JP4870837B2 - 基板乾燥装置及びその方法 - Google Patents
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Description
又、洗浄工程を進行した後、半導体基板表面に残留する薬液又は純水を乾燥させるための乾燥(Drying)工程がある。乾燥工程を実行するために使われる基板乾燥装置は、機械力学的な回転力を利用して半導体基板を乾燥させるスピン乾燥装置(Spin dry)とIPA(isopropyl alcohol)の化学的な反応を利用して半導体基板を乾燥させるIPA乾燥装置が使われる。
一般的なスピン乾燥装置は、基板を支持するスピンヘッドの回転作用によって基板を乾燥するが、乾燥処理後に半導体基板上に水半点(water mark)を発生させるなどの半導体素子の高集積化及び基板の大口径化による不純物粒子の側面を考慮する祭に多くの問題点を有している。
従って、IPA乾燥装置が広く使われるが、IPA乾燥装置は、IPAの化学的な反応によって半導体基板を乾燥させる装置である。即ち、IPA溶液を蒸発させて、基板上の純水とIPA溶液の置換によって乾燥工程を実行する。
しかし、従来の基板乾燥装置は、後述のような問題点がある。
IPA溶液が蒸発する際に基板表面の温度が急激に低下される問題が発生するので、乾燥工程に時間がかかり、これによってIPAの消耗量が増加する問題が発生した。又、水半点、或いは乾燥不良によるパーティクル(particle)が発生する問題点があった。
本発明の他の目的は、基板表面の急激な温度低下を防止し、水半点、或いは乾燥不良によるパーティクルの発生を抑制することができるIPAを利用した基板乾燥装置及びその方法を提供することにある。
本発明の目的は、上述で言及した目的に制限されずに、言及されないまた他の目的は、後述の記載から当業者に明確に理解されることができるはずである。
本発明の実施形態によると、前記プレ段階と前記最終段階では、前記有機溶剤の気化力の向上のための乾燥ガスが前記有機溶剤と共に噴射される。
本発明の実施形態によると、前記最終段階は、前記プレ段階での基板回転速度より速く基板が回転される。
本発明の実施形態によると、前記プレ段階は、前記有機溶剤を基板の中心から端に、そして基板の端から中心にスキャン噴射するスキャン段階と、前記有機溶剤を基板の中心で固定噴射する固定段階と、を含み、前記加熱された流体は、前記固定段階のみで基板の底面に噴射される。
本発明の実施形態によると、前記基板乾燥方法は、前記加熱された流体の噴射を中断し、有機溶剤を基板の上面の中心のみで噴射する最終段階をさらに含む。
本発明の実施形態によると、前記最終段階は、基板が前記プレ段階での基板回転速度より速く回転される。
本発明の実施形態によると、前記プレ段階で前記加熱された流体は、基板の底面に噴射される前に配管に停滞されている流体を一定時間の間にドレーンさせた後に基板の底面に噴射される。
本発明の実施形態によると、前記加熱された流体は、純水であり、前記有機溶剤は、IPAである。
前記の目的を達成するために、基板乾燥方法は、回転する基板の上面に有機溶剤と前記有機溶剤の気化力の向上のための乾燥ガスを噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレ段階と、前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面に前記有機溶剤と前記乾燥ガスを噴射する最終段階と、を含む。
前記目的を達成するために、基板乾燥方法は、前記有機溶剤を基板の中心から端に、そして基板の端から中心にスキャン噴射した後、前記有機溶剤を基板の中心で固定噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレ段階と、前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面の中心のみで前記有機溶剤を噴射する最終段階と、を含む。
本発明の実施形態によると、前記最終段階での基板回転速度は、前記プレ段階での基板回転速度より速い1400〜1600rpmである。
本発明の実施形態によると、前記基板乾燥装置は、前記上部ノズル部が前記基板の上面の中心から端に移動しながら、流体を噴射することができるように前記上部ノズル部を移動させる移動部をさらに含む。
