TW201911395A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

基板處理方法及基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201911395A
TW201911395A TW107125282A TW107125282A TW201911395A TW 201911395 A TW201911395 A TW 201911395A TW 107125282 A TW107125282 A TW 107125282A TW 107125282 A TW107125282 A TW 107125282A TW 201911395 A TW201911395 A TW 201911395A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
wafer
solvent
peripheral portion
ipa
Prior art date
Application number
TW107125282A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI756451B (zh
Inventor
鈴木之
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201911395A publication Critical patent/TW201911395A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI756451B publication Critical patent/TWI756451B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

[課題]抑制在晶圓的周緣部中的圖案倒塌。 　　[解決手段]實施形態的基板處理方法包含：處理液供應工程、置換工程、乾燥工程。處理液供應工程在保持水平的基板上供應處理液。置換工程將供應至基板上的處理液，置換成表面張力比處理液還低的溶劑。乾燥工程以預先設定的旋轉數將基板上的溶劑甩掉，使得溶劑在位於基板的中心部與周緣部之間的中間部最後乾掉。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本揭示的實施形態係有關於基板處理方法及基板處理裝置。
從前，於半導體的製造工程中，在將半導體晶圓(以下，也稱為晶圓。)等基板以藥液進行處理後，進行將該藥液用沖洗液進行除去處理。再來，為了使該沖洗液乾燥，將晶圓表面的沖洗液以揮發性的IPA(IsoPropyl A lcohol)置換後進行甩掉的乾燥處理(以下，也稱為IPA乾燥。)(參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2016-96317號公報
[發明所欲解決的問題]
不過，在從前的IPA乾燥中，形成於晶圓的圖案因IPA的表面張力而坍塌的現象(以下，也稱為圖案倒塌。)特別會在晶圓的周緣部有發生之虞。
實施形態的一態樣係鑑於上述而完成者，目的為提供一種基板處理方法及基板處理裝置，能夠抑制在晶圓的周緣部的圖案倒塌。 [解決問題的手段]
實施形態的一態樣的基板處理方法包含：處理液供應工程、置換工程、乾燥工程。前述處理液供應工程在保持水平的基板上供應處理液。前述置換工程將供應至前述基板上的前述處理液，置換成表面張力比前述處理液還低的溶劑。前述乾燥工程以預先設定的旋轉數將前述基板上的前述溶劑甩掉，使得前述溶劑在位於前述基板的中心部與周緣部之間的中間部最後乾掉。 [發明的效果]
根據實施形態的一態樣，能夠抑制在晶圓的周緣部的圖案倒塌。
以下，參照附圖詳細說明本案揭示的基板處理方法及基板處理裝置的實施形態。此外，以下所示的實施形態並非用來限定本發明。
＜基板處理的概要＞ 　　首先，參照圖1同時說明關於基板處理系統1(參照圖2)中的基板處理的概要。圖1為表示實施形態的基板處理的概要的圖。
如圖1(a)所示，在供應有處理液DIW的半導體晶圓W(以下，稱為晶圓W。)的表面，供應比該DIW還低表面張力的溶劑IPA，進行將晶圓W上的DIW以IPA置換的置換處理。此外，該置換處理，以較低的旋轉數R1將晶圓W旋轉同時進行。
接著，如圖1(b)所示，藉由將晶圓W以比旋轉數R1更高的旋轉數R2旋轉，進行將晶圓W上的IPA甩開的乾燥工程。在該乾燥工程中，在晶圓W上的IPA之中，在晶圓W的中心部Wc最先乾燥。
接著，在實施形態的乾燥工程中，如圖1(c)所示，藉由以預先設定的旋轉數R2使晶圓W旋轉，使位於晶圓W的周緣部We的IPA，比位於晶圓W的中間部Wm的IPA還快乾燥。此外，該中間部Wm為位於晶圓W的中心部Wc與周緣部We之間的部位。
