CN109390211B - 基片处理方法和基片处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基片处理方法和基片处理装置，其能够抑制晶片的周缘部的图案倒线。实施方式的基片处理方法包括处理液供给工序、置换工序和干燥工序。处理液供给工序向保持为水平的基片上供给处理液。置换工序向基片上供给表面张力比处理液低的溶剂来将已被供给到基片上的处理液置换为溶剂。干燥工序按预先所设定的转速将基片上的上述溶剂甩掉，上述转速是以使溶剂在位于基片的中心部与周缘部之间中间部最后干燥的方式设定的。

Description

基片处理方法和基片处理装置
技术领域
本发明公开的实施方式涉及基片处理方法和基片处理装置。
背景技术
一直以来，在半导体的制造工序中，在利用药液处理了半导体晶片(以下也称为晶片。)等的基片之后，进行利用冲洗液除去该药液的处理。并且，为了使该冲洗液干燥，进行利用挥发性的IPA(Iso Propyl Alcohol：异丙醇)置换晶片表面的冲洗液然后甩掉的干燥处理(以下也称为IPA干燥。)(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-96317号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
然而，在现有的IPA干燥中，形成在晶片的图案因IPA的表面张力而损坏的现象(以下也称为图案倒线(Pattern collapse)。)，尤其在晶片的周缘部产生。
实施方式的一个方式是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够抑制晶片的周缘部的图案倒线的基片处理方法和基片处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一个方式的基片处理方法包括处理液供给工序、置换工序和干燥工序。上述处理液供给工序向保持为水平的基片上供给处理液。上述置换工序向上述基片上供给表面张力比上述处理液低的溶剂来将已被供给到上述基片上的上述处理液置换为上述溶剂。上述干燥工序按预先所设定的转速将上述基片上的上述溶剂甩掉，上述转速是以使上述溶剂在位于上述基片的中心部与周缘部之间中间部最后干燥的方式设定的。
发明效果
根据实施方式的一个方式，能够抑制晶片的周缘部的图案倒线(损坏)。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理的概要的图。
图2是表示实施方式的基片处理系统的概略构成的示意图。
图3是表示处理部的构成的示意图。
图4是表示处理部的具体的构成例的示意图。
图5是表示IPA干燥中的晶片整体的干燥时间与晶片的图案倒线的比例的关系的图。
图6是表示实施方式的晶片的转速与中心部的干燥时间、周缘部的干燥时间以及晶片整体的干燥时间的关系的图。
图7A是表示参考例中的置换处理和干燥处理的演进的图。
图7B是表示实施方式的变形例1的置换处理和干燥处理的演进的图。
图8是表示参考例和变形例1中的晶片的周缘部的IPA膜厚的演进的图。
图9是表示实施方式的变形例2的干燥促进工序的一例的图。
图10是表示基片处理系统执行的基片处理的顺序的流程图。
附图标记说明
W 晶片
Wc 中心部
We 周缘部
Wm 中间部
1 基片处理系统
16 处理部
30 基片保持机构
41a、41b、41c 喷嘴
100 气流。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明公开的基片处理方法和基片处理装置的实施方式进行详细说明。此外，本发明不限于以下所示的实施方式。
<基片处理的概要>
首先，参照图1，说明基片处理系统1(图2参照)中的基片处理的概要。图1是表示实施方式的基片处理的概要的图。
如图1的(a)所示进行置换处理，即：向被供给了作为处理液的DIW的半导体晶片W(以下也称为晶片W。)的表面供给比该DIW的表面张力低的溶剂即IPA，用IPA置换晶片W上的DIW。此外，该置换处理是一边使晶片W以作为较低转速的转速R1旋转一边来进行的。
接着，如图1的(b)所示，使晶片W以比转速R1高的转速R2旋转，由此来进行将晶片W上的IPA甩掉的干燥工序。该干燥工序中，在晶片W上的IPA中、晶片W的中心部Wc最先干燥。
而且，在实施方式的干燥工序中，如图1的(c)所示，使晶片W以预先设定的转速R2旋转，使位于晶片W的周缘部We的IPA比位于晶片W的中间部Wm的IPA更快干燥。其中，该中间部Wm是位于晶片W的中心部Wc和周缘部We之间的部位。
并且使晶片W以预先设定的转速R2旋转，由此如图1的(d)所示，残留于晶片W的中间部Wm的IPA最后干燥，晶片W整体的干燥结束。
由此，能够缩短晶片W的周缘部We中的IPA和图案的接触时间。所以，能够缩短IPA的表面张力作用于形成在周缘部We的图案的时间，所以，能够抑制晶片W的周缘部We中的图案倒线。
<基片处理系统的概要>
接着，参照图2说明实施方式的基片处理系统1的概略构成。图2是表示实施方式的基片处理系统1的概略构成的图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，令Z轴正方向为铅垂向上方向。
如图2所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻地设置。
送入送出站2包括载体载置部11和运送部12。在载体载置部11载置有将多个基片、在实施方式中为晶片W以水平状态收纳的多个载体C。
运送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基片运送装置13和交接部14。基片运送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且能够以铅垂轴为中心进行旋转，利用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的运送。
处理站3与运送部12相邻地设置。处理站3包括运送部15和多个处理部16。多个处理部16在运送部15的两侧排列设置。
运送部15在内部包括基片运送装置17。基片运送装置17包括保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置17能够在水平方向和铅垂方向上进行移动和能够以铅垂轴为中心进行旋转，利用晶片保持机构在交接部14与处理部16之间进行晶片W的运送。
处理部16对由基片运送装置17运送来的晶片W进行规定的基片处理。
另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19中收纳有控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取被存储在存储部19中的程序并执行该程序，来控制基片处理系统1的动作。
此外，该程序可以是记录在由计算机能够读取的存储介质中的程序，可以从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质例如包括硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘(MO)、存储卡等。
在如上述方式构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片运送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将所取出的晶片W载置到交接部14。载置于交接部14的晶片W被处理站3的基片运送装置17从交接部14取出，送入到处理部16。
被送入到处理部16的晶片W在被处理部16处理后，被基片运送装置17从处理部16送出，载置在交接部14。然后，载置于交接部14的处理过的晶片W通过基片运送装置13被返回到载体载置部11的载体C。
<处理部的概要>
接着，参照图3说明处理部16的概要。图3是表示处理部16的构成的示意图。如图3所示，处理部16包括腔室20、基片保持机构30、处理流体供给部40和回收罩50。此外，基片保持机构30是干燥部的一例。
腔室20收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收罩50。在腔室20的顶棚部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU21向腔室20内形成下降流。
基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31水平地保持晶片W。支柱部32是在铅垂方向上延伸的部件，基端部由驱动部33可旋转地支承，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。
该基片保持机构30利用驱动部33使支柱部32旋转，由此使被支柱部32所支承的保持部31旋转，由此，使被保持部31所保持的晶片W旋转。
处理流体供给部40对晶片W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收罩50以包围保持部31的方式配置，收集(捕集)由于保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收罩50的底部形成有排液口51，由回收罩50所收集的处理液被从该排液口51排出到处理部16的外部。另外，在回收罩50的底部形成有将从FFU21供给的气体向处理部16的外部排出的排气口52。
接着，参照图4说明处理部16的具体的构成例。图4是表示处理部16的具体的构成例的示意图。
如图4所示，基片保持机构30所具有的保持部31的上表面设置有从侧面保持晶片W的保持部件311。通过该保持部件311将晶片W以从保持部31的上表面稍微离开的状态水平地保持。此外，晶片W以进行基片处理的表面朝向上方的状态被保持部31保持。
处理流体供给部40包括：多个(这里为3个)喷嘴41a、41b、41c；将这些喷嘴41a、41b、41c水平地支承的臂42；以及使臂42旋转和升降的旋转升降机构43。
喷嘴41a经由阀44a和流量调整器45a与DHF供给源46a连接。在DHF供给源46a例如储存有DHF(Diluted HydroFluoric acid：稀释的氢氟酸)等的处理晶片W的药液。
喷嘴41b经由阀44b和流量调整器45b与DIW供给源46b连接。DIW(DeIonizedWater：脱离子水)是处理液的一例，例如用于处理液供给处理(以下也称为冲洗处理。)。此外，喷嘴41b是处理液供给部的一例。
喷嘴41c经由阀44c、加热部47和流量调整器45c与IPA供给源46c连接。IPA是表面张力比处理液低的溶剂的一例，例如用于置换处理。此外，喷嘴41c是置换部的一例。
此外，冲洗处理所使用的处理液不限于上述DIW，只要能够将药液成分从晶片W上除去，可以使用其他种类的处理液。另外，用于置换处理的溶剂不限于IPA。
例如，可以将甲醇、乙醇、环己酮、丙酮、四氢呋喃、PGMEA(丙二醇-1-单甲醚乙酸酯)或NMP(N-甲基吡咯烷酮)等、表面张力比处理液低的溶剂用于置换处理用的溶剂。
从喷嘴41a排出由DHF供给源46a供给的DHF。从喷嘴41b排出由DIW供给源46b供给的DIW。由IPA供给源46c供给的IPA被加热部47加热至比室温高的温度而从喷嘴41c排出。
处理部16还包括下面供给部60。下面供给部60被插入在保持部31和支柱部32的中空部321。在下面供给部60的内部形成有在上下方向上延伸的流路61，该流路61经由阀62a和流量调整器63a与DIW供给源64a连接。另外，该流路61经阀62b、加热部65和流量调整器63b与IPA供给源64b连接。
从DIW供给源64a供给的DIW被供给到流路61。另外，从IPA供给源64b供给的IPA被加热部65加热至比室温高的温度然后供给到流路61。
在此说明的处理部16中，进行使用IPA的晶片W的干燥处理。在此，实施方式的干燥处理，通过使晶片W以预先设定的转速旋转，将晶片W上的IPA甩掉来进行。
图5是表示IPA干燥中的晶片W整体的干燥时间和晶片W的图案倒线的比例的关系的图。如图5所示，可知随着使晶片W整体的干燥时间缩短，而图案的倒线比例降低。
即，在IPA干燥中，通过缩短干燥时间，能够抑制图案倒线。这被认为是因为，通过缩短IPA的表面张力作用在形成于晶片W的图案的时间，能够抑制图案倒线(损坏)。
图6是表示实施方式的晶片W的转速和中心部Wc的干燥时间、周缘部We的干燥时间和晶片W整体的干燥时间的关系的图。如图6所示，将晶片W上的IPA甩掉的干燥处理中的晶片W的转速在2000(rpm)以下时，周缘部We的干燥时间和晶片W整体的干燥时间一致。
即，在晶片W的转速在2000(rpm)以下时，在晶片W上周缘部We最后进行干燥，由此干燥处理结束。
另一方面，在将晶片W上的IPA甩掉的干燥处理中的晶片W的转速比2000(rpm)大时，中心部Wc的干燥时间和周缘部We的干燥时间与晶片W整体的干燥时间不一致。
即，在晶片W的转速比2000(rpm)大时，在晶片W上中心部Wc和周缘部We以外的部位、即中间部Wm最后干燥，从而干燥处理结束。
如至此所说明的那样，在干燥处理中，使晶片W以比预先设定的2000(rpm)大的转速R2旋转，能够防止周缘部We最后干燥。由此，能够缩短周缘部We中的IPA和图案的接触时间，所以能够抑制晶片W的周缘部We中的图案倒线(损坏)。
另外，在实施方式中，与DIW置换的IPA可以以比室温高的温度供给到晶片W。由此，能够促进晶片W上的IPA的干燥，所以，能够进一步抑制晶片W的周缘部We中的图案倒线。
<各种变形例>
接着，参照图7A～图9说明实施方式的各种变形例。图7A是表示参考例中的置换处理和干燥处理的演进的图，图7B是表示实施方式的变形例1的置换处理和干燥处理的演进的图。
如图7A所示，在参考例中的置换处理中，至时间T1为止IPA以规定的供给量S1被供给到晶片W，之后，在时间T2供给量成为零。然后，IPA的供给量成为零并且(即，从时间T2开始)使晶片W的转速从转速R1增加，在时间T3成为预先设定的转速R2，由此，进行将IPA甩掉的干燥处理。
即，图7A所示的参考例，在IPA的供给量成为零之后，使晶片W以预先所设定的转速R2旋转。
