JP2008039977A - パターン修正方法およびパターン修正装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、基板の汚染が少ないパターン修正方法を提供する。
【解決手段】このパターン修正方法では、フィルム3の一部を変形させてフィルム3の基板1側の表面に凹部3bを形成し、凹部3bの底面に開けられた孔3aと欠陥部2aとを隙間Gを開けて対峙させ、塗布針31を用いて孔3aを含む所定の範囲で凹部3bの底面を基板1に押圧するとともに孔3aを介して欠陥部2aに修正ペースト30を塗布し、フィルム3の復元力で凹部3bの底面を基板1から剥離させる。したがって、修正ペースト30が凹部3bの底面と基板1との隙間に毛細管現象で流れるのを防止できる。
【選択図】図1

Description

この発明はパターン修正方法およびパターン修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥を修正するパターン修正方法およびパターン修正装置に関する。
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ELディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上に形成された電極や液晶カラーフィルタなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
たとえば、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性の修正ペースト(修正液)を断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する(たとえば特許文献1参照)。
また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとして修正インク(修正液)を塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある(たとえば、特許文献2,3)。
特開平8−292442号公報 特開平11−125895号公報 特開2005−95971号公報
しかしながら、電極を修正する方法では、塗布針先端に導電性の修正ペーストを付着させ、断線部に修正ペーストを転写するため、その塗布径は塗布針先端の平坦面の寸法で決まり、10μm前後の塗布径を実現するのは困難であり、これを用いた細線形成も同様に難しかった。
一方、フィルムをマスクとして使用する方法では、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することが可能であるが、修正インクを孔に塗布した時点で、フィルムと基板との隙間に毛細管現象で修正インク、あるいは、その溶媒が吸い込まれ、基板を汚染することも考えられる。
それゆえに、この発明の主たる目的は、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、基板の汚染が少ないパターン修正方法およびパターン修正装置を提供することである。
この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法において、フィルムの一部を変形させてフィルムの基板側の表面に凹部を形成し、凹部の底面に開けられた孔と欠陥部とを隙間を開けて対峙させ、孔を含む所定の範囲で凹部の底面を基板に押圧するとともに孔を介して欠陥部に修正液を塗布し、フィルムの復元力で凹部の底面を基板から剥離させることを特徴とする。
好ましくは、型の形状をフィルムに転写して凹部を形成する。
また好ましくは、フィルムを複数回折り曲げて凹部を形成する。
また、この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置において、フィルムの一部を変形させてフィルムの基板側の表面に凹部を形成する凹部形成手段と、レーザ光を照射して凹部の底面に欠陥部に応じた形状の孔を開けるレーザ加工手段と、凹部の底面に開けられた孔と欠陥部とを隙間を開けて対峙させるフィルム配置手段と、孔を含む所定の範囲で凹部の底面を基板に押圧するとともに孔を介して欠陥部に修正液を塗布する塗布手段とを備え、塗布手段によって修正液を塗布した後、フィルムの復元力で凹部の底面を基板から剥離させることを特徴とする。
好ましくは、さらに、フィルムを供給する供給リールと、フィルムを巻き取る巻き取りリールとを備え、凹部形成手段は、供給リールと巻き取りリールとの間に設けられ、外周面に形成された凸部をフィルムに押圧して凹部を形成する転写ローラを含む。
