JP2009212295A - 薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法 - Google Patents

薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法 Download PDF

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Abstract

【課題】装置の設備コスト及び設置スペースを削減し、スループットを向上させ、薬液の使用効率も向上させることが可能な薬液の塗布固化装置を提供する。
【解決手段】被処理体Wの表面に薬液を塗布して固化させる塗布固化装置2において、外部の搬送機構70によって被処理体が搬出入される搬出入口10を有する処理容器4と、処理容器内に設けられて被処理体を載置する載置台24と、搬出入口を開閉する開閉シャッタ部12と、搬出入口の外側に設けられて被処理体の表面に薬液を塗布する塗布機構44と、処理容器に設けられて被処理体の表面に塗布された薬液を固化させて薄膜を形成する固化手段26とを備える。これにより、薬液の塗布機能と塗布された薬液を固化する固化機能とを一体化した装置で行うようにし、この結果、装置の設備コスト及び設置スペースを削減する。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウエハやガラス基板等にレジスト、絶縁膜、透明導電膜等を形成するための液状の材料である薬液を塗布して、これを固化させる薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法に関する。
一般に、半導体集積回路やLCD等の液晶表示装置を形成するためには、半導体ウエハやガラス基板等の被処理体に対して、成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理、改質処理等の各種の処理を繰り返し行なわれる。上述したような一連の各種の処理を行う中で、液状の原料、すなわち薬液を用い、これを被処理体の表面に塗布して薄膜を形成する場合がある。
例えば被処理体の表面に対してエッチングにより微細加工する場合には、被処理体の表面に液状のレジストを塗布することが行われ、また、半導体集積回路の層間絶縁膜等としてポリイミド樹脂などの高分子化合物の絶縁膜を形成する場合には、被処理体の表面に液状のポリイミド樹脂を塗布することが行われ、また、被処理体の表面に透明導電膜を形成する場合には、被処理体の表面に液状の導電性ポリマー等を塗布することが行われる。
上記した各種の液状の原料、すなわち薬液を半導体ウエハ等の被処理体に塗布する方法は、被処理体を回転させつつこの表面に上記薬液を滴下させて遠心力で振り切るようにした、いわゆるスピンコート法(例えば特許文献1等)やピエゾ素子等の圧電素子の駆動力で液滴を飛ばしてこれを被処理体の表面に付着させるようにした、いわゆるインクジェット方式(例えば特許文献2等)などが知られている。
そして、上述のように被処理体の表面に塗布された薬液は、塗布装置とは別の後処理装置へ搬送され、ここで低温、又は高温でベークして揮発成分を蒸発させたり、或いは紫外線等を照射して架橋反応を生ぜしめたりして、上記塗布された薬液を固化して薄膜化している。
特開平5−259060号公報 米国特許第3946398号
ところで、上述したような従来の薬液の塗布方法では、薬液を塗布する塗布装置と、この塗布後の被処理体の後処理として上記塗布された薬液をベークしたり、紫外線により架橋したりして薄膜を固化させる後処理装置との2種類の装置が必要である。このため、設備コストの高騰を余儀なくされているのみならず、両装置を設置するスペースも増加し、更には両装置間で被処理体を搬送することから搬送に要する時間だけスループットも低下する、といった問題があった。
更には、上記スピンコート法による塗布装置では、被処理体を回転することにより振り切られた薬液は廃棄されるので、薬液の使用効率が悪く、例えば薬液の5%程度しか用いられずに95%程度が廃棄される、という問題があった。
また上記インクジェット方式の場合には、用いられるインクジェットヘッドの長さが短い場合には、これを被処理体の表面に往復移動させなければならないことから、塗布された薬液が部分的に重なることが生じ、この結果、塗布ムラが発生する、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、薬液の塗布機能と塗布された薬液を固化する固化機能とを一体化した装置で行うようにし、この結果、装置の設備コスト及び設置スペースを削減し、更には、スループットを向上できるのみならず、薬液の使用効率も向上させることが可能な薬液の塗布固化装置及びその塗布固化方法を提供することにある。
請求項1に係る発明は、被処理体の表面に薬液を塗布して固化させる薬液の塗布固化装置において、外部の搬送機構によって前記被処理体が搬出入される搬出入口を有する処理容器と、前記処理容器内に設けられて前記被処理体を載置する載置台と、前記搬出入口を開閉する開閉シャッタ部と、前記搬出入口の外側に設けられて前記被処理体の表面に前記薬液を塗布する塗布機構と、前記処理容器に設けられて前記被処理体の表面に塗布された前記薬液を固化させて薄膜を形成する固化手段と、を備えたことを特徴とする薬液の塗布固化装置である。