再來，藉由以預先設定的旋轉數R2使晶圓W旋轉，如圖1(d)所示，最後將殘留於晶圓W的中間部Wm的IPA乾燥，晶圓W全體的乾燥結束。
藉此，能夠縮短在晶圓W的周緣部We的IPA與圖案的接觸時間。因此，因為能夠縮短IPA的表面張力對形成於周緣部We的圖案作用的時間，能夠抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
＜基板處理系統的概要＞ 　　接著，參照圖2，說明關於實施形態的基板處理系統1的概略構成。圖2為表示實施形態的基板處理系統1的概略構成的示意圖。以下，為了使位置關係明確，設定互相垂直的X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正方向設為鉛直向上的方向。
如圖2所示，基板處理系統1具備：搬入搬出站2、處理站3。搬入搬出站2與處理站3鄰接設置。
搬入搬出站2具備：載體載置部11、搬送部12。載體載置部11載置有將複數枚基板(在實施形態中為晶圓W)以水平狀態收容的複數載體C。
搬送部12鄰接載體載置部11而設置，在內部具備：基板搬送裝置13、收授部14。基板搬送裝置13具備保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置13，能夠向水平方向及鉛直方向移動及以鉛直軸為中心旋轉，利用晶圓保持機構在載體C與收授部14之間進行晶圓W的搬送。
處理站3鄰接搬送部12設置。處理站3具備：搬送部15、複數處理單元16。複數處理單元16在搬送部15的兩側並列設置。
搬送部15在內部具備基板搬送裝置17。基板搬送裝置17具備保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置17，能夠向水平方向及鉛直方向移動及以鉛直軸為中心旋轉，利用晶圓保持機構在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬送。
處理單元16對由基板搬送裝置17搬送的晶圓W進行預定的基板處理。
又，基板處理系統1具備控制裝置4。控制裝置4例如是電腦，具備控制部18及記憶部19。在記憶部19中，儲存有控制在基板處理系統1中執行的各種處理的程式。控制部18藉由將記憶於記憶部19中的程式讀出並執行，控制基板處理系統1的動作。
此外，該程式為記錄於由電腦可讀取的記憶媒體中者，從該記憶媒體安裝至控制裝置4的記憶部19也可以。作為由電腦可讀取的記憶媒體，例如有硬碟(HD)、可撓性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在以上述構成的基板處理系統1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送裝置13，從載置於載體載置部11的載體C將晶圓W取出，將取出的晶圓W載置於收授部14。載置於收授部14的晶圓W，藉由處理站3的基板搬送裝置17從收授部14取出，搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16的晶圓W，由處理單元16進行處理後，藉由基板搬送裝置17從處理單元16搬出，載置於收授部14。接著，載置於收授部14的處理完的晶圓W，藉由基板搬送裝置13來返回至載體載置部11的載體C。
＜處理單元的概要＞ 　　接著，一邊參照圖3一邊說明關於處理單元16的概要。圖3為表示處理單元16的構成的示意圖。如圖3所示，處理單元16具備：腔室20、基板保持機構30、處理流體供應部40、回收罩杯50。此外，基板保持機構30為乾燥部的一例。
腔室20收容基板保持機構30、處理流體供應部40、回收罩杯50。在腔室20的頂部設有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21在腔室20內形成向下流。
基板保持機構30具備：保持部31、支柱部32、驅動部33。保持部31將晶圓W水平保持。支柱部32為在鉛直方向延伸的構件，基端部藉由驅動部33以可旋轉支持，在前端部將保持部31水平支持。驅動部33使支柱部32繞鉛直軸旋轉。
該基板保持機構30，由利用驅動部33使支柱部32旋轉，而讓支持於支柱部32的保持部31旋轉，藉此使保持於保持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供應部40對晶圓W供應處理流體。處理流體供應部40連接至處理流體供應源70。
回收罩杯50以包圍保持部31的方式配置，藉由保持部31的旋轉捕集從晶圓W飛散的處理液。在回收罩杯50的底部形成有排液口51，藉由回收罩杯50捕集的處理液，從該排液口51向處理單元16的外部排出。又，在回收罩杯50的底部，形成有將從FFU21供應的氣體向處理單元16的外部排出的排氣口52。
