TWI485748B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種對矽基板實施處理之基板處理方法及基板處理裝置。
於半導體裝置之製造步驟中，矽半導體晶圓(以下僅稱作「晶圓」)例如以一片一片地進行處理。具體而言，藉由將藥液供給至晶圓之表面，而利用藥液對該晶圓之表面進行處理。其後，藉由將DIW(Deionized Water；去離子水)供給至晶圓之表面，而利用該DIW沖洗附著於晶圓表面之藥液(沖洗處理)。於沖洗掉藥液之後，藉由使晶圓高速旋轉，甩去晶圓表面之DIW，從而使晶圓乾燥。
又，已知有為了抑制水痕之產生而將沸點低於水之IPA(Isopropyl Alcohol；異丙醇)供給至晶圓之表面，而以IPA取代附著於晶圓表面之DIW之技術。經取代為IPA後，藉由使晶圓高速旋轉，而自基板去除附著於晶圓表面之IPA，從而使晶圓乾燥。
藉由高速旋轉所進行晶圓之乾燥，可認為主要係由於DIW自高速旋轉之晶圓表面蒸發，而非DIW自晶圓周緣飛散。因此，在殘留於沖洗處理後之晶圓表面之DIW液滴中含有異物之情況下，會存在有晶圓開始高速旋轉後，在自晶圓甩去異物之前，DIW就直接蒸發，而僅使異物殘留於晶圓表面之虞。
又，由於IPA等有機溶劑較為昂貴，因此就降低運轉成本之觀點而言，期望不使用IPA而抑制水痕之產生。
因此，本發明目的之一，在於提供一種可一方面防止在 矽基板表面上之異物殘留，同時使矽基板乾燥之基板處理方法及基板處理裝置。
又，本發明之另一目的，在於提供一種可不使用有機溶劑，而抑制水痕產生之基板處理方法及基板處理裝置。
本發明之基板處理方法包括以下步驟：沖洗步驟，其將第1溫度之水供給至矽基板之表面，並對上述矽基板之表面實施使用該水之沖洗處理；第2溫度水供給(塗佈)步驟，其係於上述沖洗步驟之後，將低於上述第1溫度之第2溫度之水供給至上述矽基板之表面；及乾燥步驟，其係於上述第2溫度水供給步驟之後，藉由使上述矽基板旋轉而將該矽基板之表面之水甩至矽基板之周圍，從而使上述矽基板乾燥。
根據本發明之方法，於使用第1溫度之水進行沖洗處理之後、且開始乾燥處理前，將低於第1溫度之第2溫度之水供給至矽基板之表面。因此，於開始進行乾燥處理時，相對較低溫之第2溫度之水係附著於矽基板之表面。低溫之第2溫度之水相較於第1溫度之水不易蒸發。
在矽基板之表面附著有低溫之第2溫度之水之狀態下，即便開始進行藉由矽基板之旋轉之乾燥處理，附著於矽基板表面之第2溫度之水亦不會於乾燥處理開始後就立即蒸發。因此，於第2溫度之水中含有異物之情況下，在乾燥處理開始後之一段時間內，第2溫度之水仍會存在於異物之周圍。而且，藉由矽基板之旋轉，將水連同異物自矽基板之表面甩開。藉此，可一方面防止矽基板表面之異物殘留，並且使矽基板乾燥。
又，使用高於第2溫度之第1溫度之水，對矽基板之表面進行沖洗處理。使用相對較高溫之第1溫度之水進行之沖洗處理係相較於使用相對較低溫之第2溫度之水所進行之沖洗處理，其處理效率較高。因此，可對矽基板表面良好地實施沖洗處理。
又，在水附著於矽基板表面之情況下，該水為更低溫之第2溫度時，相較於該水為第1溫度時，可抑制矽(Si)自矽基板對該水 之溶出。
由於在矽基板表面附著有相對較低溫之第2溫度之水之狀態下開始進行乾燥處理，因此於乾燥處理開始時，於附著於矽基板表面之水中幾乎未含有造成水痕之原因之矽。因此，於乾燥處理後，不易於矽基板之表面產生水痕。藉此，可不使用IPA等有機溶劑而抑制水痕之產生。
