KR101099613B1 - 기판 처리 설비 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액침 노광 공정이 진행될 기판의 포토레지스트 보호막이 도포된 패턴 면에 가스를 공급하여, 기판 패턴면 상의 파티클을 제거하고, 기판 패턴 표면을 경화시키거나 그 화학적 특성을 변화시켜, 액침 노광 공정에 야기될 수 있는 이머젼 디펙트(Immersion Defect)를 감소시킬 수 있는 기판 처리 설비 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공한다.

액침 노광, 포토레지스트, 보호막, 가스, 경화

Description

기판 처리 설비 및 이를 이용한 기판 처리 방법{FACILITY FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING THE SAME}

본 발명은 기판을 처리하는 설비 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 웨이퍼에 포토 리소그래피 공정을 수행하는 데 사용되는 기판 처리 설비 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.

일반적으로 포토 리소그래피 공정을 수행하는 설비는 웨이퍼에 레지스트를 도포하는 도포 챔버, 노광이 완료된 웨이퍼에 대해 현상 공정을 수행하는 현상 챔버, 그리고 노광 장치와의 인라인 연결을 위한 인터페이스를 가진 처리 모듈을 가진다.

본 발명은 포토리소그래피 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 설비 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공한다.

본 발명은 액침 노광 공정의 진행시 발생하는 이머젼 디펙트(Immersion Defect)를 감소시킬 수 있는 기판 처리 설비 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공한다.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비는 기판에 대해 감광액 도포 공정을 수행하는 도포 모듈; 상기 도포 모듈에서 상기 감광액이 도포된 상기 기판에 대해 보호막 도포 공정을 수행하는 전 처리 모듈; 및 상기 전 처리 모듈에서 상기 보호막이 도포된 상기 기판에 대해 가스 퍼지 공정을 수행하는 퍼지 모듈을 포함한다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 퍼지 모듈에서 상기 가스가 퍼지된 상기 기판을 노광 장치로 전달하는 인터페이스 모듈을 더 포함하되, 상기 퍼지 모듈이 상기 인터 페이스 모듈 내에 배치될 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 퍼지 모듈에서 상기 가스가 퍼지된 상기 기판을 노광 장치로 전달하는 인터페이스 모듈을 더 포함하되, 상기 퍼지 모듈이 상기 노광 장치가 연결되는 상기 인터페이스 모듈의 후단에 배치될 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 퍼지 모듈은 상기 기판을 척킹하며, 회전 가능한 스핀 척; 및 상기 스핀 척이 척킹한 상기 기판의 상기 보호막이 도포된 제 1 면에 가스를 분사하는 가스 분사 유닛을 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 스핀 척은 지지판; 및 상기 지지판에 설치되며, 상기 제 1 면이 아래 방향을 향하도록 상기 기판을 상기 지지판으로부터 상향 이격된 상태로 지지하는 척킹 핀들을 포함하며, 상기 가스 분사 유닛은 상기 기판의 상기 제 1 면을 향해 유체를 분사하도록 상기 지지판의 상면에 제공되는 복수 개의 분사 홀들; 및 상기 분사 홀들로 상기 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 분사 홀들로 린스액을 공급하는 린스액 공급 부재를 더 포함하며, 상기 린스액이 상기 분사 홀들을 통해 상기 기판의 상기 제 1 면에 분사될 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 스핀 척의 일측에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면에 린스액을 분사하는 린스액 분사 유닛을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 스핀 척의 다른 일측에 배치되며 상기 스핀 척에 로딩되는 상기 기판의 상기 제 1 면이 아래 방향을 향하도록 상기 기판을 반전하는 반전 유닛을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 스핀 척은 지지판; 및 상기 지지판에 설치되며, 상기 제 1 면이 위 방향을 향하도록 상기 기판을 상기 지지판으로부터 하향 이격된 상태로 지지하는 척킹 핀들을 포함하며, 상기 가스 분사 유닛은, 상기 기판의 상기 제 1 면을 향해 유체를 분사하도록 상기 지지판의 하면에 제공되는 복수 개의 분사 홀들; 및 상기 분사 홀들로 상기 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 분사 홀들로 린스액을 공급하는 린스액 공급 부재를 더 포함하며, 상기 린스액이 상기 분사 홀들을 통해 상기 기판의 상기 제 1 면에 분사될 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 스핀 척의 하부에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면에 린스액을 분사하는 린스액 분사 유닛을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 스핀 척은 상기 기판의 상기 제 1 면이 위 방향을 향하도록 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면을 진공 흡착하는 진공 흡착판을 포함하며, 상기 가스 분사 유닛은 상기 진공 흡착판의 상부에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면을 향해 가스를 분사하는 복수 개의 분사 홀들이 하면에 형성된 가스 분사판; 및 상기 분사 홀들로 상기 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 스핀 척의 일측에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면에 린스액을 분사하는 제 1 린스액 분사 유닛을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 진공 흡착판은 상기 제 2 면의 중심 영역을 진공 흡착하며, 상기 설비는, 상기 진공 흡착판의 하부에 이격 배치되며 상기 기판의 상기 제 2 면의 주변 영역에 린스액을 분사하는 제 2 린스액 분사 유닛을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 스핀 척은 상기 기판의 상기 제 1 면이 위 방향을 향하도록 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면을 진공 흡착하는 진공 흡착판을 포함하며, 상기 가스 분사 유닛은 상기 진공 흡착판의 상부에 배치되며 상기 기판의 상기 제 1 면을 향해 유체를 분사하는 노즐; 상기 노즐로 가스를 공급하는 가스 공급 부재; 및 일단이 상기 노즐을 둘러싸고 타단이 아래로 갈수록 개구 면적이 넓어지는 통 형상을 가지며, 상기 노즐로부터 상기 기판의 상기 제 1 면으로 분사된 유체의 흐름을 상기 제 1 면의 가장자리 외측으로 안내하는 가이드 부재를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 노즐로 린스액을 공급하는 린스액 공급 부재를 더 포함하며, 상기 린스액이 상기 노즐을 통해 상기 기판의 상기 제 1 면에 분사될 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 진공 흡착판은 상기 제 2 면의 중심 영역을 진공 흡착하며, 상기 설비는, 상기 진공 흡착판의 하부에 이격 배치되며 상기 기판의 상기 제 2 면의 주변 영역에 린스액을 분사하는 린스액 분사 유닛을 더 포함할 수 있다.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 기판의 제 1 면에 감광액을 도포하는 것; 상기 감광액이 도포된 상기 기판의 상기 제 1 면에 보호막을 도포하는 것; 및 상기 보호막이 도포된 상기 기판의 상기 제 1 면에 가스를 퍼지하는 것을 포함한다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 가스가 퍼지된 상기 기판의 상기 제 1 면을 린스 처리하는 것을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기판의 상기 제 1 면에 대해, 상기 가스를 퍼지하는 것 및 상기 린스 처리하는 것이 동시에 또는 순차적으로 진행될 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기판의 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면을 린스 처리하는 것을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제 1 면에 상기 가스가 퍼지된 상기 기판을 액침 노광 처리하는 것을 더 포함할 수 있다.

