JP3808741B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばＬＣＤや半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，基板（ＬＣＤ基板，半導体基板）表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，基板に所定のパターンを露光する露光処理，露光後の基板を現像する現像処理等が行われ，基板に所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
現在，上述のレジスト塗布処理における基板表面上にレジスト膜を形成する方法としては，スピンコーティング法が主流をなしている。このスピンコーティング法では，基板の中心部にレジスト液を吐出し，その基板を高速回転させる。こうすることにより，基板中心部に供給されたレジスト液が遠心力により拡散し，基板表面にレジスト膜を形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，このスピンコーティング法によると，基板の中心部と外周部とで周速度が異なるので，基板表面上に厳密に均一な膜厚のレジスト膜を形成できない。また，基板を高速で回転させるため，ウェハの周縁部から大量のレジスト液が飛散し，無駄になるレジスト液が多い。さらにレジスト液の飛散によりレジスト液を受け止めるカップが汚染され，そのまま放置すると付着したレジスト液が結晶化しパーティクルの原因となるため，カップを頻繁に洗浄する必要があった。基板の外縁部のレジスト膜は，本来不要であり，後でパーティクルの原因にもなるので，通常基板にレジスト膜が形成された後に，当該基板の外縁部のレジスト膜を除去する処理が行われていた。
【０００５】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものあり，基板に均一な膜厚のレジスト膜等の塗布膜を形成し，レジスト液等の塗布液等の消費量や塗布液の飛散による汚染を低減し，基板外縁部の塗布膜の除去処理を省略できる基板の処理装置を提供することをその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
参考例として，基板を処理する処理装置であって，基板を保持する基板保持部と，前記基板保持部に保持された基板に対向して配置され，基板に塗布液を供給するインクジェット方式の塗布液供給ノズルと，当該塗布液供給ノズルを前記基板保持部に対して直交する２方向に相対移動させて基板表面に塗布液を塗布して塗布膜を形成する駆動機構と，を備えた処理装置が提供される。
【０００７】
この例によれば，従来のように基板を回転させないので，遠心力等により塗布液が偏らず基板表面に均一な膜厚の塗布膜を形成できる。また，従来のように基板上の塗布液が飛散することもないので，その分塗布液の消費量を低減することができる。また，塗布液の飛散による周辺機器の汚染も防止できる。本発明では，インクジェット方式の塗布液供給ノズルが用いられる。インクジェット方式のノズルは，塗布液の供給タイミング，塗布液の供給量等を厳密に制御できる。したがって，例えば塗布液供給ノズルが基板の外方まで移動する場合でも基板の表面のみに塗布液を供給できるので，塗布液の消費量を低減することができる。また，基板の外縁部にのみ塗布液を供給しないようにすることもできるので，後に基板外縁部の塗布膜を除去する作業を行う必要が無くなる。さらに，塗布液の供給量等を厳密に制御できるので，基板面内に渡って同量の塗布液を供給し，基板上により均一な膜厚の塗布膜を形成することができる。なお，前記基板表面には，基板表面の全面のみならず，基板表面から基板外縁部を除いたものも含まれる。
【０００８】
参考例として，前記駆動機構は，前記塗布液を吐出している状態の前記塗布液供給ノズルを，前記基板保持部に対して前記2方向の一の方向に相対的に往復移動させ，前記塗布液供給ノズルが前記基板の端部上に達する度に，当該塗布液供給ノズルを前記基板保持部に対して前記２方向の他の方向に相対移動させて，基板表面に塗布液を塗布するものであってもよい。
【０００９】
この例によれば，前記塗布液供給ノズルが前記基板に対して略波形形状に移動し，効率的に基板表面に塗布膜を形成することができる。
【００１０】
参考例として，前記処理装置は，基板に塗布液が供給される前に，基板に塗布液の溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給ノズルを備えていてもよい。この場合，溶剤蒸気により基板表面の濡れ性が向上し，その後供給された塗布液の流動性も維持されるので，基板表面上に塗布された塗布液の平坦化作用が促進される。
【００１１】
参考例として，基板を処理する処理装置であって，基板を保持する基板保持部と，前記基板保持部に保持された基板に対向して配置され，前記基板保持部に対して相対的に移動して，基板表面に塗布膜を形成するために基板に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと，基板に塗布液が供給される前に，当該基板に塗布液の溶剤蒸気を供給するインクジェット方式の溶剤蒸気供給ノズルと，を備えた処理装置が提供される。
【００１２】
この例によれば，基板を回転させないので，基板に均一な膜厚の塗布膜を形成できる。また，塗布液が飛散されないので，塗布液の消費量も低減できる。基板に塗布液が供給される前に溶剤蒸気を供給できるので，基板の濡れ性が向上され，さらに供給された塗布液の流動性が維持されるので，塗布直後の塗布液の平坦化が促進される。また，インクジェット方式の溶剤蒸気供給ノズルを用いるので，適量の溶剤蒸気を最適なタイミングで供給することができる。これによって溶剤蒸気の消費量を低減できる。また，溶剤蒸気による周辺機器の汚染，悪臭の発生を抑制することができる。
【００１３】
参考例として，前記溶剤蒸気供給ノズルは，前記塗布液供給ノズルと同じノズル保持部に保持されており，前記溶剤蒸気供給ノズルは，前記塗布液供給ノズルが塗布液を供給する時の前記塗布液供給ノズルの前記基板保持部に対する移動方向側に配置されていてもよい。これにより，塗布液供給ノズルから基板に塗布液が供給される直前に溶剤蒸気を供給することができる。すなわち，溶剤蒸気の供給直後に塗布液が供給され，少量でも塗布液供給時の基板表面上を溶剤雰囲気に維持できるので，溶剤蒸気の供給量が減らすことができる。また，溶剤蒸気の供給を塗布液の供給と同時期に行うことができるので，別途行うよりも処理時間を短縮できる。
【００１４】
前記処理装置は，前記塗布液が供給された基板に塗布液の溶剤ミストを供給する溶剤ミスト供給ノズルを備えていてもよい。この場合，基板表面に供給された塗布液の表面に溶剤ミストが供給され，かかる塗布液の粘性の低下を抑制することができる。したがって，塗布液の流動性が維持され，基板表面上の塗布直後の塗布液の平坦化が促進される。
【００１５】
本発明によれば，基板を処理する処理装置であって，基板を保持する基板保持部と，前記基板保持部に保持された基板に対向して配置され，前記基板保持部に対して相対的に移動して，基板表面に塗布膜を形成するために基板に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと，前記基板保持部に対して相対的に移動して，前記塗布液が供給された後に基板に前記塗布液の溶剤ミストを供給するインクジェット方式の溶剤ミスト供給ノズルと，前記溶剤ミスト供給ノズルから吐出された溶剤ミストを排気する排気部と，を備え，前記塗布液供給ノズルと，前記溶剤ミスト供給ノズルと，前記排気部は，前記基板保持部に対して相対的に移動する同じノズル保持部に保持されており，前記塗布液供給ノズルと，前記溶剤ミスト供給ノズルと，前記排気部は，前記塗布液供給ノズルが塗布液を供給する時の前記ノズル保持部の移動方向の逆方向に向けてこの順で配置されていることを特徴とする，処理装置が提供される。
【００１６】
この発明によれば，基板を回転させないので，基板に均一な膜厚の塗布膜を形成できる。また，塗布液が飛散されないので，塗布液の消費量も低減できる。塗布液の供給後に溶剤ミストが供給されるので，塗布液中の溶剤の蒸発による塗布液の粘性の低下が防がれ，塗布液の流動性が維持されるので，塗布直後の塗布膜の平坦化が促進される。インクジェット方式の溶剤ミスト供給ノズルを用いるので，溶剤ミストの供給量，供給タイミング等を厳密に制御できる。これによって適量の溶剤ミストを適切なタイミングで基板に供給することができ，溶剤ミストの消費量を低減することができる。
【００１７】
また，排気部により，基板の周辺に拡散した溶剤ミストを回収することができ，周辺機器の汚染や溶剤ミストによる悪臭の発生を抑制することができる。
【００１８】
また，排気部により，溶剤ミスト供給ノズルから吐出され，移動方向の後方側に流れた余分な溶剤ミストを好適に排気することができる。
この本発明により，基板に塗布液を供給した直後に，溶剤ミストを供給することができる。したがって，塗布液中の溶剤が多量に蒸発する前に溶剤ミストを補給できるので，溶剤ミストの供給量を減らすことができる。また，溶剤ミスト供給ノズルは，塗布液供給ノズルと同じノズル保持部に保持されているので，塗布液の供給と溶剤ミストの供給を同時に行うことができ，処理時間の短縮化が図られる。なお，前記塗布液供給ノズルは，インクジェット方式のノズルであってもよい。
【００１９】
参考例として，前記排気部は，前記基板保持部に保持された基板の外方に配置されていてもよい。この場合，基板表面上に基板中心方向から基板の外方に向けて気流が形成される。この気流により，基板表面上の塗布直後の塗布液が均され，塗布膜の平坦化が促進される。
【００２０】
