JP5035794B2 - パターン修正方法 - Google Patents

Description

この発明はパターン修正方法に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法に関する。より特定的には、この発明は、フラットパネルディスプレイの製造工程において発生する電極のオープン欠陥を修正するパターン修正方法に関する。

近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上に形成された電極や液晶カラーフィルタなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。

たとえば、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性の修正ペースト（修正液）を断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば特許文献１参照）。

また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとして修正インク（修正液）を塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある（たとえば特許文献２，３参照）。
特開平８−２９２４４２号公報 特開平１１−１２５８９５号公報 特開２００５−９５９７１号公報

しかしながら、電極を修正する方法では、塗布針先端に導電性の修正ペーストを付着させ、断線部に修正ペーストを転写するため、その塗布径は先端部を平らに加工する面で決まり、１０μｍ前後の塗布径を実現するのは困難であり、これを用いた細線形成も同様に難しかった。

一方、フィルムをマスクとして使用する方法では、１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することが可能であるが、複数の欠陥部を修正する場合には、修正時間が長くなり、フィルムの消費量が多くなることが想定される。

それゆえに、この発明の主たる目的は、１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することができ、複数の欠陥部を短時間で修正することができ、フィルムの消費量が少ないパターン修正方法を提供することである。

この発明に係るパターン修正方法は、基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法であり、基板上には複数の欠陥部が存在する。このパターン修正方法では、フィルムにレーザ光を照射してそれぞれ複数の欠陥部を修正するための複数のマスクパターンを形成し、各マスクパターンは対応の欠陥部に応じた形状に形成されて少なくとも１つの貫通孔を有する。複数のマスクパターンのうちの少なくとも１つのマスクパターンは、欠陥部に応じた形状の貫通孔である。複数のマスクパターンのうちの少なくとも１つの他のマスクパターンは、フィルムの基板側の表面に形成されて欠陥部に応じた形状を有する溝と、該溝の底に形成された貫通孔とを含む。複数のマスクパターンは、フィルムのうちの予め定められた範囲内に近接して形成される。このパターン修正方法では、さらに、複数の欠陥部を１つずつ順次選択し、選択した各欠陥部とそれに対応するマスクパターンとを位置合わせするとともにフィルムを基板に所定の隙間を開けて対峙させ、マスクパターンを含む所定の範囲でフィルムを基板に押圧するとともに、そのマスクパターンを介してその欠陥部に修正液を塗布し、フィルムの復元力でフィルムを基板から剥離させる。

また好ましくは、複数の欠陥部の各々の位置情報に基づいて複数の欠陥部の各々の形状を観察し、その観察結果に基づいて複数のマスクパターンを形成する。

また好ましくは、複数の欠陥部の各々の形状を予想して複数のマスクパターンを形成する。

この発明に係るパターン修正方法では、フィルムにレーザ光を照射してそれぞれ複数の欠陥部を修正するための複数のマスクパターンを形成し、各マスクパターンは対応の欠陥部に応じた形状に形成されて少なくとも１つの貫通孔を有し、複数の欠陥部を１つずつ順次選択し、選択した各欠陥部とそれに対応するマスクパターンとを位置合わせし、そのマスクパターンを介してその欠陥部に修正液を塗布する。したがって、フィルムをマスクとして使用するので、１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することができる。また、複数のマスクパターンをフィルムに形成した後に欠陥部を１つずつ修正するので、複数の欠陥部を短時間で修正することができ、フィルムの消費量が少なくて済む。

実施の形態について説明する前に、この発明の基礎となるパターン修正方法について説明する。図１は、修正対象の基板１を示す図である。図１において、基板１上には微細パターンである電極２が形成され、電極２にはオープン欠陥部（断線欠陥部）２ａが発生している。このパターン修正方法では、図２に示すように、貫通孔３ａ（マスクパターン）を開けたフィルム３をマスクとして欠陥部２ａを修正する。