接著，一邊參照圖4一邊說明關於處理單元16的具體構成例。圖4為表示處理單元16的具體構成例的示意圖。
如圖4所示，在基板保持機構30具備的保持部31的上面，設有將晶圓W從側面保持的保持構件311。晶圓W藉由該保持構件311以從保持部31的上面些微離間的狀態水平保持。此外，晶圓W以將進行基板處理的表面朝向上方的狀態保持於保持部31。
處理流體供應部40具備：複數(這裡為3個)噴嘴41a、41b、41c、將該噴嘴41a、41b、41c水平支持的臂42、使臂42旋轉及升降的旋轉升降機構43。
噴嘴41a通過閥門44a及流量調整器45a連接至DHF供應源46a。在DHF供應源46a儲藏例如DHF(Diluted HydroFluoric acid：稀氫氟酸)等的處理晶圓W的藥液。
噴嘴41b通過閥門44b及流量調整器45b連接至DIW供應源46b。DIW(DeIonized Water：脱離子水)為處理液的一例，例如用於處理液供應處理(以下，稱為沖洗處理。)。此外，噴嘴41b為處理液供應部的一例。
噴嘴41c通過閥門44c及加熱部47及流量調整器45c連接至IPA供應源46c。IPA為表面張力比處理液還低的溶劑的一例，例如用於置換處理。此外，噴嘴41c為置換部的一例。
此外，用於沖洗處理的處理液不限於上述DIW，若是能將藥液成分從晶圓W上除去者，也可以使用其他種類的處理液。又，用於置換處理的溶劑不限於IPA。
例如，將甲醇或乙醇、環己酮、丙酮、四氫呋喃、PGMEA(丙二醇‐1‐單甲基醚乙酸酯)或NMP(N‐甲基吡咯烷酮)等，表面張力比處理液還低的溶劑用於置換處理用的溶劑也可以。
從噴嘴41a，吐出由DHF供應源46a供應的DHF。從噴嘴41b，吐出由DIW供應源46b供應的DIW。從噴嘴41c，藉由加熱部47將由IPA供應源46c供應的IPA加熱至比室溫還高的溫度而吐出。
處理單元16更具備下面供應部60。下面供應部60插通至保持部31及支柱部32的中空部321。在下面供應部60的內部形成在上下方向延伸的流路61，在該流路61通過閥門62a及流量調整器63a連接DIW供應源64a。又，該流路61通過閥門62b、加熱部65、流量調整器63b連接至IPA供應源64b。
從DIW供應源64a供應的DIW供應至流路61。又，從IPA供應源64b供應的IPA由加熱部65加熱至比室溫還高的溫度並供應至流路61。
在到此為止說明的處理單元16中，進行利用IPA的晶圓W的乾燥處理。在這裡，實施形態的乾燥處理，以預先設定的旋轉數使晶圓W旋轉，藉由將晶圓W上的IPA甩掉而進行。
圖5為表示IPA乾燥中的晶圓W全體的乾燥時間與晶圓W的圖案坍塌的比例的關係的圖。如圖5所示，得知隨著縮短晶圓W全體的乾燥時間，圖案的坍塌比例降低。
亦即，在IPA乾燥中，藉由縮短乾燥時間，能夠抑制圖案倒塌。這可能是因為藉由縮短IPA的表面張力對形成於晶圓W的圖案作用的時間，能夠抑制圖案倒塌。
圖6為表示實施形態的晶圓W的旋轉數與中心部Wc的乾燥時間、周緣部We的乾燥時間、及晶圓W全體的乾燥時間的關係的圖。如圖6所示，當甩掉晶圓W上的IPA的乾燥處理中的晶圓W的旋轉數為2000(rpm)以下時，周緣部We的乾燥時間與晶圓W全體的乾燥時間一致。
亦即，當晶圓W的旋轉數為2000(rpm)以下時，藉由讓晶圓W上周緣部We最後乾燥，結束乾燥處理。
另一方面，當甩掉晶圓W上的IPA的乾燥處理中的晶圓W的旋轉數比2000(rpm)還大時，中心部Wc的乾燥時間及周緣部We的乾燥時間變得與晶圓W全體的乾燥時間不一致。
亦即，當晶圓W的旋轉數比2000(rpm)還大時，藉由讓晶圓W上中心部Wc及周緣部We以外的處所(亦即中間部Wm)最後乾燥，結束乾燥處理。
如到此為止說明的，在乾燥處理中，藉由以比預先設定的2000(rpm)還大的旋轉數R2使晶圓W旋轉，能夠防止周緣部We最後乾燥。藉此，因為能夠縮短周緣部We的IPA與圖案的接觸時間，能夠抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態中，置換DIW的IPA，以比室溫還高的溫度供應至晶圓W即可。藉此，因為能夠晶圓W上的IPA的乾燥，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
＜各種變形例＞ 　　接著，參照圖7A~圖9說明有關實施形態的各種變形例。圖7A為表示關於參考例中的置換處理與乾燥處理的推移的圖，圖7B為表示關於實施形態的變形例1的置換處理與乾燥處理的推移的圖。
如圖7A所示，參考例中的置換處理，到時間T1為止IPA以預定的供應量S1供應至晶圓W，之後在時間T2供應量成為0。接著，隨著IPA的供應量成為0(亦即，從時間T2開始)晶圓W的旋轉數從旋轉數R1開始增加，藉由在時間T3成為預先設定的旋轉數R2，進行將IPA甩掉的乾燥處理。
亦即，圖7A所示的參考例，在IPA的供應量成為0之後，使基板W以預先設定的旋轉數R2旋轉。