この発明に係るパターン修正方法およびパターン修正装置では、フィルムの一部を変形させてフィルムの基板側の表面に凹部を形成し、凹部の底面に開けられた孔と欠陥部とを隙間を開けて対峙させ、孔を含む所定の範囲で凹部の底面を基板に押圧するとともに孔を介して欠陥部に修正液を塗布し、フィルムの復元力で凹部の底面を基板から剥離させる。したがって、フィルムをマスクとして使用するので、10μm前後の細線で電極断線部などを修正することができる。また、フィルムと基板の接触時間は短時間であり、修正液がフィルムと基板との隙間に毛細管現象で流れる前にフィルムは基板から離れるので、基板の汚染は少なくて済む。
この発明に係るパターン修正方法では、外周面に凹部が形成されたローラと外周面に凸部が形成されたローラとを、凹凸部で噛み合うように回転自在に配置し、ローラの噛み合い面にロール状にスリットしたフィルムを通過させて、フィルムの略中央部の延在方向に凹部を形成する。
次に、フィルムの凹部を光学系の下方に導き、レーザ光を照射して凹部の底面の略中央に欠陥部の形状に応じた形状の孔を開ける。次いで、フィルムの凹部で欠陥部を覆うようにしてフィルムと基板を対峙させ、孔と欠陥部の位置が合うように位置調整を行なってフィルムを基板上に載置する。このとき、孔は欠陥部とは接触することなく、両者の間には一定の隙間が保たれる。
次に、孔を含む所定の範囲を、修正液を先端に付着した塗布針で押圧する。これにより、フィルムが変形して凹部の底面が欠陥部の周囲の基板に接触し、孔を介して欠陥部に修正液が塗布される。塗布後、塗布針は上昇し、フィルムの復元力によって凹部の底面は、基板の欠陥部から剥離する。凹部の底面と基板の接触時間は、フィルムを塗布針で押圧している短時間であり、修正液がフィルムと基板との隙間に毛細管現象で流れる前に、孔は欠陥部から離れる。したがって、修正液による基板の汚染は少なくて済む。以下、この発明に係るパターン修正方法について図面を用いて詳細に説明する。
図1(a)は、この発明の一実施の形態によるパターン修正方法を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のIB−IB線断面図であり、図1(c)は図1(a)のIC−IC線断面図であり、図2は修正対象の基板1を示す図である。基板1の表面には、図2に示すように、微細パターンである電極2が形成されており、電極2にはオープン欠陥部(断線部)2aが発生している。
このパターン修正方法では、図1(a)〜(c)に示すように、欠陥部2aに応じた形状の孔3aの開いたフィルム3がマスクとして使用される。フィルム3には、フィルム3の延在方向に延びる複数の折り目が形成されて凹部3bが形成され、凹部3bの略中央に孔3aが開けられている。
凹部3bで電極2および欠陥部2aを覆うようにしてフィルム3が基板1上に載置され、孔3aは欠陥部2aに位置合わせされる。孔3aは凹部3bの底面に開けられているので、孔3aは欠陥部2aに対して隙間Gを開けて対峙した状態となる。孔3aの開口部は、たとえば、短軸長がSw、長軸長がSlの長方形状であり、欠陥部2aの両端に位置する正常な電極面2bにも修正ペーストを塗布できるように、孔3aは欠陥部2aよりも長く形成される。これにより、修正部の抵抗値の低減化、修正部の密着性の向上などの効果的が期待できる。
フィルム3は、たとえば薄膜のポリイミドフィルムであり、その幅はマスクとして使用するのに十分な幅があれば良く、たとえば、5mm〜15mm程度にスリットしたロール状フィルムを使用する。フィルム3の厚さFtは、その下が透けて見える程度のものが好ましく、たとえば10〜25μm程度である。
フィルム3は、図3に示すように、フィルム配置ユニット4に装着される。フィルム配置ユニット4は、ベース板5と、ベース板5上に配置されたフィルム供給リール6、フィルム加工部7、固定ローラ14〜16、フィルム送り部17、フィルム巻き取りリール24を含む。フィルム供給リール6とフィルム巻き取りリール24はベース板5上で左右に離して配置され、ベース板5の中央には切欠部5aを設けて後述する光学系部品との干渉を回避している。
フィルム加工部7は、転写ローラ8,9を含む。図4に示すように、転写ローラ8の外周面には所定幅および所定深さの溝状の凹部8aが形成され、転写ローラ9の外周面には所定幅および所定高さのリング状の凸部9aが形成され、凹部8aと凸部9aが噛み合うように転写ローラ8,9が配置されている。転写ローラ8は固定位置で回転可能に支持されるが、他方の転写ローラ9は支点10を中心に揺動可能なアーム11に回転可能な状態で固定支持される。また、アーム11にはスプリング12が内蔵されており、調整ねじ13によってスプリング12の長さを調整することにより、転写ローラ8と9の押し付け力を調整することが可能となっている。
フィルム3を転写ローラ8,9の間を通過させることにより、凹部8aおよび凸部9aの形状をフィルム3に転写し、フィルム3の延在方向にフィルム3を折り曲げながら凹部3bを形成する。したがって、レーザ加工などによって凹部を形成する場合に比べ、装置を簡素化することができ、かつ、修正作業の効率が向上する。
