JP4480134B2

JP4480134B2 - 塗布膜形成方法及びその装置

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Publication number: JP4480134B2
Application number: JP2004073309A
Authority: JP
Inventors: 大輔池本; 武虎篠木; 清久立山
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2004-03-15
Filing date: 2004-03-15
Publication date: 2010-06-16
Anticipated expiration: 2024-03-15
Also published as: JP2005254210A

Description

この発明は、例えばＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板に塗布液例えばレジスト液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法及びその装置に関するものである。

一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としてのＬＣＤ用ガラス基板等（以下に基板という）にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜に転写し、これを現像処理し、その後、基板からレジスト膜を除去する一連の処理が施されている。

従来の塗布膜形成方法として、塗布液供給ノズルと基板とを相対移動させつつ塗布液を供給して塗布膜を形成する方法が広く知られている。また、近年では、塗布液の供給量を厳密に制御でき、しかも、塗布液の消費量を低減できる利点が得られるインクジェット方式の塗布液供給ノズルを用いた塗布膜形成方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この方法によれば、塗布液供給ノズルを基板に対して略波形形状に移動することにより、基板表面に塗布膜を形成することができる。
特開２００３−１１２０９８（特許請求の範囲、図３）

しかしながら、従来のインクジェット方式の塗布液供給ノズルを用いた塗布膜形成方法においては、長尺のノズルを作製できない関係上、塗布液供給ノズルを基板に対して略波形形状に移動しつつ塗布液を供給して塗布膜を形成するため、塗布の重ね合わせ部の膜厚が厚くなり、均一な膜厚の塗布膜を形成できないという問題があった。特に、近年では大型化の傾向にある基板においては、塗布の重ね合わせ部が多くなり、その分膜厚の均一性が損なわれ、製品不良をきたす虞がある。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、塗布の重ね合わせ部の膜厚を他の部分とほぼ同じとなるようにして膜厚の均一性の向上及び品質の向上を図れるようにした塗布膜形成方法及びその装置を提供することを目的とするものである。

上記課題を解決するために、この発明の塗布膜形成方法は、適宜ピッチをおいて複数のノズル孔を列設するインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、被処理基板とを相対移動させつつ被処理基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法を前提とし、上記被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた上記塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、上記ノズル体の重ね合わせ部以外のノズル孔を等ピッチに配列し、ノズル体の重ね合わせ部のノズル孔のピッチを重ね合わせ部以外のノズル孔のピッチより２倍広くし、各ノズル体の重ね合わせ部の上記ノズル孔から供給される塗布液の量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にして、塗布膜の膜厚を均一にするようにした、ことを特徴とする(請求項１)。

この発明の塗布膜形成方法において、上記ノズル体のノズル孔を等ピッチに配列し、重ね合わせ部における隣接する上記ノズル孔のうちの一方から塗布液の供給を行って、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にしてもよい（請求項２）。また、上記ノズル体の重ね合わせ部以外のノズル孔を等ピッチに配列し、重ね合わせ部において上記ノズル孔のピッチを重ね合わせ部以外のノズル孔のピッチより２倍広くし、かつ重ね合わせ部におけるノズル孔のピッチを半ピッチ偏倚し、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にしてもよく(請求項３)、あるいは、上記ノズル体のノズル孔を等ピッチに配列し、重ね合わせ部において配列方向に隣接する上記ノズル孔の一方からの塗布液の供給タイミングを１／２遅らせると共に、各ノズル体の重ね合わせ部における隣接するノズル孔の一方から塗布液の供給を交互に行って、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にすると共に、重ね合わせ部における先に供給された塗布液の液滴と、後に供給された塗布液の液滴とを融合させるようにしてもよい（請求項４）。

この発明の塗布膜形成装置は、塗布膜形成方法（請求項１記載の発明）を具現化するもので、被処理基板を保持する保持手段と、中央部側のノズル孔が等ピッチに配列され、端部側のピッチが中央部側のピッチより２倍広い複数のノズル孔を列設する複数のノズル体の端部同士を重ね合わせたインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、上記塗布液供給ノズルを上記保持手段によって保持された被処理基板の一端から他端及びこれと直交する方向へ相対移動する移動機構と、塗布膜の膜厚を均一にすべく上記移動機構を制御すると共に、各ノズル体の重ね合わせ部以外のノズル孔のピッチより約２倍のピッチを有する上記ノズル体の重ね合わせ部におけるノズル孔から供給される塗布液の量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２に制御可能な制御手段と、を具備する、ことを特徴とする（請求項５）。

請求項６記載の塗布膜形成装置は、請求項２記載の発明を具現化するもので、被処理基板を保持する保持手段と、等ピッチの複数のノズル孔を列設する複数のノズル体の端部同士を重ね合わせたインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、上記塗布液供給ノズルを上記保持手段によって保持された被処理基板の一端から他端及びこれと直交する方向へ相対移動する移動機構と、塗布膜の膜厚を均一にすべく上記移動機構を制御すると共に、各ノズル体の重ね合わせ部における隣接するノズル孔のうちの一方から塗布液の供給を行って、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２に制御可能な制御手段と、を具備する、ことを特徴とする。

請求項７記載の塗布膜形成装置は、請求項３記載の発明を具現化するもので、被処理基板を保持する保持手段と、中央部側のノズル孔が等ピッチに配列され、端部側のピッチが中央部側のピッチより２倍広い複数のノズル孔を列設する複数のノズル体の端部同士を重ね合わせ、かつ重ね合わせ部におけるノズル孔のピッチを半ピッチ偏倚させたインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、上記塗布液供給ノズルを上記保持手段によって保持された被処理基板の一端から他端及びこれと直交する方向へ相対移動する移動機構と、各ノズル体の重ね合わせ部におけるノズル孔から供給される塗布液の量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２に制御可能な制御手段と、を具備する、ことを特徴とする。

請求項８記載の塗布膜形成装置は、請求項４記載の発明を具現化するもので、被処理基板を保持する保持手段と、等ピッチの複数のノズル孔を列設する複数のノズル体の端部同士を重ね合わせたインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、上記塗布液供給ノズルを上記保持手段によって保持された被処理基板の一端から他端及びこれと直交する方向へ相対移動する移動機構と、塗布膜を均一にすべく上記移動機構を制御すると共に、上記ノズル体の重ね合わせ部において配列方向に隣接するノズル孔の一方からの塗布液の供給タイミングを１／２遅らせ、かつ、各ノズル体の重ね合わせ部における隣接するノズル孔のうちの一方からの塗布液の供給を交互に行って、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にすると共に、重ね合わせ部における先に供給された塗布液の液滴と、後に供給された塗布液の液滴とを融合させるように制御可能な制御手段と、を具備する、ことを特徴とする。