すなわち、欠陥部２ａに孔３ａを位置合わせした状態で、フィルム３を所定の隙間Ｇを開けて基板１の表面に対峙させる。フィルム３は、たとえば薄膜のポリイミドフィルムであり、その幅はマスクとして使用するのに十分な幅であれば良く、たとえば５ｍｍ〜１５ｍｍ程度にスリットしたロール状フィルムである。フィルム３は、その下が透けて見える程度のものが好ましく、その厚さＦｔはたとえば１０〜２５μｍ程度である。

孔３ａの開口部は、たとえば長方形状であり、その短軸の長さＳｗは電極２の幅に略等しく、その長軸の長さＳｌは、欠陥部２ａの両端に位置する正常な電極表面２ｂにも修正ペーストを塗布できるように、欠陥部２ａよりも長く設定される。これにより、修正層の抵抗値を低減するとともに、修正層の密着性を高めることができる。

孔３ａは、フィルム３の表面にレーザ光を照射することにより形成される。レーザとしては、ＹＡＧ第３高調波レーザやＹＡＧ第４高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザを用いる。たとえば、図３に示すように、レーザ部４は観察光学系５の上部に設けられ、観察光学系５の下端に対物レンズ６が設けられる。フィルム３は、２本の固定ローラ７により、対物レンズ６と基板１の間に張り渡される。レーザ光は、レーザ部４から観察光学系５および対物レンズ６を介してフィルム３に照射される。孔３ａの形状および大きさは、たとえばレーザ部４に内蔵される可変スリット（図示せず）により決定され、孔３ａは対物レンズ６で集光されたレーザ光の断面形状に加工される。このとき、レーザアブレーションにより発生する異物（ごみ）が基板１上に落下しないように、遮蔽板８をフィルム３と基板１の間に配置することが好ましい。

このように、欠陥部２ａにフィルム３が付着、あるいは密着した状態でレーザ光による孔３ａの加工を行なわないので、電極２や欠陥部２ａの近傍をレーザパワーによって損傷することはない。また、フィルム３を浮かした状態で孔３ａを開けるので、フィルム３の裏面に異物が付着することを抑制することができる。

孔３ａの形成が終了した時点では、孔３ａ周りのフィルム３上面には、孔３ａ部を除去（レーザアブレーション）した際に発生した異物（ごみ）が飛散しており、異物の除去のため、孔３ａを中心としたその周りの広い範囲に弱いパワーでレーザ光を照射してもよい。このとき、レーザをＹＡＧ第２高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで孔３ａを中心とする広い範囲にレーザ光を照射すれば、異物のみを除去することも可能であり、新たに異物が発生することを防止することができる。なお、フィルム３を反転させる機構を設ければ、フィルム３の裏面も同様に処理することができる。レーザ部４としては、孔３ａを開けるためのレーザ光と、異物を除去するためのレーザ光の２種類のレーザ光のうちのいずれかのレーザ光を選択的に出射できるものを使用するとよい。

フィルム３は、図示しないフィルム供給リールから供給され、固定ローラ７を経由して図示しないフィルム巻き取りリールで回収される。フィルム３は、図示しないＸＹＺステージにより、ＸＹＺ方向に移動可能とされる。ＸＹＺステージは、欠陥部２ａと孔３ａとの位置調整に使用される。

次に、たとえば画像処理結果、あるいは、それぞれの位置座標データに基づいて基板１に対してフィルム３を相対的に移動させ、図２に示すように、欠陥部２ａの上方にフィルム３の孔３ａを位置決めしてフィルム３と基板１が隙間Ｇを開けて対峙した状態にする。この工程は手動で行なっても構わない。フィルム３は一定の張力によって張られた状態にある。隙間Ｇは、フィルム３を支持する支点（たとえば図３に示した固定ローラ７）の間隔やフィルム３の厚さによって異なるが、たとえば１０〜１０００μｍ程度に設定される。基板１の表面に凹凸がある場合、基板１に対峙したフィルム３が、基板１とは接触しない程度の隙間Ｇを保ってもよいし、孔３ａを含む微小範囲が、欠陥部２ａと接触しないような隙間Ｇを保つようにしてもよい。

修正ペーストの塗布手段としては、たとえば、図４に示す塗布針９が用いられる。塗布針９の先端部は尖っているが、その先端は平坦に加工されている。塗布針９先端の平坦面９ａの直径は、たとえば、３０〜１００μｍ程度であり、孔３ａの大きさに合わせて最適な直径のものを選択して使用する。孔３ａが平坦面９ａにすべて収まるような塗布針９を選択して使用することが好ましい。このような塗布針９を用いれば、１回の塗布動作で孔３ａ全体に修正ペースト１０を充填することができる。

塗布針９先端の平坦面９ａの周りに修正ペースト１０が付着した状態で、平坦面９ａで孔３ａの開口部を閉蓋するようにして塗布針９を上方から押し付けると、フィルム３が変形して孔３ａの周りの微小範囲のフィルム３が欠陥部２ａの周囲に付着し、欠陥部２ａに修正ペースト１０が充填される。塗布針９は、図示しないガイド（直動軸受）上を上下に進退可能にしたものであり、塗布針９を含む可動部の自重のみでフィルム３を押す。塗布針９が下降してフィルム３に接触して、フィルム３を基板１に接触させた後もさらに下降させようとしても、塗布針９がガイドに沿って上方に退避するので、塗布針９の平坦面９ａは過負荷とならない。塗布針９の駆動手段（図示せず）は、制御手段（図示せず）により、時間管理されて制御される。

孔３ａを含む微小範囲のフィルム３が欠陥部２ａの周囲に接触する時間は、塗布針９がフィルム３を押している間だけであり、修正ペースト１０がフィルム３と基板１（欠陥部２ａ近傍）との隙間に毛細管現象で流れる前に、塗布針９を上方に退避させる。塗布針９がフィルム３から離れれば、フィルム３の弾性で元の状態に戻り、孔３ａを含む微小範囲のフィルム３は欠陥部２ａの周囲から離れる。そのため、フィルム３が基板１に接触する時間は極わずかである。

図５は、塗布針９を上方に退避させた状態を示し、フィルム３は基板１から離れた状態に復帰しており、欠陥部２ａには、孔３ａの形状と略同形状の修正層１０Ａが残る。また、余分に塗布された修正ペースト１０はフィルム３の表面に残る。このように、フィルム３をマスクとして修正を行なうので、塗布針９による塗布形状よりも微細な修正層１０Ａ（パターン）を得ることが可能となる。

塗布された修正ペースト１０には、修正ペースト１０の仕様に合わせて紫外線硬化、加熱硬化処理、あるいは乾燥処理が施される。図５の状態で硬化処理を行なってもよい。

また、レーザ照射による熱分解反応で金属膜を析出する必要があれば、欠陥部２ａの上方からフィルム３を除去した後で連続発振のレーザで硬化処理（金属膜析出処理）を行なってもよい。この場合、レーザ部４がパルス発振と連続発振の切替えができるタイプであれば機構は簡単になるが、切替えができない場合には、レーザ部４とは別の図示しない連続発振レーザから観察光学系５にレーザ光を導入できるようにしてもよい。あるいは、観察光学系５とは別の光学系を用意してレーザ照射を行なってもよい。

このような方法で欠陥部２ａの修正を行なえば、塗布された修正ペースト１０が基板１とフィルム３との隙間に毛細管現象で吸い込まれることもなく、孔３ａよりも広い範囲に渡って基板１を汚染する心配もなくなる。また、塗布が終了した時点で、フィルム３は欠陥部２ａや基板１から完全に離れているため、その後の工程でフィルム３を除去する際には、フィルム３が修正層１０Ａに接触して修正層１０Ａを崩す心配がない。

修正ペースト１０の粘度が大きければ、基板１とフィルム３との隙間に毛細管現象で吸い込まれる可能性は低くなるが、逆に流動性が悪くなって、孔３ａ全体に入らないため、欠陥部２ａに修正ペースト１０が付着しないことも想定される。それに対して、前述の方法では、塗布時のみ孔３ａ近傍のフィルム３を基板１に押圧するので、毛細管現象の影響を最小限に留めることができる。したがって、修正ペースト１０の粘度は小さくても構わない。

