KR101895403B1 - 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치 - Google Patents

반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101895403B1
KR101895403B1 KR1020110122502A KR20110122502A KR101895403B1 KR 101895403 B1 KR101895403 B1 KR 101895403B1 KR 1020110122502 A KR1020110122502 A KR 1020110122502A KR 20110122502 A KR20110122502 A KR 20110122502A KR 101895403 B1 KR101895403 B1 KR 101895403B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
wafer
support frame
buffer
robot
Prior art date
Application number
KR1020110122502A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130056752A (ko
Inventor
한기원
유인철
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020110122502A priority Critical patent/KR101895403B1/ko
Publication of KR20130056752A publication Critical patent/KR20130056752A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101895403B1 publication Critical patent/KR101895403B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
    • B25J19/0058—Means for cleaning manipulators, e.g. dust removing means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00—Programme-controlled manipulators
    • B25J9/16—Programme controls
    • B25J9/1615—Programme controls characterised by special kind of manipulator, e.g. planar, scara, gantry, cantilever, space, closed chain, passive/active joints and tendon driven manipulators
    • B25J9/162—Mobile manipulator, movable base with manipulator arm mounted on it
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Abstract

본 발명의 실시예는 세정부재를 가지는 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치를 제공한다. 반송로봇의 내부에는 세정부재가 설치된다. 세정부재는 반송로봇의 내부에서 발생되는 파티클을 세정하여 파티클이 외부로 유출되는 것을 방지한다. 이로 인해 기판을 반송하는 과정에서 발생되는 파티클로 인해 공정 불량이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.

Description

반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치{Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot}
본 발명은 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 세정부재를 가지는 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체소자 및 평판 디스플레이를 제조하기 위해서, 포토리소그라피 및 세정 등의 다양한 공정들이 진행된다. 이러한 공정들은 서로 독립된 공간을 가지는 챔버들 내에서 진행되며, 공정의 순서에 맞게 기판을 각각의 챔버로 반송하는 반송로봇이 제공된다.
일반적으로 기판의 공정 처리는 대기에 분진과 같은 파티클이 제거된 클린 상태를 요구한다. 그러나 각각의 공정이 진행되는 챔버의 내부가 클린 상태일지라도, 기판을 반송하는 중에 발생되는 파티클로 인해 기판의 공정 불량이 발생된다. 파티클은 주로 기판을 반송하는 장치에서 발생되며, 보다 상세하게는 장치에 동력을 전달하는 구동부재에서 부품과 부품 간의 마찰로 인해 다량 발생된다.
도 1은 일반적인 반송로봇의 일 예를 보여준다. 도 1에 의하면, 지지프레임은 수직프레임 내에 배치된 구동부재에 의해 상하로 이동된다. 구동부재는 풀리 및 구동벨트의 조합의 의해 회전되고, 풀리가 회전됨에 따라 구동벨트와 풀리 간에는 갈림이 발생된다. 이로 인해 구동부재에서는 파티클이 발생되고, 이들은 홀을 통해 수직프레임의 외부로 빠져나와 기판이 위치되는 대기에 노출된다.
이를 해결하고자 수직프레임의 홀을 실링하는 실링벨트는 수직프레임 내에서 구동부재를 감싸도록 제공된다. 그러나 실링벨트의 내측면에 쌓인 파티클은 실링벨트가 회전됨에 따라 실링벨트와 함께 이동되고, 그 파티클은 수직프레임의 외부로 빠져나와 기판 상에 부착된다.
한국 공개특허 10-2005-0080314호
본 발명은 기판을 반송하는 과정에서 발생되는 파티클로 인해 공정 불량이 발생되는 것을 최소화하고자 한다.
또한 본 발명은 반송 로봇 내에서 발생된 파티클이 외부로 유출되는 것을 최소화하고자 한다.
