KR101061912B1 - 기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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다로 야마모토
아키히로 후지모토
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다이 구마가이
나오토 요시타카
다카히로 기타노
요이치 도쿠나가
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판의 반전을 필요로 하지 않고, 또한 기판의 주연부에 손상을 부여하지 않고 기판의 이면을 세정하는 것이 가능한 기판 세정 장치 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 세정 장치(1)는 이면이 아래쪽을 향한 상태의 기판을 이면에서 지지하여 유지하는 2개의 기판 유지 수단[흡착 패드(2), 스핀척(3)]을 구비하고, 지지할 수 있는 영역이 중복되지 않도록 하면서 이들 기판 유지 수단 사이에서 기판을 바꾸어 잡는다. 세정 부재[브러시(5)]는 기판 유지 수단에 의해 지지되어 있는 영역 이외의 기판의 이면을 세정하고, 2개의 기판 유지 수단 사이에서 기판을 바뀌어 잡는 것을 이용하여 기판의 이면 전체를 세정한다.

Description

기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS, SUBSTRATE CLEANING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이용의 유리 기판(LCD 기판)이라고 불리는 기판의 이면을 세정하는 기술에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 함)를 청정한 상태로 유지하는 것이 매우 중요하다. 이 때문에 각각의 제조 프로세스나 처리 프로세스의 전후에 있어서는, 필요에 따라 웨이퍼의 표면을 세정하는 프로세스가 설치된다.
웨이퍼 표면의 세정은, 예컨대 진공척이나 메커니컬척으로 고정한 웨이퍼에 브러시를 위쪽으로부터 압착시켜, 탈이온수(Deionized Water:이하, DIW라고 함) 등을 공급하면서 웨이퍼와 브러시를 상대적으로 미끄럼 이동시킴으로써 표면의 파티클을 제거하는 수법이 일반적이다.
이러한 웨이퍼 표면의 세정은, 회로가 형성되는 웨이퍼 상면뿐만 아니라 웨이퍼 이면에 대해서도 실시할 필요가 생기고 있다. 예컨대 웨이퍼 상면에 레지스트액을 도포하여, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광한 후, 현상하여 마스크 패턴을 형성하는 포토리소그래피 프로세스에 있어서, 웨이퍼의 이면에 파티클이 부착된 상태를 방치하면, 웨이퍼를 적재하기 위한 스테이지와 웨이퍼 사이에 파티클이 들어간 상태로 노광이 행해져 버린다. 이러한 파티클은 웨이퍼에 휘어짐을 생기게 하여 노광 시에 디포커스(포커스가 무너지게 되는 현상)을 야기하는 원인이 된다. 특히 최근에는, 액침 노광이나 더블 패터닝이라고 하는 배선 기술의 한층 더한 미세화에 수반하여 반도체 디바이스의 제조 공정에 포함되는 공정수도 증가하고 있다. 이 때문에 웨이퍼 이면에 파티클이 부착되는 리스크도 커지고 있어, 웨이퍼 이면의 세정은 최근의 중요한 과제가 되고 있다.
그런데 포토리소그래피 프로세스는, 레지스트액의 도포나 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 레지스트액의 노광을 행하는 노광 장치를 접속한 시스템에 의해 행해지지만, 웨이퍼는 이들 장치 내에 있어서 통상 상면을 위쪽으로 향한 상태로 반송된다. 이 때문에, 위쪽으로부터 브러시를 압착시켜 세정을 행하는 타입의 기판 세정 장치를 이용하여 웨이퍼나 이면을 세정하기 위해서는, 웨이퍼의 반송 장치와 기판 세정 장치 사이에 리버서(reverser)라고 불리는 기판 반전 장치를 설치하고, 기판 세정 장치에의 웨이퍼의 반입출시에 웨이퍼 이면을 위쪽으로 향한 상태로 할 필요가 있었다. 그런데, 이러한 수법에서는 리버서를 설치하는 공간이나 웨이퍼의 반전 동작을 행하는 공간이 필요해져 도포, 현상 장치가 대형화하여 버린다고 하는 문제가 있었다. 또한 리버서의 설치를 생략하기 위해 브러시를 웨이퍼의 아래쪽에 설치하였더라도, 웨이퍼를 유지하는 척 등으로 덮어지고 있는 무효 공간(dead space)이 생기게 되어, 이면 전체를 세정할 수 없었다.
이러한 문제에 대해 특허 문헌 1에는, 웨이퍼가 회전 가능하도록 유지하는 스핀척을 웨이퍼 직경과 동일한 정도의 중공 원통으로 구성하고, 세정액을 공급하는 노즐이나 브러시를 이 중공 원통 내에 배치한 기판 세정 장치가 기재되어 있다. 이면을 아래쪽을 향해(상면을 위쪽을 향해) 반송되어 온 웨이퍼가, 메커니컬척 등에 의해, 중공 원통의 개구 가장자리 위에 유지되면, 웨이퍼의 이면에 아래쪽으로부터 브러시를 압착시킨 상태가 된다. 이 상태로 중공 원통을 중심축 주위로 회전시키면 웨이퍼 이면과 브러시가 상대적으로 미끄럼 이동하므로 리버서를 이용하지 않고서 웨이퍼의 이면 전체를 세정할 수 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 제3377414호 공보: 제0036 단락∼제0040 단락, 도 3
그런데 특허 문헌 1에 기재되어 있는 기판 세정 장치에서는, 메커니컬척 등을 사용하여 중공 원통 상에 웨이퍼의 주연부를 유지하는 구성으로 되어있으므로, 웨이퍼 주연부에 손상을 부여하게 되는 경우가 있다. 특히 액침 노광을 행하는 경우에는, 레지스트막의 바깥 가장자리부가 액침 노광 시에 순수와 접촉하여 박리되는 것을 피하기 위해, 웨이퍼의 베벨부나 수직 단면까지를 레지스트막으로 덮어 버리는 것으로, 레지스트막의 바깥 가장자리부를 액침 상태로 되는 영역에 위치시키지 않도록 하는 경우가 많다. 이러한 레지스트막이 형성되어 있는 웨이퍼의 주연부를 메커니컬척 등에 의해 기계적으로 유지하면, 레지스트막을 손상시켜 파티클을 발생시키거나, 액침 노광 시의 레지스트막 박리로 이어져버리는 경우가 있다.
본 발명은 이러한 사정 하에서 이루어진 것으로, 그 목적은 기판의 반전을 필요로 하지 않고, 또한 기판의 주연부에 손상을 부여하지 않고 기판의 이면을 세정하는 것이 가능한 기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 이 방법을 기억한 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 기판 세정 장치는, 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치에 있어서,
아래쪽을 향하고 있는 기판 이면의 제1 영역을 수평으로 흡착 유지하는 제1 기판 유지 수단과,
이 제1 기판 유지 수단에서 기판을 수취하여, 상기 제1 영역과는 중복되지 않는 기판 이면의 제2 영역을 수평으로 흡착 유지하는 제2 기판 유지 수단과,
상기 제1 기판 유지 수단 또는 제2 기판 유지 수단에 흡착 유지된 기판의 이면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과,
상기 제1 기판 유지 수단으로부터 상기 제2 기판 유지 수단으로 기판을 전달하기 전에, 상기 제2 영역을 건조하기 위한 건조 수단과,
기판이 제1 기판 유지 수단에 의해 유지되고 있는 동안에는, 상기 제2 영역을 포함하는 기판의 이면에 접촉하여 세정하고, 그 기판이 상기 제2 기판 유지 수단에 의해 유지되고 있는 동안에는, 상기 제2 영역 이외의 기판의 이면에 접촉하여 세정하는 세정 부재를 구비한 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 제2 기판 유지 수단은 기판의 거의 중앙을 유지하여 수직 주위에 자유롭게 회전할 수 있도록 구성되고, 상기 세정 부재에 의해 세정을 끝낸 기판을 회전시켜 기판의 이면에 잔존하고 있는 세정액을 떨쳐내어 건조하도록 하면 좋다. 또한, 상기 건조 수단은 기판의 이면에 기체를 분사하도록 구성하는 경우가 적합하다.
또한, 상기 제1 기판 유지 수단을 상기 제2 기판 유지 수단에 대해 상대적으로 가로 방향으로 이동시키기 위한 이동 수단을 구비하고, 이 이동 수단에 의해, 이미 세정된 제2 영역을 제2 기판 유지 수단의 위쪽에 위치하도록 구성하는 것이 바람직하고, 이 때 상기 제1 기판 유지 수단은, 흡착 유지면이 직사각형인 2개의 흡착 패드를 구비하고, 이들 흡착 패드는, 상기 흡착 유지면의 길이 방향이 상기 제1 기판 유지 수단의 이동 방향에 대해 평행이 되도록 기판 주연부의 대향하는 2개소의 영역을 유지하여도 좋고, 또한, 상기 제1 기판 유지 수단은, 흡착 유지면이 원호형인 2개의 흡착 패드를 구비하고, 이들 흡착 패드는 흡착 유지되는 기판과 동심원을 이루도록 기판 주연부의 대향하는 2개소의 영역을 유지하여도 좋다.
