JP5072380B2 - 基板処理システム - Google Patents

Description

この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板に処理を施す基板処理システムに関するものである。

一般に、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、基板にフォトレジスト（以下にレジストという）を塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連のリソグラフィ工程によって行われている。

このような処理は、一般に基板にレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット、レジスト塗布処理終了後の基板や露光処理後の基板を加熱処理する加熱処理ユニット、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等が複数備えられた塗布・現像処理システムによって行われている。

従来のこの種の基板処理システムにおいては、生産性を高めるために、処理ユニットの処理部の処理パラメータを有する処理レシピを作成するレシピ作成装置を具備しており、レシピ作成装置によって作成された処理レシピに基づいて処理ユニットの処理部を制御している（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−３２９３０６号公報（特許請求の範囲、図４）

ところで、この種の基板処理においては、基板に供給されるレジスト液，現像液等の処理液の供給形態に関する処理パラメータ、基板の保持手段の回転駆動や処理液供給ノズルの移動機構等に関する処理パラメータ等の組み合わせが多数考えられ、絶えず最適な処理パラメータの作成が鋭意研究されている。

しかしながら、従来のこの種の基板処理システムにおいては、既存のレシピ作成装置によって作成あるいは補正された処理レシピに基づいて基板を処理するため、構築された処理システムの後に作成された処理パラメータを有する処理レシピをそのまま対応することができないという問題があった。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、既存の基板処理システムに新たに作成された処理レシピが対応できるか否かを判断し、できる限り既存の基板処理ユニットの処理部を活用できるようにした基板処理システムを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、被処理基板に処理を施す処理ユニットにおける処理部を、処理パラメータを有する処理レシピに従って制御して被処理基板に処理を施す基板処理システムにおいて、 被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、 上記保持手段を回転駆動する駆動手段と、 上記保持手段にて保持された被処理基板に対して相対的に移動して処理液を吐出する処理液供給ノズルと、 上記処理液供給ノズルに処理液を供給する処理液供給手段と、 上記駆動手段の駆動制御、上記処理液供給ノズルからの処理液の吐出及び上記処理液供給手段の動作等を制御する処理パラメータを有する処理レシピを作成するレシピ作成手段と、 上記処理レシピに従って上記駆動手段、処理液供給ノズルの移動機構及び処理液供給手段の駆動制御を行う制御手段と、 上記レシピ作成手段で作成された処理レシピを構成する処理パラメータとは別に作成された既存の基板処理システムにおける処理部の処理パラメータを有する処理レシピを格納する電子媒体と、を具備し、 上記レシピ作成手段に上記電子媒体が接続されたときに、上記電子媒体に格納された処理レシピの有する処理パラメータと上記レシピ作成手段で作成される処理レシピの有する処理パラメータとを比較するためのパラメータ比較プログラムを起動させ、上記電子媒体に格納されている処理パラメータが実行可能か否かの判断を行えるようにした、ことを特徴とする。ここで、電子媒体には、例えばＵＳＢ（Universal Serial Bus）キー，ハードディスク，コンパクトディスク，マグネットオプティカルディスクやメモリーカード等の記録媒体の他、通信による電子媒体も含まれる。

この発明において、上記レシピ作成手段又は電子媒体のうち少なくとも電子媒体に、両者の処理レシピを構成する処理パラメータを比較する演算処理部を具備する方が好ましい（請求項２）。

また、上記電子媒体に格納された処理レシピが実行可能か否かの表示を行う表示手段を更に具備する方が好ましい（請求項３）。この場合、上記表示手段は、上記電子媒体に格納された処理レシピが実行可能と判断した場合における実行可能な処理レシピに優先順位を表示可能にする方がよく（請求項４）、また、上記電子媒体に格納された処理レシピが実行不可と判断した場合に実行不可の理由を表示可能にする方がよい（請求項５）。

加えて、上記電子媒体に格納される処理レシピを暗号化するようにしてもよい（請求項６）。

以上に説明したように、この発明の基板処理システムは、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。

（１）請求項１，２記載の発明によれば、被処理基板に処理を施す処理ユニットにおける処理部を、処理パラメータを有する処理レシピに従って制御して被処理基板に処理を施す基板処理システムにおいて、該基板処理システムに具備されたレシピ作成手段で作成される処理レシピと、電子媒体に格納された処理パラメータとを比較して、電子媒体に格納された処理レシピが実行可能か否かの判断を行うことができる。これにより、既存の基板処理システムにおいて、最適の処理レシピに対応できると判断された場合には、最適の処理レシピに基づいて被処理基板の処理を行うことができる。

（２）請求項３記載の発明によれば、電子媒体に格納された処理レシピが実行可能か否かの表示を行う表示手段を更に具備することにより、既存の基板処理システムが最適の処理レシピに基づいて実行できるか否を表示手段によって確認することができる。この場合、表示手段は、電子媒体に格納された処理レシピが実行可能と判断した場合における実行可能な処理レシピに優先順位を表示可能にすることにより、基板処理システムの実行を有効なものにすることができる（請求項４）。また、電子媒体に格納された処理レシピが実行不可と判断した場合に実行不可の理由を表示可能にすることにより、既存の基板処理システムに対して最適な処理レシピへの対応のアドバイス等を表示することができ、既存の基板処理システムの改善に指針を付与することができる（請求項５）。

（３）請求項６記載の発明によれば、電子媒体に格納される処理レシピを暗号化することにより、最適な処理レシピの情報が不用意に外部に漏れるのを防止することができるので、上記（１），（２）に加えて、更に安全面の保護が図れる。