另一方面，如图7B所示，变形例1的干燥处理，从比置换处理结束的时间T3a靠前的时间T1a，使晶片W的转速从转速R1增加至转速R2。而且，至晶片W成为转速R2的时间T2a为止，IPA以规定的供给量S1被供给到晶片W。之后，在时间T3a，IPA的供给量成为零。
即，图7B所示的变形例1，在IPA的供给量成为零之前，使晶片W以预先所设定的转速R2旋转。
图8是表示参考例和变形例1中的晶片W的周缘部We的IPA膜厚的演进的图。此外，在图8中，使在晶片W成为转速R2的时间(参考例中为时间T3，在变形例1中为时间T2a)为时间零，将图表对齐。
如图8所示，在上述的参考例中，周缘部We的IPA膜厚至时间T1b为止大致固定为膜厚A2。这是因为，从中心部Wc和中间部Wm向周缘部We移动的IPA的量和从周缘部We甩掉的IPA的量大致相等。
之后，从中心部Wc和中间部Wm向周缘部We移动的IPA的量变少，由此，周缘部We的IPA膜厚开始减少。然后，在时间T3b膜厚成为零，在周缘部We中的干燥处理结束。
另一方面，在变形例1中，能够使在时间零时的周缘部We的IPA膜厚为比参考例的膜厚A2小的膜厚A1。这是因为，如上述所述，通过在IPA的供给量成为零之前使晶片W以预先设定的转速R2旋转，能够以更小的IPA膜厚使置换处理完成。
并且，在变形例1中，在IPA的供给量成为零之前，使在周缘部We的IPA膜厚为作为预先设定的膜厚A以下的膜厚A2，由此，能够不产生IPA膜厚大致固定(一定)地演进的期间、从时间零开始就减少周缘部We的IPA膜厚。
其原因在于，通过使周缘部We中的IPA膜厚为预先设定的膜厚A以下，能够使从中心部Wc和中间部Wm向周缘部We移动的IPA的量比从周缘部We甩掉的IPA的量少。
由此，如图8所示，在变形例1中，能够使在周缘部We的干燥处理以比参考例短的时间T2b完成。所以，根据变形例1，能够进一步抑制晶片W的在周缘部We中的图案倒线。
此外，在变形例1中，通过适当地调整置换处理和干燥处理的时间等的各种参数，在干燥工序中，可以使晶片W上的IPA在该IPA的位置干燥而不使其向周缘部We移动。换言之，当置换处理完成时，将晶片W上的IPA膜厚控制为IPA在晶片W上没有移动而在该IPA的位置干燥的规定的膜厚。
由此，能够在更短的时间完成在周缘部We的干燥处理，所以，能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，在实施方式中，为了使晶片W的周缘部We的干燥处理以较的短时间完成，可以对周缘部We进行促进IPA的干燥的干燥促进处理。图9是表示实施方式的变形例2的干燥促进工序的一例的图，是将处理部16中的晶片W的周缘部We附近放大的图。
如图9所示，通过将回收罩50中的上端部50a的形状加工为规定的形状(例如圆弧状)，来产生沿着该上端部50a在周缘部We流动的气流100。而且，通过将所产生的气流100吹送到周缘部We，能够进行对周缘部We的干燥促进处理。
由此，能够在更短的时间使在周缘部We的干燥处理完成，因此能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
此外，干燥促进处理不限于图9所示的例子，例如，可以在处理部16另外设置向周缘部We的不活泼性气体等的排出口，从该排出口排出不活泼性气体等来进行干燥促进处理。
另外，干燥促进处理可以在干燥处理时使晶片W的周缘部We升温。例如，从下面供给部60经由流路61将温度比室温高的IPA排出到与晶片W的周缘部We对应的背面侧，能够使晶片W的周缘部We升温。此外，也可以在周缘部We的附近另外设置加热器，使晶片W的周缘部We升温。
<基片处理的顺序>
接着，参照图10说明实施方式的基片处理的顺序。图10是表示基片处理系统1执行的基片处理的顺序的流程图。
如图10所示，在处理部16中，首先，进行送入处理(步骤S101)。在送入处理中，控制部18控制基片运送装置17，将晶片W送入到处理部16的腔室20内。晶片W以要被进行基片处理的表面朝向上方的状态被保持在保持部件311。之后，控制部18控制驱动部33，使基片保持机构30以规定的转速(例如，转速R1)旋转。
接着，在处理部16中，进行药液处理(步骤S102)。在药液处理中，控制部18使处理流体供给部40的喷嘴41a移动到晶片W的中央上方。之后，控制部18使阀44a开放规定时间，由此对晶片W的表面供给作为药液的DHF。
供给到晶片W的表面的DHF，通过伴随晶片W的旋转的离心力而扩展到晶片W的表面整体。由此，形成在晶片W的自然氧化膜被DHF除去。
接着，在处理部16中，进行处理液供给处理(步骤S103)。在处理液供给处理中，控制部18使处理流体供给部40的喷嘴41b移动到晶片W的中央上方，通过将阀44b开放规定时间，向晶片W的表面供给作为处理液的DIW。