前記インクジェット方式の溶剤ミスト供給ノズルを備えた処理装置は，基板に前記塗布液が供給される前に，基板に塗布液の溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給ノズルを備えていてもよい。また，この溶剤蒸気供給ノズルは，前記塗布液供給ノズルと同じノズル保持部に保持されており，前記溶剤蒸気供給ノズルは，前記塗布液供給ノズルが塗布液を供給する時の前記塗布液供給ノズルの前記基板保持部に対する移動方向側に配置されていてもよい。
【００２２】
前記処理装置は，前記塗布液が塗布された基板を収容し，閉鎖可能な処理室と，前記処理室を減圧して基板を減圧乾燥するための減圧機構とを備えていてもよい。この発明により，塗布膜の形成された基板を減圧乾燥することができる。処理室内を減圧する際には，基板表面上に気流が形成され，この気流により，塗布膜の平坦化が促進される。特に，塗布液が基板上に細線状に供給される場合には，塗布直後の塗布膜の表面に塗布経路に沿った凹凸が現れる可能性があり，この凹凸を解消できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる処理装置としての塗布現像処理装置１の構成の概略を示す平面図である。塗布現像処理装置１は，ＬＣＤ製造プロセスのフォトリソグラフィー工程における一連の処理が行われるものである。
【００２４】
塗布現像処理装置１は，図１に示すように例えば塗布現像処理装置１の端部に位置し，複数の基板Ｇをカセット単位で外部に対して搬入出するためのカセットステーション２と，フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットが配置された処理ステーション３と，塗布現像処理装置１に隣接して設けられ，処理ステーション３と図示しない露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行うインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２５】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＹ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｙ方向）とカセットＣに収容された基板Ｇの基板配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能な基板搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２６】
処理ステーション３には，例えばカセットステーション２側から順に洗浄プロセス部１０，塗布プロセス部１１及び現像プロセス部１２が一列に設けられている。洗浄プロセス部１０と塗布プロセス部１１間，塗布プロセス部１１と現像プロセス部１２間には，それぞれ基板中継部１３，薬液供給ユニット１４及びスペース１５が設けられている。
【００２７】
洗浄プロセス部１０は，例えば２つのスクラバ洗浄ユニット２０，上下２段の紫外線照射／冷却ユニット２１，加熱ユニット２２及び冷却ユニット２３を有している。
【００２８】
塗布プロセス部１１は，レジスト塗布ユニット３０，減圧乾燥ユニット３１，上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット３２，上下２段型加熱／冷却ユニット３３及び加熱ユニット３４を有している。
【００２９】
現像プロセス部１２は，３つの現像ユニット４０，２つの上下２段型加熱／冷却ユニット４１及び加熱ユニット４２を有している。
【００３０】
各プロセス部１０，１１，１２の中央部には，長手方向（Ｘ方向）に搬送路５０，５１，５２が設けられ，この各搬送路５０，５１，５２には，主搬送装置５３，５４，５５が各々設けられている。この主搬送装置５３〜５５は，各プロセス部１０〜１２内の処理ユニットにアクセス可能であり，各処理ユニットへの基板Ｇの搬入出と各処理ユニット間の基板Ｇの搬送を行うことができる。
【００３１】
インターフェイス部４は，処理ステーション３側にエクステンション部６０とバッファステージ６１とを有し，処理ステーション３の反対側（Ｘ方向負方向側であって図示しない露光装置側に搬送装置６２を有している。これにより，処理ステーション３の基板Ｇを露光装置内に搬送したり，露光処理の終了した基板Ｇを処理ステーション３内に搬送したりすることができる。
【００３２】
次に，上述したレジスト塗布ユニット３０の構成について説明する。図２は，レジスト塗布ユニット３０の構成の概略を示す側面図である。レジスト塗布ユニット３０は，後述するレジスト液供給ノズルが基板Ｇに塗布液としてのレジスト液を供給しながら，当該基板Ｇ上を走査し，基板Ｇ表面に塗布膜としてのレジスト膜を形成する処理ユニットである。
【００３３】
レジスト塗布ユニット３０には，基板Ｇを載置する基板保持部としての載置台７０が設けられている。載置台７０は，例えば厚みのある長方形の板状に形成されている。載置台７０の上面は，水平に形成されている。これにより，塗布処理される基板Ｇを載置台７０上に水平に載置することができる。また，載置台７０には，基板Ｇを搬入出する際に基板Ｇを下から支持し，昇降させる複数の昇降ピン７１が設けられている。
【００３４】
載置台７０のＸ方向（図２の左右方向）の両側には，一対のガイドレール７２，７３が設けられている。ガイドレール７２は，Ｘ方向正方向側，ガイドレール７３は，Ｘ方向負方向側に設けられている。ガイドレール７２，７３は，図３に示すようにＹ方向に延びており，例えば載置台７０の両端部まで形成されている。ガイドレール７２，７３上には，載置台７０上をＸ方向に延びるノズルガイドレール７４が架設されている。ノズルガイドレール７４には，このノズルガイドレール７４をＹ方向に平行移動させる，例えばモータ等を備えたレール駆動部７５が設けられている。
【００３５】
ノズルガイドレール７４には，後述するレジスト液供給ノズル８０や溶剤蒸気供給ノズル８１，８２を保持するノズル保持部としてのノズルボックス７６が設けられている。例えばノズルボックス７６には，このノズルボックス７６をノズルガイドレール７４に沿ってＸ方向に移動させるノズル駆動部７７が設けられている。これによって，ノズルボックス７６は，載置台７０の基板Ｇ上方をＸ方向に往復移動することができる。ノズルボックス７６の取り付けられたノズルガイドレール７４は，上述した通りＹ方向に移動できるので，ノズルボックス７６は，載置台７０上をＸ，Ｙ方向に移動することができる。
【００３６】
前記レール駆動部７５とノズル駆動部７７は，図２に示すように制御部７８により制御されており，ノズルボックス７６の移動経路，移動速度，移動タイミング等は，制御部７８によって制御される。なお，本発明の駆動機構は，本実施の形態においては，ガイドレール７２，７３，ノズルガイドレール７４，レール駆動部７５，ノズル駆動部７７及び制御部７８で構成される。
【００３７】
ノズルボックス７６には，Ｘ方向に沿って塗布液吐出ノズルとしてのレジスト液供給ノズル８０，溶剤蒸気供給ノズル８１及び８２が設けられている。溶剤蒸気供給ノズル８１，８２は，レジスト液供給ノズル８０の両側に設けられており，例えば溶剤蒸気供給ノズル８１がガイドレール７２側（Ｘ方向正方向側）に，溶剤蒸気供給ノズル８２がガイドレール７３側（Ｘ方向負方向側）に配置されている。このように配置することにより，ノズルボックス７６がＸ方向の何れの方向に移動している時にも，レジスト液供給ノズル８０の進行方向側の溶剤蒸気供給ノズルから溶剤蒸気を吐出することができる。したがって，基板Ｇにレジスト液を供給する直前に溶剤蒸気を供給することができる。
【００３８】
レジスト液供給ノズル８０は，レジスト液供給管８３を介してレジスト液の供給源となるレジスト液貯留タンク８４に連通接続されている。また，溶剤蒸気供給ノズル８１及び８２は，溶剤蒸気供給管８５を介して溶剤蒸気貯留タンク８６に連通接続されている。
【００３９】
レジスト液供給ノズル８０，溶剤蒸気供給ノズル８１及び８２には，ピエゾ式インクジェットノズルが用いられる。例えばピエゾ式インクジェットノズルであるレジスト液供給ノズル８０は，図４に示すようにレジスト液貯留タンク８４からのレジスト液を一旦貯留する貯留部８７と，当該貯留部８７に連通しレジスト液が吐出される小口径の複数の吐出口８８と，貯留部８７の内面に取り付けられ貯留部８７内のレジスト液を加圧するためのピエゾ素子８９とを有する。
【００４０】
貯留部８７には，吐出口８８からレジスト液が吐出しない程度に加圧されたレジスト液がレジスト液貯留タンク８４から供給され貯留されている。ピエゾ素子８９は，印可された電圧に応じて所定の周波数で伸縮するものであり，貯留部８７内のレジスト液は，このピエゾ素子８９の伸縮によって押し出され，吐出口８８から押し出された分の所定量のレジスト液が吐出される。このようにピエゾ式インクジェットノズルでは，ピエゾ素子８９の伸縮の周波数単位でレジスト液の吐出を制御できるので，レジスト液の吐出タイミング，吐出量等を厳密に制御できる。ピエゾ素子８９に印可される電圧は，例えば上述のレジスト液供給ノズル８０の移動を制御する制御部７８により制御される。したがって，制御部７８により，レジスト液の吐出タイミングや吐出回数を，レジスト液供給ノズル８０の移動速度や移動位置等に合わせて制御して，基板Ｇ表面の所望の領域に所定量のレジスト液を塗布することができる。
【００４１】
なお，レジスト液供給ノズル８０の吐出口８８は，例えば図５に示すように極めて狭い間隔でＹ方向に並べて設けられ，レジスト液は，基板Ｇ表面上に幅のある線状に供給される。なお，吐出口８８の数，配置は，任意に選択可能である。
【００４２】
また，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２のインクジェットノズルの構成は，レジスト液供給ノズル８０と同様であり，溶剤蒸気貯留タンク８６からの溶剤蒸気を溶剤蒸気供給ノズル８１，８２内の貯留部（図示せず）で一旦貯留し，制御部７８により制御されたピエゾ素子（図示せず）の伸縮により吐出口（図示せず）から吐出されるようになっている。したがって，溶剤蒸気の吐出タイミングや吐出量も制御部７８により厳密に制御できる。
【００４３】
次いで，上述の減圧乾燥ユニット３１の構成について説明する。図６は，減圧乾燥ユニット３１の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【００４４】
減圧乾燥ユニット３１は，基板Ｇを収納し，処理室としての減圧室Ｄを形成するためのチャンバ１００を有している。チャンバ１００は，上部チャンバ１０１と下部チャンバ１０２とで構成されており，上部チャンバ１０１が上下動し，下部チャンバ１０２と一体となって気密に閉鎖された減圧室Ｄを形成することができる。下部チャンバ１０２内には，基板Ｇを直接載置する載置台１０３が設けられている。載置台１０３は，その上面が平坦で，かつ基板Ｇよりも小さく形成されている。載置台１０３の外方には，昇降ピン１０４が設けられており，基板Ｇの外周部を下方から支持し，基板Ｇを載置台１０３上で昇降させることができる。
【００４５】
下部チャンバ１０２の底面には，チャンバ１００内の雰囲気を排気するための排気管１０５が取り付けられている。排気管１０５には，チャンバ１００内の雰囲気を吸引してチャンバ１００内を減圧する吸引ポンプ１０６が設けられている。これにより，レジスト液が塗布された直後の基板Ｇをチャンバ１００内に収容し，チャンバ１００内を減圧して，基板Ｇを減圧乾燥することができる。なお，本発明の減圧機構は，本実施の形態においては排気管１０５と吸引ポンプ１０６で構成される。
【００４６】
次に，以上のように構成されている塗布現像処理装置１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスについて説明する。
【００４７】
先ず，基板搬送体７によりカセットＣから未処理の基板Ｇが１枚取り出され，処理ステーション３の洗浄プロセス部１０の主搬送装置５３に受け渡される。洗浄プロセス部１０に搬送された基板Ｇは，先ず紫外線照射／冷却ユニット２１に搬送され，紫外線照射による乾式洗浄が施された後，所定温度に冷却される。次いで基板Ｇは，スクラバ洗浄ユニット２０に搬送され，スクラビング洗浄処理に付される。スクラビング洗浄された基板Ｇは，加熱ユニット２２に搬送され，脱水処理された後，冷却ユニット２３に搬送されて所定温度に冷却される。冷却処理の終了した基板Ｇは，洗浄プロセス部１０から基板受け渡し部１３を介して塗布プロセス部１１に搬送される。
【００４８】
塗布プロセス部１１に搬送された基板Ｇは，先ず主搬送装置５４によってアドヒージョン／冷却ユニット３２に搬送され，疎水化処理された後，冷却処理される。次いで基板Ｇは，レジスト塗布ユニット３０に搬送される。
【００４９】
レジスト塗布ユニット３０内に搬送された基板Ｇは，予め上昇して待機していた昇降ピン７１に受け渡される。次いで昇降ピン７１が下降し，基板Ｇが載置台７０上に載置される。このとき，ノズルボックス７６が，ノズル駆動部７７，レール駆動部７５により図示しない待機位置から塗布開始位置，例えば基板ＧのＹ方向負方向側の端部上であって基板ＧのＸ方向負方向側の外方の所定位置まで移動する。基板Ｇが載置台７０上に載置されると，ノズルボックス７６がＸ方向正方向に移動し，基板Ｇの端部上を通過すると，レジスト液供給ノズル８０と進行方向側の溶剤蒸気供給ノズル８２からのレジスト液や溶剤蒸気の吐出が開始される。これにより，基板Ｇには，図７に示すように先ず溶剤蒸気が供給され，その直後にレジスト液が供給される。そして，レジスト液の供給と溶剤蒸気の供給は，ノズルボックス７６が基板Ｇの端部を通過する直前に停止される。かかる塗布処理においては，例えばレジスト液が基板Ｇの外縁部に供給されないように，レジスト液の吐出の開始タイミングと停止タイミングが制御される。
【００５０】
その後，ノズルボックス７６は，例えば基板ＧのＸ方向正方向側の端部上で一旦停止する。次いでノズルボックス７６は，レール駆動部７５によりＹ方向正方向側に所定距離だけ移動され，レジスト液供給ノズル８０の供給位置がずらされる。続いてノズルボックス７６は，折り返しＸ方向負方向側に移動し，今度は溶剤蒸気供給ノズル８２とレジスト液供給ノズル８０から基板Ｇ表面上に溶剤蒸気とレジスト液とが順に供給される。ノズルボックス７６が基板ＧのＸ方向負方向側の端部上に到達すると，溶剤蒸気とレジスト液の吐出が停止される。その後基板ＧのＸ方向負方向側の端部付近で停止したノズルボックス７６は，再びＹ方向正方向側に所定距離だけ移動する。そして，再びＸ方向正方向側に移動して基板Ｇ表面上に溶剤蒸気とレジスト液を順に供給する。このようにノズルボックス７６をＸ方向に往復移動させながら，徐々にＹ方向正方向側にずらしていき，最終的にノズルボックス７６が基板ＧのＹ方向正方向側の端部まで到達すると，図３に示すような基板Ｇの外縁部を除いた所定領域Ａにレジスト液が供給され，基板Ｇ上にレジスト膜が形成される。なお，レジスト液供給ノズル８０のＸ方向の移動時の速度は，一定であってもよいし，適宜変動させてもよい。変動させる場合でも，基板Ｇ表面上に均一にレジスト液が塗布されるように吐出量が制御される。
【００５１】
レジスト液の塗布工程が終了すると，ノズルボックス７６は，図示しない待機位置に戻される。基板Ｇは，搬入時と同様に昇降ピン７１により上昇され，主搬送装置５４に受け渡され，レジスト塗布ユニット３０から搬出される。
【００５２】
塗布処理の終了した基板Ｇは，主搬送装置５４により減圧乾燥ユニット３１に搬送され，予め上昇して待機していた昇降ピン１０４に受け渡される。昇降ピン１０４が下降し，基板Ｇが載置台１０３上に載置されると，上部チャンバ１０１が下降し，下部チャンバ１０２と一体となって減圧室Ｄが形成される。吸引ポンプ１０６が作動し，減圧室Ｄ内の雰囲気が排気管１０５から排気され，減圧室Ｄ内が所定の圧力に減圧される。このとき，基板Ｇ表面のレジスト膜内の溶剤が蒸発し，レジスト膜が乾燥されると共に，基板Ｇ上に基板Ｇの中心部から排気管１０５に向かう気流が形成される。この気流により，レジスト膜表面の僅かな凹凸が均され，平坦化される。
【００５３】
所定時間の減圧乾燥処理が終了すると，減圧室Ｄ内の圧力が回復され，上部チャンバ１０１が上昇して，減圧室Ｄが開放される。その後基板Ｇは，昇降ピン１０４によって上昇され，主搬送装置５４に受け渡され，減圧乾燥ユニット３１から搬出される。
【００５４】
減圧乾燥処理の終了した基板Ｇは，加熱／冷却ユニット３３に搬送され，プリベーキング処理が行われた後，冷却処理される。
【００５５】
その後，基板Ｇは，主搬送装置５４及び主搬送装置５５によってインターフェイス部４のエクステンション部６０に搬送され，搬送装置６２によって図示しない露光装置に搬送される。露光装置では，基板Ｇ上のレジスト膜に所定の回路パターンが露光される。露光処理の終了した基板Ｇは，インターフェイス部４を介して現像プロセス部１２に戻され，主搬送装置５５により現像ユニット４０に搬送される。現像ユニット４０では，現像処理が行われる。現像処理の終了した基板Ｇは，加熱／冷却ユニット４１に搬送され，ポストベーキング処理が行われた後，冷却処理される。冷却処理が終了した基板Ｇは，主搬送装置５５，５４，５３によってカセットステーション２まで搬送され，基板搬送体７によってカセットＣに戻されて，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００５６】
以上の実施の形態によれば，レジスト液供給ノズル８０を基板Ｇ上方で移動させて，基板Ｇ表面にレジスト液を塗布するようにしたので，従来の基板Ｇを回転させる場合に比べてレジスト液の消費量を低減することができる。特にインクジェット方式のレジスト液供給ノズル８０を用いたので，レジスト液の吐出タイミング等を正確かつ厳密に制御することができ，レジスト液の消費量を最小限に抑えることができる。また，インクジェット方式によると，基板Ｇへのレジスト液の供給量も正確に制御できるので，レジスト液を基板Ｇ面内に斑なく供給できる。
【００５７】
また，インクジェット方式のレジスト液供給ノズル８０を用いて基板Ｇの外縁部には，レジスト液を供給しないようにしたので，その分レジスト液の消費量の低減が図られる上に，従来行われていた基板外縁部のレジスト膜の除去処理を行う必要がない。
【００５８】
ノズルボックス７６に溶剤蒸気供給ノズル８１，８２を設け，レジスト液が基板Ｇに供給される前に溶剤蒸気を供給するようにしたので，塗布前の基板Ｇの濡れ性が向上し，その後供給されたレジスト液が基板Ｇ表面上でスムーズに拡散される。これにより，線状に塗布されたレジスト液が適当に均され，レジスト膜の表面が平坦化される。また，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２をレジスト液供給ノズル８０の進行方向側，すなわちレジスト液供給ノズル８０のＸ方向の両隣に設けるようにしたので，基板Ｇにレジスト液が塗布される直前に溶剤蒸気を供給することができる。この場合，溶剤蒸気が供給されてからレジスト液が供給されるまでの時間が短いので，より希薄な溶剤蒸気を用いて基板Ｇの濡れ性を向上させることができる。したがって，溶剤蒸気の使用量を低減することができ，また，溶剤による臭いを抑えることができる。
【００５９】
溶剤蒸気供給ノズル８１，８２にもインクジェット方式のノズルが用いられるので，溶剤蒸気の供給タイミング，供給量等を正確かつ厳密に制御することができ，溶剤の消費量を低減することができる。また溶剤蒸気によるレジスト塗布ユニット３０内の汚染を抑制することができる。
【００６０】
以上の実施の形態で記載したレジスト塗布ユニット３０には，レジスト液を供給する前に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給ノズル８１，８２が設けられていたが，この溶剤蒸気供給ノズル８１，８２に代えてレジスト液が塗布された後に基板Ｇに溶剤ミストを供給する溶剤ミスト供給ノズルを設けてもよい。
【００６１】
図８は，かかる一例を示すものであり，ノズルボックス１１０のレジスト液供給ノズル１１１のＸ方向の両隣にインクジェット方式の溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３が設けられている。例えば溶剤ミスト供給ノズル１１２は，レジスト液供給ノズル１１１のＸ方向正方向側に，溶剤ミスト吐出ノズル１１３は，Ｘ方向負方向側に設ける。溶剤ミスト供給ノズル１１２及び１１３は，例えば図９に示すようにＹ方向に並べられた複数の吐出口１１４，１１５を有し，溶剤ミストが各吐出口１１４，１１５からインクジェット方式によって吐出される。
【００６２】
また，ノズルボックス１１０には，溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３から吐出され，基板Ｇの周辺に拡散した溶剤ミストを排気する排気部としての排気口１１６，１１７が設けられている。排気口１１６，１１７は，各溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３の外方に各々設けられている。排気口１１６，１１７は，例えばＹ方向に長いスリット状に形成されており，前記吐出口１１４及び１１５の配列された幅よりも長く形成されている。これによって吐出口１１４，１１５から吐出し，周辺部に拡散した溶剤ミストを十分に回収できるようになっている。排気口１１６，１１７は，図示しないファン等の吸引装置に連通接続されており，この吸引装置からの吸引によってノズルボックス１１０の下方域の雰囲気を吸引し，排気することができる。なお，溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３から供給されるミストの粒径は，もちろん前述した溶剤蒸気供給ノズル８１，８２から供給される蒸気の粒径より大きく，所定の粒径に適したノズルを用いたり，制御部７８により制御することにより所定の粒径を得ることが可能である。
【００６３】
そして，前記実施の形態と同様にノズルボックス１１０がＸ方向に往復移動し，レジスト液供給ノズル１１１からレジスト液が吐出されると同時に，レジスト液供給ノズル１１１の進行方向の後方側の溶剤ミスト吐出ノズル１１２又は１１３から溶剤ミストが吐出される。これにより，図１０に示すように基板Ｇにレジスト液が塗布された直後に溶剤ミストが供給される。また，この際に例えばレジスト液供給ノズル１１１の進行方向の後方側の排気口１１６又は１１７からの排気が行われ，基板Ｇの周辺部に拡散した溶剤ミストが排気される。
【００６４】
この実施の形態によれば，レジスト液の塗布された基板Ｇの表面に溶剤ミストが供給され，レジスト液の液面の粘性を低下させて，レジスト液の平坦化を促すことができる。溶剤ミスト吐出ノズル１１２，１１３には，インクジェット方式のノズルが用いられるので，溶剤ミストの供給量等を厳密に制御し，溶剤ミストの消費量を最小限に抑えることができる。また，基板Ｇの周辺に拡散した溶剤ミストを排気口１１６，１１７から回収するので，レジスト塗布ユニット３０内の汚染を抑制することができる。
【００６５】
かかる実施の形態では，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２の代わりに溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３を設けたが，図１１に示すように上記溶剤蒸気供給ノズル８１，８２と併用してもよい。かかる場合，基板Ｇには，レジスト液の供給前に溶剤蒸気が供給され，レジスト液の供給後に溶剤ミストが供給される。
【００６６】
また，前記実施の形態で供給していた溶剤ミストは，液滴の径が１０〜１００μｍ以下の細かい溶剤ミストであってもよい。この場合，レジスト膜の表面の一部にだけ多量の溶剤ミストが供給され，その部分のレジスト膜が変質することを抑制できる。なお，溶剤ミストの代わりに溶剤蒸気を供給してもよい。この場合，前記溶剤蒸気供給ノズル８１，８２を用いてレジスト液供給後に溶剤蒸気の供給してもよい。また，溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３を用いて，レジスト液を供給する前に溶剤ミストを供給してもよい。
【００６７】
さらに，上述の溶剤ミストを排気するための排気口を基板Ｇの外方に設けるようにしてもよい。図１２は，かかる一例を示すものであり，載置台７０上の基板ＧのＹ方向側の両端部外方に排気口１２０が設けられている。排気口１２０は，基板Ｇ側に向けて設けられている。そして，上述の実施の形態と同様に溶剤ミストが吐出された時に，基板Ｇ上の雰囲気が排気される。こうすることによって，基板周辺部の不要な溶剤ミストが除去されると共に，基板Ｇの中心付近から基板ＧのＹ方向側の端部に向かう気流が形成され，この気流により，Ｘ方向に線状に塗布されたレジスト液が均され，平坦化される。なお，上述した排気口１１６，１１７及び１２０の数や形状，配置位置は任意に選択できる。
【００６８】
上述したレジスト液供給ノズル８０，１１１，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２，溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３は，インクジェット方式のノズルであったが，各ノズルについて他の方式のノズルであってもい。例えばポンプ等の加圧手段により圧送されたレジスト液を細径の吐出口から連続吐出するノズルであってもよい。
【００６９】
また，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２，溶剤ミスト供給吐出ノズル１１２，１１３は，レジスト液供給ノズル８０，１１１と同じノズルボックスに設けられていなくてもよく，独立して移動可能なノズルボックスに設けられていてもよい。また，基板Ｇの位置，例えば基板Ｇの中央部と，基板Ｇの中央部よりレジスト膜が盛り上がりやすい基板Ｇの周縁部とでレジスト液の供給前後に供給する溶剤の量を変化させるように制御しても良く，またそのために溶剤蒸気供給ノズル８１，８２と溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３とを基板Ｇの位置に応じて使い分け又は併用してもよい。
【００７０】
以上の実施の形態は，レジスト液供給ノズル８０，１１１をＸ方向に往復移動させて，レジスト液の塗布経路がＸ方向に平行になるようにレジスト液を基板Ｇに供給していたが，他の塗布経路，例えば渦巻き状，格子状の塗布経路になるようレジスト液を供給してもよい。
【００７１】
また，以上の実施の形態は，基板Ｇにレジスト液を塗布していたが，本発明は，他の処理液，例えばＳＯＤ，ＳＯＧ膜等を形成する処理液や現像液を塗布する場合にも適用できる。また，以上で説明した実施の形態は，ＬＣＤ製造プロセスのフォトリソグラフィー工程が行われる処理装置について適用したものであったが，本発明はＬＣＤ基板以外の基板例えば半導体ウェハ，フォトマスク用のマスクレチクル基板等の処理装置においても適用できる。
【００７２】
【発明の効果】
本発明によれば，基板に均一な膜厚の塗布膜を形成できるので，歩留まりが向上される。また，塗布液等の消費量を低減できるので，コストが低減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】レジスト塗布ユニットに構成の概略を示す側面図である。
【図３】図２のレジスト塗布ユニットの斜視図である。
【図４】レジスト液供給ノズルの構成を示す縦断面の説明図である。
【図５】ノズルボックスを下方から見た場合のノズルボックスの各ノズルの構成を示す説明図である。
【図６】減圧乾燥ユニットの構成を示す縦断面の説明図である。
【図７】ノズルボックスが移動しながらレジスト液と溶剤蒸気を基板に供給している状態を示す説明図である。
【図８】溶剤ミスト供給ノズルと排気口を設けた場合のノズルボックスの側面図である。
【図９】図８のノズルボックスを下方から見た場合ノズルボックスの構成の説明図である。
【図１０】ノズルボックスが移動しながらレジスト液と溶剤ミストを基板に供給している状態を示す説明図である。
【図１１】溶剤蒸気供給ノズルと溶剤ミスト供給ノズルを併用した場合のノズルボックスの側面図である。
【図１２】基板の外方に排気口を設けた場合のレジスト塗布ユニットの斜視図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理装置
３０ レジスト塗布ユニット
３１ 減圧乾燥ユニット
７０ 載置台
７２，７３ ガイドレール
７４ ノズルガイドレール
７５ レール駆動部
７６ ノズルボックス
７７ ノズル駆動部
８０ レジスト液供給ノズル
８１ 溶剤蒸気供給ノズル
Ｄ 減圧室
Ｇ 基板
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばＬＣＤや半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，基板（ＬＣＤ基板，半導体基板）表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，基板に所定のパターンを露光する露光処理，露光後の基板を現像する現像処理等が行われ，基板に所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
現在，上述のレジスト塗布処理における基板表面上にレジスト膜を形成する方法としては，スピンコーティング法が主流をなしている。このスピンコーティング法では，基板の中心部にレジスト液を吐出し，その基板を高速回転させる。こうすることにより，基板中心部に供給されたレジスト液が遠心力により拡散し，基板表面にレジスト膜を形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，このスピンコーティング法によると，基板の中心部と外周部とで周速度が異なるので，基板表面上に厳密に均一な膜厚のレジスト膜を形成できない。また，基板を高速で回転させるため，ウェハの周縁部から大量のレジスト液が飛散し，無駄になるレジスト液が多い。さらにレジスト液の飛散によりレジスト液を受け止めるカップが汚染され，そのまま放置すると付着したレジスト液が結晶化しパーティクルの原因となるため，カップを頻繁に洗浄する必要があった。基板の外縁部のレジスト膜は，本来不要であり，後でパーティクルの原因にもなるので，通常基板にレジスト膜が形成された後に，当該基板の外縁部のレジスト膜を除去する処理が行われていた。
【０００５】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものあり，基板に均一な膜厚のレジスト膜等の塗布膜を形成し，レジスト液等の塗布液等の消費量や塗布液の飛散による汚染を低減し，基板外縁部の塗布膜の除去処理を省略できる基板の処理装置を提供することをその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
参考例として，基板を処理する処理装置であって，基板を保持する基板保持部と，前記基板保持部に保持された基板に対向して配置され，基板に塗布液を供給するインクジェット方式の塗布液供給ノズルと，当該塗布液供給ノズルを前記基板保持部に対して直交する２方向に相対移動させて基板表面に塗布液を塗布して塗布膜を形成する駆動機構と，を備えた処理装置が提供される。
【０００７】
この例によれば，従来のように基板を回転させないので，遠心力等により塗布液が偏らず基板表面に均一な膜厚の塗布膜を形成できる。また，従来のように基板上の塗布液が飛散することもないので，その分塗布液の消費量を低減することができる。また，塗布液の飛散による周辺機器の汚染も防止できる。本発明では，インクジェット方式の塗布液供給ノズルが用いられる。インクジェット方式のノズルは，塗布液の供給タイミング，塗布液の供給量等を厳密に制御できる。したがって，例えば塗布液供給ノズルが基板の外方まで移動する場合でも基板の表面のみに塗布液を供給できるので，塗布液の消費量を低減することができる。また，基板の外縁部にのみ塗布液を供給しないようにすることもできるので，後に基板外縁部の塗布膜を除去する作業を行う必要が無くなる。さらに，塗布液の供給量等を厳密に制御できるので，基板面内に渡って同量の塗布液を供給し，基板上により均一な膜厚の塗布膜を形成することができる。なお，前記基板表面には，基板表面の全面のみならず，基板表面から基板外縁部を除いたものも含まれる。
【０００８】
参考例として，前記駆動機構は，前記塗布液を吐出している状態の前記塗布液供給ノズルを，前記基板保持部に対して前記2方向の一の方向に相対的に往復移動させ，前記塗布液供給ノズルが前記基板の端部上に達する度に，当該塗布液供給ノズルを前記基板保持部に対して前記２方向の他の方向に相対移動させて，基板表面に塗布液を塗布するものであってもよい。
【０００９】
この例によれば，前記塗布液供給ノズルが前記基板に対して略波形形状に移動し，効率的に基板表面に塗布膜を形成することができる。
【００１０】
参考例として，前記処理装置は，基板に塗布液が供給される前に，基板に塗布液の溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給ノズルを備えていてもよい。この場合，溶剤蒸気により基板表面の濡れ性が向上し，その後供給された塗布液の流動性も維持されるので，基板表面上に塗布された塗布液の平坦化作用が促進される。
【００１１】
参考例として，基板を処理する処理装置であって，基板を保持する基板保持部と，前記基板保持部に保持された基板に対向して配置され，前記基板保持部に対して相対的に移動して，基板表面に塗布膜を形成するために基板に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと，基板に塗布液が供給される前に，当該基板に塗布液の溶剤蒸気を供給するインクジェット方式の溶剤蒸気供給ノズルと，を備えた処理装置が提供される。
【００１２】
この例によれば，基板を回転させないので，基板に均一な膜厚の塗布膜を形成できる。また，塗布液が飛散されないので，塗布液の消費量も低減できる。基板に塗布液が供給される前に溶剤蒸気を供給できるので，基板の濡れ性が向上され，さらに供給された塗布液の流動性が維持されるので，塗布直後の塗布液の平坦化が促進される。また，インクジェット方式の溶剤蒸気供給ノズルを用いるので，適量の溶剤蒸気を最適なタイミングで供給することができる。これによって溶剤蒸気の消費量を低減できる。また，溶剤蒸気による周辺機器の汚染，悪臭の発生を抑制することができる。
【００１３】
参考例として，前記溶剤蒸気供給ノズルは，前記塗布液供給ノズルと同じノズル保持部に保持されており，前記溶剤蒸気供給ノズルは，前記塗布液供給ノズルが塗布液を供給する時の前記塗布液供給ノズルの前記基板保持部に対する移動方向側に配置されていてもよい。これにより，塗布液供給ノズルから基板に塗布液が供給される直前に溶剤蒸気を供給することができる。すなわち，溶剤蒸気の供給直後に塗布液が供給され，少量でも塗布液供給時の基板表面上を溶剤雰囲気に維持できるので，溶剤蒸気の供給量が減らすことができる。また，溶剤蒸気の供給を塗布液の供給と同時期に行うことができるので，別途行うよりも処理時間を短縮できる。
【００１４】
前記処理装置は，前記塗布液が供給された基板に塗布液の溶剤ミストを供給する溶剤ミスト供給ノズルを備えていてもよい。この場合，基板表面に供給された塗布液の表面に溶剤ミストが供給され，かかる塗布液の粘性の低下を抑制することができる。したがって，塗布液の流動性が維持され，基板表面上の塗布直後の塗布液の平坦化が促進される。
【００１５】
本発明によれば，基板を処理する処理装置であって，基板を保持する基板保持部と，前記基板保持部に保持された基板に対向して配置され，前記基板保持部に対して相対的に移動して，基板表面に塗布膜を形成するために基板に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと，前記基板保持部に対して相対的に移動して，前記塗布液が供給された後に基板に前記塗布液の溶剤ミストを供給するインクジェット方式の溶剤ミスト供給ノズルと，前記溶剤ミスト供給ノズルから吐出された溶剤ミストを排気する排気部と，を備え，前記塗布液供給ノズルと，前記溶剤ミスト供給ノズルと，前記排気部は，前記基板保持部に対して相対的に移動する同じノズル保持部に保持されており，前記塗布液供給ノズルと，前記溶剤ミスト供給ノズルと，前記排気部は，前記塗布液供給ノズルが塗布液を供給する時の前記ノズル保持部の移動方向の逆方向に向けてこの順で配置されていることを特徴とする，処理装置が提供される。
【００１６】
この発明によれば，基板を回転させないので，基板に均一な膜厚の塗布膜を形成できる。また，塗布液が飛散されないので，塗布液の消費量も低減できる。塗布液の供給後に溶剤ミストが供給されるので，塗布液中の溶剤の蒸発による塗布液の粘性の低下が防がれ，塗布液の流動性が維持されるので，塗布直後の塗布膜の平坦化が促進される。インクジェット方式の溶剤ミスト供給ノズルを用いるので，溶剤ミストの供給量，供給タイミング等を厳密に制御できる。これによって適量の溶剤ミストを適切なタイミングで基板に供給することができ，溶剤ミストの消費量を低減することができる。
【００１７】
また，排気部により，基板の周辺に拡散した溶剤ミストを回収することができ，周辺機器の汚染や溶剤ミストによる悪臭の発生を抑制することができる。
【００１８】
また，排気部により，溶剤ミスト供給ノズルから吐出され，移動方向の後方側に流れた余分な溶剤ミストを好適に排気することができる。
この本発明により，基板に塗布液を供給した直後に，溶剤ミストを供給することができる。したがって，塗布液中の溶剤が多量に蒸発する前に溶剤ミストを補給できるので，溶剤ミストの供給量を減らすことができる。また，溶剤ミスト供給ノズルは，塗布液供給ノズルと同じノズル保持部に保持されているので，塗布液の供給と溶剤ミストの供給を同時に行うことができ，処理時間の短縮化が図られる。なお，前記塗布液供給ノズルは，インクジェット方式のノズルであってもよい。
【００１９】
参考例として，前記排気部は，前記基板保持部に保持された基板の外方に配置されていてもよい。この場合，基板表面上に基板中心方向から基板の外方に向けて気流が形成される。この気流により，基板表面上の塗布直後の塗布液が均され，塗布膜の平坦化が促進される。
【００２０】
前記インクジェット方式の溶剤ミスト供給ノズルを備えた処理装置は，基板に前記塗布液が供給される前に，基板に塗布液の溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給ノズルを備えていてもよい。また，この溶剤蒸気供給ノズルは，前記塗布液供給ノズルと同じノズル保持部に保持されており，前記溶剤蒸気供給ノズルは，前記塗布液供給ノズルが塗布液を供給する時の前記塗布液供給ノズルの前記基板保持部に対する移動方向側に配置されていてもよい。
【００２２】
前記処理装置は，前記塗布液が塗布された基板を収容し，閉鎖可能な処理室と，前記処理室を減圧して基板を減圧乾燥するための減圧機構とを備えていてもよい。この発明により，塗布膜の形成された基板を減圧乾燥することができる。処理室内を減圧する際には，基板表面上に気流が形成され，この気流により，塗布膜の平坦化が促進される。特に，塗布液が基板上に細線状に供給される場合には，塗布直後の塗布膜の表面に塗布経路に沿った凹凸が現れる可能性があり，この凹凸を解消できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる処理装置としての塗布現像処理装置１の構成の概略を示す平面図である。塗布現像処理装置１は，ＬＣＤ製造プロセスのフォトリソグラフィー工程における一連の処理が行われるものである。
【００２４】
塗布現像処理装置１は，図１に示すように例えば塗布現像処理装置１の端部に位置し，複数の基板Ｇをカセット単位で外部に対して搬入出するためのカセットステーション２と，フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットが配置された処理ステーション３と，塗布現像処理装置１に隣接して設けられ，処理ステーション３と図示しない露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行うインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２５】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＹ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｙ方向）とカセットＣに収容された基板Ｇの基板配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能な基板搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２６】
処理ステーション３には，例えばカセットステーション２側から順に洗浄プロセス部１０，塗布プロセス部１１及び現像プロセス部１２が一列に設けられている。洗浄プロセス部１０と塗布プロセス部１１間，塗布プロセス部１１と現像プロセス部１２間には，それぞれ基板中継部１３，薬液供給ユニット１４及びスペース１５が設けられている。
【００２７】
洗浄プロセス部１０は，例えば２つのスクラバ洗浄ユニット２０，上下２段の紫外線照射／冷却ユニット２１，加熱ユニット２２及び冷却ユニット２３を有している。
【００２８】
塗布プロセス部１１は，レジスト塗布ユニット３０，減圧乾燥ユニット３１，上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット３２，上下２段型加熱／冷却ユニット３３及び加熱ユニット３４を有している。
【００２９】
現像プロセス部１２は，３つの現像ユニット４０，２つの上下２段型加熱／冷却ユニット４１及び加熱ユニット４２を有している。
【００３０】
各プロセス部１０，１１，１２の中央部には，長手方向（Ｘ方向）に搬送路５０，５１，５２が設けられ，この各搬送路５０，５１，５２には，主搬送装置５３，５４，５５が各々設けられている。この主搬送装置５３〜５５は，各プロセス部１０〜１２内の処理ユニットにアクセス可能であり，各処理ユニットへの基板Ｇの搬入出と各処理ユニット間の基板Ｇの搬送を行うことができる。
【００３１】
インターフェイス部４は，処理ステーション３側にエクステンション部６０とバッファステージ６１とを有し，処理ステーション３の反対側（Ｘ方向負方向側であって図示しない露光装置側に搬送装置６２を有している。これにより，処理ステーション３の基板Ｇを露光装置内に搬送したり，露光処理の終了した基板Ｇを処理ステーション３内に搬送したりすることができる。
【００３２】
次に，上述したレジスト塗布ユニット３０の構成について説明する。図２は，レジスト塗布ユニット３０の構成の概略を示す側面図である。レジスト塗布ユニット３０は，後述するレジスト液供給ノズルが基板Ｇに塗布液としてのレジスト液を供給しながら，当該基板Ｇ上を走査し，基板Ｇ表面に塗布膜としてのレジスト膜を形成する処理ユニットである。
【００３３】
レジスト塗布ユニット３０には，基板Ｇを載置する基板保持部としての載置台７０が設けられている。載置台７０は，例えば厚みのある長方形の板状に形成されている。載置台７０の上面は，水平に形成されている。これにより，塗布処理される基板Ｇを載置台７０上に水平に載置することができる。また，載置台７０には，基板Ｇを搬入出する際に基板Ｇを下から支持し，昇降させる複数の昇降ピン７１が設けられている。
【００３４】
載置台７０のＸ方向（図２の左右方向）の両側には，一対のガイドレール７２，７３が設けられている。ガイドレール７２は，Ｘ方向正方向側，ガイドレール７３は，Ｘ方向負方向側に設けられている。ガイドレール７２，７３は，図３に示すようにＹ方向に延びており，例えば載置台７０の両端部まで形成されている。ガイドレール７２，７３上には，載置台７０上をＸ方向に延びるノズルガイドレール７４が架設されている。ノズルガイドレール７４には，このノズルガイドレール７４をＹ方向に平行移動させる，例えばモータ等を備えたレール駆動部７５が設けられている。
【００３５】
ノズルガイドレール７４には，後述するレジスト液供給ノズル８０や溶剤蒸気供給ノズル８１，８２を保持するノズル保持部としてのノズルボックス７６が設けられている。例えばノズルボックス７６には，このノズルボックス７６をノズルガイドレール７４に沿ってＸ方向に移動させるノズル駆動部７７が設けられている。これによって，ノズルボックス７６は，載置台７０の基板Ｇ上方をＸ方向に往復移動することができる。ノズルボックス７６の取り付けられたノズルガイドレール７４は，上述した通りＹ方向に移動できるので，ノズルボックス７６は，載置台７０上をＸ，Ｙ方向に移動することができる。
【００３６】
前記レール駆動部７５とノズル駆動部７７は，図２に示すように制御部７８により制御されており，ノズルボックス７６の移動経路，移動速度，移動タイミング等は，制御部７８によって制御される。なお，本発明の駆動機構は，本実施の形態においては，ガイドレール７２，７３，ノズルガイドレール７４，レール駆動部７５，ノズル駆動部７７及び制御部７８で構成される。
【００３７】
ノズルボックス７６には，Ｘ方向に沿って塗布液吐出ノズルとしてのレジスト液供給ノズル８０，溶剤蒸気供給ノズル８１及び８２が設けられている。溶剤蒸気供給ノズル８１，８２は，レジスト液供給ノズル８０の両側に設けられており，例えば溶剤蒸気供給ノズル８１がガイドレール７２側（Ｘ方向正方向側）に，溶剤蒸気供給ノズル８２がガイドレール７３側（Ｘ方向負方向側）に配置されている。このように配置することにより，ノズルボックス７６がＸ方向の何れの方向に移動している時にも，レジスト液供給ノズル８０の進行方向側の溶剤蒸気供給ノズルから溶剤蒸気を吐出することができる。したがって，基板Ｇにレジスト液を供給する直前に溶剤蒸気を供給することができる。
【００３８】
レジスト液供給ノズル８０は，レジスト液供給管８３を介してレジスト液の供給源となるレジスト液貯留タンク８４に連通接続されている。また，溶剤蒸気供給ノズル８１及び８２は，溶剤蒸気供給管８５を介して溶剤蒸気貯留タンク８６に連通接続されている。
【００３９】
レジスト液供給ノズル８０，溶剤蒸気供給ノズル８１及び８２には，ピエゾ式インクジェットノズルが用いられる。例えばピエゾ式インクジェットノズルであるレジスト液供給ノズル８０は，図４に示すようにレジスト液貯留タンク８４からのレジスト液を一旦貯留する貯留部８７と，当該貯留部８７に連通しレジスト液が吐出される小口径の複数の吐出口８８と，貯留部８７の内面に取り付けられ貯留部８７内のレジスト液を加圧するためのピエゾ素子８９とを有する。
【００４０】
貯留部８７には，吐出口８８からレジスト液が吐出しない程度に加圧されたレジスト液がレジスト液貯留タンク８４から供給され貯留されている。ピエゾ素子８９は，印可された電圧に応じて所定の周波数で伸縮するものであり，貯留部８７内のレジスト液は，このピエゾ素子８９の伸縮によって押し出され，吐出口８８から押し出された分の所定量のレジスト液が吐出される。このようにピエゾ式インクジェットノズルでは，ピエゾ素子８９の伸縮の周波数単位でレジスト液の吐出を制御できるので，レジスト液の吐出タイミング，吐出量等を厳密に制御できる。ピエゾ素子８９に印可される電圧は，例えば上述のレジスト液供給ノズル８０の移動を制御する制御部７８により制御される。したがって，制御部７８により，レジスト液の吐出タイミングや吐出回数を，レジスト液供給ノズル８０の移動速度や移動位置等に合わせて制御して，基板Ｇ表面の所望の領域に所定量のレジスト液を塗布することができる。
【００４１】
なお，レジスト液供給ノズル８０の吐出口８８は，例えば図５に示すように極めて狭い間隔でＹ方向に並べて設けられ，レジスト液は，基板Ｇ表面上に幅のある線状に供給される。なお，吐出口８８の数，配置は，任意に選択可能である。
【００４２】
また，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２のインクジェットノズルの構成は，レジスト液供給ノズル８０と同様であり，溶剤蒸気貯留タンク８６からの溶剤蒸気を溶剤蒸気供給ノズル８１，８２内の貯留部（図示せず）で一旦貯留し，制御部７８により制御されたピエゾ素子（図示せず）の伸縮により吐出口（図示せず）から吐出されるようになっている。したがって，溶剤蒸気の吐出タイミングや吐出量も制御部７８により厳密に制御できる。
【００４３】
次いで，上述の減圧乾燥ユニット３１の構成について説明する。図６は，減圧乾燥ユニット３１の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【００４４】
減圧乾燥ユニット３１は，基板Ｇを収納し，処理室としての減圧室Ｄを形成するためのチャンバ１００を有している。チャンバ１００は，上部チャンバ１０１と下部チャンバ１０２とで構成されており，上部チャンバ１０１が上下動し，下部チャンバ１０２と一体となって気密に閉鎖された減圧室Ｄを形成することができる。下部チャンバ１０２内には，基板Ｇを直接載置する載置台１０３が設けられている。載置台１０３は，その上面が平坦で，かつ基板Ｇよりも小さく形成されている。載置台１０３の外方には，昇降ピン１０４が設けられており，基板Ｇの外周部を下方から支持し，基板Ｇを載置台１０３上で昇降させることができる。
【００４５】
下部チャンバ１０２の底面には，チャンバ１００内の雰囲気を排気するための排気管１０５が取り付けられている。排気管１０５には，チャンバ１００内の雰囲気を吸引してチャンバ１００内を減圧する吸引ポンプ１０６が設けられている。これにより，レジスト液が塗布された直後の基板Ｇをチャンバ１００内に収容し，チャンバ１００内を減圧して，基板Ｇを減圧乾燥することができる。なお，本発明の減圧機構は，本実施の形態においては排気管１０５と吸引ポンプ１０６で構成される。
【００４６】
次に，以上のように構成されている塗布現像処理装置１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスについて説明する。
【００４７】
先ず，基板搬送体７によりカセットＣから未処理の基板Ｇが１枚取り出され，処理ステーション３の洗浄プロセス部１０の主搬送装置５３に受け渡される。洗浄プロセス部１０に搬送された基板Ｇは，先ず紫外線照射／冷却ユニット２１に搬送され，紫外線照射による乾式洗浄が施された後，所定温度に冷却される。次いで基板Ｇは，スクラバ洗浄ユニット２０に搬送され，スクラビング洗浄処理に付される。スクラビング洗浄された基板Ｇは，加熱ユニット２２に搬送され，脱水処理された後，冷却ユニット２３に搬送されて所定温度に冷却される。冷却処理の終了した基板Ｇは，洗浄プロセス部１０から基板受け渡し部１３を介して塗布プロセス部１１に搬送される。
【００４８】
塗布プロセス部１１に搬送された基板Ｇは，先ず主搬送装置５４によってアドヒージョン／冷却ユニット３２に搬送され，疎水化処理された後，冷却処理される。次いで基板Ｇは，レジスト塗布ユニット３０に搬送される。
【００４９】
レジスト塗布ユニット３０内に搬送された基板Ｇは，予め上昇して待機していた昇降ピン７１に受け渡される。次いで昇降ピン７１が下降し，基板Ｇが載置台７０上に載置される。このとき，ノズルボックス７６が，ノズル駆動部７７，レール駆動部７５により図示しない待機位置から塗布開始位置，例えば基板ＧのＹ方向負方向側の端部上であって基板ＧのＸ方向負方向側の外方の所定位置まで移動する。基板Ｇが載置台７０上に載置されると，ノズルボックス７６がＸ方向正方向に移動し，基板Ｇの端部上を通過すると，レジスト液供給ノズル８０と進行方向側の溶剤蒸気供給ノズル８２からのレジスト液や溶剤蒸気の吐出が開始される。これにより，基板Ｇには，図７に示すように先ず溶剤蒸気が供給され，その直後にレジスト液が供給される。そして，レジスト液の供給と溶剤蒸気の供給は，ノズルボックス７６が基板Ｇの端部を通過する直前に停止される。かかる塗布処理においては，例えばレジスト液が基板Ｇの外縁部に供給されないように，レジスト液の吐出の開始タイミングと停止タイミングが制御される。
【００５０】
その後，ノズルボックス７６は，例えば基板ＧのＸ方向正方向側の端部上で一旦停止する。次いでノズルボックス７６は，レール駆動部７５によりＹ方向正方向側に所定距離だけ移動され，レジスト液供給ノズル８０の供給位置がずらされる。続いてノズルボックス７６は，折り返しＸ方向負方向側に移動し，今度は溶剤蒸気供給ノズル８２とレジスト液供給ノズル８０から基板Ｇ表面上に溶剤蒸気とレジスト液とが順に供給される。ノズルボックス７６が基板ＧのＸ方向負方向側の端部上に到達すると，溶剤蒸気とレジスト液の吐出が停止される。その後基板ＧのＸ方向負方向側の端部付近で停止したノズルボックス７６は，再びＹ方向正方向側に所定距離だけ移動する。そして，再びＸ方向正方向側に移動して基板Ｇ表面上に溶剤蒸気とレジスト液を順に供給する。このようにノズルボックス７６をＸ方向に往復移動させながら，徐々にＹ方向正方向側にずらしていき，最終的にノズルボックス７６が基板ＧのＹ方向正方向側の端部まで到達すると，図３に示すような基板Ｇの外縁部を除いた所定領域Ａにレジスト液が供給され，基板Ｇ上にレジスト膜が形成される。なお，レジスト液供給ノズル８０のＸ方向の移動時の速度は，一定であってもよいし，適宜変動させてもよい。変動させる場合でも，基板Ｇ表面上に均一にレジスト液が塗布されるように吐出量が制御される。
【００５１】
レジスト液の塗布工程が終了すると，ノズルボックス７６は，図示しない待機位置に戻される。基板Ｇは，搬入時と同様に昇降ピン７１により上昇され，主搬送装置５４に受け渡され，レジスト塗布ユニット３０から搬出される。
【００５２】
塗布処理の終了した基板Ｇは，主搬送装置５４により減圧乾燥ユニット３１に搬送され，予め上昇して待機していた昇降ピン１０４に受け渡される。昇降ピン１０４が下降し，基板Ｇが載置台１０３上に載置されると，上部チャンバ１０１が下降し，下部チャンバ１０２と一体となって減圧室Ｄが形成される。吸引ポンプ１０６が作動し，減圧室Ｄ内の雰囲気が排気管１０５から排気され，減圧室Ｄ内が所定の圧力に減圧される。このとき，基板Ｇ表面のレジスト膜内の溶剤が蒸発し，レジスト膜が乾燥されると共に，基板Ｇ上に基板Ｇの中心部から排気管１０５に向かう気流が形成される。この気流により，レジスト膜表面の僅かな凹凸が均され，平坦化される。
【００５３】
所定時間の減圧乾燥処理が終了すると，減圧室Ｄ内の圧力が回復され，上部チャンバ１０１が上昇して，減圧室Ｄが開放される。その後基板Ｇは，昇降ピン１０４によって上昇され，主搬送装置５４に受け渡され，減圧乾燥ユニット３１から搬出される。
【００５４】
減圧乾燥処理の終了した基板Ｇは，加熱／冷却ユニット３３に搬送され，プリベーキング処理が行われた後，冷却処理される。
【００５５】
その後，基板Ｇは，主搬送装置５４及び主搬送装置５５によってインターフェイス部４のエクステンション部６０に搬送され，搬送装置６２によって図示しない露光装置に搬送される。露光装置では，基板Ｇ上のレジスト膜に所定の回路パターンが露光される。露光処理の終了した基板Ｇは，インターフェイス部４を介して現像プロセス部１２に戻され，主搬送装置５５により現像ユニット４０に搬送される。現像ユニット４０では，現像処理が行われる。現像処理の終了した基板Ｇは，加熱／冷却ユニット４１に搬送され，ポストベーキング処理が行われた後，冷却処理される。冷却処理が終了した基板Ｇは，主搬送装置５５，５４，５３によってカセットステーション２まで搬送され，基板搬送体７によってカセットＣに戻されて，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００５６】
以上の実施の形態によれば，レジスト液供給ノズル８０を基板Ｇ上方で移動させて，基板Ｇ表面にレジスト液を塗布するようにしたので，従来の基板Ｇを回転させる場合に比べてレジスト液の消費量を低減することができる。特にインクジェット方式のレジスト液供給ノズル８０を用いたので，レジスト液の吐出タイミング等を正確かつ厳密に制御することができ，レジスト液の消費量を最小限に抑えることができる。また，インクジェット方式によると，基板Ｇへのレジスト液の供給量も正確に制御できるので，レジスト液を基板Ｇ面内に斑なく供給できる。
【００５７】
また，インクジェット方式のレジスト液供給ノズル８０を用いて基板Ｇの外縁部には，レジスト液を供給しないようにしたので，その分レジスト液の消費量の低減が図られる上に，従来行われていた基板外縁部のレジスト膜の除去処理を行う必要がない。
【００５８】
ノズルボックス７６に溶剤蒸気供給ノズル８１，８２を設け，レジスト液が基板Ｇに供給される前に溶剤蒸気を供給するようにしたので，塗布前の基板Ｇの濡れ性が向上し，その後供給されたレジスト液が基板Ｇ表面上でスムーズに拡散される。これにより，線状に塗布されたレジスト液が適当に均され，レジスト膜の表面が平坦化される。また，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２をレジスト液供給ノズル８０の進行方向側，すなわちレジスト液供給ノズル８０のＸ方向の両隣に設けるようにしたので，基板Ｇにレジスト液が塗布される直前に溶剤蒸気を供給することができる。この場合，溶剤蒸気が供給されてからレジスト液が供給されるまでの時間が短いので，より希薄な溶剤蒸気を用いて基板Ｇの濡れ性を向上させることができる。したがって，溶剤蒸気の使用量を低減することができ，また，溶剤による臭いを抑えることができる。
【００５９】
溶剤蒸気供給ノズル８１，８２にもインクジェット方式のノズルが用いられるので，溶剤蒸気の供給タイミング，供給量等を正確かつ厳密に制御することができ，溶剤の消費量を低減することができる。また溶剤蒸気によるレジスト塗布ユニット３０内の汚染を抑制することができる。
【００６０】
以上の実施の形態で記載したレジスト塗布ユニット３０には，レジスト液を供給する前に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給ノズル８１，８２が設けられていたが，この溶剤蒸気供給ノズル８１，８２に代えてレジスト液が塗布された後に基板Ｇに溶剤ミストを供給する溶剤ミスト供給ノズルを設けてもよい。
【００６１】
図８は，かかる一例を示すものであり，ノズルボックス１１０のレジスト液供給ノズル１１１のＸ方向の両隣にインクジェット方式の溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３が設けられている。例えば溶剤ミスト供給ノズル１１２は，レジスト液供給ノズル１１１のＸ方向正方向側に，溶剤ミスト吐出ノズル１１３は，Ｘ方向負方向側に設ける。溶剤ミスト供給ノズル１１２及び１１３は，例えば図９に示すようにＹ方向に並べられた複数の吐出口１１４，１１５を有し，溶剤ミストが各吐出口１１４，１１５からインクジェット方式によって吐出される。
【００６２】
また，ノズルボックス１１０には，溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３から吐出され，基板Ｇの周辺に拡散した溶剤ミストを排気する排気部としての排気口１１６，１１７が設けられている。排気口１１６，１１７は，各溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３の外方に各々設けられている。排気口１１６，１１７は，例えばＹ方向に長いスリット状に形成されており，前記吐出口１１４及び１１５の配列された幅よりも長く形成されている。これによって吐出口１１４，１１５から吐出し，周辺部に拡散した溶剤ミストを十分に回収できるようになっている。排気口１１６，１１７は，図示しないファン等の吸引装置に連通接続されており，この吸引装置からの吸引によってノズルボックス１１０の下方域の雰囲気を吸引し，排気することができる。なお，溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３から供給されるミストの粒径は，もちろん前述した溶剤蒸気供給ノズル８１，８２から供給される蒸気の粒径より大きく，所定の粒径に適したノズルを用いたり，制御部７８により制御することにより所定の粒径を得ることが可能である。
【００６３】
そして，前記実施の形態と同様にノズルボックス１１０がＸ方向に往復移動し，レジスト液供給ノズル１１１からレジスト液が吐出されると同時に，レジスト液供給ノズル１１１の進行方向の後方側の溶剤ミスト吐出ノズル１１２又は１１３から溶剤ミストが吐出される。これにより，図１０に示すように基板Ｇにレジスト液が塗布された直後に溶剤ミストが供給される。また，この際に例えばレジスト液供給ノズル１１１の進行方向の後方側の排気口１１６又は１１７からの排気が行われ，基板Ｇの周辺部に拡散した溶剤ミストが排気される。
【００６４】
この実施の形態によれば，レジスト液の塗布された基板Ｇの表面に溶剤ミストが供給され，レジスト液の液面の粘性を低下させて，レジスト液の平坦化を促すことができる。溶剤ミスト吐出ノズル１１２，１１３には，インクジェット方式のノズルが用いられるので，溶剤ミストの供給量等を厳密に制御し，溶剤ミストの消費量を最小限に抑えることができる。また，基板Ｇの周辺に拡散した溶剤ミストを排気口１１６，１１７から回収するので，レジスト塗布ユニット３０内の汚染を抑制することができる。
【００６５】
かかる実施の形態では，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２の代わりに溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３を設けたが，図１１に示すように上記溶剤蒸気供給ノズル８１，８２と併用してもよい。かかる場合，基板Ｇには，レジスト液の供給前に溶剤蒸気が供給され，レジスト液の供給後に溶剤ミストが供給される。
【００６６】
また，前記実施の形態で供給していた溶剤ミストは，液滴の径が１０〜１００μｍ以下の細かい溶剤ミストであってもよい。この場合，レジスト膜の表面の一部にだけ多量の溶剤ミストが供給され，その部分のレジスト膜が変質することを抑制できる。なお，溶剤ミストの代わりに溶剤蒸気を供給してもよい。この場合，前記溶剤蒸気供給ノズル８１，８２を用いてレジスト液供給後に溶剤蒸気の供給してもよい。また，溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３を用いて，レジスト液を供給する前に溶剤ミストを供給してもよい。
【００６７】
さらに，上述の溶剤ミストを排気するための排気口を基板Ｇの外方に設けるようにしてもよい。図１２は，かかる一例を示すものであり，載置台７０上の基板ＧのＹ方向側の両端部外方に排気口１２０が設けられている。排気口１２０は，基板Ｇ側に向けて設けられている。そして，上述の実施の形態と同様に溶剤ミストが吐出された時に，基板Ｇ上の雰囲気が排気される。こうすることによって，基板周辺部の不要な溶剤ミストが除去されると共に，基板Ｇの中心付近から基板ＧのＹ方向側の端部に向かう気流が形成され，この気流により，Ｘ方向に線状に塗布されたレジスト液が均され，平坦化される。なお，上述した排気口１１６，１１７及び１２０の数や形状，配置位置は任意に選択できる。
【００６８】
上述したレジスト液供給ノズル８０，１１１，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２，溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３は，インクジェット方式のノズルであったが，各ノズルについて他の方式のノズルであってもい。例えばポンプ等の加圧手段により圧送されたレジスト液を細径の吐出口から連続吐出するノズルであってもよい。
【００６９】
また，溶剤蒸気供給ノズル８１，８２，溶剤ミスト供給吐出ノズル１１２，１１３は，レジスト液供給ノズル８０，１１１と同じノズルボックスに設けられていなくてもよく，独立して移動可能なノズルボックスに設けられていてもよい。また，基板Ｇの位置，例えば基板Ｇの中央部と，基板Ｇの中央部よりレジスト膜が盛り上がりやすい基板Ｇの周縁部とでレジスト液の供給前後に供給する溶剤の量を変化させるように制御しても良く，またそのために溶剤蒸気供給ノズル８１，８２と溶剤ミスト供給ノズル１１２，１１３とを基板Ｇの位置に応じて使い分け又は併用してもよい。
【００７０】
以上の実施の形態は，レジスト液供給ノズル８０，１１１をＸ方向に往復移動させて，レジスト液の塗布経路がＸ方向に平行になるようにレジスト液を基板Ｇに供給していたが，他の塗布経路，例えば渦巻き状，格子状の塗布経路になるようレジスト液を供給してもよい。
【００７１】
また，以上の実施の形態は，基板Ｇにレジスト液を塗布していたが，本発明は，他の処理液，例えばＳＯＤ，ＳＯＧ膜等を形成する処理液や現像液を塗布する場合にも適用できる。また，以上で説明した実施の形態は，ＬＣＤ製造プロセスのフォトリソグラフィー工程が行われる処理装置について適用したものであったが，本発明はＬＣＤ基板以外の基板例えば半導体ウェハ，フォトマスク用のマスクレチクル基板等の処理装置においても適用できる。
【００７２】
【発明の効果】
本発明によれば，基板に均一な膜厚の塗布膜を形成できるので，歩留まりが向上される。また，塗布液等の消費量を低減できるので，コストが低減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる塗布現像処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】レジスト塗布ユニットに構成の概略を示す側面図である。
【図３】図２のレジスト塗布ユニットの斜視図である。
【図４】レジスト液供給ノズルの構成を示す縦断面の説明図である。
【図５】ノズルボックスを下方から見た場合のノズルボックスの各ノズルの構成を示す説明図である。
【図６】減圧乾燥ユニットの構成を示す縦断面の説明図である。
【図７】ノズルボックスが移動しながらレジスト液と溶剤蒸気を基板に供給している状態を示す説明図である。
【図８】溶剤ミスト供給ノズルと排気口を設けた場合のノズルボックスの側面図である。
【図９】図８のノズルボックスを下方から見た場合ノズルボックスの構成の説明図である。
【図１０】ノズルボックスが移動しながらレジスト液と溶剤ミストを基板に供給している状態を示す説明図である。
【図１１】溶剤蒸気供給ノズルと溶剤ミスト供給ノズルを併用した場合のノズルボックスの側面図である。
【図１２】基板の外方に排気口を設けた場合のレジスト塗布ユニットの斜視図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理装置
３０ レジスト塗布ユニット
３１ 減圧乾燥ユニット
７０ 載置台
７２，７３ ガイドレール
７４ ノズルガイドレール
７５ レール駆動部
７６ ノズルボックス
７７ ノズル駆動部
８０ レジスト液供給ノズル
８１ 溶剤蒸気供給ノズル
Ｄ 減圧室
Ｇ 基板
Claims (5)
- 基板を処理する処理装置であって，
基板を保持する基板保持部と，
前記基板保持部に保持された基板に対向して配置され，前記基板保持部に対して相対的に移動して，基板表面に塗布膜を形成するために基板に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと，
前記基板保持部に対して相対的に移動して，前記塗布液が供給された後の基板に前記塗布液の溶剤ミストを供給するインクジェット方式の溶剤ミスト供給ノズルと，
前記溶剤ミスト供給ノズルから吐出された溶剤ミストを排気する排気部と，を備え，
前記塗布液供給ノズルと，前記溶剤ミスト供給ノズルと，前記排気部は，前記基板保持部に対して相対的に移動する同じノズル保持部に保持されており，
前記塗布液供給ノズルと，前記溶剤ミスト供給ノズルと，前記排気部は，前記塗布液供給ノズルが塗布液を供給する時の前記ノズル保持部の移動方向の逆方向に向けてこの順で配置されていることを特徴とする，処理装置。 - 基板に前記塗布液が供給される前に，基板に塗布液の溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給ノズルを備えたことを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
- 前記溶剤蒸気供給ノズルは，前記塗布液供給ノズルと同じノズル保持部に保持されており，
前記溶剤蒸気供給ノズルは，前記ノズル保持部の移動方向の前記塗布液供給ノズルよりも前方側に配置されていることを特徴とする，請求項２に記載の処理装置。 - 前記塗布液供給ノズルは，インクジェット方式のノズルであることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の処理装置。
- 前記塗布液が塗布された基板を収容し，閉鎖可能な処理室と，
前記処理室を減圧して基板を減圧乾燥するための減圧機構と，を備えたことを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の処理装置。
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