その他の実施形態の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述される実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態に具現されることができ、但し本実施形態は本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に発明の範囲を完全に知らせるために提供され、本発明は請求項の範囲によって定義されるだけである。明細書の全体にかけて同一な参照符号は同一な構成要素を示す。
一番目、基板の底面に一程な温度の純水を供給することによって、基板表面の急激な温度低下を防止し、水半点や乾燥不良によるパーティクルの発生を抑制することができる。
二番目、乾燥工程の間に基板の温度を一定に維持することによって、乾燥工程に必要とする時間を短縮させてIPAの消耗量を減少させることができる。
三番目、基板を高速に回転させながらIPA溶液を基板の中心で噴射することによって、乾燥ガスの使用量を減らすことができ、IPA溶液がリバウンドされる現状を防止してパーティクルを減少させることができる。
本発明の効果は、上述で言及した効果に制限されずに、言及されないまた他の効果は請求範囲の記載から当業者に明確に理解されることができるはずである。
図1は、本発明の望ましい実施形態によるIPAを利用した基板乾燥装置を概略的に示す断面図である。
IPAを利用した基板乾燥装置10は、容器100と、昇降部材200と、支持部材300と、上部ノズル部400と、下部ノズル部500と、を含む。
図1に示したように、容器100は、上部が開放され、スピンヘッド310の周辺を囲むように形状され、回転される基板上で飛散される処理流体を集めて排出する。図面の便宜のため、容器100に固定設置されて基板に純水を噴射するリンス用の固定ノズルなどは省略した。容器100の形状は、多様に変形されることができ、1段構造の容器が使われることができる。
容器100は、基板上で飛散される処理流体を流入及び吸入する環形のダクトが多段に配置される。より具体的に説明すると、容器100は、内部に上部が開放され、基板Wが処理される空間Aを有し、空間Aにはスピンヘッド310が配置される。スピンヘッド310の下面には、スピンヘッド310を支持し、回転させるスピンドル320が固定結合される。スピンドル320は、容器100の底面に形成された開口を通じて容器100の外部に突出される。スピンドル320には、これに回転力を提供するモーターのような回転部材330が結合される。
昇降ユニット200は、容器100を上下方向に直線移動させる。容器100が上下に移動することによってスピンヘッド310に対する容器100の相対高さが変更される。昇降ユニット200は、ブラケット210、移動軸220、駆動機230を有する。ブラケット210は、容器100の外壁に固定設置され、ブラケット210には、駆動機230によって上下方向に移動される移動軸220が固定結合される。基板Wがスピンヘッド310に置かれる、或いはスピンヘッド310から持ち上げる際にスピンヘッド310が容器110の上部に突出されるようにスピンヘッド310は下降する。又、工程が進行の際には、基板Wに供給された処理液の種類によって処理液が既設定された回収筒110a、110b、110cへ流入されることができるように容器100の高さを調節する。上述したこととは反対に、昇降ユニット200は、スピンヘッド310を上下方向へ移動させることができる。
支持部材300は、処理工程の際に基板Wを支持する。基板支持部材300は、スピンヘッド310、スピンドル(spindle)320、回転部材330を有する。
スピンヘッド310は、容器100の内側空間に配置される。スピンヘッド310は、上部に基板Wがローディング(loading)される上部面12aと、上部面312aから離隔された状態に基板Wを支持する支持ピン314、そして基板Wを固定するチャッキングピン316を有する。支持ピン314は、基板をスピンヘッド310の上部面312aから離隔された状態に支持し、チャッキングピン316は、工程進行の際に基板の端の一部をチャッキングする。
スピンドル320は、スピンヘッド310の中央下部と結合される。スピン320は、その内部が空いている中空軸(hollow shaft)の形態で、回転部材330の回転力をスピンヘッド310に伝達する。詳細に図示しなかったが、回転部材330は、回転力を発生するモーターのような駆動部と、駆動部から発生された回転力をスピンドルに伝達するベルト、チェーンのような動力伝達部などの通常的な構成に形成されることができる。
下部ノズル部500は、基板Wの底面に加熱された流体を噴射するためのことで、望ましくは加熱された純水を基板の底面に噴射するためのことである。もちろん、下部ノズル部500は、加熱された純水の代わりに加熱された窒素ガスなどを噴射することができる。