第1溫度可為常溫(約為25℃)。又，亦可為高於常溫之溫度(例如40℃~80℃)。第2溫度可為低於常溫之溫度(且高於水之凝固點之溫度)。例如可為5~10℃之範圍之溫度。
本發明一實施形態之基板處理方法，進一步包括與上述沖洗步驟及上述第2溫度水供給步驟並行地執行，而使上述矽基板旋轉之基板旋轉步驟。
根據該方法，藉由與第2溫度之水之供給並行地使矽基板旋轉，可使第2溫度之水遍佈於矽基板表面之全域。藉此，可於矽基板表面之全域防止異物殘留，且可於矽基板表面之全域抑制水痕之產生。
上述基板處理方法亦可進一步包括於上述沖洗步驟之前執行，將藥液供給至上述矽基板之表面，而對該矽基板之表面實施使用上述藥液進行處理之藥液供給步驟。藥液既可為清洗矽基板表面之清洗液，亦可為蝕刻矽基板表面之膜之蝕刻液。
上述基板處理方法亦可進一步包括於上述沖洗步驟之前執行，將氫氣酸供給至上述矽基板之表面，而對該矽基板之表面實施使用氫氟酸處理之氫氟酸供給步驟。
使用氫氟酸處理後之矽基板表面係成為疏水性面。矽容易自疏水性面溶出。
根據該發明之方法，即便矽基板之表面為疏水性面，由於乾燥處理開始時，與矽基板表面接觸的水為低溫之第2溫度，矽不易自疏水性面溶出於該水中。因此，於乾燥處理開始時，殘留於矽基板表面之水幾乎不含矽。藉此，即便於使用氫氟酸處理後之乾燥處理 中，亦可抑制水痕之產生。
上述基板處理方法亦可進一步包括與上述乾燥步驟並行，而一方面使具有與上述矽基板之表面對向之對向面之對向構件與上述矽基板同方向地旋轉，同時將氣體供給至上述對向面與上述矽基板表面之間之步驟。
本發明之基板處理裝置包含：基板旋轉單元，其一方面保持矽基板同時進行旋轉；第1溫度水供給單元，其用以將第1溫度之水供給至保持於上述基板旋轉單元之上述矽基板之表面；第2溫度水供給單元，其用以將低於上述第1溫度之第2溫度之水供給至保持於上述基板旋轉單元之上述矽基板之表面；及控制單元，其控制上述基板旋轉單元、第1溫度水供給單元及第2溫度水供給單元而執行以下步驟：沖洗步驟，其係將第1溫度之水供給至上述矽基板之表面，並於上述矽基板之表面實施使用該水之沖洗處理；第2溫度水供給步驟，其係於上述沖洗步驟之後將上述第2溫度之水供給至上述矽基板之表面；及乾燥步驟，其係於上述第2溫度水供給步驟之後，藉由使上述矽基板旋轉而將該矽基板之表面之水甩至矽基板之周圍，從而使該矽基板乾燥。
上述第1溫度較佳為常溫以上，於該情況下，上述第2溫度水供給單元亦可包含將水冷卻至低於常溫之溫度之冷卻單元。
本發明之上述目的或進一步其他之目的、特徵及效果可參照隨附圖式並藉由如下所述實施形態之說明而闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理室
3‧‧‧旋轉夾頭(基板旋轉單元)
4‧‧‧旋轉馬達
6‧‧‧旋轉基座
7‧‧‧夾持構件
14‧‧‧藥液噴嘴
15、27‧‧‧手臂
16‧‧‧手臂擺動機構
17、21‧‧‧液體供給管
18‧‧‧藥液閥
19‧‧‧阻隔板
19A‧‧‧對向面
20‧‧‧旋轉軸
22‧‧‧冷卻DIW供給管
23‧‧‧冷卻閥(第2溫度水供給單元)
24‧‧‧氣體流通路
25‧‧‧乾燥用氣體供給管
26‧‧‧乾燥用氣體閥
28‧‧‧常溫DIW供給管
29‧‧‧常溫DIW閥(第1溫度水供給單元)
30‧‧‧控制單元
31‧‧‧手臂升降機構
32‧‧‧阻隔板旋轉機構
60‧‧‧冷卻單元(第2溫度水供給單元)
70‧‧‧異物
C‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧晶圓(矽基板)
S1~S8‧‧‧步驟
圖1係示意性地表示本發明一實施形態之基板處理裝置之構成的圖。
圖2係表示藉由圖1所示之基板處理裝置所進行清洗處理之步驟圖。
圖3係示意性地表示圖2之旋轉乾燥時之晶圓情況的圖。
圖4係示意性地表示比較例之晶圓情況的圖。
圖1係示意性地表示本發明一實施形態之基板處理裝置 1之構成的圖。該基板處理裝置1係用以對作為矽基板之一例之圓形半導體晶圓W(以下僅稱作「晶圓W」)之元件形成區域側的表面，使用藥液及DIW，實施用以去除污染物質之清洗處理的單片型裝置。於該實施形態中，係舉將氫氟酸(HF水溶液)用作藥液之情況為例進行說明。
基板處理裝置1係於由間隔壁(未圖示)所劃分之處理室2內具備有：旋轉夾頭(基板旋轉單元)3，其係將晶圓W保持為大致水平姿勢，並且使晶圓W圍繞通過其中心之大致鉛垂之旋轉軸線C旋轉；及藥液噴嘴14，其係用以朝向保持於旋轉夾頭3之晶圓W之表面供給藥液(氫氟酸等)。又，於旋轉夾頭3之上方，配設有用以將保持於旋轉夾頭3之晶圓W之表面附近之環境自其周圍阻隔之阻隔板(對向構件)19。
旋轉夾頭3具備有：旋轉馬達4；藉由該旋轉馬達4之旋轉驅動力而圍繞旋轉軸線C旋轉之圓盤狀之旋轉基座6；大致等間隔地設置於旋轉基座6周緣之數個部位，用於以大致水平之姿勢夾持晶圓W之數個夾持構件7。藉此，旋轉夾頭3可在由數個夾持構件7夾持晶圓W之狀態下，藉由旋轉馬達4之旋轉驅動力使旋轉基座6旋轉，藉此使保持大致水平姿勢之晶圓W與旋轉基座6一起圍繞旋轉軸線C旋轉。
作為旋轉夾頭3，並不限於夾持式者，例如亦可採用真空吸附式夾頭(真空夾頭)。真空夾頭係藉由真空吸附晶圓W之背面，使晶圓W保持為水平姿勢，進而在該狀態下圍繞鉛垂之旋轉軸線旋轉，藉此使保持於旋轉夾頭3之晶圓W旋轉。
藥液噴嘴14例如係以連續流之狀態吐出藥液之直線型噴嘴，其吐出口朝向下方之狀態安裝至大致沿水平延伸之手臂15之前端部。手臂15係設置為可圍繞既定之旋轉軸線擺動。手臂15結合有用以使手臂15於既定角度範圍內擺動之手臂擺動機構16。藉由手臂15之擺動，藥液噴嘴14係於晶圓W之旋轉軸線C上之位置(與晶圓W之旋轉中心對向之位置)與設定於旋轉夾頭3側方之位置(起始位置)之間移動。
藥液噴嘴14係連接於供給來自氫氟酸供給源之常溫之氫氟酸(約為25℃)之液體供給管17。於液體供給管17之中間部，介裝有用以開關該液體供給管17之流路之藥液閥18。若藥液閥18開啟，則氫氟酸就會自液體供給管17供給至藥液噴嘴14，而使氫氟酸自藥液噴嘴14吐出。
阻隔板19係形成為具有與晶圓W大致相同之直徑或大於該直徑之圓板狀。而且，阻隔板19係於旋轉夾頭3之上方以大致水平之姿勢，以其中心位於晶圓W之旋轉軸線C上之方式配置。於阻隔板19之下表面，形成有與保持於旋轉夾頭3之晶圓W之表面對向之圓形之對向面19A。對向面19A係與晶圓W之表面之全域相對向。
於阻隔板19之表面固定有以通過阻隔板19之中心之鉛垂軸線(與晶圓W之旋轉軸線C一致之鉛垂軸線)為中心軸線之旋轉軸20。旋轉軸20係形成為中空，且於其內部以使液體供給管21沿鉛垂方向上延伸之狀態插通有液體供給管21。液體供給管21係連接有冷卻DIW供給管22。於冷卻DIW供給管22中，供給有來自DIW供給源之常溫(約為25℃)之DIW(第1溫度之水，以下稱作「常溫DIW」)。於冷卻DIW供給管22，自上游側依序介裝有冷卻DIW閥23及冷卻單元60。冷卻DIW閥23係用以開關冷卻DIW供給管22之流路。又，冷卻單元60係用以冷卻來自DIW供給源之常溫DIW之單程流(one-pass)方式之單元，而將於冷卻DIW供給管22中流通之DIW冷卻至既定之低溫(第2溫度(例如約為5~10℃))。冷卻單元60例如於基板處理裝置1之運行中(電源接通時)持續進行運作。若於冷卻單元60之動作中冷卻DIW閥23開啟，則低溫之DIW(第2溫度之水，以下稱作「冷卻DIW」)就會自冷卻DIW供給管22供給至液體供給管21。