また、１つの欠陥部２ａを修正する際、１回の塗布で修正を完了する方が好ましい。その理由は、塗布回数が多くなると、孔３ａに付着する修正ペースト１０の量が多くなって、フィルム３と基板１との隙間に修正ペースト１０が吸い込まれる、あるいは修正層１０Ａの形状が崩れる可能性も考えられるからである。一方、複数回同じ位置に塗布することで修正層１０Ａの膜厚を厚くすることもできるので、使用する修正ペースト１０の仕様に合わせて塗布回数を決めることが望ましい。

また、修正ペースト１０としては、電極２の欠陥部２ａを修正する場合、金、銀などの金属ナノ粒子を用いた金属ナノペーストや金属錯体溶液（たとえば、パラジウム錯体溶液）、金属コロイドを用いることができる。

孔３ａの大きさは、塗布針９の平坦面９ａで孔３ａの開口部全体を１回で押圧できる程度にすることが望ましく、たとえば、塗布針９の平坦面９ａの径が５０μｍであれば、孔３ａの長軸長Ｓｌは５０μｍ以下となる。なお、孔３ａの開口部の短軸長Ｓｗとフィルム３の厚さＦｔとがＦｔ＞Ｓｗの関係を満たすようにすれば、孔３ａ内に入った修正ペースト１０を孔３ａ内に留める力（付着力）Ｆ１が、フィルム３と基板１との隙間に作用する毛細管現象による吸引力Ｆ２よりも大きくなり、修正ペースト１０がフィルム３と基板１との隙間に吸い込まれることを防止することができる。ただし、上記力Ｆ１，Ｆ２は修正ペースト１０の表面張力や粘度、基板１やフィルム３の濡れ性に依存して変化するので、修正の安定性を増すためには、Ｆｔ／２＞Ｓｗの関係を満たすようにする方がより好ましい。

また、図６（ａ）は、この発明の基礎となる他のパターン修正方法を示す図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢ線断面図である。図６（ａ）（ｂ）において、このパターン修正方法では、貫通孔３ａおよび溝３ｂ（マスクパターン）が形成されたフィルム３がマスクとして使用される。溝３ｂは、フィルム３の基板１側の表面に形成され、欠陥部２ａの形状に応じて決定された修正層１０Ａの形状と略等しい形状の開口部を持つ。溝３ｂの開口部は所定の隙間を開けて欠陥部２ａに対峙される。貫通孔３ａは、溝３ｂの底の略中央に形成されている。貫通孔３ａの幅は溝３ｂの幅以下であり、貫通孔３ａの長さは溝３ｂの長さよりも短い。フィルム３には一定の張力が与えられ、基板１に対してフィルム３が略平行に配置される。基板１とフィルム３の隙間は、たとえば１００μｍ程度にされる。

次に、図７に示すように、塗布針９先端の平坦面９ａの周りに修正ペースト１０が付着した状態で、平坦面９ａで貫通孔３ａおよび溝３ｂを覆うようにして塗布針９を上方から押し付けると、フィルム３が変形して溝３ｂの周りの微小範囲のフィルム３が欠陥部２ａの周囲に付着し、欠陥部２ａに修正ペースト１０が充填される。このとき、溝３ｂに流れる修正ペースト１０の液量は、微小な貫通孔３ａにより絞られて減少するので、欠陥部２ａとフィルム３との隙間に修正ペースト１０が吸い込まれるのを抑制することができる。以上が本願発明の基礎となるパターン修正方法の説明である。

前述のように、１つの欠陥部２ａを修正するために、欠陥修正形状に合わせて孔３ａを形成し、これをマスクとして修正する方法では、１個の欠陥修正が終了した時点で使用済みのフィルム３を巻き取り、同じ手順を踏んで次の欠陥修正を行なう必要があり、修正する個所が多い場合には、修正工程が煩雑となって修正時間が長くなることが想定される。本願発明では、この問題の解決が図られる。

[実施の形態１]
基板１上に存在する複数の欠陥部２ａの位置情報は、前段の検査装置（図示せず）から入力されるので、その位置情報に基づいて各欠陥部２ａを観察し、その観察結果に基づいて各欠陥部２ａを修正するために必要な修正層１０Ａすなわち孔３ａの形状（幅や長さ）を決定する。次に、フィルム３の表面にレーザ光を照射して、図８に示すように、それぞれ複数の欠陥部２ａに対応する複数の孔３ａを近接して所定の範囲内に形成する。