본 발명에 의하면, 포토 리소그래피 공정을 효율적으로 수행할 수 있다.

그리고 본 발명에 의하면, 액침 노광 공정에 있어서의 이머젼 디펙트(Immersion Defect)를 감소시킬 수 있다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정, 그리고 액침 노광 전후에 요구되는 노광 전후 처리 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 설비(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비(1)를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있으며, 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현 상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.

웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 상세히 설명한다.

(로드 포트)

로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.

(인덱스 모듈)

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.

(제 1 버퍼 모듈)

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배 치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수 는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.

냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉 각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.

(도포 및 현상 모듈)

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.

도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베 이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.

베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.

현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(5402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나 란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지 고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.

베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.

(제 2 버퍼 모듈)

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨 이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행 된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.

(노광 전후 처리 모듈)

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.

(인터페이스 모듈)

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 퍼지 모듈(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 퍼지 모듈(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.

(퍼지 모듈)

퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 배치될 수 있다. 구체적으로, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 로봇(740)을 중심으로 제 1 버퍼(720)와 마주보는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위 치에 제공될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 노광 전후 처리 모듈(600)에서 포토레지스트의 보호를 위한 보호막이 도포된 웨이퍼에 대해 가스 퍼지 공정과 린스 공정을 수행한다.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 퍼지 모듈(800)의 평면도이고, 도 6은 도 5의 퍼지 모듈(800)의 측면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 퍼지 모듈(800)은 스핀 척(810), 용기(820), 승강 유닛(830), 반전 유닛(840), 가스 분사 유닛(850), 그리고 린스액 분사 유닛(860)을 포함한다.

스핀 척(810)은 웨이퍼(W)를 지지하고, 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 스핀 척(810)은 지지판(812)을 가진다. 지지판(812)의 상면에는 웨이퍼(W)를 지지하는 핀 부재들(811a,811b)이 결합된다. 지지 핀들(811a)은 웨이퍼(W)의 하면을 지지하고, 척킹 핀들(811b)은 웨이퍼(W)의 측면을 지지한다. 지지판(812)은 구동 부재에 의해 회전된다. 구동 부재는 지지판(812)의 하면에 결합되는 구동 축(814)과, 구동 축(814)에 구동력을 제공하는 구동기(816)를 포함한다. 구동기(816)는 구동 축(814)에 회전력을 제공하는 모터일 수 있으며, 선택적으로 구동 축(814)을 상하 방향으로 직선 이동시키는 구동력을 제공할 수도 있다. 구동기(816)는 프레임(818)에 의해 지지된다.

용기(820)는 상부가 개방되고, 내부에 웨이퍼(W)가 처리되는 공간을 가지며, 공정에 사용된 린스액을 회수하고, 가스를 배기한다. 용기(820)는 내부 회수통(822)과 외부 회수통(824)을 가진다. 내부 회수통(822)은 스핀 척(810)의 지지판(812)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(824)은 내부 회수 통(822)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(822)은 환형의 링 형상을 가지는 측벽(822a)과, 측벽(822a)의 상단으로부터 외측으로 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 연장되는 안내 벽(822b)을 가진다. 외부 회수통(824)은 바닥벽(824a), 바닥벽(824a)의 가장자리로부터 위 방향으로 연장되는 링 형상의 측벽(824b), 측벽(824b)의 상단으로부터 내측으로 가까워지는 방향으로 상향 경사지게 연장되는 경사벽(824c)을 가진다. 외부 회수통(824)의 측벽(824b)은 내부 회수통(822)의 측벽(822a)을 감싸는 링 형상으로 제공된다.

내부 회수통(822)의 측벽(822a) 상단과 외부 회수통(824)의 경사벽(824c) 끝단 사이에는 유입구(825)가 형성된다. 유입구(825)는 지지판(812)의 둘레에 링 형상으로 제공된다. 웨이퍼(W)로 분사되어 공정에 사용된 린스액과 가스는 웨이퍼(W)의 회전으로 인한 원심력에 의해 유입구(825)를 통해 내부 회수통(822)과 외부 회수통(824) 사이 공간으로 유입된다. 외부 회수통(824)의 바닥벽(824a)에는 배출관(826)이 결합된다. 내부 회수통(822)과 외부 회수통(824) 사이 공간으로 유입된 린스액은 배출관(826)을 통해 외부로 배출된다. 그리고 외부 회수통(824)의 바닥벽(824a)에는 배기관(827)이 결합되며, 내부 회수통(822)과 외부 회수통(824) 사이 공간으로 유입된 가스는 배기관(827)을 통해 외부로 배기된다.