另一方面，如圖7B所示，變形例1的乾燥處理，從比置換處理結束的時間T3a還之前的時間T1a開始，使晶圓W的旋轉數從旋轉數R1增加成旋轉數R2。接著，到晶圓W成為旋轉數R2的時間T2a為止，IPA以預定的供應量S1供應至晶圓W。之後，在時間T3aIPA的供應量成為0。
亦即，圖7B所示的變形例1，在IPA的供應量成為0之前，使晶圓W以預先設定的旋轉數R2旋轉。
圖8為表示關於參考例及變形例1中的在晶圓W的周緣部We的IPA膜厚的推移的圖。此外，在圖8中，晶圓W將成為旋轉數R2的時間(參考例中為時間T3，變形例1中為時間T2a)作為時間0，使圖形一致。
如圖8所示，在上述的參考例中，周緣部We的IPA膜厚到時間T1b以膜厚A2呈大致相同。這是因為從中心部Wc及中間部Wm向周緣部We移動的IPA的量，與從周緣部We甩掉的IPA的量成為略相等。
之後，因為從中心部Wc及中間部Wm向周緣部We移動的IPA的量變少，周緣部We的IPA膜厚開始減少。接著，在時間T3b膜厚成為0，在周緣部We的乾燥處理結束。
另一方面，在變形例1中，能夠使在時間0的周緣部We的IPA膜厚，成為比參考例的膜厚A2還小的膜厚A1。這是因為如同上述，藉由在IPA的供應量成為0之前使晶圓W以預先設定的旋轉數R2旋轉，能夠以更小的IPA膜厚使置換處理結束。
再來，在變形例1，在IPA的供應量成為0之前，藉由使在周緣部We的IPA膜厚成為預先設定的膜厚A以下的膜厚A2，不使IPA膜厚推移成略一致的期間發生，能夠從時間0開始減少周緣部We的IPA膜厚。
這是因為藉由使在周緣部We的IPA膜厚成為預先設定的膜厚A以下，能夠使從中心部Wc及中間部Wm向周緣部We移動的IPA的量成為比從周緣部We甩掉的IPA的量還少。
藉此，如圖8所示，在變形例1中，能夠使在周緣部We的乾燥處理在比參考例還短的時間T2b結束。因此，根據變形例1，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
此外，在變形例1中，藉由適宜調整置換處理與乾燥處理的時機等各種參數，在乾燥工程中，不使晶圓W上的IPA向周緣部We移動，而在該處乾燥也可以。換言之，置換處理結束時，將晶圓W上的IPA膜厚控制成IPA不在晶圓W上移動而在該處乾燥的預定膜厚即可。
藉此，因為能夠在更短的時間使在周緣部We的乾燥處理結束，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態中，因為使在晶圓W的周緣部We的乾燥處理在短時間結束，進行相對於周緣部We促進IPA的乾燥的乾燥促進處理也可以。圖9為表示關於實施形態的變形例2的乾燥促進工程的一例的圖，為將處理單元16中的晶圓W的周緣部We附近擴大的圖。
如圖9所示，藉由將回收罩杯50的上端部50a的形狀加工成預定的形狀(例如，圓弧狀)，沿著該上端部50a使流向周緣部We的氣流100產生。接著，藉由將產生的氣流100吹送至周緣部We，能夠進行周緣部We的乾燥促進處理。
藉此，因為能夠在更短的時間使在周緣部We的乾燥處理結束，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
此外，乾燥促進處理不限於圖9所示之例，例如，藉由將向周緣部We的不活性氣體等的吐出口另外設於處理單元16，使惰性氣體等從該吐出口吐出，進行乾燥促進處理也可以。
又，乾燥促進處理在乾燥處理時使晶圓W的周緣部We升溫也可以。例如，藉由從下面供應部60通過流路61使比室溫還高溫度的IPA吐出至對應晶圓W的周緣部We的裏面側，能夠將晶圓W的周緣部We升溫。再來，藉由在周緣部We的附近另外設置加熱器，將晶圓W的周緣部We升溫也可以。
＜基板處理的順序＞ 　　接著，參照圖10，說明關於實施形態的基板處理的順序。圖10為表示執行基板處理系統1的基板處理的順序的流程圖。
如圖10所示，在處理單元16中，首先，進行搬入處理(步驟S101)。在搬入處理中，控制部18控制基板搬送裝置17，使晶圓W搬入處理單元16的腔室20內。晶圓W以將進行基板處理的表面朝向上方的狀態保持於保持構件311。之後，控制部18控制驅動部33，使基板保持機構30以預定的旋轉數(例如，旋轉數R1)旋轉。
接著，在處理單元16中，進行藥液處理(步驟S102)。在藥液處理中，控制部18使處理流體供應部40的噴嘴41a向晶圓W的中央上方移動。之後，控制部18藉由將閥門44a預定時間開放，對晶圓W的表面供應藥液DHF。
被供應至晶圓W的表面的DHF，藉由伴隨著晶圓W旋轉的離心力而在晶圓W的表面全體擴散。藉此，在晶圓W形成的自然氧化膜被DHF除去。
接著，在處理單元16中，進行處理液供應處理(步驟S103)。在處理液供應處理中，控制部18使處理流體供應部40的噴嘴41b向晶圓W的中央上方移動，藉由將閥門44b在預定時間開放，對晶圓W的表面供應處理液DIW。