図８は、図３のフィルム３の上方から見た図に相当する図である。図８では、２つの固定ローラ７の間のフィルム３に複数（図では３つ）の孔３ａがフィルム３の長さ方向の中心線に沿って１列に形成される。各孔３ａの間隔は、塗布針９で修正ペースト１０を塗布した際にそれらが重ならない程度に保たれる。また、図９に示すように、複数の孔３ａを複数列（図では２列）に形成してもよい。

次に、複数の孔３ａのうちのいずれか１つの孔３ａ（たとえば１列に配置された複数の孔３ａのうちの先頭の孔３ａ）を選択し、選択した孔３ａとその孔３ａと適合する欠陥部２ａとを位置合わせし、フィルム３と基板１とを一定の隙間を保った状態で対峙させる。次いで、図４で示したように、修正ペースト１０を塗布して、１個の欠陥部２ａの修正を終了する。２個目以降の欠陥修正は、既に孔３ａが存在するので、フィルム３を巻き取ることなく、次の孔３ａを選択して順次修正を行なう。

このように、複数の孔３ａを一度に形成するので、フィルム３上に焦点を合わせる工程等が１回で済み、作業が効率化されて、全体の修正タクトが短縮される。また、複数の孔３ａを近接して配置するので、フィルム３の消費量を少なくできる。

なお、修正層１０Ａの形状が概ね決まっているか、予想可能である場合は、欠陥部２ａを観察する工程を省略して、１枚の基板１に含まれる欠陥部２ａと同じ数か、あるいは多少多い数の孔３ａを形成してもよい。または、形状を変えた孔３ａを数種類用意してもよい。この場合、観察する時間が短縮されるので、その方が好ましい。

［実施の形態２］
実施の形態１では、図３で示したように、フィルム３の表面にレーザ光を照射して貫通孔３ａを形成し、フィルム３の裏面を基板１に対峙させ、フィルム３の裏面を基板１に接触させて修正を行なった。しかし、フィルム３の表面を基板１に対峙させて修正した方が、描画形状がより安定する。すなわち、フィルム３の貫通孔３ａの断面形状は、フィルム表面（レーザ照射面）からフィルム裏面（レーザ貫通面）に近づくにつれて細くなるテーパ状となる。このことはレーザ加工の特徴でもある。

貫通孔３ａの開口部の面積が広いフィルム表面を基板１に対峙させると、貫通孔３ａの開口部の面積が小さいフィルム裏面が上になり、フィルム裏面側から修正ペースト１０が供給される。このとき、貫通孔３ａの断面は、上に行くほど先細るハの字形状になっているので、貫通孔３ａ内の修正ペースト１０には、より細くなる側、つまり貫通孔３ａの上方側に毛細管現象で引く力が働く。したがって、修正ペースト１０がフィルム３と基板１との隙間に流れることを抑制し、結果として、描画形状の安定化を図ることができる。

フィルム３の表面を基板１に対峙させるためには、レーザ照射によって貫通孔３ａを形成した後でフィルム３の表裏を反転させる必要がある。図１０（ａ）（ｂ）は、フィルム３の表裏を反転させる方法を示す図である。図１０（ａ）において、フィルム３は、左右に配置された固定ローラ１１ａ，１１ｂと、それらの間の上方に配置された固定ローラ１２とにより、左右に折り返して上下に並行に張り渡された状態にされる。図１０（ａ）では、固定ローラ１１ａ，１２の間のフィルム３の表面にレーザ光を照射して複数の貫通孔３ａを形成する。このとき、レーザアブレーションにより発生するごみが基板１上に落下しないように遮蔽板８を上下に並行に張り渡されたフィルム３の間に配置してもよい。

フィルム３は、図示しないフィルム供給リールから供給され、固定ローラ１２，１１ａ，１１ｂを経由して図示しないフィルム巻き取りリールで回収される。これらは図示しないフィルム供給ユニットの主要部品となり、図示しないＸＹＺステージにより、ＸＹＺ方向に移動可能とされる。ＸＹＺステージは、欠陥部２ａと貫通孔３ａとの位置調整に使用される。また、フィルム供給ユニットに回転手段を持たせてあってもよい。

