KR20130111176A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130111176A KR20130111176A KR1020120121811A KR20120121811A KR20130111176A KR 20130111176 A KR20130111176 A KR 20130111176A KR 1020120121811 A KR1020120121811 A KR 1020120121811A KR 20120121811 A KR20120121811 A KR 20120121811A KR 20130111176 A KR20130111176 A KR 20130111176A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- silicon substrate
- water
- wafer
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 186
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 98
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 62
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 37
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims description 4
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims description 4
- 239000008400 supply water Substances 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 83
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 83
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 ammonia peroxide Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02054—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
기판 처리 방법은, 실리콘 기판의 표면에 제1 온도의 물을 공급하고, 이 물을 이용한 린스 처리를 상기 실리콘 기판의 표면에 실시하는 린스 공정과, 상기 린스 공정 후에, 상기 제1 온도보다도 낮은 제2 온도의 물을 상기 실리콘 기판의 표면에 공급하는 제2 온도수 공급(도포) 공정과, 상기 제2 온도수 공급 공정 후에, 상기 실리콘 기판을 회전시킴으로써 당해 실리콘 기판의 표면의 물을 실리콘 기판의 주위로 털어내어, 상기 실리콘 기판을 건조시키는 건조 공정을 포함한다.
Description
이 발명은, 실리콘 기판에 대해 처리를 실시하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서는, 실리콘 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 한다)가 예를 들어 한 장씩 처리된다. 구체적으로는, 웨이퍼의 표면에 약액이 공급됨으로써, 그 웨이퍼의 표면이 약액에 의해 처리된다. 그 후, 웨이퍼의 표면에 DIW(탈이온화된 물)가 공급됨으로써, 그 DIW에 의해, 웨이퍼의 표면에 부착되어 있는 약액이 씻어 내어진다(린스 처리). 약액이 씻어 내어진 후에는, 웨이퍼가 고속 회전됨으로써, 웨이퍼의 표면의 DIW가 털어져, 웨이퍼가 건조된다.
또, 워터 마크의 발생을 억제하기 위해서, 물보다도 비점이 낮은 IPA(이소프로필 알코올)가 웨이퍼의 표면에 공급되고, 웨이퍼의 표면에 부착되어 있는 DIW를 IPA로 치환하는 기술이 알려져 있다. IPA로의 치환 후, 웨이퍼가 고속 회전됨으로써, 웨이퍼의 표면에 부착되어 있는 IPA가 기판으로부터 제거되고 웨이퍼가 건조된다.
고속 회전에 의한 웨이퍼의 건조는, 웨이퍼 둘레 가장자리로부터의 DIW의 비산보다도, 주로, 고속 회전되고 있는 웨이퍼의 표면으로부터의 DIW의 증발에 기인하고 있다고 생각된다. 그 때문에, 린스 처리 후의 웨이퍼의 표면에 잔류하고 있는 DIW의 액적에 이물이 포함되어 있는 경우에는, 웨이퍼의 고속 회전의 개시 후, 이물이 웨이퍼로부터 털어지기 전에 DIW가 그 자리에서 증발하여, 이물 만이 웨이퍼의 표면에 잔존할 우려가 있다.
또, IPA 등의 유기 용제는 고가이므로, 런닝 코스트를 저감시키는 관점에서, IPA를 이용하지 않고 워터 마크의 발생을 억제하는 것이 요망되고 있다.
그래서, 이 발명의 하나의 목적은, 실리콘 기판의 표면에서의 이물 잔류를 방지하면서 실리콘 기판을 건조시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
또, 이 발명의 다른 목적은, 유기 용제를 이용하지 않고, 워터 마크의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
이 발명의 기판 처리 방법은, 실리콘 기판의 표면에 제1 온도의 물을 공급하고, 이 물을 이용한 린스 처리를 상기 실리콘 기판의 표면에 실시하는 린스 공정과, 상기 린스 공정 후에, 상기 제1 온도보다도 낮은 제2 온도의 물을 상기 실리콘 기판의 표면에 공급하는 제2 온도수 공급(도포) 공정과, 상기 제2 온도수 공급 공정 후에, 상기 실리콘 기판을 회전시킴으로써 당해 실리콘 기판의 표면의 물을 실리콘 기판의 주위로 털어내어, 상기 실리콘 기판을 건조시키는 건조 공정을 포함한다.
이 발명의 방법에 의하면, 제1 온도의 물을 이용한 린스 처리 후, 건조 처리의 개시 전에, 실리콘 기판의 표면에, 제1 온도보다도 낮은 제2 온도의 물이 공급된다. 그 때문에, 건조 처리의 개시 시에는, 실리콘 기판의 표면에 비교적 저온의 제2 온도의 물이 부착되어 있다. 저온의 제2 온도의 물은 제1 온도의 물과 비교하여 증발이 일어나기 어렵다.
실리콘 기판의 표면에 저온의 제2 온도의 물이 부착된 상태로, 실리콘 기판의 회전에 의한 건조 처리가 개시되어도, 실리콘 기판의 표면에 부착되어 있는 제2 온도의 물은, 건조 처리의 개시 후 즉시는 증발되지 않는다. 따라서, 제2 온도의 물에 이물이 포함되어 있는 경우에는, 건조 처리의 개시 후에도 얼마동안의 기간은, 이물의 주위에 제2 온도의 물이 존재하고 있다. 그리고, 실리콘 기판의 회전에 의해, 물이 이물째로 실리콘 기판의 표면으로부터 털어진다. 이것에 의해, 실리콘 기판 표면에 있어서의 이물 잔류를 방지하면서, 실리콘 기판을 건조시킬 수 있다.