請求項１，５記載の発明によれば、被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、上記ノズル体の重ね合わせ部以外のノズル孔を等ピッチに配列し、ノズル体の重ね合わせ部のノズル孔のピッチを重ね合わせ部以外のノズル孔のピッチより２倍広くして、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にすることにより、塗布膜の膜厚を均一にすることができる。

請求項２，６記載の発明によれば、被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、ノズル体のノズル孔を等ピッチに配列し、重ね合わせ部における隣接するノズル孔のうちの一方から塗布液の供給を行って重ね合わせ部の塗布液の供給量を、ノズル体の重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にすることにより、塗布膜の膜厚を均一にすることができる。

請求項３，７記載の発明によれば、被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、重ね合わせ部以外のノズル体のノズル孔を等ピッチに配列し、重ね合わせ部においてノズル孔のピッチを重ね合わせ部以外のノズル孔のピッチより２倍広くし、かつ重ね合わせ部におけるノズル孔のピッチを半ピッチ偏倚し、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にすることにより、塗布膜の膜厚を均一にすることができる。

請求項４，８記載の発明によれば、被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、ノズル体のノズル孔を等ピッチに配列し、重ね合わせ部において配列方向に隣接するノズル孔の一方からの塗布液の供給タイミングを１／２遅らせると共に、各ノズル体の重ね合わせ部における隣接するノズル孔の一方から塗布液の供給を交互に行って、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にすると共に、重ね合わせ部における先に供給された塗布液の液滴と、後に供給された塗布液の液滴とを融合することにより、重ね合わせ部における塗布液供給ノズルの移動方向及びこれと直交する方向の双方の塗布膜のムラを抑制することができる。

（１）請求項１〜３，５〜７記載の発明によれば、被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、ノズル体の重ね合わせ部のノズル孔から供給される塗布液の量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて少量にして、塗布膜の膜厚を均一にすることができるので、膜厚の均一性の向上及び品質の向上を図ることができる。

（２）請求項４，８記載の発明によれば、被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて少量にすると共に、塗布液供給ノズルの移動方向における先に供給された塗布液の液滴と後に供給される塗布液の液滴とを融合することにより、重ね合わせ部における塗布液供給ノズルの移動方向及びこれと直交する方向の双方の塗布膜のムラを抑制することができるので、更に塗布膜の膜厚を均一にすることができる。

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る塗布膜形成装置をＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布現像処理装置におけるレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明する。

上記レジスト塗布現像処理装置は、図１に示すように、複数の被処理基板である。ＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収容するカセットＣを載置する搬入出部１と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを具備しており、処理部２の両端にそれぞれ搬入出部１及びインターフェイス部３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置の長手方向をＸ方向、平面視においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。

上記搬入出部１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送機構５を備えており、この搬入出部１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構５は搬送アーム５ａを有し、カセットＣの配列方向である。Ｙ方向に沿って設けられた搬送路６上を移動可能であり、搬送アーム５ａによりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出が行われるように構成されている。

上記処理部２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿って搬入出部１側からインターフェイス部３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１、第１の熱的処理ユニットセクション１６、レジスト処理ユニット１３及び第２の熱的処理ユニットセクション１７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイス部３側から搬入出部１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション１７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５及び第３の熱的処理ユニット１８が配列されている。なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２が設けられている。この場合、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

なお、第１の熱的処理ユニットセクション１６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット１３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送機構３３が設けられている。

また、第２の熱的処理ユニットセクション１７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット１４側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送機構３６が設けられている。

また、第３の熱的処理ユニットセクション１８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送機構３９が設けられている。

なお、インターフェイス部３には、エクステンション・クーリング載置台（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１と、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）を積層して設けた外部装置ブロック４２と、バッファー載置台（ＢＵＦ）４３及び第４の搬送機構４４が配設されている。

このように構成されるインターフェイス部３において、第２の搬送機構３６によって搬送される基板Ｇは、エクステンション・クーリング載置台（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１へ搬送され、第４の搬送機構４４によって外部装置ブロック４２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで、第４の搬送機構４４により露光装置４に搬送されて、基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によっては、バッファー載置台（ＢＵＦ）４３に基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。そして、露光終了後、基板Ｇは第４の搬送機構４４により外部装置ブロック４２のタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて、基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリング載置台（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１に載置され、再び処理部２に搬送されるように構成されている。

上記レジスト処理ユニット１３は、この発明に係る塗布膜形成装置を適用したレジスト塗布処理装置２０と、このレジスト塗布処理装置２０によって基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器（図示せず）内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２１とを具備している。

次に、この発明に係る塗布膜形成装置を適用したレジスト塗布処理装置２０について説明する。

＜第１実施形態＞
図２は、上記レジスト塗布処理装置２０の第１実施形態の要部を示す概略斜視図、図３は、第１実施形態における塗布液供給ノズルを示す概略斜視図（ａ）及び塗布液供給ノズルのノズル孔の配列状態を示す説明図（ｂ）、図４は、塗布液供給ノズルの概略断面図、図５は、上記塗布液供給ノズルの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。

上記レジスト塗布処理装置２０は、基板Ｇを保持する保持手段である載置台２２と、端部側のピッチが中央部側より広い複数のノズル孔２４を列設するインクジェット方式の塗布液供給ノズル２３と、この塗布液供給ノズル２３を、載置台２２によって保持された基板Ｇの一端から他端及びこれと直交する方向へ相対移動すると共に、塗布液供給ノズル２３の端部側を重ね合わせて移動する移動機構２５と、塗布膜の膜厚を均一にすべく移動機構２５を移動制御すると共に、塗布液供給ノズル２３の重ね合わせ部２６におけるノズル孔２４から供給されるレジスト液の量を、重ね合わせ部２６以外のノズル孔２４から供給される量に比べて少量に制御可能な制御手段例えば中央演算処理装置２７（以下にＣＰＵ２７という）とで主に構成されている。

上記塗布液供給ノズル２３は、図４に示すように、開閉弁Ｖ，ポンプＰ及びフィルタＦを介設したレジスト液供給管路２８を介してレジスト液Ｒを貯留するレジスト液貯留タンク２９に接続されている。また、塗布液供給ノズル２３は、レジスト液貯留タンク２９からのレジスト液Ｒを一旦貯留する貯留部５０と、この貯留部５０に連通してレジスト液Ｒが供給（吐出）される小口径例えば約５０μｍの多数のノズル孔２４と、貯留部５０の対向する内面に取り付けられ貯留部５０内のレジスト液Ｒを加圧するためのピエゾ素子５１とを具備している。