그리고 상기 제1 기판 유지 수단 또는 제2 기판 유지 수단에 유지되는 기판을 둘러싸도록 구성되고, 상기 이동 수단에 의해 제1 기판 유지 수단과 함께 이동하는 컵을 구비하며, 상기 컵의 내벽면은, 상기 내벽면에 비산(飛散)된 세정액이 되돌아 오기 어려운 재료, 예컨대 친수성의 다공질 수지나 표면이 조면화된 세라믹으로써 구성되어 있으면 좋다. 또한 상기 제2 기판 유지 수단을 둘러싸는 포위 부재를 구비하고, 상기 건조 수단은 이 포위 부재의 상단에 주위 방향을 따라 형성된 기체의 분사구를 구비하도록 구성하면 더욱 적합하다. 이 상기 포위 부재와, 상기 제1 기판 유지 수단 또는 제2 기판 유지 수단에 흡착 유지된 기판의 이면에 의해 둘러싸이는 공간은 감압 분위기인 것이 바람직하고, 상기 세정액 공급 수단으로부터 상기 포위 부재의 상단을 향해 기판의 이면을 흐르는 세정액의 유동 방향을 바꾸기 위해, 이들 세정액 공급 수단과 포위 부재의 상단 사이를 가로막는 궤적을 그리도록, 예컨대 세정액 등의 유체를 토출하는 유체 토출 수단을 구비하고 있으면 더욱 좋다.
제1 기판 유지 수단과 제2 기판 유지 수단의 다른 형태로서, 상기 제2 기판 유지 수단을 상기 제1 기판 유지 수단에 대해 상대적으로 승강시키기 위한 승강 수단과, 이 제2 기판 유지 수단의 상면을 덮는 커버 부재를 구비하고,
제1 기판 유지 수단에 의해 유지되어 있는 기판의 제2 영역의 아래쪽으로 제2 기판 유지 수단을 후퇴시키고, 상기 제2 기판 유지 수단의 위쪽으로 상기 커버 부재를 위치시킨 상태로 상기 제2 영역을 세정 부재에 의해 세정하도록 구성하여도 좋다.
또한 이들 모든 발명에 있어서, 상기 세정 부재에 의해 세정된 후의 기판의 이면에 자외광을 조사하여, 기판의 이면에 잔존하는 입자를 수축시키기 위한 자외선 램프를 더 구비하도록 구성하면 더욱 좋다. 또한, 상기 세정 부재가 기판의 이면과 접촉하는 힘을 계측하는 계측 수단과, 상기 세정 부재를 상기 기판에 대해 상대적으로 승강시키는 승강 수단과, 상기 계측 수단에 따른 계측 결과에 기초하여 상기 승강 수단을 동작시켜, 상기 세정 부재가 기판의 이면과 접촉하는 힘이 미리 정한 범위 내의 값이 되도록 제어하는 제어 수단을 구비하여도 좋다.
여기서 상기 기판의 이면의 주연 영역이 소수화 처리되어 있는 경우에는, 상기 세정 부재는 상기 주연 영역을 세정할 때에는 상기 기판의 이면과 접촉하지 않고서 상기 세정액 공급 수단에서 공급된 세정액을 교반하고, 상기 교반된 세정액의 흐름을 이용하여 상기 주연 영역 내의 기판의 이면을 세정하는 것이 바람직하며, 또는 상기 주연 영역을 친수화하기 위해 자외광을 조사하는 제2 자외선 램프를 구비하여도 좋다.
이에 부가하여, 상기 제1 기판 유지 수단은 기판의 이면을 흡인하여 흡착 유지하기 위한 흡인관과 접속되어 있는 경우에는, 상기 흡인관에는, 흡인관 내에 유입된 세정액을 포착하기 위한 트랩 탱크를 개설하는 것이 바람직하고, 또한 상기 제1 기판 유지 수단의 흡착 유지면에 적하한 세정액에 기체를 뿜어내어 이들 세정액을 불어 날리기 위한 기체 노즐을 구비하고 있더라도 좋다.
또한 본 발명에 따른 기판 세정 방법은, 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 방법에 있어서,
아래쪽을 향하고 있는 기판 이면의 제1 영역을 수평으로 흡착 유지하는 제1 기판 유지 공정과,
이 기판을 바꾸어 잡아 상기 제1 영역과는 중복되지 않는 기판 이면의 제2 영역을 수평으로 흡착 유지하는 제2 기판 유지 공정과,
상기 제1 기판 유지 공정 또는 제2 기판 유지 공정에서 유지되어 있는 기판의 이면에 세정액을 공급하는 공정과,
상기 제1 기판 유지 공정에서 상기 제2 기판 유지 공정으로 기판을 바꾸어 잡기 전에, 상기 제2 영역을 건조하는 공정과,
상기 제1 기판 유지 공정의 기간 중에는, 상기 제2 영역을 포함하는 기판의 이면의 세정을 행하고, 상기 제2 기판 유지 공정의 기간 중에는, 상기 제2 영역 이외의 기판의 이면의 세정을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 기판의 이면의 세정을 끝낸 후, 기판을 회전시켜 기판의 이면에 잔존하고 있는 세정액을 떨쳐내어 건조하는 공정을 더 포함하고 있으면 좋다. 또한, 상기 제2 영역을 건조하는 공정은, 기판의 이면에 기체를 분사함으로써 행해지도록 하는 것이 바람직하고, 상기 접촉 세정을 행하는 공정에서 세정된 후의 기판의 이면에 자외광을 조사하여, 기판의 이면에 잔존하는 입자를 수축시키는 공정을 더 포 함하도록 하여도 좋다.
또한 본 발명에 따른 기억 매체는 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치에 이용되는 프로그램을 저장한 기억 매체로서,
상기 프로그램은 상술의 각 기판 세정 방법을 실행하기 위해 단계가 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기판 세정 장치에 의하면, 기판의 이면을 지지하여 유지하고, 그 상태에서 세정을 행하므로, 기판 세정 장치에 부가하여 기판을 반전하는 장치를 설치하는 공간이나, 기판의 반전 동작을 행하기 위한 공간을 필요로 하지 않는다. 이 결과, 종래 타입의 기판 세정 장치와 비교하여, 상기 기판 세정 장치가 설치되는 도포, 현상 장치 등을 컴팩트하게 할 수 있다.
또한 상기 기판 세정 장치는 2개의 기판 유지 수단의 사이에서 기판을 바꾸어 잡으므로, 기판 유지 수단에 의해 덮어져버려 세정을 할 수 없는 무효 공간이 생기지 않도록 할 수 있다. 이에 따라 무효 공간의 발생을 회피하기 위해 기판의 주연부를 기계적으로 유지하거나 할 필요가 없어져, 기판 주연부에 손상을 부여하지 않고서 세정을 행하는 것을 가능하게 하여, 파티클의 발생이나 레지스트막에의 손상 등을 방지하여 제품의 수율 향상에 공헌할 수 있다.
이하에 설명하는 실시형태에 있어서는, 기판 세정 장치(이하, 세정 장치라고 함)의 일례로서 도포, 현상 장치에 설치되는 타입의 세정 장치에 대해 설명한다. 상기 세정 장치에 의한 세정 공정을 포함하는 포토리소그래피 프로세스의 구체예에 대해서는 후술하지만, 본원 세정 장치는 예컨대 도포, 현상 장치의 출구 부근에 설치되고, 레지스트막이 형성된 웨이퍼의 이면을 세정하고 나서 후속의 노광 장치를 향해 송출하는 역할을 수행한다.
먼저 본 실시형태에 따른 세정 장치의 구조에 대해 도 1∼도 3을 참조하면서 설명한다. 도 1은 세정 장치(1)의 사시도, 도 2는 그 평면도, 도 3은 종단면도를 각각 나타내고 있다.
도 1에 도시한 바와 같이 세정 장치(1)는, 도포, 현상 장치 내의 반송 수단[후술하는 제2 전달 아암(D2)]으로부터 수취한 웨이퍼(W)를 거의 수평으로 흡착 유지하는 제1 기판 유지 수단으로서의 흡착 패드(2)와, 이 흡착 패드(2)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 동일하게 거의 수평으로 흡착 유지하는 제2 기판 유지 수단으로서의 역할을 수행하는 스핀척(3)과, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 브러시(5)를, 상면이 개구한 박스형의 하부컵(43)에 부착한 구조로 되어 있다.
먼저 제1 기판 유지 수단인 흡착 패드(2)에 대해 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이 세정 장치(1)는 2개의 흡착 패드(2)를 구비하고, 각각의 흡착 패드(2)는 예컨대 가늘고 긴 블록으로 구성되어 있다. 2개의 흡착 패드(2)는 웨이퍼(W) 이면의 주연부 근방부(제1 영역)를 거의 평행하게 지지하고 유지할 수 있도록 배치되어 있다. 흡착 패드(2)는 도시하지 않은 흡인관과 접속되어 있고, 도 2에 도시한 흡착 구멍(2a)을 통해 웨이퍼(W)를 흡착하면서 유지하는 진공척으로서의 기능을 구비하고 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 각각의 흡착 패드(2)는 가늘고 긴 막대 형상의 패드 지지부(21)의 거의 중앙부에 부착되어 있고, 이들 2개의 패드 지지부(21)의 양단부가 각각 2개의 교량부(22)에 부착됨으로써 패드 지지부(21)와 교량부(22)로 이루어지는 정(井)자형 프레임(curb)(20)이 구성되어 있다.
2개의 교량부(22)의 양단은 하부컵(43)의 대향하는 2측벽(도 1을 향해 앞측과 안쪽의 측벽)의 외측에 이들 측벽을 따라 팽팽하게 설치된 2개의 벨트(23)에 각각 고정되어 있다. 각각의 벨트(23)는 2개 1조로 이루어지고 랩핑 축(24)에 감겨져 있고, 각 랩핑 축(24)은 전술의 2측벽과 각각 평행하게 설치된 2장의 측판(26)에 부착되어 있다. 랩핑 축(24) 중 하나는 이동 수단을 이루는 구동 기구(25)에 접속되어 있고, 랩핑 축(24)이나 벨트(23)를 통해 교량부(22)를 움직여, 이미 서술된 정(井)자형 프레임(20) 전체를 도 1, 도 2에 나타낸 X방향으로 자유롭게 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다.
또한 도 1에 도시한 바와 같이 각각의 측판(26)은, 그 바닥면을 슬라이더(27a)와 가이드 레일(27b)로 이루어지는 2조의 승강 기구(27)에 의해 지지되고, 세정 장치(1)의 도시하지 않은 통체 바닥면에 고정되어 있다. 이들 승강 기구(27) 중 하나에는 도시하지 않은 구동 기구가 설치되어 있어, 슬라이더(27a)를 가이드 레일(27b) 내에서 승강시킴으로써, 전술의 정자형 프레임(20) 전체를 도면 중의 Z 방향으로 승강시킬 수 있도록 되어 있다.
또한 정자형 프레임(20) 상에는, 세정액의 비산을 억제하기 위해 도너스형의 상부컵(41)이 걸쳐서 설치되어 있다. 상부컵(41)의 상면에는, 웨이퍼(W)에서 대구경의 개구부(41a)를 설치하고, 이 개구부(41a)를 통해 반송 수단과 흡착 패드(2) 등의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다. 또한, 정자형 프레임(20) 상에 걸쳐서 설치된 상부컵(41)은 도 3에 도시한 바와 같이 정자형 프레임(20)의 움직임을 따라 X 방향과 Z 방향으로 이동하도록 구성되어 있다.
다음으로 제2 기판 유지 수단인 스핀척(3)에 대해 설명한다. 스핀척(3)은 웨이퍼(W)의 이면 중앙부(제2 영역)를 아래쪽에서 지지하는 원판이다. 스핀척(3)은 거의 평행하게 배치된 2개의 흡착 패드(2)의 중간에 설치되어 있고, 각각의 기판 유지 수단[흡착 패드(2), 스핀척(3)]에 의해 지지되는 웨이퍼(W) 이면의 제1 영역과 제2 영역과는 중복되지 않게 되어 있다. 도 3에 도시한 바와 같이 스핀척(3)은 축부(3b)를 통해 구동 기구(스핀척 모터)(33)에 접속되어 있고, 스핀척(3)은 이 스핀척 모터(33)에 의해 자유롭게 회전 및 승강할 수 있도록 구성되어 있다. 또한 흡착 패드(2)와 동일하게 스핀척(3)도 도시하지 않은 흡인관과 접속되어 있고, 도 2에 도시한 흡착 구멍(3a)을 통해 웨이퍼(W)를 흡착하면서 유지하는 진공척으로서의 기능을 구비하고 있다.
스핀척(3)의 측쪽에는, 승강 기구(32a)와 접속된 지지핀(32)이 웨이퍼(W)의 이면을 지지하여 승강 가능하도록 설치되어 있고, 외부의 반송 수단과의 협동 작용에 의해 반송 수단으로부터 흡착 패드(2)로, 또한 스핀척(3)으로부터 반송 수단으로 웨이퍼(W)를 전달할 수 있게 된다.
또한 도 4에 도시한 바와 같이, 스핀척(3)이나 지지핀(32)의 주위에는, 이들 기기를 둘러싸는 포위 부재를 이루는 에어 나이프(31)가 설치되어 있다. 에어 나이프(31)는 원통(포위 부재)의 상단에 주위 방향을 따라 기체의 분사구(31a)가 형성 되어 있고, 이 분사구(31a)로부터 웨이퍼(W) 이면을 향해 예컨대 압축 에어 등의 기체를 뿜어냄으로써 세정액을 원통의 외측으로 불어 날려, 스핀척(3)에 웨이퍼(W)가 전달될 때에, 스핀척(3)의 표면과 이 스핀척으로 지지되는 기판의 이면(제2 영역)을 상호 건조한 상태로 접촉시키도록 하는 건조 수단으로서의 역할을 수행한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 에어 나이프(31)는 예컨대 이중 원통으로 구성되고, 도시하지 않은 공급부로부터 공급된 기체를 이 이중 원통 사이의 중공부를 통해 분사구(31a)에 공급할 수 있게 되어 있다.
다음으로 웨이퍼(W)의 이면 세정을 행하는 세정 부재로서의 브러시(5)에 대해 설명한다. 브러시(5)는 예컨대 다수의 플라스틱 섬유를 원주형으로 묶은 구조로 되어 있고, 그 상면을 웨이퍼(W) 이면에 압박한 상태로 자유롭게 회전 가능한 브러시(5)와 웨이퍼(W)를 상호 미끄럼 이동시킴으로써 웨이퍼(W) 이면의 파티클을 제거할 수 있게 되어 있다. 브러시(5)에는, 예컨대 PVC 스폰지, 우레탄 스폰지, 나일론섬유 등이 사용된다. 브러시(5)는 이것을 지지하는 지지부(51)의 선단에 부착되어 있고, 지지부(51)는 웨이퍼(W)나 교량부(22)와 간섭하지 않도록, 국자형으로 굴곡한 형상으로 되어 있다. 이 지지부(51)의 기단은 도 1에 있어서 스핀척(3)이 설치되어 있는 방향에서 브러시(5)를 보아 안쪽의 측벽을 따라 팽팽하게 설치된 벨트(52)에 고정되어 있다. 벨트(52)는 2개의 랩핑 축(53)에 감겨져 있고, 이들 랩핑 축(53)은 전술의 안쪽의 측벽 외면에 부착되어 있다. 랩핑 축(53)의 한쪽은 구동 기구(54)에 접속되어 있고, 벨트(52)나 지지부(51)를 통해 브러시(5)를 도 1, 도 2에 도시한 Y 방향으로 자유롭게 이동시킬 수 있다.
또한 지지부(51)의 선단에는 도시하지 않은 구동 기구가 설치되어 있고, 브러시(5)를 주위 방향으로 회전시킬 수 있다. 또한 지지부(51)의 선단에는 도 2에 도시한 바와 같이 세정액 노즐(5a)과 블로우 노즐(5b)이 설치되어 있고, 세정액 노즐(5a)로부터는 브러시(5)로 웨이퍼(W) 이면으로부터 제거된 파티클을 씻어내기 위한 세정액(예컨대 DIW)이 공급되고, 블로우 노즐(5b)로부터는 세정을 끝낸 후에 웨이퍼(W) 이면에 부착하고 있는 세정액의 건조를 촉진하기 위한 예컨대 질소(N2) 등의 기체가 공급된다.
이 외에, 도 3에 도시한 바와 같이 하부컵(43)의 바닥부에는, 하부컵(43) 내에 저장된 세정액을 배출하기 위한 드레인 관(16)과, 세정 장치(1) 내의 기류를 배기하기 위한 2개의 배기관(15)이 설치된다. 배기관(15)은 하부컵(43) 바닥부에 저장된 세정액이 배기관(15)으로 유입되는 것을 막기 위해, 하부컵(43)의 저면으로부터 위쪽으로 연장되어 있고, 위쪽으로부터 방울져 떨어지는 세정액이 배기관(15)에 직접 들어 가지 않도록, 에어 나이프(31)의 주위에 부착된 링형의 커버를 이루는 내측컵(42)에 의해 덮어지고 있다. 또한 도면 중의 13은 웨이퍼(W)의 세정 종료 후에 웨이퍼(W) 바깥 주연 근방에 위쪽으로부터 압축 에어 등을 뿜어내어 잔존하는 세정액의 건조를 보조하기 위한 블로우 노즐이고, 14는 브러시(5)의 지지부(51) 선단에 있는 세정액 노즐(5a)과 함께 세정액을 웨이퍼(W) 이면에 공급하기 위한 세정액 노즐이다. 또한 블로우 노즐(13)은 도시되지 않은 승강 기구를 구비하고, 웨이퍼(W) 반입출 시에는 반송 중인 웨이퍼(W)나 반송 수단과 간섭하지 않도록 위쪽으로 후퇴하도록 되어 있다.
또한, 각 벨트(23, 52)가 팽팽하게 설치되어 있지 않은 하부컵(43) 측벽에는, UV 램프(12)를 넣어둔 램프 박스(11)가 부착되어 있다. 처리 대상의 웨이퍼(W)는 좌측 X 방향에서 세정 장치(1) 내에 반입출되고, 그 때 UV 램프(12)의 위쪽을 통과하도록 구성되어 있다. UV 램프(12)는 세정을 끝내고 반출되는 웨이퍼(W)의 이면에 자외광을 조사하여, 웨이퍼(W) 이면에 잔존하고 있는 파티클을 수축시키는 역할을 수행한다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이 각 구동 기구(25, 54)나, UV 램프(12), 배기관(15)에 설치된 도시하지 않은 압력 조정부 등은, 도포, 현상 장치 전체의 동작을 제어하는 제어부(6)에 의해 제어되도록 되어 있다. 제어부(6)는 예컨대 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖는 컴퓨터로 이루어지고, 프로그램 저장부에는 외부의 반송 장치로부터 수취한 웨이퍼(W)를 흡착 패드(2)와 스핀척(3) 사이에서 전달하거나, 브러시(5)에 의해 세정하거나 하는 동작 등에 대한 단계(명령)군을 구비한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있다. 그리고, 상기 컴퓨터 프로그램이 제어부(6)에 판독됨으로써, 제어부(6)는 세정 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, 이 컴퓨터 프로그램은 예컨대 하드디스크, 컴팩트디스크, 마그넷옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 수단에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.
