JP4410063B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、概してステージ上で被処理基板に処理を施す基板処理装置に係わり、特に基板を位置決めする技術に関する。
最近、フラットパネルディスプレイ(FPD)の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板(たとえばガラス基板)の大型化に有利なレジスト塗布法として、基板に対してレジストノズルよりレジスト液を細径で連続的に吐出させながらレジストノズルを相対移動つまり走査させることにより、回転運動を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにしたスピンレス方式が普及している。
一般に、スピンレス方式によるレジスト塗布装置は、たとえば特許文献1に記載されるように、載置台またはステージ上に水平に載置される基板とレジストノズルの吐出口との間に数百μm以下の微小ギャップを設定し、基板上方でレジストノズルを走査方向(一般にノズル長手方向と直交する水平方向)に移動させながら基板上にレジスト液を吐出させるようにしている。この種のレジストノズルは、口径の非常に小さい(たとえば100μm程度の)吐出口を有しており、塗布効率を高めるために、ノズル本体を横長または長尺状に形成して、その長手方向に微細径の吐出口を一定ピッチの多孔構造で配列し、または連続的なスリット構造に形成している。
特開平10−156255
上記のようなスピンレス方式のレジスト塗布装置では、長尺型のレジストノズルを基板の一端から他端まで1回走査させるだけで、基板上に所望の膜厚でレジスト塗布膜を形成することができる。しかしながら、ここで問題となるのは、ステージ上の基板の位置精度である。スピンレス方式は、レジスト塗布処理の段階で基板の周縁部に余白領域(レジストの無い領域)を残し、レジスト塗布後のエッジリンス工程を不要とすることを利点の一つとしている。しかるに、ステージ上で基板の位置がずれていると、基板上の設定塗布領域にレジスト塗布膜が正確に入りきれなくなり、余白領域が十分に確保されなかったり、設定塗布領域内で膜厚の均一性が不良になるなどの問題が生じる。
従来より、基板をステージ上に位置決めして載置するための工夫がなされてはいる。代表的なものは、ステージ上の設定載置位置に基板を案内する(落とし込む)ためのガイド部材を設定載置位置の周囲に複数本設ける構成である。しかしながら、この方式は、ガイド部材の位置設定が非常に難しいという問題がある。つまり、ステージ上の設定載置位置に基板を正確に案内するには、基板をぎりぎりに通すような位置にガイド部材を配置すればよいが、そのようにタイトにすると搬送ロボットとの受け渡しが難しくなる。このため、ある程度の空間的な余裕(隙間)をもって基板を落とし込める位置にガイド部材を配置するほかないが、余裕(隙間)が大きいほど基板の受け渡しをスムースに行える反面、ステージ上で基板の位置ずれが大きくなるというトレードオフの問題がある。
なお、水平方向で往復直進移動するプッシュ機構を用いて基板をX方向および/またはY方向で両側から挟み込んで位置決めする基板位置決め装置も様々なFPD用処理装置で用いられている。しかしながら、そのような従来の基板位置決め装置は、スピンレス方式のレジスト塗布装置への適用が困難である。すなわち、直進型のプッシュ機構は、相当の専用スペースを必要とし、ステージ回りの大型化や煩雑化を招いたり、長尺型レジストノズル用の走査機構との干渉が避けられないなどの難点がある。
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するものであり、省スペースで効率よく被処理基板を位置決めできる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の別の目的は、被処理基板を案内する機能と位置決めする機能とを兼ね備えた基板処理装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、四角形の基板に所定の処理を施すための四角形領域の載置位置が設定されているステージと、前記ステージの前記設定載置位置の内側に形成された貫通孔に昇降移動可能に挿入され、ピン先端を前記ステージの上方に突出させることも前記貫通孔の中に退避させることも可能な基板昇降支持用の複数のリフトピンを有する昇降支持部と、前記ステージの前記設定載置位置の外側に形成された貫通孔に昇降移動可能に挿入され、ピン先端を前記ステージの上方に突出させることも前記貫通孔の中に退避させることも可能な複数のアライメントピンを有し、前記基板を前記設定載置位置に位置決めするために前記アライメントピンの側面を前記基板の側面に接触させて前記基板を四方から挟み込む基板位置決め部と、前記リフトピンと前記アライメントピンとを一緒に昇降移動させる昇降機構と、前記ステージ上に載置される前記基板に対して、処理液を吐出する塗布ノズルを前記ステージと平行な方向で走査させて、前記基板上に処理液を塗布する塗布処理部とを有し、前記ステージの上面よりも高い第1の位置で前記リフトピンのピン先端に前記基板を受け取り、前記基板を前記ステージ上に載置するために前記リフトピンを前記ステージの上面よりもピン先端が低くなる位置まで下降させ、前記第1の位置または前記第1の位置と前記ステージの上面との間の第2の位置で前記基板位置決め部により前記基板の位置決めを行い、前記基板を前記設定載置位置に載置した後に、前記アライメントピンを前記基板から離して前記ステージの上面よりもピン先端が低くなる位置まで下降させる。
本発明の基板処理装置においては、昇降支持部のリフトピンだけでなく基板位置決め部のアライメントピンもステージの貫通孔に昇降可能に挿入されている。昇降支持部のリフトピンは、ピン先端をステージの上方に突出させて基板の支持または昇降移動を行い、基板がステージ上に載置されている間は貫通孔の中に退避している。基板位置決め部のアライメントピンは、ピン先端をステージの上方に突出させた状態で基板を内側(リフトピンの上)に落とし込ませて基板の位置決めを行い、基板がステージ上に載置されている間は貫通孔の中に退避している。これによって、ステージ回りの小型化および省スペース化を図れるだけでなく、ステージ上に載置されている基板に対して塗布処理部が塗布ノズルを走査させる際に、ノズルとアライメントピンとの干渉を安全確実に避けることができる。
本発明の好適な一態様においては、基板位置決め部のアライメントピンが、リフトピンと比較して、設定載置位置の角部に近い位置に配置される。
また、好適な一態様によれば、アライメントピンが、基板を鉛直方向で案内するために上端に向かって径が次第に小さくなるテーパ部を有する。かかる構成においては、基板をスムースに落とし込むことができ、アライメントピンに基板案内機能を発揮させることができる。
また、好適な一態様として、ステージ上で基板を吸着固定するために、ステージの設定載置位置の内側には真空吸着口が設けられる。
本発明の基板処理装置および基板位置決め装置によれば、省スペースで効率よく被処理基板を位置決めできるうえ、被処理基板を案内する機能と位置決めする機能とを併有することも可能である。また、被処理基板のステージへの載置と位置決めとを短時間で効率よく行うこともできる。
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