下部ノズル部500は、スピンヘッド310の上面中央に設置された下部ノズル510を含む。下部ノズル510は、純水の供給ラインと連結されてスピンヘッド310の中央部に位置される。下部ノズル510は、加熱された純水を基板の底面に噴射するための加熱用噴射口512を有する。基板は、加熱用噴射口512を通じて噴射される加熱された純水によって加熱される。下部ノズル510を通じて基板の底面中央部に噴射される加熱された純水は、基板の回転によって基板の端へ容易に分散され、基板温度を全体的に均一に高める。
乾燥工程の間に加熱された純水によって基板Wの温度が一定に維持されることによって、水半点及び乾燥不良によるパーティクルの発生を防止することができる。又、基板Wの全体が急激な温度低下無しに一程温度が維持されて、IPA溶液による乾燥時間が減るようになってIPA溶液の消耗量を減少させる効果がある。
上部ノズル部400は、スピンヘッド310に置かれた基板を処理するための複数のノズルを含む。上部ノズル部400は、スピンヘッド310に置かれた基板の上面(被処理面)に有機溶剤と乾燥ガスなどを噴射する。
上部ノズル部400は、基板の中心から端に、端から中心に移動する、或いは基板の中心から基板の上面に有機溶剤と乾燥ガスを噴射するようになる。上部ノズル部400は、移動のために後述する移動部420に連結される。
移動部420によって上部ノズル部400を移動させる方法は、直線運動方式と回転運動方式があり、2種類の方式を各々に使用する、或いは混用して使用することができる。
前記ように構成される本発明によるIPAを利用した基板乾燥装置での作用を説明すると以下の通りである。
基板Wが回転するようになると、エッチング液によるエッチング工程が進行される。一般的に湿式エッチング工程において、基板W上のシリコン膜をエッチングするためのエッチング液には、HF(弗酸、Hydrofluoric Acid)溶液が使われる。HF溶液を工程チャンバ内に噴射して回転する基板Wの表面のシリコン膜をエッチングするようになる。エッチング液を噴射するための噴射口は、上部ノズル部400に具備される、或いは上部ノズル400とは別途のノズルに具備されることができる。
図4は、第1実施形態による乾燥方法を示すフローチャートである。図5は、第1実施形態による乾燥方法を段階的に説明するための図である。
図4及び図5に示したように、乾燥工程は、大きくプレ段階S610と、最終段階S620で区分することができる。プレ段階での基板回転速度は、最終段階の基板回転速度600〜800rpmより低い400〜500rpmである。
図6は、第2実施形態による乾燥方法を示すフローチャートである。図7は、第2実施形態による乾燥方法を段階的に説明するための図である。
図6及び図7に示したように、乾燥工程は、大きくプレ段階S710と最終段階S720で区分することができる。プレ段階での基板回転速度は、最終段階の基板回転速度1400〜1600rpmより低い400〜500rpmである。
乾燥工程が終わった後に、回転部材330は動作を中止してスピンヘッド310の回転を止め、基板Wは移送される、或いは他の工程が進行される。
本発明が属する技術分野の通常の知識を有した者は、本発明がその技術的な思想や必須的な特徴を変更しなくても異なる具体的な形態に実施されることができるということを理解することができる。従って、上述の実施形態は全ての面で例示的なことであり、限定的ではないことと理解するべきである。本発明の範囲は、上述の詳細な説明よりは、後述する特許請求範囲により、特許請求範囲の意味及び範囲、そしてその均等概念から挑出される全ての変更又は変形された形態が本発明の範囲に含まれることと解析するべきである。
Claims (20)
- 基板乾燥方法において、
回転する基板の上面に有機溶剤を噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレ段階を含むことを特徴とする基板乾燥方法。 - 前記基板乾燥方法は、
前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面に前記有機溶剤を噴射する最終段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥方法。 - 前記プレ段階と前記最終段階では、
前記有機溶剤の気化力の向上のための乾燥ガスが前記有機溶剤と共に噴射されることを特徴とする請求項2に記載の基板乾燥方法。 - 前記最終段階は、
前記プレ段階での基板回転速度より速く基板が回転されることを特徴とする請求項2に記載の基板乾燥方法。 - 前記最終段階は、