이상으로 설명한 구성에 기초하여, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 동작에 대해 도 5∼도 8을 참조하면서 설명한다. 도 5 및 도 6은 웨이퍼(W)의 이면 세정에 따른 세정 장치(1)의 각 동작을 설명하기 위한 종단면도이다. 도 7은 세정시의 웨 이퍼(W) 이면의 모습을 도시한 설명도이다. 또한 도 8은 흡착 패드(2) 또는 스핀척(3)에 유지되어 있는 각각의 상태에 있어서, 웨이퍼(W)의 세정되는 영역을 모식적으로 도시한 평면도이다. 또한, 이들 도에 있어서는, 도시의 편의상 UV 램프(12)나 블로우 노즐(13) 등의 기재를 필요에 따라 적절하게 생략하고 있다.
도 5(a)에 도시한 바와 같이, 예컨대 말굽 형상의 반송 수단[제2 전달 아암(D2)]은 처리 대상의 웨이퍼(W)를 세정 장치(1) 내에 반입하여 상부컵(41)의 개구부(41a) 위쪽에 정지시키고, 지지핀(32)은 스핀척(3)의 아래쪽에서부터 상승하여 반송 수단의 아래쪽에서 대기한다. 반송 수단은 지지핀(32)의 위쪽으로부터 하강하여 웨이퍼(W)를 지지핀(32)으로 건네주고, 세정 장치(1)의 밖으로 후퇴한다. 이 때, 흡착 패드(2)는 웨이퍼(W)를 유지하는 면이 브러시(5)의 상면보다도 높게 되는 위치에서 대기하고, 스핀척(3)은 브러시(5)의 상면보다도 낮은 위치까지 후퇴하고 있다. 이러한 위치 관계에 의해, 지지핀(32)이 하강하면, 웨이퍼(W)는 우선 흡착 패드(2)로 전달된다[도 5(b)].
이 후 흡착 패드(2)는 이면에서 브러시(5)를 압착시키더라도 움직이지 않도록 웨이퍼(W)를 흡착 유지하고, 웨이퍼(W)를 유지한 상태로 우측 방향으로 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)를 미리 정해진 위치[예컨대 에어 나이프(31)의 좌단이 웨이퍼(W)의 좌단과 거의 일치하는 위치]까지 반송한 후, 흡착 패드(2)는 하강하여 웨이퍼(W)의 이면을 브러시(5)의 상면에 압착시킨다[도 5(c)].
계속해서, 에어 나이프(31)를 작동시켜 스핀척(3)의 표면에 세정액이 우회하여 부착되는 것을 방지한 후, 지지부(51) 선단의 세정액 노즐(5a)에서 세정액을 공급하고 브러시(5)를 회전시켜 웨이퍼(W)의 이면 세정을 시작한다. 이면 세정은 흡착 패드(2)에 의한 웨이퍼(W)의 이동과 브러시(5)의 이동의 조합에 의해 진행한다. 구체적으로는, 예컨대 도 8(a)에 도시한 바와 같이 브러시(5)는 도면 중의 Y 방향을 왕복하고, 브러시(5)의 이동 방향이 전환할 때에 브러시(5)의 직경보다도 짧은 거리만큼 흡착 패드(2)를 좌측 X 방향으로 이동한다. 이에 따라 브러시(5)는 화살표로 나타낸 바와 같은 궤적을 그리며 웨이퍼(W) 이면을 이동하여, 상기 도 중에 좌측 상사선으로 전부 칠한 영역(T1)을 구석구석까지 세정할 수 있다.
여기서 세정이 행해지고 있는 기간 동안, 웨이퍼(W)의 이면 전체는 도 7에 도시한 바와 같이 세정액의 액막(F)으로 덮어지고 있고, 브러시(5)로 제거된 파티클은 이 웨이퍼(W) 이면에서 흘러내리는 세정액과 함께 하부컵(43)으로 씻어 버려진다. 또한, 에어 나이프(31)의 분출구(31a)로부터는 웨이퍼(W) 이면을 향해 기체가 분출되고, 세정액이 에어 나이프(31)의 외측을 향해 불어 날리게 되어, 에어 나이프(31)와 대향하는 웨이퍼(W) 이면은 건조한 상태가 유지되고 있다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼(W) 이면을 덮는 세정액이 에어 나이프(31)의 안쪽에까지 감돌아 버리는 것을 방지할 수 있다. 이 결과, 스핀척(3)의 표면은 항상 건조 상태로 유지되고, 처리된 세정액에 의한 오염이나 워터마크의 형성을 방지하는 것이 가능해진다.
전술의 영역(T1)의 세정을 끝내면, 흡착 패드(2)를 이동시켜 스핀척(3)의 위쪽에 웨이퍼(W) 중앙부를 위치시키고[도 6(a)], 다음으로 흡착 패드(2)로부터 스핀척(3)으로의 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 웨이퍼(W)의 전달은 예컨대 에어 나이 프(31)를 작동시킨 상태로 브러시(5)의 이동이나 회전, 세정액의 공급을 정지하고, 흡착 패드(2)에 의한 웨이퍼(W)의 흡착을 해제하는 한편, 후퇴하고 있는 스핀척(3)을 상승시켜 웨이퍼(W)의 이면을 지지하며, 다음으로 흡착 패드(2)를 아래쪽으로 후퇴시키는 것에 의해 행해진다.
웨이퍼(W)가 전달된 스핀척(3)은 흡착 패드(2)와 거의 동일한 높이로 웨이퍼(W)를 흡착 유지하므로, 브러시(5)는 웨이퍼(W)에 압착시켜진 상태가 된다. 그래서 다시 브러시(5)를 회전시키고, 세정액을 공급하므로 이면 세정이 재개된다[도 6(b)]. 이 때, 이면 세정은 스핀척(3)의 회전과 브러시(5)의 이동의 조합에 의해 진행한다. 구체적으로는, 예컨대 도 8(b)에 도시한 바와 같이, 우선 웨이퍼(W)의 최외주를 세정할 수 있는 위치까지 브러시(5)를 이동시키고 나서 웨이퍼(W)를 천천히 회전시켜, 웨이퍼(W)가 일회전하면 이전의 동작으로 세정된 환상의 영역보다도 브러시(5)의 직경분만큼 내주측을 세정할 수 있는 위치까지 브러시(5)를 이동시키고 나서 동일한 동작을 반복한다. 이러한 동작에 의해, 동심원형의 궤적을 그리면서 웨이퍼(W) 이면을 이동하고, 동일한 도면 중에 우측 상사선으로 전부 칠해진 영역(T2)을 고르게 세정할 수 있다.
여기서, 영역(T1)과 영역(T2)을 합한 영역은 도 8(b)에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W) 이면 전체를 포함하고 있고, 세정되지 않은 무효 공간이 생기지 않도록 각 기기의 사이즈나 이동 범위가 조정되어 있다. 또한 웨이퍼(W)를 스핀척(3)으로 유지하여 세정을 행하고 있는 기간 동안은, 브러시(5)측의 세정액 노즐(5a)만이 아니라, 도 6(b)에 있어서 에어 나이프(31)의 좌측쪽에 설치되어 있는 세정액 노즐(14) 로부터도 세정액을 공급하고 있다. 웨이퍼(W) 표면에 누설되고 있는 영역과 건조하고 있는 영역이 혼재하고 있으면 세정액을 건조시켰을 때에 워터마크가 생기는 원인이 되므로, 세정액을 구석구석까지 골고루 미치게 하여 워터마크의 발생을 억제하기 위함이다.
이렇게 해서 웨이퍼(W) 이면 전체의 세정을 완료하면, 브러시(5)의 회전이나 이동, 세정액의 공급, 스핀척(3)의 회전을 정지하여, 세정액의 떨쳐내어 건조하는 동작으로 이동한다. 떨쳐냄 건조는, 스핀척(3)을 고속으로 회전시켜 웨이퍼(W) 이면에 부착하고 있는 세정액을 떨쳐냄으로써 행해진다. 이미 전술과 같이 구석구석까지 적셔진 웨이퍼(W)를 단숨에 떨쳐내 건조시킴으로써, 워터마크의 발생이 억제된다. 이 때, 위쪽으로 후퇴하고 있었던 블로우 노즐(13)을 하강시키고, 동시에 브러시(5) 가로의 블로우 노즐(5b)을 웨이퍼(W) 주연부에 위치하도록 지지부(51)를 이동시켜, 웨이퍼(W) 주연부의 상면과 하면으로부터 기체를 뿜어내는 것에 의해, 떨쳐냄 건조가 촉진된다. 또한, 스핀척(3)에 유지되는 제2 영역에 대해서는 떨쳐냄 건조를 행할 수 없지만, 에어 나이프(31)에 의해 건조된 상태로 스핀척(3)과 접촉하도록 되어 있으므로 워터마크가 거의 발생하지 않는다.
이상에 설명한 동작에 의해 웨이퍼(W) 이면 전체의 세정과 건조를 끝내면, 반입시와는 반대의 동작으로 웨이퍼(W)를 반송 수단으로 건네 주어 반출한다. 이 때 도 1∼ 도 3에 도시한 UV 램프(12)를 점등하여 말굽 형상의 반송 수단의 아래쪽으로부터 웨이퍼(W) 이면을 향해 자외선을 조사하여, 만일 파티클이 부착하고 있는 경우이더라도, 예컨대 유기물은 자외선의 조사에 의해 분해되므로, 이러한 타입의 파티클을 수축시켜, 디포커스 등의 영향을 작게 할 수 있다.
웨이퍼(W)의 반출 동작과 병행하여, 흡착 패드(2)나 스핀척(3)은 도 5(a)에 도시한 위치까지 이동하여 다음 웨이퍼(W)의 반입을 대기한다. 그리고 도 5∼ 도 8을 참조하여 설명한 동작을 반복하여, 복수의 웨이퍼(W)를 순차 세정한다.
다음으로 제2 실시형태에 대해 도 9 내지 도 11을 참조하면서 설명한다. 도 9는 제2 실시형태에 따른 세정 장치(100)의 구성을 도시하는 평면도이며, 도 10 및 도 11은 그 작용을 도시하는 종단면도이다. 이들 도에 있어서, 제1 실시형태와 동일한 구성에는, 도 1∼도 8에서 사용한 것과 동일한 부호를 붙인다.
제2 실시형태에 따른 세정 장치(100)는 제2 기판 유지 수단인 스핀척(3)을 웨이퍼(W)의 제2 영역의 아래쪽으로 후퇴시키는 점이, 웨이퍼(W)를 스핀척에 대해 가로 방향으로 이동시키는 제1 실시형태와 상이하다. 제2 실시형태에 있어서, 정자형 프레임(20)은 X 방향으로 고정되어 있고, Z 방향에의 승강만 가능해지고 있다. 이 정자형 프레임(20)을 승강시키는 승강 기구(27)(도 1 참조)와 스핀척을 승강시키는 도시하지 않은 승강 기구는, 제2 기판 유지 수단을 상기 제1 기판 유지 수단에 대해 상대적으로 승강시키기 위한 승강 수단을 구성하고 있다. 또한, 브러시(5)는 그 지지부(51)가 기단측에서 하부컵(43)에 고정되어 있다. 상기 지지부(51)는 기단부의 지지축을 중심으로 하여 회동, 자유롭게 신축할 수 있도록 구성되어 있으므로, 웨이퍼(W)를 가로 방향으로 이동시키지 않고 그 중심 영역(제2 영역)에서 지지부(51)의 기단부측까지를 브러시(5)에 의해 세정할 수 있다.
또한 브러시(5)의 반대측에는, 제2 영역의 세정 중에 이 아래쪽으로 후퇴하고 있는 스핀척(3) 상에 세정액이 적하하는 것을 방지하기 위한 발수성을 구비한 예컨대 불소수지제의 커버 부재(71)가 자유롭게 신축할 수 있는 지지부(72)를 통해 하부컵(43)에 부착되어 있다. 또한 이 지지부(72)에는 제2 영역을 건조시키는 건조 수단으로서의 역할을 수행하는 건조 노즐(73)이 부착되어 있어, 제2 영역을 향해 기체를 분사하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한 본 실시형태에 있어서는 스핀척(3)의 주위에는 에어 나이프(31)는 설치되어 있지 않으므로, 커버 부재(71)의 바깥 가장자리부로부터는 예컨대 질소가스 등의 가스를 아래쪽을 향해 분출하여, 세정시에 발생한 미스트가 스핀척(3)에 부착하지 않도록 되어 있다.
다음으로 제2 실시형태에 따른 세정 장치(100)의 작용에 대해 설명하면, 도 10(a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반입시에 있어서 스핀척(3)은 하부컵(43)의 아래쪽으로 후퇴하고 있고, 또한 커버 부재(71)는 스핀척(3) 위쪽보다도 측방으로 후퇴하고 있다. 이 상태로 승강핀(32)을 승강시켜 반송 수단(D2)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여, 흡착 패드(2) 상에 웨이퍼(W)를 흡착 유지한다.
계속해서 도 10(b)에 도시한 바와 같이 스핀척(3)의 위치까지 승강핀(32)을 후퇴시키고, 커버 부재(71)를 전진시켜 스핀척(3)의 위쪽에 위치시킨 후, 브러시(5)를 웨이퍼(W)의 거의 중앙부까지 이동시킨다. 그리고 흡착 패드(2)를 하강시켜, 제2 영역을 포함하는 웨이퍼(W) 중앙부의 세정을 시작한다. 이 때, 스핀척(3)은 세정 중인 제2 영역의 아래쪽으로 후퇴하고 있게 되지만, 커버 부재(71)가 우산이 되고, 또한 이 커버 부재(71)보다 아래쪽을 향해 가스를 분출하여, 미스트를 부착시키지 않도록 함으로써 스핀척(3)은 건조한 상태로 유지되고 있다. 웨이퍼(W) 중앙부의 세정을 끝내면 브러시(5)는 측방으로 후퇴하고, 건조 노즐(73)에서 제2 영역을 향해 기체를 분사함으로써 이 영역을 건조시킨다.
계속해서 도 11에 도시한 바와 같이 커버 부재(71)를 측방으로 후퇴시킨 후, 스핀척(3)을 상승시켜, 흡착 패드(2)로부터 스핀척(3)으로 웨이퍼(W)를 전달하여, 세정 및 건조가 끝난 제2 영역을 흡착 유지한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 회전과 브러시(5)의 이동을 조합하면서 세정을 끝내지 않은 제2 영역 이외의 웨이퍼(W) 이면을 세정한다. 이 때, 커버 부재(71)는 측방으로 후퇴하고 있으므로 승강핀(32)은 예컨대 케이스에 저장하는 등 세정액과 접촉하지 않도록 구성해 두면 좋다.
세정을 끝내면, 스핀척(3)을 회전시켜 웨이퍼(W)를 떨쳐냄 건조로 건조시킨 후, 반입시와 반대의 동작으로 승강핀(32)으로부터 외부의 반송 수단으로와, 전달 세정 장치(100)의 외부로 웨이퍼(W)를 반출한다. 또한, 도 9에는 나타내고 있지 않지만, 이 때 웨이퍼(W)의 이면에 UV 램프에 의한 자외선 조사를 행하여도 좋은 것은 물론이다.
본 실시형태에 따른 세정 장치(1, 100)에 의하면 이하와 같은 효과가 있다. 웨이퍼(W)의 이면을 지지 유지하여, 그 상태에서 세정을 행하므로, 세정 장치(1)에 부가하여 웨이퍼(W)를 반전하는 리버서를 설치하는 공간이나 웨이퍼(W)의 반전 동작을 행하기 위한 공간을 필요로 하지 않는다. 이 결과, 종래 타입의 세정 장치와 비교하여, 상기 세정 장치(1, 100)가 설치되는 도포, 현상 장치를 컴팩트하게 할 수 있다.
또한 본원 세정 장치(1, 100)는, 2개의 기판 유지 수단[흡착 패드(2), 스핀 척(3)]의 사이에서 웨이퍼(W)를 바꾸어 잡으므로, 흡착 패드(2)나 스핀척(3)으로 덮어지게 되어 세정할 수 없는 무효 공간이 생기지 않도록 할 수 있다. 이에 따라 무효 공간의 발생을 회피하기 위해 웨이퍼(W)의 주연부를 기계적으로 유지하거나 할 필요없이, 웨이퍼(W) 주연부에 손상을 부여하지 않고서 세정을 행하는 것을 가능하게 하여, 파티클의 발생이나 레지스트막에의 손상 등을 방지하고 제품의 수율 향상에 공헌할 수 있다.
또한 본 실시형태에 따른 세정 장치(1, 100)는 세정 완료 후에 웨이퍼(W)에 부착하고 있는 세정액을 떨쳐냄 건조에 의해 한번에 건조시키거나, 스핀척(3)의 주위에 에어 나이프(31)를 설치하여 스핀척(3)에 웨이퍼(W)가 전달될 때에, 스핀척(3)의 표면과 이 스핀척으로 지지되는 기판의 이면(제2 영역)을 서로 건조한 상태로 접촉시키거나 하는 기구를 채용하고 있다. 이들 구조에 의해 웨이퍼(W)나 스핀척(3)에 있어서의 워터마크의 발생을 억제하여, 세정한 웨이퍼(W) 이면이 재오염되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 세정 장치(1, 100)는 세정 효과가 높은 브러시(5)를 세정 부재에 채용하고 있지만, 세정 부재는 이에 한정되지 않는다. 예컨대 이류체 노즐이나 제트 노즐, 메가소닉 노즐 등, 세정액 등을 뿜어내는 것에 의해 파티클을 제거하는 타입의 세정 부재를 채용하여도 좋다. 또한 실시형태에 있어서는 회전식의 브러시(5)를 예시했지만, 회전식 대신에 진동식의 브러시를 채용하여도 좋다. 또한 세정액의 종류도 DIW에 한정되지 않고, 다른 세정액이더라도 좋다.
또한, 세정 장치에 설치하는 기판 유지 수단은 실시형태에 도시한 바와 같이 두 종류[흡착 패드(2), 스핀척(3)]에만 한정되지 않는다. 예컨대 세 종류 이상의 기판 유지 수단을 구비하고, 이들 기판 유지 수단의 사이에서 2회 이상 기판을 바꾸어 잡도록 구성하여도 좋다. 이 경우에는, 마지막으로 기판 유지하는 것이 제2 기판 유지 수단, 그 전에 기판을 유지하는 것이 제1 기판 유지 수단이라고 해석할 수 있다.