또, 제2 온도보다도 높은 제1 온도의 물을 이용하여, 실리콘 기판의 표면에 대한 린스 처리가 행해진다. 비교적 고온의 제1 온도의 물을 이용하여 행하는 린스 처리가, 비교적 저온의 제2 온도의 물을 이용하여 행하는 린스 처리보다도, 그 처리 효율이 높다. 그 때문에, 실리콘 기판 표면에 린스 처리를 양호하게 실시할 수 있다.
또, 실리콘 기판의 표면에 물이 부착되어 있는 경우, 그 물이 제1 온도일 때보다도, 그 물이 보다 저온의 제2 온도일 때가, 그 물에 대한 실리콘 기판으로부터의 규소(Si)의 용출이 억제된다.
실리콘 기판의 표면에 비교적 저온의 제2 온도의 물이 부착된 상태로 건조 처리가 개시되므로, 건조 처리의 개시 시에 실리콘 기판의 표면에 부착되어 있는 물에는, 워터 마크의 원인이 되는 규소가 거의 포함되어 있지 않다. 그 때문에, 건조 처리 후에, 실리콘 기판의 표면에 워터 마크가 발생하기 어렵다. 이것에 의해, IPA 등의 유기 용제를 이용하지 않고, 워터 마크의 발생을 억제할 수 있다.
제1 온도는, 상온(약 25℃)이어도 된다. 또, 상온보다 높은 온도(예를 들어 40℃~80℃)여도 된다. 제2 온도는, 상온보다 낮은 온도(또한 물의 응고점보다 높은 온도)여도 된다. 예를 들어, 5~10℃의 범위의 온도여도 된다.
이 발명의 일실시 형태에 관련된 기판 처리 방법은, 상기 린스 공정 및 상기 제2 온도수 공급 공정과 병행하여 실행되며, 상기 실리콘 기판을 회전시키는 기판 회전 공정을 더 포함한다.
이 방법에 의하면, 제2 온도의 물의 공급과 병행하여 실리콘 기판을 회전시킴으로써, 실리콘 기판의 표면의 전역에 제2 온도의 물을 고루 퍼지게 할 수 있다. 이것에 의해, 실리콘 기판의 표면의 전역에서 이물 잔류를 방지할 수 있으며, 또한, 실리콘 기판의 표면의 전역에서 워터 마크의 발생을 억제할 수 있다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 린스 공정에 앞서 실행되며, 상기 실리콘 기판의 표면에 약액을 공급하고, 당해 실리콘 기판의 표면에 상기 약액에 의한 처리를 실시하는 약액 공급 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 약액은, 실리콘 기판의 표면을 세정하는 세정액이어도 되고, 실리콘 기판의 표면의 막을 에칭하는 에칭액이어도 된다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 린스 공정에 앞서 실행되며, 상기 실리콘 기판의 표면에 불산을 공급하고, 당해 실리콘 기판의 표면에 불산을 이용한 처리를 실시하는 불산 공급 공정을 더 포함하고 있어도 된다.
불산을 이용한 처리 후의 실리콘 기판의 표면은 소수성면이 된다. 소수성면으로부터는 규소가 용출되기 쉽다.
이 발명의 방법에 의하면, 실리콘 기판의 표면이 소수성면이어도, 건조 처리 개시 시의 실리콘 기판의 표면에 접하고 있는 물이 저온의 제2 온도이므로, 이 물에는, 소수성면으로부터의 규소가 용출되기 어렵다. 그 때문에, 건조 처리의 개시 시에 실리콘 기판의 표면에 잔류하고 있는 물에 규소는 거의 포함되어 있지 않다. 이것에 의해, 불산을 이용한 처리 후의 건조 처리에 있어서도, 워터 마크의 발생을 억제할 수 있다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 건조 공정과 병행하여, 상기 실리콘 기판의 표면에 대향하는 대향면을 가지는 대향 부재를 상기 실리콘 기판과 동일 방향으로 회전시키면서, 상기 대향면과 상기 실리콘 기판의 표면의 사이에 기체를 공급하는 공정을 더 포함하고 있어도 된다.
이 발명의 기판 처리 장치는, 실리콘 기판을 유지하면서 회전하는 기판 회전 유닛과, 상기 기판 회전 유닛에 유지되는 상기 실리콘 기판의 표면에 제1 온도의 물을 공급하기 위한 제1 온도수 공급 유닛과, 상기 기판 회전 유닛에 유지되는 상기 실리콘 기판의 표면에, 상기 제1 온도보다도 낮은 제2 온도의 물을 공급하기 위한 제2 온도수 공급 유닛과, 상기 기판 회전 유닛, 제1 온도수 공급 유닛 및 제2 온도수 공급 유닛을 제어하여, 상기 실리콘 기판의 표면에 제1 온도의 물을 공급하고, 이 물을 이용한 린스 처리를 상기 실리콘 기판의 표면에 실시하는 린스 공정과, 상기 린스 공정 후에 상기 제2 온도의 물을 상기 실리콘 기판의 표면에 공급하는 제2 온도수 공급 공정과, 상기 제2 온도수 공급 공정 후에, 상기 실리콘 기판을 회전시킴으로써 당해 실리콘 기판의 표면의 물을 실리콘 기판의 주위로 털어내어, 당해 실리콘 기판을 건조시키는 건조 공정을 실행하는 제어 유닛을 포함한다.
상기 제1 온도는, 상온 이상인 것이 바람직하고, 이 경우에, 상기 제2 온도수 공급 유닛은, 물을 상온보다도 낮은 온도로 냉각하는 냉각 유닛을 포함하고 있어도 된다.
본 발명에 있어서의 상기 서술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시 형태의 설명에 의해 명확해진다.
본 발명은, 실리콘 기판의 표면에서의 이물 잔류를 방지하면서 실리콘 기판을 건조시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
또, 본 발명은, 유기 용제를 이용하지 않고, 워터 마크의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일실시 형태에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타낸 도이다.
도 2는, 도 1에 나타낸 기판 처리 장치에 의한 세정 처리를 나타낸 공정도이다.
도 3은, 도 2의 스핀 드라이 시에 있어서의 웨이퍼의 모습을 모식적으로 나타낸 도이다.
도 4는, 비교예에 있어서의 웨이퍼의 모습을 모식적으로 나타낸 도이다.
도 2는, 도 1에 나타낸 기판 처리 장치에 의한 세정 처리를 나타낸 공정도이다.
도 3은, 도 2의 스핀 드라이 시에 있어서의 웨이퍼의 모습을 모식적으로 나타낸 도이다.
도 4는, 비교예에 있어서의 웨이퍼의 모습을 모식적으로 나타낸 도이다.
도 1은, 본 발명의 일실시 형태에 관련된 기판 처리 장치(1)의 구성을 모식적으로 나타낸 도이다. 이 기판 처리 장치(1)는, 실리콘 기판의 일례로서의 원형의 반도체 웨이퍼 W(이하, 간단히 「웨이퍼 W」라고 한다. )에 있어서의 디바이스 형성 영역측의 표면에 대해, 약액 및 DIW를 이용하여, 오염물질을 제거하기 위한 세정 처리를 실시하기 위한 매엽형(枚葉型)의 장치이다. 이 실시 형태에서는, 약액으로서 불산(HF수용액)을 이용하는 경우를 예로 들어 설명한다.
기판 처리 장치(1)는, 격벽(도시하지 않음)에 의해 구획된 처리실(2) 내에, 웨이퍼 W를 거의 수평 자세로 유지함과 함께, 그 중심을 통과하는 거의 연직의 회전축선 C 둘레로 웨이퍼 W를 회전시키는 스핀 척(기판 회전 유닛)(3)과, 스핀 척(3)에 유지되어 있는 웨이퍼 W의 표면을 향해, 약액(불산 등)을 공급하기 위한 약액 노즐(14)을 구비하고 있다. 또, 스핀 척(3)의 상방에는, 스핀 척(3)에 유지되어 있는 웨이퍼 W의 표면 부근의 분위기를 그 주위로부터 차단하기 위한 차단판(대향 부재)(19)이 설치되어 있다.
스핀 척(3)은, 스핀 모터(4)와, 이 스핀 모터(4)의 회전 구동력에 의해 회전축선 C 둘레로 회전되는 원반 형상의 스핀 베이스(6)와, 스핀 베이스(6)의 둘레 가장자리의 복수 개소에 거의 등간격으로 설치되며, 웨이퍼 W를 거의 수평인 자세로 협지하기 위한 복수개의 협지 부재(7)를 구비하고 있다. 이것에 의해, 스핀 척(3)은, 복수개의 협지 부재(7)에 의해 웨이퍼 W를 협지한 상태에서, 스핀 모터(4)의 회전 구동력에 의해 스핀 베이스(6)를 회전시킴으로써, 거의 수평 자세를 유지한 웨이퍼 W를, 스핀 베이스(6)와 함께 회전축선 C 둘레로 회전시킬 수 있다.
스핀 척(3)으로서는, 협지식의 것에 한정되지 않고, 예를 들어, 진공 흡착식의 척(배큠 척)이 채용되어도 된다. 배큠 척은, 웨이퍼 W의 이면을 진공 흡착함으로써, 웨이퍼 W를 수평인 자세로 유지하고, 또한 그 상태에서 연직의 회전축선 둘레로 회전함으로써, 스핀 척(3)에 유지된 웨이퍼 W를 회전시킨다.
약액 노즐(14)은, 예를 들어, 연속류의 상태로 약액을 토출하는 스트레이트 노즐이며, 그 토출구를 하방으로 향한 상태로, 거의 수평으로 연장되는 아암(15)의 선단부에 부착되어 있다. 아암(15)은 소정의 회전축선 둘레로 요동 가능하게 설치되어 있다. 아암(15)에는, 아암(15)을 소정 각도 범위 내에서 요동시키기 위한 아암 요동 기구(16)가 결합되어 있다. 아암(15)의 요동에 의해, 약액 노즐(14)은, 웨이퍼 W의 회전축선 C 상의 위치(웨이퍼 W의 회전 중심에 대향하는 위치)와, 스핀 척(3)의 측방에 설정된 위치(홈 포지션)의 사이에서 이동된다.