この場合、上記ノズル孔２４は、塗布液供給ノズル２３の端部側すなわち重ね合わせ部２６におけるピッチｐ1（例えば２００〜６００μｍ）が、重ね合わせ部以外の中央部のピッチｐ0（例えば１００〜３００μｍ）より広く（例えばｐ1＝２ｐ0）形成されている（図３（ｂ）参照）。なお、ノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒは、ノズル孔２４の口径に対して約３倍に広がることが確認されている。

また、ピエゾ素子５１は、印加された電圧に応じて所定の周波数で伸縮するように形成されており、貯留部５０内のレジスト液は、このピエゾ素子５１の伸縮によって押し出されてノズル孔２４から押し出された分の所定量、例えば３０〜８０ｎｇ（ナノグラム）のレジスト液が供給（吐出）される。このようにピエゾ式インクジェット方式の塗布液供給ノズル２３では、ピエゾ素子５１の伸縮の周波数単位でレジスト液Ｒの吐出を制御できるので、レジスト液Ｒの吐出タイミングや吐出量等を厳密に制御できる。なお、ピエゾ素子５１に印加される電圧は、上記ＣＰＵ２７からの制御信号により制御される。したがって、ＣＰＵ２７からの制御信号がピエゾ素子５１に伝達されることにより、レジスト液Ｒの吐出タイミングや吐出回数を、塗布液供給ノズル２３の移動速度や移動位置等に合わせて制御して、基板Ｇ表面の所望の領域に所定量例えば塗布液供給ノズル２３の端部側の重ね合わせ部２６におけるノズル孔２４からの供給量（吐出量）を、重ね合わせ部２６以外のノズル孔２４から供給（吐出）される供給量（吐出量）より少なくして、レジスト液Ｒを塗布することができる。

また、載置台２２の両側には、載置台２２と平行に一対のガイドレール５２が、載置台２２の両端部まで延びた状態で配設されている。これらガイドレール５２上には、それぞれ第１の可動子５３が摺動自在に配設されており、少なくとも一方の第１の可動子５３とガイドレール５２とで第１の移動機構である第１のリニアモータ２５Ａが形成されている。また、これら第１の可動子５３間にはノズルレール５４が架設され、このノズルレール５４上に塗布液供給ノズル２３を装着した第２の可動子５５が摺動自在に配設されており、第２の可動子５５とノズルレール５４とで第２の移動機構である第２のリニアモータ２５Ｂが形成されている。これら、第１及び第２のリニアモータ２５Ａ，２５Ｂによって移動機構２５が形成されており、これら第１及び第２のリニアモータ２５Ａ，２５Ｂは、上記ＣＰＵ２７と電気的に接続されており、ＣＰＵ２７からの制御信号に基づいてＸ，Ｙ方向の移動が制御されるように形成されている。

上記のように構成することにより、塗布液供給ノズル２３は、基板Ｇの一端から他端方向（Ｘ方向）及びこれと直交する方向（Ｙ方向）に移動可能に形成される。したがって、塗布液供給ノズル２３は、基板Ｇの一端から他端に向かうＸ方向に移動した後、これと直交するＹ方向に移動し、再びＸ方向に移動することにより、端部側を重ね合わせて複数回移動させてレジスト液Ｒを供給（吐出）することができ、この際、重ね合わせ部２６のノズル孔２４から供給されるレジスト液Ｒの量を、重ね合わせ部２６以外のノズル孔から供給される量に比べて少量にして、重ね合わせて塗布されるレジスト膜の膜厚を均一にすることができる。

なお、移動機構２５は、必ずしも第１及び第２のリニアモータ２５Ａ，２５Ｂによって形成する必要はなく、例えば、ボールねじ機構やモータとタイミングベルトからなるベルと駆動機構等を用いてもよい。

次に、上記のように構成されるレジスト塗布処理装置２０の動作態様について、図５を参照して説明する。まず、熱的処理ユニット（ＴＢ）３１によって熱処理された基板Ｇが図示しない搬送アームによって載置台２２上に搬入されると、載置台２２を貫通するリフトピン（図示せず）が上昇して基板Ｇを受け取る。その後、搬送アームは載置台２２上から外方へ退避する。基板Ｇを受け取った後、リフトピンが下降して基板Ｇは載置台２２上に載置される。

次に、ＣＰＵ２７からの制御信号によって移動機構２５のうちの第１の移動機構例えば第１のリニアモータ２５Ａが駆動して塗布液供給ノズル２３を基板ＧのＸ方向の一端から他端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを供給すなわち吐出する。この際、塗布液供給ノズル２３の一方の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止されており、他方の端部側のノズル孔２４からは、塗布液供給ノズル２３の中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量すなわち吐出量より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布される（図５（ａ）参照）。

塗布液供給ノズル２３が基板Ｇの他端に達すると、第１のリニアモータ２５Ａの駆動が停止し、塗布液供給ノズル２３からのレジスト液Ｒの吐出が停止され、あるいは、吐出したままの状態で第２の移動機構である第２のリニアモータ２５Ｂが駆動して塗布液供給ノズル２３がＹ方向に移動し、塗布液供給ノズル２３の一方の端部側を先に塗布した他方の端部側位置に重ね合わせる。そして、この状態で、再び第１のリニアモータ２５Ａが駆動して、塗布液供給ノズル２３を折り返し基板Ｇの他端から一端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを吐出する。この際、重ね合わせ部２６において、塗布液供給ノズル２３のノズル孔２４からは、塗布液供給ノズル２３の中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量すなわち吐出量より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布されることにより、中央部のノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒの吐出量とほぼ同一になり略均一なレジスト膜が形成される（図５（ｂ）参照）。

塗布液供給ノズル２３が基板Ｇの一端に達した後、再度上述の動作を繰り返して基板Ｇの表面全域にレジスト液Ｒを吐出することにより、均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。なお、最終の塗布工程においては、塗布液供給ノズル２３の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止される。

上述のようにして基板Ｇの表面全域にレジスト液Ｒを塗布した後、リフトピンが上昇して基板Ｇを上方の受渡し位置へ移動する。この状態で、図示しない搬送アームが基板Ｇを受け取って基板Ｇを次工程の減圧乾燥装置（ＶＤ）２１へ搬送する。

＜第２実施形態＞
図６は、この発明における塗布液供給ノズルの第２実施形態の塗布膜形成方法を説明する概略平面図である。

第２実施形態では、塗布液供給ノズル２３Ａは、ノズル孔２４を等ピッチに配列し、重ね合わせ部２６における隣接するノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給を交互に行って重ね合わせ部２６のレジスト液の供給量（吐出量）を少なくして、レジスト膜の膜厚の均一性を図れるようにした場合である。