본 발명의 실시예는 세정부재를 가지는 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치를 제공한다. 반송로봇은 기판이 놓이는 아암, 상기 아암을 지지하는 지지 프레임, 상기 지지 프레임을 상하방향으로 이동시키도록 상기 지지프레임의 일단에 결합되는 제1수직가이드, 그리고 상기 제1수직가이드의 내부를 세정하는 세정부재를 포함하되, 상기 제1수직가이드는 일측면에 상기 지지프레임의 일단이 삽입되도록 상하방향으로 제공되는 슬릿 형상의 홀이 형성되는 수직 프레임과; 상기 수직 프레임의 내부에 위치되고, 상기 지지프레임의 일단을 상하로 이동시키는 구동부재와; 일면에 상기 지지프레임의 일단이 관통되는 개구가 형성되어 상기 지지 프레임과 함께 상하방향으로 이동되고, 상기 구동부재를 감싸도록 배치되며, 상기 홀을 실링하는 실링벨트를 포함하되; 상기 세정부재는 상기 실링벨트의 내측면에 부착된 파티클을 제거하는 것을 포함한다.
상기 세정부재는 상기 홀보다 아래에 설치될 수 있다. 상기 제1수직가이드와 서로 이격되게 배치되고, 상기 지지프레임의 타단에 결합되는 제2수직가이드를 더 포함할 수 있다. 상기 세정부재는 상기 실링벨트가 회전 시 상기 실링벨트의 내측면에 접촉되는 브러시를 포함할 수 있다.
기판처리장치는 반송부 및 기판을 공정 처리하고, 상기 반송부의 일측 또는 양측에 위치되는 복수 개의 공정 챔버들을 포함하되, 상기 반송부는 길이방향이 일방향을 따라 제공되는 가이드레일 및 상기 가이드레일을 따라 상기 일방향으로 직선 이동 가능하고, 상기 공정 챔버들 간에 기판을 반송하는 반송로봇을 포함하되, 상기 반송로봇은 기판이 놓이는 아암, 상기 아암을 지지하는 지지 프레임, 상기 지지 프레임을 상하방향으로 이동시키도록 상기 지지프레임의 일단에 결합되는 수직가이드, 상기 수직가이드의 내부를 세정하는 세정부재를 포함하되, 상기 수직가이드는 일측면에 상기 지지프레임의 일단이 삽입되도록 상하방향으로 제공되는 슬릿 형상의 홀이 형성되는 수직 프레임, 상기 수직 프레임의 내부에 위치되고, 상기 지지프레임의 일단을 상하로 이동시키는 구동부재, 그리고 일면에 상기 지지프레임의 일단이 관통되는 개구가 형성되어 상기 지지 프레임과 함께 상하방향으로 이동되고, 상기 구동부재를 감싸도록 배치되며, 상기 홀을 실링하는 실링벨트를 포함하되, 상기 세정부재는 상기 실링벨트의 내측면에 부착된 파티클을 제거하는 것을 포함한다.
상기 세정부재는 상기 홀보다 아래에 고정설치될 수 있다. 상기 세정부재는 상기 실링벨트가 회전 시 상기 실링벨트의 내측면에 접촉되는 브러시를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 반송하는 과정에서 발생되는 파티클로 인해 공정 불량이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 반송 로봇 내에서 발생된 파티클이 외부로 유출되는 것을 최소화할 수 있다.