供给到晶片W的表面的DIW通过伴随晶片W的旋转的离心力扩展到晶片W的表面整体。由此，剩余在晶片W的表面的DHF被DIW除去。此外，在处理液供给处理中，也可以从下面供给部60经由流路61向晶片W的背面供给DIW。
接着，在处理部16中，进行置换处理(步骤S104)。在置换处理中，控制部18使处理流体供给部40的喷嘴41c移动到晶片W的中央上方，通过将阀44c开放规定时间，向晶片W的表面供给作为溶剂的IPA。
供给到晶片W的表面的IPA通过伴随晶片W的旋转的离心力扩展到晶片W的表面整体。由此，剩余在晶片W的表面的DIW被置换为IPA。此外，在该置换处理时，控制部18使加热部47工作，可以将IPA升温至比室温高的温度后供给到晶片W。
接着，在处理部16中，进行使晶片W干燥的干燥处理(步骤S105)。在干燥处理中，例如，控制部18控制驱动部33使基片保持机构30以预先设定的转速R2旋转，由此，将被保持部件311保持的晶片W上的IPA甩掉。
另外，与该干燥处理并行地，在处理部16中进行促进晶片W的周缘部We的IPA的干燥的干燥促进处理(步骤S106)。该干燥促进处理中，例如，通过将回收罩50的上端部50a加工为规定的形状，向周缘部We吹送气流100。
之后，在处理部16中，进行送出处理(步骤S107)。在送出处理中，控制部18控制驱动部33，使晶片W的旋转停止后，控制基片运送装置17将晶片W从处理部16送出。该送出处理完成时，对一个晶片W的一系列的基片处理结束。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式，只要不脱离其主旨就能够进行各种变更。例如，在实施方式中，作为干燥促进处理，例示了将回收罩50的形状加工为规定的形状、在处理部16另外设置不活泼性气体等的排出口、将晶片W的周缘部We升温等，但是，作为干燥促进处理可以同时进行上述的多个方法。
实施方式的基片处理方法包括处理液供给工序(步骤S103)、置换工序(步骤S104)和干燥工序(步骤S105)。处理液供给工序(步骤S103)中，向保持为水平的基片(晶片W)上供给处理液(DIW)。置换工序(步骤S104)中，向基片上供给表面张力比处理液(DIW)低的溶剂(IPA)，将已被供给到基片(晶片W)上的处理液(DIW)置换为溶剂(IPA)。干燥工序(步骤S105)中，按预先所设定的转速R2将基片(晶片W)上的溶剂(IPA)甩掉，上述转速R2是以使溶剂(IPA)在位于基片(晶片W)的中心部Wc与周缘部We之间的中间部Wm最后干燥的方式设定的。由此，能够抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，在实施方式的基片处理方法中，置换工序(步骤S104)在溶剂(IPA)的供给量成为零之前，使周缘部We中的溶剂(IPA)的膜厚在预先所设定的膜厚A以下。由此，能够不产生IPA膜厚固定(一定)地演进的期间、从干燥处理开始时就使周缘部We的IPA膜厚减少，因此能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，在实施方式的基片处理方法中，置换工序(步骤S104)在溶剂(IPA)的供给量成为零之前，使基片(晶片W)以预先所设定的转速R2旋转。由此，能够减薄干燥处理开始时的周缘部We的IPA膜厚，所以能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，在实施方式的基片处理方法中，干燥工序(步骤S105)使在周缘部We干燥的溶剂(IPA)的量比向周缘部We移动的溶剂(IPA)的量多。由此，能够不产生IPA膜厚固定(一定)地演进的期间、从干燥处理开始时就使周缘部We的IPA膜厚减少，因此能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，在实施方式的基片处理方法中，干燥工序(步骤S105)使溶剂(IPA)在该溶剂(IPA)的位置干燥，而不使溶剂(IPA)向周缘部We移动。由此，能够在更短的时间内使在周缘部We的干燥处理结束，能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，实施方式的基片处理方法还包括促进在周缘部We的溶剂(IPA)的干燥的干燥促进工序(步骤S106)。由此，能够以更短的时间使周缘部We中的干燥处理完成，能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，在实施方式的基片处理方法中，干燥促进工序(步骤S106)对周缘部We吹送气流100。由此，能够以更短的时间使周缘部We的干燥处理完成，因此能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，在实施方式的基片处理方法中，干燥促进工序(步骤S106)使周缘部We升温。由此，能够以更短的时间使周缘部We的干燥处理完成，能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，在实施方式的基片处理方法中，置换工序(步骤S104)利用温度比室温高的溶剂(IPA)置换处理液(DIW)。由此，能够促进晶片W上的IPA的干燥，因此能够进一步抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