被供應至晶圓W的表面的DIW，藉由伴隨著晶圓W旋轉的離心力而在晶圓W的表面全體擴散。藉此，在晶圓W表面殘留的DHF由DIW除去。此外，在處理液供應處理中，也對晶圓W的裏面，從下面供應部60通過流路61供應DIW也可以。
接著，在處理單元16中，進行置換處理(步驟S104)。在置換處理中，控制部18使處理流體供應部40的噴嘴41c向晶圓W的中央上方移動，藉由將閥門44c在預定時間開放，對晶圓W的表面供應溶劑IPA。
被供應至晶圓W的表面的IPA，藉由伴隨著晶圓W旋轉的離心力而在晶圓W的表面全體擴散。藉此，在晶圓W表面殘留的DIW被置換成IPA。此外，在該置換處理時，控制部18使加熱部47動作，將IPA升溫至比室溫還高的溫度後供應至晶圓W也可以。
接著，在處理單元16中，進行使晶圓W乾燥的乾燥處理(步驟S105)。在乾燥處理中，例如，控制部18藉由控制驅動部33使基板保持機構30以預先設定的旋轉數R2旋轉，將保持於保持構件311的晶圓W上的IPA甩掉。
又，與該乾燥處理並行，在處理單元16中，進行使在晶圓W的周緣部We的IPA的乾燥促進的乾燥促進處理(步驟S106)。在該乾燥促進處理中，例如，藉由將回收罩杯50的上端部50a加工成預定的形狀，向周緣部We吹送氣流100。
之後，在處理單元16中，進行搬出處理(步驟S107)。在搬出處理中，控制部18控制驅動部33，在使晶圓W的旋轉停止後，控制基板搬送裝置17，使晶圓W從處理單元16搬出。結束該搬出處理後，就1枚的晶圓W的一連的基板處理結束。
以上雖就本發明的實施形態進行說明，但本發明並不限於上述實施形態，只要不脫離本發明要旨的範圍可以進行各種變更。例如，在實施形態中，作為乾燥促進處理，雖示出將回收罩杯50的形狀加工成預定的形狀、或在處理單元16另外設置不活性氣體等的吐出口、將晶圓W的周緣部We升溫等，但作為乾燥促進處理同時進行上述複數的手法也可以。
實施形態的基板處理方法包含：處理液供應工程(步驟S103)、置換工程(步驟S104)、乾燥工程(步驟S105)。處理液供應工程(步驟S103)在保持水平的基板(晶圓W)上供應處理液(DIW)。置換工程(步驟S104)將供應至基板(晶圓W)上的處理液(DIW)，置換成表面張力比處理液(DIW)還低的溶劑(IPA)。乾燥工程(步驟S105)以預先設定的旋轉數R2將基板(晶圓W)上的溶劑(IPA)甩掉，使得溶劑(IPA)在位於基板(晶圓W)的中心部Wc與周緣部We之間的中間部Wm最後乾掉。藉此，能夠抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態的基板處理方法中，置換工程(步驟S104)，在溶劑(IPA)的供應量成為0之前，使周緣部We的溶劑(IPA)的膜厚成為預先設定的膜厚A以下。藉此，因為能夠不使IPA膜厚以一定推移的期間產生，從乾燥處理開始時使周緣部We的IPA膜厚減少，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態的基板處理方法中，置換工程(步驟S104)，在溶劑(IPA)的供應量成為0之前，使基板(晶圓W)以預先設定的旋轉數R2旋轉。藉此，因為能夠使乾燥處理開始時的周緣部We的IPA膜厚變薄，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態的基板處理方法中，乾燥工程(步驟S105)，使在周緣部We乾燥的溶劑(IPA)的量，比向周緣部We移動的溶劑(IPA)的量還多。藉此，因為能夠不使IPA膜厚以一定推移的期間產生，從乾燥處理開始時使周緣部We的IPA膜厚減少，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態的基板處理方法中，乾燥工程(步驟S105)，不使溶劑(IPA)向周緣部We移動，而在該處乾燥。藉此，因為能夠在更短的時間使在周緣部We的乾燥處理結束，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態的基板處理方法中，更包含促進在周緣部We的溶劑(IPA)的乾燥的乾燥促進工程(步驟S106)。藉此，因為能夠在更短的時間使在周緣部We的乾燥處理結束，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態的基板處理方法中，乾燥促進工程(步驟S106)向周緣部We吹送氣流100。藉此，因為能夠在更短的時間使在周緣部We的乾燥處理結束，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態的基板處理方法中，乾燥促進工程(步驟S106)，使周緣部We升溫。藉此，因為能夠在更短的時間使在周緣部We的乾燥處理結束，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態的基板處理方法中，置換工程(步驟S104)，以比室溫更高溫度的溶劑(IPA)將處理液(DIW)置換。藉此，因為能夠促進晶圓W上的IPA的乾燥，能夠更加抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
又，在實施形態的基板處理裝置，具備：處理液供應部(噴嘴41b)、置換部(噴嘴41c)、乾燥部(基板保持機構30)。處理液供應部(噴嘴41b)在保持水平的基板(晶圓W)上供應處理液(DIW)。置換部(噴嘴41c)將供應至基板(晶圓W)上的處理液(DIW)，置換成表面張力比處理液(DIW)還低的溶劑(IPA)。乾燥部(基板保持機構30)，以預先設定的旋轉數R2將基板(晶圓W)上的溶劑(IPA)甩掉，使得溶劑(IPA)在位於基板(晶圓W)的中心部Wc與周緣部We之間的中間部Wm最後乾掉。藉此，能夠抑制在晶圓W的周緣部We的圖案倒塌。
更好的效果或變形例該技術領域的通常知識者可輕易導出。因此，比本發明更廣範的態樣並不限於如以上所示且記述的特定的詳細及代表的實施形態。因此，在不脫離由申請專利範圍及其均等的範圍所定義的概括的發明的概念的精神或範圍的前提下，可進行各種變更。
W‧‧‧晶圓
Wc‧‧‧中心部
We‧‧‧周緣部
Wm‧‧‧中間部
1‧‧‧基板處理系統
16‧‧‧處理單元
30‧‧‧基板保持機構
41a、41b、41c‧‧‧噴嘴
100‧‧‧氣流
[圖1]圖1為表示實施形態的基板處理的概要的圖。 　　[圖2]圖2為表示實施形態的基板處理系統的概略構成的示意圖。 　　[圖3]圖3為表示處理單元的構成的示意圖。 　　[圖4]圖4為表示處理單元的具體構成例的示意圖。 　　[圖5]圖5為表示IPA乾燥中的晶圓全體的乾燥時間與晶圓的圖案坍塌的比例的關係的圖。 　　[圖6]圖6為表示實施形態的晶圓的旋轉數與中心部的乾燥時間、周緣部的乾燥時間、及晶圓全體的乾燥時間的關係的圖。 　　[圖7A]圖7A為表示關於參考例中的置換處理與乾燥處理的推移的圖。 　　[圖7B]圖7B為表示關於實施形態的變形例1的置換處理與乾燥處理的推移的圖。 　　[圖8]圖8為表示關於參考例及變形例1中的在晶圓的周緣部的IPA膜厚的推移的圖。 　　[圖9]圖9為表示關於實施形態的變形例2的乾燥促進工程的一例的圖。 　　[圖10]圖10為表示基板處理系統執行的基板處理的順序的流程圖。

Claims (10)

  1. 一種基板處理方法，包含：在保持水平的基板上供應處理液的處理液供應工程； 　　將供應至前述基板上的前述處理液，置換成表面張力比前述處理液還低的溶劑的置換工程； 　　以預先設定的旋轉數將前述基板上的前述溶劑甩掉，使得前述溶劑在位於前述基板的中心部與周緣部之間的中間部最後乾掉的乾燥工程。
  2. 如請求項1所記載的基板處理方法，其中，前述置換工程，在前述溶劑的供應量成為0之前，使在前述周緣部的前述溶劑的膜厚成為預先設定的膜厚以下。
  3. 如請求項1或2所記載的基板處理方法，其中，前述置換工程，在前述溶劑的供應量成為0之前，使前述基板以預先設定的前述旋轉數旋轉。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載的基板處理方法，其中，前述乾燥工程，使在前述周緣部乾燥的前述溶劑的量，比向前述周緣部移動的前述溶劑的量還多。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載的基板處理方法，其中，前述乾燥工程，不使前述溶劑向前述周緣部移動，而在該處乾燥。
  6. 如請求項1至3中任一項所記載的基板處理方法，更包含：促進在前述周緣部的前述溶劑的乾燥的乾燥促進工程。
  7. 如請求項6所記載的基板處理方法，其中，前述乾燥促進工程，對前述周緣部吹送氣流。
  8. 如請求項6所記載的基板處理方法，其中，前述乾燥促進工程，將前述周緣部升溫。
  9. 如請求項1至3中任一項所記載的基板處理方法，前述置換工程，以比室溫還高的溫度的前述溶劑來置換前述處理液。
  10. 一種基板處理裝置，包含：在保持水平的基板上供應處理液的處理液供應部； 　　將供應至前述基板上的前述處理液，置換成表面張力比前述處理液還低的溶劑的置換部； 　　以預先設定的旋轉數將前述基板上的前述溶劑甩掉，使得前述溶劑在位於前述基板的中心部與周緣部之間的中間部最後乾掉的乾燥部。
TW107125282A 2017-08-04 2018-07-23 基板處理方法及基板處理裝置 TWI756451B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017151488A JP6979826B2 (ja) 2017-08-04 2017-08-04 基板処理方法および基板処理装置