약액 노즐(14)은, 불산 공급원으로부터의 상온의 불산(약 25℃)이 공급되는 액공급관(17)에 접속되어 있다. 액공급관(17)의 도중부에는, 이 액공급관(17)의 유로를 개폐하기 위한 약액 밸브(18)가 끼워 넣어져 있다. 약액 밸브(18)가 열리면, 액공급관(17)으로부터 약액 노즐(14)에 불산이 공급되고, 약액 노즐(14)로부터 불산이 토출된다.
차단판(19)은, 웨이퍼 W와 거의 동일한 직경 또는 그 이상의 직경을 가지는 원판 형상을 이루고 있다. 그리고, 차단판(19)은, 스핀 척(3)의 상방에, 거의 수평의 자세로, 그 중심이 웨이퍼 W의 회전축선 C 상에 위치하도록 배치되어 있다. 차단판(19)의 하면에는, 스핀 척(3)에 유지되어 있는 웨이퍼 W의 표면과 대향하는 원형의 대향면(19A)이 형성되어 있다. 대향면(19A)은, 웨이퍼 W의 표면의 전역과 대향하고 있다.
차단판(19)의 표면에는, 차단판(19)의 중심을 지나는 연직축선(웨이퍼 W의 회전축선 C와 일치하는 연직축선)을 중심축선으로 하는 회전축(20)이 고정되어 있다. 회전축(20)은, 중공으로 형성되어 있으며, 그 내부에는 액공급관(21)이 연직 방향으로 연장된 상태로 삽입 통과되어 있다. 액공급관(21)에는 냉각 DIW 공급관(22)이 접속되어 있다. 냉각 DIW 공급관(22)에는, DIW 공급원으로부터의 상온(약 25℃)의 DIW(제1 온도의 물. 이하 「상온 DIW」라고 한다)가 공급되어 있다. 냉각 DIW 공급관(22)에는, 냉각 DIW 밸브(23) 및 냉각 유닛(60)이, 상류측으로부터 이 순서로 끼워 넣어져 있다. 냉각 DIW 밸브(23)는, 냉각 DIW 공급관(22)의 유로를 개폐한다. 또, 냉각 유닛(60)은, DIW 공급원으로부터의 상온 DIW를 냉각하기 위한 원 패스 방식의 유닛이며, 냉각 DIW 공급관(22)을 흘러 통과하는 DIW를, 소정의 저온(제2 온도(예를 들어 약 5~10℃))까지 냉각하고 있다. 냉각 유닛(60)은, 예를 들어, 기판 처리 장치(1)의 가동 중(전원 온 시)에는 상시 작동하고 있다. 냉각 유닛(60)의 작동 중에 냉각 DIW 밸브(23)가 열리면, 냉각 DIW 공급관(22)으로부터 액공급관(21)에, 저온의 DIW(제2 온도의 물. 이하, 「냉각 DIW」라고 한다)가 공급된다.
액공급관(21)에는 또, 상온 DIW 공급관(28)이 접속되어 있다. 상온 DIW 공급관(28)에는, 상온 DIW 공급관(28)의 유로를 개폐하기 위한 상온 DIW 밸브(29)가 끼워 넣어져 있다.
회전축(20)의 내벽면과 액공급관(21)의 사이는, 기체 유통로(24)를 형성하고 있다. 기체 유통로(24)의 하단은, 차단판(19)의 하면에 있어서, 액공급관(21)의 주위에서 환상으로 개구하고 있다.
기체 유통로(24)에는, 건조용 가스 공급관(25)이 접속되어 있다. 건조용 가스 공급관(25)에는, 건조용 가스 공급관(25)의 개폐를 위한 건조용 가스 밸브(26)가 끼워 넣어져 있다. 건조용 가스 밸브(26)가 열리면, 건조용 가스 공급관(25)으로부터 기체 유통로(24)에 건조용 가스가 공급된다. 기체 유통로(24)에 공급되는 건조용 가스는, 기체 유통로(24)의 하단의 환상 개구로부터 하방으로 토출된다. 건조용 가스로서는, 예를 들어 불활성 가스가 이용된다. 불활성 가스로서는, 질소 가스가 바람직하지만, 질소 가스 이외에, 예를 들어, 아르곤 가스, 헬륨 가스 등을 이용할 수도 있다.
회전축(20)은, 스핀 척(3)의 상방에서 거의 수평으로 연장되는 아암(27)에 부착되고, 그 아암(27)으로부터 늘어뜨린 상태로 설치되어 있다. 아암(27)에는, 아암(27)을 승강시키기 위한 아암 승강 기구(31)가 결합되어 있다. 아암(27)의 승강에 의해, 차단판(19)은, 스핀 척(3)의 상방으로 크게 이격한 위치와, 스핀 척(3)에 유지된 웨이퍼 W의 표면에 미소한 간격을 두고 근접하는 위치의 사이에서 승강된다. 웨이퍼 W에 대한 처리 시에는, 차단판(19)은, 그 대향면(19A)이 웨이퍼 W의 표면과 소정 간격을 둔 소정 위치에 배치된다. 또, 차단판(19)에는, 아암(27)을 통하여, 차단판(19)을 회전시키기 위한 차단판 회전 기구(32)가 결합되어 있다.
또, 기판 처리 장치(1)는, 마이크로 컴퓨터를 포함하는 제어 유닛(30)을 구비하고 있다. 제어 유닛(30)은, 미리 정해진 프로그램에 따라, 스핀 모터(4), 아암 요동 기구(16), 아암 승강 기구(31) 및 차단판 회전 기구(32)의 구동을 제어한다. 또, 제어 유닛(30)은, 미리 정해진 프로그램에 따라, 밸브(23, 26, 29)의 개폐를 제어한다.
도 2는, 기판 처리 장치(1)에 의한 세정 처리의 흐름을 나타낸 공정도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면서, 이 세정 처리에 대해서 설명한다.
처리 대상의 웨이퍼 W는, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 처리실(2) 내에 반입되고(단계 S1), 그 표면(처리 대상면)을 상방을 향한 상태로 스핀 척(3)에 건네진다(단계 S2). 이 때, 웨이퍼 W의 반입의 방해가 되지 않도록, 차단판(19)은, 스핀 척(3)의 상방으로 크게 이격한 위치에 퇴피되어 있다. 또, 약액 노즐(14)은, 스핀 척(3)의 측방의 홈 포지션에 배치되어 있다.
웨이퍼 W가 스핀 척(3)에 유지된 후, 제어 유닛(30)은 스핀 모터(4)를 제어하여, 웨이퍼 W를 액처리 회전 속도(예를 들어 300~1000rpm)로 회전시킨다(단계 S3(기판 회전 공정)). 또, 제어 유닛(30)은 아암(15)을 요동시켜, 약액 노즐(14)을, 홈 포지션으로부터 웨이퍼 W의 회전축선 C 상으로 이동시킨다.
약액 노즐(14)의 이동이 완료되면, 제어 유닛(30)은, 약액 밸브(18)를 열어 약액 노즐(14)로부터 불산을 공급하고(단계 S4(약액 공급 공정, 불산 공급 공정)), 이것에 의해, 웨이퍼 W의 표면에 대해 불산을 이용한 처리가 실시된다.
약액 노즐(14)로부터의 불산의 토출 개시부터 소정 시간이 경과하면, 제어 유닛(30)은 약액 밸브(18)를 닫고, 약액 노즐(14)로부터의 불산의 공급을 정지한다. 그리고, 아암(15)의 요동에 의해, 약액 노즐(14)이 웨이퍼 W의 회전축선 C 상으로부터 홈 포지션으로 되돌려진다.
불산을 이용한 불산 처리 후의 웨이퍼 W의 표면은 소수성면이 된다.
단계 S4의 약액 처리 중, 제어 유닛(30)은 아암 요동 기구(16)를 제어하여, 아암(15)을 소정의 각도 범위 내에서 요동시켜도 된다. 이것에 의해, 웨이퍼 W의 표면에 있어서의 불산의 공급 위치는, 예를 들어, 웨이퍼 W의 회전 중심(웨이퍼 W에 있어서의 회전축선 C 상)으로부터 웨이퍼 W의 둘레 가장자리에 이르는 범위 내를 원호 형상의 궤적을 그리면서 이동한다.
그 다음에, 상온 DIW를 이용한 린스 처리가 실시된다.
제어 유닛(30)은 아암 승강 기구(31)를 제어하여, 차단판(19)을 린스 처리 위치까지 하강시킨다. 린스 처리 위치란, 차단판(19)의 대향면(19A)과, 스핀 척(3)에 유지되어 있는 웨이퍼 W의 표면의 간격이 예를 들어 10mm 정도가 되는 차단판(19)의 높이 위치이다.
차단판(19)의 하강이 완료되면, 제어 유닛(30)은 상온 DIW 밸브(29)를 열어, 액공급관(21)의 하단으로부터 예를 들어 2(리터/분)의 상온 DIW를 토출한다(단계 S5(린스 공정)). 액공급관(21)으로부터 토출되는 상온 DIW는, 회전 중의 웨이퍼 W의 표면의 중심부에 공급된다. 웨이퍼 W의 표면에 공급된 상온 DIW는, 웨이퍼 W의 회전에 의한 원심력을 받아 웨이퍼 W의 표면 상을 둘레 가장자리를 향해 흘러, 웨이퍼 W의 표면의 전역에 퍼진다. 이것에 의해, 웨이퍼 W의 표면에 부착되어 있는 불산이 상온 DIW에 의해 씻어 내어진다.
이 상온 DIW에 의한 린스 처리는, 미리 정한 상온 린스 시간(예를 들어 10초간)동안 속행된다.
액공급관(21)의 하단으로부터의 상온 DIW의 토출이 상온 린스 시간에 걸쳐 계속되면, 제어 유닛(30)은 상온 DIW 밸브(29)를 닫고, 그 상온 DIW의 토출을 정지한다.
그 다음에, 웨이퍼 W의 표면에 냉각 DIW가 도포된다.
제어 유닛(30)은 냉각 DIW 밸브(23)를 열어, 액공급관(21)으로부터 예를 들어 2(리터/분)의 냉각 DIW를 토출한다(단계 S6(제2 온도수 공급 공정)). 액공급관(21)으로부터 토출되는 냉각 DIW는, 회전 중의 웨이퍼 W의 표면의 중심부에 공급된다. 웨이퍼 W의 표면에 공급된 냉각 DIW는, 웨이퍼 W의 회전에 의한 원심력을 받아 웨이퍼 W의 표면 상을 둘레 가장자리를 향해 흘러, 웨이퍼 W의 표면의 전역에 퍼진다. 그 때문에, 웨이퍼 W의 표면의 상온 DIW가 냉각 DIW로 치환되고, 이윽고, 웨이퍼 W의 표면의 전역이 냉각 DIW의 액막에 덮인다. 이것에 의해, 웨이퍼 W의 표면의 전역에, 냉각 DIW가 도포된다. 냉각 DIW의 공급은, 미리 정한 냉각 DIW 공급 시간(예를 들어 10초간)동안 속행된다.
액공급관(21)으로부터의 냉각 DIW의 토출이 냉각 DIW 공급 시간에 걸쳐 계속되면, 제어 유닛(30)은 냉각 DIW 밸브(23)를 닫고, 그 냉각 DIW의 토출을 정지한다.
그 후, 제어 유닛(30)은, 아암 승강 기구(31)를 제어하여, 차단판(19)을, 그 대향면(19A)이 웨이퍼 W의 표면에 미소한 간격(예를 들어 0.5~3mm 정도)을 두고 대향하는 건조 위치까지 하강된다. 또, 제어 유닛(30)은, 스핀 모터(4)를 제어하여, 웨이퍼 W의 회전 속도를 소정의 고회전 속도(예를 들어 1500~2500rpm 정도)까지 가속시킨다(단계 S7: 스핀 드라이(건조 공정)). 또, 제어 유닛(30)은, 차단판 회전 기구(32)를 제어하여, 차단판(19)을 웨이퍼 W와 동일한 방향으로 거의 동일한 속도로 고속 회전시킨다. 또, 제어 유닛(30)은, 건조용 가스 밸브(26)를 열어, 차단판(19)에 형성된 기체 유통로(24)의 개구로부터 건조용 가스를 토출시킨다. 그 결과, 웨이퍼 W의 표면과 차단판(19)의 대향면(19A) 사이의 공간에, 웨이퍼 W의 중심부로부터 둘레 가장자리로 향하는 건조용 가스의 안정된 기류가 생겨, 웨이퍼 W의 표면 부근의 분위기가 그 주위로부터 차단된다.
그리고, 웨이퍼 W의 고속 회전이 소정 시간에 걸쳐 계속되면, 제어 유닛(30)은, 건조용 가스 밸브(26)를 닫아 기체 유통로(24)로부터의 건조용 가스의 토출을 정지한다. 또, 제어 유닛(30)은, 아암 승강 기구(31)를 제어하여, 차단판(19)을 스핀 척(3)의 상방으로 크게 이격한 위치까지 상승시킨다. 그리고, 웨이퍼 W의 회전이 정지된다. 이것에 의해, 1장의 웨이퍼 W에 대한 세정 처리가 종료가 되고, 반송 로봇에 의해, 처리가 끝난 웨이퍼 W가 처리실(2)로부터 반출된다(단계 S8).
이상에 의해, 이 실시 형태에 의하면, 단계 S5의 린스 처리 후, 단계 S7의 스핀 드라이의 개시 전에, 웨이퍼 W의 표면에 냉각 DIW가 공급되고, 그 전역에 냉각 DIW가 도포된다. 냉각 DIW의 수온은 5~10℃이며, 약 25℃의 상온 DIW와 비교하여 증발이 일어나기 어렵다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 냉각 DIW의 도포(단계 S6)의 종료 후에는, 웨이퍼 W의 표면에 냉각 DIW가 부착되어 있다. 이 상태로, 웨이퍼 W의 회전 속도가 고회전 속도로 높여져 스핀 드라이가 개시되어도, 웨이퍼 W의 표면에 부착되어 있는 냉각 DIW는, 스핀 드라이의 개시 후 즉시는 증발하지 않는다. 따라서, 그 저온 DIW에 오염물질 등의 이물(70)이 포함되어 있는 경우에는, 스핀 드라이의 개시 후에도 얼마동안의 기간은, 이물(70)의 주위에 저온 DIW가 존재하고 있다. 그리고, 웨이퍼 W의 고속 회전에 의해, DIW가 이물(70)째로 웨이퍼 W의 표면으로부터 털어진다. 이것에 의해, 웨이퍼 W의 표면에 있어서의 이물 잔류를 방지하면서, 웨이퍼 W를 건조시킬 수 있다.
또, 이 실시 형태에 의하면, 상온 DIW를 이용하여, 웨이퍼 W의 표면에 대한 린스 처리가 행해진다. 상온 DIW를 이용하여 행하는 린스 처리가, 냉각 DIW를 이용하여 행하는 린스 처리보다도, 그 처리 효율이 높다. 그 때문에, 웨이퍼 W의 표면에 린스 처리를 양호하게 실시할 수 있다.
또, 웨이퍼 W의 표면에 DIW가 부착되어 있는 경우, 그 DIW가 상온일 때보다도, 그 DIW가 저온(5~10℃)일 때가, 그 DIW에 대한 웨이퍼 W로부터의 규소(Si)의 용출이 억제된다. 불산을 이용한 처리 후의 웨이퍼 W의 표면은 규소의 용출량이 비교적 많은 소수성면을 이루고 있지만, 이 경우에도, 냉각 DIW에 대한 규소의 용출량은 많지 않다.