승강 유닛(830)은 용기(820)를 상하 방향으로 승하강시키며, 용기(820)와 스핀 척(810) 간의 상대 높이를 변화시킨다. 승강 유닛(830)은 브라켓(832), 이동 축(834), 그리고 구동기(836)를 가진다. 브라켓(832)은 용기(820)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(832)에는 구동기(836)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(834)이 고정 결합된다. 웨이퍼(W)가 스핀 척(810)에 놓이거나, 스핀 척(810)으로부터 들어올릴 때 스핀 척(810)이 용기(820)의 상부로 돌출되도록 용기(820)는 하강한다.

반전 유닛(840)은 스핀 척(810)에 로딩되는 웨이퍼의 패턴 면이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 웨이퍼의 패턴 면에는 포토레지스트, 그리고 액침 노광 공정시 포토레지스트를 보호하기 위한 보호막이 도포되어 있다. 이하에서는, 웨이퍼의 패턴 면을 제 1 면이라 하고, 패턴 면의 반대 면을 제 2 면이라 한다.

반전 유닛(840)은 홀딩부(842), 반전부(844), 승강부(846), 그리고 이동부(848)를 포함한다. 홀딩부(842)는 반전시킬 웨이퍼를 로딩한다. 반전부(844)는 홀딩부(842)를 180도 회전시킨다. 승강부(846)는 반전부(844)를 상하 방향으로 이동시킨다. 반전부(844)로는 모터와 같은 구동 장치가 사용될 수 있다. 승강부(846)로는 실린더 또는 리니어 모터, 모터를 이용한 리드스크류와 같은 직선 구동 장치가 사용될 수 있다. 이동부(848)는 브라켓(848-1), 가이드 레일(848-2), 그리고 구동기(미도시)를 가진다. 가이드 레일(848-2)은 용기(820)의 일측에 길게 일직선으로 연장된다. 가이드 레일(848-2)에는 이를 따라 이동 가능하도록 브라켓(848-1)이 결합되고, 브라켓(848-1)에는 승강부(846)가 고정 결합된다. 구동기는 브라켓(848-1)을 직선 이동시키는 구동력을 제공한다. 브라켓(848-1)의 직선 이동은 모터와 스크류를 가지는 어셈블리에 의해 이루어질 수 있다. 선택적으로 브라켓(848-1)의 직선 이동은 벨트와 풀리, 그리고 모터를 가진 어셈블리에 의해 이루어질 수 있다. 선택적으로 브라켓(848-1)의 직선 이동은 리니어 모터에 의해 이루어질 수 있다.

가스 분사 유닛(850)은 스핀 척(810)에 로딩된 웨이퍼의 제 1 면에 가스 및/또는 린스액을 분사한다. 가스 분사 유닛(850)은 분사 홀들(852), 가스 공급 부재(854), 그리고 린스액 공급 부재(856)를 포함한다. 분사 홀들(852)은 웨이퍼의 제 1 면을 향해 가스 및/또는 린스액을 분사하도록 지지판(812)의 상면에 복수 개가 형성된다. 가스 공급 부재(854)는 분사 홀들(852)로 가스를 공급하고, 린스액 공급 부재(856)는 분사 홀들(852)로 린스액을 공급한다.

가스 공급 부재(854)는 제 1 배관(854a)에 의해 분사 홀들(852)에 연결되는 가스 공급원(854b)과, 제 1 배관(854a)을 통해 흐르는 가스의 흐름을 개폐하는 밸브(854c)를 가진다. 가스로는 질소 가스와 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다. 가스 공급 부재(854)로부터 공급되는 가스는 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면, 즉 포토레지스트의 보호막이 코팅된 웨이퍼의 패턴 면에 분사된다. 웨이퍼의 제 1 면에 분사된 가스는 보호막 상의 파티클을 제거할 뿐만 아니라, 보호막 표면의 친수성을 감소시키고, 보호막 표면을 경화시키거나 그 화학적 성질을 변화시켜 후속되는 액침 노광 공정에서 기존의 공정과 비교할 때 이머젼 디펙트(Immersion Defect)를 현저히 감소시킬 수 있다.

린스액 공급 부재(856)는 제 1 배관(854a)으로부터 분기된 제 2 배관(856a)에 연결되는 린스액 공급원(856b)과, 제 2 배관(856a)을 통해 흐르는 린스액의 흐름을 개폐하는 밸브(856c)를 가진다. 린스액으로는 탈이온수(DIW)가 사용될 수 있다. 린스액 공급 부재(856)로부터 공급되는 린스액은 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사된다. 웨이퍼의 제 1 면에 분사된 린스액은 보호막의 상면을 린스 처리한다. 린스액은 가스와 함께, 또는 순차적으로 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수 있다. 순차적으로 분사되는 경우, 가스가 먼저 웨이퍼의 제 1 면에 분사되고, 이후 린스액이 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수 있다.

린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면, 즉 웨이퍼의 패턴 면의 반대 면에 린스액을 분사한다. 린스액으로는 탈이온수가 사용될 수 있다. 린스액 분사 유닛(860)은 용기(820)의 일측에 배치된다. 린스액 분사 유닛(860)은 노즐(861), 지지 바(862), 구동축(863), 그리고 구동기(864)를 가진다. 노즐(861)은 지지 바(862)의 일 끝단에 고정 결합된다. 지지 바(862)의 다른 끝단에는 구동기(864)에 의해 회전 및 승하강되는 구동축(863)이 고정 결합된다. 노즐(861)은 제 3 배관(865)에 의해 린스액 공급원(866)에 연결되고, 제 3 배관(865) 상에는 린스액의 흐름을 개폐하는 밸브(867)가 배치된다. 웨이퍼의 제 2 면에 분사되는 린스액은 제 2 면상의 파티클을 제거한다. 웨이퍼의 제 2 면은 노광 장치(900)에서의 노광 공정 진행시 웨이퍼가 지지되는 면이다. 웨이퍼의 제 2 면에 파티클이 존재하면 파티클은 노광 공정에서 디포커스(Defocus) 현상을 유발할 수 있기 때문에, 이를 방지하기 위해 제 2 면의 파티클은 제거되어야 한다.