このように、薬液を固化させて薄膜を形成する固化手段を有する処理容器の搬出入口の外側に塗布機構を設けて処理容器内へ搬入される被処理体の表面に薬液を塗布するようにしたので、薬液の塗布機能と塗布された薬液を固化する固化機能とを一体化した装置で行うようにし、この結果、装置の設備コスト及び設置スペースを削減し、更には、スループットを向上できるのみならず、薬液の使用効率も向上させることができる。また、薬液の塗布ムラもなく、これを均一に塗布することができる。
この場合、請求項2に記載したように、前記固化手段は、前記被処理体を加熱する加熱ユニットよりなる。
また例えば請求項3に記載したように、前記加熱ユニットは、加熱ヒータ又は加熱ランプよりなる。
また例えば請求項4に記載したように、前記固化手段は、紫外線ランプよりなる。
また例えば請求項5に記載したように、前記塗布機構は、前記被処理体の直径又は幅と同じ或いはそれより大きな長さに亘って複数の薬液噴射孔が形成された薬液噴射面を有する薬液ジェットヘッド部と、前記被処理体が前記搬出入口から前記処理容器内へ搬入される時に前記薬液ジェットヘッド部から前記薬液を噴射させるように制御する噴射制御部と、を備える。
また例えば請求項6に記載したように、前記噴射制御部は、前記複数の薬液噴射孔を個々に制御する。
また例えば請求項7に記載したように、前記薬液ジェットヘッド部の下方には、前記薬液ジェットヘッド部からの噴射された前記薬液を受ける受け部が設けられている。
また例えば請求項8に記載したように、前記搬出入口の外側には、搬入される前記被処理体を検出する検出センサ部が設けられており、前記噴射制御部は、前記検出センサ部の出力に基づいて前記薬液ジェットヘッド部の動作を制御する。
また例えば請求項9に記載したように、前記噴射制御部は、前記搬送機構の搬入動作に同期させて前記薬液ジェットヘッド部の動作を制御する。
また例えば請求項10に記載したように、前記薬液噴出孔のピッチは、30〜3000μmの範囲内である。
また例えば請求項11に記載したように、前記薬液噴射孔の直径は、10〜200μmの範囲内である。
請求項12に記載した方法は、被処理体の表面に薬液を塗布して固化させる塗布固化方法において、搬出入口を有する処理容器内へ、外部の搬送機構によって前記被処理体を搬入させつつ前記搬出入口の外側に設けた塗布機構によって前記被処理体の表面に前記薬液を塗布する塗布工程と、前記被処理体の表面に塗布された前記薬液を前記処理容器内で固化させる固化工程と、を有することを特徴とする薬液の塗布固化方法である。
請求項13に記載した方法は、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の薬液の塗布固化装置を用いて被処理体の表面に薬液を塗布して固化させるに際して、請求項12に記載の薬液の塗布固化方法を実施するように前記塗布固化装置を制御するコンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶する記憶媒体である。
本発明に係る薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
薬液を固化させて薄膜を形成する固化手段を有する処理容器の搬出入口の外側に塗布機構を設けて処理容器内へ搬入される被処理体の表面に薬液を塗布するようにしたので、薬液の塗布機能と塗布された薬液を固化する固化機能とを一体化した装置で行うようにし、この結果、装置の設備コスト及び設置スペースを削減し、更には、スループットを向上できるのみならず、薬液の使用効率も向上させることができる。また、薬液の塗布ムラもなく、これを均一に塗布することができる。
以下に、本発明に係る薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係る薬液の塗布固化装置の一例を示す構成図、図2は薬液ジェットヘッド部と受け部との位置関係を示す斜視図、図3は薬液ジェットヘッド部の薬液噴射面の一例を示す平面図である。ここでは薬液としては液状のレジストが用いられ、固化手段としては加熱ユニット(加熱ヒータ)を用いた場合を例にとって説明する。
図示するように、この薬液の塗布固化装置2は、例えばアルミニウムやアルミニウム合金等により筒体状に成形された処理容器4を有している。この処理容器4内の天井部には必要なガス、例えばパージガスを導入するためにガス供給手段であるシャワーヘッド部6が設けられており、この下面のガス噴射面8に設けた多数のガス噴射孔8Aから処理空間Sに向けてガスを噴射するようになっている。尚、上記パージガスとしては、例えばN ガスが用いられる。
このシャワーヘッド部6内には、ガス拡散室6Aが形成されており、ここに導入されたガスを平面方向へ拡散した後、上記ガス噴射孔8Aより吹き出すようになっている。
また、処理容器4の側壁には、この処理容器4内に対して被処理体としての半導体ウエハWを搬入搬出するために水平方向に細長く形成された搬出入口10が設けられると共に、この搬出入口10には開閉可能になされた開閉シャッタ部12が設けられている。
そして、この処理容器4の底部14には、排気口16が形成されており、この排気口16には、排気ポンプ18が介設された排気管20が接続されており、処理容器4内の雰囲気を圧力制御しつつ排気できるようになっている。