図1に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理はこの処理システムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。
この塗布現像処理システム10は、中心部に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション(C/S)14とインタフェースステーション(I/F)18とを配置している。
カセットステーション(C/S)14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、角型のガラス基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平方向たとえばY方向に4個まで並べて載置可能なカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
プロセスステーション(P/S)16は、システム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向きの一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインAには、洗浄プロセス部24と、第1の熱的処理部26と、塗布プロセス部28と、第2の熱的処理部30とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション(I/F)18側からカセットステーション(C/S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、第2の熱的処理部30と、現像プロセス部32と、脱色プロセス部34と、第3の熱的処理部36とを横一列に配置している。このライン形態では、第2の熱的処理部30が、上流側のプロセスラインAの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインBの先頭に位置しており、両ラインA,B間に跨っている。
両プロセスラインA,Bの間には補助搬送空間38が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に載置可能なシャトル40が図示しない駆動機構によってライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっている。
上流部のプロセスラインAにおいて、洗浄プロセス部24は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット(SCR)42内のカセットステーション(C/S)14と隣接する場所にエキシマUV照射ユニット(e−UV)41を配置している。スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内の洗浄部は、基板Gをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインA方向に搬送しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
洗浄プロセス部24の下流側に隣接する第1の熱的処理部26は、プロセスラインAに沿って中心部に縦型の搬送機構46を設け、その前後両側に複数の枚葉式オーブンユニットを基板受け渡し用のパスユニットと一緒に多段に積層配置してなる多段ユニット部またはオーブンタワー(TB)44,48を設けている。
たとえば、図2に示すように、上流側のオーブンタワー(TB)44には、基板搬入用のパスユニット(PASSL)50、脱水ベーク用の加熱ユニット(DHP)52,54およびアドヒージョンユニット(AD)56が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PASSL)50は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42からの洗浄処理の済んだ基板Gを第1の熱的処理部26内に搬入するためのスペースを提供する。下流側のオーブンタワー(TB)48には、基板搬出用のパスユニット(PASSR)60、基板温度調整用の冷却ユニット(CL)62,64およびアドヒージョンユニット(AD)66が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PASSR)60は、第1の熱的処理部26で所要の熱処理の済んだ基板Gを下流側の塗布プロセス部28へ搬出するためのスペースを提供する。
図2において、搬送機構46は、鉛直方向に延在するガイドレール68に沿って昇降移動可能な昇降搬送体70と、この昇降搬送体70上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体72と、この旋回搬送体72上で基板Gを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット74とを有している。昇降搬送体70を昇降駆動するための駆動部76が垂直ガイドレール68の基端側に設けられ、旋回搬送体72を旋回駆動するための駆動部78が昇降搬送体70に取り付けられ、搬送アーム74を進退駆動するための駆動部80が回転搬送体72に取り付けられている。各駆動部76,78,80はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
上記のように構成された搬送機構46は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣のオーブンタワー(TB)44,48の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間38側のシャトル40とも基板Gを受け渡しできるようになっている。
第1の熱的処理部26の下流側に隣接する塗布プロセス部28は、図1に示すように、レジスト塗布ユニット(CT)82と減圧乾燥ユニット(VD)84とをプロセスラインAに沿って一列に配置している。塗布プロセス部28内の構成は後に詳細に説明する。
塗布プロセス部28の下流側に隣接する第2の熱的処理部30は、上記第1の熱的処理部26と同様の構成を有しており、両プロセスラインA,Bの間に縦型の搬送機構90を設け、プロセスラインA側(最後尾)に一方のオーブンタワー(TB)88を設け、プロセスラインB側(先頭)に他方のオーブンタワー(TB)92を設けている。
図示省略するが、たとえば、プロセスラインA側のオーブンタワー(TB)88には、最下段に基板搬入用のパスユニット(PASSL)が配置され、その上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBAKE)がたとえば3段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインB側のオーブンタワー(TB)92には、最下段に基板搬出用のパスユニット(PASSR)が配置され、その上に基板温度調整用の冷却ユニット(COL)がたとえば1段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBAKE)がたとえば2段積みに重ねられてよい。
第2の熱的処理部30における搬送機構90は、両オーブンタワー(TB)88,92のそれぞれのパスユニット(PASSL),(PASSR)を介して塗布プロセス部28および現像プロセス部32と基板Gを1枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間38内のシャトル40や後述するインタフェースステーション(I/F)18とも基板Gを1枚単位で受け渡しできるようになっている。
下流部のプロセスラインBにおいて、現像プロセス部32は、基板Gを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット(DEV)94を含んでいる。
現像プロセス部32の下流側には脱色プロセス部34を挟んで第3の熱的処理部36が配置される。脱色プロセス部34は、基板Gの被処理面にi線(波長365nm)を照射して脱色処理を行うためのi線UV照射ユニット(i−UV)96を備えている。
第3の熱的処理部36は、上記第1の熱的処理部26や第2の熱的処理部30と同様の構成を有しており、プロセスラインBに沿って縦型の搬送機構100とその前後両側に一対のオーブンタワー(TB)98,102を設けている。
図示省略するが、たとえば、上流側のオーブンタワー(TB)98には、最下段に基板搬入用のパスユニット(PASSL)が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット(POBAKE)がたとえば3段積みに重ねられてよい。また、下流側のオーブンタワー(TB)102には、最下段にポストベーキング・ユニット(POBAKE)が置かれ、その上に基板搬出および冷却用のパス・クーリングユニット(PASSR・COL)が1段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット(POBAKE)が2段積みに重ねられてよい。
第3の熱的処理部36における搬送機構100は、両多段ユニット部(TB)98,102のパスユニット(PASSL)およびパス・クーリングユニット(PASSR・COL)を介してそれぞれi線UV照射ユニット(i−UV)96およびカセットステーション(C/S)14と基板Gを1枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間38内のシャトル40とも基板Gを1枚単位で受け渡しできるようになっている。
インタフェースステーション(I/F)18は、隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行うための搬送装置104を有し、その周囲にバッファ・ステージ(BUF)106、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108および周辺装置110を配置している。バッファ・ステージ(BUF)106には定置型のバッファカセット(図示せず)が置かれる。エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション(P/S)16側と基板Gをやりとりする際に用いられる。周辺装置110は、たとえばタイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置104は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム104aを有し、隣接する露光装置12や各ユニット(BUF)106、(EXT・COL)108、(TITLER/EE)110と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
図3に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)14において、搬送機構22が、ステージ20上のいずれかのカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、プロセスステーション(P/S)16の洗浄プロセス部24のエキシマUV照射ユニット(e−UV)41に搬入する(ステップS1)。
エキシマUV照射ユニット(e−UV)41内で基板Gは紫外線照射による乾式洗浄を施される(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Gは、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22によって洗浄プロセス部24のスクラバ洗浄ユニット(SCR)42へ移される。
スクラバ洗浄ユニット(SCR)42では、上記したように基板Gをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインA方向に平流しで搬送しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する(ステップS3)。そして、洗浄後も基板Gを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。
スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内で洗浄処理の済んだ基板Gは、第1の熱的処理部26の上流側オーブンタワー(TB)44内のパスユニット(PASSL)50に平流しで搬入される。
第1の熱的処理部26において、基板Gは搬送機構46により所定のシーケンスで所定のオーブンユニットに順次移送される。たとえば、基板Gは、最初にパスユニット(PASSL)50から加熱ユニット(DHP)52,54の1つに移され、そこで脱水処理を受ける(ステップS4)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)62,64の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。しかる後、基板Gはアドヒージョンユニット(AD)56に移され、そこで疎水化処理を受ける(ステップS6)。この疎水化処理の終了後に、基板Gは冷却ユニット(COL)62,64の1つで一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。最後に、基板Gは下流側オーブンタワー(TB)48内のパスユニット(PASSR)60に移される。
このように、第1の熱的処理部26内では、基板Gが、搬送機構46を介して上流側の多段オーブンタワー(TB)44と下流側のオーブンタワー(TB)48との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第2および第3の熱的処理部30,36でも同様の基板搬送動作が行なわれる。
第1の熱的処理部26で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Gは、下流側オーブンタワー(TB)48内のパスユニット(PASSR)60から塗布プロセス部28のレジスト塗布ユニット(CT)82へ移される。
レジスト塗布ユニット(CT)82において、基板Gは、後述するように長尺型のレジストノズルを用いるスピンレス法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布される。次いで、基板Gは、下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)84で減圧による乾燥処理を受ける(ステップS8)。
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Gは、減圧乾燥ユニット(VD)84から隣の第2の熱的処理部30の上流側オーブンタワー(TB)88内のパスユニット(PASSL)に搬入される。
第2の熱的処理部30内で、基板Gは、搬送機構90により所定のシーケンスで所定のユニットに順次移送される。たとえば、基板Gは、最初にパスユニット(PASSL)から加熱ユニット(PREBAKE)の1つに移され、そこでプリベーキングの加熱処理を受ける(ステップS9)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。しかる後、基板Gは下流側オーブンタワー(TB)92側のパスユニット(PASSR)を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション(I/F)18側のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108へ受け渡される。
インタフェースステーション(I/F)18において、基板Gは、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108から周辺装置110の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる(ステップS11)。
露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると(ステップS11)、先ず周辺装置110のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される(ステップS12)。しかる後、基板Gはエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108に戻される。インタフェースステーション(I/F)18における基板Gの搬送および露光装置12との基板Gのやりとりは搬送装置104によって行われる。
プロセスステーション(P/S)16では、第2の熱的処理部30において搬送機構90がエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108より露光済の基板Gを受け取り、プロセスラインB側のオーブンタワー(TB)92内のパスユニット(PASSR)を介して現像プロセス部32へ受け渡す。
現像プロセス部32では、該オーブンタワー(TB)92内のパスユニット(PASSR)から受け取った基板Gを現像ユニット(DEV)94に搬入する。現像ユニット(DEV)94において基板GはプロセスラインBの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる(ステップS13)。
現像プロセス部32で現像処理を受けた基板Gは下流側隣の脱色プロセス部34へ平流しで搬入され、そこでi線照射による脱色処理を受ける(ステップS14)。脱色処理の済んだ基板Gは、第3の熱的処理部36の上流側オーブンタワー(TB)98内のパスユニット(PASSL)に搬入される。
第3の熱的処理部36において、基板Gは、最初に該パスユニット(PASSL)から加熱ユニット(POBAKE)の1つに移され、そこでポストベーキングの加熱処理を受ける(ステップS15)。次に、基板Gは、下流側オーブンタワー(TB)102内のパスクーリング・ユニット(PASSR・COL)に移され、そこで所定の基板温度に冷却される(ステップS16)。第3の熱的処理部36における基板Gの搬送は搬送機構100によって行われる。
カセットステーション(C/S)14側では、搬送機構22が、第3の熱的処理部36のパスクーリング・ユニット(PASSR・COL)から塗布現像処理の全工程を終えた基板Gを受け取り、受け取った基板Gをステージ20上のいずれかのカセットCに収容する(ステップS1)。
この塗布現像処理システム10においては、塗布プロセス部28のレジスト塗布ユニット(CT)82に本発明を適用することができる。以下、図4〜図16を参照して本発明をレジスト塗布ユニット(CT)82に適用した実施形態を説明する。
図4に、レジスト塗布ユニット(CT)82内の主要な構成を示す。レジスト塗布ユニット(CT)82内には、基板Gを水平に載置して保持するための定置型のステージ112と、このステージ112上に載置される基板Gの上面(被処理面)に長尺型のレジストノズル114を用いてスピンレス法でレジスト液を塗布するための塗布処理部116とが設けられている。
塗布処理部116は、レジストノズル114を含むレジスト液供給部118と、このレジストノズル114をステージ112の上方でX方向に水平移動つまり走査させる走査部120と、レジストノズル114の高さ位置を変更または調節するためのノズル昇降機構122とを有している。
レジスト液供給部118において、レジストノズル114はステージ112上の基板Gを一端から他端までカバーできる長さでY方向に延びるスリット状の吐出口(図示せず)を有しており、レジスト液供給源(図示せず)からのレジスト液供給管124に接続されている。走査部120は、レジストノズル114を水平に支持する逆さコ字状(門形)の支持体126と、この支持体126をX方向で双方向に直進移動させる走査駆動部128とを有する。この走査駆動部128は、ボールねじ機構も使用可能であるが、塗布膜の均一性の観点からすれば機械振動の少ないリニアサーボモータ機構で構成されるのが好ましい。ノズル昇降機構122は、ボールねじ機構で構成されてよく、レジストノズル114の高さ位置を調節してノズル下端部の吐出口とステージ112上の基板Gの上面(被処理面)との間の距離間隔つまりギャップの大きさを任意に設定または調整できるだけでなく、レジストノズル114を瞬時に上昇または下降移動させることもできる。
塗布処理部116は、ステージ112上に基板Gが載置されている間に制御部(図示せず)による制御の下で動作する。詳細には、ステージ112の上方をX方向で縦断するようにレジストノズル114を走査部120により一定の速度で走査させながら、レジスト液供給部118においてレジストノズル114のスリット状吐出口よりステージ112上の基板Gの上面に対してY方向に延びる帯状の吐出流でレジスト液を供給する。その際、吐出口から基板G上に溢れたレジスト液をX方向に所定の向きで前進または水平移動するレジストノズル114の下端部で平坦に延ばして、基板G上にギャップに応じた一定の膜厚でレジスト液の塗布膜CRを形成するようになっている(図16)。
図5〜図15に、この実施形態において、ステージ112上で基板Gの固定を行う固定部、基板Gの昇降支持を行う昇降支持部および基板Gの位置決めを行う基板位置決め部(回転型押し部、受け止め部)の構成を示す。
ステージ112には、四角形の基板Gを載置する位置(四角形領域)Eが設定されている(図8)。この設定載置位置Eの内側には、基板Gを真空吸着力でステージ112上に固定するための固定部の真空吸着口130と、基板Gを水平姿勢で上げ下げするための昇降支持部のリフトピン132とがそれぞれ一定の間隔または密度で多数設けられている(図5)。
真空吸着口130は、図6および図7に示すように、ステージ112内部に形成されたバキューム通路134を介して外部配管またはバキューム管136に通じている。このバキューム管136は真空ポンプまたはエジェクタ装置等の真空源(図示せず)に通じている。
