JP5073375B2 - マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法に関する。
ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク（ＦＰＤ用のマスクブランク）においては、遮光性膜、半透光性膜などの薄膜上に、レジスト膜が形成される。このレジスト膜は、前記薄膜のエッチング時にエッチングマスクとして使用される。しかし、ＦＰＤ用のマスクブランクにおいては、レジスト膜を形成すべき前記薄膜表面の面積が大きいため、例えばＬＳＩ用のマスクブランク等と比べ、レジスト膜の塗布ムラや、面内膜厚均一性の悪化が生じやすい。
また、ＦＰＤ用のフォトマスクなどにおいては、近年において、形成されるパターンが高精度化しているため、大型の基板の全面に亘って均一な厚さのレジスト膜を形成できる技術が望まれていた。
また、ＦＰＤ用のフォトマスクなどにおいては、近年において、形成されるパターンが高精度化しているため、大型の基板の全面に亘って均一な厚さのレジスト膜を形成できる技術が望まれていた。
このような実情に鑑み、ＦＰＤ用のマスクブランク及びフォトマスクの製造分野において、例えば、「ＣＡＰコータ（キャップコータ）」と通称される塗布装置の使用が検討されている。この「ＣＡＰコータ」においては、液体状のレジスト液が溜められた液槽に毛管状隙間を有する塗布ノズルを沈めておき、一方、被塗布面を下方に向けた姿勢で吸着盤によって基板を保持しておき、次に、塗布ノズルをレジスト液中より上昇させてこの塗布ノズルの上端部を基板の被塗布面に近接させる。すると、液槽に溜められた液体状のレジスト液が塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇され、このレジスト液が塗布ノズルの上端部を介して基板の被塗布面に接液される。このようにレジスト液が被塗布面に接液した状態において、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置（塗布ギャップＧの位置）まで下降させる。この状態で、塗布ノズル及び被塗布面を被塗布面の全面に亘って相対的に走査させることにより、被塗布面の全面に亘ってレジスト液の塗布膜が形成される。
ところで、前述のような「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いても、基板に形成されるパターンをより高精度化しようとする場合においては、レジスト膜の厚さの均一性が不充分となることがあった。
これに対し、本願出願人は、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いて基板にレジスト液を塗布する場合、塗布を実施する際の基板と塗布ノズルの上端部との間隔（以下塗布ギャップＧという）が大きいほど塗布膜の膜厚分布が小さくなることを解明し、先に出願を行っている（特許文献１）。
特開２００５−５１２２０公報
これに対し、本願出願人は、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いて基板にレジスト液を塗布する場合、塗布を実施する際の基板と塗布ノズルの上端部との間隔（以下塗布ギャップＧという）が大きいほど塗布膜の膜厚分布が小さくなることを解明し、先に出願を行っている（特許文献１）。
ところが、上記のような塗布装置を用いてレジスト液の塗布を行う場合について、塗布の実施に先立ち行われる接液の際の基板と塗布ノズルの上端部との間隔（以下接液ギャップｇという）に関して、改善の余地があることがわかった。
詳しくは、接液ギャップｇを小さくした場合（例えば２０μｍ）、確実に接液が行われるものの、接液完了後、塗布ギャップＧに広げ塗布を実施した場合、塗布膜の塗り始めエリアに鋭い（濃い）縦ムラが生じることが判った（図１２参照）。同様に、接液ギャップｇが大きい場合（例えば１８０μｍ程度）に、塗布膜の塗り始めエリアに縦ムラが生じる場合があることが判った（課題１）。
一方、塗布膜の塗り始めエリアに縦ムラが生じない接液ギャップｇにした場合（例えば２００μｍ）、接液が起こらない現象が生じ、工程として不安定であることが判った（課題２）。
上記のように、従来は、接液ギャップｇの最適化では双方の課題１及び課題２を同時解決できなかった。
詳しくは、接液ギャップｇを小さくした場合（例えば２０μｍ）、確実に接液が行われるものの、接液完了後、塗布ギャップＧに広げ塗布を実施した場合、塗布膜の塗り始めエリアに鋭い（濃い）縦ムラが生じることが判った（図１２参照）。同様に、接液ギャップｇが大きい場合（例えば１８０μｍ程度）に、塗布膜の塗り始めエリアに縦ムラが生じる場合があることが判った（課題１）。
一方、塗布膜の塗り始めエリアに縦ムラが生じない接液ギャップｇにした場合（例えば２００μｍ）、接液が起こらない現象が生じ、工程として不安定であることが判った（課題２）。
上記のように、従来は、接液ギャップｇの最適化では双方の課題１及び課題２を同時解決できなかった。
これに対し、本願出願人は、以下のことを解明し、先に出願を行っている（特願２００７−１２７６３４）。
即ち、接液は、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）のある箇所（通常１箇所）で接液が開始され、この接液箇所から一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく（レジスト液供給口に沿って接液が走って行くように見える状態で接液が進行していく）ことによって、接液が完了する（図３参照）。このとき、接液ギャップｇを小さくしすぎると、接液の走り速度が大きくなりすぎ、気泡等を巻き込みながら接液が進行していき（即ち泡噛みが起き）、この泡が原因で塗布膜の塗り始めエリアに縦ムラが生じることを解明した。
そして、上記知見に基づき更に研究を進めた結果、第１に、接液ギャップｇを小さい状態で一瞬保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップｇを広げて接液を完了させることによって（手法１）、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止でき、従って、上記課題１及び課題２の双方を同時解決できることを解明した。
また、第２に、一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような接液ギャップに保持しつつ、接液開始補助手段（図４参照）によって接液を開始させることによって（手法２）、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止でき、従って、上記課題１及び課題２の双方を同時解決できることを解明した。
即ち、接液は、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）のある箇所（通常１箇所）で接液が開始され、この接液箇所から一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく（レジスト液供給口に沿って接液が走って行くように見える状態で接液が進行していく）ことによって、接液が完了する（図３参照）。このとき、接液ギャップｇを小さくしすぎると、接液の走り速度が大きくなりすぎ、気泡等を巻き込みながら接液が進行していき（即ち泡噛みが起き）、この泡が原因で塗布膜の塗り始めエリアに縦ムラが生じることを解明した。
そして、上記知見に基づき更に研究を進めた結果、第１に、接液ギャップｇを小さい状態で一瞬保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップｇを広げて接液を完了させることによって（手法１）、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止でき、従って、上記課題１及び課題２の双方を同時解決できることを解明した。
また、第２に、一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような接液ギャップに保持しつつ、接液開始補助手段（図４参照）によって接液を開始させることによって（手法２）、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止でき、従って、上記課題１及び課題２の双方を同時解決できることを解明した。
しかしながら、上記の手法１又は２を適用してレジスト液の塗布を行う場合であっても、塗布の実施に先立ち行われる接液の際の、基板の被塗布面の表面状態や、更には基板上で接液を開始させる箇所及びその近辺の状態、に関して、改善の余地があることがわかった。
詳しくは、第１に、薄膜の表面で接液を開始させると、常に毎回同じ状態で接液が行われるとは限られず、例えば、接液の走り速度が毎回安定しない場合があることを解明した（課題３）。これに対し、薄膜形成前のガラス基板を準備しガラス面で接液を開始させることを試みたところ、常に毎回同じ状態で接液が行われ、例えば、接液の走り速度が毎回安定することを解明した。
これらの理由は、接液は、レジスト液の表面張力と被塗布面の表面張力との相互作用（釣り合い）によって、接液が開始されたり、接液が開始されなかったりする現象に影響を与えたり、接液の走り速度の安定性に影響を与えたりするからであると考えられ、薄膜の表面の表面状態に比べ、ガラス面の表面状態方が表面状態の安定性に優れるためであると考えられる。
第２に、ガラス面などの基板表面の露出面で接液を開始させたとしても、接液開始箇所の近辺に位置する薄膜のエッジが急峻に立ち上がっていると、接液完了後レジスト液の塗布を実施し、薄膜のエッジを塗布しつつ通過する際に、薄膜のエッジの形態に起因した塗布ムラが発生することを解明した。この場合、特に薄膜の膜厚が厚い場合に濃い塗布ムラが発生することを解明した（課題４）。
詳しくは、第１に、薄膜の表面で接液を開始させると、常に毎回同じ状態で接液が行われるとは限られず、例えば、接液の走り速度が毎回安定しない場合があることを解明した（課題３）。これに対し、薄膜形成前のガラス基板を準備しガラス面で接液を開始させることを試みたところ、常に毎回同じ状態で接液が行われ、例えば、接液の走り速度が毎回安定することを解明した。
これらの理由は、接液は、レジスト液の表面張力と被塗布面の表面張力との相互作用（釣り合い）によって、接液が開始されたり、接液が開始されなかったりする現象に影響を与えたり、接液の走り速度の安定性に影響を与えたりするからであると考えられ、薄膜の表面の表面状態に比べ、ガラス面の表面状態方が表面状態の安定性に優れるためであると考えられる。
第２に、ガラス面などの基板表面の露出面で接液を開始させたとしても、接液開始箇所の近辺に位置する薄膜のエッジが急峻に立ち上がっていると、接液完了後レジスト液の塗布を実施し、薄膜のエッジを塗布しつつ通過する際に、薄膜のエッジの形態に起因した塗布ムラが発生することを解明した。この場合、特に薄膜の膜厚が厚い場合に濃い塗布ムラが発生することを解明した（課題４）。
本発明は、上述の実情に鑑みてなされた発明であって、本発明の目的は、「ＣＡＰコータ」などのスリットコータ装置を用いてレジスト液の塗布を行う場合について、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止できる（従って上記課題１及び課題２の双方を同時解決できる)と共に、接液の際の、基板の被塗布面の表面状態や、更には基板上で接液を開始させる箇所及びその近辺の状態、に起因する問題を解決できる（従って上記課題３、課題４を解決できる）マスクブランクの製造方法等を提供することにある。
すなわち、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成２）基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有し、かつ、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板を準備する工程と、
接液の完了後、前記塗布ノズルの先端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記接液の際の前記間隔より広い間隔に広げ、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することを特徴とする構成１記載のマスクブランクの製造方法。
（構成３）液槽に溜められた液体状のレジスト液を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト液を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させ、レジスト液が基板の被塗布面に接液された状態で、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、この状態で前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの上端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの上端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの上端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成４）基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有し、かつ、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板を準備する工程と、
接液の完了後、前記塗布ノズルの上端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記接液の際の前記間隔より広い間隔であって、接液したレジスト液が前記薄膜の表面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上の間隔とし、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することを特徴とする構成３記載のマスクブランクの製造方法。
（構成５）一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような間隔とし、接液開始補助手段によって接液を開始させ、接液を完了させる工程、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成６）構成１から５のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
（構成１）一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成２）基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有し、かつ、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板を準備する工程と、
接液の完了後、前記塗布ノズルの先端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記接液の際の前記間隔より広い間隔に広げ、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することを特徴とする構成１記載のマスクブランクの製造方法。
（構成３）液槽に溜められた液体状のレジスト液を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト液を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させ、レジスト液が基板の被塗布面に接液された状態で、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、この状態で前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの上端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの上端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの上端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成４）基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有し、かつ、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板を準備する工程と、
接液の完了後、前記塗布ノズルの上端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記接液の際の前記間隔より広い間隔であって、接液したレジスト液が前記薄膜の表面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上の間隔とし、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することを特徴とする構成３記載のマスクブランクの製造方法。
（構成５）一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような間隔とし、接液開始補助手段によって接液を開始させ、接液を完了させる工程、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成６）構成１から５のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
本発明によれば、「ＣＡＰコータ」などのスリットコータ装置を用いてレジスト液の塗布を行う場合について、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止できる（従って上記課題１及び課題２の双方を同時解決できる)と共に、接液の際の、基板の被塗布面の表面状態や、更には基板上で接液を開始させる箇所及びその近辺の状態、に起因する問題を解決できる（従って上記課題３、課題４を解決できる）マスクブランクの製造方法等を提供できる。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のマスクブランクの製造方法は、一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程、
を有することを特徴とする（構成１）。
上記構成１に係る発明よれば、基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する基板を準備し、この基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とすることによって、常に毎回同じ状態で接液が行われ、例えば、接液の走り速度が毎回安定する効果が得られ、したがって、基板の被塗布面の表面状態に起因する問題（課題３）を解決できる（例えば図１、図２参照）。これに対し、基板表面の薄膜を形成した箇所で接液を開始させると、常に毎回同じ状態で接液が行われるとは限られず、例えば、接液の走り速度が毎回安定しない場合がある（図１１参照）。
また、上記構成１に係る発明よれば、基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程、を有することによって、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止でき、従って、上記課題１及び課題２の双方を同時解決できるマスクブランクの製造方法を実現できる。
本発明のマスクブランクの製造方法は、一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程、
を有することを特徴とする（構成１）。
上記構成１に係る発明よれば、基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する基板を準備し、この基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とすることによって、常に毎回同じ状態で接液が行われ、例えば、接液の走り速度が毎回安定する効果が得られ、したがって、基板の被塗布面の表面状態に起因する問題（課題３）を解決できる（例えば図１、図２参照）。これに対し、基板表面の薄膜を形成した箇所で接液を開始させると、常に毎回同じ状態で接液が行われるとは限られず、例えば、接液の走り速度が毎回安定しない場合がある（図１１参照）。
また、上記構成１に係る発明よれば、基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる工程、を有することによって、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止でき、従って、上記課題１及び課題２の双方を同時解決できるマスクブランクの製造方法を実現できる。
本発明において、前記接液開始箇所は、主表面の端部からの距離Ｗ１が２〜３ｍｍ以上であることが好ましく、また、膜面の端部からの距離Ｗ２が２〜３ｍｍ以上であることが好ましい（図２参照）。接液をより安定させるためである。主表面の端部や膜面の端部に近づけすぎた位置を接液開始箇所とした場合、接液が安定しない。
このため、本発明において、基板の主表面の周縁に沿った外周部分の幅は、４〜１０ｍｍ程度が好ましく、５〜８ｍｍ程度が更に好ましい。
本発明では、例えば、透光性基板であるガラス基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面であるガラス面を接液開始箇所とし、接液させることができる。
このため、本発明において、基板の主表面の周縁に沿った外周部分の幅は、４〜１０ｍｍ程度が好ましく、５〜８ｍｍ程度が更に好ましい。
本発明では、例えば、透光性基板であるガラス基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面であるガラス面を接液開始箇所とし、接液させることができる。
本発明において、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させる際の、前記間隔（以下、接液開始時の接液ギャップｇという）は、接液が起こらない現象を回避できる間隔が好ましい。
また、接液開始時の接液ギャップｇは、接液が瞬時（例えば、１秒以内、好ましくは０．５秒以内、更に好ましくは０．３秒以内、更に好ましくは０．１秒以内）に開始される間隔が好ましい。これに対し、接液開始時の接液ギャップｇが、接液が数秒以内のうちでランダムに開始される（例えば接液が８秒で開始されたり１０秒で開始されたりする）ような間隔であることは好ましくない。
本発明においては、接液開始時の接液ギャップｇは、相対的に小さい状態で一瞬保持（例えば、１秒以内、好ましくは０．５秒間、更に好ましくは０．３秒間、更に好ましくは０．１間保持）して接液を開始させることが好ましい。一瞬保持により、この間一定間隔を保持することによって、接液を安定的かつ確実に開始させるためである。
また、接液開始時の接液ギャップｇは、接液が瞬時（例えば、１秒以内、好ましくは０．５秒以内、更に好ましくは０．３秒以内、更に好ましくは０．１秒以内）に開始される間隔が好ましい。これに対し、接液開始時の接液ギャップｇが、接液が数秒以内のうちでランダムに開始される（例えば接液が８秒で開始されたり１０秒で開始されたりする）ような間隔であることは好ましくない。
本発明においては、接液開始時の接液ギャップｇは、相対的に小さい状態で一瞬保持（例えば、１秒以内、好ましくは０．５秒間、更に好ましくは０．３秒間、更に好ましくは０．１間保持）して接液を開始させることが好ましい。一瞬保持により、この間一定間隔を保持することによって、接液を安定的かつ確実に開始させるためである。
本発明において、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる際の、前記間隔（以下、接液完了時までの接液ギャップｇ’という）は、接液の開始後、一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込み（泡噛み）が起こらない接液の走り速度になるような間隔とすることが好ましい。
本発明においては、接液開始後、直ちに、泡噛みの起こらない接液の走り速度になるような間隔まで接液ギャップを広げ（即ち接液完了時までの接液ギャップｇ’とし）、この広げた一定間隔ｇ’を保持して接液を完了させることが好ましい。これは、接液開始時の接液ギャップｇの状態である時間が長いと、接液の走り速度が大きく泡噛みの起こる箇所が生じてしまうためである。また、接液開始後、徐々に前記間隔ｇ’を広げていくと、接液の走り速度が変動し、ムラの発生の原因となる場合があるからである。
本発明においては、接液開始後、できるかぎり短い時間内（例えば、０．１秒以内、好ましくは０．０５秒以内、更に好ましくは０．０３秒以内）に、泡噛みの起こらない接液の走り速度になるような間隔まで接液ギャップを広げ、接液完了時までの接液ギャップｇ’とすることが好ましい。
尚、本発明において、接液の完了とは、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）の一端から他端までのすべてに亘り、前記基板表面の露出面との間で接液がなされることをいう（図３参照）。
また、本発明において、塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させる態様としては、塗布ノズルを固定した状態で基板を走査（移動）させる態様や、基板を固定した状態で塗布ノズルを走査（移動）させる態様、が含まれる。
本発明においては、接液開始後、直ちに、泡噛みの起こらない接液の走り速度になるような間隔まで接液ギャップを広げ（即ち接液完了時までの接液ギャップｇ’とし）、この広げた一定間隔ｇ’を保持して接液を完了させることが好ましい。これは、接液開始時の接液ギャップｇの状態である時間が長いと、接液の走り速度が大きく泡噛みの起こる箇所が生じてしまうためである。また、接液開始後、徐々に前記間隔ｇ’を広げていくと、接液の走り速度が変動し、ムラの発生の原因となる場合があるからである。
本発明においては、接液開始後、できるかぎり短い時間内（例えば、０．１秒以内、好ましくは０．０５秒以内、更に好ましくは０．０３秒以内）に、泡噛みの起こらない接液の走り速度になるような間隔まで接液ギャップを広げ、接液完了時までの接液ギャップｇ’とすることが好ましい。
尚、本発明において、接液の完了とは、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）の一端から他端までのすべてに亘り、前記基板表面の露出面との間で接液がなされることをいう（図３参照）。
また、本発明において、塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させる態様としては、塗布ノズルを固定した状態で基板を走査（移動）させる態様や、基板を固定した状態で塗布ノズルを走査（移動）させる態様、が含まれる。
本発明において、泡噛みの起こらない接液の走り速度は、９０ｍｍ／秒未満が好ましく、６０ｍｍ／秒未満が更に好ましい。
本発明において、泡噛みの起こらない接液の走り速度になるような塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔は、レジスト液の粘度によって変わるので一概に言えないものの、概ね、１８０μｍ以上が好ましく、２５０μｍ以上が更に好ましい。
本発明において、泡噛みの起こらない接液の走り速度になるような塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔は、レジスト液の粘度によって変わるので一概に言えないものの、概ね、１８０μｍ以上が好ましく、２５０μｍ以上が更に好ましい。
本発明において、接液は、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）の一端で接液が開始され、前記一端から他端方向に、一方向に向かって接液がなされる（一方向に向かって接液を走らせる）ことが好ましい（図３参照）。接液を安定させるためである。
尚、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）の複数箇所（例えば両端）で接液が開始される場合にあっては、互いに異なる方向に走る接液どうしが衝突し、この衝突箇所がムラになったりする。また、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）の中央部分で接液が開始される場合にあっては、接液の走り方が左右ばらばらになることが原因で、ムラの原因になったりする。
尚、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）の複数箇所（例えば両端）で接液が開始される場合にあっては、互いに異なる方向に走る接液どうしが衝突し、この衝突箇所がムラになったりする。また、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）の中央部分で接液が開始される場合にあっては、接液の走り方が左右ばらばらになることが原因で、ムラの原因になったりする。
本発明において、塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）の一端で接液を開始させる手段・方法としては、以下のものが挙げられる。
（１）レジスト液供給口（スリット）の一端部分と、これと対向する基板表面の露出面との間に、接液開始を補助する作用・機能を有する接液開始補助手段を介在させる方法（図４参照）。尚、接液開始補助手段は、図４に示すように、レジスト液供給口と基板表面の露出面との間における少なくとも一部に介在させればよい。接液開始補助手段は、基板、及び／又は、塗布ノズル（レジスト液供給口）、の一部に接触して設けることができる。接液開始補助手段は、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間に存在する空間において、挿脱自在又は着脱自在に設けることができ、前記空間に対し３次元方向に位置調整可能に設けることができる。
（２）レジスト液供給口（スリット）の一端部分と、これと対向する基板表面の露出面との間の間隔を、他の部位に対し、狭くする方法。例えば、レジスト液供給口（スリット）の一端部分、及び／又は、これと対向する基板表面の露出面、を他の部位に対し突出させる。
（１）レジスト液供給口（スリット）の一端部分と、これと対向する基板表面の露出面との間に、接液開始を補助する作用・機能を有する接液開始補助手段を介在させる方法（図４参照）。尚、接液開始補助手段は、図４に示すように、レジスト液供給口と基板表面の露出面との間における少なくとも一部に介在させればよい。接液開始補助手段は、基板、及び／又は、塗布ノズル（レジスト液供給口）、の一部に接触して設けることができる。接液開始補助手段は、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間に存在する空間において、挿脱自在又は着脱自在に設けることができ、前記空間に対し３次元方向に位置調整可能に設けることができる。
（２）レジスト液供給口（スリット）の一端部分と、これと対向する基板表面の露出面との間の間隔を、他の部位に対し、狭くする方法。例えば、レジスト液供給口（スリット）の一端部分、及び／又は、これと対向する基板表面の露出面、を他の部位に対し突出させる。
本発明においては、基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有し、かつ、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板を準備する工程と、
接液の完了後、前記塗布ノズルの先端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記接液の際の前記間隔より広い間隔に広げ、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することが好ましい（構成２）。
構成２に係る発明では、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されているので、接液完了後レジスト液の塗布を実施する際に、薄膜の端部断面形状（薄膜のエッジの形態）に起因した塗布ムラの発生を低減でき、したがって、上記課題４を解決できる（例えば図２参照）。これに対し、ガラス面などの基板表面の露出面で接液を開始させたとしても、接液開始箇所の近辺に位置する薄膜のエッジが急峻に立ち上がっていると、接液完了後レジスト液の塗布を実施し、薄膜のエッジを塗布しつつ通過する際に、薄膜のエッジの形態に起因した塗布ムラが発生する（例えば図１１参照）。
また、本発明では、接液の完了後、前記塗布ノズルの先端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記接液の際の前記間隔（接液ギャップｇ、ｇ’）より広い間隔（塗布ギャップＧ）に広げ、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有しているので、塗布膜の膜厚分布を小さくし、十分な面内膜厚均一性を得ることが可能となる。
接液の完了後、前記塗布ノズルの先端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記接液の際の前記間隔より広い間隔に広げ、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することが好ましい（構成２）。
構成２に係る発明では、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されているので、接液完了後レジスト液の塗布を実施する際に、薄膜の端部断面形状（薄膜のエッジの形態）に起因した塗布ムラの発生を低減でき、したがって、上記課題４を解決できる（例えば図２参照）。これに対し、ガラス面などの基板表面の露出面で接液を開始させたとしても、接液開始箇所の近辺に位置する薄膜のエッジが急峻に立ち上がっていると、接液完了後レジスト液の塗布を実施し、薄膜のエッジを塗布しつつ通過する際に、薄膜のエッジの形態に起因した塗布ムラが発生する（例えば図１１参照）。
また、本発明では、接液の完了後、前記塗布ノズルの先端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記接液の際の前記間隔（接液ギャップｇ、ｇ’）より広い間隔（塗布ギャップＧ）に広げ、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有しているので、塗布膜の膜厚分布を小さくし、十分な面内膜厚均一性を得ることが可能となる。
本発明において、基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有し、かつ、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板を準備する工程は、例えば、基板の主表面の周縁に沿った外周部分を、スパッタ成膜時に遮蔽治具を配置することによって薄膜の形成を遮蔽し、前記外周部分除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を形成することによって得ることができる。
本発明において、前記薄膜の端部断面形状は、基板表面と薄膜の端部断面曲線とのなす角αは、４５°以下とすることが薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるために好ましい（図２参照）。
また、本発明において、前記薄膜の端部断面形状は、ギザつきなどがなく、なめらかな断面曲線であるとすることが薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるために好ましい。
本発明において、前記薄膜の端部断面形状は、基板表面と薄膜の端部断面曲線とのなす角αは、４５°以下とすることが薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるために好ましい（図２参照）。
また、本発明において、前記薄膜の端部断面形状は、ギザつきなどがなく、なめらかな断面曲線であるとすることが薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるために好ましい。
本発明は、一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するスリットコータ通称される塗布装置を用いる場合に適用できる。スリットコータにおける、塗布ノズルと基板の位置関係は、特に制限されず、床面に対し水平に保持された基板の上方に塗布ノズルが設けられた態様や、塗布ノズルと基板の双方が床面に対し垂直に保持された態様などが含まれる。
本発明は、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いる場合に好適に適用できる（構成３）。これは、毛細管現象により上昇させたレジスト液の接液は、他の態様の装置に比べ難しいからである。
本発明においては、接液の完了後、前記塗布ノズルの上端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記接液の際の前記間隔より広い間隔であって、接液したレジスト液が前記薄膜の表面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上の間隔とし、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することが好ましい（構成４）。
特許文献１に記載のように、膜厚分布が小さく膜厚の均一性の高い塗布膜を得るには、塗布ギャップＧを大きくすればよい。
しかしながら、塗布ギャップＧを大きくしてゆくと、この塗布ギャップＧがある一定の間隔になったところで、被塗布面１０ａである薄膜（図示せず）及び基板表面の露出面の表面に一旦接液したレジスト液２１が被塗布面１０ａから離間（離液）してしまう（図５参照）。このように、一旦接液したレジスト液２１が被塗布面１０ａから離液する間隔を離液間隔Ｇ´ということにすると、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´よりも小さくなければならない。
したがって、塗布ギャップＧを、離液間隔Ｇ´よりも小さい範囲内において、なるべく大きくすることが望ましい。具体的には、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の少なくとも５０％以上とし、かつ、離液間隔Ｇ´未満である間隔に制御されることが好ましい。
更に、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の７０％乃至９５％とすることがより望ましい。塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の７０％以上とすることにより、膜厚分布が極めて良好に抑制される。塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の８０％以上とすれば、膜厚分布は、よりよく抑制されるので好ましい。
ただし、塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の９５％より大きくすると、基板の大きさなどの諸条件によっては、レジスト液を塗布している最中に、断片的な液切れ、すなわち、レジスト液の被塗布面からの離液が生ずる可能性がある。このような液切れを確実に防止する観点からは、塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の９０％以下とすることが好ましい。
特許文献１に記載のように、膜厚分布が小さく膜厚の均一性の高い塗布膜を得るには、塗布ギャップＧを大きくすればよい。
しかしながら、塗布ギャップＧを大きくしてゆくと、この塗布ギャップＧがある一定の間隔になったところで、被塗布面１０ａである薄膜（図示せず）及び基板表面の露出面の表面に一旦接液したレジスト液２１が被塗布面１０ａから離間（離液）してしまう（図５参照）。このように、一旦接液したレジスト液２１が被塗布面１０ａから離液する間隔を離液間隔Ｇ´ということにすると、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´よりも小さくなければならない。
したがって、塗布ギャップＧを、離液間隔Ｇ´よりも小さい範囲内において、なるべく大きくすることが望ましい。具体的には、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の少なくとも５０％以上とし、かつ、離液間隔Ｇ´未満である間隔に制御されることが好ましい。
更に、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の７０％乃至９５％とすることがより望ましい。塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の７０％以上とすることにより、膜厚分布が極めて良好に抑制される。塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の８０％以上とすれば、膜厚分布は、よりよく抑制されるので好ましい。
ただし、塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の９５％より大きくすると、基板の大きさなどの諸条件によっては、レジスト液を塗布している最中に、断片的な液切れ、すなわち、レジスト液の被塗布面からの離液が生ずる可能性がある。このような液切れを確実に防止する観点からは、塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の９０％以下とすることが好ましい。
本発明のマスクブランクの製造方法は、一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような間隔とし、接液開始補助手段によって接液を開始させ、接液を完了させる工程を有することを特徴とする（構成５）。
上記構成５に係る発明よれば、基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する基板を準備し、この基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とすることによって、常に毎回同じ状態で接液が行われ、例えば、接液の走り速度が毎回安定する効果が得られ、したがって、基板の被塗布面の表面状態に起因する問題（課題３）を解決できる（例えば図１、図２参照）。これに対し、基板表面の薄膜を形成した箇所で接液を開始させると、常に毎回同じ状態で接液が行われるとは限られず、例えば、接液の走り速度が毎回安定しない場合がある（図１１参照）。
また、上記構成５に係る発明よれば、一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような接液ギャップに保持しつつ、接液開始補助手段によって接液を開始させることによって、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止でき、従って、上記課題１及び課題２の双方を同時解決できるマスクブランクの製造方法を実現できる。
本発明において、一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔は、上述したスリットコータ通称される塗布装置の態様やレジスト液の粘度によって変わるので一概に言えないものの、概ね、１８０μｍ以上が好ましく、２５０μｍ以上が更に好ましい。
本発明において、接液開始補助手段としては、上述した、レジスト液供給口（スリット）の一端部分と、これと対向する基板表面の露出面との間に、接液開始を補助する作用・機能を有する接液開始補助手段を介在させる方法（図４参照）が挙げられる。尚、接液開始補助手段は、図４に示すように、レジスト液供給口と基板表面の露出面との間における少なくとも一部に介在させればよい。接液開始補助手段は、基板、及び／又は、塗布ノズル（レジスト液供給口）、の一部に接触して設けることができる。接液開始補助手段は、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間に存在する空間において、挿脱自在又は着脱自在に設けることができ、前記空間に対し３次元方向に位置調整可能に設けることができる。
本発明においては、上記接液開始補助手段に替えて、レジスト液供給口（スリット）の一端部分と、これと対向する基板表面の露出面との間の間隔を、他の部位に対し、狭くする方法を採用できる。例えば、レジスト液供給口（スリット）の一端部分、及び／又は、これと対向する基板表面の露出面、を他の部位に対し突出させる方法を採用できる。
尚、上記構成５に係る発明における他の事項に関しては、上述した構成１〜４に係る発明において説明した事項と同様である。
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような間隔とし、接液開始補助手段によって接液を開始させ、接液を完了させる工程を有することを特徴とする（構成５）。
上記構成５に係る発明よれば、基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する基板を準備し、この基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とすることによって、常に毎回同じ状態で接液が行われ、例えば、接液の走り速度が毎回安定する効果が得られ、したがって、基板の被塗布面の表面状態に起因する問題（課題３）を解決できる（例えば図１、図２参照）。これに対し、基板表面の薄膜を形成した箇所で接液を開始させると、常に毎回同じ状態で接液が行われるとは限られず、例えば、接液の走り速度が毎回安定しない場合がある（図１１参照）。
また、上記構成５に係る発明よれば、一方向に伸びるレジスト液供給口（スリット）に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような接液ギャップに保持しつつ、接液開始補助手段によって接液を開始させることによって、確実に接液を開始させることができ、かつ、接液ギャップに起因して生じる塗布ムラの発生を防止でき、従って、上記課題１及び課題２の双方を同時解決できるマスクブランクの製造方法を実現できる。
本発明において、一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔は、上述したスリットコータ通称される塗布装置の態様やレジスト液の粘度によって変わるので一概に言えないものの、概ね、１８０μｍ以上が好ましく、２５０μｍ以上が更に好ましい。
本発明において、接液開始補助手段としては、上述した、レジスト液供給口（スリット）の一端部分と、これと対向する基板表面の露出面との間に、接液開始を補助する作用・機能を有する接液開始補助手段を介在させる方法（図４参照）が挙げられる。尚、接液開始補助手段は、図４に示すように、レジスト液供給口と基板表面の露出面との間における少なくとも一部に介在させればよい。接液開始補助手段は、基板、及び／又は、塗布ノズル（レジスト液供給口）、の一部に接触して設けることができる。接液開始補助手段は、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間に存在する空間において、挿脱自在又は着脱自在に設けることができ、前記空間に対し３次元方向に位置調整可能に設けることができる。
本発明においては、上記接液開始補助手段に替えて、レジスト液供給口（スリット）の一端部分と、これと対向する基板表面の露出面との間の間隔を、他の部位に対し、狭くする方法を採用できる。例えば、レジスト液供給口（スリット）の一端部分、及び／又は、これと対向する基板表面の露出面、を他の部位に対し突出させる方法を採用できる。
尚、上記構成５に係る発明における他の事項に関しては、上述した構成１〜４に係る発明において説明した事項と同様である。
本発明のフォトマスクの製造方法は、上記本発明に係るマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とする（構成６）。
本発明のマスクブランクは、基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクが含まれる。
本発明において、マスクブランクには、フォトマスクブランク、位相シフトマスクブランク、反射型マスクブランク、インプリント用転写プレート基板も含まれる。また、マスクブランクには、レジスト膜付きマスクブランクが含まれる。位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン膜と、遮光性膜とを有する場合を含む。尚、この場合、マスクパターンを形成するための薄膜は、ハーフトーン膜や遮光性膜を指す。また、反射型マスクブランクの場合は、多層反射膜上、又は多層反射膜上に設けられたバッファ層上に、転写パターンとなるタンタル系材料やクロム系材料の吸収体膜が形成される構成、インプリント用転写プレートの場合には、転写プレートとなる基材上にクロム系材料等の転写パターン形成用薄膜が形成される構成を含む。マスクには、フォトマスク、位相シフトマスク、反射型マスク、インプリント用転写プレートが含まれる。マスクにはレチクルが含まれる。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、露光光等を遮断する遮光膜、露光光等の透過量を調整・制御する半透光性膜、露光光等の反射率を調整・制御する反射率制御膜（反射防止膜を含む）、露光光等に対する位相を変化させる位相シフト膜、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜等が含まれる。
本発明のマスクブランクにおいて、前記マスクパターンを形成するための薄膜としては、金属膜が挙げられる。金属膜としては、クロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンや、これらの元素を含む合金、又は上記元素や上記合金を含む材料からなる膜が挙げられる。
また、本発明のマスクブランクにおいて、前記マスクパターンを形成するための薄膜としては、珪素を含む珪素含有膜が挙げられる。珪素含有膜としては、珪素膜や、珪素とクロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンの金属を含む金属シリサイド膜、さらに、珪素膜や金属シリサイド膜に、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含む膜とすることができる。
本発明において、マスクブランクには、フォトマスクブランク、位相シフトマスクブランク、反射型マスクブランク、インプリント用転写プレート基板も含まれる。また、マスクブランクには、レジスト膜付きマスクブランクが含まれる。位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン膜と、遮光性膜とを有する場合を含む。尚、この場合、マスクパターンを形成するための薄膜は、ハーフトーン膜や遮光性膜を指す。また、反射型マスクブランクの場合は、多層反射膜上、又は多層反射膜上に設けられたバッファ層上に、転写パターンとなるタンタル系材料やクロム系材料の吸収体膜が形成される構成、インプリント用転写プレートの場合には、転写プレートとなる基材上にクロム系材料等の転写パターン形成用薄膜が形成される構成を含む。マスクには、フォトマスク、位相シフトマスク、反射型マスク、インプリント用転写プレートが含まれる。マスクにはレチクルが含まれる。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、露光光等を遮断する遮光膜、露光光等の透過量を調整・制御する半透光性膜、露光光等の反射率を調整・制御する反射率制御膜（反射防止膜を含む）、露光光等に対する位相を変化させる位相シフト膜、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜等が含まれる。
本発明のマスクブランクにおいて、前記マスクパターンを形成するための薄膜としては、金属膜が挙げられる。金属膜としては、クロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンや、これらの元素を含む合金、又は上記元素や上記合金を含む材料からなる膜が挙げられる。
また、本発明のマスクブランクにおいて、前記マスクパターンを形成するための薄膜としては、珪素を含む珪素含有膜が挙げられる。珪素含有膜としては、珪素膜や、珪素とクロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンの金属を含む金属シリサイド膜、さらに、珪素膜や金属シリサイド膜に、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含む膜とすることができる。
本発明において、ＦＰＤ用のマスクブランク及びマスクとしては、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクが挙げられる。
ＬＣＤ用マスクには、ＬＣＤの製造に必要なすべてのマスクが含まれ、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、特にＴＦＴチャンネル部やコンタクトホール部、低温ポリシリコンＴＦＴ、カラーフィルタ、反射板（ブラックマトリクス）等を形成するためのマスクが含まれる。他の表示デバイス製造用マスクには、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、プラズマディスプレイ等の製造に必要なすべてのマスクが含まれる。
ＬＣＤ用マスクには、ＬＣＤの製造に必要なすべてのマスクが含まれ、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、特にＴＦＴチャンネル部やコンタクトホール部、低温ポリシリコンＴＦＴ、カラーフィルタ、反射板（ブラックマトリクス）等を形成するためのマスクが含まれる。他の表示デバイス製造用マスクには、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、プラズマディスプレイ等の製造に必要なすべてのマスクが含まれる。
（発明の実施の形態）
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図５は、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いて基板にレジスト液を塗布を行っている状態を示す断面図である。
「ＣＡＰコータ」装置では、図１に示すように、まず、基板１０におけるレジスト液の塗布開始箇所と、塗布手段の塗布ノズル２２の上端部と、の位置合わせを行う。基板１０におけるレジスト液の塗布開始箇所は、この基板１０の一側縁部である。
本発明では、まず、図１及び図２に示すように、基板１０の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜１１を有し、かつ、前記薄膜１１の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板１０を準備する。
また、本発明では、上記位置合わせを行う際に、前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とする（図１、図２参照）。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図５は、「ＣＡＰコータ」と通称される塗布装置を用いて基板にレジスト液を塗布を行っている状態を示す断面図である。
「ＣＡＰコータ」装置では、図１に示すように、まず、基板１０におけるレジスト液の塗布開始箇所と、塗布手段の塗布ノズル２２の上端部と、の位置合わせを行う。基板１０におけるレジスト液の塗布開始箇所は、この基板１０の一側縁部である。
本発明では、まず、図１及び図２に示すように、基板１０の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜１１を有し、かつ、前記薄膜１１の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板１０を準備する。
また、本発明では、上記位置合わせを行う際に、前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とする（図１、図２参照）。
上記の状態において、制御部は、図６に示すように、所定の液面位置までレジスト液２１が溜められている液槽２０と、このレジスト液２１中に完全に沈んだ状態の塗布ノズル２２とを、ともに上昇させ、基板１０の被塗布面１０ａに下方側より接近させる。
尚、この「ＣＡＰコータ」装置は、液槽及び塗布ノズルの高さ位置を調整する制御部を有している。
また、塗布ノズル２２は、支持杆２８に支持されて、液槽２０内に収納されている。この塗布ノズル２２及び液槽２０は、基板１０の横方向（図５中において紙面に直交する方向）の一辺の長さに相当する長さを有して構成され、この長手方向に沿って、スリット状の毛管状隙間２３を有している。この塗布ノズル２２は、この毛管状隙間２３を挟んで、上端側の幅が狭くなされて嘴のように尖った断面形状を有して構成されている。毛管状隙間２３の上端部は、塗布ノズル２２の上端部において、この塗布ノズル２２の略全長に亘るスリット状に開口している。また、この毛管状隙間２３は、塗布ノズル２２の下方側に向けても開口されている（図６参照）。
尚、この「ＣＡＰコータ」装置は、液槽及び塗布ノズルの高さ位置を調整する制御部を有している。
また、塗布ノズル２２は、支持杆２８に支持されて、液槽２０内に収納されている。この塗布ノズル２２及び液槽２０は、基板１０の横方向（図５中において紙面に直交する方向）の一辺の長さに相当する長さを有して構成され、この長手方向に沿って、スリット状の毛管状隙間２３を有している。この塗布ノズル２２は、この毛管状隙間２３を挟んで、上端側の幅が狭くなされて嘴のように尖った断面形状を有して構成されている。毛管状隙間２３の上端部は、塗布ノズル２２の上端部において、この塗布ノズル２２の略全長に亘るスリット状に開口している。また、この毛管状隙間２３は、塗布ノズル２２の下方側に向けても開口されている（図６参照）。
次に、制御部は、液槽２０の上昇を停止させ、図５に示すように、塗布ノズル２２の上端側をこの液槽２０内のレジスト液２１の液面から上方側に突出させる。このとき、塗布ノズル２２は、レジスト液２１中に完全に沈んでいた状態から、このレジスト液２１の液面の上方側に突出されるので、毛管状隙間２３内にレジスト液２１が満たされた状態となっている。
さらに、制御部は、塗布ノズル２２を上昇させ、この塗布ノズル２２の上端部のレジスト液２１を基板１０の被塗布面１０ａに接液させる（図５参照）。
本発明では、この接液の際、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる（図３参照）。
具体的には、例えば、接液ギャップｇを小さい状態で一瞬保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップｇを広げて接液を完了させる。
さらに、制御部は、塗布ノズル２２を上昇させ、この塗布ノズル２２の上端部のレジスト液２１を基板１０の被塗布面１０ａに接液させる（図５参照）。
