TWI444732B - A pattern correction method and a pattern correction device - Google Patents

Description

圖案修正方法及圖案修正裝置

本發明係關於圖案修正方法及圖案修正裝置，尤其是關於，修正基板上形成的微細圖案的缺陷部的圖案修正方法及圖案修正裝置。更特定言之，本發明係關於修正平板顯示器的製造程序中產生的電極斷路缺陷的圖案修正方法及圖案修正裝置。

近年，隨著電漿顯示器、液晶顯示器、EL顯示器等的平板顯示器的大型化、高精細化，在玻璃基板上形成的電極或液晶彩色濾光片等上存在缺陷的可能性變高，而提出為了提高良率的修正方法。

例如，液晶顯示器的玻璃基板的表面上形成電極。該電極斷線的情況下，將附著於塗布針尖端的導電性的修正膏(修正液)塗布於斷線部分，在電極的長度方向上一邊移動塗布位置而塗布複數次以修正電極(例如，參見專利文獻1)。

而且，也有設有膜以覆蓋缺陷部，使用雷射光將缺陷部和膜約於同時除去，在除去的部分以膜作為光罩塗布修正墨水(修正液)，之後，再將膜剝除的方法(例如，參見專利文獻2、3)。

專利文獻1：特開平8－292442號公報專利文獻2：特開平11－125859號公報專利文獻3：特開2005－95971公報

因此，修正電極的方法中，因為使導電性的修正膏附著於塗布針尖端，將修正膏轉寫於斷線部分，所以該塗布徑取決於塗布針尖端平坦面的尺寸，而難以實現10 μm左右的塗布徑，使用其來形成細線也是同樣地困難。

另一方面，以膜作為光罩的方法中，可以用10 μm左右的細線來修正電極的斷線部分等，但是，將修正墨水塗布於孔時，在膜和基板之縫隙中因為毛細管現象之故，修正墨水，或其溶媒被吸入，而污染了基板。

因此，本發明的主要目的，在於提供圖案修正方法及圖案修正裝置，其能夠修正10 μm左右的電極斷線部分等，且對於缺陷部周邊的污染小。

本發明之圖案修正方法，其修正基板上形成的微細圖案的缺陷部，其特徵在於：將在開在膜上的孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙；於包含該孔之特定範圍中將該膜推壓到該基板，同時透過該孔將修正液塗布於該缺陷部，藉由該膜的恢復力，使該膜從該基板剝離。

以此為佳：使該修正液附著在具有較該孔的開口部大之尖端面的塗布針的尖端部上，將該膜推壓到該基板，以使得該塗布針的尖端面覆蓋該孔，同時透過該孔將修正液塗布於該缺陷部。

又以此為佳：藉由將該膜對著該基板隔著縫隙略呈平行地拉開，使得該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。

又以此為佳：將分別具有大徑部及小徑部之一對固定滾筒配置於該缺陷部的兩側，使各固定滾筒的該大徑部與該基板的表面接觸或接近，以該一對的固定滾筒的該小徑部支持該膜。

又以此為佳：在該膜的該基板側的表面形成凹部，於該凹部內形成該孔，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜及該基板接觸，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。

又以此為佳：：於該缺陷部附近配置間隔物，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜配置於該間隔物上，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。

又以此為佳：藉由將開有較該膜的該孔大的其他的孔之其他的膜，配置於該膜及該基板之間，使得該膜的該孔位於該其他的孔的約略中央處，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。

又以此為佳：在該膜的該基板側表面，形成用以防止該修正液因為毛細管現象而在該膜及該基板之間擴散開的溝，以將該孔圍住。

又以此為佳：該溝形成為環狀。

又以此為佳：，從該膜的上方照射雷射光，於該膜上形成該孔及該溝之後，翻轉該膜的表面背面，將該膜的該溝側之表面向著該基板側。

又以此為佳：該溝及該孔之間存在隔板。

又以此為佳：在該膜的該基板側的表面形成凹部，於該凹部內形成該孔及該溝，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜及該基板接觸，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。

又以此為佳：於該缺陷部附近配置間隔物，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜配置於該間隔物上，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。

又以此為佳：在該膜的該基板側的表面形成凹部，於該凹部內形成該孔及該溝，於該缺陷部附近配置間隔物，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜配置於該間隔物上，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。

又以此為佳：使該膜的一部份變形並於該膜的基板側之表面形成凹部，該凹部的底面開的該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙，於包含該孔之特定範圍中將該凹部的底面推壓到該基板，同時透過該孔將修正液塗布於該缺陷部；藉由該膜的恢復力，使該凹部的底面從該基板剝離。

又以此為佳：將模型的形狀轉寫到該膜以形成該凹部。

又以此為佳：將該膜折曲複數次以形成該凹部。

再者，本發明之圖案修正裝置，其修正基板上形成的微細圖案的缺陷部，其特徵在於：將在開在膜上的孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙；於包含該孔之特定範圍中將該膜推壓到該基板，同時透過該孔將修正液塗布於該缺陷部；藉由該膜的恢復力，使該膜從該基板剝離。

以此為佳：在該膜的該基板側表面，形成用以防止該修正液因為毛細管現象而在該膜及該基板之間擴散開的溝，以將該孔圍住。

又以此為佳：使該膜的一部份變形並於該膜的基板側之表面形成凹部，該凹部的底面開的該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙，於包含該孔之特定範圍中將該凹部的底面推壓到該基板，同時透過該孔將修正液塗布於該缺陷部，藉由該膜的恢復力，使該凹部的底面從該基板剝離。

本發明之圖案修正方法及圖案修正裝置，將在開在膜上的孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙，於包含該孔之特定範圍中將該膜推壓到該基板，同時透過該孔將修正液塗布於該缺陷部，藉由該膜的恢復力，使該膜從該基板剝離。因此，將開有孔的膜使用作為光罩，因此，能夠以10 μm左右的細線來修正電極斷線部分等。而且，僅於將修正液塗布在缺陷部時，使膜與基板接觸，因此，能夠防止修正液因為毛細管現象侵入膜和基板之間的縫隙，而能夠防止因為修正液而造成缺陷部周邊的基板被污染。

[實施例1]

本發明的圖案修正方法中，在膜上開出欲描繪的形狀和同形狀的孔，將該孔的位置和在基板上形成的微細圖案的缺陷部相吻合，將膜配置於僅從基板浮起一定距離的狀態下。浮起的距離(縫隙)係依據支持膜的支點之間的距離而易，但例如可為10~100 μm之譜。在此狀態下，使修正膏附著於塗布裝置，例如，尖端加工為平坦的塗布針的尖端部，將該塗布針的尖端面從孔上推壓到膜上，則膜變形，包含孔的微小範圍的膜和基板上包含缺陷部的微小範圍接觸，透過孔將修正膏塗布在缺陷部。

修正膏因為毛細管現象而流到膜和基板的縫隙之前，將塗布針從膜退開。將塗布針退開到上方時，則包含孔的微小範圍的膜因為膜的復原力而從基板離開。因此，能夠防止修正膏因為毛細管現象而侵入膜和基板之縫隙中，而能夠防止因為修正膏而造成缺陷部周邊的基板被污染。以下，依據圖式，針對本發明之圖案修正方法詳細說明之。

第1(a)圖顯示本發明實施例1之圖案修正方法的平面圖，第1(b)圖顯示第1(a)圖之IB－IB線的剖面圖。在第1(a)、(b)圖中，依據該圖案修正方法，在基板1的上方配置開有孔3a的膜3。在基板1的表面，如第2圖所示，形成微細圖案之電極2，在電極2產生斷路缺陷部(斷線部)2a。