有機溶剤が基板の中心から端までに1回のみが噴射されることを特徴とする請求項2に記載の基板乾燥方法。 - 前記プレ段階は、
前記有機溶剤を基板の中心から端に、そして基板の端から中心にスキャン噴射するスキャン段階と、
前記有機溶剤を基板の中心で固定噴射する固定段階と、を含み、
前記加熱された流体は、前記固定段階のみで基板の底面に噴射されることを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥方法。 - 前記基板乾燥方法は、
前記加熱された流体の噴射を中断し、有機溶剤を基板の上面の中心のみで噴射する最終段階をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の基板乾燥方法。 - 前記最終段階は、
基板が前記プレ段階での基板回転速度より速く回転されることを特徴とする請求項7に記載の基板乾燥方法。 - 前記最終段階で基板の回転速度は、1400〜1600rpmであることを特徴とする請求項7に記載の基板乾燥方法。
- 前記基板の底面に噴射される加熱された流体は、60〜80℃であることを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥方法。
- 前記プレ段階で、
前記加熱された流体は、基板の底面に噴射される前に配管に停滞されている流体を一定時間の間、ドレーンさせた後に基板の底面に噴射されることを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥方法。 - 前記加熱された流体は純水であり、
前記有機溶剤は、IPAであることを特徴とする請求項1に記載の基板乾燥方法。 - 基板乾燥方法において、
回転する基板の上面に有機溶剤と、前記有機溶剤の気化力の向上のための乾燥ガスを噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレ段階と、
前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面に前記有機溶剤と前記乾燥ガスを噴射する最終段階と、を含むことを特徴とする基板乾燥方法。 - 前記最終段階での基板回転速度は、前記プレ段階での基板回転速度より速い600〜800rpmであり、
前記有機溶剤は、基板の中心から端までに1回のみが噴射されることを特徴とする請求項13に記載の基板乾燥方法。 - 基板乾燥方法において、
前記有機溶剤を基板の中心から端に、そして基板の端から中心にスキャン噴射した後、前記有機溶剤を基板の中心で固定噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレ段階と、
前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面の中心のみで前記有機溶剤を噴射する最終段階と、を含むことを特徴とする基板乾燥方法。 - 前記最終段階での基板回転速度は、前記プレ段階での基板回転速度より速い1400〜1600rpmであることを特徴とする請求項15に記載の基板乾燥方法。
- 基板乾燥装置において、
基板が置かれるスピンヘッドを有する支持部材と、
前記支持部材のスピンヘッドを受け入れ、工程が実行される空間を提供する容器と、
前記スピンヘッドに置かれた基板の上面に乾燥用流体を供給する上部ノズル部と、
前記スピンヘッドの上部面に設置され、基板の底面に加熱された流体を噴射する下部ノズル部と、
前記下部ノズル部に加熱された流体を供給する第1流体供給部と、
前記第1流体供給部に設置され、前記下部ノズル部に供給される流体を加熱させる加熱部と、を含むことを特徴とする基板乾燥装置。 - 前記上部ノズル部は、
基板の上面を乾燥させるために有機溶剤を噴射する第1ノズルと、
前記有機溶剤の気化力の向上のために乾燥ガスを噴射する第2ノズルと、を含むことを特徴とする請求項17に記載の基板乾燥装置。 - 前記基板乾燥装置は、
前記上部ノズル部が前記基板の上面の中心から端に移動しながら、流体を噴射することができるように前記上部ノズル部を移動させる移動部をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の基板乾燥装置。 - 前記加熱部は、純水を60〜80℃で加熱することを特徴とする請求項17に記載の基板乾燥装置。
Applications Claiming Priority (5)
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