また、処理容器4内の中央部には、容器の底部14の中央部から支柱22を介して起立させて載置台24が設けられており、この載置台24上に被処理体である半導体ウエハWを載置し得るようになっている。そして、この処理容器4には、上記半導体ウエハWの表面に後述するように塗布された薬液、例えばレジストを固化させて薄膜を形成する固化手段26が設けられている。
具体的には、上記固化手段26として上記ウエハWを加熱する加熱ユニット28が設けられており、ここでは加熱ユニット28として加熱ヒータ30が用いられている。上記加熱ヒータ30は、上記載置台24内に、この平面方向の略全域に亘って載置台24に対して電気的に絶縁されて埋め込まれている。この載置台24は、AlN等のセラミック材やアルミニウム合金等により構成されている。
上記載置台24には、この上下方向に貫通して複数、例えば3本のピン挿通孔32が形成されており(図1においては2つのみ示す)、上記各ピン挿通孔32に上下移動可能に遊嵌状態で挿通させた押し上げピン34を配置している。この押し上げピン34の下端には、円形リング形状の例えばアルミナのようなセラミックス製の押し上げリング36が配置されており、この押し上げリング36に、上記各押し上げピン34の下端が乗っている。
この押し上げリング36は、容器底部14を貫通して設けられる出没ロッド38に連結されており、この出没ロッド38はアクチュエータ40により昇降可能になされている。これにより、上記各押し上げピン34をウエハWの受け渡し時に各ピン挿通孔32の上端から上方へ出没させるようになっている。また、出没ロッド38の容器底部の貫通部には、伸縮可能なベローズ42が介設されており、上記出没ロッド38が処理容器4内の気密性を維持しつつ昇降できるようになっている。
そして、上記処理容器4の側壁に形成された細長い搬出入口10の外側には、本発明の特徴とする薬液の塗布機構44が設けられており、この処理容器4内へ搬入されるウエハWに対して薬液としてここでは液状のレジスト48を塗布するようになっている。
具体的には、この塗布機構44は、薬液であるレジスト48を液滴状に噴射する薬液ジェットヘッド部50と、この薬液ジェットヘッド部50の噴射動作を制御する噴射制御部52とを有している。この薬液ジェットヘッド部50は、上記搬出入口10の外側上部の容器側壁に支持アーム54によって取り付け固定されており、しかも、上記搬出入口10の長さ方向に沿って長尺に形成されている。
そして、この薬液ジェットヘッド部50の下面である薬液噴射面56には、図2及び図3に示すように複数の薬液噴射孔58が形成されている。図3は薬液噴射孔58の配列の一例を示しており、図3(A)に示す場合には、薬液噴射孔58は一列に配列され、図3(B)に示す場合には、左右に僅かに位置をずらして2列に配列されている場合を示す。
しかも、図3(B)の場合には、1列目と2列目とで、列方向に1/2ピッチずつ位置ずれさせて形成している。そして、図3(A)に示す場合の薬液噴射孔38のピッチP1は、30〜3000μm程度であり、図3(B)に示す場合の列毎のピッチP2も30〜3000μm程度である。ここで、”2・P1=P2”の長さに設定すれば、ウエハ面に対するレジストの噴射密度は図3(A)と図3(B)とにおいて同じになる。また、薬液噴射孔58の直径は10〜200μm程度の大きさである。尚、図3では発明の理解を容易にするために、薬液噴射孔58の直径及びピッチをそれぞれ大きく記載している。
また、上記薬液噴射孔58の形成された領域の長さLは、ウエハWの直径(被処理体が四角形状のガラス基板の場合にはその幅)と同じか、又はそれ以上の長さになるように設定されており、搬入されるウエハWに対して一度の塗布で、すなわち一度の通過で全面に塗布できるようになっている。上記各薬液噴射孔58には、図示しないピエゾ素子のような圧電素子がアクチュエータとして設けられており、液滴状のレジスト48を噴射するようになっている。この場合、上記各薬液噴射孔58に関しては、上記アクチュエータを個々に制御できるようになっている。そして、上記薬液ジェットヘッド部50の下方には、落下してくる薬液を受けるために上記薬液噴射面56に対向させて受け部60(図2参照)が設けられている。
また、上記薬液ジェットヘッド部50の長さ方向の中央部には、上記搬入されてくるウエハWを検出するための検出センサ部62が設けられており、この出力は上記噴射制御部52へ入力されている。従って、この噴射制御部52は、上記検出センサ部62がウエハWの搬入を検出することによってレジストを噴射するように薬液ジェットヘッド部50へ指令を出力することになる。この検出センサ部62としては、例えば反射型の光学センサを用いることができるが、透過型の光学センサを用いてもよい。
また、上記搬出入口10の外側であって、これより離れた部分には、屈伸及び旋回可能になされた外部の搬送機構70が設けられており、この搬送機構70のフォーク70A上にウエハWを保持し、上記搬出入口10を介して処理容器4内に対してウエハWを搬入及び搬出することができるようになっている。また、この搬送機構70の動作に関する信号は、上記噴射制御部52に導入されている。
そして、このように構成された塗布固化装置2の動作全体、例えば搬送機構70に対する搬入搬出の指示や、噴射制御部52に対する動作許可の指示や、N ガスの供給開始や供給停止の指示や、ウエハWに対する加熱の指示等は、例えばコンピュータよりなる装置制御部72により行われる。この動作を行うコンピュータのプログラムは、フレキシブルディスク、CD(Compact Disc)、CD−ROM、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはDVD等よりなる記憶媒体74に記憶されている。