第２実施形態において、ＣＰＵ２７からの制御信号が塗布液供給ノズル２３Ａに伝達されてピエゾ素子５１が印加されることにより、塗布液供給ノズル２３Ａの端部側すなわち重ね合わせ部２６における隣接するノズル孔２４から交互にレジスト液Ｒが供給（吐出）される。なお、第２実施形態において、その他の部分は、第１実施形態と同じであるので、説明は省略する。

第２実施形態においては、塗布液供給ノズル２３Ａを基板ＧのＸ方向の一端から他端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを供給（吐出）する際、塗布液供給ノズル２３Ａの一方の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止され、他方の端部側の隣接するノズル孔２４の一方からは、塗布液供給ノズル２３の中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量すなわち吐出量より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布される（図６（ａ）参照）。

塗布液供給ノズル２３Ａが基板Ｇの他端に達した後、塗布液供給ノズル２３ＡはＹ方向に移動し、塗布液供給ノズル２３Ａの一方の端部側を先に塗布した他方の端部側位置に重ね合わされる。そして、この状態で、再び塗布液供給ノズル２３Ａが折り返し基板Ｇの他端から一端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを吐出する際、重ね合わせ部２６において、隣接するノズル孔２４が切り換わって先の塗布工程のときに停止していたノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒの吐出量は、塗布液供給ノズル２３Ａの中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出量より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布されることにより、中央部のノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒの吐出量とほぼ同一になり略均一なレジスト膜が形成される（図６（ｂ）参照）。

以下、上述と同様に塗布液供給ノズル２３Ａの端部側すなわち重ね合わせ部２６における隣接するノズル孔２４の一方と他方からのレジスト液Ｒの吐出を交互に行うと共に、上述の動作を繰り返して基板Ｇの表面全域にレジスト液Ｒを吐出することにより、均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。なお、最終の塗布工程においては、塗布液供給ノズル２３Ａの端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止される。

＜第３実施形態＞
図７は、この発明における塗布液供給ノズル２３Ｂの第３実施形態の要部を示すもので、ノズル孔の配列状態を示す概略平面図、図８は、第３実施形態の塗布液供給ノズルによる塗布状態を示す概略断面図である。

第３実施形態では、塗布液供給ノズル２３Ｂは、ノズル孔２４を等ピッチに配列し、重ね合わせ部２６においてノズル孔２４のピッチ（ｐ）を半ピッチ（ｐ／２）偏倚すると共に、重ね合わせ部２６のレジスト液Ｒの供給量（吐出量）を略半分にして、レジスト膜の膜厚の均一性を図れるようにした場合である。

第３実施形態において、ＣＰＵ２７からの制御信号が第２の移動機構例えば第２のリニアモータ２５Ｂに伝達されることにより塗布液供給ノズル２３がＹ方向に移動される際、重ね合わせ部２６のノズル孔２４のピッチ（ｐ）の１／２（ｐ／２）が偏倚するように移動されるように制御可能に形成されている。また、ＣＰＵ２７からの制御信号が塗布液供給ノズル２３Ｂに伝達されてピエゾ素子５１が印加されることにより、塗布液供給ノズル２３Ｂの端部側すなわち重ね合わせ部２６におけるノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量（吐出量）が中央部のノズル孔２４からの供給量（吐出量）の略半分例えば１／２に制御可能に形成されている。なお、第３実施形態において、その他の部分は、第１実施形態と同じであるので、説明は省略する。

第３実施形態においては、塗布液供給ノズル２３Ｂを基板ＧのＸ方向の一端から他端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを供給（吐出）する際、塗布液供給ノズル２３の一方の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止され、他方の端部側のノズル孔２４からは、塗布液供給ノズル２３の中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量（吐出量）より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布される（図８（ａ）参照）。

塗布液供給ノズル２３Ｂが基板Ｇの他端に達した後、塗布液供給ノズル２３ＢはＹ方向に移動し、塗布液供給ノズル２３Ｂの一方の端部側を先に塗布した他方の端部側位置に重ね合わせると共に、ノズル孔２４のピッチ（ｐ）が１／２（ｐ／２）偏倚される（図７参照）。そして、この状態で、再び塗布液供給ノズル２３Ｂが折り返し基板Ｇの他端から一端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを吐出する際、重ね合わせ部２６におけるノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒの吐出量が、塗布液供給ノズル２３Ｂの中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出量より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布されることにより、先の塗布工程で塗布されたレジスト液Ｒの膜のピッチ間の凹所にレジスト液Ｒが塗布されるので、中央部のノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒの吐出量とほぼ同一になり略均一なレジスト膜が形成される（図８（ｂ）参照）。

以下、上述と同様に塗布液供給ノズル２３Ｂの端部側すなわち重ね合わせ部２６におけるノズル孔２４のピッチを１／２偏倚すると共に、レジスト液Ｒの吐出量を中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出量より少量例えば１／２吐出し、上述の動作を繰り返して基板Ｇの表面全域にレジスト液Ｒを吐出することにより、均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。なお、最終の塗布工程においては、塗布液供給ノズル２３Ｂの端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止される。

＜第４実施形態＞
図９は、この発明における塗布液供給ノズル２３Ｃの第４実施形態の塗布膜形成方法を示す概略平面図である。

第４実施形態では、塗布液供給ノズル２３Ｃは、ノズル孔２４を等ピッチに配列し、重ね合わせ部２６において隣接するノズル孔２４の一方からのレジスト液Ｒの供給（吐出）タイミング（Ｔ）を１／２（Ｔ／２）遅らせると共に、ノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給（吐出）を交互に行って重ね合わせ部２６のレジスト液Ｒの供給量（吐出量）を少なくすると共に、塗布液供給ノズル２３の移動方向（Ｘ方向）におけるレジスト膜のムラを抑制して、レジスト膜の均一性を図れるようにした場合である。

第４実施形態において、ＣＰＵ２７からの制御信号が第１の移動機構例えば第１のリニアモータ２５Ａ及び塗布液供給ノズル２３Ｃに伝達されることにより、重ね合わせ部２６において隣接するノズル孔２４の一方からのレジスト液Ｒの吐出タイミングが１／２遅らされると共に、ノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出を交互に制御可能に形成されている。なお、第４実施形態において、その他の部分は、第１実施形態と同じであるので、説明は省略する。

第４実施形態においては、塗布液供給ノズル２３Ｃを基板ＧのＸ方向の一端から他端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを供給（吐出）する際、塗布液供給ノズル２３Ｃの一方の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止され、他方の端部側の隣接するノズル孔２４の一方からのレジスト液Ｒの吐出タイミングが１／２遅れてレジスト液Ｒが塗布されると共に、ノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が交互に行なわれる（図９（ａ）参照）。すなわち、図９（ａ）に示すように、端部側の３つのノズル孔２４のうちの中央の１つのノズル孔２４と両側の２つのノズル孔２４の吐出タイミングが交互に１／２遅れてレジスト液Ｒが吐出される。

塗布液供給ノズル２３Ｃが基板Ｇの他端に達した後、塗布液供給ノズル２３ＣはＹ方向に移動し、塗布液供給ノズル２３Ｃの一方の端部側を先に塗布した他方の端部側位置に重ね合わせる。そして、この状態で、再び塗布液供給ノズル２３Ｃが折り返し基板Ｇの他端から一端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを吐出する際、先の塗布工程で塗布されなかった凹所にレジスト液Ｒを塗布することにより、重ね合わせ部２６における隣接するノズル孔２４の一方からのレジスト液Ｒの吐出タイミングが１／２遅れてレジスト液Ｒが塗布されると共に、ノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が交互に行なわれる（図９（ｂ）参照）。したがって、Ｘ方向において、先の塗布工程で塗布されたレジスト液の液滴と後の塗布工程で塗布されるレジスト液の液滴とが融合して一体化されるので、Ｙ方向に加えてＸ方向におけるレジスト膜のムラを抑制して、均一なレジスト膜を形成することができる。

以下、上述と同様に塗布液供給ノズル２３Ｃの端部側すなわち重ね合わせ部２６における隣接するノズル孔２４の一方からのレジスト液Ｒの吐出タイミングを１／２遅らせると共に、ノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出を交互に行い、上述の動作を繰り返して基板Ｇの表面全域にレジスト液Ｒを吐出することにより、Ｘ，Ｙ方向のムラを抑制することができ、更に均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。なお、最終の塗布工程においては、塗布液供給ノズル２３の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止される。

＜第５実施形態＞
図１０は、この発明に係るレジスト塗布処理装置２０Ａの第５実施形態の要部を示す概略斜視図、図１１は、第５実施形態における塗布液供給ノズル２３Ｄの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。

第５実施形態のレジスト塗布処理装置２０Ａは、端部側のピッチが中央部側より広い複数のノズル孔２４を列設する複数（例えば、２本）のノズル体２３ｄ1，２３ｄ2の端部同士を重ね合わせたインクジェット方式の塗布液供給ノズル２３Ｄを、第１ないし第４実施形態と同様に移動機構２５例えば第１及び第２のリニアモータ２５Ａ，２５Ｂによって載置台２２上に保持された基板Ｇの一端から他端に向かう方向（Ｘ方向）及びこれと直交する方向（Ｙ方向）に折り返し移動させつつレジスト液を供給（吐出）して、レジスト膜を均一に形成するようにした場合である。

第５実施形態においては、塗布液供給ノズル２３Ｄは、第１実施形態と同様に形成された複数例えば２本のノズル体２３ｄ1，２３ｄ2の端部側が連結部材５６を介してＸ方向に重ね合わせて連結されており、ノズル体２３ｄ1，２３ｄ2の端部側すなわちノズル自体の重ね合わせ部２６Ａ及び塗布工程の際の重ね合わせ部２６におけるノズル孔２４は、ノズル体２３ｄ1，２３ｄ2の中央部のノズル孔２４のピッチより広く例えば２倍に形成されている。このように形成される塗布液供給ノズル２３Ｄは、第１ないし第４実施形態と同様に、第１の移動機構である第１のリニアモータ２５Ａ及び第２の移動機構である第２のリニアモータ２５ＢによってＸ，Ｙ方向の移動が制御されるように形成されている。なお、第５実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。

次に、第５実施形態の動作態様について説明する。まず、熱的処理ユニット（ＴＢ）３１によって熱処理された基板Ｇが図示しない搬送アームによって載置台２２上に搬入されると、載置台２２を貫通するリフトピン（図示せず）が上昇して基板Ｇを受け取る。その後、搬送アームは載置台２２上から外方へ退避する。基板Ｇを受け取った後、リフトピンが下降して基板Ｇは載置台２２上に載置される。

次に、ＣＰＵ２７からの制御信号によって移動機構２５のうちの第１の移動機構例えば第１のリニアモータ２５Ａが駆動して塗布液供給ノズル２３Ｄを基板ＧのＸ方向の一端から他端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを供給すなわち吐出する。この際、塗布液供給ノズル２３Ｄの一方のノズル体２３ｄ1の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止されており、両ノズル体２３ｄ1，２３ｄ2の重ね合わせ部２６Ａにおける端部側のノズル孔２４からは、各ノズル体２３ｄ1，２３ｄ2の中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量すなわち吐出量より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布される（図１１参照）。また、他方のノズル体２３ｄ2の端部側のノズル孔２４からは、各ノズル体２３ｄ1，２３ｄ2の中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量すなわち吐出量より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布される。

塗布液供給ノズル２３Ｄが基板Ｇの他端に達すると、第１のリニアモータ２５Ａの駆動が停止し、塗布液供給ノズル２３Ｄからのレジスト液Ｒの吐出が停止され、あるいは、吐出したままの状態で第２の移動機構である第２のリニアモータ２５Ｂが駆動して塗布液供給ノズル２３ＤがＹ方向に移動し、塗布液供給ノズル２３Ｄの一方のノズル体２３ｄ1の基板外方側に位置していた端部側を先に塗布した他方のノズル体２３ｄ2の端部側位置に重ね合わせる。そして、この状態で、再び第１のリニアモータ２５Ａが駆動して、塗布液供給ノズル２３Ｄを折り返し基板Ｇの他端から一端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを吐出する。この際、塗布液供給ノズル２３Ｄ自体の重ね合わせ部２６Ａ及び先工程との重ね合わせ部２６において、ノズル体２３ｄ1，２３ｄ2のノズル孔２４からは、ノズル体２３ｄ1，２３ｄ2の中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量すなわち吐出量より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布されることにより、中央部のノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒの吐出量とほぼ同一になり略均一なレジスト膜が形成される。

塗布液供給ノズル２３Ｄが基板Ｇの一端に達した後、再度上述の動作を繰り返して基板Ｇの表面全域にレジスト液Ｒを吐出することにより、均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。なお、最終の塗布工程においては、塗布液供給ノズル２３Ｄの他方のノズル体２３ｄ2の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止される。