又，液體供給管21連接有常溫DIW供給管28。於常溫DIW供給管28，介裝有用以開關常溫DIW供給管28之流路之常溫DIW閥29。
旋轉軸20之內壁面與液體供給管21之間係形成有氣體流通路24。氣體流通路24之下端係於阻隔板19之下表面，且在液體 供給管21之周圍呈環狀地開口。
氣體流通路24係連接有乾燥用氣體供給管25。於乾燥用氣體供給管25，介裝有用以開關乾燥用氣體供給管25之乾燥用氣體閥26。若乾燥用氣體閥26開啟，則乾燥用氣體就會自乾燥用氣體供給管25供給至氣體流通路24。供給至氣體流通路24之乾燥用氣體係自氣體流通路24之下端之環狀開口朝下方吐出。作為乾燥用氣體，例如可使用惰性氣體。作為惰性氣體，雖然較佳為氮氣，但除氮氣以外，亦可使用例如氬氣、氦氣等。
旋轉軸20係安裝至旋轉夾頭3之上方且大致沿水平延伸之手臂27，並以自該手臂27下垂之狀態設置。於手臂27結合有用以使手臂27升降之手臂升降機構31。藉由手臂27之升降，阻隔板19係於與旋轉夾頭3之上方相隔較遠的位置、及相隔微小間隔而靠近於保持於旋轉夾頭3之晶圓W之表面的位置之間進行升降。於對晶圓W進行處理時，阻隔板19係配置於其對向面19A與晶圓W之表面相隔既定間隔之既定位置。又，於阻隔板19係經由手臂27結合有用以使阻隔板19旋轉之阻隔板旋轉機構32。
又，基板處理裝置1具備有包含微電腦之控制單元30。控制單元30係根據預先設定之程式控制旋轉馬達4、手臂擺動機構16、手臂升降機構31及阻隔板旋轉機構32之驅動。又，控制單元30係根據預先設定之程序控制閥23、26、29之開關。
圖2係表示藉由基板處理裝置1所進行清洗處理之流程之步驟圖。一面參照圖1及圖2，一面對該清洗處理進行說明。
處理對象之晶圓W係藉由搬送機器人(未圖示)搬入至處理室2內(步驟S1)，並在使其表面(處理對象面)朝向上方之狀態下傳送至旋轉夾頭3(步驟S2)。此時，為不妨礙晶圓W之搬入，阻隔板19係退避至與旋轉夾頭3之上方相隔較遠之位置。又，藥液噴嘴14係配置於旋轉夾頭3側方之起始位置。
於晶圓W保持於旋轉夾頭3之後，控制單元30係控制旋轉馬達4使晶圓W以液體處理旋轉速度(例如300~1000 rpm)進行旋 轉(步驟S3(基板旋轉步驟))。又，控制單元30係擺動手臂15而使藥液噴嘴14自起始位置移動至晶圓W之旋轉軸線C上。
當藥液噴嘴14之移動結束，控制單元30就會開啟藥液閥18而自藥液噴嘴14供給氫氟酸(步驟S4(藥液供給步驟、氫氟酸供給步驟))，藉此，對晶圓W之表面實施使用氫氟酸之處理。
當從氫氟酸自藥液噴嘴14開始吐出並經過既定時間，控制單元30就會關閉藥液閥18，而停止來自藥液噴嘴14之氫氟酸之供給。然後，藉由手臂15之擺動，藥液噴嘴14係自晶圓W之旋轉軸線C上返回至起始位置。
使用氫氟酸進行氫氟酸處理後之晶圓W之表面係成為疏水性面。