다음으로 도포, 현상 장치에 전술한 세정 장치(1)를 적용한 일례에 대해 간단하게 설명한다. 도 12는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템의 평면도 이고, 도 13은 상기 시스템의 사시도이다. 또한 도 14는 상기 시스템의 종단면도이다. 도포, 현상 장치에는 캐리어 블록(S1)이 설치되어 있고, 그 적재대(101) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(100)로부터 전달 아암(C)이 웨이퍼(W)를 꺼내어 처리 블록(S2)에 전달하고, 처리 블록(S2)으로부터 전달 아암(C)이 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(100)로 복귀하도록 구성되어 있다.
본 실시형태에 따른 세정 장치(1)[또는 세정 장치(100), 이하 동일함]는 처리 블록(S2)으로부터 노광 장치(S4)로 웨이퍼(W)를 전달할 때, 즉 도 12에 도시한 바와 같이 인터페이스 블록(S3)의 입구부에서 처리 대상이 되는 웨이퍼(W)의 이면 세정을 행하도록 구성되어 있다.
상기 처리 블록(S2)은 도 13에 도시한 바와 같이 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV 층)(B1), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT 층)(B2), 레지스트막의 도포를 행하기 위한 제3 블록(COT 층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 을 행하기 위한 제4 블록(TCT 층)(B4)을 아래로부터 순차적으로 적층하여 구성되어 있다.
제2 블록(BCT 층)(B2)과 제4 블록(TCT 층)(B4)은 각각 반사 방지막을 형성하기 위한 약액을 스핀 코팅에 의해 도포하는 본원 형태에 따른 도포 유닛과, 이 도포 유닛으로 행해지는 처리의 이전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열·냉각계의 처리 유닛군과, 상기 도포 유닛과 처리 유닛군 사이에 설치되고, 이들의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 아암(A2, A4)으로 구성되어 있다. 제3 블록(COT 층)(B3)에 대해서도 상기 약액이 레지스트액인 것을 제외하면 동일한 구성이다.
한편, 제1 블록(DEV 층)(B1)에 대해서는 하나의 DEV 층(B1) 내에 현상 유닛(110)이 2단으로 적층되어 있다. 그리고 상기 DEV 층(B1) 내에는, 이들 2단의 현상 유닛(110)에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 아암(A1)이 설치된다. 즉 2단의 현상 유닛에 대해 반송 아암(A1)이 공통화된 구성으로 되어있다.
또한 처리 블록(S2)에는, 도 12 및 도 14에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U5)이 설치되고, 캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U5)의 하나의 전달 유닛, 예컨대 제2 블록(BCT 층)(B2)이 대응하는 전달 유닛(CPL2)에, 상기 선반 유닛(U5)의 근방에 설치된 자유롭게 승강할 수 있는 제1 전달 아암(D1)에 의해 순차 반송된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 제2 블록(BCT 층)(B2) 내의 반송 아암(A2)에 의해, 이 전달 유닛(CPL2)으로부터 각 유닛(반사 방지막 유닛 및 가열·냉각계의 처리 유닛군)으로 반송되어, 이들 유닛에서 반사 방지막이 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF2), 상기 선반 유닛(U5)의 근방에 설치된 자유롭게 승강할 수 있는 제1 전달 아암(D1), 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(CPL3) 및 반송 아암(A3)을 통해 제3 블록(COT 층)(B3)에 반입되고, 레지스트막이 형성된다. 또한 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)->선반 유닛(U5)의 전달 유닛(BF3)으로 전달된다. 또한 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 제4 블록(TCT 층)(B4)에서 반사 방지막이 더 형성되는 경우도 있다. 이 경우는 웨이퍼(W)는 전달 유닛(CPL4)을 통해 반송 아암(A4)으로 전달되고, 반사 방지막이 형성된 후 반송 아암(A4)에 의해 전달 유닛(TRS4)으로 전달된다.
한편 DEV 층(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 유닛(CPL11)으로부터 선반 유닛(U6)에 설치된 전달 유닛(CPL12)에 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 아암(E)이 설치된다. 레지스트막이나 반사 방지막이 더 형성된 웨이퍼(W)는 전달 아암(D1)을 통해 전달 유닛(BF3, TRS4)으로부터 수취 전달 유닛(CPL11)으로 전달되고, 여기에서 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(CPL12)으로 직접 반송된다. 여기서 도 12에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U6)과 세정 장치(1) 사이에 설치된 반송 수단인 전달 아암(D2)은 자유롭게 회전, 진퇴, 승강할 수 있도록 구성되고, 세정 전후의 웨이퍼(W)를 각각 전문으로 반송하는 예컨대 2개의 아암을 구비하고 있다. 웨이퍼(W)는 전달 아암(D2)의 세정전 전용의 아암에 의해 TRS12로부터 꺼내어지고, 세정 장치(1) 내에 반입되어 이면 세정을 받는다. 세정을 끝낸 웨이퍼(W)는 전달 아암(D2)의 세정 후 전용의 아암으로 TRS13에 적재된 후, 인터페이스 블록(S3)에 취득된다. 또한 도 14 중의 CPL이 부착되어 있는 전달 유닛은 온도 조절용의 냉각 유닛을 겸하고 있고, BF가 부착되어 있 는 전달 유닛은 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼 유닛을 겸하고 있다.
계속해서, 인터페이스 아암(B)에 의해 노광 장치(S4)에 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U6)의 전달 유닛(TRS6)에 적재되어 처리 블록(S2)으로 복귀된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 제1 블록(DEV 층)(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U5)의 전달 유닛(TRS1)에 전달된다. 그 후, 전달 아암(C)을 통해 캐리어(100)로 복귀된다. 또한 도 12에 있어서 U 1∼U4는 각각 가열부와 냉각부를 적층한 열계 유닛군이다.
또한, 도 12∼도 14에 도시한 도포, 현상 장치에서는 실시형태에 따른 세정 장치(1)를 인터페이스 블록(S3)의 입구부에 설치한 예를 도시했지만, 세정 장치(1)를 설치하는 위치는 이 예에 한정되지 않는다. 예컨대 인터페이스 블록(S3) 내에 상기 세정 장치(1)를 설치하여도 좋고, 처리 블록(S2)의 입구부, 예컨대 선반 유닛(U5)에 설치하여 레지스트막이 형성되기 전의 웨이퍼(W)를 이면 세정하도록 구성하여도 좋고, 캐리어 블록(S1) 내에 설치하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에 따른 세정 장치(1)를 적용 가능한 장치는 도포, 현상 장치에 한정되지 않는다. 예컨대 이온 주입 후의 어닐 공정을 행하는 열처리 장치에도 본원 세정 장치(1)는 적용할 수 있다. 웨이퍼(W)의 이면에 파티클이 부착된 상태로 어닐 공정을 행하면, 이 공정 중에 파티클이 웨이퍼의 이면으로부터 들어가, 이 파티클과 표면의 트랜지스터 사이에 전류로가 형성되게 되는 경우도 있다. 이 때문에, 이 공정의 전에 웨이퍼(W)를 이면 세정함으로써 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
여기서 도 1∼도 11을 이용하여 설명한 세정 장치(1, 100)에 있어서, 웨이퍼(W)로부터 비산한 세정액이 상부컵(41)의 내벽면과 충돌하여 미스트를 발생하여 오염원이 되는 것을 방지하기 위해, 상부컵(41)의 내벽면은 비산한 세정액이 최대한 되돌아 오지 않는 부재로 구성하는 것이 바람직하다. 예컨대 도 15에 도시한 상부컵(41)은 액적이 되돌아 오기 어려운 재료로 구성되는 라이닝(lining) 부재(44)를 상부컵(41)의 내벽면에 라이닝하는 것에 의해 미스트의 발생을 억제하는 구성으로 되어 있다. 이러한 재료의 구체예로서는, 예컨대 친수제를 첨가하는 등 친수 처리를 실시한 수지제의 포러스(porous) 재료(다공질 수지)나, 블러스트 처리하여 내벽면을 조면화한 알루미나 등의 세라믹 재료 등을 들 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이 라이닝한 경우에는, 상부컵(41)은 예컨대 폴리프로필렌 수지 등의 재료에 의해 구성되어 있지만, 상부컵(41) 전체를 이미 전술한 포러스 재료나 세라믹에 의해 구성하여도 좋다. 또한 도 15에 있어서는 에어 나이프(31) 등의 기재를 생략하고 있다.
또한, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면 세정시에 브러시(5)에 걸리는 압박력이나 브러시(5)의 지지부(51)에 걸리는 토크 등을 계측하여, 브러시(5)가 웨이퍼(W)의 이면과 접촉하는 힘을 계측하는 계측기(계측 수단)와, 브러시(5)의 지지부(51)를 승강시키는 승강 기구(승강 수단)와, 이미 서술한 제어부(6)로 이루어지는 세정압 제어 기구를 이미 서술한 세정 장치(1, 100)에 설치하고, 웨이퍼(W)의 이면에 브러시(5)가 접촉하는 힘이 미리 정한 범위 내의 값에 거의 일정하게 되도록, 브러시(5)를 승강시키더라도 좋다. 또한, 브러시(5)의 승강 대신에, 흡착 패드(2)나 스 핀척(3)을 승강함으로써 웨이퍼(W)를 상하시켜, 브러시(5)가 접촉하는 힘을 제어하여도 좋다. 브러시(5)가 웨이퍼(W)와 접촉하는 힘을 일정하게 유지함으로써 파티클의 제거율을 안정시키고, 웨이퍼(W)에 과대한 힘이 걸리지 않도록 흡착 패드(2)나 스핀척(3)으로부터의 웨이퍼(W)의 탈리(脫離)를 방지할 수 있다.
이와 같이 브러시(5)를 웨이퍼(W)의 이면에 압착시켜 세정을 행하는 수법은, 웨이퍼(W)의 이면이 친수성인 경우에 특히 유효하다. 한편, 웨이퍼(W)의 표면에 대해서는, 소수화 처리제의 증기와 접촉시킴으로써 레지스트막과의 밀착성을 향상시키는 소수화 처리가 행해지고 있는 경우가 있다. 이 소수화 처리시에 처리제의 증기의 일부가 웨이퍼의 이면측에 유입되면, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면 주연부까지도 소수화되어 버린다. 소수화된 영역에는 세정액을 충분히 퍼지게 하는 것이 곤란하고, 직접 브러시(5)를 압착시켜 회전시키면 브러시의 섬유가 떨어져 나가 다량의 파티클이 발생하여, 웨이퍼(W)를 오염할 우려가 있다. 그래서 소수화 처리된 웨이퍼(W)의 주연부 영역을 세정하는 경우 등에는, 예컨대 도 16에 도시한 바와 같이, 브러시(5)의 선단과 웨이퍼(W)의 이면 사이에 예컨대 1 mm 미만의 간극이 생기도록 브러시(5)를 배치하고, 이 상태로 이미 서술한 세정 노즐(5a)에서 세정액을 공급하여 브러시(5)를 회전시켜 세정을 행하면 좋다. 이 수법에 따르면, 브러시(5)의 회전에 의해 과격하게 교반된 세정액의 흐름을 이용하여 세정을 행하므로, 브러시(5)로부터의 파티클의 발생을 억제하면서 세정을 행할 수 있게 된다.
또한 전술의 소수화 처리된 웨이퍼(W)에 대응하기 위해, 예컨대 하부컵(43)에 UV 램프(17)를 설치하고, 이 UV 램프(17)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부 영역, 예컨대, 기판 가장자리에서 중심측으로 25 mm에 자외선을 조사하여, 소수화제를 분해하는 친수화 처리를 행하고 나서 세정을 행하도록 하여도 좋다. 이 경우에는, 예컨대 흡착 패드(2)로부터 스핀척(3)으로 웨이퍼(W)를 바꾸어 쥔 후, 스핀척(3)을 회전시키면서 웨이퍼(W)의 주연부 영역을 UV 광으로 소정의 폭으로 주사함으로써, 상기 영역 전체를 친수화할 수 있다. 여기서 UV 램프(17)는 예컨대 방수 처리를 실시한 것을 하부컵(43) 내에 설치하여도 좋고, 하부컵(43)의 저면에 UV 광을 투과하는 유리창을 설치하여, 그 아래쪽측에 UV 램프를 설치하여도 좋다. 또한, UV 광을 조사하는 영역은 웨이퍼(W)의 이면의 주연 영역에 한정되지 않고, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면 전체에 조사하여도 좋은 것은 물론이다. 또한 도 17에 있어서는 에어 나이프(31) 등의 기재를 생략하고 있다. 또한 UV 램프(17)는 별도의 장소에 설치하여 도광 파이버에 의해 조사 헤드를 설치하여도 좋다.
또한 에어 나이프(31)의 내부에서는, 에어 나이프(31)로부터 분사되는 기체에 따라 상승 기류가 형성되고, 스핀척(3)의 구동 기구(33)나 지지핀(32)의 승강 기구(32a) 등으로부터 발생한 파티클이 이 상승 기류에 의해 에어 나이프의 외측으로 흘러 나오게 되는 우려가 있다. 그래서 예컨대 에어 나이프(31)의 안쪽의 분위기를 흡인 배기하여, 상기 에어 나이프(31)와 웨이퍼(W)의 이면에 의해 둘러싸이는 공간을 감압 분위기로 유지함으로써 상승 기류의 발생을 억제하여도 좋다.
동일하게 에어 나이프(31)에 있어서 브러시(5)측으로부터의 세정액의 모두를 상기 에어 나이프(31)로 불어 날리기 위해서는 대량의 기체를 분사하지 않으면 안되어, 소비 에너지량이 많아지며, 대량의 기체에 의해 불어 날린 세정액이 미스트 가 되어 새로운 오염원이 되어 버리는 경우도 있다. 그래서, 예컨대 도 18에 도시한 바와 같이 에어 나이프(31)와 브러시(5) 사이를 가로막는 궤적을 그리도록 예컨대 DIW 등의 세정수를 토출하는 유체 토출 수단인 어시스트 린스 기구(34)를 설치하고, 상기 순수의 흐름에 의해 브러시(5)측에서 흘러오는 세정액의 유동 방향을 바꿈으로써, 에어 나이프(31)로 향하는 세정액의 흐름의 기세를 약하게 하도록 하여도 좋다. 이에 따라 세정액을 불어 날리기 위해 필요한 기체의 양이 감소하고, 에너지 소비량을 감할 수 있으며, 미스트의 발생을 억제하는 것이 가능해진다. 또한 세정액을 토출하는 어시스트 린스 기구(34) 대신에 예컨대 압축 에어 등을 토출하여 에어 나이프(31)와 브러시(5) 사이를 가로막는 에어 노즐을 유체 토출 수단으로 설치하여도 좋다.
다음으로 제1 유지 수단인 흡착 패드(2)에 대해 흡착 패드(2)의 평면 형상은 예컨대 도 2에 도시한 가늘고 긴 직사각형에 한정되지 않는다. 예컨대 도 19에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 적재했을 때에, 상기 웨이퍼(W)와 동심원을 이루는 원호형의 흡착 유지면을 구비한 흡착 패드(2)를 이용하여도 좋다. 이러한 형상의 흡착 패드(2)는 대향하는 흡착 패드(2) 사이에 형성되는 영역의 면적이 넓어지므로, 보다 넓은 영역에 세정액을 널리 퍼뜨릴 수 있고, 브러시(5)를 이동시킬 때에 방해가 되기 어렵다.
또한 예컨대 웨이퍼(W)가 스핀척(3) 상에 적재되어 세정되고 있는 기간 동안에는 흡착 패드(2)는 웨이퍼(W)의 아래쪽으로 후퇴하고 있으므로, 흡착 패드(2)의 표면에는 세정액이 적하한다. 이 때문에 흡착 패드(2)의 흡인관을 예컨대 공장의 진공 라인에 접속하면, 흡착 패드(2) 표면에 설치된 흡착 구멍(2a)으로 세정액이 유입되어, 진공 라인의 진공도를 저하시키는 요인이 된다. 그래서 예컨대 도 20에 도시한 바와 같이 흡착 패드(2)의 흡인관(60)에 트랩 탱크(61)를 개설하여, 흡인관(60)에 유입된 세정액을 상기 트랩 탱크(60) 내에 포착하여 하류측에의 유출을 방지하여도 좋다. 또한 도 20에 도시한 바와 같이, 상기 흡인관(60)을 이젝터(62)에 접속하고, 이젝터(62)로부터의 배기는 공장의 배기 라인에 접속함으로써, 공장의 진공 라인을 이용하지 않고 웨이퍼(W)의 흡착이 행해지도록 하여도 좋다.
전술과 같이 흡착 패드(2)의 표면이 세정액으로 누설된 상태대로 웨이퍼(W)를 유지하면, 흡착 패드(2)의 흡착력이 저하하여 세정 중에 웨이퍼(W)가 이탈할 우려가 있고, 또한 오염된 세정액으로 웨이퍼(W)의 이면을 오염하여, 세정후의 웨이퍼(W)의 청정도가 저하하게 되는 경우도 있다. 그래서 예컨대 도 21(a), 도 21(b)에 도시한 바와 같이, 상부컵(41)에 예컨대 에어 커튼 노즐(45)을 설치하여, 예컨대 웨이퍼(W)의 세정이 종료하고, 다음 웨이퍼(W)가 반입되기까지의 기간 동안에 기체를 뿜어내어 흡착 패드(2) 표면의 세정액을 불어 날리더라도 좋다. 또한 도 21(a), 도 21(b)에 있어서는 에어 나이프(31) 등의 기재를 생략하고 있다.
도 1은 본 발명에 따른 세정 장치를 도시하는 사시도.
도 2는 상기 세정 장치의 평면도.
도 3은 상기 세정 장치의 종단면도.
도 4는 에어 나이프의 구성을 도시하는 사시도.
도 5는 상기 세정 장치의 동작을 설명하기 위한 제1 공정도.
도 6은 상기 세정 장치의 동작을 설명하기 위한 제2 공정도.
도 7은 세정시의 웨이퍼 이면의 모습을 도시한 설명도.
도 8은 각 동작에 있어서 세정되는 영역을 나타낸 평면도.
도 9는 제2 실시형태에 따른 세정 장치의 평면도.
도 10은 상기 제2 실시형태에 따른 세정 장치의 동작을 설명하기 위한 제1 공정도.
도 11은 상기 제2 실시형태에 따른 세정 장치의 동작을 설명하기 위한 제2 공정도.
도 12는 상기 세정 장치를 적용한 도포, 현상 장치의 실시형태를 도시하는 평면도.
도 13은 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도 14는 상기 도포, 현상 장치의 종단면도.
도 15는 내벽면에 라이닝 부재를 라이닝한 상부컵의 종단면도.
도 16은 웨이퍼의 이면과 브러시의 선단 사이에 간극을 설치하여 세정을 행 하는 실시형태의 설명도.
도 17은 소수화된 웨이퍼 이면측의 주연 영역에 UV 광을 조사하는 실시형태의 설명도.
도 18은 에어 나이프의 기체 소비량을 삭감하기 위한 어시스트 린스 기구를 설치한 실시형태의 설명도.
도 19는 평면 형상이 원호형인 흡착 패드를 이용한 실시형태의 설명도.
도 20은 흡착 패드의 흡기관에 트랩 탱크나 이젝터를 설치한 실시형태의 설명도.
도 21은 에어 커튼 노즐을 구비한 상부컵의 종단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
F: 액막 W: 웨이퍼
1: 세정 장치 2: 흡착 패드
2a: 흡착 구멍 3: 스핀척
3a: 흡착 구멍 3b: 축부
5: 브러시 5a: 세정액 노즐
5b: 블로우 노즐 6: 제어부
11: 램프 박스 12: UV 램프
13: 블로우 노즐 14: 세정액 노즐
15: 배기관 16: 드레인 관
20: 정(井)자형 프레임 21: 패드 지지부
22: 교량부 23: 벨트
24: 랩핑 축 25: 구동 기구
26: 측판 27: 승강 기구
27a: 슬라이더 27b: 가이드 레일
31: 에어 나이프 31a: 분사구
32: 지지핀 32a: 승강 기구
33: 스핀척 모터 41: 상부컵
41a: 개구부 42: 내측컵
43: 하부컵 51: 지지부
52: 벨트 53: 랩핑 축
54: 구동 기구 71: 커버 부재
72: 지지부 73: 건조 노즐
100: 기판 세정 장치

Claims (26)

  1. 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치에 있어서,
    아래쪽을 향하고 있는 기판 이면의 제1 영역을 수평으로 흡착 유지하는 제1 기판 유지 수단과, 이 제1 기판 유지 수단에서 기판을 수취하여, 상기 제1 영역과는 중복되지 않는 기판 이면의 제2 영역을 수평으로 흡착 유지하는 제2 기판 유지 수단과,
    상기 제1 기판 유지 수단 또는 제2 기판 유지 수단에 흡착 유지된 기판의 이면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과,
    상기 제1 기판 유지 수단으로부터 상기 제2 기판 유지 수단으로 기판을 전달하기 전에, 상기 제2 영역을 건조하기 위한 건조 수단과,
    기판이 상기 제1 기판 유지 수단에 의해 유지되고 있는 동안에는, 상기 제2 영역을 포함하는 기판의 이면에 접촉하여 세정하고, 그 기판이 상기 제2 기판 유지 수단에 의해 유지되고 있는 동안에는, 상기 제2 영역 이외의 기판의 이면에 접촉하여 세정하는 세정 부재
    를 포함한 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 기판 유지 수단은, 기판의 중앙을 유지하여 수직 주위에 자유롭게 회전할 수 있도록 구성되고, 상기 세정 부재에 의한 세정을 끝낸 기판을 회전시켜 기판의 이면에 잔존하고 있는 세정액을 떨쳐내어 건조하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 건조 수단은 기판의 이면에 기체를 분사하는 수단인 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 기판 유지 수단을 상기 제2 기판 유지 수단에 대해 상대적으로 가로 방향으로 이동시키기 위한 이동 수단을 구비하고, 이 이동 수단에 의해, 이미 세정된 제2 영역을 제2 기판 유지 수단의 위쪽에 위치시키는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 기판 유지 수단은 흡착 유지면이 직사각형인 2개의 흡착 패드를 구비하고, 이들 흡착 패드는 상기 흡착 유지면의 길이 방향이 상기 제1 기판 유지 수단의 이동 방향에 대해 평행하게 되도록, 기판 주연부의 대향하는 2개소의 영역을 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 기판 유지 수단은 흡착 유지면이 원호형인 2개의 흡착 패드를 구비하고, 이들 흡착 패드는 흡착 유지되는 기판과 동심원을 이루도록 기판 주연부의 대향하는 2개소의 영역을 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제1 기판 유지 수단 또는 제2 기판 유지 수단에 유지되는 기판을 둘러싸도록 구성되고, 상기 이동 수단에 의해 상기 제1 기판 유지 수단과 함께 이동하는 컵을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서, 상기 컵의 내벽면의 재료는 친수성의 다공질 수지로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 컵의 내벽면의 재료는 표면이 조면화된 세라믹으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  11. 제4항에 있어서, 상기 제2 기판 유지 수단을 둘러싸는 포위 부재를 구비하고,
    상기 건조 수단은 이 포위 부재의 상단에 주위 방향을 따라 형성된 기체의 분사구를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 포위 부재와, 상기 제1 기판 유지 수단 또는 제2 기판 유지 수단에 흡착 유지된 기판의 이면에 의해 둘러싸이는 공간은 감압 분위기인 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 세정액 공급 수단으로부터 상기 포위 부재의 상단을 향해 기판의 이면을 흐르는 세정액의 유동 방향을 바꾸기 위해, 이들 세정액 공급 수단과 포위 부재의 상단 사이를 가로막는 궤적을 그리도록 유체를 토출하는 유체 토출 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 유체 토출 수단으로부터 토출되는 유체는 세정액인 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 기판 유지 수단을 상기 제1 기판 유지 수단에 대해 상대적으로 승강시키기 위한 승강 수단과, 이 제2 기판 유지 수단의 상면을 덮는 커버 부재를 구비하고,
    상기 제1 기판 유지 수단에 의해 유지되는 기판의 상기 제2 영역의 아래쪽으로 제2 기판 유지 수단을 후퇴시키고, 상기 제2 기판 유지 수단의 위쪽에 상기 커버 부재를 위치시킨 상태로, 상기 제2 영역을 상기 세정 부재에 의해 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  16. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정 부재에 의해 세정된 후의 기판의 이면에 자외광을 조사하여, 기판의 이면에 잔존하는 입자를 수축시키기 위한 자외선 램프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  17. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정 부재가 기판의 이면과 접촉하는 힘을 계측하는 계측 수단과, 상기 세정 부재를 상기 기판에 대해 상대적으로 승강시키는 승강 수단과, 상기 계측 수단에 의한 계측 결과에 기초하여 상기 승강 수단을 동작시켜, 상기 세정 부재가 기판의 이면과 접촉하는 힘이 미리 정한 범위 내의 값이 되도록 제어하는 제어 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  18. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판의 이면의 주연부 영역은 소수화 처리되어 있고, 상기 세정 부재는 상기 주연부 영역을 세정할 때에는 상기 기판의 이면과 접촉하지 않고서 상기 세정액 공급 수단에서 공급된 세정액을 교반(攪拌)하며, 상기 교반된 세정액의 흐름을 이용하여 상기 주연부 영역 내의 기판의 이면을 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  19. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판의 이면의 주연부 영역은 소수화 처리되어 있고, 상기 주연부 영역을 친수화하기 위해 자외광을 조사하는 제2 자외선 램프를 포함한 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  20. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 기판 유지 수단은 기판의 이면을 흡인하여 흡착 유지하기 위한 흡인관과 접속되어 있고, 상기 흡인관에는, 흡인관 내에 유입된 세정액을 보충하기 위한 트랩 탱크가 개설되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  21. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 기판 유지 수단의 흡착 유지면에 적하한 세정액에 기체를 뿜어내어 이들 세정액을 불어 날리기 위한 기체 노즐을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  22. 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 방법에 있어서,
    아래쪽을 향하고 있는 기판 이면의 제1 영역을 수평으로 흡착 유지하는 제1 기판 유지 단계와,
    이 기판을 바꾸어 잡아 상기 제1 영역과는 겹치지 않는 기판 이면의 제2 영역을 수평으로 흡착 유지하는 제2 기판 유지 단계와,
    상기 제1 기판 유지 단계 또는 제2 기판 유지 단계에서 유지되어 있는 기판의 이면에 세정액을 공급하는 단계와,
    상기 제1 기판 유지 단계로부터 상기 제2 기판 유지 단계로 기판을 바꾸어 잡기 전에, 상기 제2 영역을 건조하는 단계와,
    상기 제1 기판 유지 단계의 기간 중에는, 상기 제2 영역을 포함하는 기판의 이면의 세정을 행하고, 상기 제2 기판 유지 단계의 기간 중에는 상기 제2 영역 이외의 기판의 이면의 세정을 행하는 단계
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 기판의 이면의 세정을 끝낸 후, 기판을 회전시켜 기판의 이면에 잔존하고 있는 세정액을 떨쳐내어 건조하는 단계를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  24. 제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 제2 영역을 건조하는 단계는 기판의 이면에 기체를 분사함으로써 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  25. 제22항 또는 제23항에 있어서, 세정된 후의 기판의 이면에 자외광을 조사하여, 기판의 이면에 잔존하는 입자를 수축시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  26. 기판의 이면을 세정하는 기판 세정 장치에 이용되는 프로그램을 저장한 기억 매체로서,
    상기 프로그램은 제22항 또는 제23항에 기재한 기판 세정 방법을 실행하기 위해 단계가 짜여지고 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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