(공정 순서)

다음에는 도 1의 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.

웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 도포부 로봇(432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다.

도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.

전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 웨이퍼(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 웨이퍼(W)를 보호막 도포 챔버(610) 로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다.

전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.

스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.

이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(730)로 운반한다.

후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 웨이퍼(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 웨이퍼(W)를 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 웨이퍼(W)의 가열에 의해 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 웨이퍼(W)의 냉각이 수행된다.

현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다.

현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 웨이퍼(W)를 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.

도 1의 실시예에 의하면, 도포 및 현상 모듈(400)과 인터페이스 모듈(700) 사이에 별도로 노광 전후 처리 모듈(600)이 배치된다. 따라서 노광 전 및 노광 후에 요구되는 공정을 노광 직전 또는 직후에 수행할 수 있다.

또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 별도의 보호막 제거 챔버를 구비하지 않는다. 따라서 노광 전후 처리 모듈(600)의 구조가 비교적 간단하고, 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.

또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하는 경우, 노광 공정이 완료된 후 노광 후 베이크 공정이 수행되는 시기는 중요하다. 도 1의 실시예에 의하면, 노광 전후 처리 모듈(600)에 노광 후 베이크 챔버(670)가 제공된다. 따라서 웨이퍼(W)가 현상 모듈(402)으로 이동되기 전에 노광 전후 처리 모듈(600) 내에서 빠르게 산 증폭을 수행할 수 있다.

또한, 도 1의 실시예에 의하면, 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)에 대해 세정액을 이용한 세정만을 수행하고, 별도로 건조가스와 같은 유체의 공급에 의한 웨이퍼(W) 건조는 수행하지 않는다. 웨이퍼(W) 건조는 가열에 의해 이루어진다. 예컨대, 웨이퍼 건조는 노광 후 베이크 챔버(670)에서 산 증폭과 동시에 수행된다. 따라서 세정 챔버(660)에서 세정액에 의한 세정 및 건조 가스에 의한 건조를 모두 수행하는 경우에 비해 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.

(변형 예)

다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)의 다양한 변형 예들을 예시한다.

인덱스 로봇(220)은 제 1 버퍼(320)에 직접 웨이퍼들(W)을 운반하도록 제공될 수 있다.

또한, 제 1 버퍼 모듈(300)에는 냉각 챔버(350) 각각이 복수개가 서로 적층되도록 배치될 수 있다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)에는 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 에지 노광 챔버(550) 각각이 복수개 제공될 수 있다.

또한, 제 1 버퍼 모듈(300)에는 냉각 챔버(350)가 제공되지 않을 수도 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)는 도포 모듈(401)로부터 도포부 로봇(432)에 의해 직접 제 1 버퍼(320)로 이송되고, 인덱스 로봇(220)은 제 1 버퍼(320)에 보관된 웨이퍼들(W)을 카세트(20)로 운반할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)는 현상 모듈(402)로부터 현상부 로봇(482)에 의해 직접 제 2 버퍼(330)로 이송되고, 인덱스 로봇(220)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼들(W)을 카세트(20)로 운반할 수 있다.

또한, 제 1 버퍼 모듈(300)에서 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 그 위치가 서로 변경될 수 있다.

또한, 도포 및 현상 모듈(400)은 서로 층으로 구획된 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에 도포 챔버, 현상 챔버, 베이크 챔버, 그리고 반송 챔버들이 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 버퍼 모듈(300)에 제 1 버퍼(320), 제 1 버퍼 로봇(360)은 제공되지 않을 수 있다.

또한, 제 2 버퍼 모듈(500)에는 제 1 냉각 챔버(530)가 제공되지 않을 수 있다. 이 경우, 도포 모듈(401)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 도포부 로봇(432)에 의해 직접 버퍼(520)로 이송된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)에는 제 2 냉각 챔버(540)는 제공되지 않고, 또 다른 버퍼가 제공될 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 후처리 로봇(682)에 의해 추가된 버퍼로 운반될 수 있다.

또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 제공되지 않고, 노광 전후 처리 모듈(600)과 도포 및 현상 모듈(400)이 인접하게 배치될 수 있다.

또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 서로 층으로 구획된 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에, 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670)가 모두 제공될 수 있다.

또한, 웨이퍼(W)를 세정한 후, 웨이퍼 상에 잔류하는 세정액은 노광 후 베이크 챔버(670) 이외의 베이크 챔버에서 제거될 수 있다.

또한, 세정 챔버(660)에는 세정액을 공급하는 노즐 이외에 추가적으로 건조 가스를 공급하는 노즐을 더 제공될 수 있다. 이 경우, 노광 후 베이크 챔버(670)에서 웨이퍼(W)의 가열이 이루어지기 전에 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액을 제거할 수 있다.

또한, 후처리 모듈(602)에는 냉각 플레이트가 제공되지 않을 수 있다. 웨이 퍼(W)의 냉각은 오직 제 2 버퍼 모듈(500)에 제공된 냉각 챔버에서만 이루어질 수 있다. 이 경우, 선택적으로 제 2 버퍼 모듈(500)에는 복수의 냉각 챔버들이 서로간에 적층되도록 배치될 수 있다.

또한, 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 그 위치가 서로 변경될 수 있다. 이 경우, 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)는 각각 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 제공되도록 배치된다.