本発明では、この接液の際、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい状態で接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい状態に広げて接液を完了させる（図３参照）。
具体的には、例えば、接液ギャップｇを小さい状態で一瞬保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップｇを広げて接液を完了させる。
次に、制御部は、塗布ノズル２２の上端部においてレジスト液２１が基板１０の被塗布面１０ａに接液された状態で、液槽２０及び塗布ノズル２２を所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、塗布を実施する際の塗布ノズルの先端部と被塗布面との間隔（塗布ギャップＧ）に設定する（図５参照）。
ここで、塗布ギャップＧは、一旦接液したレジスト液２１が被塗布面１０ａである薄膜（図示せず）及び基板表面の露出面の表面から離液する離液間隔Ｇ´よりも小さい範囲で、なるべく大きくなされる。すなわち、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の少なくとも５０％以上となされ、望ましくは、離液間隔Ｇ´の７０％乃至９５％となされる。
ここで、塗布ギャップＧは、一旦接液したレジスト液２１が被塗布面１０ａである薄膜（図示せず）及び基板表面の露出面の表面から離液する離液間隔Ｇ´よりも小さい範囲で、なるべく大きくなされる。すなわち、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の少なくとも５０％以上となされ、望ましくは、離液間隔Ｇ´の７０％乃至９５％となされる。
上記の状態において、制御部は、基板１０を塗布ノズル２２の上端部において毛管状隙間２３が形成するスリットに直交する方向（図５中矢印Ｖで示す方向）に移動させ、図５に示すように、塗布ノズル２２の上端部を被塗布面１０ａの全面に亘って走査させ、この被塗布面１０ａの全面に亘ってレジスト液２１の塗布膜２１ａを形成する。
尚、基板１０と塗布ノズル２２との相対走査速度は、予め設定されているノズル間隔、レジスト液２１の粘度、液面高さ及び塗布ギャップＧを前提として、塗布膜２１ａが所望の膜厚となるように、制御部によって制御される。
以下、実施例に基づき本発明を更に詳細に説明する。
（実施例１）
上述した発明の実施の形態で記載した方法によって、マスクブランク上にレジストを塗布して、レジスト膜付マスクブランクを形成した。
その際、マスクブランクとしては、大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）用い、図１及び図２に示すように、基板１０の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜１１を有し、かつ、前記薄膜１１の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板１０を準備し使用した。このとき、前記薄膜の端部断面形状は、基板表面と薄膜の端部断面曲線とのなす角αは約２５°であり、ギザつきなどがなく、なめらかな断面曲線であるものを準備し使用した（図２参照）。
また、前記接液開始箇所は、基板の主表面の端部からの距離Ｗ１を２．５ｍｍとし、膜面の端部からの距離Ｗ２を２．５ｍｍとした（図２参照）。また、基板の主表面の周縁に沿った外周部分の幅は、５ｍｍとした（図１、図２参照）。
また、塗布の条件は、図７に示す条件とした。詳しくは、図７に示すように、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔を、接液開始時の接液ギャップ：５０μｍ又は１２０μｍで０．１秒保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップを１８０μｍに広げて接液を完了させた。このときの接液の走り速度は約９０ｍｍ／秒であった。その後、前記間隔を、離液間隔の５０％以上９０％以下である塗布ギャップ間隔に広げ、その後、塗布を実施した。
上記工程においては、ガラス面で接液を行っているので、常に毎回同じ状態で接液が行われ、接液の走り速度が毎回安定していた。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布されたレジスト膜を検査したところ、薄膜の端部断面形状に起因するムラ、及び、図１２に示すような接液ギャップに起因する縦ムラ、はいずれも見られなかった。
また、上記で得られたレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを作製し、さらにこのフォトマスクを用いてＦＰＤをを作製したが、フォトマスク及びＦＰＤの双方についてレジスト膜の上記の各ムラに起因すると思われる異常は見られなかった。
（実施例１）
上述した発明の実施の形態で記載した方法によって、マスクブランク上にレジストを塗布して、レジスト膜付マスクブランクを形成した。
その際、マスクブランクとしては、大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）用い、図１及び図２に示すように、基板１０の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜１１を有し、かつ、前記薄膜１１の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板１０を準備し使用した。このとき、前記薄膜の端部断面形状は、基板表面と薄膜の端部断面曲線とのなす角αは約２５°であり、ギザつきなどがなく、なめらかな断面曲線であるものを準備し使用した（図２参照）。
また、前記接液開始箇所は、基板の主表面の端部からの距離Ｗ１を２．５ｍｍとし、膜面の端部からの距離Ｗ２を２．５ｍｍとした（図２参照）。また、基板の主表面の周縁に沿った外周部分の幅は、５ｍｍとした（図１、図２参照）。
また、塗布の条件は、図７に示す条件とした。詳しくは、図７に示すように、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔を、接液開始時の接液ギャップ：５０μｍ又は１２０μｍで０．１秒保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップを１８０μｍに広げて接液を完了させた。このときの接液の走り速度は約９０ｍｍ／秒であった。その後、前記間隔を、離液間隔の５０％以上９０％以下である塗布ギャップ間隔に広げ、その後、塗布を実施した。
上記工程においては、ガラス面で接液を行っているので、常に毎回同じ状態で接液が行われ、接液の走り速度が毎回安定していた。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布されたレジスト膜を検査したところ、薄膜の端部断面形状に起因するムラ、及び、図１２に示すような接液ギャップに起因する縦ムラ、はいずれも見られなかった。
また、上記で得られたレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを作製し、さらにこのフォトマスクを用いてＦＰＤをを作製したが、フォトマスク及びＦＰＤの双方についてレジスト膜の上記の各ムラに起因すると思われる異常は見られなかった。
（実施例２）
実施例１において、塗布の条件を、図７に示す条件としたこと以外は、上記実施例１と同様にしてレジスト膜付マスクブランクを作製した。
詳しくは、図７に示すように、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔を、接液開始時の接液ギャップ：５０μｍ又は１２０μｍで０．１秒保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップを２７０μｍに広げて接液を完了させた。このときの接液の走り速度は約５０ｍｍ／秒であった。その後、前記間隔を、離液間隔の５０％以上９０％以下である塗布ギャップ間隔に広げ、その後、塗布を実施した。
実施例２の工程においては、ガラス面で接液を行っているので、常に毎回同じ状態で接液が行われ、接液の走り速度が毎回安定していた。
実施例２で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布されたレジスト膜を検査したところ、薄膜の端部断面形状に起因するムラ、及び、図１２に示すような接液ギャップに起因する縦ムラ、はいずれも見られなかった。
また、実施例２で得られたレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを作製し、さらにこのフォトマスクを用いてＦＰＤをを作製したが、フォトマスク及びＦＰＤの双方についてレジスト膜の上記の各ムラに起因すると思われる異常は見られなかった。
実施例１において、塗布の条件を、図７に示す条件としたこと以外は、上記実施例１と同様にしてレジスト膜付マスクブランクを作製した。
詳しくは、図７に示すように、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔を、接液開始時の接液ギャップ：５０μｍ又は１２０μｍで０．１秒保持して接液を開始させ、直ちに泡噛みの起こらない接液速度になるように接液ギャップを２７０μｍに広げて接液を完了させた。このときの接液の走り速度は約５０ｍｍ／秒であった。その後、前記間隔を、離液間隔の５０％以上９０％以下である塗布ギャップ間隔に広げ、その後、塗布を実施した。
実施例２の工程においては、ガラス面で接液を行っているので、常に毎回同じ状態で接液が行われ、接液の走り速度が毎回安定していた。
実施例２で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布されたレジスト膜を検査したところ、薄膜の端部断面形状に起因するムラ、及び、図１２に示すような接液ギャップに起因する縦ムラ、はいずれも見られなかった。
また、実施例２で得られたレジスト膜付マスクブランクを用いてフォトマスクを作製し、さらにこのフォトマスクを用いてＦＰＤをを作製したが、フォトマスク及びＦＰＤの双方についてレジスト膜の上記の各ムラに起因すると思われる異常は見られなかった。
（比較例１）
実施例１において、図１１に示すように、薄膜の表面で接液を行ったこと以外は、上記実施例１と同様にしてレジスト膜付マスクブランクを作製した。
比較例１の工程においては、薄膜の表面で接液を行っているので、常に毎回同じ状態で接液が行われず、接液の走り速度が毎回安定していなかった。
実施例１において、図１１に示すように、薄膜の表面で接液を行ったこと以外は、上記実施例１と同様にしてレジスト膜付マスクブランクを作製した。
比較例１の工程においては、薄膜の表面で接液を行っているので、常に毎回同じ状態で接液が行われず、接液の走り速度が毎回安定していなかった。
（比較例２）
実施例１において、図１１に示すように、薄膜の端部断面形状が急峻に立ち上がっている基板を準備し、ガラス面で接液を行った。
また、塗布の条件は、図８に示す条件とした。詳しくは、図８に示すように、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔を、２０μｍにして接液を完了させた。このときの接液の走り速度は約５００ｍｍ／秒であった。その後、前記間隔を、離液間隔の５０％以上９０％以下である塗布ギャップ間隔に広げ、その後、塗布を実施した。
その他は、上記実施例１と同様にしてレジスト膜付マスクブランクを作製した。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布されたレジスト膜を検査したところ、薄膜の端部断面形状に起因するムラが認められ、更に、図１２に示すような接液ギャップに起因する縦ムラが認められ、その縦ムラは鋭く、濃いものであった。
実施例１において、図１１に示すように、薄膜の端部断面形状が急峻に立ち上がっている基板を準備し、ガラス面で接液を行った。
また、塗布の条件は、図８に示す条件とした。詳しくは、図８に示すように、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔を、２０μｍにして接液を完了させた。このときの接液の走り速度は約５００ｍｍ／秒であった。その後、前記間隔を、離液間隔の５０％以上９０％以下である塗布ギャップ間隔に広げ、その後、塗布を実施した。
その他は、上記実施例１と同様にしてレジスト膜付マスクブランクを作製した。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布されたレジスト膜を検査したところ、薄膜の端部断面形状に起因するムラが認められ、更に、図１２に示すような接液ギャップに起因する縦ムラが認められ、その縦ムラは鋭く、濃いものであった。
（比較例３）
実施例１において、塗布の条件を、図９に示す条件としたこと以外は、上記実施例１と同様にしてレジスト膜付マスクブランクを作製した。
詳しくは、図９に示すように、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔を、２００μｍにして接液を完了させた。このとき、接液の走りが開始されるまでの時間は一定ではなかった。また、接液後の接液の走り速度は約８０ｍｍ／秒であった。その後、前記間隔を、離液間隔の５０％以上９０％以下である塗布ギャップ間隔に広げ、その後、塗布を実施した。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布されたレジスト膜を検査したところ、図１２に示すような縦ムラは見られなかった。しかし、上記レジストの塗布工程において、接液が起こらない現象が発生した。
実施例１において、塗布の条件を、図９に示す条件としたこと以外は、上記実施例１と同様にしてレジスト膜付マスクブランクを作製した。
詳しくは、図９に示すように、塗布ノズルの先端部と基板表面の露出面との間隔を、２００μｍにして接液を完了させた。このとき、接液の走りが開始されるまでの時間は一定ではなかった。また、接液後の接液の走り速度は約８０ｍｍ／秒であった。その後、前記間隔を、離液間隔の５０％以上９０％以下である塗布ギャップ間隔に広げ、その後、塗布を実施した。
上記で得られたレジスト膜付マスクブランクについて、塗布されたレジスト膜を検査したところ、図１２に示すような縦ムラは見られなかった。しかし、上記レジストの塗布工程において、接液が起こらない現象が発生した。
尚、本発明は、前述した実施例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
２ 塗布手段
３ 吸着手段
１０ 基板
１０ａ 被塗布面
２０ 液槽
２１ レジスト液
２１ａ 塗布膜
２２ 塗布ノズル
２３ 毛管状隙間
３ 吸着手段
１０ 基板
１０ａ 被塗布面
２０ 液槽
２１ レジスト液
２１ａ 塗布膜
２２ 塗布ノズル
２３ 毛管状隙間
Claims (8)
- 一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させ、前記一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい第１の間隔にして接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい第２の間隔に広げて接液を完了させる工程、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有し、かつ、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板を準備する工程と、
接液の完了後、前記塗布ノズルの先端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記第２の間隔より広い間隔に広げ、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することを特徴とする請求項１記載のマスクブランクの製造方法。 - 液槽に溜められた液体状のレジスト液を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト液を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させ、レジスト液が基板の被塗布面に接液された状態で、液槽及び塗布ノズルを所定の「塗布高さ」の位置まで下降させ、この状態で前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの上端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させ、前記塗布ノズルにおける一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に、
前記塗布ノズルの上端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に小さい第１の間隔にして接液を開始させ、次に、前記塗布ノズルの上端部と前記基板表面の露出面との間隔を、相対的に大きい第２の間隔に広げて接液を完了させる工程、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有し、かつ、前記薄膜の端部断面形状は、前記薄膜の端部断面形状に起因して発生する塗布ムラを低減させるように、基板周縁部に向かうに従い膜厚が薄くなるように構成されている、基板を準備する工程と、
接液の完了後、前記塗布ノズルの上端部と前記薄膜の表面との間隔を、前記第２の間隔より広い間隔であって、接液したレジスト液が前記薄膜の表面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上の間隔とし、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布する工程を有することを特徴とする請求項３記載のマスクブランクの製造方法。 - 一方向に伸びるレジスト液供給口を有する塗布ノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記一方向に交差する方向へ前記塗布ノズル及び基板の被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト液を塗布するレジスト液塗布工程を有するレジスト膜付マスクブランクの製造方法であって、
基板の主表面の周縁に沿った外周部分を除く領域にマスクパターンを形成するための薄膜を有する、基板を準備する工程と、
前記基板の主表面の周縁に沿った外周部分における基板表面の露出面を接液開始箇所とし、
前記基板表面の露出面と前記塗布ノズルの先端部を近接させて、前記基板表面の露出面に前記レジスト液を接液させる際に、
前記塗布ノズルの先端部と前記基板表面の露出面との間隔を、一方向に伸びるレジスト液供給口に沿って接液が進行していく際に泡の巻き込みが起こらない接液速度になるような間隔とし、接液開始補助手段によって接液を開始させ、接液を完了させる工程、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記基板の主表面における前記外周部分の幅は、４ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記接液開始箇所は、前記基板の主表面の端部からの距離が２ｍｍ以上であり、かつ、前記薄膜の端部からの距離が２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のマスクブランクの製造方法。
- 請求項１から７のいずれか一項に記載のマスクブランクの製造方法によってマスクブランクを製造し、製造したマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
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