JP3959612B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板に形成された処理膜等を除去する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LCD(Liquid Crystal Display:LCD)等の製造工程においては、被処理体であるLCD用のガラス基板上にITO(Indium Tin Oxide)の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【0003】
また、これらレジスト塗布、露光及び現像の各工程の前後においては、所定の加熱処理や冷却処理を行っており、特に、レジストの塗布処理の前工程においては、アドヒージョン処理を行っている。このアドヒージョン処理とは、ガラス基板とレジスト膜との密着性を向上させるために、ガラス基板にアンモニア系のガス(一般にはHMDSガスが使用されている。)を蒸気状にして塗布している。
【0004】
そして、このアドヒージョン処理後レジスト膜が塗布されるが、後にパーティクルの発生を防止するために、レジスト膜塗布処理後にガラス基板の周縁部に塗布された余分なレジスト膜をシンナ等の溶剤により除去している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この周縁部のレジスト除去処理がなされた後、ガラス基板は露光装置に搬送されて露光処理されるが、このとき露光装置における露光レンズやミラー等が白濁するといった問題が発生している。これは、レジスト膜の下に塗布されたHMDSガスによる膜が、基板周縁部のレジスト膜を除去した後に当該周縁部に露出し、この部分からHMDSガスを構成するアミン系のガス、例えば硫化アンモニウムが発生して、この発生したガスが露光装置のレンズやミラー等に付着することが原因と考えられる。このような問題により、例えば所定の露光量で露光できない等、露光処理に不具合が生じている。
【0006】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、露光装置に悪影響を与えずに基板周縁部のレジスト膜を除去できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、HMDSガスによる膜とこのHMDSガスによる膜上に塗布されたレジスト膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部のレジスト膜を除去するレジスト膜除去手段と、前記レジスト膜が除去された基板周縁部に露出した前記HMDSガスによる膜を除去するHMDSガスによる膜除去手段とを具備することを特徴とする。
【0008】
このような構成によれば、レジスト膜除去手段によってレジスト膜が除去された後、露出したHMDSガスによる膜HMDSガスによる膜除去手段によって除去される。これにより、露光装置における露光レンズやミラー等が白濁する原因となる、例えばアドヒージョン処理により形成されたHMDSガスによる膜を除去することができるため、露光装置に悪影響を与えずに基板周縁部のレジスト膜を除去できる。
【0009】
レジスト膜処理手段として、溶剤ノズルを基板周縁部に沿って移動させながら溶剤を吐出することによりレジスト膜を除去することが考えられる。また、HMDSガスによる膜除去手段として、例えば光ファイバーを基板周縁部に沿って移動させながらこの光ファイバーから光を照射することによりHMDSガスによる膜を除去することが考えられ、さらにHMDSガスによる膜にオゾン水を供給することによって当該HMDSガスによる膜を除去することも考えられる。
【0010】
本発明の一の形態によれば、光ファイバーによる光は、前記レジスト膜を露光するための露光光の波長成分を含む光を用いることが好ましい。
【0011】
また、レジスト膜を除去した後に露出するHMDSガスによる膜を加熱する加熱手段を有してもよい。このように、光の照射を行う前に予めHMDSガスによる膜を加熱しておくことにより、光照射によるHMDSガスによる膜の剥離作用を促進させることができる。
【0012】
本発明の一の形態によれば、前記レジスト膜除去手段は、前記溶剤を吐出する溶剤ノズルを保持した保持部材と、前記保持部材を基板の周縁部に沿って移動させる周縁移動機構とを具備し、前記保持部材を前記周縁移動機構により移動させながら前記溶剤を吐出することを特徴とする。このような構成によれば、保持部材を移動させながら溶剤を吐出することができるため、効率良くレジスト膜及びHMDSガスによる膜を除去することができる。また、保持部材に光ファイバーが固定されている場合には、保持部材を移動させながら光を照射することができるため、効率良くHMDSガスによる膜を除去することができる。
【0013】
この光ファイバーの投光面は、一辺が、ほぼ前記露出したHMDSガスによる膜の幅と同じ長さを有する矩形でなることが望ましい。これにより、例えば保持部材よる基板周縁部の1往路の移動のみにより、HMDSガスによる膜が露出した領域を効率良く除去できる。また、光ファイバーによる光の照射は、前記レジスト膜が塗布された基板面の裏面側から行ってもよい。例えば基板がガラス基板である場合には、裏面側から光を照射してもガラス基板の表面側に光を透過させることができる。
【0014】
本発明の一の形態によれば、前記光ファイバーと溶剤ノズルとが、前記保持部材の移動方向とほぼ平行に配置されていることを特徴とする。この場合、保持部材に前記移動方向と直交する方向に移動させる直交移動機構を設けることが望ましい。これにより、保持部材を前記直交方向に移動させ、溶剤ノズル及び光ファイバーをHMDSガスによる膜上で、このHMDSガスによる膜の幅方向に移動させることができるようになる。従って、溶剤ノズル及び光ファイバーによってHMDSガスによる膜が除去される範囲が広くなり、的確にHMDSガスによる膜が除去されることとなる。
【0015】
本発明の一の形態によれば、前記光ファイバーが前記溶剤ノズルよりも基板の外側に配置されていることを特徴とする。このような構成によれば、保持部材の基板周縁部に沿った移動のみを行い、基板周縁部のレジスト膜が除去された後に残ったレジスト膜を光ファイバーによる光照射により露光されてしまうことを防止することができる。
【0016】
本発明の一の形態によれば、前記保持部材を前記移動方向と直交する方向に移動させる直交方向移動機構を更に具備し、保持部材を前記周縁移動機構及び直交方向移動機構によって交互に移動させつつ、前記周縁部のレジスト膜を除去するとともに、順次露出されていくHMDSガスによる膜を除去することを特徴とする。このように、光ファイバーが後追いで溶剤吐出により順じ露出されていくHMDSガスによる膜を除去していくことにより、光ファイバーによってHMDSガスによる膜が除去される範囲が広くなり、的確にHMDSガスによる膜が除去されることとなり、レジスト膜及びHMDSガスによる膜を効率的かつ迅速に除去することができる。
【0017】
本発明の一の形態によれば、前記光ファイバーの投光面に向けて洗浄液を噴出する洗浄ノズルを更に具備することを特徴とする。光が照射されることによりガス化したHMDSガスによる膜が光ファイバーの投光面に付着し当該光ファイバーの投光面を白濁させると、光ファイバーの投光面のその付着物によって、基板に一定した光照射が得られなくなる可能性が考えられる。本発明では、光ファイバーの投光面の白濁を洗浄液で洗浄することにより、かかる事態を回避することができる。また、本発明の洗浄ノズルは保持部材と一体的に移動できるように、保持部材に取り付けられていることもできる。
【0018】
本発明の一の形態によれば、前記HMDSガスによる膜を除去する際に当該HMDSガスによる膜から発生するガスを排出する手段を更に具備することを特徴とする。このような構成によれば、光照射によってガス化したHMDSガスによる膜を排気することができる。これにより、上述した光ファイバーの投光面の白濁を防止することができ、又、装置や機器類の汚染を防止することができる。また、この排出する手段を設けることにより、当該洗浄の際に飛散する洗浄液を、除去されたレジスト膜HMDSガスによる膜、このHMDSガスによる膜からの発生ガス等とともに排出することができ、更に、光ファイバーの投光面をも乾燥させることができる。
【0019】
本発明に係る基板処理方法は、HMDSガスによる膜とこのHMDSガスによる膜上に塗布されたレジスト膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部のレジスト膜を除去する工程と、前記レジスト膜が除去された基板周縁部に露出した前記HMDSガスによる膜を除去する工程とを具備することを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【0021】
図1は本発明の搬送装置が適用されるLCD基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図2はその正面図、また図3はその背面図である。
【0022】
この塗布現像処理システム1は、複数のガラス基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション2と、基板Gにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部3と、露光装置32との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェース部4とを備えており、処理部3の両端にそれぞれカセットステーション2及びインターフェース部4が配置されている。
【0023】
カセットステーション2は、カセットCと処理部3との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機構10を備えている。そして、カセットステーション2においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路12上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと処理部3との間で基板Gの搬送が行われる。
【0024】
処理部3には、カセットステーション2におけるカセットCの配列方向(Y方向)に垂直方向(X方向)に延設された主搬送部3aと、この主搬送部3aに沿って、レジスト塗布処理ユニット(CT)を含む各処理ユニットが並設された上流部3b及び現像処理ユニット(DEV)18を含む各処理ユニットが並設された下流部3cとが設けられている。
【0025】
主搬送部3aには、X方向に延設された搬送路31と、この搬送路31に沿って移動可能に構成されガラス基板GをX方向に搬送する搬送シャトル23とが設けられている。この搬送シャトル23は、例えば支持ピンにより基板Gを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部3aのインターフェース部4側端部には、処理部3とインターフェース部4との間で基板Gの受け渡しを行う垂直搬送ユニット7が設けられている。
【0026】
上流部3bにおいて、カセットステーション2側端部には、基板Gに洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20が設けられ、このスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20の上段に基板G上の有機物を除去するためのエキシマUV処理ユニット(e−UV)19が配設されている。
【0027】
スクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20の隣には、ガラス基板Gに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック24及び25が配置されている。これら熱処理系ブロック24と25との間には、垂直搬送ユニット5が配置され、搬送アーム5aがZ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック24及び25における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Gの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部3における垂直搬送ユニット7についてもこの垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
【0028】
図2に示すように、熱処理系ブロック24には、基板Gにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット(BAKE)が2段、HMDSガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット(AD)が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック25には、基板Gに冷却処理を施すクーリングユニット(COL)が2段、アドヒージョンユニット(AD)が下から順に積層されている。
【0029】
熱処理系ブロック25に隣接してレジスト処理ブロック15がX方向に延設されている。このレジスト処理ブロック15は、基板Gにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット(CT)49と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット(VD)40と、本発明に係る基板Gの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ(ER)48とが一体的に設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック15には、レジスト塗布処理ユニット(CT)49からエッジリムーバ(ER)48にかけて移動する図示しないサブアームが設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック15内で基板Gが搬送されるようになっている。
【0030】
レジスト処理ブロック15に隣接して多段構成の熱処理系ブロック26が配設されており、この熱処理系ブロック26には、基板Gにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット(PREBAKE)が3段積層されている。
【0031】
下流部3cにおいては、図3に示すように、インターフェース部4側端部には、熱処理系ブロック29が設けられており、これには、クーリングユニット(COL)、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)が2段、下から順に積層されている。
【0032】
熱処理系ブロック29に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット(DEV)18がX方向に延設されている。この現像処理ユニット(DEV)18の隣には熱処理系ブロック28及び27が配置され、これら熱処理系ブロック28と27との間には、上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有し、両ブロック28及び27における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット6が設けられている。また、現像処理ユニット(DEV)18端部の上には、i線処理ユニット(i―UV)33が設けられている。
【0033】
熱処理系ブロック28には、クーリングユニット(COL)、基板Gに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック27も同様に、クーリングユニット(COL)、ポストベーキングユニット(POBAKE)が2段、下から順に積層されている。
【0034】
インターフェース部4には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22が設けられ、垂直搬送ユニット7に隣接してエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35が、また背面側にはバッファカセット34が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット(Titler/EE)22とエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35とバッファカセット34と隣接した露光装置32との間で基板Gの受け渡しを行う垂直搬送ユニット8が配置されている。この垂直搬送ユニット8も上記垂直搬送ユニット5と同一の構成を有している。
【0035】
以上のように構成された塗布現像処理システム1の処理工程については、先ずカセットC内の基板Gが処理部3部における上流部3bに搬送される。上流部3bでは、エキシマUV処理ユニット(e−UV)19において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット(SCR)20において、基板Gが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック24の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム5aにより基板Gが取り出され、同熱処理系ブロック24のベーキングユニット(BAKE)にて加熱処理、アドヒージョンユニット(AD)にて、ガラス基板Gとレジスト膜との密着性を高めるため、基板GにHMDSガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック25のクーリングユニット(COL)による冷却処理が行われる。
【0036】
次に、基板Gは搬送アーム5aから搬送シャトル23に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット(CT)に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット(VD)にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ(ER)48にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【0037】
次に、基板Gは搬送シャトル23から垂直搬送ユニット7の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック26におけるプリベーキングユニット(PREBAKE)にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック29におけるクーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。続いて基板Gはエクステンションクーリングユニット(EXTCOL)35にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【0038】
次に、基板Gは垂直搬送ユニット8及び7の搬送アームを介して熱処理系ブロック29のポストエクスポージャーベーキングユニット(PEBAKE)に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そして基板Gは垂直搬送ユニット7の搬送アームを介して、現像処理ユニット(DEV)18において基板Gは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【0039】
次に、基板Gは熱処理系ブロック28における最下段から垂直搬送ユニット6の搬送アーム6aにより受け渡され、熱処理系ブロック28又は27におけるポストベーキングユニット(POBAKE)にて加熱処理が行われ、クーリングユニット(COL)にて冷却処理が行われる。そして基板Gは搬送機構10に受け渡されカセットCに収容される。
【0040】
図4及び図5は、レジスト処理ブロック15を示す概略平面図及び概略側面図である。これらレジスト塗布ユニット(CT)49、減圧乾燥ユニット(VD)40、及びエッジリムーバ(ER)48は、図示するように同一のステージに一体的に並列されている。
【0041】
減圧乾燥ユニット(VD)40は、下部チャンバ61と、その上を覆うように設けられ、その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバ62とを有している。下部チャンバ61には、基板Gを載置するためのステージ63が設けられ、下部チャンバ61の各コーナー部には、4個の排気口64が設けられ、この排気口64に連通された排気管65がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ(図示略)に接続されている。そして、下部チャンバ61と上部チャンバ62とが密着した状態でその中の処理空間を排気することにより、所定の真空度に減圧されるように構成されている。
【0042】
また、レジスト塗布ユニット(CT)49のほぼ中央には、有底円筒状のカップ71が配置され、カップ71内にはガラス基板Gを固定保持するための保持部材である基板吸着テーブル58が配置されている。
【0043】
これらレジスト塗布ユニット(CT)49、減圧乾燥ユニット(VD)40、及びエッジリムーバ(ER)48間における基板Gの搬送はアーム41,42により行われるようになっている。
【0044】
次に本発明の一実施形態に係るエッジリムーバ(ER)48について説明する。図6に示すように、ガラス基板Gを載置させるためのステージ91が設けられている。このステージ91にガラス基板Gが載置された状態において、ガラス基板Gの周縁部である四辺には、それぞれ、ガラス基板Gの周縁部のエッジから余分なレジストを除去するための4個のリムーバヘッド93が基板Gの四辺に沿って移動可能に設けられている。この四辺に沿った移動は移動機構94により行われるように構成されており、この移動機構94は、各リムーバヘッド93を支持する支持部材36と、この支持部材36を基板Gの四辺に平行に移動させる例えば図示しないベルト駆動機構とを有している。
【0045】
図7、図8及び図9は上記リムーバヘッド93の断面図、平面図及び正面図である。図7に示すように、リムーバヘッド93は、上部ヘッド構成材93aと下部ヘッド構成材93bを有し、これらを上下方向に対向させ処理空間Sを備えた断面略コ字状に形成されている。また、このリムーバヘッド93は、このリムーバヘッド93の基端部側に通じる吸引口92を有し、この吸引口92には、図示しない真空ポンプ等に接続され処理空間S内の雰囲気が吸引されるようになっている。
【0046】
上部ヘッド構成材93aには、上部ヘッド構成材93aと下部ヘッド構成材93bとの間の処理空間S内に基板Gの周縁部を位置させた際に、不要なレジスト膜70を除去する部分に向けて溶剤を吐出するための溶剤ノズル95が固定されている。溶剤ノズル95には、別設の例えばタンク等を備えた溶剤供給源96から、供給管21を介して窒素ガス等による圧送により溶剤、例えばシンナが所定圧で供給されるようになっている。これにより、各リムーバヘッド93は、基板Gの各辺に沿って移動してシンナを吐出しながら、基板Gの四辺のエッジに付着した余分なレジスト膜70を取り除くことができる。
【0047】
溶剤ノズル95は、細い線材の中に吐出口と同径の流通部(図示せず)が形成されてなる中空構造を有する。一般的に使用されている例えば溶剤ノズル95の吐出口の直径は約260μm程度である。そしてタンク96に加えられる窒素ガスの圧力は、約1kg/cm2程度であり、これによって毎分40ml程度の溶剤が基板Gの表裏面の周縁部に対して吐出され、不要なレジスト膜70が溶解され基板G上から除去されるようになっている。本実施形態では、例えば図8に示すように基板Gの端部から0.5mm〜10mmの範囲でレジスト膜を除去することが可能となっている。また、吐出された溶剤や溶解したレジスト液は、上記吸引口92から吸引されて外部へと排出されるようになっている。
【0048】
また、上部ヘッド構成材93aには、光ファイバー81がその投光面81aを基板G側に向けて固定されており、図示しない光源に接続されている。この光ファイバー81と溶剤ノズル95との位置関係は、例えば図8に示すように、基板Gの一辺とほぼ平行とされている。この光ファイバー81は、レジスト膜70の下層に形成された基板周縁部の処理膜80を除去する目的で設けられ、各リムーバヘッド93が基板Gの各辺に沿って移動することにより、例えば光ファイバー81により紫外線を照射しながら、基板Gの四辺の周縁部に付着した余分な処理膜80が除去されるようになっている。ここで用いる紫外線は、例えば、上記露光装置32の露光処理で使用する露光波長成分を含む光を使用することが好ましい。なお、各リムーバヘッド93の移動、溶剤ノズル95からのシンナの供給及び停止、光ファイバー81による紫外線の照射及び停止等は、図示しない制御部により制御されるようになっている。
【0049】
次に、このように構成されたエッジリムーバ(ER)48の作用について説明する。
【0050】
レジスト膜が形成されたガラス基板Gが、エッジリムーバ(ER)48におけるステージ91に載置される。そして、各リムーバヘッド93がそれぞれ基板Gの角部の所定の位置に配置され、図10(a)に示すように、移動機構94により溶剤ノズル95からシンナを吐出しながら基板Gの各辺に沿って、例えば2往復又は3往復程度移動させることにより、基板Gの周縁部のみのレジスト膜70を取り除き、処理膜80を露出させる。このとき、除去されたレジスト膜がレジスト溶解に使用されたシンナとともに、吸引口92より吸引され排出される。この処理膜80は、上記アドヒージョン処理が行われた際に形成されたHMDSガスによる処理膜である。
【0051】
次に、図10(b)に示すように、光ファイバー81により紫外線を照射しながら基板Gの各辺に沿って、例えば2往復又は3往復程度移動させることにより、基板Gの周縁部のみに露出した処理膜80を除去する。このように処理膜80が除去される際に処理膜80からガスが発生するが、これは吸引口92からの吸引により当該ガスを排気することができる。このような1つの吸引口92により、レジスト膜及び処理膜からのガスの両者を効率的に排出することができる。
【0052】
本実施形態によれば、この後の工程で露光装置32へ基板Gが搬送されても、従来のように、基板周縁部に露出した処理膜80からアミン系ガスを発生させることがないので露光装置32における露光レンズやミラー、その他の機器類を白濁させることを防止でき、露光装置32に対する悪影響を回避できる。また、露光装置32でなく、レジスト塗布処理の直後のプリベーキングユニット(PREBAKE)や、露光処理後の現像処理ユニット(DEV)等の装置や機器に対する悪影響を回避することができる。
【0053】
また、本実施形態においては、図11に示すように、移動機構94により移動する支持部材36に例えばエアシリンダ30を取り付けるようにしてもよい。そしてこのエアシリンダ30のピストン30aにリムーバヘッド93の基端部側を図示するように取り付けることにより、移動機構94による基板周縁部に沿った支持部材36の移動方向に対して直交する方向にリムーバヘッド93を移動させることができる。
【0054】
このような構成することにより、例えば、先ず図10(a)に示すように、リムーバヘッド93を基板周縁部に沿って例えば2往復又は3往復程度移動させることにより、基板Gの周縁部のみのレジスト膜70を取り除き、処理膜80を露出させる。そして次に、エアシリンダ30により、例えばリムーバヘッド93を基板Gから離間させる方向(図11に示すX方向)に所定距離だけ移動させる。そして、光ファイバー81により紫外線を照射しながら基板Gの各辺に沿って、例えば2往復又は3往復程度移動させることにより、基板Gの周縁部のみに露出した処理膜80を除去する。
【0055】
これにより、例えば、溶剤ノズル95によるシンナ吐出と光ファイバー81による紫外線照射とが、基板周縁部に沿った移動方向と同一移動直線状で行われることを防止できる。すなわち、溶剤ノズル95によりレジスト膜が除去された後の周縁部以外に残ったレジスト膜の際部分を光ファイバー81による紫外線照射により露光されてしまうことを防止することができる。
【0056】
また、このようなエアシリンダ30を設ける代わりに、溶剤ノズル95と光ファイバー81との位置関係を、図12(a),(b)に示すように、光ファイバー81を溶剤ノズル95より基板Gの外側ずらして配置させることによっても、リムーバヘッド93のY方向の移動のみを行えばよく、上記したような周縁部以外に残ったレジスト膜の際部分70aを光ファイバー81による紫外線照射により露光されてしまうことを防止することができる。
【0057】
更に、図11及び図12に示す形態を組み合わせて、図13に示すように、溶剤ノズル95によるシンナの吐出及び光ファイバー81による紫外線照射を同時に行いながら、ガラス基板Gの角部Aから順に、矢印方向にB→C→D→E→・・・というようにリムーバヘッド93を移動させ、レジスト膜70及び処理膜80を除去することもできる。この場合は、位置Aから位置Bの移動である最初のリムーバヘッド93の移動時には、溶剤ノズル95によるシンナの吐出のみ行ってレジスト膜を除去し、位置Bから位置Dの移動以降の移動においては、溶剤ノズル95によるシンナの吐出及び光ファイバー81による紫外線照射を同時に行うことにより、光ファイバー81が後を追うことでシンナ吐出により順じ露出されていく処理膜80を除去していくことができる。また、この場合、位置Aから位置Bまで及び位置Cから位置Dまでの移動を移動機構94により行い、位置Bから位置Cまで及び位置Dから位置Eまでの移動をエアシリンダ30により行わせるように制御する。
【0058】
このようなレジスト膜70の除去及び処理膜80の除去を同時に行うことにより、処理時間が短縮され、スループットの向上を図ることができる。なお、この場合は、リムーバヘッド93の基板周縁部に沿った移動速度を通常のリムーバヘッド93の速度より低くする等することにより、確実にレジスト膜70を除去し、また確実に処理膜80も除去することができる。
【0059】
次に、図14を参照して、本発明の別の実施形態について説明する。なお、図14において、図7、図8及び図9における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。
【0060】
図14を参照して、リムーバヘッド93の下部ヘッド構成材93bには、光ファイバー81の投光面81aに向けて洗浄液を噴出する洗浄ノズル66が取り付けられている。この洗浄ノズル66は、洗浄液供給管67を介して浄液供給源68に接続されており、これによりノズル66まで洗浄液を供給できるようになっている。また、洗浄液としては、例えば純水等を用いている。
【0061】
これにより、紫外線を照射して処理膜80を除去する際に発生するガスが、光ファイバー81の投光面81aに付着し投光面81aが白濁して汚染されても、例えば処理膜80の除去処理が終了した後に、基板ごとに、又は所定の基板の枚数ごとに、洗浄ノズル66により投光面81aに向けて洗浄液を噴出することにより、当該投光面81aの白濁を除去することができる。これにより、例えば光ファイバー81から照射される紫外線の強度が、投光面81aの付着物によって減少することを回避することができる。
【0062】
また、リムーバヘッド93に設けられている吸引口92からの吸引により、当該洗浄の際に飛散する洗浄液を、除去されたレジスト膜70や処理膜80、この処理膜80からの発生ガス等とともに排出することができ、この吸引口92からの吸引の効果は大きい。
【0063】
なお、洗浄ノズル66は、必ずしもリムーバヘッド93に固定されていなくてもよく、特に図示しないアーム等別途固定する手段等を設けるようにしてもよい。
【0064】
図15は、更に別の実施形態に係るエッジリムーバ(ER)48を示す概略斜視図である。本実施形態では、図6に示すエッジリムーバ(ER)48に加えて更にヒータ75が備えられている。このヒータ75は、例えばガラス基板Gの大きさとほぼ同一の大きさの長方形の枠状をなす中空の枠状部材88と、この枠状部材88を支持する支持部73と、枠状部材88を上下に昇降させるためのモータ72とを有している。
【0065】
図16は枠状部材88の断面図である。枠状部材88は、図示しない気体供給源から気体を取り入れる気体供給口74と、取り入れた気体を加熱する気体加熱室76と、加熱した気体をガラス基板G上の処理膜80に吹き付けるための気体噴出口85とを有する。また、気体を加熱する手段として、例えば気体加熱室76にニクロム線78を有する。
【0066】
本実施形態では、上記実施形態と同様に、先ず、溶剤ノズル95からシンナが吐出され、ガラス基板Gの周縁部の不要なレジスト膜が除去された後、リムーバヘッド93がガラス基板Gから離間し、一旦退去する。このリムーバヘッド93のガラス基板Gから離間は、上記したように図11で示すエアシリンダ30等により行わせることができる。
【0067】
次に、ヒータ75がガラス基板Gの上方からモータ72によって下降し、ガラス基板Gに近づく。そして、図17に示すようにヒータ75から温風又は熱風が噴出され、ガラス基板Gの周縁部を覆うアドヒージョン処理による処理膜を加熱する。
【0068】
次に、処理膜80が十分に加熱されたら、ヒータ75はモータ72によって上昇し、ガラス基板Gから遠ざかる。そして、再びリムーバヘッド93がガラス基板G周縁部の所定の位置まで接近し、光ファイバー81から射出される紫外線によって加熱された処理膜80の除去が行われる。
【0069】
このように、紫外線照射を行う前に予め処理膜80を加熱しておくことにより、紫外線照射による処理膜80の剥離作用を促進させることができる。
【0070】
図18は、光ファイバー部分の他の実施形態を示す。例えば円筒部材82には、多数の光ファイバーが束ねて設けられており、この円筒部材82の投光面には、光ファイバーの射出用の窓部82aが形成されている。この窓部は82aの一辺は、ガラス基板G周縁部のレジスト膜が除去され、処理膜が露出した破線で示す領域39の幅と同一又はこれ以下である矩形に形成されている。このような窓部82aの形状により、例えば、リムーバヘッドによる基板周縁部の1往路の移動のみにより、アドヒージョン処理による処理膜が露出した領域39を効率良く除去できる。これにより処理時間も低減しスループットの向上が図れる。
【0071】
図19では、光ファイバー81がリムーバヘッド93の下部ヘッド構成材93bに取り付けられており、その投光面81aを上部ヘッド構成材93aに向けて配置されている。この場合、基板Gはガラス基板であるので、この光ファイバー81により、ガラス基板Gの裏面Ga側から紫外線を透過させ、基板Gの表面に形成された処理膜80に照射することができる。これにより、例えば処理膜80に紫外線を照射させた際に発生するガスが、光ファイバー81の投光面81aを白濁させること等の悪影響を防止できる。
【0072】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【0073】
例えば、上記各実施形態において、アドヒージョン処理による処理膜を除去する手段として光ファイバー81を例としてあげてきたが、例えば、当該処理膜にオゾン水を供給することによってこれを除去することもできる。
【0074】
また、上記図15〜図17において処理膜を加熱する手段として温風又は熱風を用いることとしたが、これに限られることなく、例えば赤外線等によって加熱してもよい。
【0075】
また、処理膜80を除去するための光ファイバー81の移動は基板Gの一辺の往復でなく、1往路の移動のみであってもよい。また、レジスト膜を除去するためのリムーバヘッド93の移動回数が予め決められているのであれば、光ファイバー81を溶剤ノズル95に対して、リムーバヘッド93がレジスト膜除去のために最後に移動する進行方向の後方側に配置し、リムーバヘッド93が当該最後に移動する際に同時に光ファイバー81により紫外線を照射するようにしてもよい。これにより、更に処理時間を低減しスループットを向上させることができる。
【0076】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光装置の露光レンズやミラー等の機器を白濁させることを防止できる等、露光装置に対する悪影響を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図2】図1に示す塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1に示す塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】一実施形態に係るレジスト処理ブロックを示す平面図である。
【図5】図4に示すレジスト処理ブロックの側面図である。
【図6】本発明の一実施形態に係るエッジリムーバの概略斜視図である。
【図7】一実施形態に係るリムーバヘッドを示す断面図である。
【図8】図7に示すリムーバヘッドの平面図である。
【図9】図7に示すリムーバヘッドの正面図である。
【図10】(a)は、基板周縁部のレジスト膜除去作用、(b)はアドヒージョン処理による処理膜の除去作用を示す断面図である。
【図11】リムーバヘッドにエアシリンダを取り付けた状態を示す側面図である。
【図12】(a)は、溶剤ノズルと光ファイバーとの位置関係を示す平面図であり、(b)は、その処理膜の除去作用を示す側面図である。
【図13】基板周縁部をリムーバヘッドにより走査させる状態を示す平面図である。
【図14】洗浄ノズルを設けたリムーバヘッドの断面図である。
【図15】別の実施形態に係るエッジリムーバの概略斜視図である。
【図16】図15に示す枠状部材の断面図である。
【図17】ヒータの基板周縁部に対する加熱作用を示す斜視図である。
【図18】他の実施形態を示す光ファイバー部分の拡大斜視図である。
【図19】更に別の実施形態に係るリムーバヘッドの断面図である。
【符号の説明】
G…ガラス基板
S…処理空間
A、B、C、D、E…位置
Ga…裏面
48…エッジリムーバ
66…洗浄ノズル
70…レジスト膜
70a…際部分
75…ヒータ
80…処理膜
81…光ファイバー
81a…投光面
82a…窓部
92…吸引口
93…リムーバヘッド
93a…上部ヘッド構成材
93b…下部ヘッド構成材
94…移動機構
95…溶剤ノズル

Claims (21)

  1. HMDSガスによる膜とこのHMDSガスによる膜上に塗布されたレジスト膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部のレジスト膜を除去するレジスト膜除去手段と、
    前記レジスト膜が除去された基板周縁部に露出した前記HMDSガスによる膜を除去するHMDSガスによる膜除去手段と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項1に記載の基板処理装置において、
    前記HMDSガスによる膜は、アドヒージョン処理により形成される
    ことを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項1に記載の基板処理装置において、
    前記HMDSガスによる膜除去手段は、
    前記露出したHMDSガスによる膜に、前記レジスト膜を露光するための露光光の波長成分を含む光を照射する手段
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項3に記載の基板処理装置において、
    前記レジスト膜除去手段は、
    前記溶剤を吐出する溶剤ノズルを保持した保持部材と、
    前記保持部材を基板の周縁部に沿って移動させる周縁移動機構と
    を具備し、
    前記保持部材を前記周縁移動機構により移動させながら前記溶剤を吐出する
    ことを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項4に記載の基板処理装置において、
    前記保持部材に前記溶剤ノズルと一体的に取り付けられ、前記光を照射する光ファイバーを具備し、
    前記HMDSガスによる膜除去手段は、
    前記保持部材を前記周縁移動機構により移動させながら光を照射する
    ことを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項5に記載の基板処理装置において、
    前記光ファイバーと溶剤ノズルとが、前記保持部材の移動方向とほぼ平行に配置されている
    ことを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項6に記載の基板処理装置において、
    前記保持部材を前記移動方向と直交する方向に移動させる直交方向移動機構と、
    前記周縁部のレジスト膜を除去した後に、前記直交方向機構により前記保持部材を移動させ、該周縁部のHMDSガスによる膜を除去する手段と
    を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項5に記載の基板処理装置において、
    前記光ファイバーが前記溶剤ノズルよりも基板の外側に配置されている
    ことを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項8に記載の基板処理装置において、
    前記保持部材を前記移動方向と直交する方向に移動させる直交方向移動機構を更に具備し、
    保持部材を前記周縁移動機構及び直交方向移動機構によって交互に移動させつつ、前記周縁部のレジスト膜を除去するとともに、順次露出されていくHMDSガスによる膜を除去する
    ことを特徴とする基板処理装置。
  10. 請求項5に記載の基板処理装置において、
    前記光ファイバーの投光面に向けて洗浄液を噴出する洗浄ノズル
    を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項10に記載の基板処理装置において、
    前記洗浄ノズルは、前記保持部材に取り付けられている
    ことを特徴とする基板処理装置。
  12. 請求項5に記載の基板処理装置において、
    前記HMDSガスによる膜を除去する際に当該HMDSガスによる膜から発生するガスを排気する手段
    を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  13. 請求項12に記載の基板処理装置において、
    前記排気手段は、
    前記洗浄ノズルにより洗浄した後の光ファイバーの投光面を乾燥させる手段
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  14. 請求項5に記載の基板処理装置において、
    前記光ファイバーの投光面は、一辺が、ほぼ前記露出したHMDSガスによる膜の幅と同じ長さを有する矩形でなる
    ことを特徴とする基板処理装置。
  15. 請求項5に記載の基板処理装置において、
    前記光ファイバーによる光の照射は、前記レジスト膜が塗布された基板面の裏面側から行う
    ことを特徴とする基板処理装置。
  16. 請求項1に記載の基板処理装置において、
    前記基板周縁部のHMDSガスによる膜を加熱する手段
    を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
  17. 請求項1に記載の基板処理装置において、
    前記HMDSガスによる膜除去手段は、
    前記露出したHMDSガスによる膜に、オゾン水を供給する手段
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  18. HMDSガスによる膜とこのHMDSガスによる膜上に塗布されたレジスト膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部のレジスト膜を除去する工程と、
    前記レジスト膜が除去された基板周縁部に露出した前記HMDSガスによる膜を除去する工程と
    を具備することを特徴とする基板処理方法。
  19. 請求項18に記載の基板処理方法において、
    前記HMDSガスによる膜は、アドヒージョン処理により形成される
    ことを特徴とする基板処理方法。
  20. 請求項18に記載の基板処理方法において、
    前記HMDSガスによる膜の除去工程は、基板の露光処理前に行う
    ことを特徴とする基板処理方法。
  21. 請求項18に記載の基板処理方法において、
    前記HMDSガスによる膜の除去工程は、
    前記露出したHMDSガスによる膜に、前記露光処理における露光光の波長成分を含む光を照射する工程を含む
    ことを特徴とする基板処理方法。
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