図5は、凹部3bが形成されたフィルム3の延在方向に垂直な断面形状を示す図である。フィルム3に凹部3bを設けたことにより、基板1にフィルム3を置いたときに、孔3aと基板1を一定の隙間Gを開けて対峙させることが可能となり、隙間Gを確保するための別手段(たとえばスペーサ)を設ける必要がなくなる。凹部3bの幅Wや高さHは、修正ペーストを塗布した後で、孔3aを含む微小範囲のフィルム3が、その復元力によって基板1から離れることが可能なように設定される。なお、フィルム3には一定の張力がかけられているので、凹部3bの高さHは、転写形状より低くなることを考慮して決定される。たとえば、修正ペースト4を塗布するときの凹部3bの高さHは10〜1000μm程度とする。また、幅Wは1〜3mm程度とする。
図3に戻って、フィルム送り部17は、フィルム3を一定量送るモータ駆動の送りローラ18と、送りローラ18に押し付けられて受動的に回転する受動ローラ19と、受動ローラ19を支点20を中心に揺動可能に支持するアーム21とを含む。また、アーム21にはスプリング22が内蔵されていて、調整ねじ23によってスプリング22の長さを調節することで、送りローラ18と受動ローラ19との押し付け力を調整することが可能となっている。
フィルム供給リール6にはトルク調整部(図示せず)が取付けられていて、フィルム3は一定の張力を持って、2つのローラ15,16間で基板1に対して略平行に対峙した状態となる。
なお、固定ローラ14〜16、送りローラ18および受動ローラ19の外周面には、凹部3bを潰さないようにするための逃げ溝を形成することが好ましい。また、フィルム配置ユニット4は、図3で示した構成に限定されるものではなく、たとえば、フィルム供給リール6とフィルム巻き取りリール24を同じ側に配置し、フィルム3をローラ16で折り返して配置する構造であってもよい。
孔3aは、フィルム3にレーザ光を照射することによって形成される。レーザとしては、YAG第3高調波レーザやYAG第4高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザを用いる。図6に示すように、レーザ部25は観察光学系26の上部に固定され、レーザ部25から出射されたレーザ光は観察光学系26の下端に固定した対物レンズ27を介してフィルム3に照射される。孔3aは、たとえばレーザ部25に内蔵される可変スリット(図示せず)により整形され、対物レンズ27で集光されたレーザ光の断面形状になる。孔3aの形状および寸法は、可変スリットにより決定される。
フィルム3に孔3aを開ける工程は、欠陥部2aの位置から離れた位置で行なわれるか、あるいは、欠陥部2aにレーザ光が当たらないように、フィルム3単体で行なわれる。たとえば、フィルム3は、基板1から上方に離れた位置で、左右の固定ローラ15,16により水平に張り渡した状態に保持し、固定ローラ15,16間に張り渡したフィルム3の略中央部にレーザ光を照射して孔3aを形成する。基板1上で孔3aを加工する場合には、レーザアブレーションにより発生する異物(ごみ)が基板1上に落下しないように遮蔽板28をフィルム3と基板1の間に挿入するとよい。
このように、欠陥部2aにフィルム3を付着、あるいは密着した状態でレーザ光による孔3aの加工を行なわないので、電極2や欠陥部2aの近傍を損傷することはない。また、フィルム3を浮かした状態で孔3aを開けるので、フィルム3の裏面にごみが付着することを抑制することができる。
なお、基板1に直接レーザ光が照射されても基板1にダメージを与えない場合や、異物が付着しても問題にならない場合には、フィルム1を基板1の上に置いて直接孔3aの加工を行なってもよい。
孔3aの形成が終了した時点では、孔3a周りのフィルム3表面には、孔3a部を除去(レーザアブレーション)した際に発生した異物が飛散しており、異物の除去のため、孔3aを中心としたその周りの広い範囲に弱いパワーでレーザ光を照射してもよい。このとき、レーザをYAG第2高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで孔3aを中心とする広い範囲にレーザ光を照射すれば、異物のみを除去することも可能であり、新たに異物が発生することを防止することができる。フィルム3の裏面も同様に処理してもよい。レーザ部25としては、孔3aを開けるためのレーザ光と、異物を除去するためのレーザ光の2種類のレーザ光のうちのいずれかのレーザ光を選択的に出射できるものを使用するとよい。
次に、たとえば画像処理結果に基づいて基板1に対してフィルム3を相対的に移動させ、図1(a)〜(c)に示すように、欠陥部2aの上方にフィルム3の孔3aを位置決めして、フィルム3と基板1を対峙した状態にする。次に、フィルム3を下降させて基板1に接触した状態とする。この工程は手動操作で行なっても構わない。このとき、フィルム3の張力を緩めてフィルム3をU字状に垂らした状態で、基板1にフィルム3を接触(付着)させてもよい。この状態では、凹部3bによって孔3aと基板1は隙間Gを開けて対峙した状態となる。なお、基板1上に配置したフィルム3の凹部3bは、通常はフィルム3に張力をかけた状態にあるため、凹部3bを形成した直後の高さHよりも低くなる。