步驟S4之藥液處理中，控制單元30亦可控制手臂擺動機構16，而於既定之角度範圍內擺動手臂15。藉此，晶圓W表面之氫氟酸之供給位置，例如於自晶圓W之旋轉中心(晶圓W之旋轉軸線C上)至晶圓W之周緣的範圍內，一面描繪圓弧狀軌跡一面進行移動。
接著，實施使用常溫DIW之沖洗處理。
控制單元30係控制手臂升降機構31，使阻隔板19下降至沖洗處理位置。所謂沖洗處理位置係指使阻隔板19之對向面19A、與保持於旋轉夾頭3之晶圓W表面之間隔例如成為10 mm左右之阻隔板19之高度位置。
當阻隔板19之下降結束，控制單元30就會開啟常溫DIW閥29，而自液體供給管21之下端吐出例如2公升/分鐘之常溫DIW(步驟S5(沖洗步驟))。自液體供給管21所吐出之常溫DIW係供給至旋轉中之晶圓W表面之中心部。供給至晶圓W之表面之常溫DIW係受到因晶圓W之旋轉所產生之離心力而於晶圓W之表面上朝向周緣流動，並擴散至晶圓W表面之全域。藉此，利用常溫DIW沖洗掉附著於晶圓W表面之氫氟酸。
藉由該常溫DIW所進行之沖洗處理係持續在預先設定之常溫沖洗時間(例如10秒鐘)之期間內進行。
當自液體供給管21下端之常溫DIW之吐出持續而經過常溫沖洗時間，控制單元30就會關閉常溫DIW閥29，而停止該常溫DIW之吐出。
接著，於晶圓W之表面塗佈冷卻DIW。
控制單元30開啟冷卻DIW閥23，自液體供給管21吐出例如2公升/分鐘之冷卻DIW(步驟S6(第2溫度水供給步驟))。自液體供給管21所吐出之冷卻DIW係供給至旋轉中之晶圓W表面之中心部。供給至晶圓W表面之冷卻DIW係受到因晶圓W之旋轉所產生之離心力而於晶圓W之表面上朝向周緣流動，並擴散至晶圓W表面之全域。因此，晶圓W之表面之常溫DIW係由冷卻DIW所取代，最後，晶圓W表面之全域係由冷卻DIW之液膜所覆蓋。藉此，於晶圓W表面之全域塗佈有冷卻DIW。冷卻DIW之供給係持續在預先設定之冷卻DIW供給時間(例如10秒鐘)之期間內進行。
當來自液體供給管21之冷卻DIW之吐出持續而經過冷卻DIW供給時間，控制單元30就會關閉冷卻DIW閥23，停止該冷卻DIW之吐出。
其後，控制單元30係控制手臂升降機構31使阻隔板19以其對向面19A與晶圓W之表面相距微小間隔(例如0.5~3 mm左右)之方式下降至對向之乾燥位置為止。又，控制單元30係控制旋轉馬達4使晶圓W之旋轉速度加速至既定之高旋轉速度(例如1500~2500 rpm左右)為止(步驟S7：旋轉乾燥(乾燥步驟))。又，控制單元30係控制阻隔板旋轉機構32，使阻隔板19與晶圓W於相同方向上以大致相同之速度高速旋轉。又，控制單元30係開啟乾燥用氣體閥26，使乾燥用氣體自形成於阻隔板19之氣體流通路24之開口吐出。其結果，於晶圓W之表面與阻隔板19之對向面19A之間之空間中，產生自晶圓W之中心部朝向周緣之乾燥用氣體之穩定氣流，而使晶圓W表面附近之環境自其周圍阻隔。
然後，當晶圓W之高速旋轉持續而經過既定時間，控制單元30就會關閉乾燥用氣體閥26，停止自氣體流通路24吐出乾燥 用氣體。又，控制單元30係控制手臂升降機構31，使阻隔板19上升至與旋轉夾頭3之上方間隔較遠之位置。然後，晶圓W之旋轉停止。藉此，結束對1片晶圓W之清洗處理，並利用搬送機器人將已完成處理之晶圓W自處理室2搬出(步驟S8)。
如上所述，根據該實施形態，於步驟S5之沖洗處理後、且步驟S7之旋轉乾燥開始前，對晶圓W之表面冷卻DIW，從而使冷卻DIW塗佈於其全域。冷卻DIW之水溫為5~10℃，相較於約為25℃之常溫DIW較不易蒸發。