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理システムを半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。

図１は、上記レジスト塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図、図２は、レジスト塗布・現像処理システムの概略斜視図である。

上記レジスト塗布・現像処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）が例えば２５枚密閉収容されたキャリア２０を搬入出するための搬入・搬出部であるキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個の単位ブロックＢ１〜Ｂ４を縦に配列して構成された塗布・現像処理部である塗布・現像処理ブロックＳ２（以下に処理ブロックＳ２という）と、インターフェース部であるインターフェースブロックＳ３と、を具備するレジスト塗布・現像処理装置１０と、レジスト塗布・現像処理装置１０とインラインで接続された露光装置１１と、キャリア２０を搬入出するための搬入・搬出部であるキャリアブロックＳ１とエッチングユニット８０を備えたエッチングブロックＳ５とからなるエッチング装置１２とで主に構成されている。また、レジスト塗布・現像処理装置１０には、各ブロックＳ１〜Ｓ３間，ブロック内の処理ユニットとの間及びエッチングブロックＳ５の処理ユニットとの間で、ウエハＷを搬送する搬送手段として後述するアームＡ１，Ａ２，Ｃ，Ｄ，Ｅが備えられている。

上記レジスト塗布・現像処理装置１０及びエッチング装置１２のキャリアブロックＳ１には、それぞれ複数個（例えば４個）のキャリア２０を載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。

レジスト塗布・現像処理装置１０におけるトランスファーアームＣは、処理ブロックＳ２に設けられた受渡しステージＴＲＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、並びに鉛直軸回りに回転自在に移動自在に構成されている。

また、エッチング装置１２におけるトランスファーアームＣは、エッチングブロックＳ５に設けられた受渡しステージＴＲＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、並びに鉛直軸回りに回転自在に移動自在に構成されている。

また、キャリアブロックＳ１の例えば開閉部２２の近傍位置には、キャリア２０に付された識別表示例えばＩＤ表示（図示せず）を読み取って、キャリア２０内に収納されているウエハＷの処理状態、すなわち未処理（１回目）の処理か２回目以降のｎ回目の処理か否かを認識する検知手段２３が設けられている。

この検知手段２３は、制御手段であるコントローラ６０に電気的に接続されており、検知手段２３によって検知された信号がコントローラ６０に伝達されるようになっている。これにより、処理に供されるウエハＷが未処理（１回目）の処理か２回目以降のｎ回目の処理かが判別される。

キャリアブロックＳ１の奥側には、筐体７０にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、レジスト液や現像液等の薬液容器類を収納する第１の単位ブロック（ＣＨＭ）Ｂ１、現像処理を行うための第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ２、２段のレジスト液の塗布処理を行うための塗布膜形成用単位ブロック及び洗浄処理を行う洗浄単位ブロックである第３，第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３，Ｂ４として割り当てられている（図３参照）。なお、この場合、塗布膜形成用単位ブロックの一つ例えば第３の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための単位ブロック（ＢＣＴ層）としてもよい。また、更に第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４の上段に、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための反射防止膜形成用単位ブロックを設けるようにしてもよい。

第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４は、前面側に配設され、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、背面側に配設され、上記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱処理ユニット等の処理ユニットと、前面側に配設される上記液処理ユニットと背面側に配設される加熱処理ユニット等の処理ユニットとの間、具体的には下段に現像処理部を配置し、上段にレジスト処理部を配置した液処理ユニットと加熱処理ユニット等の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１，Ａ２とを備えている。

これら単位ブロックＢ１〜Ｂ４は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の間で、上記液処理ユニットと、加熱処理ユニット等の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じに形成されている。ここで、配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおけるウエハＷの保持手段であるスピンチャックの中心や、加熱処理ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。

上記第２の単位ブロックすなわちＤＥＶ層Ｂ２は、図１に示すように、ＤＥＶ層Ｂ２のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェースブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１（メインアームＡ１の水平移動領域）が形成されている。また、第３，第４の単位ブロックすなわちＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４は、図示しないが、ＤＥＶ層Ｂ２と同様に、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェースブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ２（メインアームＡ２の水平移動領域）が形成されている。

上記搬送領域Ｒ１（Ｒ２）のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、上記液処理ユニットとして、現像処理を行うための複数個例えば３個の現像処理ユニット３１と、２段の塗布処理ユニット３２及び洗浄ユニット（ＳＣＲ）が設けられている。

上記現像処理ユニット３１は、図６に示すように、ウエハＷを真空吸着し、略水平に保持する保持手段であるスピンチャック３３と、このスピンチャック３３を回転及び昇降する駆動手段であるモータ３４と、ウエハＷがスピンチャック３３に吸着保持された状態において、ウエハＷの側方を囲むように配置されるカップ３５と、スピンチャック３３によって保持されたウエハＷの表面に対して処理液、例えば現像液を供給する処理液供給ノズルＤＮ１（以下に供給ノズルＤＮ１という）と、ウエハＷの表面に洗浄液例えば純水を供給する洗浄液供給ノズルＲＮ（以下に洗浄ノズルＲＮという）と、を具備している。

この場合、カップ３５は各々上下可動な外カップ３５ａと内カップ３５ｂとからなる。内カップ３５ｂは円筒の上部側が上方内側に傾斜し、上部側開口部が下部側開口部より狭くなるように形成されており、昇降部３５ｃにより外カップ３５ａが上昇すると外カップ３５ａの移動範囲の一部において連動して昇降するように構成されている。

