TWI660795B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI660795B
TWI660795B TW106138317A TW106138317A TWI660795B TW I660795 B TWI660795 B TW I660795B TW 106138317 A TW106138317 A TW 106138317A TW 106138317 A TW106138317 A TW 106138317A TW I660795 B TWI660795 B TW I660795B
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

基板處理裝置包含有表面洗淨部、背面洗淨部及除電單元。基板之表面藉由表面洗淨單元所洗淨，而基板之背面藉由背面洗淨單元所洗淨。利用表面洗淨單元所進行洗淨前之基板及洗淨後之基板中之至少一基板係藉由除電單元被除電處理。利用背面洗淨單元所進行洗淨前之基板及洗淨後之基板中之至少一基板係藉由除電單元所除電。於利用除電單元進行基板之除電時，在含有氧分子之環境氣氛內基板由保持部所保持。真空紫外線通過含有氧分子之環境氣氛被照射於由保持部所保持之基板。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於對基板進行既定之處理之基板處理裝置及基板處理方法。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板或是光罩用基板等各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。
於基板處理裝置所進行一連串處理之過程中若基板帶電，微粒便容易附著於基板，而降低基板之潔淨度。又，存在有因放電現象使被形成於基板表面之配線圖案破損之可能性。為了防止該等不良狀況之發生，於專利文獻1所記載之基板處理裝置中，由基板搬送裝置所搬送之基板係藉由靜電消除器(Ionizer)所除電。
該靜電消除器包含有大致圓筒狀之外側電極與被設於其中央部之內側電極。藉由於外側電極與內側電極之間施加交流電壓而產生離子。所產生之離子被吹抵於由基板搬送裝置之保持構件所保持之基板之表面。藉此，使搬送中之基板被除電。
藉由抗蝕液被供給至已由靜電消除器所除電之基板來進行抗蝕膜之形成處理。又，藉由顯影液被供給至已由靜電消除器所除電之基板來進行顯影處理。
[專利文獻1]日本專利特開2000-114349號公報
專利文獻1所記載之靜電消除器，亦可應用於具備有洗淨裝置之基板處理裝置。在洗淨裝置中，例如基板係藉由藥液或純水等之洗淨液被供給至基板所洗淨。於具備有洗淨裝置之基板處理裝置中，為了更減少微粒朝向基板之附著，基板較佳係以盡可能地接近0(V)之方式被除電。藉此，可提升洗淨後之基板之潔淨度。
根據前述之靜電消除器，雖可使帶電1000(V)左右之基板之電位下降至100(V)左右，但無法使帶電10(V)左右之基板之電位下降至接近0(V)。
本發明之目的，在於提供可使基板之潔淨度提升之基板處理裝置及基板處理方法。
(1)本發明一態樣之基板處理裝置具備有：洗淨處理部，其進行基板之洗淨處理；及除電部，其對洗淨處理部所進行洗淨處理前之基板及洗淨處理部所進行洗淨處理後之基板中之至少一基板進行除電處理；除電部包含有：保持部，其在含有氧分子之環境氣氛內將基板加以保持；及射出部，其通過環境氣氛對由保持部所保持之基板射出真空紫外線。
於該基板處理裝置中，在洗淨處理部所進行之洗淨處理前及洗淨處理後之至少一時間點，藉由除電部進行基板之除電處理。在除電部中，自射出部所射出之真空紫外線係通過含有氧分子 之環境氣氛被照射至由保持部所保持之基板。
此時，藉由基板上之環境氣氛吸收真空紫外線之一部分，使該環境氣氛所含有之氧分子藉由光解離被分解為2個氧原子。藉由所分解之氧原子與存在於周圍之氧分子結合，而產生臭氧。
臭氧係藉由帶正電荷之共振結構與帶負電荷之共振結構之疊合所呈現之共振混成體。各共振結構包含共價鍵及配位鍵。由於配位鍵不穩定，因此若所產生之臭氧接觸於帶正電或帶負電之基板之一面，便會在臭氧與基板之間進行電荷之傳遞。於該情形時，臭氧之配位鍵被切斷，並且基板之電位接近於0(V)。如此一來，可不管基板之帶電量及帶電極性地使基板整體被除電。其結果，可提升洗淨處理及除電處理後之基板之潔淨度。
(2)基板處理裝置亦可進一步具備有控制部，且除電部進一步包含有相對移動部，該相對移動部使保持部及射出部中之至少一者相對於另一者朝一方向相對地移動，控制部係以使射出部所射出之真空紫外線通過環境氣氛而照射於由保持部所保持之基板之方式，對射出部及相對移動部進行控制。於該情形時，不需要對基板之整體同時地照射真空紫外線。因此，可抑制射出部之大型化。
(3)控制部亦可以使所預先決定之光量之真空紫外線照射於基板之方式，對由相對移動部所進行之保持部與射出部之相對移動速度進行控制。
於該情形時，藉由控制保持部與射出部之相對移動速度，可調整在基板上每單位面積所照射真空紫外線之光量，而可調整在基板上所產生臭氧之量。藉由提高移動速度，被照射至基板之真空紫外線之光量便會減少。藉此，可使在基板上所產生臭氧之量 減少。又，藉由降低移動速度，被照射至基板之真空紫外線之光量便會增加。藉此，可使在基板上所產生臭氧之量增加。因此，可均勻地供給基板上所期望之量的臭氧。其結果，可均勻地對基板整體進行除電。
(4)基板亦可具有一面及另一面，且基板處理裝置進一步具備有使基板之一面與另一面相互地反轉之反轉裝置，洗淨處理部係構成為可對未由反轉裝置所反轉之基板之一面進行洗淨且可對由反轉裝置反轉之基板之另一面進行洗淨。於該情形時，可使基板之一面及另一面之潔淨度提升。
(5)除電部亦可進一步具備有收容保持部及射出部之框體，框體具有用以在框體之內部與外部之間搬送基板之第1及第2搬送開口。於該情形時，可使用第1及第2搬送開口進行基板對除電部之搬入及搬出。藉此，使基板之搬送路徑設計之自由度提升。
(6)基板處理裝置亦可具有包含第1搬送裝置之第1區域、以及包含洗淨處理部及第2搬送裝置之第2區域，除電部係配置為可通過第1搬送開口進行對第1搬送裝置之基板之交接且可通過第2搬送開口進行對第2搬送裝置之基板之交接。於該情形時，在基板藉由第1及第2搬送裝置而於第1區域與第2區域之間被搬送時，可進行基板之除電處理。
(7)第1區域亦可進一步包含載置有收容基板之收納容器之容器載置部，第1搬送裝置在被載置於容器載置部之收納容器與除電部之間搬送基板，第2搬送裝置在除電部與洗淨處理部之間搬送基板，除電部於基板自第1搬送裝置朝向第2搬送裝置之交接時及基板自第2搬送裝置朝向第1搬送裝置之交接時，進行基板 之除電處理。
於該情形時，於基板自第1區域之收納容器朝向第2區域之洗淨處理部被搬送時、及基板自處理區域之洗淨處理部朝向搬入搬出區域內之收納容器被搬送時，藉由除電部對基板進行除電處理。藉此，可使使用第1區域及第2區域之基板處理之產出量提升。
(8)除電部亦可對由洗淨處理部所洗淨前之基板進行除電處理。於該情形時，洗淨處理前之基板之電位接近於0(V)。藉此，於洗淨處理時不會產生因基板之帶電所引起之放電現象。因此，可防止因基板之一部分破損所導致處理不良之發生。
(9)控制部亦可對由洗淨處理部所洗淨後之基板進行除電處理。於該情形時，即便基板於洗淨處理時帶電之情形時，亦可藉由對洗淨處理後之基板進行除電處理，使基板之電位接近於0(V)。藉此，可將洗淨處理後之基板保持為潔淨。
(10)本發明另一態樣之基板處理方法包含有：進行基板之洗淨處理之步驟；以及在進行洗淨處理之步驟前及進行洗淨處理之步驟後之中之至少一時間點，進行基板之除電處理之步驟；且進行除電處理之步驟包含有：在含有氧分子之環境氣氛內藉由保持部將基板加以保持之步驟；及使真空紫外線自射出部射出，並且將射出部所射出之真空紫外線通過上述環境氣氛而照射於由保持部所保持之基板之步驟。
於該基板處理方法中，在洗淨處理前及洗淨處理後之中之至少一時間點，進行基板之除電處理。於除電處理中，自射出部所射出之真空紫外線係通過含有氧分子之環境氣氛而被照射於 由保持部所保持之基板。此時，藉由真空紫外線之一部分被含有氧分子之環境氣氛所吸收，而產生有臭氧。
若所產生之臭氧與帶正電或帶負電之基板之一面接觸，便會在臭氧與基板之間進行電荷之傳遞。於該情形時，臭氧之配位鍵被切斷，並且基板之電位接近於0(V)。如此一來，可不管基板之帶電量及帶電極性地使基板整體被除電。其結果，可提升洗淨處理及除電處理後之基板之潔淨度。
根據本發明，可使基板之潔淨度提升。
4‧‧‧控制部
10‧‧‧分度區塊
10A‧‧‧搬送部
11‧‧‧處理區塊
11A‧‧‧表面洗淨部
11B‧‧‧背面洗淨部
11C‧‧‧搬送部
21‧‧‧旋轉夾頭
22‧‧‧夾頭旋轉驅動機構
23‧‧‧旋轉軸
24‧‧‧馬達
25‧‧‧轉動軸
26‧‧‧臂
27‧‧‧刷子洗淨具
28‧‧‧液吐出噴嘴
29‧‧‧供給管
31‧‧‧旋轉夾頭
32‧‧‧旋轉式保持銷
40‧‧‧載體載置台
60‧‧‧框體
61‧‧‧前壁部
62‧‧‧後壁部
62p‧‧‧搬送開口
63‧‧‧一側壁部
63p‧‧‧搬送開口
64‧‧‧另一側壁部
64p‧‧‧搬送開口
65‧‧‧頂壁部
66‧‧‧底壁部
70‧‧‧排氣部
71‧‧‧配管
72‧‧‧排氣裝置
100‧‧‧基板處理裝置
300‧‧‧光射出部
310‧‧‧殼體
320‧‧‧紫外線燈
321‧‧‧射出面
330‧‧‧第3氮氣供給部
