JP2007329408A - 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウォータマークの原因となる小さな液滴を被処理基板に残すことなく除去できる基板乾燥方法及び基板乾燥装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を水平に保持して回転させ、この回転する基板上面に処理液及び乾燥ガスを供給して、次の各工程(1)〜(3)を含む処理を行うことを特徴とする基板乾燥方法。
(1)被処理基板を薬液及び洗浄液で処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながら上面に所定量の洗浄液を供給して略全面に洗浄液の液膜を形成する工程。
(2)前記被処理基板の中心部に第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成する工程。
(3)前記第1乾燥ガスの吹き付けを継続して、前記被処理基板の回転速度を徐々に上昇させて前記小径ホールを大きくすることにより前記乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させる工程。
【選択図】図1
【解決手段】被処理基板を水平に保持して回転させ、この回転する基板上面に処理液及び乾燥ガスを供給して、次の各工程(1)〜(3)を含む処理を行うことを特徴とする基板乾燥方法。
(1)被処理基板を薬液及び洗浄液で処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながら上面に所定量の洗浄液を供給して略全面に洗浄液の液膜を形成する工程。
(2)前記被処理基板の中心部に第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成する工程。
(3)前記第1乾燥ガスの吹き付けを継続して、前記被処理基板の回転速度を徐々に上昇させて前記小径ホールを大きくすることにより前記乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させる工程。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体ウェーハ等の基板を回転させ、この回転する基板に薬液或いは純水等の処理液を供給して洗浄した後に、乾燥ガスを供給して乾燥処理する基板乾燥方法及び基板乾燥装置に関するものである。
半導体素子は、半導体ウェーハ(以下、単にウェーハという)上に各種半導体層、液膜及び電極等を形成する複数の製造プロセスを経て作成されている。これらの製造プロセスのうち、ウェーハを洗浄及び乾燥する洗浄・乾燥プロセスは、通常、ウェーハを各種の薬液によりエッチング等する薬液処理、この薬液処理後に純水等により洗浄する洗浄処理、さらに洗浄されたウェーハを有機溶剤等で乾燥する乾燥処理を順次行うようになっている。これらのプロセスを実行する具体的な処理装置としては、ウェーハを回転させ、この回転するウェーハに薬液或いは純水等の処理液を供給して洗浄した後に、ウェーハに付着している洗浄液をウェーハを高速回転させて遠心力により振り切ることにより乾燥させる基板乾燥装置が知られている(例えば、下記特許文献1、2参照)。
図9は、下記特許文献1に記載された基板乾燥装置の縦断面図であり、図10は基板乾燥装置の動作を説明する説明図である。
この基板乾燥装置20は、ウェーハWを水平に支持して回転するスピンチャック21と、このスピンチャック21を収容する処理カップ22と、スピンチャック21を回転駆動する回転駆動機構23と、この回転駆動機構23を制御する制御装置24と、ウェーハWに処理液を供給する表面ノズルN1及び裏面ノズルN2、N3とを備え、表面ノズルN1及び裏面ノズルN2、N3は、それぞれバルブ27、28を介して、薬液タンク25及びリンス液タンク26に接続されている。
この基板乾燥装置20は、ウェーハWを水平に支持して回転するスピンチャック21と、このスピンチャック21を収容する処理カップ22と、スピンチャック21を回転駆動する回転駆動機構23と、この回転駆動機構23を制御する制御装置24と、ウェーハWに処理液を供給する表面ノズルN1及び裏面ノズルN2、N3とを備え、表面ノズルN1及び裏面ノズルN2、N3は、それぞれバルブ27、28を介して、薬液タンク25及びリンス液タンク26に接続されている。
次に、この基板乾燥装置20の動作を図10を参照して説明する。
先ず、ウェーハWをスピンチャック21で保持して回転させて、回転数が300〜1000rpmに達した時点t1でバルブ27を開いて、各ノズルN1、N2、N3から薬液を供給して薬液処理を行う。この薬液処理後、時点t2で薬液用バルブ27を閉じ、代わってバルブ28を開いてウェーハWの表裏面のリンス洗浄を行う。このリンス工程では、その終了直前にバルブ28を開いて、回転速度を極低速の液滴成長速度(50rpm以下)へ減速し、この速度を2〜10秒間維持する。この極低速回転により、ウェーハW表面上には比較的大きな液滴が形成される。次に、ウェーハWの回転数を50〜150rpmへ加速し、この速度を2〜10秒間維持して、ウェーハWの表面の液滴に働く遠心力によってウェーハWの周縁から排除する。その後、ウェーハWの回転数を2500rpmまで加速し、この速度を10〜60秒間維持して、ウェーハ表面の液滴を振り切って乾燥させる。
