JP2013102238A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】遮断部材90と基板表面Wfとの間に形成される間隙空間SPに環状気体吐出口99aから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口97aから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Wfの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口97aからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口99aから間隙空間SPへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Wの表面中央部に向けて中央気体吐出口98aから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Wを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Wfから除去して該基板表面Wfを乾燥させる。
【選択図】図9
Description
基板回転数:1500rpm
基板表面の状態:表面中央部が疎水面
また、回転軸JからIPA液吐出口97a(吐出口中心)までの距離の上限値についても、基板回転数を1500rpmに設定する限り、上記した回転軸Jからリンス液吐出口96a(吐出口中心)までの距離Lの上限値(20mm)と基本的に同じである。
9…遮断部材
13…チャック回転機構(基板回転手段)
17…チャックピン(基板保持手段)
41…IPA液膜(溶剤層)
42…ホール
93…遮断部材回転機構(遮断部材回転手段)
97a…IPA液吐出口(溶剤吐出口)
98a…中央気体吐出口
99a…環状気体吐出口
SP…間隙空間
W…基板
Wf…基板表面
Claims (10)
- 基板表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の湿式処理を施した後、前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板表面に供給してから該低表面張力溶剤を前記基板表面から除去することによって前記基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
前記基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を所定の回転軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板に対向しながら前記基板表面から離間配置された遮断部材と、
前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に低露点空気を供給する低露点空気供給手段と、
前記間隙空間に乾燥用ガスを供給する乾燥用ガス供給手段とを備え、
前記遮断部材は、前記基板の表面中央部へ前記低表面張力溶剤を吐出する溶剤吐出口と、前記乾燥用ガス供給手段からの前記乾燥用ガスを前記基板表面の中央部に向けて吐出する中央気体吐出口と、前記低露点空気供給手段からの前記低露点空気を前記間隙空間に供給するとともに、前記溶剤吐出口および前記中央気体吐出口に対して径方向外側に、しかも前記溶剤吐出口および前記中央気体吐出口を取り囲むように環状に形成された環状気体吐出口とを有しており、
前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤を吐出しながら、前記環状気体吐出口から前記間隙空間に前記低露点空気を供給するのに続き、
前記溶剤吐出口からの前記低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、前記環状気体吐出口から前記間隙空間への前記低露点空気の供給を継続させたまま、前記基板の表面中央部に向けて前記中央気体吐出口から前記乾燥用ガスを吹きつけ、
さらに前記基板回転手段により前記基板を高速回転させて前記低表面張力溶剤を前記基板表面から除去して該基板表面を乾燥させることを特徴とする基板処理装置。 - 前記溶剤吐出口からの前記低表面張力溶剤の吐出を停止させる前に、前記基板表面全体にパドル状の前記低表面張力溶剤による溶剤層を形成する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記溶剤吐出口からの前記低表面張力溶剤の吐出を停止させた後、前記中央気体吐出口から吐出される前記乾燥用ガスの流量が、前記環状気体吐出口から吐出される前記低露点空気の流量よりも多い請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記環状気体吐出口の開口面積は前記中央気体吐出口の開口面積よりも大きい請求項1ないし3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記遮断部材は、板状部材と、前記板状部材を支持し、内部が中空に仕上げられた支軸と、前記支軸の中空部に挿通された内挿軸とを有しており、
前記環状気体吐出口は前記支軸の内壁面と前記内挿軸の外壁面との間に形成される請求項1ないし4のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記内挿軸の先端に前記中央気体吐出口が形成されるとともに、前記中央気体吐出口は前記板状部材の先端面を含む平面から退避している請求項5に記載の基板処理装置。
- 略水平姿勢で保持された基板を回転させながら前記基板の表面に処理液を供給して前記基板表面に対して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、
前記処理液よりも表面張力が低い低表面張力溶剤を前記基板の表面中央部に吐出する溶剤吐出口を有する遮断部材を、前記処理液で濡れた前記基板表面に対向しながら前記基板表面から離間配置させた状態で、前記基板表面に前記溶剤吐出口から前記低表面張力溶剤を吐出させて前記基板表面に付着している前記処理液を前記低表面張力溶剤に置換させる置換工程と、
前記置換工程後に前記基板を高速回転させて前記低表面張力溶剤を前記基板表面から除去して該基板表面を乾燥させるスピン乾燥工程とを備え、
前記遮断部材は、乾燥用ガスを前記基板の表面中央部に向けて吐出する中央気体吐出口と、前記遮断部材と前記基板表面との間に形成される間隙空間に低露点空気を供給するとともに、前記溶剤吐出口および前記中央気体吐出口に対して径方向外側に、しかも前記溶剤吐出口および前記中央気体吐出口を取り囲むように環状に形成された環状気体吐出口とをさらに有しており、
前記置換工程では、前記環状気体吐出口から前記間隙空間に前記低露点空気を供給し、
前記置換工程と前記スピン乾燥工程との間に、前記低表面張力溶剤の供給を停止させるとともに、前記環状気体吐出口から前記間隙空間への前記低露点空気の供給を継続させたまま、前記基板の表面中央部に向けて前記中央気体吐出口から前記乾燥用ガスを吹きつける乾燥前処理工程を実行することを特徴とする基板処理方法。 - 前記置換工程では、前記基板表面全体にパドル状の前記低表面張力溶剤による溶剤層を形成する請求項7に記載の基板処理方法。
- 前記乾燥前処理工程では、前記中央気体吐出口から吐出される前記乾燥用ガスの流量が、前記環状気体吐出口から吐出される前記低露点空気の流量よりも多い請求項7または8に記載の基板処理方法。
- 前記乾燥前処理工程において前記中央気体吐出口から吐出される前記乾燥用ガスは前記低露点空気である請求項7ないし9のいずれか1項に記載の基板処理方法。
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