331‧‧‧噴射孔
339‧‧‧氮氣導入管
400‧‧‧基板移動部
410‧‧‧殼體
411‧‧‧前上表面部
412‧‧‧後上表面部
412b‧‧‧開口部
413‧‧‧下表面部
414‧‧‧前面部
415‧‧‧後面部
416‧‧‧一側面部
417‧‧‧另一側面部
418‧‧‧氣體導出管
419‧‧‧中央上表面部
420‧‧‧交接機構
421‧‧‧升降銷
422‧‧‧銷支撐構件
423‧‧‧銷升降驅動部
430‧‧‧區域搬送機構
431‧‧‧傳送軸
432‧‧‧傳送軸馬達
433‧‧‧導引軌道
434‧‧‧區域搬送機械手
434h‧‧‧貫通孔
435‧‧‧機械手支撐構件
439‧‧‧連結構件
441‧‧‧感測器升降驅動部
442‧‧‧遮光構件
443‧‧‧遮光驅動部
450‧‧‧第1氮氣供給部
451‧‧‧噴射孔
459‧‧‧氮氣導入管
500‧‧‧搬入搬出部
510‧‧‧蓋構件
510b‧‧‧溝部
510c‧‧‧區域
510d‧‧‧區域
511‧‧‧噴射孔
520‧‧‧第2氮氣供給部
529‧‧‧氮氣導入管
590‧‧‧蓋驅動部
591‧‧‧支撐板
592‧‧‧支撐軸
600‧‧‧基板處理裝置
601‧‧‧載體載置台
604‧‧‧控制部
610‧‧‧分度區塊
610A‧‧‧搬送部
611‧‧‧處理區塊
611A‧‧‧搬送部
620‧‧‧洗淨單元
620A、620B、620C、620D‧‧‧洗淨部
621‧‧‧旋轉夾頭
622‧‧‧夾頭旋轉驅動機構
623‧‧‧旋轉軸
630‧‧‧第1馬達
631‧‧‧第1轉動軸
632‧‧‧第1臂
633‧‧‧洗淨液噴嘴
634‧‧‧洗淨液供給管
640‧‧‧第2馬達
641‧‧‧第2轉動軸
642‧‧‧第2臂
643‧‧‧沖洗液噴嘴
644‧‧‧沖洗液供給管
650‧‧‧杯裝置
680‧‧‧除電交接部
690A、690B、690C、690D‧‧‧流體箱部
AR1、AR2、AR3、AR4‧‧‧箭頭
C‧‧‧載體
CR‧‧‧中央機器人
IR‧‧‧分度機器人
IRH‧‧‧機械手
MR‧‧‧主機器人
MRH‧‧‧機械手
OWE‧‧‧除電單元
OWE2‧‧‧除電單元
P1‧‧‧後方位置
P2‧‧‧前方位置
PASS1、PASS2‧‧‧基板載置部
pr‧‧‧突出部
RT1、RT2‧‧‧反轉單元
S1‧‧‧後位置感測器
S2‧‧‧前位置感測器
S3‧‧‧照度感測器
S4‧‧‧氧濃度感測器
SS‧‧‧表面洗淨單元
SSR‧‧‧背面洗淨單元
UV‧‧‧真空紫外線
W‧‧‧基板
圖1係顯示第1實施形態之基板處理裝置之構成之俯視圖。
圖2係自箭頭X之方向觀察圖1之基板處理裝置之後視圖。
圖3係圖1之A-A線之基板處理裝置之縱剖視圖。
圖4係顯示第1實施形態之基板處理裝置中基本動作之流程之流程圖。
圖5係除電單元之外觀立體圖。
圖6係除電單元之側視圖。
圖7係用以說明除電單元之內部構造之側視圖。
圖8係用以說明除電單元之內部構造之俯視圖。
圖9係用以說明除電單元之內部構造之前視圖。
圖10係後上表面部及中央上表面部之俯視圖。
圖11係蓋構件之仰視圖。
圖12係顯示殼體之開口部被開放之狀態之除電單元之外觀立 體圖。
圖13(a)係紫外線燈及第3氮氣供給部之俯視圖，圖13(b)係紫外線燈及第3氮氣供給部之前視圖，圖13(c)係紫外線燈及第3氮氣供給部之仰視圖。
圖14係用以說明除電單元中基板之除電處理動作之側視圖。
圖15係用以說明除電單元中基板之除電處理動作之側視圖。
圖16係用以說明除電單元中基板之除電處理動作之側視圖。
圖17係用以說明除電單元中基板之除電處理動作之側視圖。
圖18係用以說明除電單元中基板之除電處理動作之側視圖。
圖19係用以說明除電單元中基板之除電處理動作之側視圖。
圖20係用以說明除電單元中基板之除電處理動作之側視圖。
圖21係用以說明除電單元中基板之除電處理動作之側視圖。
圖22係用以說明除電單元中照度測量動作之側視圖。
圖23係用以說明除電單元中照度測量動作之側視圖。
圖24係用以說明除電單元中照度測量動作之側視圖。
圖25係用以說明表面洗淨單元之構成之圖。
圖26係用以說明背面洗淨單元之構成之圖。
圖27係顯示第2實施形態之基板處理裝置之構成之俯視圖。
圖28係顯示第2實施形態之基板處理裝置中基本動作之流程之流程圖。
圖29係第2實施形態之除電單元之外觀立體圖。
圖30係用以說明第2實施形態之基板處理裝置之洗淨單元之構成之圖。
一面參照圖式，一面對本發明之實施形態之基板處理裝置及基板處理方法進行說明。再者，在以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence；電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板或太陽能電池用基板等。又，在以下之說明中，將形成有電路圖案等各種圖案之基板之面稱為表面，而將其相反側之面稱為背面。又，將被朝向下方之基板之面稱為下表面，將被朝向上方之基板之面稱為上表面。
[1]第1實施形態
(1)基板處理裝置之構成
於第1實施形態之基板處理裝置中，主要使用刷子物理性地洗淨基板之表面及背面。此時，於基板之表面既可形成有膜，亦可未形成有膜。圖1係顯示第1實施形態之基板處理裝置之構成之俯視圖，圖2係自箭頭X之方向觀察圖1之基板處理裝置100之後視圖，圖3係圖1之A-A線之基板處理裝置100之縱剖視圖。
如圖1所示，基板處理裝置100具有分度區塊10及處理區塊11。分度區塊10及處理區塊11係以沿著箭頭X之方向排列且相互地鄰接之方式所設置。
分度區塊10包含有複數個(在本例中為4個)載體載置台40及搬送部10A。複數個載體載置台40係以朝一方向排列之方式被連接於搬送部10A。於各載體載置台40上載置有將複數片基板W多層地加以收納之載體C。於搬送部10A設有分度機器人IR 及控制部4。分度機器人IR係構成為可朝與箭頭X垂直之箭頭U(圖1)之方向移動，並且被構成為可繞鉛直軸旋轉且可沿著上下方向進行升降。於分度機器人IR，在上下設有用以交接基板W之2個機械手IRH(圖3)。各機械手IRH係由多關節型機械臂所支撐，而可沿著水平方向進退。多關節型機械臂係由未圖示之驅動機構所個別地驅動。又，機械手IRH保持基板W之下表面之周緣部及外周端部。控制部4係由包含CPU(中央運算處理裝置)、ROM(唯讀記憶體)及RAM(隨機存取記憶體)之電腦等所構成，對基板處理裝置100內之各構成部進行控制。
如圖2所示，處理區塊11包含有表面洗淨部11A、背面洗淨部11B及搬送部11C。表面洗淨部11A位於處理區塊11之一側面側，而背面洗淨部11B位於處理區塊11之另一側面側。表面洗淨部11A及背面洗淨部11B隔著搬送部11C相互地對向。
於表面洗淨部11A設有複數個(在本例中為3個)表面洗淨單元SS及1個除電單元OWE。複數個表面洗淨單元SS及1個除電單元OWE係於上下被層積配置。於背面洗淨部11B設有複數個(在本例中為3個)背面洗淨單元SSR及1個除電單元OWE。複數個背面洗淨單元SSR及1個除電單元OWE係於上下被層積配置。再者，於表面洗淨部11A及背面洗淨部11B，亦可各設有2個以上之除電單元OWE。
於搬送部11C設有主機器人MR。主機器人MR係構成為可繞鉛直軸旋轉且可沿著上下方向進行升降。又，於主機器人MR，在上下設有用以交接基板W之2個機械手MRH(圖2)。各機械手MRH係由多關節型機械臂所支撐，可沿著水平方向進退。多 關節型機械臂係由未圖示之驅動機構所個別地驅動。又，機械手MRH保持基板W之下表面之周緣部及外周端部。
如圖3所示，於分度區塊10之搬送部10A與處理區塊11之搬送部11C之間，於上下層積配置有反轉單元RT1、RT2及基板載置部PASS1、PASS2。反轉單元RT1係設於基板載置部PASS1、PASS2之上方，而反轉單元RT2係設於基板載置部PASS1、PASS2之下方。
(2)基板處理裝置之動作之概要
於本實施形態之基板處理裝置100中，基板W之表面及背面分別由表面洗淨單元SS及背面洗淨單元SSR所洗淨。圖4係顯示第1實施形態之基板處理裝置100中基本動作之流程之流程圖。一面參照圖1至圖4，一面對基板處理裝置100之動作之概要進行說明。再者，以下所說明之基板處理裝置100之各構成元件之動作，係由圖1之控制部4所控制。
首先，分度機器人IR自分度區塊10內之任一載體C取出未處理之基板W(步驟S11)。於該時間點，基板W之表面被朝向上方。分度機器人IR將所取出之未處理之基板W載置於基板載置部PASS2。被載置於基板載置部PASS2之基板W係由主機器人MR所接取，並被搬入反轉單元RT1。反轉單元RT1將表面被朝向上方之基板W反轉為背面朝向上方(步驟S12)。反轉後之基板W係藉由主機器人MR自反轉單元RT1被搬出，且被搬入處理區塊11之任一除電單元OWE。
除電單元OWE進行被搬入之未處理之基板W之除電 處理(步驟S13)。除電處理之細節於後述之。除電處理後之基板W係藉由主機器人MR自除電單元OWE被搬出，且被搬入背面洗淨部11B之任一背面洗淨單元SSR。再者，前述之步驟S12、S13之處理亦可以相反之順序進行。
背面洗淨單元SSR進行未處理之基板W之背面之洗淨處理(步驟S14)。以下，將基板W之背面之洗淨處理稱為背面洗淨處理。背面洗淨處理之細節於後述之。背面洗淨處理後之基板W係藉由主機器人MR自背面洗淨單元SSR被搬出，且被搬入反轉單元RT2。
反轉單元RT2將背面被朝向上方之背面洗淨處理後之基板W反轉為表面朝向上方(步驟S15)。反轉後之基板W係藉由主機器人MR自反轉單元RT2被搬出，且被搬入處理區塊11之任一除電單元OWE。
除電單元OWE進行背面洗淨處理後之基板W之除電處理(步驟S16)。經進行除電處理之基板W係藉由主機器人MR自除電單元OWE被搬出，且被搬入表面洗淨部11A之任一表面洗淨單元SS。再者，前述之步驟S15、S16之處理亦可以相反之順序進行。
表面洗淨單元SS進行背面洗淨處理後之基板W之表面之洗淨處理(步驟S17)。以下，將基板W之表面之洗淨處理稱為表面洗淨處理。表面洗淨處理之細節於後述之。表面洗淨處理後之基板W係藉由主機器人MR自表面洗淨單元SS被搬出，且被搬入處理區塊11之任一除電單元OWE。
除電單元OWE進行表面洗淨處理後之基板W之除電 處理(步驟S18)。除電處理後之基板W係藉由主機器人MR自除電單元OWE被搬出，且被載置於基板載置部PASS1。分度機器人IR接取被載置於基板載置部PASS1之基板W，並將接取到之處理完畢之基板W收納於分度區塊10內之任一載體C內(步驟S19)。如此，對每片被搬入基板處理裝置100之基板W重複進行前述之一連串動作。
再者，在本實施形態中，基板W之背面洗淨處理及表面洗淨處理雖依此順序進行，但基板W之背面洗淨處理及表面洗淨處理亦可以相反之順序進行。於該情形時，於前述之步驟S11之處理後且步驟S12至S15之處理前，進行步驟S16、S17之處理，並在步驟S15之處理後進行步驟S18、S19之處理。
(3)除電單元
首先，對由本實施形態之除電單元OWE所進行除電處理之概略進行說明。於除電單元OWE中，對被配置於含有氧分子之環境氣氛內之基板W之上表面，照射波長約120nm以上且約230nm以下之真空紫外線。此時，藉由基板W之上表面上之環境氣氛吸收真空紫外線之一部分，該環境氣氛所含有之氧分子便藉由光解離而被分解為2個氧原子。藉由被分解之氧原子與存在於周圍之氧分子結合而產生臭氧。
臭氧係藉由帶正電荷之共振結構與帶負電荷之共振結構之疊合所呈現之共振混成體。各共振結構包含共價鍵及配位鍵。配位鍵由於不穩定，因此所產生之臭氧若接觸帶正電或帶負電之基板W之上表面，便會在臭氧與基板W之間進行電荷之傳遞。 於該情形時，臭氧之配位鍵被切斷，並且基板W之電位接近於0(V)。如此一來，基板W可不管其帶電量及帶電極性地以電位接近於0(V)之方式被除電。
接著，對除電單元OWE之構成之細節進行說明。圖5係除電單元OWE之外觀立體圖，圖6係除電單元OWE之側視圖。如圖5及圖6中以一點鏈線所示般，除電單元OWE包含具有大致長方體形狀之框體60。框體60具有前壁部61、後壁部62、一側壁部63、另一側壁部64、頂壁部65及底壁部66。前壁部61及後壁部62相互地對向，一側壁部63及另一側壁部64相互地對向，而頂壁部65及底壁部66相互地對向。
除電單元OWE係以後壁部62朝向圖1之搬送部11C之方式被配置。如圖5所示，於後壁部62，在搬送部11C內與框體60內之間形成有用以搬送基板W之搬送開口62p。又，於框體60之底壁部66設置有排氣部70。排氣部70係經由配管71被連接於基板處理裝置100之外部之排氣裝置72。排氣裝置72例如為工廠內之排氣設備，進行自框體60所排出氣體之去毒(detoxification)處理等。
在以下之說明中，如圖5以後之既定之圖中以粗的一點鏈線之箭頭所示般，將自框體60之內部朝向前壁部61之方向稱為除電單元OWE之前方，並將其相反方向(自框體60之內部朝向後壁部62之方向)稱為除電單元OWE之後方。
除了框體60以外，除電單元OWE主要係由光射出部300、基板移動部400及搬入搬出部500所構成。基板移動部400包含具有大致長方體形狀之殼體410。殼體410包含有前上表面部 411、中央上表面部419、後上表面部412、下表面部413、前面部414、後面部415、一側面部416及另一側面部417。
一側面部416及另一側面部417係以朝前後方向延伸且相互地對向之方式被設置。於一側面部416及另一側面部417之上端部中央，形成有朝上方延伸固定高度之突出部pr。在圖5及圖6中，僅顯示一側面部416及另一側面部417中之另一側面部417之突出部pr。
中央上表面部419係以連繫一側面部416之突出部pr與另一側面部417之突出部pr之方式被設置。前上表面部411係在較突出部pr更前方之位置，以連繫一側面部416之上端部與另一側面部417之上端部之方式被設置。後上表面部412係在較突出部pr更後方之位置，以連繫一側面部416之上端部與另一側面部417之上端部之方式被設置。前上表面部411及後上表面部412之高度互相相等。
以連繫一側面部416之上端部與另一側面部417之上端部之方式，且以位於前上表面部411與後上表面部412之間之方式，在殼體410上設置有光射出部300。光射出部300之一部分位於中央上表面部419之上方。光射出部300之細節於後述之。
於光射出部300之後方設有搬入搬出部500。如圖6所示，搬入搬出部500包含蓋構件510、蓋驅動部590、支撐板591及2個支撐軸592。在圖6中，僅顯示2個支撐軸592中之一支撐軸592。2個支撐軸592分別以在殼體410之兩側部朝上下方向延伸之方式被設置。支撐板591係藉由2個支撐軸592而以水平姿勢被支撐。在該狀態下，支撐板591位於光射出部300之後方且後上 表面部412之上方。於支撐板591之下表面安裝有蓋驅動部590。於蓋驅動部590之下方設置有蓋構件510。
於殼體410之後上表面部412形成有開口部412b(圖6)。蓋驅動部590藉由驅動蓋構件510使蓋構件510朝上下方向移動。藉此，開口部412b被封閉或被開放。藉由開口部412b被開放，可進行基板W朝向殼體410內之搬入及基板W自殼體410之搬出。蓋構件510之構造及蓋構件510所進行開口部412b之開閉動作之細節於後述之。
圖7係用以說明除電單元OWE之內部構造之側視圖，圖8係用以說明除電單元OWE之內部構造之俯視圖，圖9係用以說明除電單元OWE之內部構造之前視圖。
在圖7中，顯示另一側面部417(圖5)被卸下後之除電單元OWE之狀態。在圖8中，顯示前上表面部411(圖5)及後上表面部412(圖5)被卸下後之除電單元OWE之狀態。在圖9中，顯示前面部414(圖5)被卸下後之除電單元OWE之狀態。又，在圖7至圖9中，以一點鏈線顯示光射出部300(圖5)之構成之一部分或全部，並且省略框體60(圖5)之圖示。
如圖7所示，於基板移動部400之殼體410內，設置有交接機構420及區域搬送機構430。交接機構420包含複數個升降銷421、銷支撐構件422及銷升降驅動部423，且被配置於較光射出部300更後方。
於銷支撐構件422，以分別朝上方延伸之方式安裝有複數個升降銷421。銷升降驅動部423可朝上下方向移動地支撐銷支撐構件422。於該狀態下，複數個升降銷421係以重疊於後上表 面部412之開口部412b之方式被配置。交接機構420例如由圖1之控制部4所控制。藉由銷升降驅動部423運作，複數個升降銷421之上端部在較後上表面部412更上方之交接位置與較後述之區域搬送機械手434更下方之待機位置之間進行移動。
如圖8所示，區域搬送機構430包含有傳送軸431、傳送軸馬達432、2個導引軌道433、區域搬送機械手434、2個機械手支撐構件435及連結構件439。
於殼體410內，在前面部414之附近設置有傳送軸馬達432。以涵蓋傳送軸馬達432至後面部415附近朝前後方向延伸之方式設置有傳送軸431。傳送軸431例如為滾珠螺桿，且被連接於傳送軸馬達432之旋轉軸。
以在一側面部416之附近朝前後方向延伸之方式設置有導引軌道433。又，以在另一側面部417之附近朝前後方向延伸之方式設置有導引軌道433。傳送軸431及2個導引軌道433係以相互地成為平行之方式被配置。
於2個導引軌道433上，2個機械手支撐構件435係以可分別朝前後方向移動且朝上方延伸之方式被設置。2個機械手支撐構件435具有共同之高度。以連繫2個機械手支撐構件435之上端部之方式，設置有區域搬送機械手434。區域搬送機械手434係具有大致圓形狀之板構件，且由2個機械手支撐構件435所支撐。於區域搬送機械手434上載置有基板W。
於區域搬送機械手434形成有複數個貫通孔434h。複數個貫通孔434h係以包圍區域搬送機械手434之中心部之方式，等角度間隔地被配置。於複數個貫通孔434h可分別供交接機構420之複數個升降銷421插入。又，於區域搬送機械手434之下表面，設置有連結區域搬送機械手434與傳送軸431之連結構件439。
區域搬送機構430例如由圖1之控制部4所控制。藉由傳送軸馬達432運作使傳送軸431進行旋轉。藉此，區域搬送機械手434在較光射出部300更後方之後方位置P1與較光射出部300更前方之前方位置P2之間朝前後方向移動。在圖7以後之既定圖中，後方位置P1及前方位置P2之中心部係以黑色三角記號所表示。再者，在圖7及圖8中，位於前方位置P2時之區域搬送機械手434及機械手支撐構件435係以兩點鏈線所表示。
在交接機構420之複數個升降銷421之上端部位於待機位置且區域搬送機械手434位於後方位置P1之狀態下，複數個貫通孔434h分別被定位於交接機構420之複數個升降銷421上。
於基板W之除電處理時，在殼體410內因氧分子之光解離而產生臭氧。臭氧由於會對人體造成不良影響，因此過度地產生臭氧並不好。在殼體410內之臭氧產生量，殼體410內之氧濃度越高越增加，而殼體410內之氧濃度越低越下降。因此，為了使殼體410內之氧濃度降低，於殼體410內設置有第1氮氣供給部450。如圖8所示，第1氮氣供給部450係由兩端部被封閉之管狀構件所構成，且以自一側面部416延伸至另一側面部417之方式被安裝於後面部415之內面。
如圖9所示，於第1氮氣供給部450中朝向前方之部分，形成有複數個噴射孔451。複數個噴射孔451係涵蓋第1氮氣供給部450之一端部至另一端部以大致等間隔地排列之方式被配置。又，如圖7及圖8所示，於第1氮氣供給部450中朝向後方之部分，連接有氮氣導入管459之一端部。氮氣導入管459之另一端部位於殼體410之外側。於氮氣導入管459之另一端部連接有未圖示之氮氣供給系統。
於殼體410之前面部414，設置有用以將殼體410內之環境氣氛排出至殼體410之外部之氣體導出管418。自氮氣供給系統被供給至氮氣導入管459之氮氣，係通過第1氮氣供給部450之內部空間而自複數個噴射孔451被噴射至殼體410內。此時，殼體410內之環境氣氛係自氣體導出管418被排出至殼體410之外部。藉此，殼體410內之環境氣氛被氮氣所置換，氧濃度便下降。因此，可抑制過度地產生臭氧之情形。其結果，可減低漏出至殼體410之外部之臭氧量。
又，被供給至殼體410內之氮氣，於除電處理中臭氧之產生時作為與氧原子及氧分子之三體反應之觸媒而發揮功能。因此，可效率良好地產生適當量之臭氧。
此處，如圖5所示，在框體60中，自氣體導出管418被排出至殼體410之外部之臭氧，係通過排氣部70及配管71被輸送至排氣裝置72。因此，可防止藉由除電處理所產生之臭氧擴散至除電單元OWE之周邊之情形。
如圖7所示，於殼體410內進一步設置有後位置感測器S1、前位置感測器S2、照度感測器S3及氧濃度感測器S4。後位置感測器S1對區域搬送機械手434是否位於後方位置P1進行檢測，並將檢測結果提供給圖1之控制部4。前位置感測器S2對區域搬送機械手434是否位於前方位置P2進行檢測，並將檢測結果提 供給圖1之控制部4。作為後位置感測器S1及前位置感測器S2，例如可使用光學式之感測器等。
氧濃度感測器S4對殼體410內之氧濃度進行檢測，並將檢測結果提供給圖1之控制部4。作為氧濃度感測器S4，可使用賈法尼電池(galvanic cell)式氧感測器或氧化鋯(zirconia)式氧感測器等。
照度感測器S3包含光二極體等之受光元件，而對光所照射之受光元件之受光面之照度進行檢測。此處，所謂照度係指被照射於受光面之每單位面積上光的功率。照度之單位例如以「W/m2」所表示。在本實施形態中，由照度感測器S3所檢測出之照度，相當於真空紫外線被照射至藉由區域搬送機械手434而於後方位置P1與前方位置P2之間移動之基板W時之基板W之照度、即在除電處理時被真空紫外線照射時之基板W之照度。又，照度感測器S3係於與光射出部300之後述之射出面321(圖13(c))對向之位置，藉由感測器升降驅動部441而可朝上下方向移動地被支撐。感測器升降驅動部441例如由圖1之控制部4所控制。
如圖8及圖9所示，於照度感測器S3之附近設置有遮光構件442及遮光驅動部443。遮光構件442具有較照度感測器S3之受光元件大之外形。遮光驅動部443在上下方向上照度感測器S3與光射出部300之間之位置(高度)，可朝前後方向移動地支撐遮光構件442。遮光驅動部443例如由圖1之控制部4所控制。感測器升降驅動部441及遮光驅動部443之動作之細節於後述之。
其次，對圖5之殼體410之後上表面部412、中央上表面部419及搬入搬出部500之蓋構件510之構成進行說明。圖10 係後上表面部412及中央上表面部419之俯視圖，圖11係蓋構件510之仰視圖。
如圖10所示，於自上方觀察後上表面部412及中央上表面部419之情形時，開口部412b係由後上表面部412之後緣及中央上表面部419之前緣所包圍。蓋構件510具有較開口部412b稍大之外形。又，蓋構件510之下表面係形成為距離除了兩端部以外之前緣之一部分固定寬度之區域510d(圖11)，相較於其他區域高出固定高度。
於開口部412b藉由蓋構件510所封閉之情形時，蓋構件510之下表面中距離除了前緣以外之外緣固定寬度之區域510c(圖11)，抵接於後上表面部412之上表面。又，蓋構件510之下表面中之區域510d(圖11)，抵接於中央上表面部419之上表面。亦即，蓋構件510之下表面接觸於後上表面部412及中央上表面部419中包圍開口部412b之區域。藉此，殼體410與蓋構件510之間不會產生間隙。因此，可以簡單之構成來提升殼體410內之密閉性。
如圖11所示，於蓋構件510之下表面，以沿著區域510c之內緣延伸之方式形成有大致固定寬度之溝部510b。於溝部510b內設置有第2氮氣供給部520。第2氮氣供給部520係由一端部被封閉之管狀構件所構成。於第2氮氣供給部520中朝向下方之部分，形成有複數個噴射孔511。複數個噴射孔511係以大致等間隔地排列之方式被配置。又，於第2氮氣供給部520之另一端部，連接有氮氣導入管529之一端部。氮氣導入管529之另一端部突出至蓋構件510之側方。於氮氣導入管529之另一端部，連接有未圖示之氮氣供給系統。
圖12係顯示殼體410之開口部412b被開放之狀態之除電單元OWE之外觀立體圖。在圖12中，僅顯示除電單元OWE中之搬入搬出部500及其周邊部。
如圖12所示，於開口部412b藉由蓋構件510所開放之情形時，蓋構件510之下表面之區域510c(圖11)，在後上表面部412之上方之位置與後上表面部412之上表面對向。又，蓋構件510之下表面之區域510d(圖11)，在中央上表面部419之上方之位置與中央上表面部419之上表面對向。在該狀態下，氮氣自氮氣供給系統被供給至氮氣導入管529。
如圖12中以粗的實線之箭頭所示，在開口部412b被開放之狀態下被供給至氮氣導入管529之氮氣，自第2氮氣供給部520(圖11)之複數個噴射孔511(圖11)朝下方被噴射。自複數個噴射孔511(圖11)所噴射之氮氣，通過開口部412b之內緣附近在殼體410內流動。
於該情形時，以沿著開口部412b之內緣部之方式形成有自蓋構件510之下表面朝向下方之氮氣之流動。所形成之氮氣之流動，在蓋構件510之下方之空間與該空間之外方之間將環境氣氛之流動遮斷。藉此，可防止殼體410之外部之環境氣氛通過開口部412b進入至殼體410內之情形。又，可抑制在殼體410內所產生之臭氧通過開口部412b朝向殼體410外流出之情形。
其次，對光射出部300之構成進行說明。如圖7至圖9所示，光射出部300包含有殼體310、紫外線燈320及第3氮氣供給部330。在圖7及圖9中，殼體310係以一點鏈線所表示。在圖8中，殼體310、紫外線燈320及第3氮氣供給部330係以一點 鏈線所表示。於殼體310內，紫外線燈320之驅動電路、配線及連接端子等係與紫外線燈320及第3氮氣供給部330一起被收容。光射出部300例如由圖1之控制部4所控制。
紫外線燈320及第3氮氣供給部330分別具有朝一方向延伸之長方體形狀。於圖8中以一點鏈線所示，紫外線燈320及第3氮氣供給部330之長邊方向之尺寸相等且與一側面部416和另一側面部417之間之距離大致相等。
在本例中，作為紫外線燈320，可使用產生波長172nm之真空紫外線之氙準分子燈(Xenon excimer lamp)。再者，紫外線燈320只要為產生波長約120nm以上且約230nm以下之真空紫外線之燈即可，亦可取代氙準分子燈而使用其他準分子燈或重氫(deuterium)燈等。
圖13(a)係紫外線燈320及第3氮氣供給部330之俯視圖，圖13(b)係紫外線燈320及第3氮氣供給部330之前視圖，圖13(c)係紫外線燈320及第3氮氣供給部330之仰視圖。
如圖13(c)所示，於紫外線燈320之下表面，以自紫外線燈320之一端部延伸至另一端部之方式形成有真空紫外線之射出面321。於紫外線燈320之燈開者時，真空紫外線係自射出面321朝向下方被射出。自紫外線燈320被射出之真空紫外線具有與行進方向(在本例中為上下方向)正交之帶狀截面。又，帶狀截面之長度較基板W之直徑大。
紫外線燈320係以自該紫外線燈320所射出之帶狀之真空紫外線橫切被載置於圖8之區域搬送機械手434之基板W之移動路徑之方式被配置。於該情形時，在除電處理時帶狀之真空紫 外線自紫外線燈320被射出之狀態下，區域搬送機械手434(圖8)在後方位置P1(圖8)與前方位置P2(圖8)之間以固定之移動速度進行移動，藉此使帶狀之真空紫外線自基板W之一端部朝向另一端部進行掃描。藉此，可以簡單之構成對基板W之上表面之所有區域均勻地照射真空紫外線。
又，於該情形時，藉由調整區域搬送機械手434(圖8)之移動速度，可調整在除電處理時被照射至基板W之上表面之每單位面積之真空紫外線之能量(以下稱為曝光量)。再者，曝光量之單位例如以「J/m2」所表示。
根據曝光量，在基板W上所產生臭氧的量會產生差異。例如，曝光量越大臭氧之產生量增加，而曝光量越小臭氧之產生量便降低。因此，藉由調整區域搬送機械手434(圖8)之移動速度，可調整會在基板W上產生臭氧的量。其結果，可均勻且適當地對基板W之上表面整體進行除電。
如圖13(a)至(c)所示，於紫外線燈320之前面下端部安裝有第3氮氣供給部330。第3氮氣供給部330具有兩端部被封閉之方筒形狀。
如圖13(b)、(c)所示，於第3氮氣供給部330中朝向下方之部分，形成有複數個噴射孔331。複數個噴射孔331係涵蓋第3氮氣供給部330之一端部至另一端部而以大致等間隔地排列之方式被配置。又，於第3氮氣供給部330之前面，連接有氮氣導入管339之一端部。於氮氣導入管339之另一端部，連接有未圖示之氮氣供給系統。