回到第1(a)、(b)圖，依據該圖案修正方法，開有對應於缺陷部2a之形狀的孔3a之膜3使用作為光罩。孔3a的位置對準缺陷部2a，膜3配置於相對於基板1以縫隙G隔開對峙的狀態。膜3，例如為薄膜的聚亞醯胺膜，其寬度為足以使用作為光罩的寬度即可，例如，使用切為5mm~15mm之譜的捲筒狀膜。膜3的厚度Ft為，可以透視其下方的程度較佳，例如為10~25 μm的程度。

孔3a的開口部，例如，為短軸長為Sw，長軸長為S1的長方形狀，孔3a形成為較缺陷部2a長，以使位於缺陷部2a的兩端的正常的電極面2b上也可以塗布修正膏。藉此，可望能有降低修正部的電阻，並提高修正部之密接性的效果。

孔3a，係將雷射光照射在膜3上而形成。雷射使用YAG第3高倍頻雷射或YAG第4高倍頻雷射，或者為激態分子等脈衝光雷射。如第3圖所示，雷射部4固定於觀察光學系統5的上部，從雷射部4射出的雷射光透過固定於觀察光學系統5之下部的對物鏡6而照射在膜3上。孔3a，例如藉由內建於雷射部4的可變縫隙(圖未顯示)而整形，成為由對物鏡6聚光的雷射光的斷面形狀。孔3a的形狀及尺寸，係由可變縫隙而決定。

在膜3開孔3a的程序，在離開缺陷部2a位置的位置執行，或者，以膜3單獨執行而使雷射光不照射到缺陷部2a。例如，在離開加工台7的上方位置，將膜3水平地拉開於2支固定滾筒8、9之間，將雷射光照射到固定滾筒8、9之間的膜3的中央部分而形成孔3a。不用加工台7而在基板1上加工孔3a亦可。在此情況下，為了使得因為雷射燒蝕而產生的異物(廢屑)不落下到基板1上，而在膜3和基板1之間插入遮蔽板10亦可。

再者，加工台7，為於膜3上開孔3a時的加工區域，雖配置於和基板1不同的位置，但也可能省略，在此情況下僅具有遮蔽板10。再者，僅於加工時將加工台7插入膜3和基板1之間的方式亦可。

如此，因為不在膜3附著或密接於缺陷部2a的狀態下以雷射光執行孔3a的加工，因此，不會損傷電極2或缺陷部2a的附近。再者，在膜3浮起的狀態下開孔3a，因此，能夠抑制異物附著在膜3的背面。

於孔3a的形成結束時，孔3a周圍的膜3面上，將孔3a部除去(雷射燒蝕)時產生的異物飛散，為了除去異物，在以孔3a為中心的周邊的廣泛範圍中，以低能量雷射照射亦可。此時，將雷射切換到YAG第2高倍頻雷射，若以弱雷射能量將雷射光照射到以孔3a為中心的廣泛範圍中，則可以僅除去異物，並防止新異物產生。以同樣方法處理膜3的背面亦可。雷射部4可以使用，能夠選擇性地射出用以開孔3a的雷射光、及用以除去異物的雷射光的2種雷射光之任一種。

繼之，例如依據影像處理結果，將膜3對於基板1相對移動，如第1(a)、(b)圖所示，將膜3的孔3a的位置決定在缺陷部2a的上方，使得成為膜3和基板1以縫隙G隔開對峙的狀態。該程序以手動執行亦可。膜3為藉由一定的張力展開的狀態。縫隙G，雖然隨著支持膜3的支點(例如第3圖所示之固定滾筒8、9)的間隔或膜3的厚度而異，但設定為10~1000 μm的程度。基板1的表面有凹凸時，對峙於基板1的膜3，可以保持和基板1不接觸程度的縫隙G，包含孔3a的微小範圍可以保持和缺陷部2a不接觸的縫隙G。

修正膏的塗布裝置係使用，例如，第4圖所示之塗布針11。塗布針11的尖端部是尖的，但其尖端被加工為平坦。塗布針11尖端的平坦面11a的直徑，例如，為30~70 μm之譜，選擇使用適合孔3a的大小之直徑者。選擇並使用使得孔3a完全收納平坦面11a之塗布針11較佳。若使用此種塗布針11，則可以藉由一次的塗布動作，將修正膏12填充於孔3a全體。

於修正膏附著於塗布針11尖端平坦面11a的周圍的狀態下，將塗布針11從上方壓下來以使得以平坦面11a覆蓋關閉孔3a的開口部，膜3變形且孔3a的周圍之小範圍的膜3附著到缺陷部2a的周圍，將修正膏12填充於缺陷部2a。塗布針11，可以在圖未顯示的導管(直動軸承)上下前進後退，以包含塗布針11的可動部本身的重量推壓膜3。即使塗布針11下降接觸膜3後更使其下降，塗布針11沿著導管退避到上方，因此，塗布針11的平坦面11a不會過度負荷。藉由塗布針11的驅動裝置(圖未顯示)、控制裝置(圖未顯示)，而被時間管理且被控制。

包含孔3a之小範圍的膜3和缺陷部2a周圍接觸的時間，僅為塗布針11將膜3推壓的時間，在修正膏12因為毛細管現象而流到膜3及基板1之間之前，使塗布針11退避到上方。若塗布針11從膜3離開，則以膜3的彈性恢復到原來的狀態，包含孔3a之小範圍的膜3離開缺陷部2a周圍。因此，膜3和基板1接觸的時間非常短。

第5圖顯示塗布針11退避到上方的狀態，膜3回到脫離基板1的狀態，在缺陷部2a殘留了和孔3a形狀略同的修正層12A。而且，多塗的修正膏12殘留在膜3的表面。如此，由於以膜3為光罩執行修正，所以能夠以塗布針11得到較塗布形狀還微細的修正層12A(圖案)。

對於已塗布的修正膏12，配合修正膏12的種類，施以紫外線硬化、加熱硬化處理、或者乾燥處理。在第5圖的狀態下執行硬化處理亦可，將膜3從從缺陷部2a的上方除去之後，執行硬化處理亦可。

若以此方法執行缺陷部2a的修正，則已塗布之修正膏12不會因為毛細管現象被吸入基板1和膜3的縫隙中，而無須擔心基板1被污染大於孔3a的廣大範圍。而且，結束塗布時，膜3完全從缺陷部2a或基板1脫離，因此，於其後的程序中將膜3除去時，無須擔心膜3和修正層12A接觸而使修正層12A損壞。

修正膏12的黏度越大，則其因為毛細管現象而被吸入基板1和膜3之間的縫隙的可能性越低，但是，反過來說，可推定其流動性變差，而無法進入整個孔3a，而修正膏12不附著於缺陷部2a上。相對於此，在本發明中，僅於塗布時將孔3a附近的膜3推壓到基板1，因此，能夠將毛細管現象的影響控制在最小。因此，修正膏12的黏度小也無妨。

再者，修正一個缺陷部2a時，以一次塗布完成修正較佳。其理由在於，塗布次數越多，則附著於孔3a的修正膏12的量越多，需考量修正膏12被吸入膜3及基板1之間的縫隙，或修正層12A的形狀損壞的可能性。另一方面，在同一位置上塗布複數次，則可能使修正層12A的膜厚變厚，因此，要配合使用的修正膏12的種類來決定塗布次數。

而且，修正膏12，在修正電極2的缺陷部2a的情況下，能夠使用採用金、銀等金屬奈米粒子之金屬奈米膏或金屬錯體溶液，金屬膠狀物。

第6圖顯示使膜3的孔3a和基板1以一定的縫隙相對峙的方法之示意圖。在第6圖中，從膜供應滾筒13出來的膜3，經由固定滾筒8、9，捲到膜捲回滾筒14。於將膜3以一定的張力展開於2個固定滾筒8、9之間的狀態下，和基板1對峙。在縫隙為如10 μm般微小的情況下，固定滾筒8、9有可能和基板1接觸，因此，可以設置將固定滾筒8、9上下自由移動地支持之支持裝置。

當將固定滾筒8、9設置為可上下自由移動的情況下，如第7圖所示，為將固定滾筒8設置為小徑部8a及大徑部8b同軸狀的2段形狀，而使膜3和小徑部8a接觸，使大徑部滾筒8b和基板1接觸。固定滾筒9的構成也和固定滾筒8相同。在此情狀下，從大徑部8b和小徑部8a的半徑差減去膜3的膜厚的大小就是縫隙G。藉由此方法，能夠容易地執行膜3和基板1之間的縫隙調整。

於該實施例1中，將膜3配置為從基板1浮起的狀態，僅有在藉由塗布針11壓住開在膜3的孔3a及其周圍的期間，包含開於膜3之孔3a的微小範圍和缺陷部2a及其周邊的基板1接觸，因此，能夠防止修正膏12侵入基板1和膜3之間的縫隙，而能夠安定並得到形狀略同於孔3a的微細圖案。

再者，在實施例1中，係就修正直線狀的缺陷部2a的情況進行說明，然即使是L字形或字形等的直線狀以外的形狀之缺陷部，若將對應於該缺陷部的形狀之孔3a開在膜3上，也可以進行修正，此係無庸贅言。

再者，若孔3a的開口部的短軸長(寬)Sw及膜3的厚度Ft滿足Ft>Sw的關係，則相較於作用於膜3和基板1之間縫隙的毛細管現象造成的吸引力F2，將進入孔3a內的修正膏12留置於孔3a內的力(附著力)F1較大，而能夠防止修正膏12被吸入基板1和膜3之間的縫隙。但是，上述F1、F2係隨著修正膏12的表面張力或黏度，基板1或膜3的沾濕性而變化，因此，為了增加修正的安定性，則以滿足Ft/2>Sw的關係更佳。這些Ft>Sw、Ft/2>Sw的式子，亦適用於孔3a的形狀為L字形或字形。

再者，在實施例1中，在膜3上開孔3a後將孔3a對於缺陷部2a以一定的縫隙隔開對峙，但是，將膜3附著於包含缺陷部2a的範圍的狀態下，照射雷射光以開出孔3a後，再將膜3上升一定距離以確保縫隙G亦可。在此情況下，雷射光可以適用於不具有損傷包含缺陷部2a之附近、由雷射燒蝕造成廢屑附著之問題的情況。

再者，雖舉出塗布針11作為塗布裝置，但只要可以在塗布時將包含孔3a的微小範圍的膜3與基板1側接觸，則塗布裝置並不限於塗布針11。再者，也可以使用將修正膏12塗布在在包含孔3a的微小範圍的膜3上之後，使包含孔3a的微小範圍的膜3與基板1側接觸的裝置。

以下，針對實施例1的各種變更例進行說明。第8圖的變更例中，膜3之和基板1接觸之面上形成凹部3b，孔3a形成於凹部3b的略中央處。凹部3b的寬度W或深度D，設定為，可使膜3在塗布時變形，包含孔3a的微小範圍的膜3附著於缺陷部2a的範圍。例如，若為12.5 μm厚的膜3，則寬度W為100 μm~300 μm前後，深度D為1 μm~5 μm之譜。凹部3b，可以事先加工於膜3，加工裝置使用雷射、或機械性的裝置(例如鑄模轉寫等)。再者，凹部3b可以在膜3的延伸方向連續形成，也可以斷續地形成。

第9圖顯示第8圖所示在膜3形成孔3a後，將膜3配置於基板1上以使孔3a的位置對準缺陷部2a之狀態。如此，將凹部3b形成於膜3和基板1接觸之一側，因此，能夠僅將膜3置於基板1上，使孔3a和缺陷部2a隔著一定的縫隙相對峙。在此情況下，不施加一定的張力在膜3上，而處於鬆弛狀態亦可。

第10(a)圖為本實施例1之其他變更例的平面圖，第10(b)圖顯示第10(a)圖之XB－XB線剖面圖。在此變更例中，在膜3和基板1接觸的面之中央部分形成4角形的凹部3c，孔3a形成於凹部3c的中央。凹部3c的面積或深度，設定為可使膜3在塗布時變形，包含孔3a的微小範圍的膜3附著於缺陷部2a的範圍。凹部3c可以藉由雷射燒蝕來形成，但在此時產生之廢屑大多飛散的情況下，將包含凹部3c的範圍以弱雷射能量之雷射光照射之以進行程序亦可。此時，若切換到YAG第2高倍頻雷射，以弱雷射能量照射，則能夠僅除去廢屑，並防止新廢屑產生。在此情況下，不施加一定的張力在膜3上，而處於鬆弛狀態亦可。

第11圖顯示實施例1的另一其他變更例之剖面圖。在第11圖中，未使得孔3a和缺陷部2a能夠以隔著一定的縫隙相對峙，將間隔物15置於具有孔3a的膜3和基板1之間。間隔物15可以使用和膜3相同的膜。

第12(a)圖為本實施例1之另一其他變更例平面圖，第12(b)圖為第12(a)圖之XIIB－XIIB線的剖面圖。在此變更例中，將膜3重疊在在以一定的間隔開有孔16a的膜16上。孔16a以打洞等事先開好，孔16a的約略中央處的膜3上開有孔3a。將膜16、3配置於基板1上以使孔3a的位置對準缺陷部2a。膜16作為間隔物，將孔3a和缺陷部2a隔著一定的縫隙相對峙。在此變更例中，因為無須形成像第10(a)(b)圖所示之凹部3c，因此，能夠使形成凹部3c時產生的廢屑消失，而且，能夠達成加工時間的縮短化。

第13圖顯示實施例1的另一其他變更例之剖面圖。第13圖中，本變更例，係為第10(a)(b)圖之變更例及第11圖或第12(a)(b)圖之變更例的組合。在膜3背面形成凹部3c，更在膜3和基板1之間設置間隔物15或膜16。在此變更例中也可以將孔3a和缺陷部2a隔著一定的縫隙相對峙。

[實施例2]

本發明其他的圖案修正方法中，在開於膜上孔的周圍環繞整圈形成一度寬度的溝，將膜上形成溝之面在與基板接觸的狀態下透過孔將修正膏塗布於缺陷部。藉由在孔的周圍形成溝，而在孔的周圍確保膜和基板不接觸之區域，因此，即使修正膏因為毛細管現象而被吸入膜和基板之間的縫隙，也不會侵入該溝的外側。因此，能夠防止缺陷部的周邊被修正膏污染，而能夠得到形狀略同於孔的微細圖案。