また、カップ３５の下部側は、スピンチャック３３の周囲を囲む円板３５ｄと、円板３５ｄの周り全周に亘って凹部３５ｅを形成し、底面に排液口３５ｆが形成されている液受け部３５ｇとにより構成されている。この液受け部３５ｇの側面より僅かに内側に外カップ３５ａ（及び内カップ３５ｂ）が収まっており、凹部３５ｅとカップ３５とによりウエハＷの上方レベル及び下方レベルに跨ってウエハＷの側方を包囲している。また、円板３５ｄの周縁部には上端がウエハＷの裏面に接近する断面山形のリング体３５ｈが設けられている。

上記供給ノズルＤＮ１は、図６及び図８に示すように、例えばウエハＷの有効領域（デバイスの形成領域）の幅と同じかそれ以上の長さに亘る処理液の吐出領域を形成できるように、ノズルの長さ方向に配列された例えば多数の孔部に連通する吐出口９０と、この吐出口９０に現像液流路９１ａを介して連通される現像液貯留部９２Ａを備えるスリットノズルにて形成されている。

現像液貯留部９２Ａは開閉バルブＶ１を介設した供給管路９３を介して現像液供給源９４に接続されている。なお、吐出口９０の内部には、緩衝材をなす例えば石英又はセラミック製の棒状体９５が配置されており、この棒状体９５は現像流路９１ａから供給される現像液のウエハＷ表面に向かう圧力（吐出圧力）が供給ノズルＤＮの長さ方向で均一になるように、例えば吐出口９０の内壁に接触せず（棒状体９５の両端を支持する部位を除く）、かつ現像液の吐出方向となる位置に設けられる。このため、現像液は一旦棒状体９５に当たってから下方側へ向かう。

上記のように構成される供給ノズルＤＮ１は、第１の移動機構９６Ａによりカップ３５の外側に設けられた一対のガイドレール９７に沿って、図７に示すカップ３５の外側の待機位置３６ａ（ガイドレール９７の一端側の位置）からウエハＷの上方側を通って待機位置３６ａとウエハＷを挟んで対向する待機位置３６ｂまで移動可能に配設されている。

第１の移動機構９６Ａは門形のアーム部９６ａとベース部９６ｂとにより構成されており、多数の処理液の吐出孔がＸ方向に配列されるように供給ノズルＤＮをアーム部９６ａにより支持し、移動部であるベース部９６ｂを介してガイドレール９７に沿って移動できるようになっている。ベース部９６ｂは昇降機構９６ｃにより例えばモータなどの図示しない動力源からの駆動力によりアーム部９６ａを上下方向に移動させることができる。

また、洗浄ノズルＲＮは、ストレートノズルにて形成されており、図７に示すように、開閉弁Ｖ２を介設した洗浄液供給管路９８を介して洗浄液（純水）供給源９９に接続されている。この洗浄ノズルＲＮは、例えば第２の移動機構９６Ｂにより、図７に示すカップ３５の外側の待機位置３６ｂ（ガイドレール９７の他端側の位置）からウエハＷの上方側を通って供給ノズルＤＮの待機位置３６ａ側まで水平に移動可能に設けられている。

なお、カップ３５、第１の移動機構９６Ａ及び第２の移動機構９６Ｂは箱状の筐体３７により囲まれた一ユニットとして形成されており、筐体３７内には図示しない搬送口を介して上記メインアームＡ１によりウエハＷの受け渡しが行われる。

上記モータ３４，昇降部３５ｃ，第１の移動機構９６Ａ及び第２の移動機構９６Ｂ，開閉バルブＶ１，Ｖ２はそれぞれコントローラ６０と接続されており、例えばモータ３４によるスピンチャック３３の回転や昇降に応じて、開閉バルブＶ１，Ｖ２の開閉や、第１の移動機構９６Ａによる現像液や純水の供給（スキャン）を行うように、各部を連動させたコントロールを可能としている。この際、現像液，純水等の供給形態（具体的にはノズルの形態）や、開閉バルブＶ１，Ｖ２の開閉動作のタイミングや、第１の移動機構９６Ａや第２の移動機構９６Ｂの移動開始や停止のタイミング、移動速度、現像液（希釈液）吐出時における供給ノズルＤＮの高さ等は後述するレシピ作成手段１００により予め作成された処理レシピに基づいて制御されるようになっている。

上記レシピ作成手段１００は、図５に示すように、所定の処理パラメータを入力する入力部１０１と、所定の処理パラメータを記憶する記憶部１０２と、入力部１０１に入力された処理パラメータや記憶部１０２に記憶された処理パラメータに基づいて処理レシピを作成する演算処理部１０３と、演算処理部１０３によって作成された処理レシピを上記コントローラ６０へ出力する出力部１０４と、を備えている。ここで、処理パラメータとは、例えば、ウエハＷに現像液や希釈液（純水）を供給（吐出）するために必要とされる、供給ノズルＤＮからの現像液，希釈液（純水）の吐出制御や供給ノズルＤＮのスキャン，昇降及びスピンチャック３３の回転数や回転時間等の制御に用いられるパラメータを指し、処理レシピはこのような処理パラメータの集合体である。

演算処理部１０３は、処理レシピを構成する処理パラメータ同士の実験的に予め求められた相関データを記憶する記憶部１０２と、入力部１０１に入力された処理パラメータとに基づいて例えば現像処理に必要なその他の処理パラメータを算出するためのパラメータ算出プログラム１０５を有している。

上記レシピ作成手段１００によって作成された処理レシピの情報は、例えばディスプレイ等の表示部１１０に送られて、表示されるようになっている。

上記レシピ作成手段１００によって作成された処理レシピに基づいて、現像処理の一例について、表１を参照して説明する。まず、スピンチャック３３によってウエハＷを吸着保持した状態で、供給ノズルＤＮ１がウエハＷ上を移動して現像液を液盛りする（ステップ１）。この状態で所定時間例えば６０ｓｅｃ程度放置することにより、現像反応を促進させる（ステップ２）。続いて、ウエハ表面に洗浄ノズルＲＮから純水を供給しながらウエハＷを例えば１０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させ、これによりウエハ表面の現像液を洗い流す（ステップ３）。その後、ウエハＷを高速回転例えば４０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させることにより乾燥させる（ステップ４）。

また、レシピ作成手段１００には、レシピ作成手段１００で作成された処理レシピを構成する処理パラメータとは別に作成された、最適化された処理パラメータを有する処理レシピを格納する電子媒体例えば、ＵＳＢキー２００が電気的に接続可能に形成されている。この場合、ＵＳＢキー２００は、図５に示すように、最適化された処理パラメータを有する処理レシピ情報部２０１と、このＵＳＢキー２００に格納された処理パラメータと上記レシピ作成手段１００で作成される処理レシピとを比較するパラメータ比較プログラム２０２を有している。

上記のように形成されるＵＳＢキー２００をレシピ作成手段１００に電気的に接続することにより、レシピ作成手段１００で作成される処理レシピを構成する処理パラメータと、ＵＳＢキー２００に格納された処理レシピを構成する処理パラメータとが比較されて、ＵＳＢキー２００に格納された処理レシピが実行可能か否かの判断を行うことができる。つまり、既存の基板処理システムにおける、現像液，純水の供給形態（具体的にはノズルの形態）や、上記モータ３４，昇降部３５ｃ，第１の移動機構９６Ａ及び第２の移動機構９６Ｂ，開閉バルブＶ１，Ｖ２の処理パラメータが、ＵＳＢキー２００に格納された最適化された処理パラメータに対応（実行）できるか否かが判断される。

上記のようにして判断された、処理レシピが実行可能か否かの情報は、表示部１１０に送られて表示される。この際、表示部１１０は、ＵＳＢキー２００に格納された処理レシピが実行可能と判断した場合、実行可能な処理レシピに優先順位、例えば処理時間が短い順や現像液の消費量が少ない順等を表示可能にすることにより、基板処理システムの実行を有効なものにすることができる。また、ＵＳＢキー２００に格納された処理レシピが実行不可と判断した場合には、実行不可の理由、例えば既存の基板処理システムに対して最適な処理レシピへの対応のアドバイス等を表示することができる。これにより、既存のレジスト塗布・現像処理システムの改善の指針が付与される。

なお、ＵＳＢキー２００に格納される処理レシピのデータに例えばパスワード等を付して、処理レシピを暗号化してもよい。これにより、最適な処理レシピの情報が不用意に外部に漏れるのを防止することができるので、安全面の保護が図れる。

次に、上記ＵＳＢキー２００に格納された処理レシピ（処理パラメータ）とレシピ作成手段１００により作成された処理レシピ（処理パラメータ）とを比較した結果、塗布・現像処理システムが対応出来る場合の一例について説明する。なお、この場合、レシピ作成手段１００により作成された処理レシピを実行する供給ノズルＤＮ１では新たな処理レシピには対応できないので、供給ノズルＤＮ１に代えて、図９ないし図１１に示す現像液と希釈液（純水）を供給する複合スリット式の供給ノズルＤＮ２が取り付けられる。

上記供給ノズルＤＮ２は、図９及び図１１に示すように、ノズルの長さ方向に配列された例えば多数の孔部に連通する吐出口９０と、この吐出口９０に現像液流路９１ａを介して連通される現像液貯留部９２Ａと、前記吐出口９０に純水流路９１ｂを介して連通される純水貯留部９２Ｂと、を備えている。

現像液貯留部９２Ａは開閉バルブＶ１を介設した供給管路９３を介して現像液供給源９４に接続されると共に、開閉バルブＶ３を介設した第２の供給管路９３ａを介して希釈液例えば純水の供給源９４ａに接続されている。これにより開閉バルブＶ１，Ｖ３の切り換えによって、現像液供給源９４から供給管路９３を介して現像液貯留部９２Ａに供給された現像液が現像液流路９１ａを介して吐出口９０から吐出され、また、純水供給源９４ａから第２の供給管路９３ａを介して純水貯留部９２Ｂに供給された純水が純水流路９１ｂを介して吐出口９０から吐出されるようになっている。

なお、吐出口９０の内部には、緩衝材をなす例えば石英又はセラミック製の棒状体９５が配置されており、この棒状体９５は流路９１ａ（９１ｂ）から供給される現像液（希釈液）のウエハＷ表面に向かう圧力（吐出圧力）が供給ノズルＤＮの長さ方向で均一になるように、例えば吐出口９０の内壁に接触せず（棒状体９５の両端を支持する部位を除く）、かつ現像液及び希釈液の吐出方向となる位置に設けられる。このため、現像液（又は希釈液）は一旦棒状体９５に当たってから下方側へ向かう。

上記のように構成される供給ノズルＤＮ２は、上記供給ノズルＤＮ１と同様にアーム部９６ａに取り付けられて、第１の移動機構９６Ａによりカップ３５の外側に設けられた一対のガイドレール９７に沿って、図９に示すカップ３５の外側の待機位置（ガイドレール９７の一端側の位置）からウエハＷの上方側を通って待機位置とウエハＷを挟んで対向する位置まで移動可能に配設されている。

第１の移動機構９６Ａは門形のアーム部９６ａとベース部９６ｂとにより構成されており、多数の処理液の吐出孔がＸ方向に配列されるように供給ノズルＤＮをアーム部９６ａにより支持し、移動部であるベース部９６ｂを介してガイドレール９７に沿って移動できるようになっている。ベース部９６ｂは昇降機構９６ｃにより例えばモータなどの図示しない動力源からの駆動力によりアーム部９６ａを上下方向に移動させることができる。

上記供給ノズルＤＮ２を用いた現像処理は、以下のようにして行われる。すなわち、表２に示すように、まず、スピンチャック３３によってウエハＷを吸着保持した状態で、供給ノズルＤＮ２がウエハＷ上を移動して現像液を液盛りする（ステップ１）。そして、この状態で所定時間例えば１０ｓｅｃ程度放置することにより、現像反応を促進させる（ステップ２）。ここで、ウエハ上への現像液の塗布（ステップ１）と、その後の放置（ステップ２）は、ウエハＷを静止させた状態で行われるので、これらの間はウエハ表面に液盛りされた現像液も準静止状態となっており、ステップ２の開始直後から現像液が液盛りされた部分では、露光領域ではレジスト膜の溶解生成物が高濃度に滞留した状態となる。

このようにして露光領域の溶解が行われると、次に開閉バルブＶ３を開き、供給ノズルＤＮ２の純水供給源９４ａより純水を供給し、吐出口９０から純水の吐出を開始する。吐出口９０から純水の供給を開始するタイミングは、露光領域のレジスト膜の溶解が当該領域の底部まで進行し、かつ生成した溶解生成物が現像液に拡散する前のＣＤ（線幅）値にほとんど影響を及ぼさない時間であり、例えばウエハＷへの現像液の液盛りを終えた時点から１０秒間経過した後である。すなわち、現像液の液盛りを例えば１０ｒｐｍの回転数でさせることにより、ウエハＷの表面に純水を塗布し、現像処理の進行に用いられた現像液を純水に置換する（ステップ３）。これにより、露光領域の溶解生成物がＣＤ値や現像欠陥の発生などの悪影響を与えるおそれが回避される。

このようにしてウエハの表面に純水を塗布して、所定時間例えば純水の供給を終了してから５ｓｅｃ程度放置した後（ステップ４）、第２の移動機構９６ＢによりウエハＷの中央上方に洗浄ノズルＲＮの吐出部が位置するように位置決めすると共に、スピンチャック３３を例えば１０００ｒｐｍ程度の回転数にて回転させながら、洗浄ノズルＲＮから洗浄液例えば純水をウエハＷ中心部に供給して、ウエハＷの遠心力により洗浄液をウエハＷの中心部から周縁部へ広げることにより現像液及び溶解生成物を洗い流す（ステップ５）。その後、このウエハＷは例えば４０００ｒｐｍ程度の回転数にて乾燥させる（ステップ６）などを経て現像処理が終了し、ウエハＷは現像処理ユニット３１の外へ搬出される。

上記説明では、演算処理部１０３で作成される処理レシピを構成する処理パラメータと、ＵＳＢキー２００に格納される処理レシピを構成する処理パラメータが、現像処理ユニット３１における処理パラメータについて説明したが、その他の処理ユニット例えばレジスト塗布処理ユニット３２における処理パラメータを有する処理レシピに関しても同様に比較して、処理レシピが実行可能か否かを判断することができる。

また、上記説明では、処理パラメータに対応できるか否かの判断において供給形態や、移動機構等を確認したが、例えば昇降部３５ｃの駆動制御がモータ制御の場合、昇降を任意の位置に停止させる処理レシピに対応させることができる。更に、動作状態を監視するセンサを具備している場合、指定の位置へ動作したことを確認することが可能であり、動作確認後に次の動作へ移行する処理レシピにも対応できる。

また、上記実施形態においては、現像処理ユニット３１、レジスト処理ユニット３２について説明したが、他のユニット例えば洗浄ユニット（ＳＣＲ）や周辺露光ユニット（ＷＥＥ）、熱処理ユニット等にも適用することが可能である。更にウエハＷの搬送順路を指定する搬送レシピについても、装置構成を診断した上で、そのレシピを実行可能か否か判断させる機能を具備させてもよい。

なお、上記各単位ブロックは、手前側から奥側に向かって左側に、順に加熱系のユニットを多段化した例えば４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、ＤＥＶ層Ｂ２においては現像処理ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理ユニットを複数段、例えば３段ずつに積層した構成とされている。このようにして上記搬送領域Ｒ１によって現像処理ユニット３１と棚ユニットＵ１〜Ｕ４が区画されており、搬送領域Ｒ１に洗浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。

上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱処理ユニット（ＰＥＢ）や、現像処理後のウエハＷの水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱処理ユニット（ＰＯＳＴ）等が含まれている。これら加熱処理ユニット（ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）等の各処理ユニットは、それぞれ処理容器４０内に収容されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、上記処理容器４０が３段ずつ積層されて構成され、各処理容器４０の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口４１が形成されている。なお、加熱処理ユニット（ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）は、コントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０からの制御信号に基づいて加熱温度や加熱時間が調整可能に形成されている。