於基板W之除電處理時，氮氣自氮氣供給系統被供 給至氮氣導入管339。被供給至氮氣導入管339之氮氣，係通過第3氮氣供給部330之內部空間而自複數個噴射孔331被分散地噴射至圖7之殼體410內。
如圖13(c)所示，複數個噴射孔331與紫外線燈320之射出面321相鄰。因此，於基板W之除電處理時，藉由氮氣自複數個噴射孔331被噴射，可使被照射至基板W之真空紫外線之路徑之氧濃度更加降低。藉此，可進一步抑制臭氧過度地產生之情形。又，藉由氮氣被分散地供給至照射有真空紫外線之基板W上之區域，可於基板W上形成均勻之氣體之流動。因此，可遍及基板W之上表面整體均勻地供給在基板W上所產生之臭氧。其結果，可進行基板W之上表面整體之更均勻的除電。
又，由於氮氣被供給至照射有真空紫外線之基板W上之區域，因此所供給之氮氣容易作為前述之三體反應之觸媒而發揮功能。因此，可效率良好地產生適當量之臭氧。
自紫外線燈320被照射至基板W之上表面之真空紫外線被包含氧分子之環境氣氛所吸收之量，會隨著紫外線燈320與基板W之間之真空紫外線之路徑越大而增大。因此，根據真空紫外線之路徑長度，在基板W上所產生臭氧的量會產生差異。例如，真空紫外線之路徑越長，臭氧之產生量會增加，而真空紫外線之路徑越短，臭氧之產生量便會降低。因此，若基板W之上表面相對於紫外線燈320之射出面321(圖13(c))傾斜，在基板W上之複數個位置所產生臭氧的量便會產生差異。
在本實施形態中，紫外線燈320係以在水平面內朝與前後方向正交之方向(以下稱為左右方向)延伸之方式被配置。又， 如圖9所示，區域搬送機械手434係以連繫2個機械手支撐構件435之上端部之方式被設置。2個機械手支撐構件435係於區域搬送機械手434載置有基板W之狀態下，以在左右方向上夾著基板W之中心而對向之方式被配置。2個機械手支撐構件435由於具有共同之高度，因此在2個機械手支撐構件435所排列之左右方向上，區域搬送機械手434之高度固定。
藉此，於左右方向上，被載置於區域搬送機械手434之基板W與紫外線燈320之間之距離，被維持為固定。藉此，於基板W之除電處理時，真空紫外線被均勻地照射至基板W之上表面整體。因此，可防止在基板W上之複數個位置的產生臭氧的量發生不均勻之情形。藉此，可對基板W之上表面整體進行更均勻之除電。
(4)除電條件
於本實施形態中，於除電單元OWE所進行之基板W之除電條件中，包含有殼體410內之氧濃度及區域搬送機械手434所進行之基板W之移動速度。
除電處理中之殼體410內之氧濃度例如被設定為較1%更低。於該情形時，在由圖7之氧濃度感測器S4所檢測出之氧濃度較1%更低時進行基板W之除電處理。藉此，可抑制過度地產生臭氧之情形。在本實施形態中，若由圖7之氧濃度感測器S4所檢測出之氧濃度為1%以上，便不進行基板W之除電處理。
用以進行除電處理之曝光量，係根據基板W之處理內容而對每片基板W或每個基板W之種類預先設定。所預先設定 之曝光量係於基板W之除電處理前作為設定曝光量而被儲存於圖1之控制部4。
如前所述，於使帶狀之真空紫外線以固定之速度自基板W之一端部掃描至另一端部之情形時，可藉由控制基板W之移動速度來調整基板W之曝光量。例如，可藉由提高基板W之移動速度使曝光量減少，可藉由降低基板W之移動速度使曝光量增加。此處，基板W之曝光量、被照射至基板W之真空紫外線之照度、與基板W之移動速度之間存在有固定之關係。
因此，在本實施形態中，利用後述之照度測量，預先藉由照度感測器S3在除電處理前檢測出在除電處理時，在真空紫外線照射時基板W之照度。於該情形時，在將藉由照度感測器S3所檢測出之照度設為IL(W/m2(=J/sec．m2))，將設定曝光量設為SA(J/m2)，並將自紫外線燈320所射出之真空紫外線之截面之平行於基板W之移動方向之長度(照射寬度)設為EW(m)之情形時，為了得到設定曝光量所需要之基板W移動速度V(m/sec)係以如下之數式(1)來表示。
V=(EW×IL)/SA...(1)
根據前述之數式(1)，基板W之移動速度係藉由控制部4所計算出。在真空紫外線自光射出部300被射出之狀態下，以所計算出之移動速度使區域搬送機械手434自前方位置P2移動至後方位置P1(或自後方位置P1至前方位置P2)之方式，來控制基板移動部400。
如此，以根據照度感測器S3所檢測出之照度使基板W之曝光量成為設定曝光量之方式，對基板W之移動速度進行反 饋控制。藉此，可以根據被照射至基板W之真空紫外線之曝光量使所期望之量的臭氧均勻地被供給至基板W上之方式，對基板W之移動速度進行反饋控制。藉此，可對基板W之整體均勻地進行除電。
(5)除電處理動作
圖14至圖21係用以說明除電單元OWE中基板W之除電處理動作之側視圖。在圖14至圖21中，與圖7之側視圖同樣地，顯示框體60(圖5)及另一側面部417(圖5)被卸下之除電單元OWE之狀態。在圖16至圖21中，為了容易識別基板移動部400之各構成元件與基板W，而以陰影線圖案來顯示基板W。
於初始狀態下，如圖14所示，區域搬送機械手434位於後方位置P1，而複數個升降銷421之上端部位於待機位置。又，殼體410之開口部412b處於被封閉之狀態，而紫外線燈320處於關燈狀態。此外，如圖14中以粗的實線箭頭所示般，氮氣自第1氮氣供給部450被供給至殼體410內。
藉由氮氣自第1氮氣供給部450被供給至殼體410內，使殼體410內之氧濃度降低。藉此，殼體410內之氧濃度被保持為例如較1%更低。
為了將基板W搬入殼體410內，如圖15所示，藉由蓋構件510上升使開口部412b被開放。此時，氮氣藉由圖11之第2氮氣供給部520自蓋構件510之下表面被供給至開口部412b(參照圖12)。藉此，可防止如前述般殼體410之外部之環境氣氛通過開口部412b進入殼體410內之情形。又，交接機構420之複數個 升降銷421上升。藉此，複數個升降銷421之上端部自待機位置移動至交接位置。
其次，如圖16所示，藉由圖1之主機器人MR之任一機械手MRH，水平姿勢之基板W朝水平方向被插入蓋構件510與開口部412b之間，而被載置於複數個升降銷421上。接著，交接機構420之複數個升降銷421下降。藉此，如圖17所示，複數個升降銷421之上端部自交接位置移動至待機位置，使水平姿勢之基板W通過開口部412b被移動至殼體410內。此時，基板W自複數個升降銷421被交給區域搬送機械手434。又，開口部412b藉由蓋構件510下降而被封閉，並且圖11之第2氮氣供給部520所進行之氮氣供給被停止。
其次，如圖18中以中空的箭頭所示，區域搬送機械手434自後方位置P1被移動至前方位置P2。此時，由於紫外線燈320處於關燈狀態，因此基板W未被真空紫外線所照射。
其後，根據前位置感測器S2之檢測結果，藉由圖1之控制部4來判定區域搬送機械手434是否位於前方位置P2。又，藉由控制部4來判定，氧濃度感測器S4所檢測出之氧濃度是否較1%更低。
若區域搬送機械手434位於前方位置P2且氧濃度變得較1%更低，紫外線燈320便會自關燈狀態被切換為開燈狀態。藉此，如圖19中以點陣圖所示般，真空紫外線UV自紫外線燈320朝下方被射出。如前所述，真空紫外線UV具有朝左右方向延伸之帶狀截面。平行於左右方向之方向上之真空紫外線UV之截面長度，較基板W之直徑長。
又，氮氣自第3氮氣供給部330被供給至殼體410內。自第3氮氣供給部330所供給之氮氣，撞擊區域搬送機械手434之一部分或基板W之一部分，而流至基板W上方之空間。
接著，如圖20中以中空箭頭所示，區域搬送機械手434自前方位置P2被移動至後方位置P1。此時之移動速度係以預先使用上述數式(1)所計算出之速度成為固定之方式被控制。藉此，以對基板W之上表面整體區域曝光設定曝光量之方式，對基板W上照射真空紫外線UV，而使基板W被除電。
其後，根據後位置感測器S1之檢測結果，藉由圖1之控制部4來判定區域搬送機械手434是否位於後方位置P1。若區域搬送機械手434位於後方位置P1，紫外線燈320便自開燈狀態被切換為關燈狀態。又，第3氮氣供給部330所進行之氮氣供給被停止。此時之除電單元OWE之狀態與圖17之例子相同。
其次，為了自殼體410內將基板W搬出，如圖21所示，藉由蓋構件510上升使開口部412b被開放。此時，氮氣藉由圖11之第2氮氣供給部520自蓋構件510之下表面被供給至開口部412b(參照圖12)。又，交接機構420之複數個升降銷421上升。藉此，複數個升降銷421之上端部自待機位置移動至交接位置，使基板W自區域搬送機械手434被交給複數個升降銷421。如此一來，水平姿勢之基板W便自殼體410內被移動至開口部412b之上方。
被載置於複數個升降銷421上之除電處理後之基板W，係藉由圖1之主機器人MR之任一機械手MRH朝水平方向被取出。其後，交接機構420之複數個升降銷421下降，並且藉由蓋 構件510下降使開口部412b被封閉。又，圖11之第2氮氣供給部520所進行之氮氣供給被停止。藉此，除電單元OWE返回初始狀態。
(6)照度測量動作
為了得到基板W之除電處理所使用之設定速度，於例如每進行所預定數量之基板W之除電處理、每一基板W之批量、或每一天，進行如下所示之照度測量。
圖22至圖24係用以說明除電單元OWE中照度測量動作之側視圖。在圖22至圖24中，與圖7之側視圖同樣地，顯示框體60(圖5)及另一側面部417(圖5)被卸下之除電單元OWE之狀態。
於除電單元OWE中，未進行照度測量之期間係如圖22中以粗點線所示般，遮光構件442以覆蓋照度感測器S3之上端部之方式被配置。藉此，在真空紫外線朝向基板W照射時(除電處理時)，光不會入射於照度感測器S3之受光元件。因此，可抑制照度感測器S3之劣化，而實現照度感測器S3之長壽化。又，照度感測器S3係配置於較區域搬送機械手434之移動路徑更下方。
照度測量係在殼體410之開口部412b被封閉並且氧濃度感測器S4所檢測出之氧濃度較1%更低之狀態下開始。於初始狀態下，紫外線燈320處於關燈狀態。
若照度測量開始，如圖22中以中空箭頭所示，遮光構件442便藉由遮光驅動部443朝前方被移動。藉此，被設置於照度感測器S3之上端部之受光面朝上方露出。
其次，如圖23中以中空箭頭所示，照度感測器S3藉由感測器升降驅動部441而上升。此時，照度感測器S3係以受光面之高度與被載置於區域搬送機械手434之基板W之上表面之高度一致之方式被定位。
其次，紫外線燈320自關燈狀態被切換為開燈狀態。藉此，如圖24中以點陣圖所示，帶狀之真空紫外線UV自紫外線燈320朝向照度感測器S3被射出。
自紫外線燈320所射出之真空紫外線UV之一部分，入射於照度感測器S3之受光元件。藉此，檢測出於除電處理中照射有真空紫外線時之基板W之照度。照度之檢測結果被提供至圖1之控制部4。
其後，照度感測器S3下降並且紫外線燈320自開燈狀態被切換為關燈狀態。又，遮光構件442係以覆蓋照度感測器S3之上端部之方式朝後方被移動。藉此，除電單元OWE返回初始狀態。
如前所述，照度感測器S3係以於照度測量時受光面之高度與被載置於區域搬送機械手434之基板W之上表面高度一致之方式被定位。因此，可正確地檢測基板W之除電時被照射至基板W之真空紫外線之照度。
又，照度感測器S3係於基板W之除電處理時，被配置於較區域搬送機械手434之移動路徑更下方。藉此，於除電處理時，照度感測器S3不會干涉到基板W。
(7)表面洗淨單元及背面洗淨單元
圖25係用以說明表面洗淨單元SS之構成之圖，圖26係用以說明背面洗淨單元SSR之構成之圖。圖25之表面洗淨單元SS所進行之表面洗淨處理、及圖26之背面洗淨單元SSR所進行之背面洗淨處理，包含有使用刷子之基板W之洗淨處理(以下稱為刷洗式洗淨處理)及未使用刷子之沖洗處理。
首先，使用圖25對表面洗淨單元SS之細節進行說明。如圖25所示，表面洗淨單元SS具備有用以水平地保持基板W並且使基板W繞通過基板W之中心之鉛直軸旋轉之旋轉夾頭21。旋轉夾頭21係固定於藉由夾頭旋轉驅動機構22所旋轉之旋轉軸23之上端。
於旋轉夾頭21之外方向設置有馬達24。於馬達24設置有朝鉛直方向延伸之轉動軸25。於馬達24進一步設置有未圖示之升降驅動部。馬達24將轉動軸25可升降地且可繞鉛直軸旋轉地加以支撐。於轉動軸25之上端部，以沿著水平方向延伸之方式連結有臂26。於臂26之前端設置有大致圓筒形狀之刷子洗淨具27。又，於旋轉夾頭21之上方，設置有用以朝向由旋轉夾頭21所保持之基板W之表面供給洗淨液或沖洗液之液吐出噴嘴28。
表面被朝向上方之基板W被搬入表面洗淨單元SS。於基板W之表面洗淨時，表面被朝向上方之基板W係藉由旋轉夾頭21而以水平姿勢被旋轉。又，洗淨液通過供給管29被供給至液吐出噴嘴28。在本例中，作為洗淨液而使用純水。藉此，洗淨液被供給至旋轉之基板W之表面。於該狀態下，刷子洗淨具27藉由馬達24及未圖示之升降驅動部運作而接觸於基板W之上表面(表面)，並自基板W之中心朝向基板W之外周端部移動。藉此，對基 板W之表面進行刷洗式洗淨處理。再者，由於在表面洗淨單元SS中使用吸附式之旋轉夾頭21，因而可同時地對基板W之周緣部及外周端部進行洗淨。其後，刷子洗淨具27移動至基板W之外方向之位置，並且沖洗液自液吐出噴嘴28被供給至基板W，而進行沖洗處理。在本例中，作為沖洗液而使用純水。
其次，使用圖26，對背面洗淨單元SSR與圖25之表面洗淨單元SS之不同點進行說明。如圖26所示，背面洗淨單元SSR具備有保持基板W之外周端部之機械夾頭(Mechanical chuck)式之旋轉夾頭31，來作為藉由真空吸附將基板W之下表面加以保持之吸附式之旋轉夾頭21的替代。於進行刷洗式洗淨處理及沖洗處理之情形時，基板W之下表面之周緣部及外周端部係藉由旋轉夾頭31上之複數個旋轉式保持銷32所保持。在該狀態下，基板W係以水平姿勢被旋轉。
於背面洗淨單元SSR中，背面被朝向上方之狀態之基板W被搬入。因此，基板W在背面被朝向上方之狀態下由前述之旋轉夾頭31所保持。因此，對基板W之背面進行刷洗式洗淨處理，然後進行沖洗處理。
在前述之例子中，雖已以作為洗淨液而使用純水之例子進行說明，但作為洗淨液，既可使用碳酸水、臭氧水、氫水或電解離子水等來取代純水，亦可使用BHF(緩衝氫氟酸)、DHF(稀釋氫氟酸)、氫氟酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、草酸及氨等之藥液來取代。
又，在前述之例子中，雖已以作為沖洗液而使用純水之例子進行說明，但作為沖洗液，既可使用碳酸水、臭氧水、氫水 或電解離子水等來取代純水，亦可使用HFE(氫氟醚)或IPA(異丙醇)等之有機溶劑來取代。
(8)第1實施形態之效果
於前述之基板處理裝置100中，基板W藉由反轉單元RT1、RT2所反轉，基板W之表面及背面分別由表面洗淨單元SS及背面洗淨單元SSR所洗淨。又，基板W係藉由除電單元OWE而使用真空紫外線加以除電。藉此，可抑制因帶電所導致基板W之汙染，而提升基板W之表面及背面之潔淨度。
如前所述，於對洗淨處理前之基板W進行利用除電單元OWE之除電處理之情形時，洗淨處理前之基板W之電位接近於0(V)。藉此，不會產生在基板W之洗淨處理時因基板W之帶電所導致之放電現象。因此，可防止因基板W之一部分破損所導致處理不良的發生。
又，於對洗淨處理後之基板W進行利用除電單元OWE之除電處理之情形時，即便在洗淨處理時基板W帶電之情形時，洗淨處理後之基板W之電位仍接近於0(V)。因此，可將洗淨處理後之基板W保持為潔淨。
於前述之除電單元OWE中，載置有基板W之區域搬送機械手434一面相對於光射出部300被移動，一面藉由光射出部300所射出之真空紫外線照射基板W之上表面。藉由如此之構成，便無須於除電處理時對將同時地照射真空紫外線基板W之整體。因此，可抑制光射出部300之大型化。
[2]第2實施形態
以下，針對第2實施形態之基板處理裝置，對其與第1實施形態之基板處理裝置100之不同點進行。
(1)基板處理裝置之構成及動作之概略
於第2實施形態之基板處理裝置中，基板W之上表面(表面或背面)主要使用例如由藥液所構成之洗淨液化學性地加以洗淨。此時，於基板W之表面既可形成膜，亦可不形成膜。圖27係顯示第2實施形態之基板處理裝置之構成之俯視圖。如圖27所示，本實施形態之基板處理裝置600具有分度區塊610及處理區塊611。分度區塊610及處理區塊611係設置為沿著一方向排列並且相互地鄰接。
分度區塊610包含有複數個(在本例中為3個)載體載置台601及搬送部610A。複數個載體載置台601係以沿著一方向排列之方式被連接於搬送部610A。於各載體載置台601上載置有載體C。於搬送部610A設置有分度機器人IR及控制部604。本例之分度機器人IR具有與圖1之分度機器人IR基本上相同之構成。控制部604係由包含CPU、ROM及RAM之電腦等所構成，對基板處理裝置600內之各構成部進行控制。
處理區塊611包含有1個搬送部611A、4個洗淨部620A、620B、620C、620D、1個除電交接部680及4個流體箱部690A、690B、690C、690D。
搬送部611A係設置於處理區塊611之中央部。於處理區塊611中，以俯視時包圍搬送部611A之方式設置有4個洗淨 部620A、620B、620C、620D及除電交接部680。除電交接部680係以進一步與分度區塊610之搬送部610A相鄰之方式被設置。4個流體箱部690A、690B、690C、690D係以分別與對應之洗淨部620A、620B、620C、620D相鄰之方式被設置。
於搬送部611A設置有中央機器人CR。中央機器人CR具有與圖1之主機器人MR基本上相同之構成。於洗淨部620A、620B、620C、620D分別設置有複數個(例如3個)洗淨單元620。複數個洗淨單元620係於上下被層積配置。再者，於各洗淨部620A、620B、620C、620D亦可僅設置1個洗淨單元620。
在各洗淨單元620中，進行使用洗淨液之洗淨處理、使用沖洗液之沖洗處理、及乾燥處理。在本實施形態中，作為洗淨液，例如可使用氫氟酸、緩衝氫氟酸(BHF)、稀釋氫氟酸(DHF)、氫氟酸(氟化氫：HF)、鹽酸、硫酸、硝酸、醋酸、草酸或氨水等水溶液、或者該等之混合溶液。又，作為混合溶液，例如可使用被加熱至高溫之硫酸與過氧化氫水之混合液(SPM)、氨與過氧化氫水之混合溶液(SC1)、或者鹽酸(HCl)與過氧化氫水之混合液(SC2)。作為沖洗液，可使用純水、碳酸水、臭氧水、氫水或電解離子水等。或者，作為沖洗液，亦可使用HFE(氫氟醚)或IPA(異丙醇)等有機溶劑。對洗淨單元620之構成將於後述之。
各流體箱部690A、690B、690C、690D收納朝向對應之洗淨部620A、620B、620C、620D供給洗淨液及來自對應之洗淨部620A、620B、620C、620D之排液等有關之配管、接頭、閥、流量計、調節器、泵、溫度調節器、處理液貯存槽等之流體相關機器。
除電交接部680位於分度區塊610之搬送部610A與 處理區塊611之搬送部611A之間。藉此，在2個搬送部610A、611A之間，經由除電交接部680進行基板W之交接。於除電交接部680設置有複數個(例如3個)除電單元OWE2。複數個除電單元OWE2係於上下被層積配置。
各除電單元OWE2對自分度區塊610之分度機器人IR所接取之基板W實施除電處理，並交給處理區塊611之中央機器人CR。又，除電單元OWE2對自處理區塊611之中央機器人CR所接取之基板W實施除電處理，並交給分度區塊610之分度機器人IR。對除電單元OWE2之構成將於後述之。
對前述之基板處理裝置600之基本動作進行說明。圖28係顯示第2實施形態之基板處理裝置600中基本動作之流程之流程圖。一面參照圖27及圖28，一面對基板處理裝置600之動作概要進行說明。再者，以下所說明之基板處理裝置600之各構成元件之動作，係由圖27之控制部604所控制。
首先，分度機器人IR自分度區塊610內之任一載體C取出未處理之基板W(步驟S21)。所取出之基板W係交給除電交接部680之任一除電單元OWE2。除電單元OWE2進行所接取之基板W之除電處理(步驟S22)。除電處理後之基板W係自除電交接部680被交給中央機器人CR。
由中央機器人CR所接取之除電處理後之基板W進一步被搬入洗淨部620A至620D之複數個洗淨單元620之任一者。搬入有基板W之洗淨單元620，進行基板W之洗淨處理、沖洗處理、及乾燥處理(步驟S23)。由洗淨單元620所進行處理後之基板W，係藉由中央機器人CR自該洗淨單元620被搬出，且被交給除 電交接部680中之任一除電單元OWE2。
除電單元OWE2進行所接取之基板W之除電處理(步驟S24)。除電處理後之基板W係自除電交接部680被交給分度機器人IR。分度機器人IR將所接取之處理完畢之基板W收納於分度區塊610內之任一載體C內(步驟S25)。如此，重複對被搬入基板處理裝置600之每一基板W進行前述之一連串動作。
(2)除電單元
針對第2實施形態之除電單元OWE2之構成，對其與第1實施形態之圖5之除電單元OWE之不同點進行說明。圖29係第2實施形態之除電單元OWE2之外觀立體圖。
如圖29所示，除電單元OWE2包含框體60。框體60具有前壁部61、後壁部62、一側壁部63、另一側壁部64、頂壁部65及底壁部66。針對除電單元OWE2，亦與第1實施形態之除電單元OWE相同地，將自框體60之內部朝向前壁部61之方向稱為除電單元OWE2之前方，並將其反方向(自框體60之內部朝向後壁部62之方向)稱為除電單元OWE2之後方。
除電單元OWE2係以一側壁部63朝向圖27之分度區塊610之搬送部610A之方式，且以另一側壁部64朝向圖27之處理區塊611之搬送部611A之方式被配置。
此處，於除電單元OWE2中，取代不在後壁部62形成圖5之搬送開口62p，而在一側壁部63及另一側壁部64分別形成搬送開口63p、64p。搬送開口63p、64p係以夾著搬入搬出部500之方式所形成。
又，在本例之除電單元OWE2中，搬入搬出部500之蓋構件510係形成為較基板W大。被形成於殼體410之上表面之開口部412b(圖10)亦被形成為較基板W大。
藉此，在開口部412b(圖10)藉由蓋構件510而被開啟之狀態下，如圖29中以粗的虛線之箭頭AR1所示，由圖27之分度機器人IR所搬送之基板W係通過搬送開口63p被交給交接機構420(圖7)，並被搬入殼體410內。又，如圖29中以粗的兩點鏈線之箭頭AR2所示，基板W係藉由殼體410內之交接機構420(圖7)被交給圖27之中央機器人CR，並自框體60內通過搬送開口64p被搬出至搬送部611A內。
此外，在開口部412b(圖10)藉由蓋構件510被開啟之狀態下，如圖29中以粗的虛線之箭頭AR3所示，由圖27之中央機器人CR所搬送之基板W係通過搬送開口64p被交給交接機構420(圖7)，並被搬入殼體410內。又，如圖29中以粗的兩點鏈線之箭頭AR4所示，基板W係藉由殼體410內之交接機構420(圖7)被交給圖27之分度機器人IR，並自框體60內通過搬送開口63p被搬出至搬送部610A內。
(3)洗淨單元
圖30係用以說明第2實施形態之基板處理裝置600之洗淨單元620之構成之圖。洗淨單元620使用自流體箱部690A至690D所供給之洗淨液且藉由洗淨處理去除附著於基板W之表面之雜質，使潔淨之基板W之表面乾燥。
如圖30所示，洗淨單元620具備有用以水平地保持 基板W並且使基板W繞通過基板W中心之鉛直軸旋轉之旋轉夾頭621。旋轉夾頭621係固定於藉由夾頭旋轉驅動機構622所旋轉之旋轉軸623之上端。再者，圖30之旋轉夾頭621雖為保持基板W之外周端部之機械夾頭式之旋轉夾頭，但作為旋轉夾頭621亦可使用藉由真空吸附將基板W之下表面加以保持之吸附式之旋轉夾頭。
於旋轉夾頭621之外方向設置有第1馬達630。於第1馬達630連接有第1轉動軸631。又，於第1轉動軸631以朝水平方向延伸之方式連結有第1臂632，而於第1臂632之前端設置有洗淨液噴嘴633。
藉由第1馬達630第1轉動軸631進行旋轉並且使第1臂632進行轉動，洗淨液噴嘴633便移動至由旋轉夾頭621所保持之基板W之上方。
以通過第1馬達630、第1轉動軸631及第1臂632之內部之方式設置有洗淨液供給管634。洗淨液供給管634係連接於流體箱部690A~690D。洗淨液係自流體箱部690A至690D通過洗淨液供給管634被供給至洗淨液噴嘴633。藉此，可將洗淨液朝向基板W之表面供給。
又，於旋轉夾頭621之外方向進一步設置有第2馬達640。於第2馬達640連接有第2轉動軸641。又，於第2轉動軸641係以朝水平方向延伸之方式連結有第2臂642，而於第2臂642之前端設置有沖洗液噴嘴643。
藉由第2馬達640，第2轉動軸641進行旋轉並且第2臂642進行轉動，洗淨液噴嘴643便移動至由旋轉夾頭621所保持之基板W之上方。
以通過第2馬達640、第2轉動軸641及第2臂642之內部之方式設置有沖洗液供給管644。沖洗液供給管644係連接於流體箱部690A~690D。沖洗液係自流體箱部690A~690D通過沖洗液供給管644被供給至沖洗液噴嘴643。藉此，可將沖洗液朝向基板W之表面供給。
於洗淨處理時洗淨液噴嘴633位於基板W之上方，而於沖洗處理時及乾燥處理時洗淨液噴嘴633被退避至既定之位置。又，於沖洗處理時沖洗液噴嘴643位於基板W之上方，而於洗淨處理時及乾燥處理時沖洗液噴嘴643被退避至既定之位置。
以包圍旋轉夾頭621之周圍之方式設置有杯裝置650。杯裝置650回收洗淨處理所使用之洗淨液及沖洗處理所使用之沖洗液，並將所回收之洗淨液及沖洗液導引至未圖示之循環系統或廢棄系統。
(4)第2實施形態之功效
於前述之除電單元OWE2中，在框體60之一側壁部63及另一側壁部64分別形成有搬送開口63p、64p。搬送開口63p、64p分別被使用於在框體60之內部與外部之間搬送基板W。藉此，提升基板W通過除電單元OWE2之搬送路徑之設計自由度。
於本實施形態之基板處理裝置600中，當基板W自分度區塊610之載體C朝向處理區塊611之洗淨單元620被搬送時、及基板W自處理區塊611之洗淨單元620朝向分度區塊610之載體C被搬送時，藉由除電單元OWE2對基板W進行除電處理。藉此，可提升使用分度區塊610及處理區塊611之基板處理之產出 量。
[3]其他實施形態
(1)於上述實施形態之基板處理裝置100、600中，雖分別對洗淨處理前之基板W及洗淨處理後之基板W進行除電處理，但本發明並不限定於此。於基板處理裝置100、600中，既可例如僅對洗淨處理前之基板W進行除電處理，亦可僅對洗淨處理後之基板W進行除電處理。
(2)於上述實施形態之除電單元OWE、OWE2中，雖藉由帶狀之真空紫外線掃描基板W之上表面上，而對基板W之上表面整體照射真空紫外線，但本發明並不限定於此。除電單元OWE、OWE2之光射出部300亦可被構成為可同時地對基板W之一面整體照射真空紫外線。可縮短除電單元OWE、OWE2中除電處理之時間。
(3)於第1實施形態之基板處理裝置100中，亦可取代分別在處理區塊11之表面洗淨部11A及背面洗淨部11B設置除電單元OWE，而分別在基板載置部PASS1、PASS2設置第2實施形態之除電單元OWE2。於該情形時，當基板W自分度區塊10之載體C朝向處理區塊11之表面洗淨單元SS或背面洗淨單元SSR被搬送時，可藉由除電單元OWE2對基板W進行除電處理。又，當基板W自處理區塊11之表面洗淨單元SS或背面洗淨單元SSR朝向分度區塊610之載體C被搬送時，可藉由除電單元OWE2對基板W進行除電處理。
(4)於第2實施形態之基板處理裝置600中，亦可在 除電交接部680取代除電單元OWE2而設置第1實施形態之基板載置部PASS1、PASS2，並且於洗淨部620A至620D之任一者設置第1實施形態之除電單元OWE。
(5)於第1實施形態之表面洗淨單元SS及背面洗淨單元SSR中，基板W之表面及背面雖使用刷子來洗淨，但本發明並不限定於此。表面洗淨單元SS及背面洗淨單元SSR亦可取代刷子洗淨具27及液吐出噴嘴28，而藉由使用二流體噴嘴之軟性噴霧方式來洗淨基板W。二流體噴嘴係藉由將洗淨液與經加壓之氣體(惰性氣體)加以混合而對基板W噴射由洗淨液之液滴及氣體所構成之混合流體的噴嘴。
(6)於第2實施形態之洗淨單元620中，與第1實施形態同樣地，基板W之上表面亦可使用刷子來洗淨。或者，基板W之上表面亦可使用上述之二流體噴嘴來洗淨。
(7)於上述實施形態之除電單元OWE、OWE2中，雖僅於區域搬送機械手434自前方位置P2移動至後方位置P1之情形時，對基板W之上表面照射真空紫外線，但本發明並不限定於此。亦可取代在區域搬送機械手434自前方位置P2移動至後方位置P1之情形時，而僅於區域搬送機械手434自後方位置P1移動至前方位置P2之情形時，對基板W之上表面照射真空紫外線。又，亦可於區域搬送機械手434自後方位置P1移動至前方位置P2之情形時以及於自前方位置P2移動至後方位置P1之情形時，對基板W之上表面照射真空紫外線。
(8)在上述實施形態中，作為用以使氧分子分離為2個氧原子之光雖使用真空紫外線，但本發明並不限定於此。只要可 使氧分子分離為2個氧原子，亦可將具有波長較真空紫外線短之光照射至基板W上。
(9)在上述實施形態中，雖為了使殼體410內之氧濃度變低而使用氮氣，但本發明並不限定於此。於殼體410亦可取代氮氣而使用氬氣或氦氣等。
(10)在上述實施形態中，於蓋構件510雖設置有第2氮氣供給部520，但亦可不設置第2氮氣供給部520。又，於光射出部300雖設置有第3氮氣供給部330，但亦可不設置第3氮氣供給部330。於該等情形時，可減少除電單元OWE、OWE2之零件數量。
(11)在上述實施形態中，雖在帶狀之真空紫外線藉由紫外線燈320所射出之狀態下，區域搬送機械手434朝水平方向移動，藉此使帶狀之真空紫外線自基板W之一端部朝向另一端部進行掃描，但本發明並不限定於此。亦可在基板W被載置於被固定住之載置台上之狀態下，藉由紫外線燈320在基板W上方之位置朝水平方向移動，而使帶狀之真空紫外線自基板W之一端部朝向另一端部進行掃描。於該情形時，藉由調整紫外線燈320之移動速度，可調整在基板W上所產生臭氧的量。
[4]申請專利範圍各構成元件與實施形態各部分之對應關係
以下，雖對申請專利範圍各構成元件與實施形態各構成元件之對應例進行說明，但本發明並不限定於下述之例子。
於上述實施形態中，表面洗淨單元SS、背面洗淨單元SSR、及洗淨單元620係洗淨處理部之例子，除電單元OWE、 OWE2係除電部之例子，區域搬送機械手434係保持部之例子，光射出部300係射出部之例子，而基板處理裝置100、600係基板處理裝置之例子。
又，控制部4、604係處理部之例子，傳送軸431、傳送軸馬達432、2個導引軌道433、2個機械手支撐構件435及連結構件439係相對移動部之例子，反轉單元RT1、RT2係反轉裝置之例子，框體60係框體之例子，而搬送開口63p、64p分別為第1及第2搬送開口之例子。
又，分度機器人IR係第1搬送裝置之例子，分度區塊610係第1區域之例子，中央機器人CR係第2搬送裝置之例子，處理區塊611係第2區域之例子，載體C係收納容器之例子，而載體載置台601係容器載置部之例子。
作為申請專利範圍各構成元件，亦可使用具有申請專利範圍所記載之構成或功能之其他各種構成元件。
(產業上之可利用性)
本發明係可有效地利用於各種基板之處理。

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：洗淨處理部，其進行基板之洗淨處理；除電部，其對上述洗淨處理部所進行洗淨處理前之基板及上述洗淨處理部所進行洗淨處理後之基板中之至少一者之基板進行除電處理；及控制部；上述除電部包含有：保持部，其在含有氧分子之環境氣氛內將基板加以保持；射出部，其通過上述環境氣氛對由上述保持部所保持之基板射出真空紫外線；相對移動部，其使上述保持部及上述射出部中之至少一者相對於另一者朝一方向相對地移動；及照度檢測部，其檢測由上述射出部照射至基板之真空紫外線之照度；上述控制部係以使上述射出部所射出之真空紫外線通過上述環境氣氛而照射於由上述保持部所保持之基板之方式，對上述射出部及上述相對移動部進行控制，並且，為了將在基板上產生之臭氧的量調整為既定量，基於由上述照度檢測部所檢測之照度而對由上述相對移動部所進行之上述保持部與上述射出部之相對移動速度進行反饋控制。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，與在除電處理中應供給至基板之臭氧之上述既定量對應之曝光量，係根據每片基板或每基板之種類地預先設定為設定曝光量，上述控制部以使各基板之曝光量成為對於該基板而預先設定之設定曝光量之方式，進行上述反饋控制。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，基板具有一面及另一面，且上述基板處理裝置進一步具備有使基板之上述一面與上述另一面相互地反轉之反轉裝置，上述洗淨處理部係構成為可對未由上述反轉裝置所反轉之基板之上述一面進行洗淨且可對由上述反轉裝置所反轉之基板之上述另一面進行洗淨。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述除電部進一步具備有收容上述保持部及上述射出部之框體，上述框體具有用以在上述框體之內部與外部之間搬送基板之第1及第2搬送開口。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，其具有包含第1搬送裝置之第1區域、以及包含上述洗淨處理部及第2搬送裝置之第2區域，上述除電部係配置為可通過上述第1搬送開口進行對上述第1搬送裝置之基板之交接且可通過上述第2搬送開口進行對上述第2搬送裝置之基板之交接。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述第1區域進一步包含載置有收容基板之收納容器之容器載置部，上述第1搬送裝置在被載置於上述容器載置部之收納容器與上述除電部之間搬送基板，上述第2搬送裝置在上述除電部與上述洗淨處理部之間搬送基板，上述除電部於基板自上述第1搬送裝置朝向上述第2搬送裝置之交接時及基板自上述第2搬送裝置朝向上述第1搬送裝置之交接時，進行基板之除電處理。
  7. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述除電部對由上述洗淨處理部所洗淨前之基板進行上述除電處理。
  8. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述控制部對由上述洗淨處理部所洗淨後之基板進行上述除電處理。
  9. 一種基板處理方法，其包含有：進行基板之洗淨處理之步驟；以及在進行上述洗淨處理之步驟前及進行上述洗淨處理之步驟後之中之至少一者之時間點，進行基板之除電處理之步驟；且進行上述除電處理之步驟包含有：在含有氧分子之環境氣氛內藉由保持部將基板加以保持之步驟；使真空紫外線自射出部射出之步驟；以使上述射出部所射出之真空紫外線通過上述環境氣氛而照射於由上述保持部所保持之基板之方式，使上述射出部及上述保持部中之至少一者相對於另一者朝一方向相對地移動之步驟；檢測由上述射出部照射至基板之真空紫外線之照度之步驟；以及為了將在基板上產生之臭氧的量調整為既定量，基於上述檢測之照度而對上述保持部與上述射出部之相對移動速度進行反饋控制之步驟。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7020507B2 (ja) * 2020-04-28 2022-02-16 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの洗浄方法
JP2023111564A (ja) * 2022-01-31 2023-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001293443A (ja) * 2000-04-11 2001-10-23 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
TW505959B (en) * 2000-07-19 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Apparatus for processing substrate and apparatus for forming thin film
JP2011204944A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3596397B2 (ja) * 1999-12-28 2004-12-02 ウシオ電機株式会社 乾式洗浄装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001293443A (ja) * 2000-04-11 2001-10-23 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
TW505959B (en) * 2000-07-19 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Apparatus for processing substrate and apparatus for forming thin film
JP2011204944A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

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