リフトピン132は、図6および図7に示すように、ステージ112に形成された貫通孔138に昇降移動可能に挿入され、ピン先端をステージ112の上方に突出させることも貫通孔138の中に退避させることも可能となっている。リフトピン132の下端部は水平な昇降台140に固定されており、昇降台140は昇降駆動軸142を介して昇降駆動部144に結合されている。昇降駆動部144は、エアシリンダまたは電気モータ等を駆動源とし、駆動軸142および昇降台140を介して全部のリフトピン132を同時または一体に昇降移動させ、任意の高さ位置で停止または固定できるようになっている。
図5および図8に示すように、ステージ112の角隅部には、設定載置位置Eの角部に近い位置に基板位置決め部を構成する複数本たとえば8本のアライメントピン148A,148B,148C,148D,150A,150B,150C,150Dが設けられている。これら8本のアライメントピンは、設定載置位置Eの1つの対角線Lを境にして固定系の148A,148B,148C,148Dと可動系の150A,150B,150C,150Dの二手に分かれている。
固定系の各アライメントピン148は、本発明の受け止め部を構成するものであり、図5〜図7に示すように、上部がテーパ状に形成された円柱体または円筒体からなり、ステージ112に形成された貫通孔149に昇降移動可能に挿入されており、ピン下端が昇降台140に固定され、水平方向(X方向、Y方向)では移動しないようになっている。もっとも、回転方向(θ方向)では移動可能(スピン回転可能)に構成されるのが好ましい。図8に示すように、各々の固定アライメントピン148A〜148Dは、設定載置位置Eの各辺に接する位置に配設されている。
可動系の各アライメントピン150は、本発明の回転型押し部を構成するものであり、図5〜図7および図9に示すように、上部がテーパ状に形成された円柱状または円筒状のピン本体150aを有し、ステージ112に形成された貫通孔151に昇降移動可能に挿入されており、ピン下端が回転駆動部152の回転駆動軸154に結合されている。回転駆動部152は、昇降台140に固定されており、駆動源としてたとえばエアモータ(ロータリシリンダ)または電気モータを有し、回転駆動軸154を介してアライメントピン150のピン本体150aを一定または任意の回転角度で回転駆動できるようなっている。この可動アライメントピン150の特徴は、その円柱または円筒中心軸Oが回転中心線つまり回転駆動軸154からオフセット(偏心)している構成である。
回転駆動部152が回転駆動軸154を回転させると、この偏心可動アライメントピン150は、図10に示すように、中心軸Oを回転中心としてスピン回転するのではなく回転駆動軸154を回転中心としてX方向およびY方向で変位ないし移動しながら回転する。たとえば、図10の例では、X方向においてピン150の最右端の部位の位置に着目すると、回転駆動軸154が180゜以上回転すると、X1(最小右端位置)〜X3(最大右端位置)の範囲で変位ないし移動することがわかる。各々の偏心可動アライメントピン150A〜150Dは、基板Gに対する位置決めを行わないときは、図8に示すように設定載置位置Eから所定の距離だけ離間または退避した原位置(復動位置)で待機するようになっている。
また、各偏心可動アライメントピン150においては、図9に示すように、テーパ部より低い所定の部位に円筒状の環状部材たとえばカラー150bが取り付けられている。このカラー150bは、基板の位置決めに際して基板Gに当接する当接部を構成するものであり、ピン本体150aに対して自由回転可能に嵌着されている。
次に、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)82における全体の動作ないし作用を説明する。
上記のように、第1の熱的処理部26(図1)で所定の熱処理を受けた基板Gが下流側オーブンタワー(TB)48内のパスユニット(PASSR)60(図2)からレジスト塗布ユニット(CT)82に搬入され、図示しない搬送アームによってステージ112の真上の位置(受け渡し位置)まで搬送されてくる。このときの基板Gの停止位置は、搬送アームあるいはそれより上流側の搬送系における搬送時の基板位置精度に応じて設定位置から幾らかずれるのが普通であり、そのずれが許容範囲内である限り後述するようにリフトピン132への受け渡しが支障なく行われる。
一方、ステージ112側は、新規の基板Gが搬入されてくるまでは、リフトピン132ならびにアライメントピン148A〜148D,150A〜150が全てステージの中に退避しており、固定部の真空吸着機構は作動しておらず真空吸着口130にバキューム力は供給されていない。
上記のように基板Gが搬送アームによってステージ112の真上まで搬送されてくると、昇降駆動部144が作動して昇降台140を図6の高さ位置から図7の高さ位置まで上昇させる。これにより、リフトピン132が上昇して、基板Gをピン先端で下から担ぐようにして搬送アームから受け取る。この時、アライメントピン148A〜148D,150A〜150Dも一緒に上昇して基板Gの傍を通り抜ける。その際に、いずれか一つまたは複数のアライメントピンのテーパ部に基板Gの縁が当接ないし摺接し、相対的には基板Gがアライメントピン148A〜148D、150A〜150Dに案内されながらリフトピン132の上に落とし込まれる。図8に示すように、原位置の偏心可動アライメントピン150A〜150Dがステージ112上の設定載置位置Eとの間に相当のギャップを形成しているので、基板Gはスムースに落とし込まれる。もっとも、落とし込みがスムースな分だけ、リフトピン132上で基板Gの位置が設定載置位置Eからずれる確率が高く、ずれる度合いも大きい。この実施形態では、後述するような基板位置決め機構を備えているので、搬送アームからリフトピン132への基板Gの移載に際しては、位置ずれを度外視して確実かつスムースな受け取りを優先させることができる。
上記のようにして搬送アームからリフトピン132へ基板Gが移載されると、次にリフトピン132上で基板Gの位置決めを行うために基板位置決め部の偏心可動アライメントピン150A〜150Dが原位置から往動位置への運動を同時に行う。
詳細には、各回転駆動部152が回転駆動軸154を介して各偏心可動アライメントピン150を図8の原位置から約半回転させる。そうすると、ピン本体150aが図10に示したような偏心回転運動をしながらそれと対向する基板Gの各辺に向かって移動して、カラー(当接部)150bが該基板辺部(基板側面)に当接し、さらにそこから基板Gを押す。こうして、基板GのX方向に延びる一方の辺(長辺)と対向する2つの偏心可動アライメントピン150A,150Bが基板GをY方向に押す一方で、基板GのY方向に延びる一方の辺(短辺)と対向する2つの偏心可動アライメントピン150C,150Dが基板GをX方向に押す。これにより、基板Gはリフトピン132上でX方向およびY方向で押された方向に変位または移動して、基板Gの反対側の長辺が2つの固定アライメントピン148C,148Dに押し付けられ、基板Gの反対側の短辺が2つの固定アライメントピン148A,148Bに押し付けられる。その結果、基板Gは、X方向で偏心可動アライメントピン150C,150Dと固定アライメントピン148A,148Bとの間に挟まれるとともに、Y方向で偏心可動アライメントピン150A,150Bと固定アライメントピン148C,148Dとの間に挟まれる。回転駆動部152が回転駆動軸154を回転させる角度は予め設定されており、上記のように基板Gが全てのアライメントピン150A〜150D、148A〜148Dにより四方から挟み込まれるに至った状態で偏心可動アライメントピン150A〜150Dの運動ないし押し込みが停止するようになっている。こうして、基板Gの位置決めが完了すると、図13に示すように、基板Gの位置がステージ112上の設定載置位置Eとほぼぴったり重なる。
なお、偏心可動アライメントピン150A〜150Dの偏心回転方向は、図11に示すように、協働して基板Gを対角線方向で押し込むように、同じ並び同士では同じ向きで、直交する並び同士では逆向きに設定されるのが好ましい。この例では、基板GをY方向に押す偏心可動アライメントピン150A,150Bが反時計回りの偏心回転運動を行うとともに、基板GをX方向に押す偏心可動アライメントピン150C,150Dが時計回りの偏心回転運動を行うことにより、基板Gを対角線方向(矢印Fの方向)に直線的に移動させて反対側の固定アライメントピン148A〜148Dに押し付けるようにしている。
図12に示すように、この実施例における基板位置決めでは、各偏心可動アライメントピン150のカラー150bが基板Gとの当接の際に回転できるため、当接ないし押し込み時の摩擦を小さくすることができる。なお、リフトピン132の上端部132aは、位置決めに際して基板Gのスムースな水平移動または変位を可能とするように、基板材料(ガラス基板)に対して滑性に優れた材質(たとえば樹脂)で構成するか、あるいは任意の向きに自由回転できるボールなどの回転体で構成するのが好ましい。
上記のようにしてリフトピン132上での基板Gの位置決めが完了すると、昇降駆動部144が昇降台140を図7の高さ位置から下降させ、昇降台140上の各部を下ろす。基板Gは、アライメントピン150A〜150D、148A〜148Dによって四方から狭着されたまま、リフトピン132と一緒に下がる。したがって、基板Gが下降する際に、基板Gが位置ずれすることがない。そして、図14に示すように、基板Gがステージ112の上面に載った状態またはその直前でいったん下降運動を停止させる。この停止状態で、図15に示すように、ステージ112側の真空吸着機構が動作を開始してステージ上面の真空吸着口130にバキューム力を供給し始める。一方で、各々の偏心可動アライメントピン150A〜150Dが回転駆動部152の回転駆動により上記と逆方向の偏心回転運動を行って原位置へ復動し、基板Gに対する押圧を解除する。しかる後、昇降駆動部144が昇降台140を図6の高さ位置まで下降させる。このように、アライメントピン150A〜150D、148A〜148Dによる基板Gの押圧または挟着を解除した後にそれらのアライメントピンが下降するので、基板Gとアライメントピンの擦れを防止ないし低減でき、パーティクルの発生を抑制できる。こうして、アライメントピン150A〜150D、148A〜148Dおよびリフトピン132が全てステージ112の中に退避する。基板Gは、ステージ112上の設定載置位置Eに位置決めされて載置され、真空吸着口130より受ける真空吸着力で固定される。
この後、図4に示すように、塗布処理部116においてレジスト塗布処理が実行される。すなわち、レジストノズル114が、スリット状吐出口よりステージ112上の基板Gの上面に対してY方向に延びる帯状の吐出流でレジスト液を吐出または滴下しながら、基板Gの一端から他端までステージ112の上方をX方向で縦断する。リフトピン132はもちろん、アライメントピン150A〜150D、148A〜148Dもステージ112の中に退避しているので、塗布走査の障害になることはない。この塗布走査に際しては、図16に示すように、スリット状吐出口から基板G上に溢れたレジスト液をレジストノズル114の下端部で平坦に延ばして、基板G上にギャップに応じた一定の膜厚でレジスト液の塗布膜CRを形成する(図16)。
上記のようなレジスト塗布処理において、レジストノズル114の走査の開始点と終点はステージ112上の設定載置位置Eを基準にして設定される。この実施形態では、上記のような基板位置決め部の働きによりステージ112上の設定載置位置Eに基板Gが正確に位置決めされているので、基板G上の設定塗布領域にほぼぴったり合わせてレジスト塗布膜CRを形成することができる。なお、塗布走査の開始点は、位置決めの基準位置となる固定アライメントピン148A,148B側の基板端部に設定するのが望ましい。
一般に、スリット型のレジストノズル114を用いる場合は、図16に示すように、レジスト塗布膜CRの開始点で基板G上に大きな隆起部CRSが形成される。この隆起部CRSが正味の設定塗布領域内(ラインJの内側)に入ってしまうと、膜厚の均一性が低下する。この実施形態では、塗布開始点の隆起部CRSを確実に設定塗布領域の外に位置させることが可能であり、しかも基板周縁部にエッジリンスを不要とするための余白部Mも確実に確保することができる。
図17に、この実施形態において、偏心可動アライメントピン150A〜150Dに適用可能なパーティクル除去部の一構成例を示す。各偏心可動アライメントピン150は、上記のような偏心回転運動により基板Gの縁に擦りながら当接するので、ピン当接部の材質によっては擦る際にパーティクルを発生する可能性がある。そこで、図17に示すように、各偏心可動アライメントピン150が昇降移動で通る貫通孔151の中または近傍にバキューム式のパーティクル吸い込み口160を設け、偏心可動アライメントピン150に付着しているパーティクルやその回りに浮遊しているパーティクルをバキューム力で吸い込み口160の中に吸引して除去するようにしている。この吸い込み口160は、たとえばステージ112内の通気孔162を伝わって外部排気管164に通じている。この外部排気管164は真空ポンプまたはエジェクタ装置等の真空源に通じている。固定アライメントピン148A〜148Dにも同様のパーティクル除去部を適用することができる。
図18に、この実施形態における可動アライメントピン150の一変形例を示す。この変形例の可動アライメントピン150は、楕円の横断面輪郭形状を有していることに特徴がある。この場合、回転駆動軸154は、可動アライメントピン150の中心軸Oと一致または同軸であってもよく、オフセットしていてもよい。このような楕円型の可動アライメントピン150を用いる場合も、上記と同様に回転駆動部152が回転駆動軸154を所定の回転角度で往復回転させればよく、図19に示すように、上記と同様の作用で基板Gの位置決めを行うことができる。もっとも、楕円型ゆえに自由回転可能なカラー150bを装着することができず、基板Gと当接する部位が一箇所に固定されるという一面がある。
別な見方をすれば、上記のような楕円型の可動アライメントピン150と同様の制限をもつことになるが、円柱または円筒型の偏心可動アライメントピン150においてカラー150bを省いて、ピン本体150aの外周面で当接部を構成することも可能である。
また、本発明の原理からすれば、可動アライメントピン150はその横断面形状が完全な円または楕円である必要はなく、たとえば180゜の中心角を有する円弧であってもよい。
他にも本発明の技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。たとえば、上記した実施形態では、搬送アームから基板Gをリフトピン132に受け取った高さ位置で基板の位置決めを行った。しかし、ステージ112への移載のためにリフトピン132を下降させる最中に上記基板位置決め部を作動させて基板の位置決めを行うことも可能であり、それによって基板位置決めの所要時間を基板移載時間の中に吸収させ、タクト時間の短縮をはかることができる。また、基板Gをステージ112上に移載してから、またはその直前で上記基板位置決め部を作動させて基板の位置決めを行うことも可能である。
また、上記した実施形態では可動アライメントピン150を基板Gの一長辺に2つ(150A,150B)充て、基板Gの一短辺にも2つ(150C,150D)充てていたが、各々1つだけ、あるいは3つ以上充てる構成も可能である。固定アライメント148においても同様である。また、基板を一方向(たとえばX方向)においてのみ位置決めを必要とするアプリケーションでは、基板の一辺のみに可動アライメントピン150を充てる構成とすることができる。
また、上記した実施形態における可動アライメントピン150は、ピン本体の外周面が基板に当接するので、必要最小限の占有面積で足り、ステージの貫通孔に昇降可能・出没可能に設けるのに適している。しかし、昇降移動の必要性がないアプリケーションあるいは占有面積の制限がないアプリケーションでは、たとえば図20に示すように、ピン本体150aに水平方向に延びるアーム部150cを介して当接部材150dを取り付け、ピン本体150aのスピン回転運動に応じたアーム部150の旋回運動によって当接部材150dを基板Gの縁に当接ないし押し付けるようにしてもよい。
また、上記した実施形態における基板位置決め部の可動アライメントピン150は、鉛直方向で基板を案内する機能を兼ねており、案内機能を高めるためにテーパ部を有している。案内機能を必要としないアプリケーションでは、テーパ部を持たない構成も可能である。可動アライメントピン150を回転駆動する機構も種々の変形が可能である。たとえば、プーリやベルト機構を使用し、全ての可動アライメントピン150A〜150Dを共通の駆動源によって同時駆動する構成等も可能である。
本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。 上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。 上記塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット内の主要な構成を示す斜視図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける要部の構成を示す斜視図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける要部の構成を示す縦断面図である。 上記レジスト塗布ユニットにおける要部の構成を示す縦断面図である。 実施形態におけるステージ上の設定載置位置とアライメントピンとの位置関係を示す略平面図である。 実施形態における偏心可動アライメントピンの構成を示す斜視図である。 実施形態における偏心可動アライメントピンの偏心回転運動の軌跡を示す図である。 実施形態における偏心可動アライメントピンの好適な回転方向を示す略斜視図である。 実施形態における偏心可動アライメントピン(特にカラー)およびリフトピンの作用を示す一部断面略側面図である。 実施形態における基板位置決めが完了した状態を示す略平面図である。 実施形態においてステージ上に基板を載置する際の一段階を示す縦断面図である。 実施形態においてステージ上に基板を固定する際の一段階を示す縦断面図である。 実施形態におけるレジスト塗布処理の作用を示す略側面図である。 実施形態におけるパーティクル除去部の一構成例を示す縦断面図である。 実施形態における可動アライメントピンの一変形例を示す斜視図である。 図18の可動アライメントピンの作用を示す略平面図である。 別の実施例による可動アライメントピンの構成を示す斜視図である。
符号の説明
82 レジスト塗布ユニット(CT)
112 ステージ
114 レジストノズル
116 塗布処理部
130 真空吸着口
132 リフトピン
138 貫通孔
144 昇降台
144 昇降駆動部
148(148A〜148D) 固定アライメントピン
150(150A〜150D) 可動アライメントピン
150a ピン本体
150b カラー
150c アーム部
150d 当接部材
151 貫通孔
152 回転駆動部
154 回転駆動軸
160 パーティクル吸い込み口

Claims (4)

  1. 四角形の基板に所定の処理を施すための四角形領域の載置位置が設定されているステージと、
    前記ステージの前記設定載置位置の内側に形成された貫通孔に昇降移動可能に挿入され、ピン先端を前記ステージの上方に突出させることも前記貫通孔の中に退避させることも可能な基板昇降支持用の複数のリフトピンを有する昇降支持部と、
    前記ステージの前記設定載置位置の外側に形成された貫通孔に昇降移動可能に挿入され、ピン先端を前記ステージの上方に突出させることも前記貫通孔の中に退避させることも可能な複数のアライメントピンを有し、前記基板を前記設定載置位置に位置決めするために前記アライメントピンの側面を前記基板の側面に接触させて前記基板を四方から挟み込む基板位置決め部と、
    前記リフトピンと前記アライメントピンとを一緒に昇降移動させる昇降機構と、
    前記ステージ上に載置される前記基板に対して、処理液を吐出する塗布ノズルを前記ステージと平行な方向で走査させて、前記基板上に処理液を塗布する塗布処理部と、
    を有し、
    前記ステージの上面よりも高い第1の位置で前記リフトピンのピン先端に前記基板を受け取り、前記基板を前記ステージ上に載置するために前記リフトピンを前記ステージの上面よりもピン先端が低くなる位置まで下降させ、前記第1の位置または前記第1の位置と前記ステージの上面との間の第2の位置で前記基板位置決め部により前記基板の位置決めを行い、前記基板を前記設定載置位置に載置した後に、前記アライメントピンを前記基板から離して前記ステージの上面よりもピン先端が低くなる位置まで下降させる、
    基板処理装置。
  2. 前記アライメントピンが、前記リフトピンと比較して、前記設定載置位置の角部に近い位置に配置されている、請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記アライメントピンが、前記基板を鉛直方向で案内するために上端に向かって径が次第に小さくなるテーパ部を有する、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記ステージ上で前記基板を吸着固定するために、前記ステージの前記設定載置位置の内側に形成された真空吸着口を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207807A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 試料位置決め装置
JP5073375B2 (ja) * 2007-06-13 2012-11-14 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP2009206315A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Chugai Ro Co Ltd テーブルへの基板搭載装置
JP2009224544A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Toray Eng Co Ltd 基板位置決め装置、基板位置決め方法、及び塗布装置
KR100942066B1 (ko) * 2008-04-30 2010-02-11 주식회사 테라세미콘 홀더 스테이지
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US12064979B2 (en) 2008-06-13 2024-08-20 Kateeva, Inc. Low-particle gas enclosure systems and methods
CN102134004B (zh) * 2011-01-18 2012-11-21 东莞宏威数码机械有限公司 丝杆定位机构
CN202257028U (zh) * 2011-09-13 2012-05-30 深圳市华星光电技术有限公司 Lcd曝光平台装置及曝光系统
CN103206974B (zh) * 2012-01-11 2017-06-13 昆山允升吉光电科技有限公司 电动控制载物台定位方法
CN103203726B (zh) * 2012-01-11 2016-08-10 昆山允升吉光电科技有限公司 精确控制位置的载物台
CN103206973B (zh) * 2012-01-11 2017-04-12 昆山允升吉光电科技有限公司 电动控制的载物台
CN103206976B (zh) * 2012-01-11 2017-03-15 昆山允升吉光电科技有限公司 电动控制载物台的定位方法
CN103206977B (zh) * 2012-01-11 2016-12-14 昆山允升吉光电科技有限公司 电动控制位置的载物台
CN103206978B (zh) * 2012-01-11 2016-12-14 昆山允升吉光电科技有限公司 载物台定位方法
CN103206975B (zh) * 2012-01-11 2017-06-06 昆山允升吉光电科技有限公司 电动控制载物台
CN103206971B (zh) * 2012-01-11 2017-02-01 昆山允升吉光电科技有限公司 电动载物台的定位方法
CN103206972B (zh) * 2012-01-11 2016-10-05 昆山允升吉光电科技有限公司 多方位控制支撑台
CN103203725B (zh) * 2012-01-11 2016-08-10 昆山允升吉光电科技有限公司 精确控制位置的载物台
CN102720918A (zh) * 2012-06-07 2012-10-10 中国海洋石油总公司 一种海洋隔水管外部密封装置
US9082799B2 (en) * 2012-09-20 2015-07-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method for 2D workpiece alignment
JP5943855B2 (ja) * 2013-02-15 2016-07-05 中外炉工業株式会社 ロール搬送式コータ
TWI692414B (zh) * 2013-03-13 2020-05-01 美商凱特伊夫公司 用於維護列印系統的方法
KR102029841B1 (ko) * 2013-11-22 2019-10-08 현대자동차 주식회사 연료전지 적층 장치
WO2015100375A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Kateeva, Inc. Thermal treatment of electronic devices
JP6596371B2 (ja) * 2016-03-18 2019-10-23 株式会社Screenホールディングス 基板保持装置および基板処理装置
CN105643349B (zh) * 2016-03-29 2018-09-21 广州弘亚数控机械股份有限公司 数控钻孔机用抓手装置及其双模式工作的方法
CN106449500A (zh) * 2016-09-27 2017-02-22 天津华海清科机电科技有限公司 定位组件
CN106827832B (zh) * 2017-02-13 2023-08-29 深圳市汉拓数码有限公司 一种定位装置
CN107170703B (zh) * 2017-06-19 2019-11-05 武汉华星光电技术有限公司 一种玻璃基板位置矫正装置及方法
CN107475679B (zh) * 2017-08-18 2019-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 夹持对位装置及方法
CN108176561A (zh) * 2018-02-08 2018-06-19 深圳市鑫三力自动化设备有限公司 一种三边连续不间断点胶装置
KR20200021818A (ko) * 2018-08-21 2020-03-02 세메스 주식회사 가열 플레이트, 이를 구비하는 기판 열처리 장치 및 가열 플레이트의 제조 방법
JP7148373B2 (ja) * 2018-11-20 2022-10-05 株式会社東京精密 ウエハ受け渡し装置
CN111276428B (zh) * 2020-01-02 2021-07-06 长江存储科技有限责任公司 晶圆承载装置
CN113289819B (zh) * 2021-04-10 2023-05-23 深圳市衡亿安科技有限公司 一种塑料手机后壳的表面陶瓷效果化装置
CN117696367A (zh) * 2022-09-15 2024-03-15 株式会社斯库林集团 基板处理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2941505B2 (ja) * 1991-08-08 1999-08-25 株式会社東芝 基板位置決め方法
JPH0774143A (ja) * 1993-08-31 1995-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置
JPH07122624A (ja) * 1993-10-28 1995-05-12 Nec Corp ウェハのプリアライメント装置
JPH1092912A (ja) * 1996-09-11 1998-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
JP3245813B2 (ja) * 1996-11-27 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
JP3822745B2 (ja) * 1998-03-23 2006-09-20 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP3245833B2 (ja) * 1999-07-08 2002-01-15 日本エー・エス・エム株式会社 半導体基板アライナー装置および方法
JP3870066B2 (ja) 2000-12-27 2007-01-17 サンエー技研株式会社 基板位置決め装置および露光装置
TW569288B (en) * 2001-06-19 2004-01-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, liquid processing apparatus and liquid processing method

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Publication number Publication date
KR100997829B1 (ko) 2010-12-01
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