上記搬送領域Ｒ１には上記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、ＤＥＶ層Ｂ２内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、現像処理ユニット３１の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

なお、メインアームＡ１（Ａ２）は、同様に構成されており、メインアームＡ１を代表して説明すると、例えば図１に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の湾曲アーム片５１を有するアーム本体５０を備えており、これら湾曲アーム片５１は図示しない基台に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台は鉛直軸回りに回転自在に構成されると共に、Ｙ方向に移動自在、かつ昇降自在に構成されている。このようにして湾曲アーム片５１は、Ｘ方向に進退自在，Ｙ方向に移動自在，昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各ユニットやキャリアブロックＳ１側に配置された棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡ１は、制御手段であるコントローラ６０からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。また、メインアームＡ１（Ａ２）の加熱処理ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。

また、上記塗布膜形成用の単位ブロックＢ３，Ｂ４は、いずれも同様に構成されており、上述の現像処理用の単位ブロックＢ２と同様に構成されている。具体的には、液処理ユニットとしてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布処理ユニット３２が設けられ、ＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱クーリング処理する熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）や、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）を備えており、ＤＥＶ層Ｂ２と同様に構成されている。すなわち、塗布ユニットと熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）及び疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）とをメインアームＡ２の搬送領域Ｒ２（メインアームＡ２の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＣＯＴ層Ｂ３，Ｂ４では、メインアームＡ２により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、塗布処理ユニット３２と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してそれぞれウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。なお、上記疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）は、ＨＭＤＳ雰囲気内でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３，Ｂ４のいずれかに設けられればよい。

また、上記処理ブロックＳ２とインターフェースブロックＳ３の隣接する領域には、図１に示すように、メインアームＡ１がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられている。この棚ユニットＵ６は、ＤＥＶ層Ｂ２のメインアームＡ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、受渡しステージＴＲＳ２と、ウエハＷの受け渡しを行う冷却機能を有する受渡しステージ（図示せず）を備えている。また、処理ブロックＳ２とインターフェースブロックＳ３の隣接する領域には、図１及び図４に示すように、周縁露光装置（ＷＥＥ）が２段配置されている。

一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェースブロックＳ３を介して露光装置１１が接続されている。インターフェースブロックＳ３には、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ２の棚ユニットＵ６の各部と露光装置１１とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェースアームＤを備えている。このインターフェースアームＤは、処理ブロックＳ２と露光装置１１との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、上記ＤＥＶ層Ｂ２の受渡しステージＴＲＳ２等に対してウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。

一方、エッチング装置１２におけるエッチングブロックＳ５は、筐体７０ａ内に、多段例えば４段に積層されたドライエッチング装置であるエッチング処理ユニット８０（以下にエッチングユニット８０という）が配置されると共に、各エッチングユニット８０に対してウエハＷを搬入・搬出する搬送アームＥと受渡しステージＴＲＳ３が配設されている。この場合、搬送アームＥは、エッチングブロックＳ５内の受渡しステージＴＲＳ３との間で、ウエハＷの受け渡しを行う、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直方向に移動自在、かつ、回転自在に形成されている。なお、エッチングユニット８０は、例えば真空雰囲気内で、印加される高周波数，高周波電圧やガス圧力等のエッチングプロセス条件を調整してエッチングレートを制御できるように形成されている。

上記のように構成されるエッチングブロックＳ５は、ドライエッチング処理の際に、エッチングユニット８０から生じる電磁波が外部に影響を与えないように筐体７０ａには電磁波遮断用のシールドが施されている。このシールドとしては、導電性を有する金属や合成樹脂製の遮蔽板であれば任意のものでよいが、本実施形態では、例えばアルミニウム合金製の遮蔽板を使用して筐体７０ａを構成している。

上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置１０とエッチング装置１２は、図１中に矢印で示すように、ウエハＷが搬送可能に形成されている。この場合、ウエハＷの搬送制御は、例えばウエハＷを２５枚収容するキャリア２０単位で搬送してもよく、あるいは、枚葉（ウエハ１枚単位）にて搬送してもよい。

次に、上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理システムにおけるウエハＷの処理について、図１２に示すフローチャートを参照して説明する。

まず、キャリアブロックＳ１の載置台２１に処理に供されるウエハＷを収納したキャリア２０を開閉部２２に載置する。この状態で、検知手段２３によってキャリア２０に付された識別表示が検知されて、検知信号がコントローラ６０に伝達され、処理に供されるウエハＷが１回目かｎ回目（２回目以降）かが判別される。処理に供されるウエハＷが１回目と判別された場合は、１回目の搬送スケジュールが作成、あるいは予め作成された搬送スケジュールに基づいて１回目のリソグラフィ処理が施される。

すなわち、疎水化処理された後に棚ユニットＵ５に一時収納されたウエハＷは、メインアームＡ２によって棚ユニットＵ５から取り出され、塗布処理ユニット３２に搬送されて、レジスト膜が形成される（Ｓ−１）。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ２によって熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベーク（ＰＡＢ）が施される（Ｓ−２）。その後、ウエハＷは熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）内でクーリング処理が施される（Ｓ−３）。なお、図示しないが、プリベーク（ＰＡＢ）が施された後、ウエハＷは周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送されて、周辺露光処理が施された後に加熱処理及び上記クーリング処理が施される。次いで、ウエハＷは、インターフェースアームＤにより露光装置１１に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる（Ｓ−４）。

露光処理後のウエハＷは、インターフェースアームＤにより、ＤＥＶ層Ｂ２にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ２に搬送され、このステージＴＲＳ２上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ２のメインアームＡ１に受け取られ、当該ＤＥＶ層Ｂ２にて、まず、加熱処理ユニット（ＰＥＢ）でポストエクスポージャーベーク処理（Ｓ−５）された後、加熱処理ユニット（ＰＥＢ）内の冷却プレート（図示せず）で所定温度に調整される。次いで、ウエハＷは、メインアームＡ１によって加熱処理ユニット（ＰＥＢ）から取り出されて現像処理ユニット３１に搬送されて、上記レシピ作成手段１００で作成された処理レシピに基づいて現像液が塗布される（Ｓ−６）。その後、メインアームＡ１によって加熱処理ユニット（ＰＯＳＴ）に搬送され、所定の現像処理が行われる。

現像処理後のウエハＷは、キャリアブロックＳ１の載置台２１に載置された空のキャリア２０内に収納されて搬出される。

レジスト塗布・現像処理システムによって１回目のリソグラフィ処理が施されたウエハＷは、エッチング装置１２のキャリアブロックＳに搬送されて、現像処理後のパターンをマスクとするエッチング処理が施される（Ｓ−７）。その後、ウエハＷはキャリア２０内に収納されて、再びレジスト塗布・現像処理装置１０のキャリアブロックＳ１に搬入される。

１回目のリソグラフィ工程（処理）及びエッチング工程（処理）が行われたウエハＷを収納するキャリア２０が、キャリアブロックＳ１の載置台２１に投入されると、キャリア２０に付された識別表示が検知手段２３によって検知され、２回目以降例えば２回目と判別された場合は、その検知信号によってコントローラ６０は前回（１回目）の搬送履歴を確認する。前回の搬送履歴が確認されると、コントローラ６０は、前回（１回目）の搬送スケジュールに基づいてリソグラフィ工程の所定の処理に用いた処理ユニットを使用する同調搬送スケジュールを作成し、ｎ回目（２回目）のリソグラフィ処理が施される。

１回目のリソグラフィ工程（処理）及びエッチング工程（処理）が行われたウエハＷを収納するキャリア２０が投入されると、トランスファーアームＣによってキャリア２０内のウエハＷが取り出されて、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１にウエハＷが搬送される。すると、メインアームＡ２によってウエハＷは疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）に搬送されて、疎水化処理が施される（Ｓ−８）。疎水化処理が施された後に棚ユニットＵ５に一時収納されたウエハＷは、メインアームＡ２によって棚ユニットＵ５から取り出され、塗布処理ユニット３２に搬送されて、例えば高分子ポリマ材料からなる犠牲膜が皮膜される（Ｓ−９）。犠牲膜が皮膜されたウエハＷは、メインアームＡ２によって塗布処理ユニット３２から取り出され、熱処理ユニット（ＣＬＨＰ）に搬送されてベーク処理、例えば３００〜３５０℃の温度雰囲気で９０ｓｅｃ間ベーク処理（Ｓ−１０）された後、クーリング処理される（Ｓ−１１）。

次に、ウエハＷは、メインアームＡ２によって塗布処理ユニット３２に搬送されて、レジスト塗布処理が施され、犠牲膜の表面にレジスト膜が形成される（Ｓ−１２）。この場合、犠牲膜の表面は平坦状に維持されているため、レジスト膜の表面も平坦状となり、レジスト膜の面内の均一性の向上が図れる。

レジスト膜が形成されたウエハＷは、１回目の処理と同様に、プリベーク（ＰＡＢ）（Ｓ−１３）→クーリング処理（Ｓ−１４）→露光処理（ＥＸＰ）（Ｓ−１５）される。露光処理後、処理ユニットＰＥＢを使用してポストエクスポージャーベーク処理が施される（Ｓ−１６）。このポストエクスポージャーベーク処理を施すことによって、例えば化学増幅型レジストにおいては、酸触媒反応に影響を与える処理時間や面内温度を一定にすることができる。ポストエクスポージャーベーク処理が行われたウエハＷは、現像処理ユニット３１に搬送されて、上記レシピ作成手段１００で作成された処理レシピに基づいて現像処理が施される（Ｓ−１７）。

上記のようにして２回目のリソグラフィ工程（処理）が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている空のキャリア２０内に収納されて２回目のリソグラフィ処理が施される。そして、２回目のリソグラフィ処理が施されたウエハＷを収納したキャリア２０は、エッチング装置１２に搬送されて、現像処理後のパターンをマスクとするエッチング処理が施される。なお、ウエハＷの表面に残存する犠牲膜はアッシング処理によって除去される。

上記のように処理を施すことにより、例えば、１回のリソグラフィ処理によって形成されたパターンのピッチＰ間にパターンを追加形成して、ピッチＰ／２のパターンを形成することができ、線幅の微細化を図ることができる。２回目のエッチング処理が施されたウエハＷは、キャリア２０内に収納されて処理が終了する。

なお、上記実施形態では、反射防止膜を形成しない場合について説明したが、レジスト膜の下側や上側に反射防止膜を形成する場合においても、この発明に係る塗布・現像処理システムを同様に適用することができる。すなわち、、１回目のリソグラフィ処理及びエッチング処理が行われた後のウエハＷの表面に疎水化処理を施し、その後、上述したように、ウエハＷの表面に犠牲膜を皮膜し、ベーク処理，クーリング処理を施した後、犠牲膜の表面に反射防止膜を形成（皮膜）する。そして、反射防止膜の表面にレジスト膜を形成した後、露光処理，現像処理を施すことができる。この場合、図１２（ｃ）に示すように、クーリング処理（Ｓ−１１）とレジスト塗布処理（Ｓ−１２）の間に、反射防止膜塗布処理（Ｓ−２０）→ベーク処理（Ｓ−２１）→クーリング処理（Ｓ−２２）の工程が追加される。

また、上記説明ではリソグラフィ処理及びエッチング処理が２回行われる場合について説明したが、リソグラフィ処理及びエッチング処理を３回以上繰り返し行う場合についてもこの発明に係る基板処理システムを適用することができる。

なお、上記実施形態では、この発明に係る基板処理システムがエッチング装置１２を具備するレジスト塗布・現像処理システムに適用される場合について説明したが、この発明に係る基板処理システムは、エッチング装置１２を具備しないレジスト塗布・現像処理システムにも適用できる。

また、上記実施形態では、被処理基板が半導体ウエハである場合について説明したが、ウエハ以外の例えばＬＣＤガラス基板等の基板の処理システムについても適用できることは勿論である。

この発明に係る基板処理システムを適用したレジスト塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。 この発明におけるレジスト塗布・現像処理システムの概略斜視図である。 上記レジスト塗布・現像処理システムの液処理部を示す概略正面図である。 上記レジスト塗布・現像処理システムの熱処理部を示す概略背面図である。 この発明におけるレシピ作成手段と電子媒体を示すブロック図である。 この発明における現像処理ユニットを示す概略断面図である。 上記現像処理ユニットを示す概略平面図である。 この発明における処理液供給ノズルの一例を示す断面図である。 別の処理液供給ノズルを備えた現像処理ユニットを示す概略断面図である。 上記現像処理ユニットを示す概略平面図である。 この発明における処理液供給ノズルの別の一例を示す断面図である。 この発明に係るレジスト塗布・現像処理システムの処理工程を示すフローチャートである。

符号の説明

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板）
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェースブロック
Ｓ５ エッチングブロック
１０ レジスト塗布・現像処理装置
１１ 露光装置
１２ エッチング装置
３１ 現像処理ユニット
３２ 塗布処理ユニット
３３ スピンチャック（保持手段）
３４ モータ（駆動手段）
６０ コントローラ（制御手段）
８０ エッチングユニット
９６Ａ 第１の移動機構
９６Ｂ 第２の移動機構
９６ｃ 昇降機構
１００ レシピ作成手段
１０１ 入力部
１０２ 記憶部
１０３ 演算処理部
１０４ 出力部
１０５ パラメータ算出プログラム
１１０ 表示部
２００ ＵＳＢキー（電子媒体）
２０１ 処理レシピ（パラメータ）情報部
２０２ パラメータ比較プログラム
ＤＮ１，ＤＮ２ 供給ノズル（処理液供給ノズル）
ＲＮ 洗浄ノズル
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３ 開閉弁

Claims (6)

1. 被処理基板に処理を施す処理ユニットにおける処理部を、処理パラメータを有する処理レシピに従って制御して被処理基板に処理を施す基板処理システムにおいて、
   被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、
   上記保持手段を回転駆動する駆動手段と、
   上記保持手段にて保持された被処理基板に対して相対的に移動して処理液を吐出する処理液供給ノズルと、
   上記処理液供給ノズルに処理液を供給する処理液供給手段と、
   上記駆動手段の駆動制御、上記処理液供給ノズルからの処理液の吐出及び上記処理液供給手段の動作等を制御する処理パラメータを有する処理レシピを作成するレシピ作成手段と、
   上記処理レシピに従って上記駆動手段、処理液供給ノズルの移動機構及び処理液供給手段の駆動制御を行う制御手段と、
   上記レシピ作成手段で作成された処理レシピを構成する処理パラメータとは別に作成された既存の基板処理システムにおける処理部の処理パラメータを有する処理レシピを格納する電子媒体と、を具備し、
   上記レシピ作成手段に上記電子媒体が接続されたときに、上記電子媒体に格納された処理レシピの有する処理パラメータと上記レシピ作成手段で作成される処理レシピの有する処理パラメータとを比較するためのパラメータ比較プログラムを起動させ、上記電子媒体に格納されている処理パラメータが実行可能か否かの判断を行えるようにした、ことを特徴とする基板処理システム。
2. 請求項１記載の基板処理システムにおいて、
   上記レシピ作成手段又は電子媒体のうち少なくとも電子媒体に、両者の処理レシピを構成する処理パラメータを比較する演算処理部を具備する、ことを特徴とする基板処理システム。
3. 請求項１又は２記載の基板処理システムにおいて、
   上記電子媒体に格納された処理レシピが実行可能か否かの表示を行う表示手段を更に具備する、ことを特徴とする基板処理システム。
4. 請求項３記載の基板処理システムにおいて、
   上記表示手段は、上記電子媒体に格納された処理レシピが実行可能と判断した場合における実行可能な処理レシピに優先順位を表示可能にした、ことを特徴とする基板処理システム。
5. 請求項３記載の基板処理システムにおいて、
   上記表示手段は、上記電子媒体に格納された処理レシピが実行不可と判断した場合に実行不可の理由を表示可能にした、ことを特徴とする基板処理システム。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
   上記電子媒体に格納される処理レシピを暗号化したことを含む、ことを特徴とする基板処理システム。

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