なお、上記説明では、２本のノズル体２３ｄ1，２３ｄ2を重ね合わせて塗布液供給ノズル２３Ｄを形成する場合について説明したが、３本以上のノズル体２３ｄ1，２３ｄ2‥を同様に重ね合わせて塗布液供給ノズル２３Ｄを形成することも可能である。このようにノズル体２３ｄ1，２３ｄ2‥の本数を増やせば、塗布工程数を少なくすることができるので、塗布処理を効率よく行うことができる。

＜第６実施形態＞
図１２は、この発明の第６実施形態における塗布液供給ノズル２３Ｅの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。

第６実施形態は、第５実施形態のノズル体２３ｄ1，２３ｄ2に代えて等ピッチの複数のノズル孔２４を列設した複数例えば２本のノズル体２３ｅ1，２３ｅ2をＸ方向に重ね合わせて塗布液供給ノズル２３Ｅを形成し、ＣＰＵ２７からの制御信号によってノズル体２３ｅ1，２３ｅ2の端部側すなわちノズル自体の重ね合わせ部２６Ａ及び塗布工程の際の重ね合わせ部２６における隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液の供給（吐出）を行って重ね合わせ部２６，２６Ａの塗布液の供給量を少なくすることにより、レジスト膜の均一性の向上を図れるようにした場合である。なお、第６実施形態において、その他の部分は、第１ないし第５実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

第６実施形態において、ＣＰＵ２７からの制御信号によって第１の移動機構例えば第１のリニアモータ２５Ａが駆動して塗布液供給ノズル２３Ｅを基板ＧのＸ方向の一端から他端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを供給（吐出）する際、塗布液供給ノズル２３Ｅの一方のノズル体２３ｅ1の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止し（図面では、黒丸で示す）、両ノズル体２３ｅ1，２３ｅ2の重ね合わせ部２６Ａにおける隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液Ｒが略千鳥状に吐出（図面では、白丸で示す）されて、レジスト液Ｒが塗布される（図１２参照）。これにより、重ね合わせ部２６Ａにおけるレジスト膜は重ね合わせ部２６Ａ以外に形成されるレジスト膜の膜厚と略均一に形成される。また、他方のノズル体２３ｅ2の端部側における隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液Ｒが吐出されてレジスト液Ｒが塗布される。

塗布液供給ノズル２３Ｅが基板Ｇの他端に達すると、第１のリニアモータ２５Ａの駆動が停止し、塗布液供給ノズル２３Ｅからのレジスト液Ｒの吐出が停止され、あるいは、吐出したままの状態で第２の移動機構である第２のリニアモータ２５Ｂが駆動して塗布液供給ノズル２３ＥがＹ方向に移動し、塗布液供給ノズル２３Ｅの一方のノズル体２３ｅ1の基板外方側に位置していた端部側を先に塗布した他方のノズル体２３ｅ2の端部側位置に重ね合わせる。そして、この状態で、再び第１のリニアモータ２５Ａが駆動して、塗布液供給ノズル２３Ｅを折り返し基板Ｇの他端から一端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを吐出する。この際、塗布液供給ノズル２３Ｄ自体の重ね合わせ部２６Ａ及び先工程との重ね合わせ部２６において、隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液Ｒが吐出されてレジスト液Ｒが塗布されることにより、中央部のノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒの吐出量とほぼ同一になり略均一なレジスト膜が形成される。

塗布液供給ノズル２３Ｅが基板Ｇの一端に達した後、再度上述の動作を繰り返して基板Ｇの表面全域にレジスト液Ｒを吐出することにより、均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。なお、最終の塗布工程においては、塗布液供給ノズル２３Ｅの他方のノズル体２３ｅ2の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止される。

＜第７実施形態＞
図１３は、この発明の第７実施形態における塗布液供給ノズル２３Ｆの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。

第７実施形態は、第５実施形態のノズル体２３ｄ1，２３ｄ2に代えて等ピッチの複数のノズル孔２４を列設した複数例えば２本のノズル体２３ｆ1，２３ｆ2を、Ｘ方向に重ね合わせると共に、重ね合わせ部２６Ａにおけるノズル孔２４のピッチを半ピッチ偏倚し、かつ、レジスト液Ｒの供給量を略半分例えば１／２にしてノズル体２３ｆ1，２３ｆ2の端部側すなわちノズル自体の重ね合わせ部２６Ａ及び塗布工程の際の重ね合わせ部２６のレジスト液Ｒの供給量（吐出量）を少なくすることにより、レジスト膜の均一性の向上を図れるようにした場合である。この場合、ノズル体２３ｆ1，２３ｆ2の端部側におけるノズル孔２４のピッチはノズル体２３ｆ1，２３ｆ2の中央部のノズル孔２４のピッチより広く例えば２倍に形成されて、重ね合わせ部２６，２６Ａのレジスト液Ｒの供給量（吐出量）を少なくしている。なお、第７実施形態において、その他の部分は、第１ないし第６実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

第７実施形態において、ＣＰＵ２７からの制御信号によって第１の移動機構例えば第１のリニアモータ２５Ａが駆動して塗布液供給ノズル２３Ｆを基板ＧのＸ方向の一端から他端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを供給（吐出）する際、塗布液供給ノズル２３Ｆの一方のノズル体２３ｆ1の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止し（図面では、黒丸で示す）、両ノズル体２３ｆ1，２３ｆ2の重ね合わせ部２６Ａにおける半ピッチ偏倚した各ノズル孔２４からは、各ノズル体２３ｆ1，２３ｆ2の中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量すなわち吐出量より少量例えば１／２が、略千鳥状に吐出されてレジスト液Ｒが塗布される（図１３参照）。これにより、重ね合わせ部２６Ａにおけるレジスト膜は重ね合わせ部２６Ａ以外に形成されるレジスト膜の膜厚と略均一に形成される。また、他方のノズル体２３ｆ2の端部側のノズル孔２４からは、各ノズル体２３ｆ1，２３ｆ2の中央部のノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給量すなわち吐出量より少量例えば１／２が吐出されてレジスト液Ｒが塗布される。

塗布液供給ノズル２３Ｆが基板Ｇの他端に達すると、第１のリニアモータ２５Ａの駆動が停止し、塗布液供給ノズル２３Ｆからのレジスト液Ｒの吐出が停止され、あるいは、吐出したままの状態で第２の移動機構である第２のリニアモータ２５Ｂが駆動して塗布液供給ノズル２３ＦがＹ方向に移動し、塗布液供給ノズル２３Ｆの一方のノズル体２３ｆ1の基板外方側に位置していた端部側を先に塗布した他方のノズル体２３ｆ2の端部側位置に重ね合わせる。そして、この状態で、再び第１のリニアモータ２５Ａが駆動して、塗布液供給ノズル２３Ｆを折り返し基板Ｇの他端から一端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを吐出する。この際、塗布液供給ノズル２３Ｆ自体の重ね合わせ部２６Ａ及び先工程との重ね合わせ部２６において、半ピッチ偏倚したノズル孔２４からレジスト液Ｒが吐出されてレジスト液Ｒが塗布されることにより、中央部のノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒの吐出量とほぼ同一になり略均一なレジスト膜が形成される。

塗布液供給ノズル２３Ｆが基板Ｇの一端に達した後、再度上述の動作を繰り返して基板Ｇの表面全域にレジスト液Ｒを吐出することにより、均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。なお、最終の塗布工程においては、塗布液供給ノズル２３Ｆの他方のノズル体２３ｆ2の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止される。

＜第８実施形態＞
図１４は、この発明の第８実施形態における塗布液供給ノズル２３Ｇの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。

第８実施形態は、第５実施形態のノズル体２３ｄ1，２３ｄ2に代えて等ピッチの複数のノズル孔２４を列設した複数例えば２本のノズル体２３ｇ1，２３ｇ2を、Ｘ方向に重ね合わせると共に、重ね合わせ部２６Ａにおいて配列方向に隣接するノズル孔２４の一方からのレジスト液Ｒの供給（吐出）タイミング（Ｔ）を１／２（Ｔ／２）遅らせ、かつ、各ノズル体２３ｇ1，２３ｇ2の重ね合わせ部２６Ａにおける隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液Ｒの供給を交互に行って、ノズル体２３ｇ1，２３ｇ2の重ね合わせ部の塗布液の供給量（吐出量）を少量にすると共に、塗布液供給ノズル２３Ｇの移動方向（Ｘ方向）における先に塗布されたレジスト液Ｒの液滴の間に後に吐出されるレジスト液Ｒの液滴とが融合することにより、重ね合わせ部２６，２６Ａにおける塗布液供給ノズル２３Ｇの移動方向（Ｘ方向）及びこれと直交する方向（Ｙ方向）の双方の塗布膜のムラを抑制して、レジスト膜の均一性の向上を図れるようにした場合である。なお、第８実施形態において、その他の部分は、第１ないし第７実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

第８実施形態において、ＣＰＵ２７からの制御信号によって第１の移動機構例えば第１のリニアモータ２５Ａが駆動して塗布液供給ノズル２３Ｇを基板ＧのＸ方向の一端から他端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを供給（吐出）する。この際、塗布液供給ノズル２３Ｇの一方のノズル体２３ｇ1の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止し、ノズル体２３ｇ1，２３ｇ2の重ね合わせ部２６Ａにおける隣接するノズル孔２４の一方からのレジスト液Ｒの供給（吐出）タイミングを１／２遅らせ、かつ、隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液Ｒの供給（吐出）交互にを行って、ノズル体２３ｇ1，２３ｇ2の重ね合わせ部２６Ａのレジスト液の供給量（吐出量）を少量にする。これにより、先に吐出されたレジスト液Ｒの液滴間に後に吐出されるレジスト液Ｒの液滴を融合させることができるので、重ね合わせ部２６Ａ以外のレジスト膜の膜厚と略均一にすることができる。したがって、重ね合わせ部２６，２６Ａにおける塗布液供給ノズル２３Ｇの移動方向（Ｘ方向）及びこれと直交する方向（Ｙ方向）の双方の塗布膜のムラを抑制することができる。

すなわち、図１４に示すように、両ノズル体２３ｇ1，２３ｇ2の重ね合わせ部２６Ａにおける隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液Ｒの供給（吐出）タイミングを１／２遅らせて吐出し、かつ、隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液Ｒ吐出して、重ね合わせ部２６Ａにおけるノズル孔２４からのレジスト液Ｒの供給（吐出）を交互に行って（図１４中の丸印１，２参照）、重ね合わせ部２６Ａにおける先に吐出されたレジスト液Ｒの液滴と後に吐出されたレジスト液Ｒの液滴とを融合させて、塗布液供給ノズル２３Ｇの移動方向（Ｘ方向）及びこれと直交する方向（Ｙ方向）の双方の塗布膜のムラを抑制することができる。

なお、他方のノズル体２３ｇ2の端部側においても、隣接するノズル孔２４の一方からのレジスト液Ｒの供給（吐出）タイミングが１／２遅らされると共に、隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液Ｒの供給（吐出）が行われる。

上記のようにして塗布液供給ノズル２３Ｇが基板Ｇの他端に達すると、第１のリニアモータ２５Ａの駆動が停止し、塗布液供給ノズル２３Ｇからのレジスト液Ｒの吐出が停止され、あるいは、吐出したままの状態で第２の移動機構である第２のリニアモータ２５Ｂが駆動して塗布液供給ノズル２３ＧがＹ方向に移動し、塗布液供給ノズル２３Ｇの一方のノズル体２３ｇ1の基板外方側に位置していた端部側を先に塗布した他方のノズル体２３ｇ2の端部側位置に重ね合わせる。そして、この状態で、再び第１のリニアモータ２５Ａが駆動して、塗布液供給ノズル２３Ｇを折り返し基板Ｇの他端から一端に向かって移動しつつノズル孔２４からレジスト液Ｒを吐出する。この際、塗布液供給ノズル２３Ｇ自体の重ね合わせ部２６Ａ及び先工程との重ね合わせ部２６において、上述したように隣接するノズル孔２４の一方からのレジスト液Ｒの供給（吐出）タイミングが１／２遅れると共に、隣接するノズル孔２４の一方からレジスト液Ｒを供給（吐出）して、レジスト液Ｒが塗布されることにより、中央部のノズル孔２４から吐出されるレジスト液Ｒの吐出量とほぼ同一になり略均一なレジスト膜が形成される。

塗布液供給ノズル２３Ｇが基板Ｇの一端に達した後、再度上述の動作を繰り返して基板Ｇの表面全域にレジスト液Ｒを吐出することにより、均一な膜厚のレジスト膜を形成することができる。なお、最終の塗布工程においては、塗布液供給ノズル２３Ｇの他方のノズル体２３ｇ2の端部側は基板Ｇの外方に位置してノズル孔２４からのレジスト液Ｒの吐出が停止される。

＜その他の実施形態＞
上記実施形態では、この発明に係る塗布膜形成装置をレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明したが、レジスト塗布処理装置以外の装置、例えば現像処理装置にも適用可能である。

この発明に係る塗布膜形成装置を適用したＬＣＤ用ガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す概略平面図である。上記塗布膜形成装置を適用したレジスト塗布処理装置の第１実施形態の要部を示す概略斜視図である。第１実施形態における塗布液供給ノズルを示す概略斜視図（ａ）及び塗布液供給ノズルのノズル孔の配列を示す説明図（ｂ）である。この発明における塗布液供給ノズルの概略断面図である。第１実施形態の塗布液供給ノズルの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。この発明の第２実施形態における塗布液供給ノズルの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。この発明の第３実施形態における塗布液供給ノズルの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。第３実施形態における塗布液供給ノズルによる塗布状態を示す概略断面図である。この発明の第４実施形態における塗布液供給ノズルの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。この発明に係る塗布膜形成装置を適用したレジスト塗布処理装置の第５実施形態の要部を示す概略斜視図である。この発明の第５実施形態における塗布液供給ノズルの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。この発明の第６実施形態における塗布液供給ノズルの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。この発明の第７実施形態における塗布液供給ノズルの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。この発明の第８実施形態における塗布液供給ノズルの塗布膜形成方法を示す概略平面図である。

ＧＬＣＤ用ガラス基板（被処理基板）
２２載置台（保持手段）
２３，２３Ａ〜２３Ｇ塗布液供給ノズル
２３ｄ1，２３ｄ2〜２３ｇ1，２３ｇ2 ノズル体
２４ノズル孔
２５移動機構
２５Ａ第１のリニアモータ（第１の移動機構）
２５Ｂ第２のリニアモータ（第２の移動機構）
２６，２６Ａ重ね合わせ部
２７ＣＰＵ（制御手段）

Claims

適宜ピッチをおいて複数のノズル孔を列設するインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、被処理基板とを相対移動させつつ被処理基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
上記被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた上記塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、上記ノズル体の重ね合わせ部以外のノズル孔を等ピッチに配列し、ノズル体の重ね合わせ部のノズル孔のピッチを重ね合わせ部以外のノズル孔のピッチより２倍広くし、各ノズル体の重ね合わせ部のノズル孔から供給される塗布液の量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にして、塗布膜の膜厚を均一にするようにした、ことを特徴とする塗布膜形成方法。
適宜ピッチをおいて複数のノズル孔を列設するインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、被処理基板とを相対移動させつつ被処理基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
上記被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた上記塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、上記ノズル体のノズル孔を等ピッチに配列し、重ね合わせ部における隣接する上記ノズル孔のうちの一方から塗布液の供給を行って、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にして、塗布膜の膜厚を均一にするようにした、ことを特徴とする塗布膜形成方法。
適宜ピッチをおいて複数のノズル孔を列設するインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、被処理基板とを相対移動させつつ被処理基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
上記被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた上記塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、上記ノズル体の重ね合わせ部以外のノズル孔を等ピッチに配列し、重ね合わせ部において上記ノズル孔のピッチを重ね合わせ部以外のノズル孔のピッチより２倍広くし、かつ重ね合わせ部におけるノズル孔のピッチを半ピッチ偏倚し、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にして、塗布膜の膜厚を均一にするようにした、ことを特徴とする塗布膜形成方法。
適宜ピッチをおいて複数のノズル孔を列設するインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、被処理基板とを相対移動させつつ被処理基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
上記被処理基板の一端から他端に対して複数のノズル体の端部同士を重ね合わせた上記塗布液供給ノズルを移動させて塗布液を供給し、この際、上記ノズル体のノズル孔を等ピッチに配列し、重ね合わせ部において配列方向に隣接する上記ノズル孔の一方からの塗布液の供給タイミングを１／２遅らせると共に、各ノズル体の重ね合わせ部における隣接するノズル孔の一方から塗布液の供給を交互に行って、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にすると共に、重ね合わせ部における先に供給された塗布液の液滴と、後に供給された塗布液の液滴とを融合させて、塗布膜の膜厚を均一にするようにした、ことを特徴とする塗布膜形成方法。
被処理基板を保持する保持手段と、
中央部側のノズル孔が等ピッチに配列され、端部側のピッチが中央部側のピッチより２倍広い複数のノズル孔を列設する複数のノズル体の端部同士を重ね合わせたインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、
上記塗布液供給ノズルを上記保持手段によって保持された被処理基板の一端から他端及びこれと直交する方向へ相対移動する移動機構と、
塗布膜の膜厚を均一にすべく上記移動機構を制御すると共に、各ノズル体の重ね合わせ部におけるノズル孔から供給される塗布液の量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２に制御可能な制御手段と、を具備する、ことを特徴とする塗布膜形成装置。
被処理基板を保持する保持手段と、
等ピッチの複数のノズル孔を列設する複数のノズル体の端部同士を重ね合わせたインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、
上記塗布液供給ノズルを上記保持手段によって保持された被処理基板の一端から他端及びこれと直交する方向へ相対移動する移動機構と、
塗布膜の膜厚を均一にすべく上記移動機構を制御すると共に、各ノズル体の重ね合わせ部における隣接するノズル孔のうちの一方から塗布液の供給を行って、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２に制御可能な制御手段と、を具備する、ことを特徴とする塗布膜形成装置。
被処理基板を保持する保持手段と、
中央部側のノズル孔が等ピッチに配列され、端部側のピッチが中央部側のピッチより２倍広い複数のノズル孔を列設する複数のノズル体の端部同士を重ね合わせ、かつ重ね合わせ部におけるノズル孔のピッチを半ピッチ偏倚させたインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、
上記塗布液供給ノズルを上記保持手段によって保持された被処理基板の一端から他端及びこれと直交する方向へ相対移動する移動機構と、
各ノズル体の重ね合わせ部におけるノズル孔から供給される塗布液の量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２に制御可能な制御手段と、を具備する、ことを特徴とする塗布膜形成装置。
被処理基板を保持する保持手段と、
等ピッチの複数のノズル孔を列設する複数のノズル体の端部同士を重ね合わせたインクジェット方式の塗布液供給ノズルと、
上記塗布液供給ノズルを上記保持手段によって保持された被処理基板の一端から他端及びこれと直交する方向へ相対移動する移動機構と、
塗布膜を均一にすべく上記移動機構を制御すると共に、上記ノズル体の重ね合わせ部において配列方向に隣接するノズル孔の一方からの塗布液の供給タイミングを１／２遅らせ、かつ、各ノズル体の重ね合わせ部における隣接するノズル孔のうちの一方からの塗布液の供給を交互に行って、各ノズル体の重ね合わせ部の塗布液の供給量を、重ね合わせ部以外のノズル孔から供給される量に比べて１／２にすると共に、重ね合わせ部における先に供給された塗布液の液滴と、後に供給された塗布液の液滴とを融合させるように制御可能な制御手段と、を具備する、ことを特徴とする塗布膜形成装置。