이 실시 형태에 의하면, 웨이퍼 W의 표면에 냉각 DIW가 부착된 상태로 스핀 드라이가 개시되므로, 스핀 드라이 개시 시에 웨이퍼 W의 표면에 부착되어 있는 DIW에는, 거의 규소가 포함되어 있지 않다. 그 때문에, 스핀 드라이 후에, 웨이퍼 W의 표면에, 용출 규소에 기인하는 워터 마크가 발생하지 않는다. 이것에 의해, IPA 등의 유기 용제를 이용하지 않고, 워터 마크의 발생을 억제할 수 있다.
한편, 도 4에 나타낸 바와 같이, 린스 처리(단계 S5: 상온 DIW 공급)에 이어서 즉시 스핀 드라이(단계 S7)를 행하는 경우(비교예)에 대해서 검토한다. 이 경우에는, 웨이퍼 W의 표면에 상온 DIW가 부착되어 있다. 이 상태에서, 웨이퍼 W의 회전 속도가 고회전 속도로 높여져 스핀 드라이가 개시되면, 웨이퍼 W의 표면에 부착되어 있는 상온 DIW는, 웨이퍼 W의 둘레 방향을 향해 이동하지만, 증발에 의해, 그 자리에서 기화되는 성분이 비교적 많아진다. 따라서, 그 DIW에 오염물질 등의 이물(70)이 포함되어 있는 경우에는, 스핀 드라이의 개시 후에 이물(70) 주위의 상온 DIW가 증발함으로써, 웨이퍼 W에 부착될 가능성이 높아지고, 그 때문에, 이물(70)은 웨이퍼 W의 표면에 부착된 채로 남아, 웨이퍼 W의 고속 회전에 의해서는 털어지지 않는다. 그 결과, 건조 처리 후의 웨이퍼 W의 표면에 이물(70)이 잔류할 우려가 있다.
이상, 이 발명의 일실시 형태에 대해서 설명했지만, 이 발명은 다른 형태로 실시할 수도 있다.
제2 온도는, 예를 들어, 상온보다도 낮은 온도(또한 물의 응고점보다도 높은 온도)이면 다른 온도여도 된다. 즉, 제2 온도의 물로서, 물의 응고점을 넘고 5℃ 미만인 액체의 온도를 가지는 물을 채용할 수도 있고, 10℃를 넘고 상온(약 25℃) 미만인 액체의 온도를 가지는 물을 채용할 수도 있다.
또, 제1 온도의 물로서, 상온보다 높은 온도(예를 들면 40℃~80℃)의 액체의 온도를 가지는 물을 채용할 수도 있다.
물로서, DIW를 예로 들어 설명했다. 그러나, 제1 온도 또는 제2 온도의 물로서는, DIW에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 오존수, 희석 농도(예를 들어, 10~100ppm 정도)의 염산수, 환원수(수소수) 등을 채용할 수도 있다.
린스 처리 전에 기판에 공급되는 약액으로서는, 웨이퍼 W의 표면에 대한 처리의 내용에 따른 것이 이용된다. 예를 들어, 웨이퍼 W의 표면으로부터 파티클을 제거하기 위한 세정 처리이면, SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture: 암모니아 과산화 수소수) 등의 세정액이 이용된다. 또, 웨이퍼 W의 표면으로부터 산화막 등을 에칭하기 위한 세정 처리이면, 불산이나 BHF(Buffered HF) 등의 약액을 포함하는 세정액이 이용된다. 레지스트 박리 후의 웨이퍼 W의 표면에 폴리머가 되어 잔류하고 있는 레지스트 잔사를 제거하기 위한 폴리머 제거 처리이면, SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture: 황산 과산화 수소수)나 SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture: 암모니아 과산화 수소수) 등의 폴리머 제거액이 이용된다. 금속 오염물을 제거하는 세정 처리에는, 불산이나 SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture: 염산 과산화 수소수)나 SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture: 황산 과산화 수소수) 등의 약액이 이용된다.
본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 명확히 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정되어 해석되어서는 안되며, 본 발명의 범위는 첨부한 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2012년 3월 29일에 일본 특허청에 제출된 일본국 특허 출원 2012-78235호에 대응하고 있으며, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.
Claims (8)
- 실리콘 기판의 표면에 제1 온도의 물을 공급하고, 이 물을 이용한 린스 처리를 상기 실리콘 기판의 표면에 실시하는 린스 공정과,
상기 린스 공정 후에, 상기 제1 온도보다도 낮은 제2 온도의 물을 상기 실리콘 기판의 표면에 공급하는 제2 온도수 공급 공정과,
상기 제2 온도수 공급 공정 후에, 상기 실리콘 기판을 회전시킴으로써 상기 실리콘 기판의 표면의 물을 실리콘 기판의 주위로 털어내어, 상기 실리콘 기판을 건조시키는 건조 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 온도가 상온 이상이며, 상기 제2 온도가 상온보다 낮고, 물의 응고점보다도 높은 온도인, 기판 처리 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 린스 공정 및 상기 제2 온도수 공급 공정과 병행하여 실행되며, 상기 실리콘 기판을 회전시키는 기판 회전 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 린스 공정에 앞서 실행되며, 상기 실리콘 기판의 표면에 약액을 공급하여, 상기 실리콘 기판의 표면에 상기 약액에 의한 처리를 실시하는 약액 공급 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 린스 공정에 앞서 실행되며, 상기 실리콘 기판의 표면에 불산을 공급하여, 상기 실리콘 기판의 표면에 불산을 이용한 처리를 실시하는 불산 공급 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 건조 공정과 병행하여, 상기 실리콘 기판의 표면에 대향하는 대향면을 가지는 대향 부재를 상기 실리콘 기판과 동일 방향으로 회전시키면서, 상기 대향면과 상기 실리콘 기판의 표면의 사이에 기체를 공급하는 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법. - 실리콘 기판을 유지하면서 회전하는 기판 회전 유닛과,
상기 기판 회전 유닛에 유지되는 상기 실리콘 기판의 표면에 제1 온도의 물을 공급하기 위한 제1 온도수 공급 유닛과,
상기 기판 회전 유닛에 유지되는 상기 실리콘 기판의 표면에, 상기 제1 온도보다도 낮은 제2 온도의 물을 공급하기 위한 제2 온도수 공급 유닛과,
상기 기판 회전 유닛, 제1 온도수 공급 유닛 및 제2 온도수 공급 유닛을 제어하여, 상기 실리콘 기판의 표면에 제1 온도의 물을 공급하고, 이 물을 이용한 린스 처리를 상기 실리콘 기판의 표면에 실시하는 린스 공정과, 상기 린스 공정 후에 상기 제2 온도의 물을 상기 실리콘 기판의 표면에 공급하는 제2 온도수 공급 공정과, 상기 제2 온도수 공급 공정 후에, 상기 실리콘 기판을 회전시킴으로써 상기 실리콘 기판의 표면의 물을 실리콘 기판의 주위로 털어내어, 상기 실리콘 기판을 건조시키는 건조 공정을 실행하는 제어 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치. - 청구항 7에 있어서,
상기 제1 온도가 상온 이상이며, 상기 제2 온도수 공급 유닛이 물을 상온보다도 낮은 온도로 냉각하는 냉각 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2012-078235 | 2012-03-29 | ||
| JP2012078235A JP5963075B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130111176A true KR20130111176A (ko) | 2013-10-10 |
Family
ID=49233227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120121811A KR20130111176A (ko) | 2012-03-29 | 2012-10-31 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9595433B2 (ko) |
| JP (1) | JP5963075B2 (ko) |
| KR (1) | KR20130111176A (ko) |
| CN (1) | CN103367110B (ko) |
| TW (1) | TWI485748B (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
| JP2017212335A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP6881922B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2021-06-02 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US11342215B2 (en) | 2017-04-25 | 2022-05-24 | Veeco Instruments Inc. | Semiconductor wafer processing chamber |
| JP7480594B2 (ja) | 2020-06-04 | 2024-05-10 | 栗田工業株式会社 | 電子部品部材洗浄水の製造装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3356522B2 (ja) * | 1994-01-19 | 2002-12-16 | 富士通株式会社 | 洗浄方法、かかる洗浄方法を使った半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
| US6837943B2 (en) * | 2002-12-17 | 2005-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
| US20060011214A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Zhi Liu | System and method for pre-gate cleaning of substrates |
| JP2006344907A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2007288103A (ja) | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Renesas Technology Corp | エッチング処理装置およびエッチング処理方法 |
| JP4791905B2 (ja) | 2006-08-04 | 2011-10-12 | パナソニック株式会社 | 基板洗浄方法 |
| JP4763563B2 (ja) | 2006-09-20 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法 |
| JP2008109058A (ja) | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2008135557A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP4963994B2 (ja) | 2007-03-16 | 2012-06-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5114278B2 (ja) | 2008-04-16 | 2013-01-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2009267167A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2010080668A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP5315189B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-10-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011192885A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP2011204712A (ja) | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP5460633B2 (ja) | 2010-05-17 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録した記録媒体 |
| KR101806191B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2017-12-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078235A patent/JP5963075B2/ja active Active
- 2012-09-24 CN CN201210359233.1A patent/CN103367110B/zh active Active
- 2012-10-31 KR KR1020120121811A patent/KR20130111176A/ko active Search and Examination
- 2012-12-13 US US13/713,606 patent/US9595433B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-21 TW TW102102180A patent/TWI485748B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103367110A (zh) | 2013-10-23 |
| US9595433B2 (en) | 2017-03-14 |
| JP5963075B2 (ja) | 2016-08-03 |
| JP2013207271A (ja) | 2013-10-07 |
| TWI485748B (zh) | 2015-05-21 |
| CN103367110B (zh) | 2017-03-01 |
| TW201403659A (zh) | 2014-01-16 |
| US20130255718A1 (en) | 2013-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102068443B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| US9984903B2 (en) | Treatment cup cleaning method, substrate treatment method, and substrate treatment apparatus | |
| US9548197B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus | |
| JP4870837B2 (ja) | 基板乾燥装置及びその方法 | |
| JP4339561B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR101280768B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| KR101838418B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| KR102084844B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US9768042B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP5954862B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2004119717A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2004006618A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2012074475A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR20130111176A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| JP5390873B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US10699895B2 (en) | Substrate processing method | |
| JP5031654B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| CN209747469U (zh) | 基板清洗装置 | |
| JP2006202983A (ja) | 基板処理装置および処理室内洗浄方法 | |
| JP2009194090A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2008098663A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2009081370A (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
| JP2006351805A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment |