TWI463591B - 基板加工裝置及基板加工方法 - Google Patents
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Description
本美國非臨時專利申請案根據美國專利法第119條主張2011年5月31日提出申請之韓國專利申請案專利第10-2011-0052381號及2011年9月1日提出申請之韓國申請專利申請案第10-2011-0088465號之優先權，該等韓國專利申請案之全部內容以引用方式併入本文。
本文揭示之本發明係關於一種基板加工裝置，且更特定言之，係關於一種可在基板上執行濕式清洗及乾式清洗之基板加工裝置及一種基板加工方法。
光罩係用於光微影步驟中，以用於與曝光裝置一起轉移晶圓上之預定光阻劑圖案。該光罩在其整個表面上包括預定光阻隔層圖案或相移層圖案。光罩係藉由將覆蓋光阻隔層圖案或相移層圖案之薄膜附著於光罩基板上以便保護該光阻隔層圖案或該相移層圖案來製造。
又，在光罩上執行清洗步驟以便移除歸因於不同因素之污染。清洗步驟分類為使用H2
SO4
之濕式清洗步驟及使用紫外線或熱量之乾式清洗步驟。必須在執行用於光罩之修復步驟後執行清洗步驟。
然而，為了執行現有光罩清洗步驟，應獨立提供用於濕式清洗之裝置及用於乾式清洗之裝置。因此，該步驟加工時間可能進行相對較長之時間，且背部污染可歸因於光罩之外部曝光而發生。
本發明提供一種基板加工裝置及方法，該裝置及方法可藉由減少光罩之外部曝光來防止發生光罩之背部污染。
本發明亦提供一種基板加工裝置及方法，該裝置及方法可選擇性執行乾式清洗步驟及濕式清洗步驟。
本發明之目標並不限於上述內容，且本文未描述之其他目標將由熟習此項技術者自以下描述清楚理解。
本發明之實施例提供基板加工裝置，其包括：索引部分，其包括端口及索引機器人，含有基板之容器放置於該端口上；用於加工基板之加工部分；及緩衝單元，其安置於加工部分與索引部分之間以便允許在該加工部分與該索引部分之間轉移的基板臨時停留於該緩衝單元中，其中加工部分包括黏膠移除加工模組、基板冷卻加工模組、熱加工模組及功能水加工模組，該等模組沿轉移通道安置以用於轉移基板。
在一些實施例中，加工部分可包括：第一加工部分，在該部分中於基板上執行濕式清洗步驟；及第二加工部分，其堆疊於第一加工部分上以便在基板上執行乾式清洗步驟及功能水清洗步驟。
在其他實施例中，第一加工部分可包括：第一轉移通道，其包括用於轉移基板之第一轉移機器人；及黏膠移除加工模組與基板冷卻加工模組，其可沿該第一轉移通道安置在該第一轉移通道側面上。
在其他實施例中，黏膠移除加工模組可包括：高溫硫酸單元(HSU)，其將硫酸過氧化氫混合物(SPM)溶液塗覆至整個基板以便移除黏膠；及黏膠移除高溫硫酸單元(GSU)，
其將SPM溶液部分塗覆至基板邊緣以便移除黏膠。
在其他實施例中，第二加工部分可包括：第二轉移通道，其包括用於轉移基板之第二轉移機器人；及熱加工模組與功能水加工模組，其可安置於第二轉移通道側面上的該第二轉移通道上。
在其他實施例中，熱加工模組可包括：用於執行烘焙步驟之烘焙板；及用於執行紫外照射步驟之紫外燈，其中烘焙步驟與紫外照射步驟可獨立執行或同時執行。
在進一步實施例中，功能水加工模組可選擇性使用功能水來移除粒子，且功能水可包括含有CO2
之去離子水、含有H2
之去離子水及含有O3
之去離子水。
在進一步實施例中，電離劑可安置於轉移通道中。
在進一步實施例中，緩衝單元可包括：第一緩衝器，基板放置於該第一緩衝器上；用於反轉第一緩衝器之驅動部分；及框架，該框架具有中心區域，該第一緩衝器安置於該中心區域上，且具有開口前表面及後表面以及供驅動部分安置於之上且安置於中心區域兩側上的驅動部分區域。
在進一步實施例中，第一緩衝器可包括：用於支撐基板之一表面的第一支撐部分；及面對第一支撐部分之第二支撐部分，該第二部分支撐放置於第一支撐部分上之基板的另一表面，其中驅動部分可包括：旋轉模組，其用於旋轉第一支撐部分及第二支撐部分；及升降模組，其用於升降第二支撐部分以便將基板夾持於第一支撐部分及第二支撐部分上。
在進一步實施例中，第一緩衝器之旋轉軸可偏離基板
夾持位置之中心，以使得基板之裝載位置與反轉基板後基板之卸載位置相同。
在進一步實施例中，熱加工模組可包括：烘焙板，基板裝載於該烘焙板上；主體，該烘焙板安置於該主體上，該主體具有開口頂表面及側表面，其中界定用於基板放入或取出之入口孔；用於打開或關閉主體之開口頂表面的蓋；及安置於該蓋中以便將紫外線照射至基板上的紫外燈。
在進一步實施例中，基板加工裝置可進一步包括：提升銷，其用於支撐經由入口孔移入及移出之基板；第一升降驅動部分，其用於在烘焙板與紫外燈之間升降由提升銷支撐之基板；及第二升降驅動部分，其用於升降烘焙板，其中第一升降驅動部分可升降基板：於裝載/卸載位置，基板在該位置處經由入口孔移入及移出；於低於裝載/卸載位置之烘焙位置，且基板置於烘焙板上該位置處以便在基板上執行烘焙步驟；及於高於裝載/卸載位置之紫外照射位置，且在該位置處基板接近紫外燈以便在基板上執行紫外照射步驟，且第二升降驅動部分可將烘焙板升降至接近紫外燈的紫外照射位置以便在基板上執行紫外照射步驟。
在進一步實施例中，基板冷卻加工模組可包括：一腔室；及安置於腔室內部空間中之冷卻單元，其中該冷卻單元可包括：彼此間隔之第一支撐框架及第二支撐框架；安置於第一支撐框架及第二支撐框架內且供基板放置於之上的冷卻板；安置於冷卻板下方之提升銷；及安置於第一撐框架及第二支撐框架外部以便上升及下降該等提升銷之驅動部分。
在進一步實施例中，冷卻單元可進一步包括空間分隔
蓋，該分隔蓋覆蓋第一支撐框架及第二支撐框架之外表面，以便使供驅動部分安置於內之驅動部分空間與腔室內部空間分隔開。
在進一步實施例中，第一轉移機器人及第二轉移機器人中之每一者可包括：一基座；至少一手柄，其包括凹穴部分，該至少一手柄自界定於基座上方之本位移至拾取基板之拾取位置；一對準部分，其用於當至少一手柄自拾取位置返回至本位時位置對準基板；及一支架，其與基座頂表面間隔開，且對準部分安置於該支架上。
在本發明之其他實施例中，基板加工方法包括：將含於容器中之基板提供至索引部分中；將基板自索引部分轉移至加工部分中，該加工部分中執行清洗步驟；及在加工部分中在基板上執行清洗步驟，其中該清洗步驟包括：自基板移除黏膠；及自得以移除黏膠之基板表面移除粒子。
在一些實施例中，清洗步驟可進一步包括：在於黏膠移除步驟與粒子移除步驟之間烘焙基板及將紫外線照射至基板上；及冷卻基板。
在其他實施例中，可供基板臨時停留於內之緩衝單元經安置於索引部分與加工部分之間，以便當基板停留於緩衝單元中時反轉在索引部分與加工部分之間轉移的基板。
在其他實施例中，移除黏膠可包括：使用硫酸過氧化氫混合物(SPM)溶液來加工基板表面；使用熱去離子水加工基板表面；使用RCA標準清洗溶液(標準清洗1(SC-1))來加工基板表面；使用沖洗溶液來加工基板表面；及乾燥基板表面，其中移除粒子可包括使用含有CO2
之去離子水、含有H2
之去離子水及含有O3
之去離子水移除剩餘在基板表
面上之粒子及有機物。
在其他實施例中，基板可包括光罩。
下文中，將參照隨附圖式詳細描述根據本發明之示例性實施例的基板加工裝置。全文中相同元件符號表示相同元件。此外，將省略關於熟知功能或組態之詳細描述，以避免不必要地混淆本發明之主題。
(實施例)
圖1為根據本發明之一實施例的光罩清洗裝置之視圖。
圖2及圖3為圖示圖1之基板加工裝置之第一層佈局及第二層佈局的視圖。
在此實施例中，將光罩例示為基板。然而，可將諸如半導體晶圓及平形顯示面板之各種基板例示為基板。另外，在此實施例中，將用於清洗光罩之裝置例示為基板加工裝置。然而，基板加工裝置可為用於在各種類型之基板(諸如晶圓)上執行清洗步驟之裝置。或者，基板加工裝置可為用於執行除了用於基板(諸如光罩及晶圓)之清洗步驟以外的各種類型之應反轉基板之步驟的裝置。
參照圖1至圖3，基板加工裝置1包括索引部分1000、加工部分200及緩衝單元4000。
索引部分1000包括供含有光罩之容器放置於之上的四個端口1100及用於轉移光罩之索引機器人1200。光罩中之每一者係以光罩含於每一容器中之狀態來轉移。另外，光罩係含於容器中以使得其圖案表面定向向下。因此，圖案表面污染可在光罩之轉移期間得以最小化。在將光罩轉移
至第一加工部分2000或第二加工部分3000中之前，在緩衝單元4000中將光罩再次反轉以使得圖案表面定向向上。
加工部分200包括第一加工部分2000及第二加工部分3000。在第一加工部分2000中在光罩上執行濕式清洗步驟。第一加工部分2000連接至緩衝單元4000。另外，第一加工部分2000包括第一轉移通道2100，該通道包括：用於轉移光罩之第一轉移機器人2200、沿第一轉移通道2100安置之黏膠移除加工模組(HSU及GSU)2300及2400以及光罩冷卻加工模組(CPU)2500。
舉例而言，可提供樹膠移除加工模組，且可提供兩個光罩冷卻加工模組。
黏膠移除加工模組2300及2400可包括：高溫硫酸單元(HSU)2300，其將硫酸過氧化氫混合物(SPM)溶液塗覆至整個光罩以便移除黏膠；及黏膠移除高溫硫酸單元(GSU)2400，其將SPM溶液部分塗覆至光罩邊緣以便移除黏膠。CPU 2500將在熱加工模組3300中受到加熱之光罩冷卻至室溫。
此處，SPM溶液為H2
SO4
與H2
O2
之混合溶液。另外，SPM溶液可於高溫下使用以便自基板表面移除有機物。
第一加工部分2000及第二加工部分300安置於不同的層。在第二加工部分3000中在光罩上執行乾式清洗步驟及功能水清洗步驟。第二加工部分3000包括第二轉移通道3100，該通道包括用於轉移光罩之第二轉移機器人3200、熱加工模組(HPU)3300及功能水加工模組(SCU)3400。此處，HPU 3300及SCU 3400係沿第二轉移通道3100安置。熱加工模組3300可使用紫外線加熱光罩。舉例而言，可提
供兩個熱加工模組3300，且可提供兩個功能水加工模組3400。
SCU 3400可自基板表面移除粒子或有機物。功能水可包括含有CO2
之去離子水(抗靜電)，含有H2
之去離子水(與兆頻音波一齊用以移除粒子)以及含有O3
之去離子水(用於移除有機物)。
緩衝單元4000安置於加工部分200與索引部分1000之間。例如，緩衝單元4000安置於第一加工部分2000與索引部分1000之間。或者，緩衝單元4000可安置於第二加工部分3000與索引部分1000之間。緩衝單元4000反轉光罩。
在基板加工裝置1中，用於執行濕式清洗步驟之模組安置於第一層上，且用於執行乾式清洗步驟之模組安置於第二層上。亦即，在第一層上執行使用化學溶液之濕式清洗步驟，以便保護經乾式加工之光罩免於歸因於降流之離子污染。
圖4為具有單層結構之基板加工裝置的視圖。
參照圖4，基板加工裝置具有單層結構。亦即，用於執行濕式清洗步驟及乾式清洗步驟之模組沿轉移通道安置在包括轉移機器人之轉移通道的側面部分上。
在此實施例中，加工部分包括黏膠移除加工模組、光罩冷卻加工模組、熱加工模組及功能水加工模組。然而，組成加工部分之加工模組的類型可根據待加工之基板的類型及其加工步驟而變化。
基板加工裝置可同時加工五個光罩以便提高生產力。
由於光罩之圖案表面包括鉻(Cr)，故圖案表面易受靜態電流影響。因此，根據本發明之一實施例的基板加工裝置可在移動通道(第一轉移通道、第二轉移通道以及加工模組中之每一者的內部)內包括電離劑以便最小化歸因於靜電之損害。
圖5為緩衝單元之透視圖，圖6為緩衝單元之正視圖，且圖7為緩衝單元之平視圖。圖8為緩衝單元之剖視圖。
參照圖5至圖8，緩衝單元4000包括框架4100、具有反轉功能之第一緩衝器4200、具有簡單緩衝功能之第二緩衝器4300及驅動部分4400。此處，可提供兩個第一緩衝器及兩個第二緩衝器。
框架4100包括底板4110、第一垂直板4120、第二垂直板4130以及兩個空間分隔蓋4140。
第一垂直板4120及第二垂直板4130垂直於底板4110。第一垂直板4120與第二垂直板4130彼此間隔。第一垂直板4120與第二垂直板4130之間的空間稱為中心空間CA(光罩儲存及反轉於其中)。第一垂直板4120之右側空間及第二垂直板4130之左側空間分別稱為驅動部分空間DA。中心空間CA具有開放前部及開放後部，光罩經由該前部及後部裝入或取出。第一緩衝器4200及第二緩衝器4300以多級結構佈置於中心空間CA內。驅動部分4400安置於驅動部分空間DA中之每一者內。空間分隔蓋4140將驅動部分空間DA與外部環境隔離開。框架4100之底板4110包括進氣口4112以便在驅動部分空間DA內形成排氣壓力(負壓)。亦即，藉由空間分隔蓋4140將驅動部分空間DA與外部環境隔離開。另外，在驅動部分空間DA中，藉
由進氣口4112形成負壓(排氣壓力)以便阻止空氣自驅動部分空間DA流至中心空間CA。
第二緩衝器4300安置於第一緩衝器4200下方。另外，第二緩衝器4300具有簡單緩衝功能。
第一緩衝器4200以可旋轉方式安裝於第一垂直板4120及第二垂直板4130上。第一緩衝器4200包括固定架4210作為第一支撐體及包括夾持架4220作為第二支撐體。固定架4210面對夾持架4220。夾持架4220垂直移動以便固持放置於固定架4210上之光罩M之邊緣。當以平視圖觀看時，固定架4210及夾持架4220在整體上具有正方形框架形狀。固定架4210及夾持架4220中之每一者在其每一邊緣處包括支撐突出4212及4222(參見圖4)。此處，光罩M之邊緣位於支撐突出4212及4222上。
驅動部分4400包括旋轉模組4410及升降模組4420。驅動部分4400安置於驅動部分空間DA內以便阻止歸因於產生於驅動部分4400中之粒子而發生光罩之背部污染。
旋轉模組4410包括兩個轉子4412及一個旋轉驅動部分4414。
轉子4412經安置成分別對應於第一垂直板4120及第二垂直板4130。旋轉驅動部分4414安置於第一垂直板4120上。旋轉驅動部分4414包括馬達4416、皮帶4417及滑輪4418以便將轉子4412反轉約180°。轉子4412中之每一者具有包含內部通道之空心結構。固定架4210之兩端分別固定至轉子4412。
升降模組4420包括圓筒4422、連接塊4424及線性運動(LM)導軌4426。圓筒4422固定至安置於驅動部分空間
DA中的轉子4412之外部。連接塊4424根據圓筒4422之驅動垂直移動。LM導軌4426固定至轉子4412。LM導軌4426導引根據圓筒4422之驅動垂直移動的連接塊4424。連接塊4424經由轉子4412之內部通道連接至安置於中心空間CA內的夾持架4220。
緩衝單元4000可僅包括具有反轉功能之一第一緩衝器。另外，緩衝單元可包括一第一緩衝器及一第二緩衝器。或者，如圖6所圖示，緩衝單元可包括具有彼此不同數目之第一緩衝器及第二緩衝器。另外，第一緩衝器及第二緩衝器之位置可改變。
緩衝單元400包括用於偵測光罩M是否經不穩定安裝之偵測部件9300。偵測部件9300分別安置於第一緩衝器4200及第二緩衝器4300之光罩裝載/卸載高度處。偵測部件9300係對角安置以用於交互核對。
圖9及圖10分別為圖示圖7之偵測部件的平視圖及側視圖。參照圖9及圖10，偵測部件9300圍繞相應緩衝器安置。偵測部件9300可同時偵測光罩M之存在及光罩裝載失敗。偵測部件9300中之每一者包括成對之光發射部分9310及光接收部分9320。光發射部分9310發射鐳射束，且光接收部分9320接收鐳射束。光發射部分9310及光接收部分9320經安置以沿光罩M之對角方向傳播鐳射束。亦即，鐳射束自光罩M之一側傾斜地入射。
光發射部分9310包括發射鐳射束之光發射感測器9312及第一光阻隔板9316，該第一光阻隔板包括限製鐳射束之束寬的第一縫隙窗口9314。自光發射部分9310發射之鐳射束具有垂直縫隙形狀之剖面。
光接收部分9320包括：第二光阻隔板9326，該阻隔板包括第二縫隙窗口9324，自光發射部分9310發射之鐳射束經由該縫隙穿過；及光接收感測器9322，其安置於第二光阻隔板9326之後側以便偵測經由第二縫隙窗口9324入射的鐳射束之密度。
鐳射束具有高於光罩M之高度h2的高度h1。鐳射束可穿過光罩M之一部分。例如，當光罩M具有約6.35 mm之高度(厚度)，且鐳射束具有約10 mm之高度h1時，穿過光罩M之鐳射束之一部分可具有約5 mm之高度h3，以有效偵測光罩M之存在及光罩裝載失敗。亦即，一半(5 mm之高度)鐳射束可穿過光罩M。由於鐳射束之該部分(穿過光罩M)係傾斜入射至光罩M之側面，故鐳射束之該部分在穿過光罩M時被折射，且因此，並不入射至光接收部分9320之第二縫隙窗口9324中。因此，僅穿越光罩M之頂表面的鐳射束之一部分可入射至第二縫隙窗口9324中，以使得鐳射束之感測密度減少。
圖11至圖14為圖示用於在第一緩衝器中逐漸反轉光罩之步驟的視圖。
參照圖11至圖14，光罩M由轉移設備(未圖示)轉移至緩衝單元4000之中心空間CA中，且隨後被裝載至固定架4210中。當光罩M被裝載至固定架4210時，夾持架4220由升降模組4420向下移動以便自該光罩M之上部支撐該光罩M。當光罩M由固定架4210及夾持架4220固定時，第一緩衝器4200由旋轉模組4410反轉。然後，夾持架4220安置於下側，且固定架4210安置於上側。夾持架4220由
升降模組4420向下移動以便釋放光罩M之固持。此時，由夾持架4220固持之光罩M移至裝載/卸載位置。
此時，光罩M之旋轉軸(以點劃線描繪)安置於光罩M上方。亦即，光罩M之旋轉軸偏離光罩M之放置位置之中心(光罩裝載/卸載位置)，以使得光罩M之初始裝載位置與反轉光罩M後之卸載位置相同。
圖15為圖示圖2之高溫硫酸單元(HSU)之平視圖。
參照圖15，HSU 2300為用於使用各種加工流體自光罩表面移除黏膠及粒子之單元。
HSU 2300包括腔室2310、加工容器2320、光罩支撐部件2330、第一擺動噴嘴單元2340、第二擺動噴嘴單元2350、霧劑/液體噴嘴單元2360、固定噴嘴單元2370及背部噴嘴單元2390。
腔室2310提供密封之內部空間。垂直空氣流可由安置於腔室2310上部上之扇形過濾單元(未圖示)產生於腔室2310內。加工容器2320具有含開口上側之圓筒形狀。另外，加工容器2320提供用於加工光罩M之加工空間。光罩M可經由加工容器2320之開口頂側放入或取出。光罩支撐部件2330在執行該步驟期間支撐且旋轉光罩M。
固定噴嘴單元2370固定至加工容器2320之上端以將含有N2
及CO2
之去離子水供應至光罩M之中心。第一擺動噴嘴單元2340經由其擺動運動而移動至光罩M中心之上側，以將用於移除黏膠之流體供應至光罩M上。該流體可包括SPM溶液及熱去離子水(熱DIW)。第二擺動噴嘴單元2350經由其擺動運動而移動至光罩M中心之上側，以將用於移除有機物之流體供應至光罩M上。流體可包括含有O3
之DIW。霧劑/液體噴嘴單元2360經由其擺動運動而移動至光罩M中心之上側，以將用於清洗之液體或霧劑流體供應至光罩M上。該流體可包括：RCA標準清洗溶液(標準清洗1(SC-1))；化學溶液，諸如NH40H+DIW、DIW及含CO2
之SC-1(以霧劑狀態噴射)以及NH40H+DIW+N2
(以霧劑狀態噴射)。背部噴嘴單元2390將含有SC-1、N2
、SPM及CO2
之DIW供應至光罩M之後表面上。
在HSU 2300中，黏膠可以經由以下供應步驟移除：供應SPM->供應熱DIW->供應SC-1->供應沖洗溶液(含有CO2
之DIW)->供應乾燥空氣。
圖16為圖示圖3之功能水加工模組之平視圖。
參照圖16，SCU 3400使用各種功能水移除剩餘在光罩M表面上之粒子。
SCU 3400包括腔室3410、加工容器3420、光罩支撐部件3430、霧劑噴嘴單元3440、兆頻音波噴嘴單元3450、擺動噴嘴單元3460、固定噴嘴單元3470及背部噴嘴單元3490。
腔室3410提供密封之內部空間。垂直空氣流可由安置於腔室2310之上部上的扇形過濾單元(未圖示)產生於腔室3410內。加工容器3420具有包含開口上側之圓筒形狀。另外，加工容器2320提供用於加工光罩之加工空間。光罩可經由加工容器3420之開口頂側放入或取出。光罩支撐部件3420安置於加工容器3430內。光罩支撐部件3430在執行該步驟期間支撐且旋轉該光罩。
固定噴嘴單元3470固定至加工容器3420之上端，以將含有N2
及CO2
之超純水提供至光罩中心上。霧劑噴嘴單
元3440經由其擺動運動移動至光罩M中心之上側，以將用於清洗之流體供應至光罩M上。該流體可包括含有熱DIW之DIW、H2
+DIW、N2
、SC-1及CO2
。兆頻音波噴嘴單元3450經由其擺動運動移動至光罩M中心之上側，以將清洗溶液供應至光罩M上。該清洗溶液可包括含有CO2
之DIW及H2
+DIW。兆頻音波噴嘴單元2350可將高頻兆頻音波能量提供至噴射至光罩M上之清洗溶液，以產生清洗溶液之振動。因此，強聲流可產生於流體中以便自光罩M表面移除污染粒子。
擺動噴嘴單元2360經由其擺動運動移動至光罩M中心之上側，以將用於清洗之功能水供應至光罩M上。該功能水可包括用於移除粒子之含有H2
的DIW以及用於移除有機物之含有O3
的DIW。背部噴嘴單元3490將功能水及氮氣供應至光罩M之背面上。該功能水可包括含有CO2
之DIW、H2
+DIW及O3
+DIW。
在SCU 3400中，清洗步驟可經由以下供應步驟執行：以霧劑狀態供應H2
+DIW->供應SC-1->供應含有CO2
之DIW(供應兆頻音波能量)->供應沖洗液(功能水)->供應乾燥氣體(N2
)。
圖17及圖18分別為闡釋圖2之光罩冷卻設備的平視圖及側視圖。
參照圖17及圖18，CPU 2500包括腔室2510、底板2520及冷卻模組2530。
腔室2510提供密封之內部空間。扇形過濾單元2590安置於腔室2510之上部上。扇形過濾單元2590在腔室2510中產生垂直空氣流。腔室2510在第一表面2512中具有鄰
近第一轉移通道2100之基板入口孔2514。儘管未圖示，但是面向界定基板入口孔2514之第一表面的表面可被定義為用於維修而打開之開口表面。該開口表面由蓋密封。
包括化學過濾器及空氣供應扇之過濾器可經模組化為一單元以構成扇形過濾單元2590。扇形過濾單元2590可為用於過濾空氣以將經過濾之空氣供應至腔室2510中的單元。空氣穿過扇形過濾單元2590且被供應至腔室2510中進而產生垂直空氣流。
腔室2510由底板2520分隔成加工區域PA及公用區域VA。冷卻模組2530安置於底板2520之頂表面上。進氣道2522及進氣管2524安置於底板2520之底面上。進氣道2522連接至外部排氣線2528。進氣管2524將進氣道2522連接至冷卻模組2530之驅動部分空間DA，以將負壓提供至驅動部分空間DA。驅動部分空間DA中所產生之粒子經由進氣管2524排入進氣道2522中。
底板2520具有進氣孔2526，其圍繞安置冷卻模組2430之位置。進氣孔2526連接至進氣道2522。因此，CPU 2500可提供圍繞冷卻模組2530之均勻空氣流。
腔室2510內之空氣被引入界定於底板2520中之進氣孔2526中，且經由進氣道2522排入排氣線2528中。冷卻模組2530之驅動部分空間DA內之空氣被引入進氣管2524中，且經由進氣道2522排入排氣線2528中。因此，可始終圍繞冷卻模組2530提供高清洗空氣。
儘管僅展示於圖式之一部分中，但是冷卻模組2530之冷卻板2540、連接至驅動部分2560之冷卻水供應線、氣動管及添加至排氣管2524之索道可安置於公用區域VA中，
其中排氣管2524連接至冷卻模組2530之驅動部分空間DA。另外，可將加工區域PA與公用區域VA隔離開，以便維持圍繞冷卻模組2530之高清洗空氣。
冷卻模組2530包括第一支撐框架2532、第二支撐框架2534、冷卻板2540、提升銷2550、驅動部分2560及空間分隔蓋2536。用於偵測放置於冷卻板2540上之光罩M是否正常安放的光罩偵測感測器2570可沿對角方向安置於冷卻模組2530上。
第一支撐框架2532及第二支撐框架2534可彼此間隔以使得供光罩M放置於之上的冷卻板2540安置於其上。冷卻板2540安置於第一支撐框架2532與第二支撐框架2534之間。冷卻板2540具有：頂表面，光罩M放置於其上；及冷卻水通道(未圖示)，冷卻水在該通道中穿過。冷卻水可經由連接至冷卻板2540底表面之一側的冷卻水供應線2548供應。用於導引光罩M之裝載位置的導銷2542安置於冷卻板2540之頂表面上。儘管未圖示，但是冷卻板2540可包括用於偵測其內部溫度之感測器。
提升銷2550安置於冷卻板2540下方。提升銷2550安置於銷支撐體2552上。銷支撐體2552以垂直可移動方式安置於第一支撐框架2532及第二支撐框架2543上。銷支撐體2552可由安置於第一支撐框架2532之外表面上的驅動部分2560來上升或下降。驅動部分2560為包括導軌2562及圓筒2564之線性驅動設備。驅動部分2560安置於由空間分隔蓋2536界定之驅動部分空間DA內。
空間分隔蓋2536經安置以覆蓋第一支撐框架2532及第二支撐框架2543之外表面。驅動部分2560安置於由空間分隔蓋2536與腔室2510之內部空間隔離開的空間中。
圖19為圖示圖2之熱加工模組的示意透視圖，且圖20為熱加工模組之後視圖。圖21為主體之平視圖。圖22為高度調節部分之剖視圖。圖23至圖26為圖示熱加工模組中光罩高度之各種變化的視圖。為描述之便利起見，將腔室之結構簡單圖示於圖19中。
參照圖19至圖26，熱加工模組3300包括腔室3310、烘焙板3340、紫外燈3350、提升銷3360及高度調節部分3370。
腔室3310包括主體3320及蓋3330。主體3320具有開口頂表面及前表面，用於移入/移出光罩之入口孔3321界定於該前表面中。用於允許工作人員觀察主體3320內部之觀察口(參見圖20)3322及用於偵測光罩之感測口3323安置於主體3320之側表面中。感測口3322以對角方向安置。光接收/發射感測器3324安置於感測口3322外部，以便偵測光罩是否存在及位置是否失準。用於排出腔室3310之內部空間內之O3
氣體的主排氣孔3326界定於主體3320之後表面中。
主體3320包括氣體注入部分3328及氣體排放部分3329，該氣體注入部分用於將步驟氣體供應至安置於紫外照射位置(圖24中展示之光罩位置)處之光罩與紫外燈3350之間，該氣體排放部分用於在面對氣體注入部分3328之側表面上排放步驟氣體。該步驟氣體可包括空氣、氮氣、氧氣及氬氣中之一者。展示於圖21中之箭頭表示步驟氣體流。
蓋3330鉸鏈耦接至主體3320以便打開或關閉主體3320之開口頂表面。蓋3330具有供紫外燈3350安置於內之燈安裝空間3331。燈安裝空間3331由石英窗口3332與腔室3310內部分隔開。儘管未展示，但是蓋3330具有冷卻水線以便阻隔紫外燈之熱量。例如，紫外燈3350由四個172 nm準分子燈組成。
烘焙板3340鄰近主體3320底部安置。烘焙板3340在其頂表面上包括八個支撐突出3342，光罩M置於該等突出上。例如，烘焙板3340之溫度可增加至約300℃。另外，烘焙板3340具有五個加熱區以便向其提供統一溫度。烘焙板3340以可調節高度之方式安置於腔室3310內。烘焙板3340具有供提升銷3360安置於內之通孔。
提升銷3360包括用於支撐光罩M之四個邊緣的四個銷。提升銷3360穿過腔室3310之底部且連接至高度調節部分3370。
高度調節部分3370安置於腔室3310下方。高度調節部分3370為用於調節提升銷3360及烘焙板3340之高度以便改變光罩M之位置的驅動設備。
高度調節部分3370包括上板3371、下板3372、用於升降提升銷3360之第一升降驅動部分3380及用於升降烘焙板3340之第二升降驅動部分3390。上板3371固定至腔室3310。下板3372與上板3371充分間隔開。
第一升降驅動部分3380包括一對第一ML導軌3381、一第一移動環3382、一第一驅動馬達3383、一第一滾珠螺桿3384、一皮帶3385及一滑輪3386。
該對第一LM導軌3381以相對於上板3371及下板3372垂直之方式安置。第一移動環3382經安置以沿該對第一LM導軌3381上升/下降。提升銷3360之下端固定至第一移動環3382。第一滾珠螺桿3384連接至第一移動環3382。第一驅動馬達3383旋轉第一滾珠螺桿3384。第一驅動馬達3383之功率經由皮帶3385及滑輪3386轉移至第一滾珠螺桿3384中。第一移動環3382可藉由第一滾珠螺桿3384之旋轉而沿第一LM導軌3381上升或下降。提升銷3360由金屬伸縮管環繞，以便當提升銷3360垂直移動時提供空間密封。
第一升降驅動部分3380可按三階段調節提升銷3360中每一者之高度。
第一階段高度為烘焙加工高度，光罩M置於烘焙板3340上該高度處。圖25圖示在光罩M置於烘焙板3340上之狀態下光罩M安置於該烘焙加工高度處之狀態。第二階段高度為裝載/卸載高度，光罩M在該高度處經由入口孔3321放入或取出。圖23圖示在光罩M置於提升銷3360上之狀態下光罩M安置於該裝載/卸載高度處之狀態。第三階段高度為紫外照射高度，將使用紫外線加工之光罩M在該高度處接近紫外燈3350。圖24圖示在光罩M置於提升銷3360上之狀態下光罩M安置於該紫外照射高度處之狀態。
第二升降驅動部分3390包括一對第二ML導軌3391、一第二移動環3392、一第二驅動馬達3393、一第二滾珠螺桿3394、一皮帶3395、一滑輪3396及烘焙支撐銷3398。
該對第二LM導軌3391以相對於上板3371及下板3372垂直之方式安置。第二移動環3392可經安置以沿該對第二
LM導軌3391上升/下降。烘焙支撐銷3398之下端固定至第二移動環3392。烘焙支撐銷3398經由腔室3310支撐烘焙板3340。第二滾珠螺桿3394連接至第二移動環3392。第二驅動馬達3393旋轉第二滾珠螺桿3394。第二驅動馬達3393之功率經由皮帶3395及滑輪3396轉移至第二滾珠螺桿3394中。第二移動環3392可藉由第二滾珠螺桿3394之旋轉沿第二LM導軌3391上升或下降。烘焙支撐銷3398由金屬伸縮管環繞，以便當烘焙支撐銷3398垂直移動時提供空間密封。
第二升降驅動部分3390可按兩階段調節烘焙板3340之高度。
第一階段高度為烘焙加工高度，光罩M置於烘焙板3340上該高度處。圖10圖示在光罩M置於烘焙板3340上之狀態下光罩M安置於該烘焙加工高度處之狀態。在光罩M置於烘焙板3340上之狀態下，第二階段高度為光罩M接近紫外燈3350之紫外照射高度。圖26圖示在光罩M置於烘焙板3340上之狀態下光罩M安置於該紫外照射高度處之狀態。
如以上所述，第二升降驅動部分3390按兩階段垂直升降烘焙板3340，以使得光罩M同時由烘焙板3340烘焙且由紫外燈3350照射。紫外照射高度，即光罩M之頂表面與紫外燈3350中每一者之間的距離可為約1 mm至約3 mm。
如以上所述，在根據本發明之熱加工模組3300中，烘焙步驟及紫外照射步驟可獨立執行或藉由將烘焙步驟與紫外照射步驟彼此混合來同時執行。
第一轉移設備(亦即，圖2中之第一轉移機器人)及第二轉移設備(亦即，圖3中之第二轉移機器人)具有相同組成。因此，在此實施例中，僅詳細描述第一轉移裝設備220。
圖27為圖示圖2之第一轉移設備的透視圖，且圖28及圖29為第一轉移設備之平視圖。圖30為用於闡釋安裝於第一轉移設備之基座上之驅動部分的視圖。圖31為圖示第一轉移設備之主要部分的放大視圖。圖32為第一轉移設備之正視圖。
參照圖27至圖32，第一轉移設備2200包括主體2210、安置於主體2210上之基座2220、在基座2220上沿向前方向及向後方向可移動之第一手柄2230a及第二手柄2230b、安置於基座2220上之支架2250、安置於支架上以便對準光罩之一對對準導軌2260、安置於支架2250上之夾持部分2270及安置於支架上以便偵測光罩失準之失準偵測部分2280。
舉例而言，基座2220在主體2210上為可旋轉且高度可調節的。根據本發明之第一轉移設備2200包括兩個手柄以便更換光罩M。舉例而言，兩個手柄中之一手柄可將已完成加工步驟之光罩轉移至加工模組中，且兩個手柄中之另一手柄可將未執行加工步驟之光罩轉移至加工模組中。
第一手柄2230a及第二手柄2230b可在彼此不同之高度處沿向前方向及向後方向獨立地移動。在本實施例中，第一手柄2230a安置於第二手柄2230b上方。第一手柄2230a及第二手柄2230b中之每一者包括：凹穴部分2232，光罩放M放置於其上；及連接臂2236，其自凹穴部分2232
之一側延伸且連接至安置於基座2220內之驅動部分2224。凹穴部分2232可具有各種形狀。
在第一轉移設備2200中，光罩M在第一手柄2230a或第二手柄2230b以向前方向移動之狀態下被拾取，且在第一手柄2230a或第二手柄2230b以向後方向移動(本位)之狀態下被轉移。參照圖29，可見第一手柄2230a移至拾取位置，且第二手柄2230b移至本位。
參照圖30，第一手柄2230a及第二手柄2230b可藉由安置於基座2220內之兩個驅動部分2224移動。驅動部分2224中之每一者可包括：馬達2224a；皮帶滑輪2224b，其用於將馬達2224a之功率轉移至第一手柄2230a(或第二手柄2230b)中；及導軌2224c，其用於導引第一手柄2230a(或第二手柄2230b)前向及後向移動。為描述之便利，前述部分將簡單圖示於圖30中。其他線性驅動設備(諸如圓筒)可用作驅動部分2224。
支架2250包括：水平梁2252，其與基座2220之頂表面間隔開；及支撐體2254，其支撐水平梁2252之兩端且固定至基座2252之兩側。
該對對準導軌2260安置於支架2250之水平梁2252上。該對對準導軌2260安置於與放置於第一手柄2230a及第二手柄2230b上之光罩M相同之高度。該對對準導軌2260彼此間隔且導引光罩M之兩側表面。該對對準導軌2260中之每一者具有傾斜表面2262，其向外傾斜以使得對準導軌2260具有朝向其前端逐漸增加之寬度。因此，即使光罩M失準，亦可容易地將光罩M插入於該對對準導軌2260之間。
因此，當光罩M自拾取位置移動至本位時，可防止光罩M歸因於該對對準導軌2260之失準。因此，即使光罩M以在拾取位置處失準狀態放置於第一手柄2230a(或第二手柄2230b)上，當光罩M移動至本位時，光罩M亦可藉由該對對準導軌2260對準。
夾持部分2270安置於水平梁2252之前表面上。夾持部分2270在其上端上包括止動器2272。當第一手柄2230a或第二手柄2230b自拾取位置返回至本位時，止動器2272防止放置於凹穴部分2232上之光罩M向上分隔。另外，夾持部分2270包括用於偵測光-罩M是否存在之感測器2274。在將光罩M正常放置於第一手柄2230a(或第二手柄2230b)上之後，當光罩M移動至本位時，感測器2274藉由被光罩M推動來偵測光罩M是否存在。
失準偵測部分2280安置於支架2250上。失準偵測部分2280偵測光罩M在本位之失準。失準偵測部分2280沿垂直方向偵測光罩M。失準偵測部分2280可安置於光發射部分2282與光接收部分2284之間。另外，失準偵測部分2280可經安置以使得光罩M穿過界定於其前端兩側之感測孔P1。若光罩M安裝於凹穴部分2232上或朝向一側成角度安置，則失準偵測部分2280之光接收部分2284不會自光發射部分2282接收信號。在此情況下，可確定光罩M之位置失準。因此，警報響起以便阻止該加工步驟。
根據本發明，乾式清洗及濕式清洗可執行於同一裝置上以便減少步驟加工時間，且歸因於減少光罩之外部曝光而防止發生背部污染。
另外，可選擇性地執行乾式清洗及濕式清洗。
以上揭示之主題將視作說明性的而非約束性的，且隨附申請專利範圍意欲涵蓋屬於本發明之實際精神及範疇內的所有此類修改、增強及其他實施例。因此，在法律允許之最大程度內，本發明之範疇將由以下申請專利範圍及其等效範圍之最大允許解釋來決定，且不應受以上詳細描述約束或限製。
1‧‧‧基板加工裝置
200‧‧‧加工部分
1000‧‧‧索引部分
1100‧‧‧端口
1200‧‧‧索引機器人
2000‧‧‧第一加工部分
2100‧‧‧第一轉移通道
2200‧‧‧第一轉移機器人/第一轉移設備
2220‧‧‧基座
2224‧‧‧驅動部分
2224a‧‧‧馬達
2224b‧‧‧皮帶滑輪
2224c‧‧‧導軌
2230a‧‧‧第一手柄
2230b‧‧‧第二手柄
2232‧‧‧凹穴部分
2236‧‧‧連接臂
2250‧‧‧支架
2252‧‧‧水平梁
2254‧‧‧支撐體
2260‧‧‧對準導軌
2262‧‧‧傾斜表面
2270‧‧‧夾持部分
2272‧‧‧止動器
2274‧‧‧感測器
2280‧‧‧失準偵測部分
2282‧‧‧光發射部分
2284‧‧‧光接收部分
2300‧‧‧黏膠移除加工模組/高溫硫酸單元(HSU)
2310‧‧‧腔室
2320‧‧‧加工容器
2330‧‧‧光罩支撐部件
2340‧‧‧第一擺動噴嘴單元
2350‧‧‧第二擺動噴嘴單元/兆頻音波噴嘴單元
2360‧‧‧霧劑/液體噴嘴單元
2370‧‧‧固定噴嘴單元
2390‧‧‧背部噴嘴單元
2400‧‧‧黏膠移除加工模組/黏膠移除高溫硫酸單元(GSU)
2500‧‧‧光罩冷卻加工模組(CPU)
2510‧‧‧腔室
2512‧‧‧第一表面
2514‧‧‧基板入口孔
2520‧‧‧底板
2522‧‧‧進氣道
2524‧‧‧進氣管
2526‧‧‧進氣孔
2528‧‧‧外部排氣線
2530‧‧‧冷卻模組
2532‧‧‧第一支撐框架
2534‧‧‧第二支撐框架
2536‧‧‧空間分隔蓋
2540‧‧‧冷卻板
2542‧‧‧導銷
2550‧‧‧提升銷
2552‧‧‧銷支撐體
2560‧‧‧驅動部分
2562‧‧‧導軌
2564‧‧‧圓筒
2570‧‧‧光罩偵測感測器
2590‧‧‧扇形過濾單元
3000‧‧‧第二加工部分
3200‧‧‧第二轉移機器人
3300‧‧‧熱加工模組(HPU)
3310‧‧‧腔室
3320‧‧‧主體
3321‧‧‧入口孔
3322‧‧‧觀察口
3323‧‧‧感測口
3324‧‧‧光接收/發射感測器
3326‧‧‧主排氣孔
3328‧‧‧氣體注入部分
3329‧‧‧氣體排放部分
3330‧‧‧蓋
3332‧‧‧石英窗口
3340‧‧‧烘焙板
3342‧‧‧支撐突出
3350‧‧‧紫外燈
3360‧‧‧提升銷
3370‧‧‧高度調節部分
3371‧‧‧上板
3372‧‧‧下板
3380‧‧‧第一升降驅動部分
3381‧‧‧第一LM導軌
3382‧‧‧第一移動環
3383‧‧‧第一驅動馬達
3384‧‧‧第一滾珠螺桿
3385‧‧‧皮帶
3386‧‧‧滑輪
3390‧‧‧第二升降驅動部分
3391‧‧‧第二LM導軌
3392‧‧‧第二移動環
3393‧‧‧第二驅動馬達
3394‧‧‧第二滾珠螺桿
3395‧‧‧皮帶
3396‧‧‧滑輪
3398‧‧‧烘焙支撐銷
3400‧‧‧功能水加工模組(SCU)
3410‧‧‧腔室
3420‧‧‧加工容器
3430‧‧‧光罩支撐部件
3450‧‧‧兆頻音波噴嘴單元
3460‧‧‧擺動噴嘴單元
3470‧‧‧固定噴嘴單元
3490‧‧‧背部噴嘴單元
4000‧‧‧緩衝單元
4100‧‧‧框架
4110‧‧‧底板
4112‧‧‧進氣口
4120‧‧‧第一垂直板
4130‧‧‧第二垂直板
4140‧‧‧空間分隔蓋
4200‧‧‧第一緩衝器
4210‧‧‧固定架
4212‧‧‧支撐突出
4220‧‧‧夾持架
4222‧‧‧支撐突出
4300‧‧‧第二緩衝器
4400‧‧‧驅動部分
4410‧‧‧旋轉模組
4412‧‧‧轉子
4414‧‧‧旋轉驅動部分
4416‧‧‧馬達
4417‧‧‧皮帶
4418‧‧‧滑輪
4420‧‧‧升降模組
4422‧‧‧圓筒
4424‧‧‧連接塊
4426‧‧‧LM導軌
9300‧‧‧偵測部件
9310‧‧‧光發射部分
9312‧‧‧光發射感測器
9314‧‧‧第一縫隙窗口
9316‧‧‧第一光阻隔板
9320‧‧‧光接收部分
9326‧‧‧第二光阻隔板
DA‧‧‧驅動部分空間
CA‧‧‧中心空間
M‧‧‧光罩
h1‧‧‧鐳射束高度
h2‧‧‧光罩M之高度
h3‧‧‧高度
PA‧‧‧加工區域
UA‧‧‧公用區域
P1‧‧‧感測孔
隨附圖式係包括以提供對本發明之進一步理解，且併入本說明書中且構成本說明書之一部分。圖式中圖示本發明之示例性實施例，且與描述一起用以闡釋本發明之原理。在圖式中：圖1為根據本發明之一實施例的光罩清洗裝置之視圖；圖2為圖示圖1之光罩清洗裝置之第一層佈局的視圖；圖3為圖示圖1之光罩清洗裝置之第二層佈局的視圖；圖4為具有單層結構之基板加工裝置的視圖；圖5為緩衝單元之透視圖；圖6為緩衝單元之正視圖；圖7為緩衝單元之平視圖；圖8為緩衝單元之剖視圖；圖9及圖10分別為圖示圖7之偵測部件的平視圖及側視圖；圖11至圖14為圖示用於在第一緩衝器中逐漸反轉光罩之步驟的視圖；圖15為圖示圖2之高溫硫酸單元(HSU)的平視圖；圖16為圖示圖3之功能水加工模組的平視圖；
圖17及圖18分別為闡釋圖2之光罩冷卻設備的平視圖及側視圖；圖19為圖示圖2之熱加工模組的示意透視圖；圖20為熱加工模組之後視圖；圖21為圖示圖19之主體的平視圖；圖22為高度調節部分之剖視圖；圖23至圖26為圖示熱加工模組中光罩高度之各種變化的視圖；圖27為圖示圖2之第一轉移設備的透視圖。
圖28及圖29為第一轉移設備之平視圖；圖30為闡釋安裝於第一轉移設備之基座上之驅動部分的視圖；圖31為圖示第一轉移設備之主體部分的放大視圖；及圖32為第一轉移設備之正視圖。
1‧‧‧基板加工裝置
200‧‧‧加工部分
1000‧‧‧索引部分
1100‧‧‧端口
1200‧‧‧索引機器人
2000‧‧‧第一加工部分
3000‧‧‧二加工部分
4000‧‧‧緩衝單元
Claims (21)
- 一種基板加工裝置，其包含：一索引部分，其包含一端口及一索引機器人，含有一基板之一容器放置於該端口上；一加工部分，其用於加工該基板；及一緩衝單元，其安置於該加工部分與該索引部分之間，以便允許在該加工部分與該索引部分之間轉移之該基板臨時停留於其中，其中該加工部分包含一黏膠移除加工模組、一基板冷卻加工模組、一熱加工模組及一功能水加工模組，該等模組沿用於轉移該基板之一轉移通道安置。
- 如申請專利範圍第1項之基板加工裝置，其中該加工部分包含：一第一加工部分，其中一濕式清洗步驟執行於該基板上；及一第二加工部分，其堆疊於該第一加工部分上以便在該基板上執行乾式清洗步驟及功能水清洗步驟。
- 如申請專利範圍第2項之基板加工裝置，其中該第一加工部分包含一第一轉移通道，該第一轉移通道包含用於轉移該基板之一第一轉移機器人，及該黏膠移除加工模組及該基板冷卻加工模組沿該第一轉移通道安置於該第一轉移通道之一側面上。
- 如申請專利範圍第3項之基板加工裝置，其中該黏膠移除加工模組包含：一高溫硫酸單元(HSU)，其將一硫酸過氧化氫混合物(SPM)溶液塗覆至一整個之該基板以便移除黏膠；及 一黏膠移除高溫硫酸單元(GSU)，其將該SPM溶液部分塗覆至該基板之邊緣以便移除黏膠。
- 如申請專利範圍第3項之基板加工裝置，其中該第二加工部分包含一第二轉移通道，該第二轉移通道包含用於轉移該基板之一第二轉移機器人，及該熱加工模組及該功能水加工模組安置於該第二轉移通道之一側面上的該第二轉移通道上。
- 如申請專利範圍第5項之基板加工裝置，其中該熱加工模組包含：一烘焙板，其用於執行一烘焙步驟；及一紫外燈，其用於執行一紫外照射步驟，其中該烘焙步驟與該紫外照射步驟係獨立執行或同時執行。
- 如申請專利範圍第5項之基板加工裝置，其中該功能水加工模組選擇性地使用功能水以便移除粒子，及該功能水包含含有CO2 之去離子水、含有H2 之去離子水及含有O3 之去離子水。
- 如申請專利範圍第1項之基板加工裝置，其中一電離劑係安置於該轉移通道內。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板加工裝置，其中該緩衝單元包含：一第一緩衝器，該基板放置於其上；一驅動部分，其用於反轉該第一緩衝器；及一框架，其具有：一中心區域，該第一緩衝器安置於其上且該中心區域具有開口前表面及後表面；及一驅動部分區域，該驅動部分安置於其上且該驅動部分區域安置 於該中心區域之兩側面上。
- 如申請專利範圍第9項之基板加工裝置，其中該第一緩衝器包含：一第一支撐部分，其用於支撐該基板之一表面；及一第二支撐部分，其面對該第一支撐部分，該第二支撐部分支撐放置於該第一支撐部分上之該基板之另一表面，其中該驅動部分包含：一旋轉模組，其用於旋轉該第一支撐部分及該第二支撐部分；及一升降模組，其用於升降該第二支撐部分以使得該基板夾持於該第一支撐部分及該第二支撐部分上。
- 如申請專利範圍第10項之基板加工裝置，其中該第一緩衝器之一旋轉軸偏離該基板之該夾持位置的一中心，以使得該基板之一裝載位置與該基板反轉後之一卸載位置相同。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板加工裝置，其中該熱加工模組包含：一烘焙板，該基板裝載於其上；一主體，該烘焙板安置於其上，該主體具有一開口頂表面及一側表面，該側表面中界定有用於放入或取出該基板之一入口孔；一蓋，其用於打開或關閉該主體之該開口頂表面；及紫外燈，其安置於該蓋中以便將紫外線照射至該基板上。
- 如申請專利範圍第12項之基板加工裝置，進一步包含：一提升銷，其用於支撐經由該入口孔放入或取出之該基 板；一第一升降驅動部分，其用於在該烘焙板與該等紫外燈之間升降由該等提升銷支撐之該基板；及一第二升降驅動部分，其用於升降該烘焙板，其中該第一升降驅動部分升降該基板：於一裝載/卸載位置處，基板在該位置處經由該入口孔放入或取出；於低於該裝載/卸載位置之一烘焙位置處，且該基板置於該烘焙板上該位置處以便在該基板上執行一烘焙步驟；及於高於該裝載/卸載位置之一紫外照射位置處，且該基板在該位置處接近該等紫外燈以便在該基板上執行該紫外照射步驟，及該第二升降驅動部分將該烘焙板升降至接近該等紫外燈之該紫外照射位置以便在該基板上執行該紫外照射步驟。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板加工裝置，其中該基板冷卻加工模組包含：一腔室；及一冷卻單元，其安置於該腔室之一內部空間中；其中該冷卻單元包含：彼此間隔之第一支撐框架及第二支撐框架；一冷卻板，其安置於該第一支撐框架及該第二支撐框架內，且該基板放置於其上；提升銷，其安置於該冷卻板下方；及一驅動部分，其安置於該第一支撐框架及該第二支撐框 架外部以便上下提升該等提升銷。
- 如申請專利範圍第14項之基板加工裝置，其中該冷卻單元進一步包含一空間分隔蓋，該分隔蓋覆蓋該第一支撐框架及該第二支撐框架之外表面，以使得供該驅動部分安置於內之一驅動部分空間與該腔室之一內部空間分隔開。
- 如申請專利範圍第5項之基板加工裝置，其中該第一轉移機器人及該第二轉移機器人中之每一者包含：一基座；至少一手柄，其包含一凹穴部分，該至少一手柄自界定於該基座上方之一本位移動至拾取該基板之一拾取位置；一對準部分，其用於當該至少一手柄自該拾取位置返回至該本位時對準該基板之位置；及一支架，其與該基座之一頂表面間隔開且該對準部分安置於其上。
- 一種基板加工方法，其包含：將含於一容器中之一基板提供至一索引部分中；將該基板自該索引部分轉移至一加工部分中，在該加工部分中執行一清洗步驟；及在該加工部分中在該基板上執行該清洗步驟，其中該清洗步驟包含：自該基板移除黏膠；及自移除該黏膠之該基板之一表面移除粒子。
- 如申請專利範圍第17項之基板加工方法，其中該清洗步驟進一步包含： 在該黏膠移除步驟與該粒子移除步驟之間烘焙該基板及將紫外線照射至該基板上；及冷卻該基板。
- 如申請專利範圍第17項之基板加工方法，其中供該基板臨時停留於內之一緩衝單元安置於該索引部分與該加工部分之間，以便當該基板停留於該緩衝單元中時反轉在該索引部分與該加工部分之間轉移之該基板。
- 如申請專利範圍第17項之基板加工方法，其中該黏膠之該移除包含：使用一硫酸過氧化氫混合物(SPM)溶液加工該基板之一表面；使用熱去離子水加工該基板之該表面；使用一RCA標準清洗溶液(標準清洗1(SC-1))加工該基板之該表面；使用一沖洗溶液加工該基板之該表面；及乾燥該基板之該表面，其中該等粒子之該移除包含使用含有CO2 之去離子水、含有H2 之去離子水及含有O3 之去離子水移除剩餘在該基板之該表面上之粒子及有機物。
- 如申請專利範圍第17項之基板加工方法，其中該基板包含一光罩。
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Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101919122B1 (ko) * | 2014-08-12 | 2018-11-15 | 주식회사 제우스 | 공정 분리형 기판 처리장치 및 처리방법 |
| TWI596692B (zh) * | 2016-06-08 | 2017-08-21 | 漢民科技股份有限公司 | 應用於半導體設備之組裝裝置 |
| TWI738002B (zh) * | 2018-12-05 | 2021-09-01 | 洪義明 | 高溫烘箱的溫度調整設備 |
| KR102431292B1 (ko) | 2020-01-15 | 2022-08-09 | 램 리써치 코포레이션 | 포토레지스트 부착 및 선량 감소를 위한 하부층 |
| KR102645023B1 (ko) * | 2021-06-25 | 2024-03-08 | 주식회사 선반도체 | 기판 표면상에 존재하는 이온 또는 염 성분의 용해 석출 장치 및 이를 이용한 용해 석출 방법 |
| CN113913926A (zh) * | 2021-10-22 | 2022-01-11 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 外延反应腔室的恢复方法、外延生长装置及外延晶圆 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7238087B1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-07-03 | Okamoto Machine Tool Works, Ltd. | Planarizing device and a planarization method for semiconductor substrates |
| WO2010024511A1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Semes Co., Ltd. | Method of adjusting velocity of transfer member, method of transferring substrate using the method, and substrate-processing apparatus |
| JP2010050436A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-03-04 | Ebara Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20100025229A (ko) * | 2008-08-27 | 2010-03-09 | 무진전자 주식회사 | 기판 이송 유닛 및 기판 이송 방법 |
| US20100192844A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101110076B1 (ko) * | 2005-11-04 | 2012-02-24 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 시스템 |
| KR101194697B1 (ko) * | 2006-10-18 | 2012-10-29 | 주식회사 케이씨텍 | 습식세정장비의 버퍼존 세정장치 |
| KR101394458B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2014-05-14 | 세메스 주식회사 | 버퍼 유닛, 기판 처리 설비 그리고 기판 처리 방법 |
-
2011
- 2011-09-01 KR KR1020110088465A patent/KR101295791B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-05-31 TW TW101119464A patent/TWI463591B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7238087B1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-07-03 | Okamoto Machine Tool Works, Ltd. | Planarizing device and a planarization method for semiconductor substrates |
| JP2010050436A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-03-04 | Ebara Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20100025229A (ko) * | 2008-08-27 | 2010-03-09 | 무진전자 주식회사 | 기판 이송 유닛 및 기판 이송 방법 |
| WO2010024511A1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Semes Co., Ltd. | Method of adjusting velocity of transfer member, method of transferring substrate using the method, and substrate-processing apparatus |
| US20100192844A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
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