如圖3所示，於冷卻DIW之塗佈(步驟S6)結束後，於晶圓W之表面附著有冷卻DIW。於該狀態下，即便使晶圓W之旋轉速度提高至高旋轉速度而開始進行旋轉乾燥，附著於晶圓W表面之冷卻DIW亦不會於開始進行旋轉乾燥後就立即蒸發。因此，於該低溫DIW中含有污染物質等異物70之情況下，於開始進行旋轉乾燥後之一段時間內，異物70之周圍仍存在有低溫DIW。然後，藉由晶圓W之高速旋轉，使DIW連同異物70自晶圓W之表面甩去。藉此，可一方面防止晶圓W表面之異物殘留，同時使晶圓W乾燥。
又，根據該實施形態，使用常溫DIW，進行對晶圓W表面之沖洗處理。相較於使用冷卻DIW進行之沖洗處理，使用常溫DIW進行之沖洗處理，其處理效率較高。因此，可於晶圓W之表面良好地實施沖洗處理。
又，於晶圓W之表面附著有DIW之情況下，相較於該DIW為常溫之情形，該DIW為低溫(5~10℃)時可抑制矽(Si)自晶圓W對該DIW之溶出。於使用氫氟酸進行處理之後，晶圓W之表面係成為矽之溶出量相對較多之疏水性面，但即便於該情況下，矽對冷卻DIW之溶出量仍不多。
根據該實施形態，由於在晶圓W之表面附著有冷卻DIW之狀態下開始進行旋轉乾燥，故而於旋轉乾燥開始時，附著於晶圓W表面之DIW中幾乎不含有矽。因此，於旋轉乾燥後，不會於晶圓W之表面產生因矽之溶出所造成之水痕。藉此，可不使用IPA等有機溶劑 而抑制水痕之產生。
另一方面，如圖4所示，對繼進行沖洗處理(步驟S5：常溫DIW供給)後立即進行旋轉乾燥(步驟S7)之情況(比較例)進行研究。於該情況下，於晶圓W之表面附著有常溫DIW。若在該狀態下提高晶圓W之旋轉速度至高旋轉速度而開始進行旋轉乾燥，雖然附著於晶圓W表面之常溫DIW就會朝向晶圓W之周向移動，但會由於蒸發，而使當場氣化之成分相對增多。因此，於該DIW中含有污染物質等異物70之情況下，由於在旋轉乾燥開始後異物70周圍之常溫DIW蒸發，故附著於晶圓W之可能性增高，因此，異物70係以附著於晶圓W表面之狀態殘留，無法藉由晶圓W之高速旋轉而甩去。其結果為，會有於乾燥處理後之晶圓W表面殘留異物70之虞。
以上，雖已對本發明一實施形態進行說明，但本發明亦可以其他形態實施。
第2溫度例如只要為低於常溫之溫度(且高於水之凝固點之溫度)，亦可為其他溫度。亦即，作為第2溫度之水，既可採用具有超過水之凝固點且未滿5℃之液溫之水，亦可採用具有超過10℃且未滿常溫(約為25℃)之液溫之水。
又，作為第1溫度之水，亦可採用具有高於常溫之溫度(例如40℃~80℃)之液溫之水。
作為水，已列舉DIW為例進行說明。然而，作為第1溫度或者第2溫度之水，並不限於DIW，亦可採用碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度例如10~100 ppm左右之鹽酸水、還原水(氫水)等。
作為於沖洗處理前供給至基板之藥液，可使用對應於對晶圓W表面所進行處理之內容者。例如，若為用以自晶圓W之表面去除微粒之清洗處理，則可使用SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：雙氧水混合液)等清洗液。又，若為用以自晶圓W之表面蝕刻氧化膜等之清洗處理，則可使用包含氫氟酸或BHF(Buffered HF；緩衝液型氟化氫)等藥液之清洗液。若為用以除去於光阻劑剝離後之晶圓 W表面成為聚合物而殘留之光阻劑殘渣的聚合物去除處理，則可使用SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過氧化氫混合液)或SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：雙氧水混合液)等聚合物去除液。於去除金屬污染物之清洗處理中，可使用氫氟酸或SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：鹽酸過氧化氫混合液)或SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過氧化氫混合液)等藥液。
雖然已對本發明之實施形態詳細地進行說明，但該等僅為用以使本發明之技術內容明確化之具體例，不應將本發明限於該等具體例而進行解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。
本案係對應於2012年3月29日向日本專利廳所提出之日本專利特願2012-78235號，且本案之所有揭示內容係藉由引用而組入於此。
S1~S8‧‧‧步驟

Claims (6)

  1. 一種基板處理方法，其包括：沖洗步驟，其係將作為第1溫度之常溫之水供給至矽基板之表面，並對上述矽基板之表面實施使用該水之沖洗處理；第2溫度水供給步驟，其係於上述沖洗步驟之後，將低於常溫、且高於水之凝固點之第2溫度之水供給至上述矽基板之表面；及乾燥步驟，其係於上述第2溫度水供給步驟之後，藉由使上述矽基板旋轉而將該矽基板表面之水甩至矽基板之周圍，從而使上述矽基板乾燥。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其進一步包括與上述沖洗步驟及上述第2溫度水供給步驟並行地執行，而使上述矽基板旋轉之基板旋轉步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其進一步包括於上述沖洗步驟之前執行，將藥液供給至上述矽基板之表面，而對該矽基板之表面實施藉由上述藥液進行處理之藥液供給步驟。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其進一步包括於上述沖洗步驟之前執行，將氫氟酸供給至上述矽基板之表面，而對該矽基板之表面實施使用氫氟酸進行處理之氫氟酸供給步驟。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其進一步包括與上述乾燥步驟並行，一邊使具有與上述矽基板之表面對向之對向面之對向構件與上述矽基板同方向地旋轉，一邊將氣體供給至上述對向面與上述矽基板表面之間之步驟。
  6. 一種基板處理裝置，其包含：基板旋轉單元，其一邊保持矽基板一邊進行旋轉；第1溫度水供給單元，其用以將作為第1溫度之常溫之水供給至保持於上述基板旋轉單元之上述矽基板之表面；第2溫度水供給單元，其用以將低於常溫、且高於水之凝固點之第2溫度之水供給至保持於上述基板旋轉單元之上述矽基板之表面；及 控制單元，其控制上述基板旋轉單元、第1溫度水供給單元及第2溫度水供給單元而執行以下步驟：沖洗步驟，其係將第1溫度之水供給至上述矽基板之表面，並對上述矽基板之表面實施使用該水之沖洗處理；第2溫度水供給步驟，其係於上述沖洗步驟之後，將上述第2溫度之水供給至上述矽基板之表面；及乾燥步驟，其係於上述第2溫度水供給步驟之後，藉由使上述矽基板旋轉而將該矽基板之表面之水甩至矽基板之周圍，從而使該矽基板乾燥。
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