次に、塗布手段により修正ペースト30を欠陥部2aに塗布する。塗布手段としては、たとえば、図7に示すように、塗布針31が用いられる。塗布針31の先端部は尖っているが、その先端は平坦に加工されている。塗布針31先端の平坦面31aの直径は、たとえば、30〜70μm程度あり、孔3aの大きさに合わせて最適な直径のものを選択して使用する。孔3aの開口部が平坦面31aにすべて収まるような塗布針31を選択して使用するのが好ましい。このような塗布針31を使用すれば、1回の塗布動作で孔3a全体に修正ペースト30を充填することができる。
塗布針31の平坦面31aの周りに修正ペースト30が付着した状態で、孔3aの略中央に塗布針31を上方から下降させると、フィルム3の凹部3bが変形して孔3aの周りの微小範囲のフィルム3が欠陥部2aの周囲に付着し、欠陥部2aに修正ペースト30が充填される。塗布針31は、図示しないガイド(直動軸受)に沿って上下方向に進退可能に支持されている。塗布針31を含む可動部の自重のみでフィルム3を押す。塗布針31がフィルム3に接触した後にさらに下降させようとしても、塗布針31はガイドに沿って上方に退避するので、塗布針31の平坦面31aは過負荷とならない。塗布針31の駆動手段は、図示しない制御手段によって時間管理されて制御される。
孔3aを含む微小範囲のフィルム3が欠陥部2aの周囲に接触する時間は、塗布針31がフィルム3を押している間だけであり、修正ペースト30がフィルム3と基板1(欠陥部2a近傍)との隙間に毛細管現象で流れる前に、塗布針31を上方に退避させる。塗布針31がフィルム3から離れれば、フィルム3の弾性力で元の状態に戻り、孔3aを含む微小範囲のフィルム3は欠陥部2aの周囲から離れる。そのため、孔3aが基板1に接触する時間は極わずかである。
図8は、塗布針31を上方に退避した状態を示し、孔3aは基板1から離れた状態に復帰しており、欠陥部2aには、孔3aの形状と略同形状の修正層30Aが残る。また、余分に塗布された修正ペースト30はフィルム3の表面に残る。このように、フィルム3をマスクとして修正を行なうので、塗布針31による塗布形状よりも微細な修正層30A(パターン)を得ることが可能となる。
塗布された修正ペースト30には、修正ペースト30の仕様に合わせて紫外線硬化処理、加熱硬化処理、あるいは乾燥処理が施される。図8の状態で硬化処理を行なってもよいし、図9に示すように、欠陥部2aの上方からフィルム3を除去した後で硬化装置32による硬化処理、あるいは焼成手段による焼成処理を行なってもよい。
このような方法で欠陥部2aの修正を行なえば、塗布された修正ペースト30が基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれることも無く、孔3aよりも広い範囲に渡って基板1を汚染する心配もなくなる。また、塗布が終了した時点で、孔3aは欠陥部2aや基板1から完全に離れているため、その後の工程でフィルム3を除去する際に、フィルム3が修正層30Aに接触して修正層30Aを崩す心配がない。
また、修正ペースト30の粘度が大きければ、基板1とフィルム3との隙間に毛細管現象で吸い込まれる可能性は低くなるが、逆に流動性が悪くなって、孔3a全体に入らないため、欠陥部2aに修正ペースト30が付着しないことも想定される。それに対して、本願発明では、塗布時のみ孔3a近傍のフィルム3を基板1に押圧するので、毛細管現象の影響を最小限に留めることができる。したがって、修正ペースト30の粘度は小さくても構わない。修正ペースト30としては、金、銀などの金属ナノ粒子を用いた金属ナノペーストや金属錯体溶液(たとえば、パラジウム錯体溶液)、金属コロイドを用いることができる。
なお、上述の例では、フィルム3を基板1の上に接触させたが、図10に示すように、基板1とフィルム3を一定の隙間Dを持って対峙させた状態で、修正ペースト30を平坦面31aに付着させた塗布針31で孔3aを欠陥部2aに押し付けてもよい。
また、凹部3bをフィルム3の延在方向に連続的に形成したが、凹部3bを形成するのにフィルム3を深く折り曲げると、フィルム3の剛性が増してフィルム3をU字型に垂らすことが難しくなることが想定される。そのため、図11に示すように、フィルム3の延在方向に略垂直方向に凸部3cを一定間隔で形成し、2つの凸部3cとの間に凹部3bを形成し、凹部3bに孔3aを形成してもよい。
フィルム3を基板1に接触させる場合、孔3aを含む微小範囲のフィルム3が基板1とは隙間を持って対峙できればよく、フィルム3を変形させる方法は、ここに示した方法に限定されるものではない。
また、塗布手段として塗布針31を用いた場合について説明したが、塗布時に孔3aを含む微小範囲のフィルム3を基板1側に接触させることが可能な方法であれば、塗布手段は塗布針31に限定されない。たとえば、ディスペンサによる方法であってもよい。そのほか、孔3aを含む微小範囲のフィルム3上に修正ペースト30を塗布した後で、孔3aを含む微小範囲のフィルム3を一定時間、基板1側に接触させるような手段を用いてもよい。