先ず、ウェーハWをスピンチャック21で保持して回転させて、回転数が300〜1000rpmに達した時点t1でバルブ27を開いて、各ノズルN1、N2、N3から薬液を供給して薬液処理を行う。この薬液処理後、時点t2で薬液用バルブ27を閉じ、代わってバルブ28を開いてウェーハWの表裏面のリンス洗浄を行う。このリンス工程では、その終了直前にバルブ28を開いて、回転速度を極低速の液滴成長速度(50rpm以下)へ減速し、この速度を2〜10秒間維持する。この極低速回転により、ウェーハW表面上には比較的大きな液滴が形成される。次に、ウェーハWの回転数を50〜150rpmへ加速し、この速度を2〜10秒間維持して、ウェーハWの表面の液滴に働く遠心力によってウェーハWの周縁から排除する。その後、ウェーハWの回転数を2500rpmまで加速し、この速度を10〜60秒間維持して、ウェーハ表面の液滴を振り切って乾燥させる。
図11は下記特許文献2に記載された基板乾燥装置におけるウェーハ処理の説明図である。この基板乾燥装置は、前記の処理装置と同様のスピンチャックと、このスピンチャックを回転駆動する回転駆動機構と、この回転駆動機構の動作を制御する制御装置と処理液を供給する洗浄液ノズルN1を備え、この制御装置により、以下のステップで処理をするようになっている。
先ず、スピンチャックを1000rpmで回転させながら洗浄液ノズルN1からウェーハWの中心部へ純水を供給してウェーハWの表面全体に液膜を形成するステップを実行する(図11(a)参照)。次に、スピンチャック2の回転数を2000rpmに上げて洗浄液ノズルN1をウェーハWの中心部から周囲へ移動させ、ウェーハWの中心部に乾燥領域を発生させるステップを実行する(図11(b)参照)。続いて、この洗浄液ノズルN1をウェーハWの中心部から外側に離れた位置で停止させるとともに洗浄液の供給を停止させるステップを実行する(図11(c)参照)。その後、洗浄液の吐出を停止した状態でスピンチャックを2000rpmで回転させて乾燥領域を外側へ拡大するステップを実行し(図11(d)参照)、乾燥領域がウェーハWの周縁まで広がった後に、洗浄液ノズルN1をウェーハW上から退避させて遠心力によりウェーハW上の液滴を振り切って乾燥を行うステップを実行する(図11(e)参照)。
上記特許文献1の基板乾燥装置によれば、ウェーハW上に存在する液滴が大きく、この大きい液滴がそのままウェーハから落下されれば良好な乾燥処理ができる。しかし、ウェーハW上には、通常大きさが異なるバラバラな液滴及び水溜りが低速回転により不安定な状態で存在しているので、ウェーハWの回転に伴ってこれらの液滴が分離する場合があり、大きな液滴が分離したとき、それに伴って小さな液滴も生じてしまいそれがウェーハWに付着したまま残りウォータマークの原因となる恐れがある。
また、上記特許文献2の基板乾燥装置においても、ウェーハを1500rpm以上に高速回転させてその遠心力により液滴を振り切るので、液滴が飛沫となって飛散し、洗浄されたウェーハに再付着して汚染する恐れがある。
本発明は、上記のような従来技術が抱える課題を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、ウォータマークの原因となる小さな液滴を被処理基板に残すことなく除去できる基板乾燥方法及び基板乾燥装置を提供することである。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の基板乾燥方法の発明は、被処理基板を水平に保持して回転させ、この回転する基板上面に処理液及び乾燥ガスを供給して、次の各工程(1)〜(3)を含む処理を行うことを特徴とする。
(1)被処理基板を薬液及び洗浄液で処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながら上面に所定量の洗浄液を供給して略全面に洗浄液の液膜を形成する工程。
(2)前記被処理基板の中心部に第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成する工程。
(3)前記第1乾燥ガスの吹き付けを継続して、前記被処理基板の回転速度を徐々に上昇させて前記小径ホールを大きくすることにより前記乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させる工程。
(1)被処理基板を薬液及び洗浄液で処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながら上面に所定量の洗浄液を供給して略全面に洗浄液の液膜を形成する工程。
(2)前記被処理基板の中心部に第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成する工程。
(3)前記第1乾燥ガスの吹き付けを継続して、前記被処理基板の回転速度を徐々に上昇させて前記小径ホールを大きくすることにより前記乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させる工程。
請求項2に記載の基板乾燥方法の発明は、被処理基板を水平に保持して回転させ、この回転する基板上面に処理液及び乾燥ガスを供給して、次の各工程(1)〜(3)を含む処理を行うことを特徴とする。
(1)被処理基板を薬液及び洗浄液で処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながらその上面に所定量の洗浄液を供給して該上面の実質的に全面に洗浄液の液膜を形成する工程。
(2)前記被処理基板の中心部に第1乾燥ガスを吹き付けることにより前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成する工程。
(3)前記被処理基板を所定の回転速度にし、前記第1乾燥ガスを吹き付けながらその吹き付け位置を前記被処理基板の中心部から周縁へ移動させることにより前記乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させる工程。
(1)被処理基板を薬液及び洗浄液で処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながらその上面に所定量の洗浄液を供給して該上面の実質的に全面に洗浄液の液膜を形成する工程。