次に、以上のように構成された塗布固化装置2の動作について図4も参照して説明する。図4は塗布固化装置の動作を説明するためのフローチャートである。
まず、未処理の半導体ウエハWが搬送機構70のフォーク70A上に支持されており(図4(A))、この搬送機構70を駆動して矢印80に示すように、この搬送機構70を伸長することにより、このウエハWは開閉シャッタ部12が開状態になされた搬出入口10を介して処理容器4内へ搬入されて行く(図4(B))。
この際、ウエハWが塗布機構44の検出センサ部62の直下を水平方向へ通過すると、この搬入動作が検出され、噴射制御部52は、薬液ジェットヘッド部50に対してレジストの噴射の指示を出すことになる。すると、上記薬液ジェットヘッド部50の各薬液噴射孔58からは、液滴状にレジスト48が噴射されることになり、この薬液噴射面56の下方を通過した部分のウエハ表面にレジスト48A(図4(B)参照)が塗布されることになる。尚、図4ではレジスト48Aが塗布された部分を斜線で示している。
この場合、全薬液噴射孔58からレジストを同時に噴射するように制御してもよいが、搬送機構70のフォーク70Aの前進速度に同期させて最初は薬液噴射孔58の配列の中央部から噴射し、フォーク70Aの進行に従って両端側に向けて薬液の噴射開始動作を徐々に拡張して行くように制御してもよい。この場合には、下方の受け部60側へ廃棄されるレジスト量を飛躍的に減少させることができる。
このようにして、ウエハWが処理容器4内へ完全に収容された時点で、図4(C)に示すようにウエハWの表面全体には完全にレジスト48Aが塗布された状態となっている。そして、載置台24の下方に設けた押し上げピン34に上昇させて、このウエハWを受け、更に、この押し上げピン34を降下させることによりウエハWは載置台24上に移載されることになる。そして、搬送機構70を屈曲することにより矢印82に示すようにフォーク70Aを処理容器4内から抜き出し(図4(C))、上記開閉シャッタ部12を閉じることにより、処理容器4内を密閉状態とする。尚、この密閉時の気密度は、例えばCVD等の成膜装置の場合よりも低くてよい。
上記載置台24は、加熱ヒータ30によって予め加熱されており、ウエハWを所定の温度に加熱維持すると共に、シャワーヘッド部6からはパージガスとして例えばN ガスを流し、更に処理容器4内の雰囲気を排気ポンプ18によって排気する。
これによって、ウエハWはベークされてレジスト48Aから揮発成分が除去されてレジストが固化し、レジストの固化された薄膜84が形成されることになる(図4(D))。上記したベーク処理、すなわち固化処理が完了したならば、上記したと同じように搬送機構70を動作して、図4(E)に示すように表面に薄膜84が形成された処理済みのウエハWを処理容器4内から取り出し、処理を終了することになる。尚、処理済みのウエハWをフォーク70Aに移載する時には、押し上げピン34を上昇させてウエハWを載置台24上から上方へ持ち上げておく。
このように、搬出入口10の外側、具体的には搬出入口10の外側上方に塗布機構44の薬液ジェットヘッド部50を設けて、ウエハWを処理容器4内へ搬入しつつこの表面に薬液のレジスト48を塗布させるようにしたので、レジスト48の塗布と、塗布されたレジスト48のベーキングによる固化とを一台の装置で行うことができる。
従って、装置の設備コスト及び設置スペースを共に削減することができる。また、ウエハWに対する一回の搬送で塗布工程と固化工程とを行うことができるので、従来のように上記両工程を別々の装置が行う場合と比較して、一部の搬送工程を省略でき、その分、製品処理のスループットを向上させることができる。更には、従来のスピンコート法と比較して薬液であるレジストの無駄が少なくなるので、薬液の使用効率を向上させることができる。また、薬液の塗布ムラもなく、これを均一に塗布することができる。
尚、ここでは検出センサ部62を設けて搬入されてくるウエハWを検出するようにしたが、これに限定されず、検出センサ部62を設けないで、搬送機構70の搬送動作に同期させて薬液ジェットヘッド部50からのレジスト48の噴射動作の開始を制御するようにしてもよい。また、ここでは加熱ユニット28として加熱ヒータ30を用いた場合を例にとって説明したが、これに代えて、加熱ランプを用いてもよい。
また、薬液として感光性のレジストを用いた場合には、固化手段26としては加熱ユニット28ではなく、例えば紫外線ランプを用いることができ、この紫外線により架橋反応(重合、或いは縮重合)等を生ぜしめて固化させる。
また、ここでは薬液としてレジストを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、絶縁膜を形成するための薬液、例えばポリイミド樹脂、透明導電膜を形成するための薬液等も用いることができる。また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
本発明に係る薬液の塗布固化装置の一例を示す構成図である。 薬液ジェットヘッド部と受け部との位置関係を示す斜視図である。 薬液ジェットヘッド部の薬液噴射面の一例を示す平面図である。 塗布固化装置の動作を説明するためのフローチャートである。
符号の説明
2 薬液の塗布固化装置
4 処理容器
6 シャワーヘッド部
10 搬出入口
12 開閉シャッタ部
24 載置台
26 固化手段
28 加熱ユニット
30 加熱ヒータ
44 塗布機構
48 レジスト(薬液)
50 薬液ジェットヘッド部
52 噴射制御部
56 薬液噴射面
58 薬液噴射孔
60 受け部
62 検出センサ部
70 搬送機構
W 半導体ウエハ(被処理体)

Claims (13)

  1. 被処理体の表面に薬液を塗布して固化させる薬液の塗布固化装置において、
    外部の搬送機構によって前記被処理体が搬出入される搬出入口を有する処理容器と、
    前記処理容器内に設けられて前記被処理体を載置する載置台と、
    前記搬出入口を開閉する開閉シャッタ部と、
    前記搬出入口の外側に設けられて前記被処理体の表面に前記薬液を塗布する塗布機構と、
    前記処理容器に設けられて前記被処理体の表面に塗布された前記薬液を固化させて薄膜を形成する固化手段と、
    を備えたことを特徴とする薬液の塗布固化装置。
  2. 前記固化手段は、前記被処理体を加熱する加熱ユニットよりなることを特徴とする請求項1記載の薬液の塗布固化装置。
  3. 前記加熱ユニットは、加熱ヒータ又は加熱ランプよりなることを特徴とする請求項2記載の薬液の塗布固化装置。
  4. 前記固化手段は、紫外線ランプよりなることを特徴とする請求項1記載の薬液の塗布固化装置。
  5. 前記塗布機構は、前記被処理体の直径又は幅と同じ或いはそれより大きな長さに亘って複数の薬液噴射孔が形成された薬液噴射面を有する薬液ジェットヘッド部と、
    前記被処理体が前記搬出入口から前記処理容器内へ搬入される時に前記薬液ジェットヘッド部から前記薬液を噴射させるように制御する噴射制御部と、
    を備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の薬液の塗布固化装置。
  6. 前記噴射制御部は、前記複数の薬液噴射孔を個々に制御することを特徴とする請求項5記載の薬液の塗布固化装置。
  7. 前記薬液ジェットヘッド部の下方には、前記薬液ジェットヘッド部からの噴射された前記薬液を受ける受け部が設けられていることを特徴とする請求項5又は6記載の薬液の塗布固化装置。
  8. 前記搬出入口の外側には、搬入される前記被処理体を検出する検出センサ部が設けられており、前記噴射制御部は、前記検出センサ部の出力に基づいて前記薬液ジェットヘッド部の動作を制御することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一項に記載の薬液の塗布固化装置。
  9. 前記噴射制御部は、前記搬送機構の搬入動作に同期させて前記薬液ジェットヘッド部の動作を制御することを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一項に記載の薬液の塗布固化装置。
  10. 前記薬液噴出孔のピッチは、30〜3000μmの範囲内であることを特徴とする請求項5乃至9のいずれか一項に記載の薬液の塗布固化装置。
  11. 前記薬液噴射孔の直径は、10〜200μmの範囲内であることを特徴とする請求項5乃至10のいずれか一項に記載の薬液の塗布固化装置。
  12. 被処理体の表面に薬液を塗布して固化させる塗布固化方法において、
    搬出入口を有する処理容器内へ、外部の搬送機構によって前記被処理体を搬入させつつ前記搬出入口の外側に設けた塗布機構によって前記被処理体の表面に前記薬液を塗布する塗布工程と、
    前記被処理体の表面に塗布された前記薬液を前記処理容器内で固化させる固化工程と、
    を有することを特徴とする薬液の塗布固化方法。
  13. 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の薬液の塗布固化装置を用いて被処理体の表面に薬液を塗布して固化させるに際して、
    請求項12に記載の薬液の塗布固化方法を実施するように前記塗布固化装置を制御するコンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶する記憶媒体。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5954125B2 (ja) * 2012-02-07 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN110201851B (zh) * 2019-06-21 2023-05-16 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 加热装置及喷雾式涂胶机
CN113333235B (zh) * 2021-04-28 2022-12-09 西安交通大学 一种用于制备形状可控无菌伤口敷料的数字光固化旋涂仪

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250389A (ja) * 1995-03-08 1996-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2002351085A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Sharp Corp 紫外線照射方法および紫外線照射装置
JP2002368060A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板支持部材、基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム
JP2003112098A (ja) * 2001-10-01 2003-04-15 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2003170105A (ja) * 2001-12-04 2003-06-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置及びその方法
JP2003234280A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2005270932A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置
JP2005303328A (ja) * 2005-06-17 2005-10-27 Yoshitake Ito 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2006210682A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Seiko Epson Corp 基板乾燥装置、基板処理システム、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
JP2006237097A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Tokyo Electron Ltd ステージ装置および塗布処理装置
JP2008034746A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0509962A1 (en) 1991-04-15 1992-10-21 Ciba-Geigy Ag A process and an apparatus for producing a thin photoimageable coating on a metallic-layered substrate
JP3340945B2 (ja) 1997-08-06 2002-11-05 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理装置
JP3853256B2 (ja) * 2002-05-28 2006-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板ベーク装置、基板ベーク方法及び塗布膜形成装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250389A (ja) * 1995-03-08 1996-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2002351085A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Sharp Corp 紫外線照射方法および紫外線照射装置
JP2002368060A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板支持部材、基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム
JP2003112098A (ja) * 2001-10-01 2003-04-15 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2003170105A (ja) * 2001-12-04 2003-06-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置及びその方法
JP2003234280A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2005270932A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置
JP2006210682A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Seiko Epson Corp 基板乾燥装置、基板処理システム、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
JP2006237097A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Tokyo Electron Ltd ステージ装置および塗布処理装置
JP2005303328A (ja) * 2005-06-17 2005-10-27 Yoshitake Ito 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2008034746A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体

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