なお、図１０（ａ）では、フィルム３が上下に折り返されていて、上方にあるフィルム３に孔３ａを開ける際には、少し距離を置いてその下方にもフィルム３が存在するので、下方にあるフィルム３が遮蔽板８の代用として使用可能な場合には、遮蔽板８は省略可能である。

複数の孔３ａを形成した後に、図１０（ｂ）に示すように、フィルム３を図中Ｒ方向（時計針回転方向）に巻き取り、フィルム３のレーザ照射面が下を向くようにフィルム３を反転させる。次いで、画像処理結果に基づいて基板１に対してフィルム３を相対移動させ、貫通孔３ａと欠陥部２ａを位置合わせして基板１とフィルム３が対峙した状態にする。この工程は手動で行なっても構わない。フィルム３は一定の張力によって張られた状態にある。隙間Ｇは、フィルム３を支持する支点（たとえば固定ローラ１１ａ，１１ｂ）の間隔やフィルム３の厚さによって異なるが、たとえば１０〜１０００μｍ程度に設定される。基板１の表面に凹凸がある場合、基板１に対峙したフィルム３が、基板１とは接触しない程度の隙間Ｇを保ってもよいし、孔３ａを含む微小範囲が、欠陥部２ａと接触しないような隙間Ｇを保つようにしてもよい。次に、上下のフィルムに挟まれた空間に塗布手段を挿入して、図４に示したように、貫通孔３ａの上方から修正ペースト１０を塗布する。

その後、フィルム３を巻き取ることなく、残りの孔３ａを用いて同様に修正が行なわれる。この場合、フィルム３の反転動作は始めに１回行なうだけで、その後、複数個所の修正を行なうことが可能なため、全体の修正時間を大幅に削減可能である。また、フィルム３の巻き取り回数が減少するのでフィルム３の使用量を削減できる。

また、フィルム３の表面（レーザ照射面）を基板１に対峙させて修正するので、修正ペースト１０がフィルム３と基板１との隙間に流れることを抑制し、描画形状の安定化を図ることができる。

[実施の形態３]
実施の形態２では、フィルム３が上下に存在するので、塗布時には、上下のフィルム３の間に塗布手段を挿入する必要があり、上下のフィルム３の間隔を狭くすることはできない。そのため、高倍率の対物レンズ６を用いて、欠陥部２ａと貫通孔３ａとの位置合わせをすることが難しい。また、この場合、フィルム２枚越しに欠陥部２ａを観察するため、位置調整が難しくなることが想定される。そこで、この実施の形態３では、上方フィルム３Ａの一部を機械的に移動させて、下方フィルム３Ｂの貫通孔３ａを露出させてから、貫通孔３ａを介して欠陥部２ａに修正ペースト１０を塗布する。

図１１（ａ）〜（ｄ）は、この発明の実施の形態３によるパターン修正装置の要部の構成および動作を示す断面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＸＩＢ−ＸＩＢ線断面図であり、図１１（ｄ）は図１１（ｃ）のＸＩＤ−ＸＩＤ線断面図である。図１１（ａ）において、フィルム供給ユニット１５には、着脱可能なフィルム供給リールおよびフィルム巻き取りリール（図示せず）が装着される。フィルム供給リールから供給されるフィルム３は、固定ローラ１６〜１８を経由して対物レンズ６と基板１の間に導かれ、固定ローラ１９で折り返されて基板１の上に導かれ、固定ローラ２０を経由してフィルム巻き取りリールに巻き取られる。

固定ローラ１７，１８は、可動部材２１に固定され、一定範囲で上下方向に移動可能とされる。図１１（ａ）では、可動部材２１は上方の位置に固定された状態にある。この状態では、固定ローラ１７，１８の間の区間Ｌ１の上方フィルム３Ａと、固定ローラ１９，２０の間の区間Ｌ２の下方フィルム３Ｂとは、一定の間隔、たとえば約１０ｍｍ前後を保って略平行に張られた状態にあり、また、基板１に対しても略平行に配置されている。フィルム供給ユニット１５の区間Ｌ２の部分（フィルム配置部１５ａ）は、対物レンズ６の下方に挿入されてフィルム３をマスクとした修正に使用される。

また、区間Ｌ１の上方フィルム３Ａの下には、平板部材と２本の爪２２ａからなるフック２２が配置されている。フック２２は、上方フィルム３Ａとは直角方向で基板１に対して略平行の方向（上方フィルム３Ａの幅方向）に移動可能とされる。図１１（ａ）では、フック２２は上方フィルム３Ａとは接触しておらず、一定の隙間が確保される。

この状態で、区間Ｌ１の略中央の上方フィルム３Ａにレーザ光を照射して、それぞれ複数の欠陥部２ａの形状に応じた形状の複数の孔３ａを所定の間隔で形成する。この時、フック２２が遮蔽板の代わりとして機能して、レーザアブレーションにより発生する異物（ごみ）を受けるので、基板１を汚染することを防止することができる。このとき、フック２２の上面にごみを受ける凹部（図示せず）を形成してあってもよい。

複数の孔３ａの形成が終了した時点では、フィルム３のレーザ照射面には、レーザアブレーションした際に発生したごみが飛散している。ごみの除去のため、孔３ａを中心として、その周りの広い範囲に弱いパワーでレーザ光を照射する工程を入れてもよい。このとき、ＹＡＧ第２高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで孔３ａを中心とする広い範囲を照射すれば、ごみのみを除去することも可能であり、新たにごみが発生することを防止することができる。

次に、図１１（ｃ）に示すように、フィルム３をフィルム供給リールに巻き取りながら、複数の孔３ａを区間Ｌ２の下方フィルム３Ｂの略中央まで移動させる。フック２２を後方に移動させた後、可動部材２１を下降させて、可動部材２１に固定された固定ローラ１７,１８が、固定ローラ１９,２０よりも下方に位置するようにする。このとき、図示しないフィルム巻き取りリール側はフィルム３が後戻りしないようになっているので、図示しないフィルム供給リールからフィルム３が供給されながら、図１１（ｄ）に示すように、上方フィルム３Ａはフック２２の爪２２ａに引っ張られて後方に移動し、孔３ａを含む下方フィルム３Ｂが上方から見て露出する。なお、固定ローラ１９の両端には鍔があって、フィルム３がローラ１９から外れることはない。

図１１（ｃ）（ｄ）では、フック２２によって上方フィルム３Ａが基板１に対してそのままの形状で平行移動しているが、実際には、フック２２内のフィルム３は折り重なる。しかし、フィルム３に柔軟性があるため機能上問題はない。

次に、欠陥部２ａに適合した孔３ａを選択して、それらの位置合わせを行ない、孔３ａを含む下方フィルム３Ｂと基板１とが一定の隙間Ｇを持って対峙するようにする。その後、図４で説明した工程同様に、塗布針９で修正ペースト１０を塗布すれば、欠陥部２ａの近傍を汚染することなく修正が完了する。１個の欠陥部２ａの修正が終了した後、フィルム３をそのままの状態に維持し、残りの孔３ａを用いて、他の欠陥部２ａも同様に修正する。

この実施の形態３では、固定ローラ１９でフィルム３を折り返し、上方フィルム３Ａと下方フィルム３Ｂとが一定の間隔で上下に配置された状態で、上方フィルム３Ａを機械的に横移動させて下方フィルム３Ｂの１枚で修正を行なうため、欠陥部２ａと孔３ａとの位置合わせが容易となる。

また、下方フィルム３Ｂの孔３ａ上方にはフィルム３などの物が無いため、高倍率の対物レンズ（たとえば、２０倍）に切り替えて、位置合わせを行なうことが可能となる。また、塗布手段と上方フィルム３Ａとの干渉を回避できるので、上方フィルム３Ａと下方フィルム３Ｂとの間隔を狭くすることが可能となり、高倍率の対物レンズへの切り替えも容易になる。

なお、以上の実施の形態１〜３では、フィルム３に欠陥部２ａの形状に応じた形状の孔３ａを開けて修正したが、図６（ａ）（ｂ）および図７で示したように、フィルム３に欠陥部２ａに応じた形状の溝３ｂを形成し、溝３ｂの底に孔３ａを形成して修正してもよい。

また、複数の孔３ａのうちのいずれか１つの孔３ａを選択し、選択した孔３ａとその孔３ａと適合する欠陥部２ａとを位置合わせしたが、複数の欠陥部２ａのうちのいずれか１つの欠陥部２ａを選択し、選択した欠陥部２ａとその欠陥部２ａと適合する孔３ａとを位置合わせしてもよい。

今まで説明してきた方法は、細線パターンを容易に、かつ、安定して形成することができるため、たとえば、液晶パネルのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）パネルの電極修正のように、１０μｍ以下のパターン形成が必要な場合にも適用可能となる。また、電極以外では、液晶カラーフィルタのブラックマトリックスは高精細化に伴い線幅が２０μｍを切っており、この修正にも適用可能である。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

修正対象の基板を示す図である。 この発明の基礎となるパターン修正方法を示す図である。 図２に示したフィルムに孔を開ける方法を示す断面図である。 図２で示した欠陥部に修正ペーストを塗布する方法を示す断面図である。 図４に示した塗布針を上方に退避させた状態を示す断面図である。 この発明の基礎となる他のパターン修正方法を示す図である。 図６で示した欠陥部に修正ペーストを塗布する方法を示す断面図である。 この発明の実施の形態１によるパターン修正方法を示す図である。 実施の形態１の変更例を示す図である。 この発明の実施の形態２によるパターン修正装置の要部およびその動作を示す断面図である。 この発明の実施の形態３によるパターン修正装置の要部およびその動作を示す断面図である。

符号の説明

１ 基板、２ 電極、２ａ オープン欠陥部、２ｂ 電極面、３ フィルム、３Ａ 上方フィルム、３Ｂ 下方フィルム、３ａ 孔、３ｂ 溝、４ レーザ部、５ 観察光学系、６ 対物レンズ、７，１１ａ，１１ｂ，１２，１６〜２０ 固定ローラ、８ 遮蔽板、９ 塗布針、９ａ 平坦面、１０ 修正ペースト、１０Ａ 修正層、１３，１５ フィルム供給ユニット、１５ａ フィルム配置部、２１ 可動部材、２２ フック、２２ａ 爪。

Claims (3)

1. 基板上に形成された微細パターンの欠陥部を修正するパターン修正方法において、前記基板上には複数の欠陥部が存在し、
   フィルムにレーザ光を照射してそれぞれ前記複数の欠陥部を修正するための複数のマスクパターンを形成し、各マスクパターンは対応の欠陥部に応じた形状に形成されて少なくとも１つの貫通孔を有し、
   前記複数のマスクパターンのうちの少なくとも１つのマスクパターンは、前記欠陥部に応じた形状の前記貫通孔であり、
   前記複数のマスクパターンのうちの少なくとも１つの他のマスクパターンは、前記フィルムの前記基板側の表面に形成されて前記欠陥部に応じた形状を有する溝と、該溝の底に形成された前記貫通孔とを含み、
   前記複数のマスクパターンは、前記フィルムのうちの予め定められた範囲内に近接して形成され、
   前記パターン修正方法は、
   さらに、前記複数の欠陥部を１つずつ順次選択し、選択した各欠陥部とそれに対応するマスクパターンとを位置合わせするとともに前記フィルムを前記基板に所定の隙間を開けて対峙させ、
   前記マスクパターンを含む所定の範囲で前記フィルムを前記基板に押圧するとともに、そのマスクパターンを介してその欠陥部に修正液を塗布し、
   前記フィルムの復元力で前記フィルムを前記基板から剥離させることを特徴とする、パターン修正方法。
2. 前記複数の欠陥部の各々の位置情報に基づいて前記複数の欠陥部の各々の形状を観察し、その観察結果に基づいて前記複数のマスクパターンを形成することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正方法。
3. 前記複数の欠陥部の各々の形状を予想して前記複数のマスクパターンを形成することを特徴とする、請求項１に記載のパターン修正方法。

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