(2)前記被処理基板の中心部に第1乾燥ガスを吹き付けることにより前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成する工程。
(3)前記被処理基板を所定の回転速度にし、前記第1乾燥ガスを吹き付けながらその吹き付け位置を前記被処理基板の中心部から周縁へ移動させることにより前記乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させる工程。
請求項3の発明は、請求項1又は2に記載の基板乾燥方法において、前記工程(3)の後に、次の工程(4)の処理を行うことを特徴とする。
(4)前記液滴を落下させた被処理基板を中速回転させて該被処理基板の上面に第2乾燥ガスを供給して乾燥する工程。
(4)前記液滴を落下させた被処理基板を中速回転させて該被処理基板の上面に第2乾燥ガスを供給して乾燥する工程。
請求項4の発明は、請求項3に記載の基板乾燥方法において、前記工程(2)の第1乾燥ガスは不活性ガスであり、前記工程(4)の第2乾燥ガスは有機溶剤を含むガスであることを特徴とする。
請求項5に記載の基板乾燥装置の発明は、被処理基板を水平に保持して回転する基板支持手段と、前記基板支持手段を回転させる回転駆動機構と、前記被処理基板の上面に処理液及び乾燥ガスを供給する供給ノズルを有する処理液等供給手段と、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御する制御装置を備えた基板乾燥装置において、
前記制御装置は、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御して、被処理基板の上面へ薬液及び洗浄液を供給して洗浄した後に、前記被処理基板を低速回転させながら上面に所定量の洗浄液を供給して略全面に洗浄液の液膜を形成し、次いで、前記供給ノズルから前記被処理基板の中心部へ第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成し、さらに、前記第1乾燥ガスの吹き付けを継続して、前記被処理基板の回転速度を徐々に上昇させて前記小径ホールを大きくして乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させることを特徴とする。
前記制御装置は、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御して、被処理基板の上面へ薬液及び洗浄液を供給して洗浄した後に、前記被処理基板を低速回転させながら上面に所定量の洗浄液を供給して略全面に洗浄液の液膜を形成し、次いで、前記供給ノズルから前記被処理基板の中心部へ第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成し、さらに、前記第1乾燥ガスの吹き付けを継続して、前記被処理基板の回転速度を徐々に上昇させて前記小径ホールを大きくして乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させることを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項5に記載の基板乾燥装置において、前記制御装置は、前記被処理基板の周縁から液滴を落下させた後に、前記被処理基板を中速回転させながら前記供給ノズルから第2乾燥ガスを供給することを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項6に記載の基板乾燥装置において、前記第1乾燥ガスは不活性ガスであり、前記第2乾燥ガスは有機溶剤を含むガスであることを特徴とする。
請求項8に記載の基板乾燥装置の発明は、被処理基板を水平に保持して回転する基板支持手段と、前記基板支持手段を回転させる回転駆動機構と、前記被処理基板の上面に処理液及び乾燥ガスを供給する供給ノズルを有する処理液等供給手段と、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御する制御装置を備えた基板乾燥装置において、
前記制御装置は、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御して、被処理基板の上面へ薬液及び洗浄液を供給して洗浄処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながら上面に所定量の洗浄液を供給して略全面に洗浄液の液膜を形成し、次いで、前記供給ノズルから前記被処理基板の中心部へ第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成し、さらに、前記被処理基板を所定の回転速度にして前記供給ノズルから前記第1乾燥ガスを吹き付けながら該供給ノズルを前記被処理基板の中心部から周縁へ移動させて、前記小径ホールを大きくすることにより乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させることを特徴とする。
前記制御装置は、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御して、被処理基板の上面へ薬液及び洗浄液を供給して洗浄処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながら上面に所定量の洗浄液を供給して略全面に洗浄液の液膜を形成し、次いで、前記供給ノズルから前記被処理基板の中心部へ第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成し、さらに、前記被処理基板を所定の回転速度にして前記供給ノズルから前記第1乾燥ガスを吹き付けながら該供給ノズルを前記被処理基板の中心部から周縁へ移動させて、前記小径ホールを大きくすることにより乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させることを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項8に記載の基板乾燥装置において、前記制御装置は、前記被処理基板の周縁から液滴を落下させた後に、前記被処理基板を中速回転させながら第2乾燥ガスを供給することを特徴とする。
請求項10の発明は、請求項9に記載の基板乾燥装置において、前記制御装置は、前記供給ノズルを該被処理基板の中心部から周縁へ移動させた後に、該周縁部で停止させて前記第2乾燥ガスを所定時間供給することを特徴とする。
請求項11の発明は、請求項9又は10に記載の基板乾燥装置において、前記第1乾燥ガスは不活性ガスであり、前記第2乾燥ガスは有機溶剤を含むガスであることを特徴とする。
本発明は、上記構成を備えることにより、以下の優れた効果を奏する。すなわち、請求項1の発明によれば、工程(1)において、低速回転する被処理基板に所定量の洗浄液を供給することにより、供給された洗浄液が基板外周方向へ徐々に拡大する過程において、基板表面に残存する転がり移動する不安定な液滴或いは水溜り等が飲み込まれながら基板表面の全面に一塊の安定した液膜が形成される。
したがって、次工程(2)、(3)では、不安定な液滴或いは水溜りがなくなっているので、処理中に転がり移動する不安定な液滴或いは水溜りが飛沫となって飛散し、被処理基板に再付着等することがなく、ウォータマーク等がない高品質の乾燥処理が可能になる。この基板処理方法は、特に親水性の基板を高品質に処理できる。また、液膜がある時点では低速回転であるため飛沫が飛散することもなくなるので、飛沫の再付着の心配もない。
したがって、次工程(2)、(3)では、不安定な液滴或いは水溜りがなくなっているので、処理中に転がり移動する不安定な液滴或いは水溜りが飛沫となって飛散し、被処理基板に再付着等することがなく、ウォータマーク等がない高品質の乾燥処理が可能になる。この基板処理方法は、特に親水性の基板を高品質に処理できる。また、液膜がある時点では低速回転であるため飛沫が飛散することもなくなるので、飛沫の再付着の心配もない。
請求項2の発明によれば、工程(3)において、第1乾燥ガスの吹き付け位置を変更することによっても、請求項1に示す効果と同様の効果を奏することが可能となる。
請求項3、4の発明によれば、請求項1及び2の効果を奏するとともに、工程(4)により液滴を落下させた被処理基板を中速回転させてその上面に第2乾燥ガスを供給して乾燥することにより、疎水性又はパターン付の被処理基板であっても高品質な処理が可能になる。
請求項5の発明によれば、被処理基板を水平に保持して回転する基板支持手段と、この基板支持手段を回転させる回転駆動機構と、この被処理基板の上面に処理液及び乾燥ガスを供給する供給ノズルを有する処理液等供給手段並びに回転駆動機構及び処理液等供給手段を制御する制御装置を設けることにより、請求項1の効果を奏する装置を簡単に作製できる。
請求項6、7の発明によれば、請求項5の効果を奏するとともに、液滴を落下させた被処理基板を中速回転させてその上面に第2乾燥ガスを供給して乾燥することにより、疎水性又はパターン付の被処理基板で高品質な処理が可能になる。
請求項8の発明によれば、請求項5の効果を奏するとともに、供給ノズルを移動させることにより、回転の変化によって液膜が波立って飛沫を発生することなく乾燥エリア効率よく拡大させることができる。
請求項9の発明によれば、請求項5の効果を奏するとともに、液滴を落下させた被処理基板を中速回転させてその上面に第2乾燥ガスを供給して乾燥することにより、疎水性又はパターン付の被処理基板を高品質な処理が可能になる。
請求項10の発明によれば、被処理基板のエッジ部の良好な乾燥が可能になる。
請求項11の発明によれば、第1乾燥ガスに不活性ガス、第2乾燥ガスに有機溶剤を含むガスを使用することにより、特疎水性又はパターン付の被処理基板を高品質な処理が可能になる。
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板乾燥方法及び基板乾燥装置を例示するものであって、本発明をこれらに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
図1は本発明の実施例1に係る基板乾燥装置の概略構成図である。
この基板乾燥装置1は、図1に示すように、ウェーハWを水平に保持し、この保持したウェーハWのほぼ中心を通る鉛直軸線を回転軸線とし、この回転軸線まわりで回転するスピンチャック2と、このスピンチャック2を収容する収容室6と、スピンチャック2を回転駆動する回転駆動機構10と、この回転駆動機構10を制御する制御装置11とを備えている。スピンチャック2の上方には、ウェーハWの上面に向けて薬液を供給する薬液ノズルN1、洗浄液を供給する洗浄ノズルN2、第1、2乾燥ガスを供給する第1乾燥ノズルN3が設けられて、これらのノズルN1〜N3は、それぞれ薬液供給源12A、洗浄液供給源12B、第1乾燥ガス供給源12C及び第2乾燥ガス供給装置15に接続されている。
この基板乾燥装置1は、図1に示すように、ウェーハWを水平に保持し、この保持したウェーハWのほぼ中心を通る鉛直軸線を回転軸線とし、この回転軸線まわりで回転するスピンチャック2と、このスピンチャック2を収容する収容室6と、スピンチャック2を回転駆動する回転駆動機構10と、この回転駆動機構10を制御する制御装置11とを備えている。スピンチャック2の上方には、ウェーハWの上面に向けて薬液を供給する薬液ノズルN1、洗浄液を供給する洗浄ノズルN2、第1、2乾燥ガスを供給する第1乾燥ノズルN3が設けられて、これらのノズルN1〜N3は、それぞれ薬液供給源12A、洗浄液供給源12B、第1乾燥ガス供給源12C及び第2乾燥ガス供給装置15に接続されている。
収容室6は、上方にクリーンエアーを噴出するエアー供給手段7が設けられ、このエアー供給手段7から供給されたエアーは、室内をクリーンエアーで置換した後に壁面の排出口6aから室外へ排出される。また、収容室6の底部には、室内で飛散した洗浄液等を排出させる排液口61、62が形成されて、各排液口61、62は配管L5により排液処理設備(図示省略)に接続されている。なお、この収容室6は、複数本の支持部材8で所定高さに支持されている。また、スピンチャック2の上方には、ウェーハW上部全面を覆うように傘6bが設けられており、この傘6bの天井部に接続された配管6cからN2を供給することでこの傘6b内をN2雰囲気とするようになっている。そして、ノズルN1〜N3はこの傘6bの天井部に固定されている。
スピンチャック2は、鉛直方向に沿って配置され、収容室6の底面部のほぼ中央部を貫通して設けられた回転軸3と、この回転軸3の上端に水平に固定されたスピンベース4と、このスピンベース4に立設された複数本のチャックピン5とを有している。
薬液ノズルN1は、配管L1によりバルブV1を介して薬液供給源12Aに接続されている。この薬液供給源12Aは、各種の薬液(例えば、硫酸、アンモニア水、塩酸、フッ酸、過酸化水素等)の供給源となっている。また、洗浄ノズルN2は、配管L2によりバルブV2を介して洗浄液供給源12Bに接続されている。この洗浄液供給源12Bは、各種のリンス液(例えば、純水、オゾン水、電解イオン水等)の供給源となっている。さらに、第1乾燥ノズルN3は、配管L3によりバルブV3を介して第1乾燥ガス供給源12Cに接続されている。この第1乾燥ガス供給源12Cは、各種の不活性ガス(例えば、不活性ガスは、窒素、アルゴン、ヘリウム、及びこれらを混合したもの)の供給源となっている。さらにまた、第2乾燥ノズルN4は、収容室6内に設けられた支柱9により前後移動自在に取り付けられており、配管L4によりバルブV4を介して第2乾燥ガス供給装置15に接続されている。配管L4は、外周囲にベルトヒータH等が巻回されて、管内を通過する乾燥ガスを所定温度に保温するようになっている。また、第2乾燥ノズルN4は回動自在としてもよい。
第2乾燥ガス供給装置15は、所定量の有機溶剤を貯留されるタンク15aを有し、このタンク15aは、配管により有機溶剤供給源12E及び不活性ガス供給源12Dに接続されている。また、このタンク15aは、内部の有機溶剤を加熱する加熱槽15bに浸漬されて、温度センサSの検出値により、温度制御されるようになっている。
有機溶剤供給源12Eは、水溶性有機溶剤(例えば、イソプロパノール、2−プロパノール、イソプロピルアルコール(IPA)、エタノール、メタノール、ブチルアルコール、及びこれらを混合したもの)の供給源となっており、また、不活性ガス供給源12Dは、各種の不活性ガス(例えば、窒素(N2)、アルゴン、ヘリウム、及びこれらを混合したもの)の供給源となっている。
有機溶剤供給源12Eは、水溶性有機溶剤(例えば、イソプロパノール、2−プロパノール、イソプロピルアルコール(IPA)、エタノール、メタノール、ブチルアルコール、及びこれらを混合したもの)の供給源となっており、また、不活性ガス供給源12Dは、各種の不活性ガス(例えば、窒素(N2)、アルゴン、ヘリウム、及びこれらを混合したもの)の供給源となっている。
この第2乾燥ガス供給装置15では、先ず、有機溶剤(例えばIPA)供給源12Eから所定量のIPA溶剤がタンク15aへ貯留される。次いで、不活性ガス供給源12Dから窒素ガスN2がタンク15a内のIPA溶剤中に供給されてバブリングされ、窒素ガスN2が混入されたIPA蒸気が発生されて配管L4を通して供給される。このときタンク15a内のIPA溶剤は、所定温度に温度コントロールされ、タンク15a内からはマイクロミストを含む有機溶剤の蒸気が生成されて流出される。
制御装置11では、各種の基板処理工程のプログラムが搭載されている。このプログラムによって、各処理工程毎に回転駆動機構10を制御するとともに、各バルブV1〜V4の開閉制御が行われる。
次に、図1〜図5を参照し、特に図2のチャート図に基づいて基板乾燥装置1の動作を説明する。なお、図2は基板乾燥装置の制御フローを説明するチャート図、図3は基板乾燥装置の動作を説明する説明図、図4は図3の動作の続きを説明する説明図、図5は図4の動作の続きを説明する説明図である。
(a)薬液処理工程(I)
先ず、スピンチャック2を停止させた状態でスピンベース4上に所定口径、例えば直径300mmのウェーハWをチャックピン5を用いて保持させる。次いで、制御装置11により回転駆動機構10を制御して、スピンチャック2を所定回転数、例えば300rpmで10秒間回転させ、時点t1でバルブV1を閉状態から開状態にして、薬液供給源12Aから所定の薬液、例えばHFを薬液ノズルN1へ送り、このノズルN1からウェーハWの上面へ薬液を供給して薬液処理を行う(図3(a)参照)。
先ず、スピンチャック2を停止させた状態でスピンベース4上に所定口径、例えば直径300mmのウェーハWをチャックピン5を用いて保持させる。次いで、制御装置11により回転駆動機構10を制御して、スピンチャック2を所定回転数、例えば300rpmで10秒間回転させ、時点t1でバルブV1を閉状態から開状態にして、薬液供給源12Aから所定の薬液、例えばHFを薬液ノズルN1へ送り、このノズルN1からウェーハWの上面へ薬液を供給して薬液処理を行う(図3(a)参照)。
(b)洗浄処理工程(II)
薬液処理工程Iを終了した後、同じ回転数300rpmを維持したまま、時点t2でバルブV2を閉状態から開状態にして、洗浄液供給源12Bから所定量、例えば1.5〜6L/minの純水を10秒間洗浄ノズルN2からウェーハW上面へ供給する。次いで、スピンチャック2の回転数を段階的に、例えば300rpmから200rpm、100rpm、50rpmへと順次それぞれ2秒間ずつ回転数を下げ洗浄液を供給して洗浄処理を行う(図3(b)参照)。なお、ここではスピンチャック2の回転数を段階的に下げたが、直線的に低下させてもよい。
薬液処理工程Iを終了した後、同じ回転数300rpmを維持したまま、時点t2でバルブV2を閉状態から開状態にして、洗浄液供給源12Bから所定量、例えば1.5〜6L/minの純水を10秒間洗浄ノズルN2からウェーハW上面へ供給する。次いで、スピンチャック2の回転数を段階的に、例えば300rpmから200rpm、100rpm、50rpmへと順次それぞれ2秒間ずつ回転数を下げ洗浄液を供給して洗浄処理を行う(図3(b)参照)。なお、ここではスピンチャック2の回転数を段階的に下げたが、直線的に低下させてもよい。
(c)液膜形成工程(III)
次に、前記処理工程終了後の時点t3において、ウェーハWの回転数をさらに下げた低速回転、例えば、10rpmに下げて10秒間洗浄液を供給し、ウェーハW上面の全面に液膜を形成する(図3(c)参照)。なお、バルブV2は時点t3から10秒後に閉成する。
このウェーハWの低速回転により、ウェーハWへ供給された洗浄液がウェーハWの外周方向へ徐々に拡大して、ウェーハ表面に残存する転がり移動する不安定な液滴或いは水溜り等が飲み込まれて安定した液膜が形成される。このため、次工程では、不安定な液滴或いは水溜りがなくなっているので、処理中に転がり移動する不安定な液滴或いは水溜りが分離や移動によって飛沫となって飛散し、被処理基板に残存再付着等することがなく、ウォータマーク等がない高品質の乾燥処理が可能になる。
次に、前記処理工程終了後の時点t3において、ウェーハWの回転数をさらに下げた低速回転、例えば、10rpmに下げて10秒間洗浄液を供給し、ウェーハW上面の全面に液膜を形成する(図3(c)参照)。なお、バルブV2は時点t3から10秒後に閉成する。
このウェーハWの低速回転により、ウェーハWへ供給された洗浄液がウェーハWの外周方向へ徐々に拡大して、ウェーハ表面に残存する転がり移動する不安定な液滴或いは水溜り等が飲み込まれて安定した液膜が形成される。このため、次工程では、不安定な液滴或いは水溜りがなくなっているので、処理中に転がり移動する不安定な液滴或いは水溜りが分離や移動によって飛沫となって飛散し、被処理基板に残存再付着等することがなく、ウォータマーク等がない高品質の乾燥処理が可能になる。
(d)第1乾燥処理工程(IV)
前記工程でウェーハ上面に液膜を形成した後、回転数を10rpmのままでスピンチャック2の中心部へ向けて固定された第1乾燥ノズルN3を用いて、時点t4でバルブV3を開にし、第1乾燥ガス供給源12Cから所定量、例えば15L/minの窒素N2ガスを供給し上面の液膜に小径ホールを形成する。その後、スピンチャック2の回転数を段階的に上昇させながらウェーハWに所定時間、例えば、10rpmで4秒、15rpmで4秒、20rpmで4秒、25rpmで4秒、30rpmで4秒、35rpmで4秒、40rpmで4秒、50rpmで4秒、100rpmで2秒、200rpmで2秒間供給する(図4(a)、図4(b)参照)。これにより、液膜中央部に形成された小径ホールは回転数が上がるにつれて徐々にその径を増し、ついには液膜を形成する全ての洗浄液がウェーハW上面端部から落下し、小径ホールがウェーハW上面全体を覆い、液膜のない状態となる。よって、親水性のウェーハWはウォータマークを発生させることなく、高品質の処理ができる。
前記工程でウェーハ上面に液膜を形成した後、回転数を10rpmのままでスピンチャック2の中心部へ向けて固定された第1乾燥ノズルN3を用いて、時点t4でバルブV3を開にし、第1乾燥ガス供給源12Cから所定量、例えば15L/minの窒素N2ガスを供給し上面の液膜に小径ホールを形成する。その後、スピンチャック2の回転数を段階的に上昇させながらウェーハWに所定時間、例えば、10rpmで4秒、15rpmで4秒、20rpmで4秒、25rpmで4秒、30rpmで4秒、35rpmで4秒、40rpmで4秒、50rpmで4秒、100rpmで2秒、200rpmで2秒間供給する(図4(a)、図4(b)参照)。これにより、液膜中央部に形成された小径ホールは回転数が上がるにつれて徐々にその径を増し、ついには液膜を形成する全ての洗浄液がウェーハW上面端部から落下し、小径ホールがウェーハW上面全体を覆い、液膜のない状態となる。よって、親水性のウェーハWはウォータマークを発生させることなく、高品質の処理ができる。
(e)第2乾燥処理工程(V)
親水性のウェーハWであれば上記第1乾燥処理でも十分な乾燥を実現できるが、疎水性のウェーハ等の場合には、低回転のうちにバルブV4を閉にして、更に、スピンチャック2を中速回転、例えば300rpmにする。このとき傘6bの外にあった第2乾燥ノズルN4を傘6b内に挿入し、第2乾燥ノズルN4をウェーハWの中心位置におく。そして、時点t5でバルブV4を開にして、第2乾燥ガス供給装置15から第2乾燥ノズルN4を通してIPA蒸気を2秒間供給し(図5(a)参照)、次いでスピンチャック2の中速回転(300rpm)を維持したままで第2乾燥ノズルN4をウェーハW外周方向に支柱9上を滑らせながらIPA蒸気をウェーハW周縁まで引き寄せて供給し(図5(b)参照)、この移動を12秒間行うことでウェーハWのエッジ部上にまで第2乾燥ノズルN4を移動させ、このエッジ部上でさらに3秒間IPA蒸気を供給する(図5(c)参照)。これにより、ウェーハW上面に残った微細な水滴をIPA蒸気で置換してウェーハWの遠心力によっておこる風によって置換されたIPAが乾燥するので、疎水性またはパターン付のウェーハWにおいてもウォータマークを発生させることなく、高品質の処理をすることができる。なお、この第2乾燥処理では、スピンチャック2の回転数を段階的に上昇させたが、直線的に上昇させてもよい。
親水性のウェーハWであれば上記第1乾燥処理でも十分な乾燥を実現できるが、疎水性のウェーハ等の場合には、低回転のうちにバルブV4を閉にして、更に、スピンチャック2を中速回転、例えば300rpmにする。このとき傘6bの外にあった第2乾燥ノズルN4を傘6b内に挿入し、第2乾燥ノズルN4をウェーハWの中心位置におく。そして、時点t5でバルブV4を開にして、第2乾燥ガス供給装置15から第2乾燥ノズルN4を通してIPA蒸気を2秒間供給し(図5(a)参照)、次いでスピンチャック2の中速回転(300rpm)を維持したままで第2乾燥ノズルN4をウェーハW外周方向に支柱9上を滑らせながらIPA蒸気をウェーハW周縁まで引き寄せて供給し(図5(b)参照)、この移動を12秒間行うことでウェーハWのエッジ部上にまで第2乾燥ノズルN4を移動させ、このエッジ部上でさらに3秒間IPA蒸気を供給する(図5(c)参照)。これにより、ウェーハW上面に残った微細な水滴をIPA蒸気で置換してウェーハWの遠心力によっておこる風によって置換されたIPAが乾燥するので、疎水性またはパターン付のウェーハWにおいてもウォータマークを発生させることなく、高品質の処理をすることができる。なお、この第2乾燥処理では、スピンチャック2の回転数を段階的に上昇させたが、直線的に上昇させてもよい。
(f)第3乾燥処理工程(VI)
最後に、ウェーハW上の水滴を完全に乾燥させるために、時点t6でスピンチャック2の回転数を1000rpmまで上昇させて、これにより雰囲気気体との間で発生する大きな摩擦力によってウェーハWの乾燥処理を完了する。
最後に、ウェーハW上の水滴を完全に乾燥させるために、時点t6でスピンチャック2の回転数を1000rpmまで上昇させて、これにより雰囲気気体との間で発生する大きな摩擦力によってウェーハWの乾燥処理を完了する。
図6は本発明の実施例2に係る基板乾燥装置の概略構成図、図7は図6の基板乾燥装置の制御フローを説明するチャート図、図8は実施例2における図4に対応する乾燥工程を説明する説明図である。
本実施例2の基板乾燥装置1'は、図6に示すように、実施例1の基板乾燥装置1と比べると、配管L3の途中で配管L4が連結されており、配管L4が連結された配管L3が第2乾燥ノズルN4に連結されており、第1乾燥ノズルN3は設けられていない。すなわち第1、第2乾燥ノズルが兼用となっている点が異なり、その他の部分は実施例1の基板乾燥装置1と同様であるので、その他の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施例2に係る基板乾燥装置1'は、図7に示すチャート図からも分かるように、制御装置11により図2に示す工程I〜III及びV〜VIの工程は上記実施例1に示す工程と同一のものであり、第1乾燥処理工程IVのみが異なる。そこで、ここでは第1乾燥処理工程についてのみ説明を行う。
(d')第1乾燥処理工程(IV')
この乾燥処理工程IV'は、液膜形成工程IIIによりウェーハW上面に形成された液膜を除去するため、第2乾燥ノズルN4をスピンチャック2の中心部へ向けた状態(図8(a)参照)において、時点t4で窒素N2ガスを液膜に吹き付け小径ホールを形成し、第2乾燥ノズルN4をウェーハWの中心からウェーハWの外周方向に支柱9上を所定時間、例えば32秒をかけて滑らせながら窒素N2ガスを供給することによって(図8(b)参照)、ウェーハW上面に形成された小径ホールを拡大して液膜を形成する洗浄液をウェーハWエッジ部から落下するようにする。低速回転にて時間をかけて第2乾燥ノズルN4を移動させるので、液膜が波立つことなく、ウェーハWのエッジ部から落下していくので、飛沫による乾燥面への再付着が起こらない。これにより、親水性のウェーハWはウォータマークを発生させることなく、高品質の処理ができる。なお、以降の工程においても上述した実施例1と同様であるので、ここでは説明を省略する。
この乾燥処理工程IV'は、液膜形成工程IIIによりウェーハW上面に形成された液膜を除去するため、第2乾燥ノズルN4をスピンチャック2の中心部へ向けた状態(図8(a)参照)において、時点t4で窒素N2ガスを液膜に吹き付け小径ホールを形成し、第2乾燥ノズルN4をウェーハWの中心からウェーハWの外周方向に支柱9上を所定時間、例えば32秒をかけて滑らせながら窒素N2ガスを供給することによって(図8(b)参照)、ウェーハW上面に形成された小径ホールを拡大して液膜を形成する洗浄液をウェーハWエッジ部から落下するようにする。低速回転にて時間をかけて第2乾燥ノズルN4を移動させるので、液膜が波立つことなく、ウェーハWのエッジ部から落下していくので、飛沫による乾燥面への再付着が起こらない。これにより、親水性のウェーハWはウォータマークを発生させることなく、高品質の処理ができる。なお、以降の工程においても上述した実施例1と同様であるので、ここでは説明を省略する。
1 基板乾燥装置
2 スピンチャック
3 回転軸
4 スピンベース
5 チャックピン
6 収容室
10 回転駆動機構
11 制御装置
12A 薬液供給源
12B 洗浄液供給源
12C 第1乾燥ガス供給源
12D 不活性ガス供給源
12E 有機溶剤供給源
15 第2乾燥ガス供給装置
15a タンク
N1 薬液ノズル
N2 洗浄ノズル
N3 第1乾燥ノズル
N4 第2乾燥ノズル
H ヒータ
W ウェーハ
2 スピンチャック
3 回転軸
4 スピンベース
5 チャックピン
6 収容室
10 回転駆動機構
11 制御装置
12A 薬液供給源
12B 洗浄液供給源
12C 第1乾燥ガス供給源
12D 不活性ガス供給源
12E 有機溶剤供給源
15 第2乾燥ガス供給装置
15a タンク
N1 薬液ノズル
N2 洗浄ノズル
N3 第1乾燥ノズル
N4 第2乾燥ノズル
H ヒータ
W ウェーハ
Claims (11)
- 被処理基板を水平に保持して回転させ、この回転する前記被処理基板上面に処理液及び乾燥ガスを供給して、次の各工程(1)〜(3)を含む処理を行うことを特徴とする基板乾燥方法。
(1)被処理基板を薬液及び洗浄液で処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながらその上面に所定量の洗浄液を供給して該上面の実質的に全面に洗浄液の液膜を形成する工程。
(2)前記被処理基板の中心部に第1乾燥ガスを吹き付けることにより前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成する工程。
(3)前記第1乾燥ガスの吹き付けを継続した状態で前記被処理基板の回転速度を徐々に上昇させて、前記小径ホールを大きくすることにより前記乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させる工程。 - 被処理基板を水平に保持して回転させ、この回転する基板上面に処理液及び乾燥ガスを供給して、次の各工程(1)〜(3)を含む処理を行うことを特徴とする基板乾燥方法。
(1)被処理基板を薬液及び洗浄液で処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながらその上面に所定量の洗浄液を供給して該上面の実質的に全面に洗浄液の液膜を形成する工程。
(2)前記被処理基板の中心部に第1乾燥ガスを吹き付けることにより前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成する工程。
(3)前記被処理基板を所定の回転速度にし、前記第1乾燥ガスを吹き付けながらその吹き付け位置を前記被処理基板の中心部から周縁へ移動させることにより前記乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させる工程。 - 前記工程(3)の後に、次の工程(4)の処理を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の基板乾燥方法。
(4)前記液滴を落下させた被処理基板を中速回転させて該被処理基板の上面に第2乾燥ガスを供給して乾燥する工程。 - 前記工程(2)の第1乾燥ガスは不活性ガスであり、前記工程(4)の第2乾燥ガスは有機溶剤を含むガスであることを特徴とする請求項3に記載の基板乾燥方法。
- 被処理基板を水平に保持して回転する基板支持手段と、前記基板支持手段を回転させる回転駆動機構と、前記被処理基板の上面に処理液及び乾燥ガスを供給する供給ノズルを有する処理液等供給手段と、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御する制御装置を備えた基板乾燥装置において、
前記制御装置は、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御して、被処理基板の上面へ薬液及び洗浄液を供給して洗浄した後に、前記被処理基板を低速回転させながらその上面に所定量の洗浄液を供給して該上面の実質的に全面に洗浄液の液膜を形成し、次いで、前記供給ノズルから前記被処理基板の中心部へ第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成し、さらに、前記第1乾燥ガスの吹き付けを継続して、前記被処理基板の回転速度を徐々に上昇させて前記小径ホールを大きくして乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させることを特徴とする基板乾燥装置。 - 前記制御装置は、前記被処理基板の周縁から液滴を落下させた後に、前記被処理基板を中速回転させながら前記供給ノズルから第2乾燥ガスを供給することを特徴とする請求項5に記載の基板乾燥装置。
- 前記第1乾燥ガスは不活性ガスであり、前記第2乾燥ガスは有機溶剤を含むガスであることを特徴とする請求項6に記載の基板乾燥装置。
- 被処理基板を水平に保持して回転する基板支持手段と、前記基板支持手段を回転させる回転駆動機構と、前記被処理基板の上面に処理液及び乾燥ガスを供給する供給ノズルを有する処理液等供給手段と、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御する制御装置を備えた基板乾燥装置において、
前記制御装置は、前記回転駆動機構及び前記処理液等供給手段を制御して、被処理基板の上面へ薬液及び洗浄液を供給して洗浄処理した後に、前記被処理基板を低速回転させながらその上面に所定量の洗浄液を供給して該上面の実質的に全面に洗浄液の液膜を形成し、次いで、前記供給ノズルから前記被処理基板の中心部へ第1乾燥ガスを吹き付けて前記液膜に小径ホールをあけて小面積の乾燥エリアを形成し、さらに、前記被処理基板を所定の回転速度にして前記供給ノズルから前記第1乾燥ガスを吹き付けながら該供給ノズルを前記被処理基板の中心部から周縁へ移動させて、前記小径ホールを大きくすることにより乾燥エリアを拡大させて前記被処理基板の周縁から液滴を落下させることを特徴とする基板乾燥装置。 - 前記制御装置は、前記被処理基板の周縁から液滴を落下させた後に、前記被処理基板を中速回転させながら第2乾燥ガスを供給することを特徴とする請求項8に記載の基板乾燥装置。
- 前記制御装置は、前記供給ノズルを該被処理基板の中心部から周縁へ移動させた後に、該周縁部で停止させて第2乾燥ガスを所定時間供給することを特徴とする請求項9に記載の基板乾燥装置。
- 前記第1乾燥ガスは不活性ガスであり、前記第2乾燥ガスは有機溶剤を含むガスであることを特徴とする請求項9又は10に記載の基板乾燥装置。
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