在上述例子中，雖使膜和基板接觸，但在隔開縫隙相對峙的狀態下，使得至少包含孔的微小範圍的膜及包含缺陷部的微小範圍的基板不接觸，從孔的上方以塗布針11等塗布裝置塗布修正膏亦可。在此情況下，以尖端附著了修正膏的塗布針推壓包含孔的微小範圍，則膜變形而孔的周圍和缺陷部的周圍相接觸。接觸時間僅有塗布針壓在開於膜上之孔的期間，修正膏因為毛細管現象而流到膜和基板的縫隙之前，控制塗布針使其從膜退開到上方。當塗布針離開膜時，則膜恢復到原來的狀態，孔從缺陷部脫離。孔的周圍和缺陷部的周圍接觸的時間極短，因此，能夠防止基板被修正膏污染。因此，配合溝的效果，能夠得到更安定的效果。以下使用圖示，說明該圖案修正方法。

第14(a)圖顯示本發明實施例2之圖案修正方法的平面圖，第14(b)圖顯示第14(a)圖之XIVB－XIVB線的剖面圖。第14(a)、(b)圖中，依據該圖案修正方法，在基板1的上方配置開有孔3a的膜3。在基板1的表面，如第2圖所示，形成微細圖案之電極2，在電極2產生斷路缺陷部(斷線部)2a。孔3a具有對應於缺陷部2a形狀之開口部。在孔3a的位置對準缺陷部2a的狀態下，膜3配置為和基板1的上面接觸。

再者，如第15圖所示，膜3的基板1側的膜面3P上，形成環狀的溝3d以包圍貫通的孔3a。溝3d形成於和孔3a稍微分離的位置，溝3d和孔3a之間留有隔板3e。例如，隔板3e的寬度W1為1~5 μm，溝3d的寬度W2為5~50 μm，溝3d的深度D1係依據膜3的膜厚，為1~5 μm的程度。因為孔3a的周圍設有溝3d和隔板3e，因此，將修正膏12填充於孔3a內時，修正膏12散開的範圍為包含孔3a和隔板3e的範圍，亦即限定於寬度Sy＝Sw＋2×W1，長度為Sx＝S1＋2×W1的範圍。

孔3a及溝3d，係藉由將雷射光照射在膜3上而形成。雷射係使用YAG第3高倍頻雷射或YAG第4高倍頻雷射，或者為激態分子等脈衝光雷射。如第16(a)圖所示，雷射部4固定於觀察光學系統5的上部，從雷射部4射出的雷射光透過固定於觀察光學系統5之下部的對物鏡6而照射在膜3上。孔3a，例如藉由內建於雷射部4的可變縫隙(圖未顯示)而整形，成為由對物鏡6聚光的雷射光的斷面形狀。孔3a的形狀及尺寸，係由可變縫隙而決定。

再者，在將使用4角形狀的狹縫之孔3a的周圍以雷射加工形成溝3d的情況下，若孔3a為4角，則因為分4次加工其四邊，所以產生重複加工的區域，重複部分的深度約為2倍，因此，為使得溝3d不貫通膜3，並考慮膜3的膜厚，必須決定溝3d的深度為D1。

在膜3開出孔3a的程序中，在離開缺陷部2a的位置執行，或者，以膜3單獨執行而使雷射光不照射到缺陷部2a。例如，在離開加工台7的上方位置，將膜3藉由配置於左右的固定滾筒20、21，及配置於其之間的上方的固定滾筒22，成為左右折返且上下並行拉開的狀態。在第16(a)圖之例中，將雷射光從上方照射在固定滾筒22及21之間的膜3以形成孔3a及溝3d。不用加工台7而在基板1上加工孔3a或溝3d的情況下，為了使得因為雷射燒蝕而產生的異物(廢屑)不落下到基板1上，而將遮蔽板10配置於膜3下(上下並行拉開的膜3之間)亦可。

膜3由圖未顯示的膜供應捲軸供應，經由固定滾筒22、21、20，藉由圖未顯示的膜捲收捲軸回收。這些係為圖未顯示的膜供應單元的主要元件，藉由圖未顯示的XYZ平台，而可以在XYZ方向上移動。而且，也可以在膜供應單元設有回轉裝置。

再者，加工台7，為於膜3上開孔3a時的加工區域，雖配置於和基板1不同的位置，但也可能省略。再者，第16(a)圖中，膜3左右折返，在上方的膜3開孔3a時，因為其下方隔著少許距離也有膜3，所以在下方的膜3可以作為遮蔽板10的替代品的情況下，也可以省略遮蔽板10。

於孔3a及溝3的形成結束時，在膜3的雷射加工面3P上，雷射燒蝕時產生的廢屑飛散，為了除去廢屑，在以孔3a為中心的周邊的廣泛範圍中，以低能量雷射照射亦可。此時，將雷射切換到YAG第2高倍頻雷射，若以弱雷射能量將雷射光照射到以孔3a為中心的廣泛範圍中，則可以僅除去異物，並防止新異物產生。雷射部4可以使用，能夠選擇性地射出用以開孔3a的雷射光、及用以除去異物的雷射光的2種雷射光之任一種。

如此，因為不在膜3附著或密接於缺陷部2a的狀態下以雷射光執行孔3a的加工，因此，不會損傷電極2或缺陷部2a的附近。再者，在膜3浮起的狀態下開孔3a，因此，能夠抑制廢屑附著在膜3的背面。

繼之，如第16(b)圖所示，將膜3向R方向捲動(在圖中為右回轉)，將膜3反轉使得雷射加工後的膜面3P面朝下。繼之，依據影像處理結果，將膜3對於基板1相對移動，將孔3a的位置對準缺陷部2a，使得成為膜3和基板1對峙的狀態。繼之，如第14(a)、(b)圖所示，使膜3下降成為和基板1接觸的狀態。此程序以手動執行亦可。此時，在膜3的張力舒緩而使膜3呈現U字形下垂的狀態下，使膜3和基板1相接觸(附著)亦可。

繼之，藉由塗布裝置將修正膏12塗布於缺陷部2a。塗布裝置係使用，例如，第17圖所示之塗布針11。塗布針11的尖端部是尖的，但其尖端被加工為平坦。塗布針11尖端的平坦面11a的直徑，例如，為30~70 μm之譜，選擇使用適合孔3a的大小之直徑者。選擇並使用使得孔3a完全收納平坦面11a之塗布針11較佳。若使用此種塗布針11，則可以藉由一次的塗布動作，將修正膏12填充於孔3a全體。

於修正膏12附著於塗布針11尖端平坦面11a的周圍的狀態下，將塗布針11從上方降下到孔3a的約略中央處，將修正膏12填充於缺陷部2a。塗布針11，可以在圖未顯示的導管(直動軸承)上下前進後退，以包含塗布針11的可動部本身的重量推壓膜3。即使塗布針11下降接觸膜3後更使其下降，塗布針11沿著導管退避到上方，因此，塗布針11的平坦面11a不會過度負荷。藉由塗布針11的驅動裝置(圖未顯示)、控制裝置(圖未顯示)，而被時間管理且被控制。

塗布針11推壓包含孔3a之小範圍的膜3的時間極短，例如為1秒以下。即使在修正膏12因為毛細管現象而流到膜3及基板1之間的情況下，因為在膜3的溝3d中膜3和基板1沒有接觸，所以藉由溝3d可以防止修正膏7的流入。因此，修正膏12流入的範圍為，包含孔3a和隔板3e的範圍，亦即第14(a)(b)圖及第15圖所示之寬度Sy，長度為Sx的範圍。

修正膏12的黏度越大，則其因為毛細管現象而被吸入基板1和膜3之間的縫隙的可能性越低，但是，反過來說，可推定其流動性變差，而無法進入整個孔3a，而修正膏12不附著於缺陷部2a上。相對於此，在實施例2中，由於能夠使毛細管現象造成的修正膏12的吸入止於設於孔3a及溝3d邊界的隔板3e，因此，修正膏12的黏度小也無妨。

繼之，如第18圖所示，使塗布針11退避到上方，以硬化單元23執行修正膏12的硬化處理。硬化單元23配合修正膏12的種類，施以紫外線硬化、加熱硬化處理、或者乾燥處理。繼之將膜3從基板1去除的話，如第19圖所示，缺陷部2a藉由塗布針11以較塗布形狀還微細的修正層12A(圖案)覆蓋，完成修正。而且，如果必要，之後，執行修正層12A的加熱處理亦可。

在本實施例2中，因為設有溝3d以包圍孔3a，所以，被塗布的修正膏12不會因為毛細現象被吸入基板1和膜3之間，而無須擔心基板1被污染較孔3a還大的範圍。

而且，在實施例2中，雖是使用塗布針11作為塗布裝置，但是，如第20(a)圖所示，使用微分配器24將修正膏12塗布於孔3a亦可，如第20(b)圖所示，將塗布噴嘴25的尖端從孔3a的一側端移動到另一側端時，同時將形成噴霧狀的修正膏12從塗布噴嘴25的尖端噴出，將修正膏12塗布於缺陷部2a亦可。在修正膏12的厚度不足的情況下，也可以將塗布噴嘴25往返移動直到達到所欲厚度。而且，雖然圖未顯示，但如同墨水噴嘴使修正膏12的液滴從噴嘴噴到孔3a內，將修正膏12塗布於缺陷部2a亦可。

[實施例3]

第21圖顯示實施例3的圖案修正方法之剖面圖，其為和第14(b)圖對比之圖。參見第21圖，該圖案修正方法和實施例2之圖案修正方法的不同點，在於膜3和基板1以一定的縫隙G隔開對峙。

例如，在將膜3以一定的張力拉開於第16(b)圖所示之2個固定滾筒20、21之間的狀態下，使膜3和基板1相對峙。縫隙G係隨著支撐膜3的支點(例如，固定滾筒20、21)的間隔或膜3的厚度而異，例如設定為10~1000 μm之譜。基板1的表面為凹凸形狀時，對峙於基板1的膜3，可以保持和基板1不接觸程度的縫隙G，包含孔3a的微小範圍保持和缺陷部2a不接觸的縫隙G亦可。

修正膏12的塗布裝置，和實施例2相同，例如可以使用塗布針11。於修正膏12附著於塗布針11尖端平坦面11a的周圍的狀態下，將塗布針11從上方降下到孔3a的約略中央處，如第22圖所示，膜3變形且孔3a的周圍之小範圍的膜3附著到包含缺陷部2a的範圍，將修正膏12填充於缺陷部2a。

包含孔3a之小範圍的膜3和包含缺陷部2a的範圍接觸的時間，為塗布針11將膜3推壓的時間，在修正膏12因為毛細管現象而流到膜3及基板1(缺陷部2a附近)之間之前，使塗布針11退避到上方。若塗布針11從膜3離開，則以膜3的彈性恢復到原來的狀態，包含孔3a之小範圍的膜3離開缺陷部2a。因此，膜3和基板1接觸的時間非常短。

第23圖為，使塗布針11退避到上方之狀態的剖面圖。在第23圖中，膜3回到脫離基板1的狀態，在缺陷部2a殘留了和孔3a形狀略同的修正層12A。而且，多塗的修正膏12殘留在膜3的表面。如此，因為以在孔3a的周圍具有溝3d的膜3做為光罩執行修正，加上即使修正膏12因為毛細管現象被吸入膜3和基板1之間的縫隙，也不會侵入溝3d之外的效果，所以能夠穩定地以塗布針11得到較塗布形狀還微細的修正層12A(圖案)。

對於已塗布的修正膏12，配合修正膏12的種類，施以紫外線硬化、加熱硬化處理、或者乾燥處理。在第23圖的狀態下執行硬化處理亦可，將膜3從從缺陷部2a的上方除去之後，執行硬化處理亦可。

若以此方法執行缺陷部2a的修正，則已塗布之修正膏12不會因為毛細管現象被吸入基板1和膜3的縫隙中，而無須擔心基板1被污染大於孔3a的廣大範圍。而且，結束塗布時，膜3完全從缺陷部2a或基板1脫離，因此，於其後的程序中將膜3除去時，無須擔心膜3和修正層12A接觸而使修正層12A損壞。

膜3和基板1的縫隙微小如數十μm時，固定滾筒20、21有可能和基板1接觸，因此，也可以設置支持裝置，以支持固定滾筒20、21使其可自由上下移動。

在固定滾筒20、21設置為可自由上下移動的情況下，如第24圖所示，為將固定滾筒20設置為小徑部20a及大徑部20b同軸狀的2段形狀，而使膜3和小徑部20a接觸，使大徑部滾筒20b和基板1接觸。固定滾筒21的構成也和固定滾筒20相同。在此情狀下，從大徑部20b和小徑部20a的半徑差減去膜3的膜厚的大小就是縫隙G。藉由此方法，能夠容易地執行膜3和基板1之間的縫隙調整。

於該實施例3中，將膜3配置為從基板1浮起的狀態，僅有在藉由塗布針11壓住開在膜3的孔3a及其周圍的期間，包含開於膜3之孔3a的微小範圍和缺陷部2a及其周邊的基板1接觸，因此，能夠防止修正膏12侵入基板1和膜3之間的縫隙，而能夠安定並得到形狀略同於孔3a的微細圖案。

以下，針對實施例3的各種變更例進行說明。第25圖的變更例中，膜3之和基板1接觸之面上形成凹部3b，孔3a形成於凹部3b的略中央處，在凹部3b形成溝3d以包圍孔3a。凹部3b的寬度W或深度D，設定為，可使膜3在塗布時變形，包含孔3a的微小範圍的膜3附著於缺陷部2a的範圍。例如，若為12.5 μm厚的膜3，則寬度W為100 μm~300 μm前後，深度D為1 μm~5 μm之譜。凹部3b，可以事先加工於膜3，加工裝置使用雷射、或機械性的裝置(例如鑄模轉寫等)。再者，凹部3b可以在膜3的延伸方向連續形成，也可以斷續地形成。

第26圖顯示，第25圖所示之膜3上形成孔3a及溝3d之後，將孔3a位置對準缺陷部2a配置於基板1上的狀態。如此，因為在膜3和基板1接觸之一側形成凹部3b，僅直接將膜3置於基板1上，就可以使孔3a和缺陷部2a以一定的縫隙隔開對峙。在此情況下，不在膜3上施加一定的張力，而使其為鬆弛的狀態亦可。再者，修正膏12的塗布方法和第22圖所示方法相同，因此，不再重複其說營。此點於以下之變更例亦同。

第27(a)圖顯示實施例3的其他變更例之平面圖，27(b)圖顯示第27(a)圖之XXVIIB－XXVIIB線剖面圖。在此變更例中，在膜3和基板1接觸的面之中央部分形成4角形的凹部3c，孔3a形成於凹部3c的中央，在凹部3c中形成溝3d以包圍孔3a。凹部3c的面積或深度，設定為可使膜3在塗布時變形，包含孔3a的微小範圍的膜3附著於缺陷部2a的範圍。凹部3c可以藉由雷射燒蝕以第16(a)圖所示之方法形成。另外，也可以藉由鑄模轉寫等機械性方法事先在膜3上形成凹部3c。

第28圖顯示實施例3的另一其他變更例之剖面圖。在第28圖中，為了能夠使孔3a和缺陷部2a以一定的縫隙隔開對峙，而在具有孔3a的膜3及基板1之間置入間隔物26。間隔物26也可使以用和膜3相同的膜。

再者，也可以將第27(a)(b)圖之變更例及第28圖之變更例組合，在基板1上配置間隔物26，將形成凹部3c之膜3配置於間隔物26上，使孔3a和缺陷部2a以一定的縫隙隔開對峙。

第29(a)圖顯示實施例3的另一其他變更例之平面圖，29(b)圖顯示第29(a)圖之XXIXB－XXIXB線剖面圖。在此變更例中，將膜3重疊在在以一定的間隔開有孔27a的膜27上以形成膜28。膜3及27為，例如為12.5 μm厚的聚亞醯胺膜。膜28為，例如捲為捲軸狀。藉由壓製、雷射等，形成為相較於缺陷部2a夠大的孔27a。孔27a的約略中央處，在膜3上形成孔3a和溝3d，將膜27、3配置於基板1上以使孔3a的位置對準缺陷部2a。膜27作為間隔物，將孔3a和缺陷部2a隔著一定的縫隙相對峙。在此變更例中，因為無須形成像第27(a)(b)圖所示之凹部3c，因此，能夠使形成凹部3c時產生的廢屑消失，而且，能夠達成加工時間的縮短化。

再者，膜3的支持方法如第16(a)(b)圖所示，但也可以如第30圖所示，和基板1略成平行地拉開，和位於上方的膜3B，以及於其下方折返展開的膜3A上下不重疊地扭轉。在此情況下，固定滾筒20和21並非平行，而是維持某種角度。藉此，在膜3A的上方能夠有不存在膜3B的部分，因此，能夠避免和塗布裝置相干擾。孔3a在膜3B的位置被加工之後，藉由膜3的捲回，移動到膜3A的位置，因為膜3的折返部分有扭轉，所以產生孔3a的回轉。孔3a的回轉，藉由修正孔3a的加工方向，或者，藉由使膜供應單元回轉來加以修正。

再者，不將膜3折返，從基板1側進行雷射加工亦可。

[實施例4]

本發明之其他圖案修正方法中，將在外周面形成凹部的滾筒及在外周面形成凸部的滾筒，配置為以凹凸部相咬合地自由回轉，使切割為滾筒狀的膜通過滾筒的咬合面，在膜的約略中央處的延長方向形成凹部。

繼之，將膜的凹部導向光學系統下方，照射雷射光以在凹部底面約略中央處開出對應於缺陷部的形狀的孔。繼之，在膜的凹部使膜和基板對峙以使得覆蓋缺陷部，執行位置調整以使得孔和缺陷部的位置相對準，並將膜置於基板上。此時，孔不和缺陷部接觸，兩者之間保持一定的縫隙。

繼之，將包含孔的特定範圍，以尖端附著了修正液的塗布針按壓住。藉此，膜變形且凹部的底面和缺陷部周圍的基板相接觸，透過孔將修正液塗布在缺陷部。塗布之後，塗布針上升，凹部的底面藉由膜的恢復力從基板的缺陷部剝離。凹部的底面和基板的接觸時間，為藉由塗布針按壓住膜的短時間，在修正液因為毛細管現象而流到膜及基板之間隙之前，孔從缺陷部脫離。因此，修正液造成的基板之污染很少。以下，使用圖示詳細說明本發明之圖案修正方法。

第31(a)圖為實施例4的圖案修正方法之平面圖，第31(b)圖顯示第31(a)圖之XXXIB－XXXIB線剖面圖，第31(c)圖為第31(a)圖之XXXIC－XXXIC線剖面圖，基板1的表面上，如第2圖所示，形成微細圖案之電極2，在電極2產生斷路缺陷部(斷線部)2a。

本圖案修正方法中，如第31(a)~(c)圖所示，開有對應於缺陷部2a之形狀的孔3a之膜3使用作為光罩。在膜3上，在膜3的延長方向延伸之複數的摺以形成凹部3f，凹部3f的略中央處開有孔3a。膜3置於基板1上，以使得凹部3f覆蓋電極2及缺陷部2a，孔3a的位置對準缺陷部2a。因為孔3a是開在凹部3f的底面，所以孔3a為對於缺陷部2a以縫隙G隔開對峙的狀態。

膜3，如第32圖所示，裝設於膜配置單元34上。膜配置單元34包含：底板35、配置於底板35上的膜供應捲軸36、膜加工部37、固定滾筒44~46、送膜部47、膜捲回捲軸54。膜供應捲軸36和膜捲回捲軸54係左右分離配置於底板35上，底板35的中央處設有缺口35a以避免和後述之光學系統元件之間的干擾。

膜加工部37包含轉寫滾筒38、39。如第33圖所示，在轉寫滾筒38的外周面形成具有特定寬度及特定深度的溝狀之凹部38a，在轉寫滾筒39的外周面形成具有特定寬度及特定高度的環狀之凸部39a，轉寫滾筒38、39係配置為使凹部38a及凸部39a互相咬合。轉寫滾筒38係以可回轉的方式支持於固定位置，另一邊的轉寫滾筒39固定於可回轉於以支點40為中心之可搖動的的臂41之狀態。而且，臂41內建有彈簧42，藉由調整螺絲43來調整彈簧42的長度，而可以調整轉寫滾筒38、39的推力。

藉由使膜3通過轉寫滾筒38、39之間，將凹部38a及凸部39a的形狀轉寫到膜3上，在膜3的延長方向上使膜3折曲而形成凹部3f。因此，相較於以雷射加工等形成凹部的情況，能夠簡化裝置並能提高修正作業的效率。

第34圖為，顯示在形成凹部3f的膜3的延長方向上的垂直斷面的形狀之圖。藉由在膜3上設有凹部3f，將膜3置於基板1時，可以使孔3a及基板1以一定的縫隙G隔開對峙，而無須設置其他用以確保縫隙G的手段(例如間隔物)。凹部3f的寬度W或高度H，設定為，在塗布修正膏之後，可以使包含孔3a的微小範圍的膜3可以基於其恢復力而從基板1脫離。再者，因為施加一定的張力於膜3上，凹部3f的高度H決定為較轉寫形狀還低。例如設定為10~1000 μm之譜。再者，寬度W為1~3mm之譜。

回到第32圖，送膜部47包含：傳送一定量的膜3之馬達驅動的傳送滾筒48、被傳送滾筒48壓住被動地回轉的被動滾筒49、支持被動滾筒49使其可以支點50為中心搖動之臂51。而且，臂51內建有彈簧52，藉由調整螺絲53來調整彈簧52的長度，而可以調整傳送滾筒48及被動滾筒49的推力。

膜供應捲軸36上設有轉矩調整部(圖未顯示)，膜3具有一定的張力，處於於2個滾筒45、46之間對於基板1略成平行的對峙的狀態。

而且，在固定滾筒44~46、傳送滾筒48及被動滾筒49的外周面，形成用以使凹部3f不損壞的卸溝較佳。而且，膜配置單元34，並不限定於第32圖所示之構成，例如，膜供應捲軸36及膜捲回捲軸54配置於同一側，將膜3配置於滾筒46折返的構造亦可。

孔3a，係藉由將雷射光照射在膜3上而形成。雷射使用YAG第3高倍頻雷射或YAG第4高倍頻雷射，或者為激態分子等脈衝光雷射。如第35圖所示，雷射部4固定於觀察光學系統5的上部，從雷射部4射出的雷射光透過固定於觀察光學系統5之下部的對物鏡6而照射在膜3上。孔3a，例如藉由內建於雷射部4的可變縫隙(圖未顯示)而整形，成為由對物鏡6聚光的雷射光的斷面形狀。孔3a的形狀及尺寸，係由可變縫隙而決定。

在膜3開孔3a的程序，在離開缺陷部2a位置的位置執行，或者，以膜3單獨執行而使雷射光不照射到缺陷部2a。例如，在離開基板1的上方位置，將膜3維持在水平地拉開於左右的固定滾筒45、46之間的狀態，將雷射光照射到固定滾筒45、46之間的膜3的中央部分而形成孔3a。在基板1上加工孔3a的情況下，為了使得因為雷射燒蝕而產生的異物(廢屑)不落下到基板1上，而在膜3和基板1之間插入遮蔽板10亦可。

如此，因為不在膜3附著或密接於缺陷部2a的狀態下以雷射光執行孔3a的加工，因此，不會損傷電極2或缺陷部2a的附近。再者，在膜3浮起的狀態下開孔3a，因此，能夠抑制異物附著在膜3的背面。

再者，在即使將雷射光直接照射到基板1也不會對基板1造成損害的情況，或者，即使有異物附著也不會造成問題的情況，將膜3置於基板1上直接執行孔3a的加工亦可。

繼之，例如依據影像處理結果，將膜3對於基板1相對移動，如第31(a)、(b)圖所示，將膜3的孔3a的位置決定在缺陷部2a的上方，使得成為膜3和基板1以縫隙G隔開對峙的狀態。繼之，使膜3下降成為和基板1接觸的狀態。此程序以手動執行亦可。此時，在膜3的張力舒緩而使膜3呈現U字形下垂的狀態下，使膜3和基板1相接觸(附著)亦可。在此狀態下，藉由凹部3f而成孔3a和基板1隔著縫隙G對峙的狀態。再者，配置於基板1上的膜3的凹部3f，通常因為膜3為被施以張力的狀態，所以其較形成凹部3f之後當時的高度H要低。

繼之，藉由塗布裝置將修正膏12塗布於缺陷部2a。塗布裝置係使用，例如，第36圖所示之塗布針11。塗布針11的尖端部是尖的，但其尖端被加工為平坦。塗布針11尖端的平坦面11a的直徑，例如，為30~70 μm之譜，選擇使用適合孔3a的大小之直徑者。選擇並使用使得孔3a完全收納平坦面11a之塗布針11較佳。若使用此種塗布針11，則可以藉由一次的塗布動作，將修正膏12填充於孔3a全體。

於修正膏12附著於塗布針11尖端平坦面11a的周圍的狀態下，將塗布針11從上方降下到孔3a的約略中央處時，膜3的凹部3f變形，而使孔3a周圍之小範圍的膜3附著在缺陷部2a的周圍，將修正膏12填充於缺陷部2a。塗布針11，可以在圖未顯示的導管(直動軸承)上下前進後退，以包含塗布針11的可動部本身的重量推壓膜3。即使塗布針11下降接觸膜3後更使其下降，塗布針11沿著導管退避到上方，因此，塗布針11的平坦面11a不會過度負荷。藉由塗布針11的驅動裝置(圖未顯示)、控制裝置(圖未顯示)，而被時間管理且被控制。

包含孔3a之小範圍的膜3與缺陷部2a周圍接觸的時間，僅為塗布針11推壓膜3的時間，在修正膏12因為毛細管現象而流到膜3及基板1(缺陷部2a附近)之縫隙之前，使塗布針11退避到上方。若塗布針11從膜3離開，則以膜3的彈性恢復到原來的狀態，包含孔3a之小範圍的膜3離開缺陷部2a。因此，膜3和基板1接觸的時間非常短。

第37圖顯示使塗布針11退避到上方之狀態，孔3a回到脫離基板1的狀態，在缺陷部2a殘留了和孔3a形狀略同的修正層12A。而且，多塗的修正膏12殘留在膜3的表面。如此，因為以膜3做為光罩執行修正，所以能夠以塗布針11得到較塗布形狀還微細的修正層12A(圖案)。

對於已塗布的修正膏12，配合修正膏12的種類，施以紫外線硬化、加熱硬化處理、或者乾燥處理。在第37圖的狀態下執行硬化處理亦可，如第38圖所示，將膜3從從缺陷部2a的上方除去之後，以硬化單元23執行硬化處理，或者以燒成裝置執行燒成處理亦可。

若以此方法執行缺陷部2a的修正，則已塗布之修正膏12不會因為毛細管現象被吸入基板1和膜3的縫隙中，而無須擔心基板1被污染大於孔3a的廣大範圍。而且，結束塗布時，孔3a完全從缺陷部2a或基板1脫離，因此，於其後的程序中將膜3除去時，無須擔心膜3和修正層12A接觸而使修正層12A損壞。

修正膏12的黏度越大，則其因為毛細管現象而被吸入基板1和膜3之間的縫隙的可能性越低，但是，反過來說，可推定其流動性變差，而無法進入整個孔3a，而修正膏12不附著於缺陷部2a上。相對於此，在本發明中，僅於塗布時將孔3a附近的膜3推壓到基板1，因此，能夠將毛細管現象的影響控制在最小。因此，修正膏12的黏度小也無妨。

再者，在上述之例中，雖係使膜3接觸於基板1上，但是如第39圖所示，在基板1和膜3保持一定的縫隙D而對峙的狀態下，以平坦面11a附著了修正膏12的塗布針11將孔3a推壓到缺陷部2a亦可。

再者，在膜3的延長方向連續形成凹部3f，可以推定當將膜3大大折疊以形成凹部3f時，膜3的剛性增加，而使得難以將膜3垂下成為U字型。因，如第40圖所示，在膜3的延長方向之略成垂直的方向上，以一定的間隔形成凸部3g，2個凸部3g之間形成凹部3f，在凹部3f形成孔3a亦可。

使膜3和基板1接觸的情況下，只要能使包含孔3a之小範圍的膜3和基板1之間維持縫隙相對峙，使膜3變形的方法，並不限定於在此所示之方法。

至此說明的方法，用以使得能夠容易地形成細線圖案，例如，可適用於如液晶面板的TFT(薄膜電晶體)面板的電極修正，必須形成10 μm以下的圖案的場合。再者，除電極以外，液晶彩色濾片的黑矩陣隨著高精細化其線寬為20 μm以下，也可以適用於其修正。

在此揭露的實施例之特徵均為例示，並非用以限制。本發明的範圍不為上述說明，而依據專利申請範圍而揭示，包含和專利申請範圍意義相同及範圍內所有的變更。

膜．．．3

孔．．．3a

電極．．．2

缺陷部．．．2a

縫隙．．．G

修正膏．．．12

塗布針．．．11

平坦面．．．11a

基板．．．1

第1(a)及(b)圖顯示本發明實施例1的圖案修正方法的示意圖。

第2圖顯示第1(a)及(b)圖所示之基板。

第3圖顯示第1(a)及(b)圖所示之在膜上開孔的程序之剖面圖。

第4圖係顯示第1(a)及(b)圖所示之透過膜之孔將修正膏塗布在缺陷部之程序的剖面圖。

第5圖顯示將修正膏塗布在缺陷部後膜恢復的狀態之示意圖。

第6圖顯示使膜和基板相對峙的方法之示意圖。

第7圖顯示使膜和基板相對峙的方法之其他示意圖。

第8圖顯示實施例1的變更例之圖。

第9圖顯示第8圖所示之膜的使用方法之剖面圖。

第10(a)及(b)圖顯示實施例1的其他變更例之圖。

第11圖顯示實施例1的另一其他變更例之圖。

第12(a)及(b)圖顯示實施例1的另一其他變更例之圖。

第13圖顯示實施例1的另一其他變更例之圖。

第14(a)及(b)圖顯示實施例2的圖案修正方法之示意圖。

第15圖顯示第14(a)及(b)圖所示膜的基板側的表面之示意圖。

第16(a)及(b)圖顯示形成第15圖所示之膜的孔及溝的程序之剖面圖。

第17圖顯示透過第14(a)及(b)圖所示膜的孔將修正膏塗布於缺陷部的程序之剖面圖。

第18圖顯示塗布於缺陷部的修正膏硬化之程序的剖面圖。

第19圖顯示第18圖所示膜除去後狀態之示意圖。

第20(a)及(b)圖顯示實施例2的變更例之圖。

第21圖顯示實施例3的圖案修正方法之示意圖。

第22圖顯示透過第21圖所示膜的孔將修正膏塗布於缺陷部的程序之剖面圖。

第23圖顯示使第22圖所示塗布針退避狀態的剖面圖。

第24圖顯示使第21圖所示膜對峙於基板的方法之剖面圖。

第25圖顯示實施例3的變更例之圖。

第26圖顯示將第25圖所示膜配置於基板上的狀態之剖面圖。

第27(a)及(b)圖顯示實施例3的其他變更例之圖。

第28圖顯示實施例3的另一其他變更例之圖。

第29(a)及(b)圖顯示實施例3的另一其他變更例之圖。

第30圖顯示實施例2、3的變更例之圖。

第31(a)~(c)圖顯示實施例4的圖案修正方法之示意圖。

第32圖顯示執行第31(a)~(c)圖所示膜的加工、配置之膜配置單元的構成之圖。

第33圖顯示第32圖所示之轉寫滾筒之構成的圖。

第34圖顯示以第33圖之轉寫滾筒加工之膜的形狀之剖面圖。

第35圖顯示第34圖所示膜的開孔程序之剖面圖。

第36圖顯示透過第31(a)~(c)圖所示膜的孔將修正膏塗布於缺陷部的程序之剖面圖。

第37圖顯示使第36圖所示塗布針退避於上方之狀態的剖面圖。

第38圖顯示使第37圖所示之修正層硬化之程序的剖面圖。

第39圖顯示實施例4的變更例之剖面圖。

第40圖顯示實施例4的其他變更例之圖。

膜．．．3

孔．．．3a

電極．．．2

缺陷部．．．2a

縫隙．．．G

膜3的厚度．．．Ft

短軸長．．．Sw

長軸長．．．S1

基板．．．1

Claims (19)

1. 一種圖案修正方法，修正基板上形成的微細圖案的缺陷部，其特徵在於：將在開在膜上的孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙；使一修正液附著在具有較該孔的開口部大之尖端面的塗布針的尖端部上，將該膜推壓到該基板，以使得該塗布針的尖端面覆蓋該孔，同時透過該孔將該修正液塗布於該缺陷部；藉由該膜的恢復力，使該膜從該基板剝離。
2. 如申請專利範圍第1項所述之圖案修正方法，藉由將該膜對著該基板隔著縫隙略呈平行地拉開，使得該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。
3. 如申請專利範圍第2項所述之圖案修正方法，將分別具有大徑部及小徑部之一對固定滾筒配置於該缺陷部的兩側，使各固定滾筒的該大徑部與該基板的表面接觸或接近，以該一對的固定滾筒的該小徑部支持該膜。
4. 如申請專利範圍第1項所述之圖案修正方法，其特徵在於：在該膜的該基板側的表面形成凹部，於該凹部內形成該孔，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜及該基板接觸，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。
5. 如申請專利範圍第1項所述之圖案修正方法，其特徵在於：於該缺陷部附近配置間隔物，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜配置於該間隔物上，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。
6. 如申請專利範圍第1項所述之圖案修正方法，其特徵在於：藉由將開有較該膜的該孔大的其他的孔之其他的膜，配置於該膜及該基板之間，使得該膜的該孔位於該其他的孔的約略中央處，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。
7. 如申請專利範圍第1項所述之圖案修正方法，在該膜的該基板側表面，形成用以防止該修正液因為毛細管現象而在該膜及該基板之間擴散開的溝，以將該孔圍住。
8. 如申請專利範圍第7項所述之圖案修正方法，該溝形成為環狀。
9. 如申請專利範圍第7項所述之圖案修正方法，從該膜的上方照射雷射光，於該膜上形成該孔及該溝之後，翻轉該膜的表面背面，將該膜的該溝側之表面向著該基板側。
10. 如申請專利範圍第7項所述之圖案修正方法，該溝及該孔之間存在隔板。
11. 如申請專利範圍第7項所述之圖案修正方法，其特徵在於：在該膜的該基板側的表面形成凹部，於該凹部內形成該孔及該溝，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜及該基板接觸，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。
12. 如申請專利範圍第7項所述之圖案修正方法，其特徵在於：於該缺陷部附近配置間隔物，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜配置於該間隔物上，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。
13. 如申請專利範圍第7項所述之圖案修正方法，其特徵在於：在該膜的該基板側的表面形成凹部，於該凹部內形成該孔及該溝，於該缺陷部附近配置間隔物，藉由使該孔及該缺陷部位置相對準，並使該膜配置於該間隔物上，使該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙。
14. 如申請專利範圍第1項所述之圖案修正方法，其特徵在於：使該膜的一部份變形並於該膜的基板側之表面形成凹部，該凹部的底面開的該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙，將該凹部的底面推壓到該基板，以使得該塗布針的尖端面覆蓋該孔，同時透過該孔將該修正液塗布於該缺陷部；藉由該膜的恢復力，使該凹部的底面從該基板剝離。
15. 如申請專利範圍第14項所述之圖案修正方法，將模型的形狀轉寫到該膜以形成該凹部。
16. 如申請專利範圍第14項所述之圖案修正方法，將該膜折曲複數次以形成該凹部。
17. 一種圖案修正裝置，修正基板上形成的微細圖案的缺陷部，其特徵在於：將在開在膜上的孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙；使一修正液附著在具有較該孔的開口部大之尖端面的塗布針的尖端部上，將該膜推壓到該基板，以使得該塗布針的尖端面覆蓋該孔，同時透過該孔將該修正液塗布於該缺陷部；藉由該膜的恢復力，使該膜從該基板剝離。
18. 如申請專利範圍第17項所述之圖案修正裝置，在該膜的該基板側表面，形成用以防止該修正液因為毛細管現象而在該膜及該基板之間擴散開的溝，以將該孔圍住。
19. 如申請專利範圍第17項所述之圖案修正裝置，使該膜的一部份變形並於該膜的基板側之表面形成凹部，該凹部的底面開的該孔及該缺陷部以縫隙隔開相對峙，將該凹部的底面推壓到該基板，以使得該塗布針的尖端面覆蓋該孔，同時透過該孔將該修正液塗布於該缺陷部；藉由該膜的恢復力，使該凹部的底面從該基板剝離。