今まで説明してきた方法は、細線パターンを容易に形成することができるため、たとえば、液晶パネルのTFT(薄膜トランジスタ)パネルの電極修正のように、10μm以下のパターン形成が必要な場所への適用も可能である。また、電極以外では、液晶カラーフィルタのブラックマトリックスは高精細化に伴い線幅が20μmを切っており、この修正にも適用可能である。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
この発明の一実施の形態によるパターン修正方法を示す図である。 図1に示した基板の構成を示す図である。 図1に示したフィルムの加工、配置を行なうフィルム配置ユニットの構成を示す図である。 図3に示した転写ローラの構成を示す図である。 図4の転写ローラで加工したフィルムの形状を示す断面図である。 図5で示したフィルムに孔を開ける工程を示す断面図である。 図1で示したフィルムの孔を介して欠陥部に修正ペーストを塗布する工程を示す断面図である。 図7に示した塗布針を上方に退避させた状態を示す断面図である。 図8に示した修正層を硬化させる工程を示す断面図である。 この実施の形態の変更例を示す断面図である。 この実施の形態の他の変更例を示す断面図である。
符号の説明
1 基板、2 電極、2a オープン欠陥部、3 フィルム、3a 孔、3b 凹部、3c 凸部、4 フィルム配置ユニット、5 ベース板、6 フィルム供給リール、7 フィルム加工部、8,9 転写ローラ、8a 凹部、9a 凸部、10,20 支点、11,21 アーム、12,22 スプリング、13,23 調整ねじ、14〜16 ローラ、17 フィルム送り部、18 送りローラ、19 受動ローラ、25 レーザ部、26 観察光学系、27 対物レンズ、28 遮蔽板、30 修正ペースト、31 塗布針、32 硬化装置。

Claims (5)

  1. 基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法において、
    フィルムの一部を変形させて前記フィルムの基板側の表面に凹部を形成し、
    前記凹部の底面に開けられた孔と前記欠陥部とを隙間を開けて対峙させ、
    前記孔を含む所定の範囲で前記凹部の底面を前記基板に押圧するとともに前記孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布し、
    前記フィルムの復元力で前記凹部の底面を前記基板から剥離させることを特徴とする、パターン修正方法。
  2. 型の形状を前記フィルムに転写して前記凹部を形成することを特徴とする、請求項1に記載のパターン修正方法。
  3. 前記フィルムを複数回折り曲げて前記凹部を形成することを特徴とする、請求項1に記載のパターン修正方法。
  4. 基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正装置において、
    フィルムの一部を変形させて前記フィルムの基板側の表面に凹部を形成する凹部形成手段と、
    レーザ光を照射して前記凹部の底面に前記欠陥部に応じた形状の孔を開けるレーザ加工手段と、
    前記凹部の底面に開けられた孔と前記欠陥部とを隙間を開けて対峙させるフィルム配置手段と、
    前記孔を含む所定の範囲で前記凹部の底面を前記基板に押圧するとともに前記孔を介して前記欠陥部に修正液を塗布する塗布手段とを備え、
    前記塗布手段によって前記修正液を塗布した後、前記フィルムの復元力で前記凹部の底面を前記基板から剥離させることを特徴とする、パターン修正装置。
  5. さらに、前記フィルムを供給する供給リールと、
    前記フィルムを巻き取る巻き取りリールとを備え、
    前記凹部形成手段は、前記供給リールと前記巻き取りリールとの間に設けられ、外周面に形成された凸部を前記フィルムに押圧して前記凹部を形成する転写ローラを含むことを特徴とする、請求項4に記載のパターン修正装置。
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JP2008102180A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 Lasertec Corp 欠陥修正装置、欠陥修正方法、及びパターン基板製造方法
JP2009218055A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Ushio Inc エキシマランプ及び当該エキシマランプの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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