도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 1의 반송부를 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5의 수직 가이드 및 세정부재를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 수직 가이드 및 세정부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도 1 내지 도 7을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 설비(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비(1)를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송부(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송부(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송부(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송부(910)는 그 길이방향이 제 1 방향(12)을 따라 위치된다. 반송부(910)는 반송챔버(912), 도포부 로봇(920), 그리고 가이드 레일(960)를 가진다. 반송챔버(912)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 반송챔버(912) 내에는 도포부 로봇(920) 및 가이드 레일(960)이 놓인다. 도 5는 도 1의 도포부 로봇 및 가이드 레일을 보여주는 사시도이다. 도 5를 참조하면, 도포부 로봇(920)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 버퍼(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 도포부 로봇(920)은 아암(922), 지지프레임(924), 수직가이드(930), 세정부재(945), 그리고 보조가이드(950)를 가진다. 웨이퍼(W)는 아암(922) 상에 놓여진다. 아암(922)은 수평 방향으로 신축 가능한 구조를 가진다. 아암(922)은 지지프레임(924)에 회전 가능하도록 설치된다. 지지프레임(924)은 아암(922)을 지지한다. 지지프레임(924)은 그 길이방향이 대체로 제 1 방향으로 제공된 바 형상을 가진다.
수직가이드(930)는 지지프레임(924)을 상하방향으로 이동시킨다. 도 6은 도 5의 수직 가이드 및 세정부재를 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면. 수직가이드(930)는 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b)를 가진다. 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b)는 지지프레임(924)을 사이에 두고 서로 대향되게 배치된다. 지지프레임(924)의 양 끝단은 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b)에 각각 결합된다. 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b) 각각은 수직프레임(932), 구동부재(934), 그리고 실링벨트(940)를 가진다.
수직프레임(932)은 그 길이방향이 제 3 방향으로 제공된다. 수직프레임(932)은 그 일면에 홀(933)이 형성된다. 홀(933)은 제 3 방향으로 긴 슬릿형상으로 제공된다. 지지프레임(924)의 일단은 홀(933)에 삽입된다. 지지프레임(924)의 일단은 홀(933)의 길이방향을 따라 제 3 방향으로 이동 가능하다.
구동부재(934)는 수직프레임(932)의 내부에 배치된다. 구동부재(934)는 지지프레임(924)을 제 3 방향으로 이동시킨다. 구동부재(934)는 풀리(935) 및 회전벨트(936)의 조합으로 제공될 수 있다. 풀리(935)는 2 개가 상하방향으로 대향되게 배치된다. 회전벨트(936)는 풀리(935)들을 동시에 감싸도록 배치된다. 회전벨트(936)의 일측면은 지지프레임(924)의 일단과 고정 결합된다. 회전벨트(936)는 풀리(935)의 구동에 의해 회전 가능하다. 지지프레임(924)은 회전벨트(936)의 회전과 함께 제 3 방향으로 이동된다.
실링벨트(940)는 수직프레임(932)의 홀(933)을 실링한다. 실링벨트(940)는 수직프레임(932)의 내부에서 발생되는 파티클이 수직프레임(932)의 홀(933)을 통해 외부로 유출되는 것을 방지한다. 실링밸트(940)는 수직프레임(932)의 내측벽과 회전밸트(936)의 사이에 배치된다. 실링벨트(940)는 복수 개의 프리롤러(942)를 동시에 감싸도록 제공된다. 일 예에 의하면, 프리롤러(942)는 4 개로 제공될 수 있다. 각각의 프리폴러(942)는 수직프레임(932)의 내부 모서리와 인접하게 고정 설치된다. 실링벨트(940)는 그 일면이 수직프레임(932)의 홀(933)과 대향되도록 제공된다. 실링벨트(940)의 일면은 홀(933)과 인접하게 배치된다. 홀(933)과 대향되는 실링벨트(940)는 일면에 개구(941)가 형성된다. 개구(941)에는 지지프레임(924)의 일단이 관통된다. 일 예에 의하면, 개구(941)의 크기는 지지프레임(924)의 일단과 동일하거나 조금 크게 제공된다. 실링벨트(940)는 지지프레임(924)이 구동부재(934)에 의해 이동됨에 따라 회전가능하다.
세정부재(945)는 실링벨트(940)의 내측면을 세정한다. 세정부재(945)는 실링벨트(940)의 내측에 위치된다. 세정부재(945)는 수직프레임(924)의 홀(933)보다 아래에 설치될 수 있다. 일 예에 의하면, 세정부재(945)는 브러시(945)로 제공될 수 있다. 브러시(945)는 실링벨트(940)의 내측면에 접촉되게 배치된다. 브러시(945)는 실링벨트(940)가 회전 시 그 내측면에 부착된 파티클을 긁어낸다.
이와 달리 세정부재(946)는 도 7과 같이 실링벨트(940)의 내측면에 접촉되는 블레이드(946)로 제공될 수 있다. 블레이드(946)는 실링벨트(940)가 회전 시 그 내측면에 부착된 파티클을 긁어낼 수 있다.
또한 세정부재(945)는 진공압을 제공하여 실링벨트(940)의 내측면에 부착된 파티클을 진공흡입할 수 있다.
또한 세정부재(945)는 세정액을 분사하여 실링벨트(940)의 내측면을 세정하는 노즐일 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 보조가이드(950)는 서로 이격된 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b)를 연결한다. 보조가이드(950)는 각각의 수직가이드(930a,930b)가 고속으로 이동 시 제1수직가이드(930a)와 제2수직가이드(930b)가 서로 다른 속도로 이동되는 것을 방지한다. 보조가이드(950)는 상부 보조프레임(950a)과 하부 보조프레임(950b)을 가진다. 상부 보조프레임(950a)의 양단 저면은 수직가이드들(930a,930b) 각각의 상단과 고정 결합된다. 하부 보조프레임(950b)의 양단 상면은 수직가이드들(930a,930b) 각각의 하단과 고정 결합된다.
가이드 레일(960)은 도포부 로봇(920)을 직선 이동시킨다. 가이드 레일(960)은 하부 가이드(962) 및 상부 가이드(972)를 가진다. 하부 가이드(962)는 하부 수평레일(964), 하부 브라켓(966), 그리고 구동기(미도시)를 가진다. 하부 수평레일(964)은 반송챔버(912)의 바닥면에 설치된다. 하부 수평레일(964)은 그 길이방향이 제 1 방향을 따라 제공된다. 하부 수평레일(964) 상에는 하부 브라켓(966)이 설치된다. 하부 브라켓(966)은 하부 수평레일(964)의 길이방향을 따라 직선 이동 가능하게 설치된다. 하부 브라켓(966)은 하부 보조프레임(950b)과 결합된다. 구동기(미도시)는 하부 브라켓(966)이 직선 이동되도록 동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(미도시)는 모터일 수 있다.
상부 가이드(972)는 도포부 로봇(920)의 직선 이동을 안내한다. 상부 가이드(972)는 상부 수평레일(974) 및 상부 브라켓(976)을 가진다. 상부 수평레일(974)은 반송챔버(912)의 상면에 설치된다. 상부 수평레일(974)은 하부 수평레일(964)과 상하로 마주보도록 배치된다. 상부 수평레일(974)은 그 길이방향이 제 1 방향을 따라 제공된다. 상부 수평레일(974) 상에는 상부 브라켓(976)이 설치된다. 상부 브라켓(976)은 상부 수평레일(974)의 길이방향을 따라 직선 이동 가능하게 설치된다. 상부 브라켓(975)은 상부 보조프레임(950b)과 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송부(480)는 그 길이방향이 제 1 방향(12)을 따라 제공된다. 반송부(480)는 반송챔버, 현상부 로봇(482), 그리고 가이드 레일(483)을 가진다. 반송챔버는 그 내부에 현상부 로봇 및 가이드 레일이 놓인다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상 모듈의 반송부는 도포부 모듈의 반송부와 동일한 구조를 가질 수 있다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.
웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다.
도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.
전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 웨이퍼(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 웨이퍼(W)를 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다.
전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.
스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.
이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(730)로 운반한다.
후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 웨이퍼(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 웨이퍼(W)를 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 웨이퍼(W)의 가열에 의해 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 웨이퍼(W)의 냉각이 수행된다.
현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다.
현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 웨이퍼(W)를 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.
다음은 상술한 기판처리설비(1)의 다양한 변형 예들을 예시한다.
도포 및 현상 모듈(400)은 서로 층으로 구획된 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에 도포 챔버, 현상 챔버, 베이크 챔버, 그리고 반송 챔버들이 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 버퍼 모듈(300)에 제 1 버퍼(320), 제 1 버퍼 로봇(360)은 제공되지 않을 수 있다.
또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 제공되지 않고, 노광 전후 처리 모듈(600)과 도포 및 현상 모듈(400)이 인접하게 배치될 수 있다.
또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 서로 층으로 구획된 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에, 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670)가 모두 제공될 수 있다.
또한, 세정 챔버(660)에는 세정액을 공급하는 노즐 이외에 추가적으로 건조 가스를 공급하는 노즐을 더 제공될 수 있다. 이 경우, 노광 후 베이크 챔버(670)에서 웨이퍼(W)의 가열이 이루어지기 전에 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액을 제거할 수 있다.
또한, 노광 장치(900)가 액침 노광 방식 이외의 방식으로 공정을 수행하는 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 제공되지 않을 수 있다.
또한, 에지 노광 챔버(550)는 인터페이스 모듈(700)에 제공될 수 있다. 또한, 에지 노광 공정은 웨이퍼 상에 보호막을 도포하는 공정 이후에 수행되거나, 노광 공정과 웨이퍼를 세정하는 공정 사이에 수행되거나, 노광 후 베이크 공정과 현상 공정 사이에 수행될 수 있다.
920: 도포부 로봇 922: 아암
924: 지지 프레임 930: 수직가이드
932: 수직 프레임 934: 구동부재
940: 실링벨트 945: 세정부재
960: 가이드 레일

Claims (7)

  1. 기판이 놓이는 아암과;
    상기 아암을 지지하는 지지 프레임과;
    상기 지지 프레임을 상하방향으로 이동시키도록 상기 지지프레임의 일단에 결합되는 제1수직가이드와;
    상기 제1수직가이드의 내부를 세정하는 세정부재를 포함하되;
    상기 제1수직가이드는,
    일측면에 상기 지지프레임의 일단이 삽입되도록 상하방향으로 제공되는 슬릿 형상의 홀이 형성되는 수직 프레임과;
    상기 수직 프레임의 내부에 위치되고, 상기 지지프레임의 일단을 상하로 이동시키는 구동부재와;
    일면에 상기 지지프레임의 일단이 관통되는 개구가 형성되어 상기 지지 프레임과 함께 상하방향으로 이동되고, 상기 구동부재를 감싸도록 배치되며, 상기 홀을 실링하는 실링벨트를 포함하되;
    상기 세정부재는,
    상기 실링벨트가 회전 시 상기 실링벨트의 내측면에 접촉되어, 상기 실링벨트의 내측면에 부착된 파티클을 제거하는 브러시를 포함하는 것을 특징으로 하는 반송 로봇.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정부재는 상기 홀보다 아래에 설치되는 것을 특징으로 하는 반송로봇.
  3. 제1항에 있어서
    상기 제1수직가이드와 서로 이격되게 배치되고, 상기 지지프레임의 타단에 결합되는 제2수직가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반송 로봇.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정부재는,
    상기 실링벨트가 회전 시 상기 실링벨트의 내측면에 접촉되는 브러시를 포함하는 것을 특징으로 하는 반송로봇.
  5. 반송부와;
    기판을 공정 처리하고, 상기 반송부의 일측 또는 양측에 위치되는 복수 개의 공정 챔버들을 포함하되;
    상기 반송부는,
    길이방향이 일방향을 따라 제공되는 가이드레일과;
    상기 가이드레일을 따라 상기 일방향으로 직선 이동 가능하고, 상기 공정 챔버들 간에 기판을 반송하는 반송로봇을 포함하되;
    상기 반송로봇은
    기판이 놓이는 아암과;
    상기 아암을 지지하는 지지 프레임과;
    상기 지지 프레임을 상하방향으로 이동시키도록 상기 지지프레임의 일단에 결합되는 수직가이드와;
    상기 수직가이드의 내부를 세정하는 세정부재를 포함하되;
    상기 수직가이드는,
    일측면에 상기 지지프레임의 일단이 삽입되도록 상하방향으로 제공되는 슬릿 형상의 홀이 형성되는 수직 프레임과;
    상기 수직 프레임의 내부에 위치되고, 상기 지지프레임의 일단을 상하로 이동시키는 구동부재와;
    일면에 상기 지지프레임의 일단이 관통되는 개구가 형성되어 상기 지지 프레임과 함께 상하방향으로 이동되고, 상기 구동부재를 감싸도록 배치되며, 상기 홀을 실링하는 실링벨트를 포함하되;
    상기 세정부재는,
    상기 실링벨트가 회전 시 상기 실링벨트의 내측면에 접촉되어, 상기 실링벨트의 내측면에 부착된 파티클을 제거하는 브러시를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 세정부재는 상기 홀보다 아래에 고정설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 세정부재는,
    상기 실링벨트가 회전 시 상기 실링벨트의 내측면에 접촉되는 브러시를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020110122502A 2011-11-22 2011-11-22 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치 KR101895403B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110122502A KR101895403B1 (ko) 2011-11-22 2011-11-22 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110122502A KR101895403B1 (ko) 2011-11-22 2011-11-22 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130056752A KR20130056752A (ko) 2013-05-30
KR101895403B1 true KR101895403B1 (ko) 2018-09-06

Family

ID=48664699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110122502A KR101895403B1 (ko) 2011-11-22 2011-11-22 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101895403B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101885571B1 (ko) * 2016-07-07 2018-08-07 세메스 주식회사 기판 반송 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100226474B1 (ko) * 1996-07-02 1999-10-15 김영환 청정 승강장치
JP2002110764A (ja) 2000-09-28 2002-04-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2005093812A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置および基板処理装置
JP2006024683A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Nikon Corp 搬送装置、露光装置、及び搬送方法
JP2008028078A (ja) 2006-07-20 2008-02-07 Yaskawa Electric Corp 防塵機構を備えた基板搬送装置
JP4973893B2 (ja) 2008-11-18 2012-07-11 セメス株式会社 基板処理装置及び基板処理装置での整備方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100562017B1 (ko) 2004-02-09 2006-03-16 세메스 주식회사 기판 반송 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100226474B1 (ko) * 1996-07-02 1999-10-15 김영환 청정 승강장치
JP2002110764A (ja) 2000-09-28 2002-04-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2005093812A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置および基板処理装置
JP2006024683A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Nikon Corp 搬送装置、露光装置、及び搬送方法
JP2008028078A (ja) 2006-07-20 2008-02-07 Yaskawa Electric Corp 防塵機構を備えた基板搬送装置
JP4973893B2 (ja) 2008-11-18 2012-07-11 セメス株式会社 基板処理装置及び基板処理装置での整備方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130056752A (ko) 2013-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101099613B1 (ko) 기판 처리 설비 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102000019B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
KR101689619B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비
KR20160057036A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
KR101654621B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101895410B1 (ko) 기판처리장치
KR101884854B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20160072545A (ko) 기판 처리 장치
KR102000023B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101895403B1 (ko) 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치
KR102054221B1 (ko) 기판반송장치 및 이를 가지는 기판처리장치
KR20150078629A (ko) 기판처리장치
KR101768518B1 (ko) 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
KR101721148B1 (ko) 노즐, 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법
KR101914482B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101870669B1 (ko) 분사유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
KR102156897B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101776014B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20180061536A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20140072998A (ko) 기판처리장치
KR20180049309A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101985755B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20180122518A (ko) 기판 처리 장치
KR20180058390A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101968488B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant