部2、基台21、昇降台22、框架23的各部位的動作之協作，能夠在模組間進行晶圓W的傳遞。
接著亦參照圖2、圖3來說明箱體24。該箱體24係長方形狀，在加熱模組17的疊層體下方，設成在該疊層體的排列方向上延伸。箱體24之中的朝向搬運通道15的側面設有開口部25。開口部25形成為直線狀而在箱體24的長度方向即水平方向上延伸。以下，將箱體24之中的開口部25側說明為前方側，自開口部25觀察的箱體24的後側說明為後方側。
箱體24內設有移動體(內部移動體)26。移動體26的前端部經由開口部25往箱體24的外部伸出。此前端部作為連接部而連接在框架23，並且支持該框架23。箱體24內設有：移動機構30，用以使移動體26及框架23動作。移動機構30具備沿著該箱體24的長度方向延伸的導軌31，移動體26卡止在此導軌31。
又，移動機構30具備主動滑輪32、從動滑輪33、皮帶34及電動機35。箱體24內的長度方向的一端側、另一端側設有主動滑輪32、從動滑輪33，構成為彼此平行的繞水平軸自由旋轉。此等滑輪32、33上繞掛有皮帶34，此皮帶34連接至移動體26。主動滑輪32連接有電動機35。藉由電動機35的旋轉來驅動皮帶34，使得移動體26沿著開口部25在直線方向(箱體24的長度方向)上移動，而使框架23伴隨此移動體26的移動而沿著搬運通道15的長度方向直線運動。
箱體24的後方側設有將該箱體24內加以排氣的風扇27。例如風扇27分別設在箱體24內的長度方向的一端側、另一端側，藉由該風扇27的動作使得箱體24內相對於搬運通道15而言為負壓。移動機構30的各部分之滑動所發生的顆粒或自電動機35所用的潤滑脂發生的顆粒，由該風扇27去除。
又，為了防止箱體24內的顆粒飛散至搬運通道15，而設有自內側將開口部25封塞的密封皮帶40。如圖3所示，密封皮帶40係：環狀皮帶，具有比開口部25的上下方向之開口寬度更大的寬度。如圖2所示，箱體24的內部設有：從動滾輪42，在俯視觀察構成為在四隅附近自由旋轉；且各從動滾輪42的旋轉軸41係朝向垂直。此種四個從動滾輪42拉設有上述的密封皮帶40，密封皮帶40為其寬度方向上的兩端部的一面側(正面側)係與開口部25之口緣部分開而相向。更詳細而言，該兩端部的正面側與設在開口部25之口緣部的前方壁形成構件51相向，將後述。
又，如上所述的移動體26將封塞開口部25的密封皮帶40加以貫穿。所以，移動體26連接在密封皮帶40，藉由移動機構30來直線運動移動體26時，密封皮帶40隨著移動體26之移動而在箱體24內的概略矩形的軌道上繞行，觀察密封皮帶40的各部位之中面臨開口部25的部位時，沿著箱體24的長度方向而在直線方向上移動。如此，密封皮帶40係與移動體26一併移動，不論移動體26的位置，藉由密封皮帶40之中拉設在前方側的兩個從動滾輪42之間的部位來維持開口部25受到封塞的狀態。另，在以下說明書中，將密封皮帶40之中的面臨開口部25的面定為一面側(正面側)，與一面相反側的與從動滾輪42接觸之側的面定為另一面側(背面側)。並且，在以下說明中，不特地指定部位之情形，密封皮帶40係指該密封皮帶40的整圈之中，拉設在前方側的部位(拉設在前方側的從動滾輪42間的部位)。
此外，如先前技術段落所述，就習知構成的直線運動機構而言，已知有如下構成的裝置：具備將箱體內加以排氣的風扇，俾使箱體內的環境氣體所含之顆粒不會自箱體的開口部往該箱體外飛散，並於開口部具備密封皮帶。參照圖4、圖5來說明假設將該習知直線運動機構應用在搬運臂11的情形。因為係習知直線運動機構，圖4、圖5所示的箱體24並未設有後述的用來防止密封皮帶40之變形的圍繞部5。
由於風扇27所進行的排氣，箱體24內相對於搬運通道15而言呈負壓，如圖4所示，搬運通道15的空氣經由開口部25而流入至箱體24內。由於此空氣的流入，將密封皮帶40的寬度方向(上下方向)的兩端部推向箱體24的後方側，密封皮帶40變形為側視中翹起呈圓弧狀，而有下述疑慮：箱體24的開口部25之口緣部與密封皮帶40的寬度方向兩端部之縫隙變寬。另，在圖4中，分別以實線顯示如上所述翹起的密封皮帶40，以虛線顯示沒有翹起時的密封皮帶40。
另一方面，移動體26在箱體24內移動時，箱體24內的長度方向之中的移動體26的移動目標區域的環境氣體受到移動體26所壓縮而昇壓。此時如上所述，有如下疑慮：密封皮帶40變形，箱體24的開口部25之口緣部與密封皮帶40的正面側之中的寬度方向兩端部之縫隙變寬，如圖5所示，昇壓的環境氣體自該縫隙往箱體24外流出。並且，箱體24內的顆粒100乘著該環境氣體的流動，釋放至搬運通道15。
所以在本實施形態中，為了抑制上述開口部25之口緣部與密封皮帶40的寬度方向兩端部(上端部、下端部)的縫隙變寬，而社友各別圍繞密封皮帶40的上端部、下端部的圍繞部5。所以，圍繞部5共計兩個，分別設在密封皮帶40的上端側、下端側。設在密封皮帶40之上端側的圍繞部5與設在下端側的圍繞部5，構成為相對於穿過密封皮帶40中心的水平面而鏡射對稱，以下中，以設在密封皮帶40之上端側的圍繞部5為例來說明。
圍繞部5由箱體24的開口部25上側的緣部、設在該緣部的前方壁形成構件51、及將密封皮帶40之變形加以抑制之變形抑制部52所構成。並且，圍繞部5在該密封皮帶40的移動方向(箱體24的長度方向)上觀察，形成為圍繞密封皮帶40之寬度方向端部的凹部。前方壁形成構件51係自箱體24往後方伸出，並且沿著開口部25的長度方向形成為長條的方形構件，形成為自該開口部25的長度方向一端起綿延到另一端。前方壁形成構件51的下端的高度與開口部25上緣的高度相當，前方壁形成構件51上緣的高度，比密封皮帶40上緣的高度更高。前方壁形成構件51之形成有上述凹部的前方側之側壁，與密封皮帶40之上端部的正面隔著縫隙而相向。如此，前方壁形成構件51調整形成於密封皮帶40之寬度方向的端部之前方側的縫隙大小，使密封皮帶40的密封性達到期望。前方壁形成構件51例如以UPE(超高分子量聚乙烯：Ultra High Molecular Weight Polyethylene)構成。
接著說明變形抑制部52。變形抑制部52具備水平壁50A與垂直壁50B。在箱體24的內壁中，自些許離開前方壁形成構件51上方的位置，設有水平壁50A呈往後方伸出。此水平壁50A的後端側往下方彎曲，形成上述垂直壁50B。自垂直壁50B的下端起例如約6mm範圍的部位朝向前方伸出，構成為沿著開口部25之長度方向的伸出條部53。伸出條部53的前端部與密封皮帶40背面的上端部隔著縫隙而相向。又，伸出條部53在密封皮帶40的移動方向上觀察構成為圓形。如此，變形抑制部52形成上述凹部底部及後方側的側壁，例如與前方壁形成構件51同樣以UPE構成。如此使用UPE作為材料係為了在密封皮帶40接觸之際減少與密封皮帶40之間發生的摩擦，但不限於以UPE作為材料。另，為了獲得密封皮帶40所帶來的適恰的密封性，密封皮帶40的正面與前方壁形成構件51之間的縫隙尺寸係例如0.5mm以上、1.0mm以下。又，為了獲得後述自伸出條部53噴吐的氣體之適切作用，密封皮帶40背面與伸出條部53之間的縫隙係例如0.5mm以下。
又，例如變形抑制部52沿著箱體24的長度方向自開口部25的一端綿延形成至另一端，俾能夠抑制密封皮帶40之中面向開口部25的整個區域之變形。意即，開口部25的長度方向上，變形抑制部52的一端位置係與開口部25的一端相同位置或在開口部25外側的位置，並且變形抑制部52的另一端位置係與開口部25的另一端相同位置或在開口部25外側的位置。
又，移動體26移動、密封皮帶40移動時，密封皮帶40與變形抑制部52的垂直壁50B將會摩擦，密封皮帶40的劣化更快，而有發生顆粒100之虞。為了防止此疑慮，在垂直壁50B之中的伸出條部53前端，設有：氣體噴吐口54，朝向密封皮帶40背面側噴吐例如氮氣(N2 氣體)。藉由噴吐此氣體來防止垂直壁50B與前述密封皮帶40之接觸。
氣體噴吐口54形成為沿著密封皮帶40的移動方向延伸的狹縫狀，例如自開口部25的一端綿延形成至另一端。氣體噴吐口54與形成於伸出條部53內部的緩衝室55連通。緩衝室55係用以使氣體擴散至變形抑制部52的延伸方向(箱體24的長度方向)之空間，在該延伸方向上觀察，構成為例如直徑4mm的圓形。變形抑制部52連接有形成氣體供給通道56的配管，其將上述的N2 氣體供給至緩衝室55作為防止接觸用氣體，該配管的上流側連接有N2 氣體供給源57。另，圖7中的符號58、59分別係流量調整部及閥門。
又，在垂直壁50B中比伸出條部53更上方的位置(在箱體24之長度方向上觀察，靠凹部底部的位置)形成有沿著該垂直壁50B之厚度方向的通氣口60。如上所述由於箱體24內相對於搬運通道15呈負壓而自搬運通道15經由開口部25而流入至箱體24內的空氣，經由該通氣口60而朝向箱體24的後方排氣。通氣口60例如沿著變形抑制部52的延伸方向而等間隔設置多數個。
如上所述，因為兩個圍繞部5係鏡射對稱，所以省略下側的圍繞部5之詳細說明，但先非常簡單地說明與上側的圍繞部5之差異點。該下側的圍繞部5由箱體24之開口部25下側的緣部所構成。並且，設在該開口部25下側的緣部之前方壁形成構件51與密封皮帶40的下端部正面相向。又，該前方壁形成構件51位在其上端高度與開口部25的下端緣高度相當，並且比密封皮帶40下緣的高度更高的位置。並且，關於變形抑制部52，差異點例舉有：水平壁50A設在前方壁形成構件51下方、垂直壁50B自水平壁50A朝向上方形成、及伸出條部53的前端部與密封皮帶40背面的下端部相向。
另，補充說明形成搬運臂11的外部移動體的各部位之構成，支持部2的基台21上之移動，昇降台22之昇降亦與框架23的移動同樣利用由導軌31、滑輪32、33、皮帶34及電動機35所構成的驅動系統來進行。支持部2的前述驅動系統設在基台21內，昇降台22的驅動系統設在框架23內。又，基台21在昇降台22上的旋轉，係以由電動機35所構成的驅動系統來進行，該驅動系統設在昇降台22內。設有各驅動系統的空間與箱體24內的空間連通，並受到風扇27所排氣，省略各驅動系統及設有該驅動系統的空間之圖示。
接著說明上述搬運臂11的作用。首先在開始晶圓W的搬運之前，搬運臂11例如在自塔樓T1的傳遞模組TRS接收晶圓W的位置待機。因此，在箱體24內，如圖8所示，移動體26位在該傳遞模組TRS側。此時風扇27旋轉，將箱體24內的包含顆粒100之環境氣體加以排氣，並且自氣體噴吐口54朝向密封皮帶40背面噴吐N2 氣體。
藉由上述風扇27的排氣，箱體24內呈負壓。如圖9、圖10所示，空氣自搬運通道15往開口部25內流動，該空氣依序穿過密封皮帶40與前方壁形成構件51之縫隙、形成於變形抑制部52的通氣口60，朝向風扇27流動而排氣。又，自氣體噴吐口54噴吐至密封皮帶40的N2 氣體的一部分，朝向由圍繞部5所形成的凹部之底部側沿著伸出條部53的正面流動，與穿過上述通氣口60的空氣之流動合流，並穿過通氣口60而朝向風扇27流動而排氣。噴吐至密封皮帶40的N2 氣體的其它一部分，朝向凹部的開口部側而沿著伸出條部53的正面流動，自上下兩個圍繞部5之間朝向風扇27流動而排氣。
藉由上述的空氣之氣流，將密封皮帶40的寬度方向兩端部分別推往後方側。然而，因為自後方側噴吐N2 氣體，所以抑制該寬度方向兩端部之向後移動，亦即圖4、圖5中說明的密封皮帶40之變形。並且，即使在此空氣之氣流所造成的作用比較大，密封皮帶40變形之情形，密封皮帶40的寬度方向兩端部抵接在伸出條部53，抑制其變形量。所以，密封皮帶40的寬度方向兩端部與前方壁形成構件51(開口部25的口緣部)縫隙不會變大。
如此在密封皮帶40之變形受到抑制的狀態下，搬運臂11自塔樓T1的傳遞模組TRS接收晶圓W，搬運至例如自塔樓T1觀察為最後側的阻蝕劑塗佈模組14，如圖11所示，自塔樓T1觀察，移動體26自前側至移動至後側。由此，箱體24內之中的移動體26之前進方向的空間(後側的空間)之環境氣體受到壓縮而昇壓。
然而因為如上所述抑制密封皮帶40之變形，所以其寬度方向兩端部與前方壁形成構件51呈縫隙狹窄的狀態。因此，如圖12所示抑制受到壓縮的環境氣體往搬運通道15釋放。所以，亦抑制顆粒100自箱體24內往搬運通道15釋放。已說明自傳遞模組TRS將晶圓W往阻蝕劑塗佈模組14傳遞之際的密封皮帶40之狀態作為就一例而言，但在其它模組間進行晶圓W的傳遞之情形亦同樣抑制密封皮帶40之變形，抑制顆粒100往搬運通道15的釋放。
依據此搬運臂11，設有：密封皮帶40，當使收納在箱體24的移動體26移動，經由開口部25而使該移動體26所連接的框架23直線運動時，封塞開口部25。並且，設有：圍繞部5，具備與密封皮帶40之寬度方向兩端的另一面側相向之變形抑制部52。所以，即使藉由風扇27將箱體24內加以排氣，亦抑制下述狀況：密封皮帶40之變形所致的該密封皮帶40之寬度方向兩端部與開口部25的口緣部之縫隙大小增大。因此，抑制顆粒100自箱體24內經由開口部25往搬運通道15飛散。就結果而言，抑制顆粒100附著至通過搬運通道15的晶圓W，能夠將晶圓W製造出的半導體製品的良率降低加以抑制。再者，因為抑制密封皮帶40之變形，開口部25的密封性高，所以能夠抑制風扇27的轉速，抑制顆粒往搬運通道15的飛散。藉由如此抑制風扇27的轉速，能夠降低供給至風扇27的電力。所以，能夠達到搬運臂11的運用成本降低。
又，自設在變形抑制部52之垂直壁50B的伸出條部53將N2 氣體噴吐至密封皮帶40的寬度方向兩端部背面。藉此，更加確實地抑制密封皮帶40之變形，並且，抑制密封皮帶40對於變形抑制部52的接觸。因為藉由如此抑制接觸來抑制顆粒發生，所以能更加確實地抑制顆粒往搬運通道15的飛散。又，如上所述亦能夠將密封皮帶40的劣化加以抑制。
又，因為氣體噴吐口54形成為沿著密封皮帶40的移動方向延伸的狹縫狀，所以能夠如上所述地將密封皮帶40沿著開口部25之長度方向的各位置與變形抑制部52之接觸加以抑制，而為佳。其中，氣體噴吐口54亦可構成為小直徑的噴吐口沿著密封皮帶40的移動方向空出間隔形成多數個。氣體噴吐口54形成為狹縫狀之情形，亦可空出間隔形成多數個。
又，氣體噴吐口54設在成為變形抑制部52的垂直壁50B之伸出條部53，自比較靠近密封皮帶40的位置噴吐N2 氣體。所以，能使氣體對於密封皮帶40的推壓力比較大。又，在垂直壁50B，因為如此形成有氣體噴吐口54的伸出條部53以外之處比較離開密封皮帶40，所以不易接觸到密封皮帶40。意即，藉由自伸出條部53噴吐氣體，能更加確實地抑制上述密封皮帶40與變形抑制部52之接觸，而為佳。
又，因為伸出條部53在密封皮帶40的移動方向上觀察係圓形，所以自氣體噴吐口54噴吐的N2 氣體不會停滯而沿著伸出條部53的正面往風扇27流動。所以，能將防止如下情形：噴吐至密封皮帶40背面側的N2 氣體滞留，該背面側的壓力變高，密封皮帶40的前方側接觸至前方壁形成構件51。再者，藉由伸出條部53係如此為圓形，即使與密封皮帶40接觸之情形，發生的摩擦亦比較小，所以抑制密封皮帶40的劣化及顆粒100的發生，而為佳。
再者，變形抑制部52的垂直壁50B，在由圍繞部5所構成的凹部底部附近的位置設有通氣口60。藉由自搬運通道15流動至開口部25的空氣，經由此通氣口60而往箱體24的後方流動，減少通過伸出條部53與密封皮帶40之間的空氣量。意即，能抑制如下情形：空氣流動截斷自氣體噴吐口54噴吐的N2 氣流，使N2 氣流對於密封皮帶40的推壓力減弱。所以，能更加確實地抑制上述密封皮帶40與變形抑制部52之接觸。
如後所述，本公開說明的直線運動機構1不限定於應用在搬運臂11。其中，昇降台22、基台21、框架23具備驅動機構，重量比較大。所以，有時為了提高強度，支持此等各構件並且連接至框架23的移動體26之連接部必須定為比較大型。如此構成移動體26之情形，箱體24的開口部25變寬。開口部25變寬時，將開口部25加以封塞的密封皮帶40之面積亦必須變大。如此加大面積會引起密封皮帶40的鬆弛，而有如下疑慮：容易引起圖4、圖5所說明的密封皮帶40之變形。意即，藉由將直線運動機構1應用在搬運臂11，因為可認為能夠在抑制其變形、抑制顆粒的飛散獲得高的效果，而為佳。
此外，箱體24能夠分解並開放內部。具體而言，能夠構成為例如將箱體24的上壁部定為蓋24A，並在該箱體24的其它部位(外殼本體)24B自由裝卸的構成。並且，如圖13所示，變形抑制部52構成為能在箱體24自由裝卸。能夠自已移除蓋24A的外殼本體24B移除變形抑制部52來進行清掃等保養。箱體24與變形抑制部52的裝卸，及外殼本體24B與蓋24A的裝卸，使用例如螺栓還有螺母等連接件(未予圖示)來進行。
又，以下針對本公開說明之密封皮帶40之變形抑制部之變形例，以與變形抑制部52之差異點為中心來說明。又，在顯示各變形例的圖14~圖17中，與圖3等之表示相較，簡略化顯示構成圍繞密封皮帶40的凹部的前方壁形成構件51及構成變形抑制部的水平壁50A。
圖14所示之變形抑制部52A具備下述者來代替上述的垂直壁50B：豎立的圓柱狀旋轉體即凸輪從動件62及軸61。軸61自水平壁50A的後部朝向密封皮帶40的寬度方向之中央部側延伸，該軸61的端部以繞軸61自由旋轉的方式設有凸輪從動件62。所以，藉由軸61及凸輪從動件62來構成在側面觀察的凹部後方側的側壁。上述軸61沿著垂直方向延伸，所以與密封皮帶40的移動方向正交。軸61及凸輪從動件62如圖15所示，沿著密封皮帶40的移動方向，例如等間隔配置多數個。
藉由如此在密封皮帶40背面側設置多個凸輪從動件62，能夠限制密封皮帶40的寬度方向兩端部的位置，抑制該密封皮帶40之變形。又，密封皮帶40移動時，凸輪從動件62的周面接觸至密封皮帶40之情形，在密封皮帶40的移動方向上旋轉。因此，能減輕凸輪從動件62與密封皮帶40之間的摩擦，抑制密封皮帶40的劣化，並且抑制顆粒的發生。另，在密封皮帶40未變形的狀態下，該密封皮帶40可為與凸輪從動件62的周面接觸，亦可為些許分開。
又，圖16所示之變形抑制部52B，在垂直壁50B未設有通氣口60。並且，此變形抑制部52B的伸出條部53具備有板狀的氣流引導構件63。氣流引導構件63設成自伸出條部53的氣體噴吐口54之口緣部朝向密封皮帶40的寬度方向之中心部側延伸。氣流引導構件63因為如上所述地自氣體噴吐口54之口緣部延伸，所以靠近於密封皮帶40。自氣體噴吐口54噴吐的N2 氣體，及自搬運通道15流入至開口部25的空氣，在此氣流引導構件63與密封皮帶40之間形成的縫隙流動，而自箱體24內排氣。如此，氣流引導構件63係在密封皮帶40的寬度方向兩端部背面側形成前後寬度小的縫隙而限制氣流的引導部。如此藉由在密封皮帶40背面側的縫隙流動的氣流，產生依循白努利定律的真空吸引力，將密封皮帶40的寬度方向兩端部往氣流引導構件63吸引，並且呈不接觸的狀態。所以，其寬度方向兩端部的位置受到限制而抑制密封皮帶40之變形，並且能夠更加確實地抑制密封皮帶40與伸出條部53之接觸，而為佳。
又，亦可將氣體噴吐口54與氣流引導構件63設在前方壁形成構件51，將密封皮帶40的寬度方向兩端部往前方吸引，並且定為不接觸於前方壁形成構件51的狀態。或者亦可將氣體噴吐口54與氣流引導構件63設在密封皮帶40的正面側及背面側雙方。
接著，說明圖17所示之變形抑制部52C。此變形抑制部52C未設有通氣口60。並且，垂直壁50B的端部比伸出條部53更加朝向密封皮帶40的寬度方向中心部延伸。該延伸的部位在內部形成排氣通道65，與密封皮帶40相向的前方面開口有連通至排氣通道65的吸引口64。所以，吸引口64較氣體噴吐口54設在更靠近凹部的開口側。自搬運通道15流入的空氣及自氣體噴吐口54噴吐的N2 氣體，一部分流入至吸引口64受到排氣，其它一部分通過垂直壁50B的前方而流入至風扇27受到排氣。如此藉由進行來自氣體噴吐口54的氣體之噴吐，並且進行自吸引口64的吸引，能夠藉由自氣體噴吐口54噴吐的N2 氣體來防止密封皮帶40背面側的壓力過高。藉由防止此種背面側的壓力上昇，能夠抑制密封皮帶40所與前方壁形成構件51之接觸。
此外，圖18顯示有箱體24的其它構成例。圖18的箱體24內的前後中央部設有水平的分隔板68，劃分移動體26及皮帶34所移動的區域，及其上方的區域(定為劃分區域66)。劃分區域66設有與風扇27不同個的風扇67。自開口部25流入至箱體24內的空氣，由於風扇67而流動至劃分區域66，再朝向劃分區域66的後方，受到風扇27所排氣。意即，形成有繞過移動體26進行移動之區域的排氣途徑。藉由如此構成來減少移動體26的移動區域之中的顆粒100之數量。所以，即使此移動區域中發生移動體26之移動所致的環境氣體之昇壓，該環境氣體往開口部25流動，該環境氣體所含的顆粒100之數量亦少。所以，能夠更加確實地抑制顆粒100往搬運通道15之飛散。
[第2實施形態] 以下說明第2實施形態之直線運動機構。如圖19所示，第2實施形態之直線運動機構具備：內部移動體70，沿著設在箱體24內的導軌31而直線運動。內部移動體70相當於第1實施形態的移動體26，與移動體26同樣藉由電動機35及皮帶34等設在箱體24內的各構件來水平移動，但省略此等各構件的圖示。
內部移動體70的高度尺寸大於開口部25的寬度尺寸及密封皮帶40的寬度尺寸，內部移動體70的前方面之中的上下端部之周緣，分別與開口部25的寬度方向之口緣部相向。又，內部移動體70的前方設有：連接部71，連接至未圖示的外部移動體，自開口部25往箱體24的外部伸出。
又，將密封皮帶40在箱體24的內側配置成以其寬度方向上的兩端部的一面側與箱體24的開口部25之口緣部分開而相向。密封皮帶40設成貫穿內部移動體70。並且，在第2實施形態中，密封皮帶40並非環狀。密封皮帶40的長度方向的一端側與另一端側分別固定在箱體24內的支持柱72，該密封皮帶40配置成封塞開口部25。圖19中的符號73係從動滾輪，配置在開口部25的長度方向上的該開口部25外側，用來將密封皮帶40限制位置成拉設在開口部25附近。
再者，在內部移動體70內中，內部移動體70朝向移動方向(箱體24的長度方向)的兩側壁附近分別設有外側從動滾輪74。外側從動滾輪74具有在內部移動體70外側將密封皮帶40限制位置成通過開口部25附近的功能，並且設在該開口部25附近。又，內部移動體70的內部設有兩個從動滾輪75，將通過內部移動體70內部的密封皮帶40限制成通過離開開口部25的位置，在箱體24的長度方向與外側從動滾輪74分開設在更後方位置。另，各滾輪73~75之旋轉軸沿著垂直軸。
意即，此第2實施形態中，內部移動體70相對於密封皮帶40而移動。並且，與箱體24之中的內部移動體70的位置對應，密封皮帶40的長度方向各部位改變前後位置，該密封皮帶40勾掛在內部移動體70的滾輪74、75。具體而言，密封皮帶40之中，收容在內部移動體70內的部位(第1部位)位於後方側，在內部移動體70外側的部位(第2部位)位於前方側，亦即開口部25附近。
再者，如圖20所示，箱體24的內面上開口部25之上緣部、下緣部分別朝向後方開口有吸引孔76。在此例中，上緣部、下緣部各自上下兩層地形成有吸引孔76。並且，上緣部、下緣部各自之中，各吸引孔76沿著開口部25的長度方向空出間隔而設有多數個。吸引孔76構成為將密封皮帶40的寬度方向兩端部之正面側加以吸引的吸引部，能夠使得密封皮帶40之中的內部移動體70外側的部位密接至開口部25之口緣部。
內部移動體70移動，密封皮帶40之中進入內部移動體70內的區域，由於此內部移動體70之移動所施加的應力，而如圖21所示被拉離開開口部25之口緣部。另一方面，密封皮帶40之中，自內部移動體70的內側跑出外側的區域係如圖20所示位在開口部25附近，受到吸引孔76所吸引，密接至開口部25之口緣部。
藉由如此使密封皮帶40密接，即使在將箱體24內加以排氣成負壓時，封塞開口部25的密封皮帶40也不會被拉入箱體24後方。所以密封皮帶40的寬度方向兩端部之周緣與開口部25之口緣部之縫隙不會變寬，即使在由於內部移動體70的移動使得箱體24內昇壓時，亦能夠抑制包含顆粒100的環境氣體流出至箱體24外部。
就上述吸引孔76而言，亦可係橫長的狹縫。又，就將密封皮帶40吸引至箱體24的吸引部，不限於上述構成。例如定為密封皮帶40的寬度方向之緣部包含金屬，箱體的開口部25之口緣部配置有磁鐵之構成。亦可定為在密封皮帶40中位於內部移動體70外側且開口部25附近的部位，藉由磁鐵的磁力來吸引口緣部而密接之構成。意即，不限於藉由排氣來吸引密封皮帶40的構成。
[第3實施形態] 以下針對第3實施形態之直線運動機構，以與第1實施形態之直線運動機構1之差異點為中心來說明。第3實施形態之直線運動機構1為圍繞部5的構成與第1實施形態之直線運動機構1不同。如圖22所示，第3實施形態之直線運動機構的圍繞部5具備：固持件77，沿著箱體24的長度方向而延伸。此固持件77的縱剖視形成有凹部77A。兩個固持件77配置成凹部77A的開口側彼此相向。意即，上側的固持件77的凹部77A朝向下方開口，下側的固持件77的凹部77A朝向上方開口。並且，固持件77在與凹部77A的開口側相反側，即凹部77A外側設有電磁鐵79，電磁鐵79沿著固持件77的長度方向(箱體24的長度方向)配置。並且，各凹部77A內充填有磁性流體78，藉由電磁鐵79的磁力而保持在該凹部77A內。並且，密封皮帶40的寬度方向兩端部位於凹部77A內，與磁性流體78接觸，另一方面，與固持件77則為非接觸。
意即，藉由磁性流體78將密封皮帶40與開口部25之間的縫隙加以密封。定為此種構成之情形，亦因為密封皮帶40的寬度方向兩端部位於凹部77A內，所以限制往後方的移動。再者，如上所述，因為藉由磁性流體78將縫隙加以密封，所以能更加確實地抑制顆粒自箱體24往搬運通道15的飛散。又，因為密封皮帶40的端部在磁性流體78中移動，所以密封皮帶40的端部不會發生大的摩擦力，能夠抑制密封皮帶40的劣化還有密封皮帶40的摩擦所致的顆粒之發生。
又，亦可係如下構成：如圖23所示，將各固持件77設置成凹部77A朝向後方開口，將密封皮帶40的寬度方向兩端往前方側彎折而接觸至磁性流體78。
接著詳細說明圖1所示的設有處理部10的塗佈顯影裝置1A。圖24、圖25分別係塗佈顯影裝置之概略縱截側視圖、俯視圖。此塗佈顯影裝置將載體區塊D1、處理區塊D2、介面區塊D3依序連接成直線狀來構成。介面區塊D3在與處理區塊D2的連接方向相反側連接有曝光裝置D4。載體區塊D1具有將載體C搬入搬出塗佈顯影裝置1A內的功能，並具備：載體C的載置台91；開閉部92，進行昇降俾將載體C的蓋部加以開閉；及移載機構93，經由開閉部92而自載體C搬運晶圓W。
處理區塊D2自下依序疊層構成有單位區塊E1~E6。單位區塊E1~E3分別相當於上述處理部10，將阻蝕劑膜形成至晶圓W。單位區塊E4~6係與單位區塊E1~E3大致同樣的構成，但具備顯影模組來代替阻蝕劑塗佈模組14。
圖1所示的塔樓T1設在載體區塊D1側，橫跨各單位區塊E1~E6而上下延伸。並且，單位區塊E1~E6的各高度具有傳遞模組TRS。又，在圖1省略表示，但設有用來對於塔樓T1進行晶圓W之傳遞的自由昇降的傳遞臂95。另，在圖24中，各單位區塊E1~E6的搬運臂11顯示為F1~F6。
介面區塊D3具備橫跨單位區塊E1~E6而上下延伸的塔樓T2、T3、T4。塔樓T2與塔樓T3藉由自由昇降的介面臂96，塔樓T2與塔樓T4藉由自由昇降的介面臂97而分別進行晶圓W的傳遞。又，塔樓T2與曝光裝置D4之間設有用來進行晶圓W之傳遞的介面臂98。塔樓T2有傳遞模組TRS等模組彼此疊層。又，塔樓T3、T4亦分別設有模組，但在此省略說明。
在此塗佈顯影裝置1A中，由載體C所搬運的晶圓W，搬運至單位區塊E1~E3，如上所述地依序接受阻蝕劑膜形成處理、加熱處理。並且，該晶圓W經由介面區塊D3的塔樓T2的單位區塊E1~E3的各高度之傳遞模組TRS往曝光裝置D4搬運，接受曝光處理。曝光後的晶圓W，搬運至塔樓T2的單位區塊E4~E6的各高度之傳遞模組TRS。接著晶圓W在單位區塊E4~E6依序接受加熱處理、顯影處理，在阻蝕劑膜形成圖案之後，回到載體C。
本公開說明之直線運動機構1亦可應用在圖24所示的塗佈顯影裝置之中將載體C的蓋部加以開放的開閉部92。藉由應用本公開說明之直線運動機構，能夠抑制顆粒往自載體C運出的晶圓W之搬運途徑釋放，能抑制顆粒對於晶圓W之附著。
又，本公開說明之直線運動機構亦可應用在阻蝕劑塗佈模組14。更具體而言，例如應用在噴吐阻蝕劑的噴嘴之移動機構。以下，參照圖26來說明。圖中87係圍繞來處理晶圓W的杯體。
如圖26所示，噴嘴移動機構8具備：與第1實施形態所示的直線運動機構1分別大致相同構造的第1框體81及第2框體82。以第1框體81及第2框體82與第1實施形態所示的直線運動機構之差異點為中心來說明時，第1框體81將外部移動體即噴嘴80經由連接部即臂83而連接至內部移動體即移動體84，並將噴嘴80配置成在上下方向上移動。再者，第1框體81底面形成有排氣口85來代替設置風扇27。
第2框體82設為開口部25朝向上方，構成為使外部移動體即第1框體81在水平方向上移動。再者，例如支持第1框體81的連接部86構成為管狀。此連接部86的一端連接在第1框體81的排氣口85，另一端在第2框體82內開口。並且，藉由第2框體82的風扇27來排氣時，亦經由連接部86將第1框體81內一併排氣。由於噴嘴移動機構8的作用，噴嘴80在下述位置之間移動：相對於杯體87內的晶圓W為既定高度的處理位置；及杯體87外側的既定高度的待機位置。藉由將第1框體81及第2框體82各者構成為與直線運動機構1同樣，當如此移動噴嘴80時，能夠抑制顆粒自各框體飛散，抑制該顆粒附著晶圓W。
如此，本公開說明的直線運動機構不限定於應用在搬運臂11。亦可將本技術的直線運動機構應用在供給阻蝕劑以外的化學液之裝置的噴嘴移動機構。再者，上述之例以外亦可將該直線運動機構應用在例如處理基板的裝置、模組中，設來使將基板傳遞至搬運機構的昇降銷昇降的昇降機構。又，亦可將該直線運動機構應用在使載體C的載置台91在載出位置(將載體C傳遞至載置台91的位置)與載入位置(將晶圓W往裝置搬入的位置)之間移動的移動機構。再者，直線運動機構所進行的外部移動體的移動方向，不限定於如如上所述各例的上下方向、水平方向，亦可係例如傾斜方向。
[第1實施形態的其它變形例] 接著，參照圖27及圖28的縱截側視圖、圖29的立體圖，以與圖6等所示的第1實施形態之差異點為中心來說明第1實施形態的其它變形例。另，圖27、圖28顯示在密封皮帶40的移動方向(直線方向)上彼此不同的位置之剖視。在此變形例中亦與第1實施形態同樣，箱體24的內部的上側、下側，分別設有在密封皮帶40的移動方向觀察呈凹部的圍繞部5。以下，說明上側的圍繞部5來代表。
在此變形例之中的圍繞部5，係在密封皮帶40的移動方向上為長條的構件，例如由樹脂所構成，呈凹部的各側壁及底壁形成為一體。更具體而言，第1實施形態所述的前方壁形成構件51構成為連接在水平壁50A，該前方壁形成構件51、水平壁50A及垂直壁50B呈一體而形成凹部即圍繞部5，該圍繞部5圍繞密封皮帶40的上端部。並且，此變形例的圍繞部5之垂直壁50B(凹部的一側的側壁)未設有伸出條部53及通氣口60，垂直壁50B的前方面構成為與密封皮帶40的上端部背面側(另一面側)相向並且靠近(亦即，設為僅稍離開密封皮帶40)垂直面59。此圍繞部5在箱體24內的上側，在該密封皮帶40的移動方向上空出間隔設有多數個。
並且箱體24內的上側設有多數之滾輪單元110。各滾輪單元110具備平台部101及滾輪102。平台部101設在比密封皮帶40上端更上方位置，縱長的滾輪102自該平台部101往下方伸出，該滾輪102的周面與密封皮帶40的上端部背面相向。滾輪102係以垂直軸作為旋轉軸而旋轉的旋轉體，滾輪102的上端側受到軸承103所圍繞，經由該軸承103而連接在該平台部101。在密封皮帶40的移動方向上觀察時，滾輪102的前方側之端部設在比上述圍繞部5的垂直壁50B之中的垂直面55更靠近密封皮帶40背面的位置，例如靠近或接觸於該背面。此滾輪單元110亦在密封皮帶40的上部側設置有多數個，滾輪單元110與圍繞部5交互配置在密封皮帶40的移動方向上。所以滾輪102與垂直壁50B在該移動方向上排列設置。
並且，在此第1實施形態的其它變形例中，亦與如上所述各例同樣，箱體24的開口部附近的構成為上下鏡射對稱。所以，箱體24內的下方側設有多數之圍繞部5及多數之滾輪單元110，此等圍繞部5及該滾輪單元110沿著密封皮帶40的移動方向交互配置。如此，密封皮帶40的下端部受到箱體24內的下方側的圍繞部5所圍繞，該圍繞部5的垂直壁50B與密封皮帶40的下端部背面相向。又，設在如此箱體24內之下方側的滾輪單元110之平台部101，位在比密封皮帶40之下端更下方，滾輪102自該平台部101往上方伸出，與密封皮帶40之下端部背面相向。如此，分別設在箱體24內之下方側的圍繞部5之垂直壁50B與滾輪102之位置關係，及如上所述的分別設在箱體24內之上側的圍繞部5之垂直壁50B與滾輪102之位置關係同樣。另，在上側的圍繞部5及滾輪單元110，與在下側的圍繞部5及滾輪單元110，不限定為在密封皮帶40之移動方向上的彼此位置相同，例如亦可有些許偏差。
以上所述的其它變形例中，藉由位於密封皮帶40背面側的圍繞部5之垂直壁50B，防止密封皮帶40的較大變形。又，與垂直壁50B同位於密封皮帶40背面側的滾輪102亦有助於密封皮帶40之變形抑制。所以，與第1實施形態同樣，能夠提高針對箱體24的開口部25的密封性。在此變形例中，垂直壁50B及滾輪102相當於密封皮帶40之變形抑制部。並且，密封皮帶40未變形時，或者密封皮帶40之變形量小時，因為藉由滾輪102將該密封皮帶40的移動引導成防止密封皮帶40與垂直壁50B之滑動，所以抑制顆粒自該密封皮帶40發生。又，上述的滑動受到抑制，能夠達成密封皮帶40的長壽化。
另，滾輪單元102亦可為如圖14所示的構成，其具備：軸61；及凸輪從動件62，具有大於該軸61的直徑並且相對於軸61旋轉的滾輪。然而依據上述滾輪單元110，定為滾輪102自具有分別配置在密封皮帶40上方、下方的軸承103之基部102往下方、上方伸出的構成。藉由該構成，能使滾輪102為小直徑，使滾輪102的旋轉軸在比較靠前方開口部25的位置。所以，因為能夠壓抑滾輪單元110的前後寬度，所以能夠防止箱體24的大型化。
本次揭示的實施形態在全部各點係例示，應認為其並非為限制性。上述實施形態，只要不脫離附加的申請專利範圍及其主要精神，即能夠以各式各樣的形態進行省略、取代、變更、組合。
1:直線運動機構 1A:塗佈顯影裝置 2:支持部 5:圍繞部 8:噴嘴移動機構 10:處理部 11:搬運臂 12:框體 13:搬運口 14:阻蝕劑塗佈模組 15:搬運通道 17:加熱模組 21:基台 22:昇降台 23:框架 24:箱體 24A:蓋 24B:其它部位(外殼本體) 25:開口部 26:移動體 27:風扇 30:移動機構 31:導軌 32:主動滑輪 33:從動滑輪 34:皮帶 35:電動機 40:密封皮帶 41:旋轉軸 42:從動滾輪 50A:水平壁 50B:垂直壁 51:前方壁形成構件 52,52C:變形抑制部 53:伸出條部 54:氣體噴吐口 55:緩衝室 56:氣體供給通道 57:N2氣體供給源 58流量調整部 59:閥門 60:通氣口 61:軸 62:凸輪從動件 63:氣流引導構件 64:吸引口 65:排氣通道 66:劃分區域 67:風扇 68:分隔板 70:內部移動體 71:連接部 72:支持柱 73,74,75:從動滾輪 76:吸引孔 77:固持件 77A:凹部 78:磁性流體 79:電磁鐵 80:噴嘴 81:第1框體 82:第2框體 83:臂 84:移動體 85:排氣口 87:杯體 91:載置台 92:開閉部 93:移載機構 95:傳遞臂 96,97,98:介面臂 100:顆粒 101:平台部 102:滾輪 103:軸承 110:滾輪單元 C:載體 D1:載體區塊 D2:處理區塊 D3:介面區塊 D4:曝光裝置 E1~E6:單位區塊 F1~F6:搬運臂 T1~T4:塔樓 TRS:傳遞模組 W:晶圓
圖1係顯示設有第1實施形態之直線運動機構的處理部之立體圖。 圖2係第1實施形態之直線運動機構的橫截俯視圖。 圖3係第1實施形態之直線運動機構的縱截側視圖。 圖4係顯示習知直線運動機構的作用之說明圖。 圖5係顯示習知直線運動機構的作用之說明圖。 圖6係設在第1實施形態之直線運動機構的圍繞部之立體圖。 圖7係前述圍繞部的剖視圖。 圖8係顯示第1實施形態之直線運動機構的作用之說明圖。 圖9係說明箱體內的氣流流動之說明圖。 圖10係說明圍繞部附近的氣流流動之說明圖。 圖11係顯示搬運臂移動時的箱體內部之說明圖。 圖12係搬運臂移動時的箱體內的氣流之說明圖。 圖13係說明變形抑制部的裝卸之說明圖。 圖14係顯示圍繞部的其他例之縱截側視圖。 圖15係顯示圍繞部的其他例之橫截俯視圖。 圖16係顯示圍繞部的其他例之縱截側視圖。 圖17係顯示圍繞部的其他例之縱截側視圖。 圖18係顯示箱體內的其他例之縱截側視圖。 圖19係第2實施形態之直線運動機構的橫截俯視圖。 圖20係顯示第2實施形態之直線運動機構的作用之說明圖。 圖21係顯示第2實施形態之直線運動機構的作用之說明圖。 圖22係顯示第3實施形態之直線運動機構的圍繞部之縱截側視圖。 圖23係顯示第3實施形態之直線運動機構的圍繞部的其他例之縱截側視圖。 圖24係顯示塗佈顯影裝置之縱剖視圖。 圖25係顯示塗佈顯影裝置之俯視圖。 圖26係應用本公開說明之直線運動機構的塗佈模組之俯視圖。 圖27係顯示前述箱體的其他例之縱截側視圖。 圖28係顯示前述箱體的其他例之縱截側視圖。 圖29係顯示前述箱體的其他例之立體圖。
5:圍繞部
24:箱體
26:移動體
27:風扇
31:導軌
34:皮帶
40:密封皮帶
51:前方壁形成構件
52:變形抑制部
53:伸出條部
54:氣體噴吐口
55:緩衝室
60:通氣口

Claims (17)

  1. 一種直線運動機構，包含： 箱體，內部受到排氣； 開口部，形成於該箱體； 內部移動體，設在該箱體內，在直線方向上移動； 連接部，在該內部移動體設成自該開口部往該箱體外部伸出，並且在箱體外部與外部移動體連接，用以使該外部移動體伴隨該內部移動體的移動而移動； 密封皮帶，在該箱體內設成於該直線方向上延伸來封塞該開口部，並且寬度方向上的兩端部的一面側與該開口部之口緣部分開而相向；及 變形抑制部，設為與該密封皮帶的寬度方向兩端部的另一面側相向，用來將在該內部移動體連接成因應於該內部移動體的移動而於該直線方向上移動之該密封皮帶之變形加以抑制； 或者吸引部，設在該箱體，對於在該內部移動體勾掛成與該內部移動體的位置對應的第1部位比與該第1部位係於該直線方向上不同的第2部位更離開該開口部的該密封皮帶之該兩端部的一面側進行吸引，用以使該第2部位密接在該開口部之口緣部。
  2. 如請求項1之直線運動機構，其中， 該變形抑制部在該密封皮帶的寬度方向兩端部的另一面側設為離開該密封皮帶， 於該直線方向上觀察，形成有將該密封皮帶的兩端部各別圍繞的凹部，該凹部的一個側壁與另一個側壁係分別由該變形抑制部、該開口部之口緣部所構成。
  3. 如請求項2之直線運動機構，其中， 該各變形抑制部設有：接觸防止部，用以防止該變形抑制部與該密封皮帶之接觸。
  4. 如請求項3之直線運動機構，其中， 該各變形抑制部於該直線方向上延伸， 該接觸防止部，係於該直線方向上設置多數個，或具備：氣體噴吐口，形成為於該直線方向上延伸的狹縫，將對於該變形抑制部之防止接觸用氣體噴吐至該密封皮帶的寬度方向兩端部的另一面側。
  5. 如請求項4之直線運動機構，其中， 由該變形抑制部所形成的該凹部之側壁具備：伸出條部，朝向該開口部之口緣部伸出，並且形成於該直線方向上； 且該氣體噴吐口設在該伸出條部。
  6. 如請求項5之直線運動機構，其中， 該伸出條部的前端部於該直線方向上觀察係圓形。
  7. 如請求項5或6之直線運動機構，其中， 該密封皮帶與該伸出條部之距離係0.5mm以下，該密封皮帶與該開口部之口緣部之距離係0.5mm以上、1mm以下。
  8. 如請求項4至7其中任一項之直線運動機構，其中， 該接觸防止部包含：引導部，形成為自在該伸出條部開口的該氣體噴吐口之口緣部朝向該密封皮帶的寬度方向之中心部側延伸，引導該變形抑制部與該密封皮帶之間的該防止接觸用氣體的流動。
  9. 如請求項4至7其中任一項之直線運動機構，其中， 該變形抑制部在較該氣體噴吐口更靠近該凹部之開口側具備：吸引口，用以吸引自該氣體噴吐口噴吐的氣體。
  10. 如請求項3至8其中任一項之直線運動機構，其中， 在該變形抑制部所形成的該凹部的側壁中比該氣體噴吐口更靠該凹部底部處設有：通氣口，使該凹部的內外連通。
  11. 如請求項2至10其中任一項之直線運動機構，其中， 該變形抑制部可對於該箱體自由裝卸。
  12. 如請求項2之直線運動機構，其中， 該凹部內充填有磁性流體，該凹部的外側設有磁鐵，用來將該磁性流體保持在該凹部內。
  13. 請求項1之直線運動機構，其中， 該變形抑制部設在該密封皮帶的寬度方向兩端部的另一面側， 該變形抑制部具備：旋轉體，繞著與該密封皮帶之移動方向正交的旋轉軸旋轉，用以減少與該密封皮帶之摩擦。
  14. 如請求項13之直線運動機構，其中， 於該直線方向上觀察，形成有將該密封皮帶的兩端部各別圍繞的凹部， 該變形抑制部包含於該直線方向上排列設置的該旋轉體與該凹部的一個側壁， 該凹部的一個側壁，在該密封皮帶的寬度方向兩端部的另一面側設為與該密封皮帶分開，該旋轉體位在比該凹部的一個側壁更靠近該密封皮帶之處。
  15. 如請求項1之直線運動機構，其中， 設有該吸引部， 該吸引部具備形成於該箱體的皮帶密接用吸引孔。
  16. 如請求項1至15其中任一項之直線運動機構，其中， 該外部移動體具備：基板支持部，用以支持半導體製造用基板。
  17. 一種顆粒之飛散抑制方法，包含以下程序： 將形成有開口部的箱體內部加以排氣； 使設在該箱體內的內部移動體在直線方向上移動； 使在該內部移動體設成自該開口部往該箱體外部伸出並且在箱體外部與外部移動體連接的連接部移動，而使該外部移動體伴隨該內部移動體的移動而移動； 使在該箱體的外側設為與該連接部連接的外部移動體，因應於該內部移動體的移動而於該直線方向上移動； 藉由密封皮帶來封塞該開口部，該密封皮帶設為在箱體內於該直線方向上延伸並且寬度方向上的兩端部的一面側與該開口部之口緣部分開而相向；及 藉由設成與該密封皮帶的寬度方向兩端部的另一面側相向之變形抑制部，來將在該內部移動體連接成因應於該內部移動體的移動而於該直線方向上移動之該密封皮帶之變形加以抑制； 或者，藉由設在該箱體的吸引機構，對於在該內部移動體勾掛成與該內部移動體的該直線方向位置對應的第1部位比與該第1部位不同的第2部位更離開該開口部的該密封皮帶之該兩端部的一面側進行吸引，而使該第1部位密接在該開口部之口緣部。
TW109142355A 2019-12-11 2020-12-02 直線運動機構及顆粒之飛散抑制方法 TWI860430B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019223916 2019-12-11
JP2019-223916 2019-12-11
JP2020197365 2020-11-27
JP2020-197365 2020-11-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202129822A true TW202129822A (zh) 2021-08-01
TWI860430B TWI860430B (zh) 2024-11-01

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
US20230021035A1 (en) 2023-01-19
JPWO2021117684A1 (zh) 2021-06-17
WO2021117684A1 (ja) 2021-06-17
CN114787714A (zh) 2022-07-22
KR20220113726A (ko) 2022-08-16
JP7396370B2 (ja) 2023-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4541232B2 (ja) 処理システム及び処理方法
JP6349750B2 (ja) Ｅｆｅｍ
JP4272230B2 (ja) 減圧乾燥装置
TWI423915B (zh) 可移動傳送室及包含此可移動傳送室之基板處理裝置
TWI651802B (zh) 夾持裝置及使用此夾持裝置之基板運入運出裝置與基板處理裝置
JP7137047B2 (ja) Ｅｆｅｍ、及び、ｅｆｅｍにおけるガス置換方法
JP2010037082A (ja) 基板搬送装置および基板搬送方法
JP7396370B2 (ja) 直動機構及びパーティクルの飛散抑制方法
TWI463591B (zh) 基板加工裝置及基板加工方法
JP6583482B2 (ja) Ｅｆｅｍ
JP2011181633A (ja) 接合装置
KR100687008B1 (ko) 파티클을 효과적으로 흡입 배출할 수 있는 기판 반송 장치
TW201637725A (zh) 加熱乾燥裝置
KR100955895B1 (ko) 카세트 이송장치
TW201708087A (zh) 基板懸浮搬送裝置
WO2017212841A1 (ja) 容器保管装置及び容器保管方法
TWI618899B (zh) 基板搬送裝置、基板處理裝置及基板搬送方法
JP4790326B2 (ja) 処理システム及び処理方法
US6766895B2 (en) Work conveying system and traveling path sealing structure in the work conveying system
JP2010080983A (ja) 基板処理装置
JP2006190828A (ja) 基板処理装置
JP2010123871A (ja) 基板処理装置
JP6853489B2 (ja) Ｅｆｅｍ
US6832680B1 (en) Work conveying system and traveling path sealing structure in the work conveying system
KR102278078B1 (ko) 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치