JP2017-151488 2017-08-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201911395A true TW201911395A (zh) 2019-03-16
TWI756451B TWI756451B (zh) 2022-03-01

Family

ID=65229835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107125282A TWI756451B (zh) 2017-08-04 2018-07-23 基板處理方法及基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11069520B2 (zh)
JP (1) JP6979826B2 (zh)
KR (1) KR102613396B1 (zh)
CN (1) CN109390211B (zh)
TW (1) TWI756451B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7241568B2 (ja) * 2019-03-04 2023-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102240924B1 (ko) * 2019-07-18 2021-04-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 회전 어셈블리

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW386235B (en) * 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
JP3402932B2 (ja) * 1995-05-23 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法及びその装置
JP4762098B2 (ja) * 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7964042B2 (en) * 2007-07-30 2011-06-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5188216B2 (ja) * 2007-07-30 2013-04-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5139844B2 (ja) * 2008-03-04 2013-02-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5192853B2 (ja) * 2008-03-06 2013-05-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US20110289795A1 (en) * 2010-02-16 2011-12-01 Tomoatsu Ishibashi Substrate drying apparatus, substrate drying method and control program
JP5278469B2 (ja) * 2011-03-03 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
JP5813495B2 (ja) * 2011-04-15 2015-11-17 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置および記憶媒体
JP5820709B2 (ja) * 2011-11-30 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置
JP5632860B2 (ja) * 2012-01-05 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
JP6317547B2 (ja) * 2012-08-28 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6131162B2 (ja) * 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5486708B2 (ja) * 2013-02-28 2014-05-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6199155B2 (ja) * 2013-10-30 2017-09-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 犠牲膜除去方法および基板処理装置
JP6454245B2 (ja) * 2014-10-21 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6444698B2 (ja) 2014-11-17 2018-12-26 東芝メモリ株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2016127080A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6521242B2 (ja) * 2015-06-16 2019-05-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6573520B2 (ja) * 2015-09-29 2019-09-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6419053B2 (ja) * 2015-10-08 2018-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP6466315B2 (ja) * 2015-12-25 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
US20190043739A1 (en) 2019-02-07
KR20190015127A (ko) 2019-02-13
CN109390211A (zh) 2019-02-26
TWI756451B (zh) 2022-03-01
CN109390211B (zh) 2023-09-15
US11069520B2 (en) 2021-07-20
KR102613396B1 (ko) 2023-12-14
JP2019033111A (ja) 2019-02-28
JP6979826B2 (ja) 2021-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102640367B1 (ko) 기판 처리 방법 및 열처리 장치
JP5681560B2 (ja) 基板乾燥方法及び基板処理装置
JP6404189B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
KR102584337B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR102426272B1 (ko) 액 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
JP5099054B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
KR101864001B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2011166088A (ja) 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP2017157800A (ja) 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体
JP2015041727A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201911395A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7336306B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6917807B2 (ja) 基板処理方法
JP7292120B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7090468B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5726636B2 (ja) 液処理装置、液処理方法
JP7143465B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7138493B2 (ja) 基板液処理方法、記憶媒体および基板液処理装置
JP2005217282A (ja) 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
JP2011049353A (ja) 塗布膜形成方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム