JP2003218007A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光装置に悪影響を与えずに基板周縁部のレ
ジスト膜を除去できる基板処理装置及び基板処理方法を
提供すること。 【解決手段】 （ａ）に示すように、移動機構９４によ
り溶剤ノズル９５からシンナを吐出しながら基板Ｇの各
辺に沿って、例えば２往復又は３往復程度移動させるこ
とにより、基板Ｇの周縁部のみのレジスト膜７０を取り
除き、アドヒージョン処理が行われた際に形成されたＨ
ＭＤＳガスによる処理膜８０を露出させる。次に、
（ｂ）に示すように、光ファイバー８１により紫外線を
照射しながら基板Ｇの各辺に沿って、例えば２往復又は
３往復程度移動させることにより、基板Ｇの周縁部のみ
に露出した処理膜８０を除去する。これにより、基板Ｇ
周縁部に露出した処理膜８０からアミン系ガスを発生さ
せることがないので露光装置における露光レンズやミラ
ー、その他の機器類を白濁させることを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示デバイス
等に使用されるガラス基板に形成された処理膜等を除去
する基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤ（Liquid Crystal Display：ＬＣ
Ｄ）等の製造工程においては、被処理体であるＬＣＤ用
のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や
電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造
に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利
用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジス
トをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像す
る。

【０００３】また、これらレジスト塗布、露光及び現像
の各工程の前後においては、所定の加熱処理や冷却処理
を行っており、特に、レジストの塗布処理の前工程にお
いては、アドヒージョン処理を行っている。このアドヒ
ージョン処理とは、ガラス基板とレジスト膜との密着性
を向上させるために、ガラス基板にアンモニア系のガス
（一般にはＨＭＤＳガスが使用されている。）を蒸気状
にして塗布している。

【０００４】そして、このアドヒージョン処理後レジス
ト膜が塗布されるが、後にパーティクルの発生を防止す
るために、レジスト膜塗布処理後にガラス基板の周縁部
に塗布された余分なレジスト膜をシンナ等の溶剤により
除去している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この周
縁部のレジスト除去処理がなされた後、ガラス基板は露
光装置に搬送されて露光処理されるが、このとき露光装
置における露光レンズやミラー等が白濁するといった問
題が発生している。これは、レジスト膜の下に塗布され
たＨＭＤＳガスによる膜が、基板周縁部のレジスト膜を
除去した後に当該周縁部に露出し、この部分からＨＭＤ
Ｓガスを構成するアミン系のガス、例えば硫化アンモニ
ウムが発生して、この発生したガスが露光装置のレンズ
やミラー等に付着することが原因と考えられる。このよ
うな問題により、例えば所定の露光量で露光できない
等、露光処理に不具合が生じている。

【０００６】以上のような事情に鑑み、本発明の目的
は、露光装置に悪影響を与えずに基板周縁部のレジスト
膜を除去できる基板処理装置及び基板処理方法を提供す
ることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る基板処理装置は、処理膜とこの処理膜
上に塗布された塗布膜とが形成された基板の基板周縁部
に溶剤を吐出して、該周縁部の塗布膜を除去する塗布膜
除去手段と、前記塗布膜が除去された基板周縁部に露出
した前記処理膜を除去する処理膜除去手段とを具備する
ことを特徴とする。

【０００８】このような構成によれば、塗布膜除去手段
によって塗布膜が除去された後、露出した処理膜が処理
膜除去手段によって除去される。これにより、露光装置
における露光レンズやミラー等が白濁する原因となる、
例えばアドヒージョン処理により形成された処理膜を除
去することができるため、露光装置に悪影響を与えずに
基板周縁部の塗布膜を除去できる。

【０００９】塗布膜処理手段として、溶剤ノズルを基板
周縁部に沿って移動させながら溶剤を吐出することによ
り塗布膜を除去することが考えられる。また、処理膜除
去手段として、例えば光ファイバーを基板周縁部に沿っ
て移動させながらこの光ファイバーから光を照射するこ
とにより処理膜を除去することが考えられ、さらに処理
膜にオゾン水を供給することによって当該処理膜を除去
することも考えられる。

【００１０】本発明の一の形態によれば、光ファイバー
による光は、前記塗布膜を露光するための露光光の波長
成分を含む光を用いることが好ましい。

【００１１】また、塗布膜を除去した後に露出する処理
膜を加熱する加熱手段を有してもよい。このように、光
の照射を行う前に予め処理膜を加熱しておくことによ
り、光照射による処理膜の剥離作用を促進させることが
できる。

【００１２】本発明の一の形態によれば、前記塗布膜除
去手段は、前記溶剤を吐出する溶剤ノズルを保持した保
持部材と、前記保持部材を基板の周縁部に沿って移動さ
せる周縁移動機構とを具備し、前記保持部材を前記周縁
移動機構により移動させながら前記溶剤を吐出すること
を特徴とする。このような構成によれば、保持部材を移
動させながら溶剤を吐出することができるため、効率良
く塗布膜及び処理膜を除去することができる。また、保
持部材に光ファイバーが固定されている場合には、保持
部材を移動させながら光を照射することができるため、
効率良く処理膜を除去することができる。

【００１３】この光ファイバーの投光面は、一辺が、ほ
ぼ前記露出した処理膜の幅と同じ長さを有する矩形でな
ることが望ましい。これにより、例えば保持部材よる基
板周縁部の１往路の移動のみにより、処理膜が露出した
領域を効率良く除去できる。また、光ファイバーによる
光の照射は、前記塗布膜が塗布された基板面の裏面側か
ら行ってもよい。例えば基板がガラス基板である場合に
は、裏面側から光を照射してもガラス基板の表面側に光
を透過させることができる。

【００１４】本発明の一の形態によれば、前記光ファイ
バーと溶剤ノズルとが、前記保持部材の移動方向とほぼ
平行に配置されていることを特徴とする。この場合、保
持部材に前記移動方向と直交する方向に移動させる直交
移動機構を設けることが望ましい。これにより、保持部
材を前記直交方向に移動させ、溶剤ノズル及び光ファイ
バーを処理膜上で、この処理膜の幅方向に移動させるこ
とができるようになる。従って、溶剤ノズル及び光ファ
イバーによって処理膜が除去される範囲が広くなり、的
確に処理膜が除去されることとなる。

【００１５】本発明の一の形態によれば、前記光ファイ
バーが前記溶剤ノズルよりも基板の外側に配置されてい
ることを特徴とする。このような構成によれば、保持部
材の基板周縁部に沿った移動のみを行い、基板周縁部の
塗布膜が除去された後に残った塗布膜を光ファイバーに
よる光照射により露光されてしまうことを防止すること
ができる。

【００１６】本発明の一の形態によれば、前記保持部材
を前記移動方向と直交する方向に移動させる直交方向移
動機構を更に具備し、保持部材を前記周縁移動機構及び
直交方向移動機構によって交互に移動させつつ、前記周
縁部の塗布膜を除去するとともに、順次露出されていく
処理膜を除去することを特徴とする。このように、光フ
ァイバーが後追いで溶剤吐出により順じ露出されていく
処理膜を除去していくことにより、光ファイバーによっ
て処理膜が除去される範囲が広くなり、的確に処理膜が
除去されることとなり、塗布膜及び処理膜を効率的かつ
迅速に除去することができる。

【００１７】本発明の一の形態によれば、前記光ファイ
バーの投光面に向けて洗浄液を噴出する洗浄ノズルを更
に具備することを特徴とする。光が照射されることによ
りガス化した処理膜が光ファイバーの投光面に付着し当
該光ファイバーの投光面を白濁させると、光ファイバー
の投光面のその付着物によって、基板に一定した光照射
が得られなくなる可能性が考えられる。本発明では、光
ファイバーの投光面の白濁を洗浄液で洗浄することによ
り、かかる事態を回避することができる。また、本発明
の洗浄ノズルは保持部材と一体的に移動できるように、
保持部材に取り付けられていることもできる。

【００１８】本発明の一の形態によれば、前記処理膜を
除去する際に当該処理膜から発生するガスを排出する手
段を更に具備することを特徴とする。このような構成に
よれば、光照射によってガス化した処理膜を排気するこ
とができる。これにより、上述した光ファイバーの投光
面の白濁を防止することができ、又、装置や機器類の汚
染を防止することができる。また、この排出する手段を
設けることにより、当該洗浄の際に飛散する洗浄液を、
除去された塗布膜や処理膜、この処理膜からの発生ガス
等とともに排出することができ、更に、光ファイバーの
投光面をも乾燥させることができる。

【００１９】本発明に係る基板処理方法は、処理膜とこ
の処理膜上に塗布された塗布膜とが形成された基板の基
板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部の塗布膜を除去す
る工程と、前記塗布膜が除去された基板周縁部に露出し
た前記処理膜を除去する工程とを具備することを特徴と
する。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。

【００２１】図１は本発明の搬送装置が適用されるＬＣ
Ｄ基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図
２はその正面図、また図３はその背面図である。

【００２２】この塗布現像処理システム１は、複数のガ
ラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットス
テーション２と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む
一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処
理部３と、露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行
うためのインターフェース部４とを備えており、処理部
３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインタ
ーフェース部４が配置されている。

【００２３】カセットステーション２は、カセットＣと
処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション２
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送ア
ーム１１によりカセットＣと処理部３との間で基板Ｇの
搬送が行われる。

【００２４】処理部３には、カセットステーション２に
おけるカセットＣの配列方向（Ｙ方向）に垂直方向（Ｘ
方向）に延設された主搬送部３ａと、この主搬送部３ａ
に沿って、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）を含む各
処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニ
ット（ＤＥＶ）１８を含む各処理ユニットが並設された
下流部３ｃとが設けられている。

【００２５】主搬送部３ａには、Ｘ方向に延設された搬
送路３１と、この搬送路３１に沿って移動可能に構成さ
れガラス基板ＧをＸ方向に搬送する搬送シャトル２３と
が設けられている。この搬送シャトル２３は、例えば支
持ピンにより基板Ｇを保持して搬送するようになってい
る。また、主搬送部３ａのインターフェース部４側端部
には、処理部３とインターフェース部４との間で基板Ｇ
の受け渡しを行う垂直搬送ユニット７が設けられてい
る。

【００２６】上流部３ｂにおいて、カセットステーショ
ン２側端部には、基板Ｇに洗浄処理を施すスクラバ洗浄
処理ユニット（ＳＣＲ）２０が設けられ、このスクラバ
洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の上段に基板Ｇ上の有
機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−
ＵＶ）１９が配設されている。

【００２７】スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０
の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニッ
トが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４及び２
５が配置されている。これら熱処理系ブロック２４と２
５との間には、垂直搬送ユニット５が配置され、搬送ア
ーム５ａがＺ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつ
θ方向に回動可能とされているので、両ブロック２４及
び２５における各熱処理系ユニットにアクセスして基板
Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理
部３における垂直搬送ユニット７についてもこの垂直搬
送ユニット５と同一の構成を有している。

【００２８】図２に示すように、熱処理系ブロック２４
には、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキ
ングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより
疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下
から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２５
には、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（Ｃ
ＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下か
ら順に積層されている。

【００２９】熱処理系ブロック２５に隣接してレジスト
処理ブロック１５がＸ方向に延設されている。このレジ
スト処理ブロック１５は、基板Ｇにレジストを塗布する
レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）４９と、減圧により
前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット
（ＶＤ）４０と、本発明に係る基板Ｇの周縁部のレジス
トを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）４８とが一体的に
設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック
１５には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）４９から
エッジリムーバ（ＥＲ）４８にかけて移動する図示しな
いサブアームが設けられており、このサブアームにより
レジスト処理ブロック１５内で基板Ｇが搬送されるよう
になっている。

【００３０】レジスト処理ブロック１５に隣接して多段
構成の熱処理系ブロック２６が配設されており、この熱
処理系ブロック２６には、基板Ｇにレジスト塗布後の加
熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）が３段積層されている。

【００３１】下流部３ｃにおいては、図３に示すよう
に、インターフェース部４側端部には、熱処理系ブロッ
ク２９が設けられており、これには、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポス
トエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫ
Ｅ）が２段、下から順に積層されている。

【００３２】熱処理系ブロック２９に隣接して現像処理
を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８がＸ方向に延設
されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８の隣
には熱処理系ブロック２８及び２７が配置され、これら
熱処理系ブロック２８と２７との間には、上記垂直搬送
ユニット５と同一の構成を有し、両ブロック２８及び２
７における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬
送ユニット６が設けられている。また、現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）１８端部の上には、ｉ線処理ユニット（ｉ
―ＵＶ）３３が設けられている。

【００３３】熱処理系ブロック２８には、クーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポ
ストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下か
ら順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２７も
同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層
されている。

【００３４】インターフェース部４には、正面側にタイ
トラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２
２が設けられ、垂直搬送ユニット７に隣接してエクステ
ンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が、
また背面側にはバッファカセット３４が配置されてお
り、これらタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌ
ｅｒ／ＥＥ）２２とエクステンションクーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４と隣接
した露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直
搬送ユニット８が配置されている。この垂直搬送ユニッ
ト８も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有してい
る。

【００３５】以上のように構成された塗布現像処理シス
テム１の処理工程については、先ずカセットＣ内の基板
Ｇが処理部３部における上流部３ｂに搬送される。上流
部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１
９において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にス
クラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０において、基板
Ｇが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行
われる。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直
搬送ユニットにおける搬送アーム５ａにより基板Ｇが取
り出され、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニッ
ト（ＢＡＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット
（ＡＤ）にて、ガラス基板Ｇとレジスト膜との密着性を
高めるため、基板ＧにＨＭＤＳガスを噴霧する処理が行
われる。この後、熱処理系ブロック２５のクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）による冷却処理が行われる。

【００３６】次に、基板Ｇは搬送アーム５ａから搬送シ
ャトル２３に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＴ）に搬送され、レジストの塗布処理が行わ
れた後、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）にて減圧乾燥処
理、エッジリムーバ（ＥＲ）４８にて基板周縁のレジス
ト除去処理が順次行われる。

【００３７】次に、基板Ｇは搬送シャトル２３から垂直
搬送ユニット７の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブ
ロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢ
ＡＫＥ）にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック
２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処
理が行われる。続いて基板Ｇはエクステンションクーリ
ングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５にて冷却処理される
とともに露光装置にて露光処理される。

【００３８】次に、基板Ｇは垂直搬送ユニット８及び７
の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエ
クスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に
搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユ
ニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板
Ｇは垂直搬送ユニット７の搬送アームを介して、現像処
理ユニット（ＤＥＶ）１８において基板Ｇは略水平に搬
送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行わ
れる。

【００３９】次に、基板Ｇは熱処理系ブロック２８にお
ける最下段から垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａに
より受け渡され、熱処理系ブロック２８又は２７におけ
るポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）にて加熱
処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却
処理が行われる。そして基板Ｇは搬送機構１０に受け渡
されカセットＣに収容される。

【００４０】図４及び図５は、レジスト処理ブロック１
５を示す概略平面図及び概略側面図である。これらレジ
スト塗布ユニット（ＣＴ）４９、減圧乾燥ユニット（Ｖ
Ｄ）４０、及びエッジリムーバ（ＥＲ）４８は、図示す
るように同一のステージに一体的に並列されている。

【００４１】減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４０は、下部チ
ャンバ６１と、その上を覆うように設けられ、その内部
の処理空間を気密に維持する上部チャンバ６２とを有し
ている。下部チャンバ６１には、基板Ｇを載置するため
のステージ６３が設けられ、下部チャンバ６１の各コー
ナー部には、４個の排気口６４が設けられ、この排気口
６４に連通された排気管６５がターボ分子排気ポンプ等
の排気ポンプ（図示略）に接続されている。そして、下
部チャンバ６１と上部チャンバ６２とが密着した状態で
その中の処理空間を排気することにより、所定の真空度
に減圧されるように構成されている。

【００４２】また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４９
のほぼ中央には、有底円筒状のカップ７１が配置され、
カップ７１内にはガラス基板Ｇを固定保持するための保
持部材である基板吸着テーブル５８が配置されている。

【００４３】これらレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４
９、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４０、及びエッジリムー
バ（ＥＲ）４８間における基板Ｇの搬送はアーム４１，
４２により行われるようになっている。

【００４４】次に本発明の一実施形態に係るエッジリム
ーバ（ＥＲ）４８について説明する。図６に示すよう
に、ガラス基板Ｇを載置させるためのステージ９１が設
けられている。このステージ９１にガラス基板Ｇが載置
された状態において、ガラス基板Ｇの周縁部である四辺
には、それぞれ、ガラス基板Ｇの周縁部のエッジから余
分なレジストを除去するための４個のリムーバヘッド９
３が基板Ｇの四辺に沿って移動可能に設けられている。
この四辺に沿った移動は移動機構９４により行われるよ
うに構成されており、この移動機構９４は、各リムーバ
ヘッド９３を支持する支持部材３６と、この支持部材３
６を基板Ｇの四辺に平行に移動させる例えば図示しない
ベルト駆動機構とを有している。

【００４５】図７、図８及び図９は上記リムーバヘッド
９３の断面図、平面図及び正面図である。図７に示すよ
うに、リムーバヘッド９３は、上部ヘッド構成材９３ａ
と下部ヘッド構成材９３ｂを有し、これらを上下方向に
対向させ処理空間Ｓを備えた断面略コ字状に形成されて
いる。また、このリムーバヘッド９３は、このリムーバ
ヘッド９３の基端部側に通じる吸引口９２を有し、この
吸引口９２には、図示しない真空ポンプ等に接続され処
理空間Ｓ内の雰囲気が吸引されるようになっている。

【００４６】上部ヘッド構成材９３ａには、上部ヘッド
構成材９３ａと下部ヘッド構成材９３ｂとの間の処理空
間Ｓ内に基板Ｇの周縁部を位置させた際に、不要なレジ
スト膜７０を除去する部分に向けて溶剤を吐出するため
の溶剤ノズル９５が固定されている。溶剤ノズル９５に
は、別設の例えばタンク等を備えた溶剤供給源９６か
ら、供給管２１を介して窒素ガス等による圧送により溶
剤、例えばシンナが所定圧で供給されるようになってい
る。これにより、各リムーバヘッド９３は、基板Ｇの各
辺に沿って移動してシンナを吐出しながら、基板Ｇの四
辺のエッジに付着した余分なレジスト膜７０を取り除く
ことができる。

【００４７】溶剤ノズル９５は、細い線材の中に吐出口
と同径の流通部（図示せず）が形成されてなる中空構造
を有する。一般的に使用されている例えば溶剤ノズル９
５の吐出口の直径は約２６０μｍ程度である。そしてタ
ンク９６に加えられる窒素ガスの圧力は、約１ｋｇ／ｃ
ｍ２程度であり、これによって毎分４０ｍｌ程度の溶剤
が基板Ｇの表裏面の周縁部に対して吐出され、不要なレ
ジスト膜７０が溶解され基板Ｇ上から除去されるように
なっている。本実施形態では、例えば図８に示すように
基板Ｇの端部から０．５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲でレジス
ト膜を除去することが可能となっている。また、吐出さ
れた溶剤や溶解したレジスト液は、上記吸引口９２から
吸引されて外部へと排出されるようになっている。

【００４８】また、上部ヘッド構成材９３ａには、光フ
ァイバー８１がその投光面８１ａを基板Ｇ側に向けて固
定されており、図示しない光源に接続されている。この
光ファイバー８１と溶剤ノズル９５との位置関係は、例
えば図８に示すように、基板Ｇの一辺とほぼ平行とされ
ている。この光ファイバー８１は、レジスト膜７０の下
層に形成された基板周縁部の処理膜８０を除去する目的
で設けられ、各リムーバヘッド９３が基板Ｇの各辺に沿
って移動することにより、例えば光ファイバー８１によ
り紫外線を照射しながら、基板Ｇの四辺の周縁部に付着
した余分な処理膜８０が除去されるようになっている。
ここで用いる紫外線は、例えば、上記露光装置３２の露
光処理で使用する露光波長成分を含む光を使用すること
が好ましい。なお、各リムーバヘッド９３の移動、溶剤
ノズル９５からのシンナの供給及び停止、光ファイバー
８１による紫外線の照射及び停止等は、図示しない制御
部により制御されるようになっている。

【００４９】次に、このように構成されたエッジリムー
バ（ＥＲ）４８の作用について説明する。

【００５０】レジスト膜が形成されたガラス基板Ｇが、
エッジリムーバ（ＥＲ）４８におけるステージ９１に載
置される。そして、各リムーバヘッド９３がそれぞれ基
板Ｇの角部の所定の位置に配置され、図１０（ａ）に示
すように、移動機構９４により溶剤ノズル９５からシン
ナを吐出しながら基板Ｇの各辺に沿って、例えば２往復
又は３往復程度移動させることにより、基板Ｇの周縁部
のみのレジスト膜７０を取り除き、処理膜８０を露出さ
せる。このとき、除去されたレジスト膜がレジスト溶解
に使用されたシンナとともに、吸引口９２より吸引され
排出される。この処理膜８０は、上記アドヒージョン処
理が行われた際に形成されたＨＭＤＳガスによる処理膜
である。

【００５１】次に、図１０（ｂ）に示すように、光ファ
イバー８１により紫外線を照射しながら基板Ｇの各辺に
沿って、例えば２往復又は３往復程度移動させることに
より、基板Ｇの周縁部のみに露出した処理膜８０を除去
する。このように処理膜８０が除去される際に処理膜８
０からガスが発生するが、これは吸引口９２からの吸引
により当該ガスを排気することができる。このような１
つの吸引口９２により、レジスト膜及び処理膜からのガ
スの両者を効率的に排出することができる。

【００５２】本実施形態によれば、この後の工程で露光
装置３２へ基板Ｇが搬送されても、従来のように、基板
周縁部に露出した処理膜８０からアミン系ガスを発生さ
せることがないので露光装置３２における露光レンズや
ミラー、その他の機器類を白濁させることを防止でき、
露光装置３２に対する悪影響を回避できる。また、露光
装置３２でなく、レジスト塗布処理の直後のプリベーキ
ングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）や、露光処理後の現像
処理ユニット（ＤＥＶ）等の装置や機器に対する悪影響
を回避することができる。

【００５３】また、本実施形態においては、図１１に示
すように、移動機構９４により移動する支持部材３６に
例えばエアシリンダ３０を取り付けるようにしてもよ
い。そしてこのエアシリンダ３０のピストン３０ａにリ
ムーバヘッド９３の基端部側を図示するように取り付け
ることにより、移動機構９４による基板周縁部に沿った
支持部材３６の移動方向に対して直交する方向にリムー
バヘッド９３を移動させることができる。

【００５４】このような構成することにより、例えば、
先ず図１０（ａ）に示すように、リムーバヘッド９３を
基板周縁部に沿って例えば２往復又は３往復程度移動さ
せることにより、基板Ｇの周縁部のみのレジスト膜７０
を取り除き、処理膜８０を露出させる。そして次に、エ
アシリンダ３０により、例えばリムーバヘッド９３を基
板Ｇから離間させる方向（図１１に示すＸ方向）に所定
距離だけ移動させる。そして、光ファイバー８１により
紫外線を照射しながら基板Ｇの各辺に沿って、例えば２
往復又は３往復程度移動させることにより、基板Ｇの周
縁部のみに露出した処理膜８０を除去する。

【００５５】これにより、例えば、溶剤ノズル９５によ
るシンナ吐出と光ファイバー８１による紫外線照射と
が、基板周縁部に沿った移動方向と同一移動直線状で行
われることを防止できる。すなわち、溶剤ノズル９５に
よりレジスト膜が除去された後の周縁部以外に残ったレ
ジスト膜の際部分を光ファイバー８１による紫外線照射
により露光されてしまうことを防止することができる。

【００５６】また、このようなエアシリンダ３０を設け
る代わりに、溶剤ノズル９５と光ファイバー８１との位
置関係を、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、光ファ
イバー８１を溶剤ノズル９５より基板Ｇの外側ずらして
配置させることによっても、リムーバヘッド９３のＹ方
向の移動のみを行えばよく、上記したような周縁部以外
に残ったレジスト膜の際部分７０ａを光ファイバー８１
による紫外線照射により露光されてしまうことを防止す
ることができる。

【００５７】更に、図１１及び図１２に示す形態を組み
合わせて、図１３に示すように、溶剤ノズル９５による
シンナの吐出及び光ファイバー８１による紫外線照射を
同時に行いながら、ガラス基板Ｇの角部Ａから順に、矢
印方向にＢ→Ｃ→Ｄ→Ｅ→・・・というようにリムーバ
ヘッド９３を移動させ、レジスト膜７０及び処理膜８０
を除去することもできる。この場合は、位置Ａから位置
Ｂの移動である最初のリムーバヘッド９３の移動時に
は、溶剤ノズル９５によるシンナの吐出のみ行ってレジ
スト膜を除去し、位置Ｂから位置Ｄの移動以降の移動に
おいては、溶剤ノズル９５によるシンナの吐出及び光フ
ァイバー８１による紫外線照射を同時に行うことによ
り、光ファイバー８１が後を追うことでシンナ吐出によ
り順じ露出されていく処理膜８０を除去していくことが
できる。また、この場合、位置Ａから位置Ｂまで及び位
置Ｃから位置Ｄまでの移動を移動機構９４により行い、
位置Ｂから位置Ｃまで及び位置Ｄから位置Ｅまでの移動
をエアシリンダ３０により行わせるように制御する。

【００５８】このようなレジスト膜７０の除去及び処理
膜８０の除去を同時に行うことにより、処理時間が短縮
され、スループットの向上を図ることができる。なお、
この場合は、リムーバヘッド９３の基板周縁部に沿った
移動速度を通常のリムーバヘッド９３の速度より低くす
る等することにより、確実にレジスト膜７０を除去し、
また確実に処理膜８０も除去することができる。

【００５９】次に、図１４を参照して、本発明の別の実
施形態について説明する。なお、図１４において、図
７、図８及び図９における構成要素と同一のものについ
ては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。

【００６０】図１４を参照して、リムーバヘッド９３の
下部ヘッド構成材９３ｂには、光ファイバー８１の投光
面８１ａに向けて洗浄液を噴出する洗浄ノズル６６が取
り付けられている。この洗浄ノズル６６は、洗浄液供給
管６７を介して浄液供給源６８に接続されており、これ
によりノズル６６まで洗浄液を供給できるようになって
いる。また、洗浄液としては、例えば純水等を用いてい
る。

【００６１】これにより、紫外線を照射して処理膜８０
を除去する際に発生するガスが、光ファイバー８１の投
光面８１ａに付着し投光面８１ａが白濁して汚染されて
も、例えば処理膜８０の除去処理が終了した後に、基板
ごとに、又は所定の基板の枚数ごとに、洗浄ノズル６６
により投光面８１ａに向けて洗浄液を噴出することによ
り、当該投光面８１ａの白濁を除去することができる。
これにより、例えば光ファイバー８１から照射される紫
外線の強度が、投光面８１ａの付着物によって減少する
ことを回避することができる。

【００６２】また、リムーバヘッド９３に設けられてい
る吸引口９２からの吸引により、当該洗浄の際に飛散す
る洗浄液を、除去されたレジスト膜７０や処理膜８０、
この処理膜８０からの発生ガス等とともに排出すること
ができ、この吸引口９２からの吸引の効果は大きい。

【００６３】なお、洗浄ノズル６６は、必ずしもリムー
バヘッド９３に固定されていなくてもよく、特に図示し
ないアーム等別途固定する手段等を設けるようにしても
よい。

【００６４】図１５は、更に別の実施形態に係るエッジ
リムーバ（ＥＲ）４８を示す概略斜視図である。本実施
形態では、図６に示すエッジリムーバ（ＥＲ）４８に加
えて更にヒータ７５が備えられている。このヒータ７５
は、例えばガラス基板Ｇの大きさとほぼ同一の大きさの
長方形の枠状をなす中空の枠状部材８８と、この枠状部
材８８を支持する支持部７３と、枠状部材８８を上下に
昇降させるためのモータ７２とを有している。

【００６５】図１６は枠状部材８８の断面図である。枠
状部材８８は、図示しない気体供給源から気体を取り入
れる気体供給口７４と、取り入れた気体を加熱する気体
加熱室７６と、加熱した気体をガラス基板Ｇ上の処理膜
８０に吹き付けるための気体噴出口８５とを有する。ま
た、気体を加熱する手段として、例えば気体加熱室７６
にニクロム線７８を有する。

【００６６】本実施形態では、上記実施形態と同様に、
先ず、溶剤ノズル９５からシンナが吐出され、ガラス基
板Ｇの周縁部の不要なレジスト膜が除去された後、リム
ーバヘッド９３がガラス基板Ｇから離間し、一旦退去す
る。このリムーバヘッド９３のガラス基板Ｇから離間
は、上記したように図１１で示すエアシリンダ３０等に
より行わせることができる。

【００６７】次に、ヒータ７５がガラス基板Ｇの上方か
らモータ７２によって下降し、ガラス基板Ｇに近づく。
そして、図１７に示すようにヒータ７５から温風又は熱
風が噴出され、ガラス基板Ｇの周縁部を覆うアドヒージ
ョン処理による処理膜を加熱する。

【００６８】次に、処理膜８０が十分に加熱されたら、
ヒータ７５はモータ７２によって上昇し、ガラス基板Ｇ
から遠ざかる。そして、再びリムーバヘッド９３がガラ
ス基板Ｇ周縁部の所定の位置まで接近し、光ファイバー
８１から射出される紫外線によって加熱された処理膜８
０の除去が行われる。

【００６９】このように、紫外線照射を行う前に予め処
理膜８０を加熱しておくことにより、紫外線照射による
処理膜８０の剥離作用を促進させることができる。

【００７０】図１８は、光ファイバー部分の他の実施形
態を示す。例えば円筒部材８２には、多数の光ファイバ
ーが束ねて設けられており、この円筒部材８２の投光面
には、光ファイバーの射出用の窓部８２ａが形成されて
いる。この窓部は８２ａの一辺は、ガラス基板Ｇ周縁部
のレジスト膜が除去され、処理膜が露出した破線で示す
領域３９の幅と同一又はこれ以下である矩形に形成され
ている。このような窓部８２ａの形状により、例えば、
リムーバヘッドによる基板周縁部の１往路の移動のみに
より、アドヒージョン処理による処理膜が露出した領域
３９を効率良く除去できる。これにより処理時間も低減
しスループットの向上が図れる。

【００７１】図１９では、光ファイバー８１がリムーバ
ヘッド９３の下部ヘッド構成材９３ｂに取り付けられて
おり、その投光面８１ａを上部ヘッド構成材９３ａに向
けて配置されている。この場合、基板Ｇはガラス基板で
あるので、この光ファイバー８１により、ガラス基板Ｇ
の裏面Ｇａ側から紫外線を透過させ、基板Ｇの表面に形
成された処理膜８０に照射することができる。これによ
り、例えば処理膜８０に紫外線を照射させた際に発生す
るガスが、光ファイバー８１の投光面８１ａを白濁させ
ること等の悪影響を防止できる。

【００７２】本発明は以上説明した実施形態には限定さ
れるものではなく、種々の変形が可能である。

【００７３】例えば、上記各実施形態において、アドヒ
ージョン処理による処理膜を除去する手段として光ファ
イバー８１を例としてあげてきたが、例えば、当該処理
膜にオゾン水を供給することによってこれを除去するこ
ともできる。

【００７４】また、上記図１５〜図１７において処理膜
を加熱する手段として温風又は熱風を用いることとした
が、これに限られることなく、例えば赤外線等によって
加熱してもよい。

【００７５】また、処理膜８０を除去するための光ファ
イバー８１の移動は基板Ｇの一辺の往復でなく、１往路
の移動のみであってもよい。また、レジスト膜を除去す
るためのリムーバヘッド９３の移動回数が予め決められ
ているのであれば、光ファイバー８１を溶剤ノズル９５
に対して、リムーバヘッド９３がレジスト膜除去のため
に最後に移動する進行方向の後方側に配置し、リムーバ
ヘッド９３が当該最後に移動する際に同時に光ファイバ
ー８１により紫外線を照射するようにしてもよい。これ
により、更に処理時間を低減しスループットを向上させ
ることができる。

【００７６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光装置の露光レンズやミラー等の機器を白濁させるこ
とを防止できる等、露光装置に対する悪影響を防止する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システ
ムの全体構成を示す平面図である。

【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図であ
る。

【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図であ
る。

【図４】一実施形態に係るレジスト処理ブロックを示す
平面図である。

【図５】図４に示すレジスト処理ブロックの側面図であ
る。

【図６】本発明の一実施形態に係るエッジリムーバの概
略斜視図である。

【図７】一実施形態に係るリムーバヘッドを示す断面図
である。

【図８】図７に示すリムーバヘッドの平面図である。

【図９】図７に示すリムーバヘッドの正面図である。

【図１０】（ａ）は、基板周縁部のレジスト膜除去作
用、（ｂ）はアドヒージョン処理による処理膜の除去作
用を示す断面図である。

【図１１】リムーバヘッドにエアシリンダを取り付けた
状態を示す側面図である。

【図１２】（ａ）は、溶剤ノズルと光ファイバーとの位
置関係を示す平面図であり、（ｂ）は、その処理膜の除
去作用を示す側面図である。

【図１３】基板周縁部をリムーバヘッドにより走査させ
る状態を示す平面図である。

【図１４】洗浄ノズルを設けたリムーバヘッドの断面図
である。

【図１５】別の実施形態に係るエッジリムーバの概略斜
視図である。

【図１６】図１５に示す枠状部材の断面図である。

【図１７】ヒータの基板周縁部に対する加熱作用を示す
斜視図である。

【図１８】他の実施形態を示す光ファイバー部分の拡大
斜視図である。

【図１９】更に別の実施形態に係るリムーバヘッドの断
面図である。

【符号の説明】

Ｇ…ガラス基板 Ｓ…処理空間 Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ…位置 Ｇａ…裏面 ４８…エッジリムーバ ６６…洗浄ノズル ７０…レジスト膜 ７０ａ…際部分 ７５…ヒータ ８０…処理膜 ８１…光ファイバー ８１ａ…投光面 ８２ａ…窓部 ９２…吸引口 ９３…リムーバヘッド ９３ａ…上部ヘッド構成材 ９３ｂ…下部ヘッド構成材 ９４…移動機構 ９５…溶剤ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５Ｄ ６４５ 21/30 ５７７ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 CA01 DA02 DA04 LA30 4D075 BB20Y BB24Y BB45Y BB46Y BB63Y BB65Y BB69Y CA47 DA06 DB13 DC24 EA07 EA45 4F035 AA04 CA01 CA05 CC01 CD05 CD11 CD18 4F042 AA02 AA10 CC03 CC04 CC10 CC12 CC15 DA01 DB04 DB41 5F046 BA07 CC15 LA14

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理膜とこの処理膜上に塗布された塗布
   膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、
   該周縁部の塗布膜を除去する塗布膜除去手段と、 前記塗布膜が除去された基板周縁部に露出した前記処理
   膜を除去する処理膜除去手段とを具備することを特徴と
   する基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記処理膜は、アドヒージョン処理により形成されるこ
   とを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記処理膜除去手段は、 前記露出した処理膜に、前記塗布膜を露光するための露
   光光の波長成分を含む光を照射する手段を具備すること
   を特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置におい
   て、 前記塗布膜除去手段は、 前記溶剤を吐出する溶剤ノズルを保持した保持部材と、 前記保持部材を基板の周縁部に沿って移動させる周縁移
   動機構とを具備し、 前記保持部材を前記周縁移動機構により移動させながら
   前記溶剤を吐出することを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置におい
   て、 前記保持部材に前記溶剤ノズルと一体的に取り付けら
   れ、前記光を照射する光ファイバーを具備し、 前記処理膜除去手段は、 前記保持部材を前記周縁移動機構により移動させながら
   光を照射することを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板処理装置におい
   て、 前記光ファイバーと溶剤ノズルとが、前記保持部材の移
   動方向とほぼ平行に配置されていることを特徴とする基
   板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の基板処理装置におい
   て、 前記保持部材を前記移動方向と直交する方向に移動させ
   る直交方向移動機構と、 前記周縁部の塗布膜を除去した後に、前記直交方向機構
   により前記保持部材を移動させ、該周縁部の処理膜を除
   去する手段とを更に具備することを特徴とする基板処理
   装置。
8. 【請求項８】 請求項５に記載の基板処理装置におい
   て、 前記光ファイバーが前記溶剤ノズルよりも基板の外側に
   配置されていることを特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の基板処理装置におい
   て、 前記保持部材を前記移動方向と直交する方向に移動させ
   る直交方向移動機構を更に具備し、 保持部材を前記周縁移動機構及び直交方向移動機構によ
   って交互に移動させつつ、前記周縁部の塗布膜を除去す
   るとともに、順次露出されていく処理膜を除去すること
   を特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項５に記載の基板処理装置におい
    て、 前記光ファイバーの投光面に向けて洗浄液を噴出する洗
    浄ノズルを更に具備することを特徴とする基板処理装
    置。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記洗浄ノズルは、前記保持部材に取り付けられている
    ことを特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項５に記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理膜を除去する際に当該処理膜から発生するガス
    を排気する手段を更に具備することを特徴とする基板処
    理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記排気手段は、 前記洗浄ノズルにより洗浄した後の光ファイバーの投光
    面を乾燥させる手段を具備することを特徴とする基板処
    理装置。
14. 【請求項１４】 請求項５に記載の基板処理装置におい
    て、 前記光ファイバーの投光面は、一辺が、ほぼ前記露出し
    た処理膜の幅と同じ長さを有する矩形でなることを特徴
    とする基板処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項５に記載の基板処理装置におい
    て、 前記光ファイバーによる光の照射は、前記塗布膜が塗布
    された基板面の裏面側から行うことを特徴とする基板処
    理装置。
16. 【請求項１６】 請求項１に記載の基板処理装置におい
    て、 前記基板周縁部の処理膜を加熱する手段を更に具備する
    ことを特徴とする基板処理装置。
17. 【請求項１７】 請求項１に記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理膜除去手段は、 前記露出した処理膜に、オゾン水を供給する手段を具備
    することを特徴とする基板処理装置。
18. 【請求項１８】 処理膜とこの処理膜上に塗布された塗
    布膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出し
    て、該周縁部の塗布膜を除去する工程と、前記塗布膜が
    除去された基板周縁部に露出した前記処理膜を除去する
    工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。
19. 【請求項１９】 請求項１８に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記処理膜は、アドヒージョン処理により形成されるこ
    とを特徴とする基板処理方法。
20. 【請求項２０】 請求項１８に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記処理膜の除去工程は、基板の露光処理前に行うこと
    を特徴とする基板処理方法。
21. 【請求項２１】 請求項１８に記載の基板処理方法にお
    いて、 前記処理膜の除去工程は、 前記露出した処理膜に、前記露光処理における露光光の
    波長成分を含む光を照射する工程を含むことを特徴とす
    る基板処理方法。