另外，实施方式的基片处理装置包括处理液供给部(喷嘴41b)、置换部(喷嘴41c)和干燥部(基片保持机构30)。处理液供给部(喷嘴41b)向保持为水平的基片(晶片W)上供给处理液(DIW)。置换部(喷嘴41c)向基片(晶片W)上供给表面张力比处理液(DIW)低的溶剂(IPA)，来将已被供给到基片(晶片W)上的处理液(DIW)置换为溶剂(IPA)。干燥部(基片保持机构30)按预先所设定的转速R2将基片(晶片W)上的溶剂(IPA)甩掉，上述转速R2是以溶剂(IPA)在位于基片(晶片W)的中心部Wc与周缘部We之间的中间部Wm最后干燥的方式设定的。由此，能够抑制晶片W的周缘部We的图案倒线。
进一步的效果和变形例，能够由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更广泛的方式，不限于如以上所表示和记载的特定的详细内容和代表性的实施方式。所以，在不脱离附加的专利申请的范围和由其等效范围定义的概括的发明的概念精神或范围的情况下，能够进行各种变更。

Claims (9)

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
向保持为水平的基片上供给处理液的处理液供给步骤；
置换步骤，向所述基片上供给表面张力比所述处理液低的溶剂来将已被供给到所述基片上的所述处理液置换为所述溶剂；和
干燥步骤，按照预先所设定的转速将所述基片上的所述溶剂甩掉，其中，所述转速是以使所述溶剂在位于所述基片的中心部与周缘部之间的中间部中最后干燥的方式设置的，
在所述置换步骤中，在所述溶剂的供给量成为零之前，使所述周缘部的所述溶剂的膜厚为预先所设定的膜厚以下，以使得在按照预先所设定的所述转速将所述基片上的所述溶剂甩掉时不产生所述周缘部的所述溶剂的膜厚固定不变地演进的期间。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述置换步骤中，在所述溶剂的供给量成为零之前，使所述基片以预先所设定的所述转速旋转。
3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述干燥步骤中，使在所述周缘部干燥的所述溶剂的量比向所述周缘部移动的所述溶剂的量多。
4.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述干燥步骤中，使所述溶剂在该溶剂的位置干燥而不使其向所述周缘部移动。
5.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括促进在所述周缘部的所述溶剂的干燥的干燥促进步骤。
6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述干燥促进步骤中向所述周缘部吹送气流。
7.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述干燥促进步骤中使所述周缘部升温。
8.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述置换步骤中用温度比室温高的所述溶剂置换所述处理液。
9.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
向保持为水平的基片上供给处理液的处理液供给部；和
置换部，其向所述基片上供给表面张力比所述处理液低的溶剂来将已被供给到所述基片上的所述处理液置换为所述溶剂；和
干燥部，其按照预先所设定的转速将所述基片上的所述溶剂甩掉，其中，所述转速是以使所述溶剂在位于所述基片的中心部与周缘部之间的中间部最后干燥的方式设置的，
所述置换部在所述溶剂的供给量成为零之前，使所述周缘部的所述溶剂的膜厚为预先所设定的膜厚以下，以使得在按照预先所设定的所述转速将所述基片上的所述溶剂甩掉时不产生所述周缘部的所述溶剂的膜厚固定不变地演进的期间。
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