또한, 선택적으로 후처리 모듈(602)에는 노광 공정 후 보호막을 제거하기 위한 보호막 제거 챔버가 제공될 수 있다. 이 경우, 현상 공정이나 애싱 공정이 수행되기 전에 미리 웨이퍼(W) 상에 제공된 보호막을 제거할 수 있다.

또한, 노광 장치(900)가 액침 노광 방식 이외의 방식으로 공정을 수행하는 경우, 전처리 모듈(601)에는 보호막 도포 유닛(3000)이 제공되지 않을 수 있다. 이 경우, 선택적으로 베이크 챔버(620)도 제공되지 않을 수 있다. 이 경우, 선택적으로 노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601) 없이 후처리 모듈(602)만으로 제공될 수 있다.

또한, 노광 장치(900)가 원자외선 광원을 이용하여 공정을 수행하지 않는 경우, 후처리 모듈(602)에 노광 후 베이크 챔버(670)가 제공되지 않을 수 있다.

또한, 에지 노광 챔버(550)는 인터페이스 모듈(700)에 제공될 수 있다. 또한, 에지 노광 공정은 웨이퍼 상에 보호막을 도포하는 공정 이후에 수행되거나, 노광 공정과 웨이퍼를 세정하는 공정 사이에 수행되거나, 노광 후 베이크 공정과 현상 공정 사이에 수행될 수 있다.

또한, 퍼지 모듈은 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이 다양한 실시 예들로 구성될 수 있다.

도 7 은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 퍼지 모듈의 측면도이다. 도 7을 참조하면, 퍼지 모듈(1100)은 스핀 척(1110), 용기(1120), 승강 유닛(1130), 가스 분사 유닛(1150), 그리고 린스액 분사 유닛(1160)을 포함한다. 용기(1120)와, 승강 유닛(1130)은 도 6의 용기(820) 및 승강 유닛(830)과 동일한 구조를 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.

스핀 척(1110)은 웨이퍼(W)를 지지하고, 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 스핀 척(1110)은 지지판(1112)을 가진다. 지지판(1112)의 하면에는 척킹 핀들(1111)이 결합된다. 척킹 핀들(1111)은 지지판(1112)으로부터 하향 이격된 상태로 웨이퍼(W)의 측면을 지지한다. 웨이퍼(W)는 제 1 면이 위 방향을 향한 상태로 스핀 척(1110)에 로딩된다. 지지판(1112)은 구동 부재에 의해 회전 및 승하강된다. 구동 부재는 지지판(1112)의 상면에 결합되는 구동 축(1114)과, 구동 축(1114)에 회전력을 제공하는 회전 구동기(1116), 구동축(1114)을 승하강시키는 직선 구동기(1118)를 포함한다. 회전 구동기(1116)는 구동 축(1114)에 회전력을 제공하는 모터일 수 있으며, 회전 구동기(1116)의 회전력은 벨트(1115)에 의해 구동 축(114)에 전달될 수 있다. 직선 구동기(1118)는 구동 축(1114)을 상하 방향으로 직선 이동시키는 실린더일 수 있으며, 실린더의 이송 축의 끝단은 구동 축(1114)에 결합된 브라켓(1117)에 연결된다.

가스 분사 유닛(1150)은 스핀 척(1110)에 로딩된 웨이퍼(W)의 제 1 면에 가스 및/또는 린스액을 분사한다. 가스 분사 유닛(1150)은 분사 홀들(1152), 가스 공급 부재(1154), 그리고 린스액 공급 부재(1156)를 포함한다. 분사 홀들(1152)은 웨이퍼(W)의 제 1 면을 향해 가스 및/또는 린스액을 분사하도록 지지판(1112)의 하면에 복수 개가 형성된다. 가스 공급 부재(1154)는 분사 홀들(1152)로 가스를 공급하고, 린스액 공급 부재(1156)는 분사 홀들(1152)로 린스액을 공급한다.

가스 공급 부재(1154)는 제 1 배관(1154a)에 의해 분사 홀들(1152)에 연결되는 가스 공급원(1154b)과, 제 1 배관(1154a)을 통해 흐르는 가스의 흐름을 개폐하는 밸브(1154c)를 가진다. 가스로는 질소 가스와 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다. 가스 공급 부재(1154)로부터 공급되는 가스는 분사 홀들(1152)을 통해 웨이퍼의 제 1 면, 즉 포토레지스트의 보호막이 코팅된 웨이퍼의 패턴 면에 분사된다.

린스액 공급 부재(1156)는 제 1 배관(1154a)으로부터 분기된 제 2 배관(1156a)에 연결되는 린스액 공급원(1156b)과, 제 2 배관(1156a)을 통해 흐르는 린스액의 흐름을 개폐하는 밸브(1156c)를 가진다. 린스액으로는 탈이온수(DIW)가 사용될 수 있다. 린스액 공급 부재(1156)로부터 공급되는 린스액은 분사 홀들(1152)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사된다. 웨이퍼의 제 1 면에 분사된 린스액은 보호막의 상면을 린스 처리한다. 린스액은 가스와 함께, 또는 순차적으로 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수 있다. 순차적으로 분사되는 경우, 가스가 먼저 웨이퍼의 제 1 면에 분사되고, 이후 린스액이 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수 있다.

린스액 분사 유닛(1160)은 웨이퍼의 제 2 면, 즉 웨이퍼의 패턴 면의 반대 면에 린스액을 분사한다. 린스액으로는 탈이온수가 사용될 수 있다. 린스액 분사 유닛(1160)은 스핀 척(1110)의 하부에 배치되는 노즐(1161)을 가진다. 노즐(1161)은 제 3 배관(1165)에 의해 린스액 공급원(1166)에 연결되고, 제 3 배관(1165) 상에는 린스액의 흐름을 개폐하는 밸브(1167)가 배치된다. 웨이퍼의 제 2 면에 분사되는 린스액은 제 2 면상의 파티클을 제거한다.

도 8 은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 퍼지 모듈의 측면도이다. 도 8을 참조하면, 퍼지 모듈(1200)은 스핀 척(1210), 용기(1220), 승강 유닛(1230), 가스 분사 유닛(1250), 그리고 제 1 및 제 2 린스액 분사 유닛(1260,1270)을 포함한다. 용기(1220)와, 승강 유닛(1230)은 도 6의 용기(820) 및 승강 유닛(830)과 동일한 구조를 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.

스핀 척(1210)은 웨이퍼(W)를 지지하고, 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 스핀 척(1210)은 진공 흡착판(1212)을 가진다. 웨이퍼(W)는 제 1 면이 위 방향을 향한 상태로 진공 흡착판(1212)에 로딩되며, 진공 흡착판(1212)은 웨이퍼(W)의 제 2 면의 중앙 영역을 진공 흡착한다. 진공 흡착판(1212)은 구동 부재에 의해 회전된다. 구동 부재는 진공 흡착판(1212)의 하면에 결합되는 구동 축(1214)과, 구동 축(1214)에 회전력을 제공하는 회전 구동기(1216)를 포함한다.

가스 분사 유닛(1250)은 스핀 척(1210)에 로딩된 웨이퍼(W)의 제 1 면에 가스를 분사한다. 가스 분사 유닛(1150)은 가스 분사판(1251), 가스 공급 부재(1254), 그리고 구동 부재(1256)를 포함한다. 가스 분사판(1251)은 원판 형상으 로 제공될 수 있으며, 진공 흡착판(1212)과 마주보도록 진공 흡착판(1212)의 상부에 배치된다. 가스 분사판(1251)의 하면에는 복수 개의 분사 홀들(1252)이 형성된다. 분사 홀들(1252)은 웨이퍼(W)의 제 1 면을 향해 가스를 분사한다.

가스 공급 부재(1254)는 분사 홀들(1252)에 가스를 공급한다. 가스 공급 부재(1254)는 배관(1254a)에 의해 분사 홀들(1252)에 연결되는 가스 공급원(1254b)과, 배관(1254a)을 통해 흐르는 가스의 흐름을 개폐하는 밸브(1254c)를 가진다. 가스로는 질소 가스와 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다. 가스 공급 부재(1254)로부터 공급되는 가스는 분사 홀들(1252)을 통해 웨이퍼의 제 1 면, 즉 포토레지스트의 보호막이 코팅된 웨이퍼의 패턴 면에 분사된다.

구동 부재(1256)는 가스 분사판(1251)의 상면에 결합되는 구동 축(1257)과, 구동 축(1257)을 승하강시키는 직선 구동기(1258)를 포함한다. 직선 구동기(1258)는 구동 축(1257)을 상하 방향으로 직선 이동시키는 실린더일 수 있으며, 실린더의 이송 축의 끝단은 구동 축(1257)에 결합된 브라켓(1259)에 연결된다.

제 1 린스액 분사 유닛(1260)은 웨이퍼의 제 1 면, 즉 웨이퍼의 패턴 면에 린스액을 분사한다. 린스액으로는 탈이온수가 사용될 수 있다. 제 1 린스액 분사 유닛(1260)은 용기(1120)의 일측에 배치된다. 제 1 린스액 분사 유닛(1260)은 노즐(1261), 지지 바(1262), 구동축(1263), 그리고 구동기(1264)를 가진다. 노즐(1261)은 지지 바(1262)의 일 끝단에 고정 결합된다. 지지 바(1262)의 다른 끝단에는 구동기(1264)에 의해 회전 및 승하강되는 구동축(1263)이 고정 결합된다. 노즐(1261)은 배관(1265)에 의해 린스액 공급원(1266)에 연결되고, 배관(1265) 상에 는 린스액의 흐름을 개폐하는 밸브(1267)가 배치된다. 제 1 린스액 분사 유닛(1260)이 웨이퍼의 제 1 면에 분사하는 린스액은 보호막의 상면을 린스 처리한다. 린스액은 가스 분사 유닛(1250)이 분사하는 가스와 함께, 또는 순차적으로 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수 있다. 순차적으로 분사되는 경우, 가스가 먼저 웨이퍼의 제 1 면에 분사되고, 이후 린스액이 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수 있다.

제 2 린스액 분사 유닛(1270)은 웨이퍼의 제 2 면, 즉 웨이퍼의 패턴 면의 반대 면에 린스액을 분사한다. 린스액으로는 탈이온수가 사용될 수 있다. 제 2 린스액 분사 유닛(1270)은 진공 흡착판(1212)의 하부에 배치되는 노즐들(1271)을 가진다. 노즐들(1271)은 진공 흡착판(1212)의 하면에 결합된 구동축(1214)의 둘레에 배치된다. 노즐들(1271)은 웨이퍼의 제 2 면의 주변 영역으로 린스액을 분사한다. 제 2 면의 주변 영역은 제 2 면 중 진공 흡착판(1212)에 의해 흡착된 중앙 영역을 제외한 나머지 영역을 말한다. 노즐들(1271)은 배관(1273)에 의해 린스액 공급원(1275)에 연결되고, 배관(1273) 상에는 린스액의 흐름을 개폐하는 밸브(1277)가 배치된다. 웨이퍼의 제 2 면에 분사되는 린스액은 제 2 면상의 파티클을 제거한다.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 퍼지 모듈의 측면도이다. 도 9를 참조하면, 퍼지 모듈(1300)은 스핀 척(1310), 용기(1320), 승강 유닛(1330), 가스 분사 유닛(1350), 그리고 린스액 분사 유닛(1370)을 포함한다. 스핀 척(1310), 용기(1320), 승강 유닛(1330), 그리고 린스액 분사 유닛(1370)은 도 9의 스핀 척(1210), 용기(1220), 승강 유닛(1230), 그리고 제 2 린스액 분사 유닛(1270)과 동일한 구조를 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.

가스 분사 유닛(1350)은 스핀 척(1310)에 로딩된 웨이퍼의 제 1 면에 가스 및/또는 린스액을 분사한다. 가스 분사 유닛(1350)은 노즐(1351), 가이드 부재(1352), 가스 공급 부재(1356), 그리고 린스액 공급 부재(1358)를 포함한다. 노즐(1351)은 웨이퍼의 제 1 면을 향해 가스 및/또는 린스액을 분사한다. 가이드 부재(1352)는 노즐(1351)로부터 분사되는 가스 및/또는 린스액의 흐름을 안내한다. 가스 공급 부재(1356)는 노즐(1351)로 가스를 공급하고, 린스액 공급 부재(1358)는 노즐(1351)로 린스액을 공급한다.

노즐(1351)은 수평 지지 바(1353)의 일 끝단에 고정 결합된다. 수평 지지 바(1353)의 다른 끝단에는 구동기(1355)에 의해 회전 및 승하강되는 구동축(1354)이 고정 결합된다. 구동기(1355)에 의한 구동축(1354)의 회전에 의해, 수평 지지바(1353)가 스윙 동작하고, 수평 지지바(1353)의 스윙 동작에 의해 노즐(1351)이 스핀 척(1310)에 로딩된 웨이퍼(W)의 상부로 이동될 수 있다.

가이드 부재(1352)는 상단으로부터 하단으로 갈수록 개구 면적이 넓어지는 속이 빈 통 형상을 가진다. 가이드 부재(1352)는 상단이 노즐(1351)을 둘러싸도록 배치된다. 가이드 부재(1352)는 스핀 척(1310)에 로딩된 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 가이드 부재(1352)의 하단이 인접하게 이격되도록 제공될 수 있다. 가이드 부재(1352)는 노즐(1351)로부터 웨이퍼에 분사된 가스 및/또는 린스액을 웨이퍼의 가장자리 외측 방향을 향하도록 안내한다. 가이드 부재(1352)에 의해 안내된 가스 및/또는 린스액은 웨이퍼와 가이드 부재(1352) 하단 사이의 갭을 통해 웨이퍼로부터 이탈된다.

일단이 상기 노즐을 둘러싸고 타단이 아래로 갈수록 개구 면적이 넓어지는 통 형상을 가지며, 상기 노즐로부터 상기 기판의 상기 제 1 면으로 분사된 유체의 흐름을 상기 제 1 면의 가장자리 외측으로 안내하는 가이드 부재

가스 공급 부재(1356)는 제 1 배관(1356a)에 의해 노즐(1351)에 연결되는 가스 공급원(1356b)과, 제 1 배관(1356a)을 통해 흐르는 가스의 흐름을 개폐하는 밸브(1356c)를 가진다. 가스로는 질소 가스와 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다. 가스 공급 부재(1356)로부터 공급되는 가스는 노즐(1351)을 통해 웨이퍼의 제 1 면, 즉 포토레지스트의 보호막이 코팅된 웨이퍼의 패턴 면에 분사된다.

린스액 공급 부재(1358)는 제 1 배관(1356a)으로부터 분기된 제 2 배관(1358a)에 연결되는 린스액 공급원(1358b)과, 제 2 배관(1358a)을 통해 흐르는 린스액의 흐름을 개폐하는 밸브(1358c)를 가진다. 린스액으로는 탈이온수(DIW)가 사용될 수 있다. 린스액 공급 부재(1358)로부터 공급되는 린스액은 노즐(1351)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사된다. 웨이퍼의 제 1 면에 분사된 린스액은 보호막을 린스 처리한다. 린스액은 가스와 함께, 또는 순차적으로 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수 있다. 순차적으로 분사되는 경우, 가스가 먼저 웨이퍼의 제 1 면에 분사되고, 이후 린스액이 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수 있다.

도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.

도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.

도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.

도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 퍼지 모듈의 평면도이다.

도 6은 도 5의 퍼지 모듈의 측면도이다.

도 7 내지 도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 퍼지 모듈의 측면도들이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

20 : 카세트 100 : 로드 포트

200 : 인덱스 모듈 300 : 제 1 버퍼 모듈

400 : 도포 및 현상 모듈 401 : 도포 모듈

402 : 현상 모듈 500 : 제 2 버퍼 모듈

600 : 노광 전후 처리 모듈 601 : 전처리 모듈

602 : 후처리 모듈 700 : 인터페이스 모듈

800: 퍼지 모듈 900 : 노광 장치

Claims (22)

1. 기판에 대해 감광액 도포 공정을 수행하는 도포 모듈;

   상기 도포 모듈에서 상기 감광액이 도포된 상기 기판에 대해 보호막 도포 공정을 수행하는 전 처리 모듈; 및

   상기 전 처리 모듈에서 상기 보호막이 도포된 상기 기판에 대해 가스 퍼지 공정을 수행하는 퍼지 모듈을 포함하는 기판 처리 설비.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 퍼지 모듈에서 상기 가스가 퍼지된 상기 기판을 노광 장치로 전달하는 인터페이스 모듈을 더 포함하되,

   상기 퍼지 모듈이 상기 인터 페이스 모듈 내에 배치되는 기판 처리 설비.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 퍼지 모듈에서 상기 가스가 퍼지된 상기 기판을 노광 장치로 전달하는 인터페이스 모듈을 더 포함하되,

   상기 퍼지 모듈이 상기 노광 장치가 연결되는 상기 인터페이스 모듈의 후단에 배치되는 기판 처리 설비.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 퍼지 모듈은,

   상기 기판을 척킹하며, 회전 가능한 스핀 척; 및

   상기 스핀 척이 척킹한 상기 기판의 상기 보호막이 도포된 제 1 면에 가스를 분사하는 가스 분사 유닛을 포함하는 기판 처리 설비.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 스핀 척은,

   지지판; 및

   상기 지지판에 설치되며, 상기 제 1 면이 아래 방향을 향하도록 상기 기판을 상기 지지판으로부터 상향 이격된 상태로 지지하는 척킹 핀들을 포함하며,

   상기 가스 분사 유닛은,

   상기 기판의 상기 제 1 면을 향해 유체를 분사하도록 상기 지지판의 상면에 제공되는 복수 개의 분사 홀들; 및

   상기 분사 홀들로 상기 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함하는 기판 처리 설비.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 분사 홀들로 린스액을 공급하는 린스액 공급 부재를 더 포함하며,

   상기 린스액이 상기 분사 홀들을 통해 상기 기판의 상기 제 1 면에 분사되는 기판 처리 설비.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 스핀 척의 일측에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면에 린스액을 분사하는 린스액 분사 유닛을 더 포함하는 기판 처리 설비.
8. 제 5 항에 있어서,

   상기 스핀 척의 다른 일측에 배치되며, 상기 스핀 척에 로딩되는 상기 기판의 상기 제 1 면이 아래 방향을 향하도록 상기 기판을 반전하는 반전 유닛을 더 포함하는 기판 처리 설비.
9. 제 4 항에 있어서,

   상기 스핀 척은,

   지지판; 및

   상기 지지판에 설치되며, 상기 제 1 면이 위 방향을 향하도록 상기 기판을 상기 지지판으로부터 하향 이격된 상태로 지지하는 척킹 핀들을 포함하며,

   상기 가스 분사 유닛은,

   상기 기판의 상기 제 1 면을 향해 유체를 분사하도록 상기 지지판의 하면에 제공되는 복수 개의 분사 홀들; 및

   상기 분사 홀들로 상기 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함하는 기판 처리 설비.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 분사 홀들로 린스액을 공급하는 린스액 공급 부재를 더 포함하며,

    상기 린스액이 상기 분사 홀들을 통해 상기 기판의 상기 제 1 면에 분사되는 기판 처리 설비.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 스핀 척의 하부에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면에 린스액을 분사하는 린스액 분사 유닛을 더 포함하는 기판 처리 설비.
12. 제 4 항에 있어서,

    상기 스핀 척은 상기 기판의 상기 제 1 면이 위 방향을 향하도록 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면을 진공 흡착하는 진공 흡착판을 포함하며,

    상기 가스 분사 유닛은,

    상기 진공 흡착판의 상부에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면을 향해 가스를 분사하는 복수 개의 분사 홀들이 하면에 형성된 가스 분사판; 및

    상기 분사 홀들로 상기 가스를 공급하는 가스 공급 부재를 포함하는 기판 처리 설비.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 스핀 척의 일측에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면에 린스액을 분사하는 제 1 린스액 분사 유닛을 더 포함하는 기판 처리 설비.
14. 제 13 항에 있어서,

    상기 진공 흡착판은 상기 제 2 면의 중심 영역을 진공 흡착하며,

    상기 설비는, 상기 진공 흡착판의 하부에 이격 배치되며 상기 기판의 상기 제 2 면의 주변 영역에 린스액을 분사하는 제 2 린스액 분사 유닛을 더 포함하는 기판 처리 설비.
15. 제 4 항에 있어서,

    상기 스핀 척은 상기 기판의 상기 제 1 면이 위 방향을 향하도록 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면을 진공 흡착하는 진공 흡착판을 포함하며,

    상기 가스 분사 유닛은,

    상기 진공 흡착판의 상부에 배치되며, 상기 기판의 상기 제 1 면을 향해 유체를 분사하는 노즐;

    상기 노즐로 가스를 공급하는 가스 공급 부재; 및

    일단이 상기 노즐을 둘러싸고 타단이 아래로 갈수록 개구 면적이 넓어지는 통 형상을 가지며, 상기 노즐로부터 상기 기판의 상기 제 1 면으로 분사된 유체의 흐름을 상기 제 1 면의 가장자리 외측으로 안내하는 가이드 부재를 포함하는 기판 처리 설비.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 노즐로 린스액을 공급하는 린스액 공급 부재를 더 포함하며,

    상기 린스액이 상기 노즐을 통해 상기 기판의 상기 제 1 면에 분사되는 기판 처리 설비.
17. 제 16 항에 있어서,

    상기 진공 흡착판은 상기 제 2 면의 중심 영역을 진공 흡착하며,

    상기 설비는, 상기 진공 흡착판의 하부에 이격 배치되며 상기 기판의 상기 제 2 면의 주변 영역에 린스액을 분사하는 린스액 분사 유닛을 더 포함하는 기판 처리 설비.
18. 기판의 제 1 면에 감광액을 도포하는 것;

    상기 감광액이 도포된 상기 기판의 상기 제 1 면에 보호막을 도포하는 것;

    상기 보호막이 도포된 상기 기판의 상기 제 1 면에 가스를 퍼지하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
19. 제 18 항에 있어서,

    상기 가스가 퍼지된 상기 기판의 상기 제 1 면을 린스 처리하는 것을 더 포함하는 기판 처리 방법.
20. 제 19 항에 있어서,

    상기 기판의 상기 제 1 면에 대해, 상기 가스를 퍼지하는 것 및 상기 린스 처리하는 것이 동시에 또는 순차적으로 진행되는 기판 처리 방법.
21. 제 19 항에 있어서,

    상기 기판의 상기 제 1 면의 반대 면인 제 2 면을 린스 처리하는 것을 더 포함하는 기판 처리 방법.
22. 제 18 항에 있어서,

    상기 제 1 면에 상기 가스가 퍼지된 상기 기판을 액침 노광 처리하는 것을 더 포함하는 기판 처리 방법.

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