KR101583042B1

KR101583042B1 - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR101583042B1
Application number: KR1020140065389A
Authority: KR
Inventors: 송길훈; 최기룡; 최영철; 박귀수; 박선용
Original assignee: 세메스 주식회사; 삼성전자 주식회사
Priority date: 2014-05-29
Filing date: 2014-05-29
Publication date: 2016-01-07
Also published as: CN111834260A; CN105280524A; US20150343496A1; KR20150138544A; US10232415B2

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 내부에 처리 공간을 가지는 용기와 상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되 상기 용기의 내측 면에는 결이 형성되는 기판 처리 장치를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판을 세정하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.

한국 공개특허공보 2012-0056620에는 세정 공정에 사용되는 일반적인 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 복수의 처리액을 회수 가능한 용기와 용기 내에 있는 기판 지지 부재를 포함하고 있다. 상기 장치에서 용기의 내측면은 매끄러운 면으로 제공된다. 그러나 위의 용기를 사용시 기판 세정에 사용된 케미칼 용액이 원심력에 의해 용기의 내측면에 부딪힌 후, 다시 기판으로 튀어 기판을 재오염시킨다. 또한, 용기에 부딪힌 케미칼 용액 중 기판으로 향하는 용액의 입자가 큰 경우에는 후속으로 용기를 향하여 오는 케미칼 용액과 충돌하며, 충돌 한 케미칼 용액의 일부가 기판으로 튀어 기판을 오염시킨다.

본 발명은 기판 세정 공정 시 케미칼 용액이 용기에 부딪힌 후 다시 기판으로 튀는 것을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.

또한, 본 발명은 기판의 세정 공정 시 케미칼 용액이 용기에 부딪힌 후 기판으로 튀는 케미칼 용액의 입자의 크기를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 용기와; 상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되; 상기 용기의 내측 면에는 결이 형성될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 선형으로 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 수평면에 대해 수직하게 상하 방향으로 제공되는 수직 결을 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 수평면에 대해 경사지게 제공되는 사선 결을 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 나선의 형상으로 제공되는 나선 결을 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 수평면에 대해 수직하게 상하 방향으로 제공되는 수직 결과, 수평면에 대해 평행하게 제공되는 수평 결을 포함하되, 상기 수평 결은 상기 수직 결에 교차하게 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 샌딩 형상으로 제공되는 샌딩결을 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 복수개가 제공되고, 상기 결들 중 일부는 그들간의 간격이 서로 동일하게 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 복수개가 제공되고 상기 결들 중 일부는 그들간의 간격이 서로 상이하게 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 복수개가 제공되고 상기 결들 중 일부는 그 깊이가 서로 동일하게 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 복수개가 제공되고 상기 결들 중 일부는 깊이가 서로 상이하게 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 음각으로 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 양각으로 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 용기는 입구가 서로 상하 방향으로 적층되게 제공된 복수의 회수통을 포함하며, 상기 결은 각각의 상기 회수통의 내측면에 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 상기 용기의 내측면에 그 원주방향을 따라 복수개가 제공될 수 있다.

본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 기판을 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 용기와 상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되, 기판 처리에 사용된 후 상기 용기의 내측면에 부딪힌 상기 처리액을 쪼개는 분해 부재를 가질 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 용기의 내측면에 그 원주방향을 따라 복수개의 결이 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 수평면에 수직하게 상하 방향으로 제공될 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면, 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 용기와 상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되, 기판 처리에 사용된 후 상기 용기의 내측면에 부딪힌 상기 처리액이 다시 기판으로 튀는 것을 최소화시키는 튐 방지 부재을 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 결은 수평면에 수직하게 상하 방향으로 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 용기와 상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되 상기 용기의 내측 면에는 결이 형성되고 상기 결은 선형으로 제공되며 상기 결은 복수개가 제공되고 상기 결들 중 일부는 그들간의 간격이 서로 상이하게 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 용기와 상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되 상기 용기의 내측 면에는 결이 형성되고 상기 결은 복수개가 제공되고 상기 결들 중 일부는 깊이가 서로 상이하게 제공될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 케미칼 용액이 용기에 부딪힌 후 다시 기판으로 튀는 것을 최소화할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 세정공정 시 케미칼 용액이 용기와 부딪힌 후 후속으로 용기를 향해 오는 케미칼 용액과 부딪히는 것을 최소화할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 세정 공정 시 케미칼 용액이 용기와 부딪힌 후 용기 아래 방향으로 흐르도록 안내할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 세정공정에 있어서 케미칼 용액이 용기와 부딪힌 후 기판을 향해 튀는 케미칼 용액의 입자의 크기를 줄일 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 처리 용기에 형성된 결을 보여주는 일 실시예 도면이다.
도 5 내지 도 11은 각각 처리 용기의 형성된 결의 다양한 예를 보여주는 도면이다.
도 12는 내측면이 매끈하게 제공된 용기 사용시 처리액의 궤적을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 13은 도4의 용기 사용시 처리액의 궤적을 개략적으로 보여주는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 설비(1000)은 인덱스 모듈(10), 버퍼 모듈(20) 그리고 처리 모듈(50)를 포함할 수 있다.

인덱스 모듈(10), 버퍼 모듈(20) 그리고 처리 모듈(50)는 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10), 버퍼 모듈(20) 그리고 처리 모듈(50)가 배열된 방향을 제1방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(1)의 수직인 방향을 제2방향(2)이라 하며, 제1방향(1)과 제2방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(3)이라 한다.

인덱스 모듈(10)은 로드 포트(12)와 인덱스 로봇(13)을 포함한다.

로드 포트(12)는 제1방향(1)으로 인덱스 모듈(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(2)을 따라 배치된다. 일 예에 의하면 로드 포트(12)는 4개가 제공될 수 있다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 설비(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 가감할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(w) 및 공정처리가 완료된 기판(w)이 수납된 캐리어(16)가 안착된다. 일 실시예로 캐리어(16)에는 전면개방일체형포트(FOUP: front opening unified pod)가 안착될 수 있다. 캐리어(16)에는 기판(w)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼 모듈(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 기판(w)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(w)을 버퍼 모듈(20)로 이송한다. 버퍼 모듈(20)의 상층에는 캐리어(16)로 이송하는 기판(w)이 대기한다. 캐리어(16)에서 버퍼 모듈(20)로 이송하는 기판(w)은 버퍼 모듈(20)의 하층에 위치한다.

버퍼 모듈(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(w) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(w)이 일시적으로 수납되어 대기한다.

처리 모듈(50)은 메인 이송로봇(30), 이동 통로(40), 그리고 기판 처리 장치(1)를 포함한다. 처리 모듈(50)은 버퍼 모듈(20)에서 이송된 기판(w)을 기판 처리 장치(1)에서 처리한다.

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치된다. 메인 이송 로봇(30)은 각 기판 처리 장치(1)들 및 버퍼 모듈(20) 간에 기판(w)을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼 모듈(20)에서 대기하는 기판(w)을 각 기판 처리 장치(1)로 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 각 기판 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판(w)을 버퍼 모듈(20)로 이송한다.

이동 통로(40)는 처리 모듈(50) 내의 제1방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)는 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제1방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제1방향(1)을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼 모듈(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.

기판 처리 장치(1)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 배치된다. 기판 처리 설비(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(1)를 구비한다. 기판 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 설비(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 기판 처리 장치(1)는 독립적인 챔버로 구성된다. 각각의 기판 처리 장치(1) 내에서는 독립적인 형태로 기판(w)을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다. 도 3은 도1의 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 챔버(800), 처리 용기(100), 기판 지지 유닛(200), 분사 부재(300), 공정 배기부(500) 그리고 승강 부재(600)를 포함한다.

챔버(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 챔버(800)의 상부에는 팬 필터 유닛(810)이 설치된다. 팬 필터 유닛(810)은 챔버(800) 내부에 하강 기류를 발생시킨다.

팬 필터 유닛(810)은 필터와 공기 공급 팬을 포함한다. 필터와 공기 공급팬은 하나의 유니트로 모듈화될 수 있다. 팬 필터 유닛(810)은 외기를 필터링하여 챔버(800) 내부로 공급한다. 외기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버(800) 내부로 공급되어 하강기류를 형성한다.

챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 공정 영역(816)에는 처리 용기(100)와 기판 지지 유닛(200)이 위치된다. 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145)과 배기라인(510) 이외에도 승강유닛의 구동부, 분사 부재(300)와 연결되는 구동부, 그리고 공급라인 등이 위치된다. 유지보수 영역(818)은 공정 영역(816)으로부터 격리된다.

처리 용기(100)는 상부가 개방된 원통 형상을 갖는다. 처리 용기(100)는 기판(w)을 처리하기 위한 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개방된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 공간에는 지지 유닛(200)이 위치된다. 기판 지지 유닛(200)은 공정 진행시 기판(w)을 지지한 상태에서 기판(w)을 회전시킨다.

처리 용기(100)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간을 제공한다. 처리 용기(100)에는 회전되는 기판(w)상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)이 다단으로 배치된다.

제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다.

구체적으로, 제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 제공한다. 제2 회수통(120)는 제1회수통(110)를 둘러싸고, 제1회수통(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3회수통(130)는 제2회수통(120)를 둘러싸고, 제2회수통(120)로부터 이격되어 위치한다.

제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)은 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1회수 공간(RS1)은 제1회수통(110)에 의해 제공된다. 제2회수공간(RS2)은 제1 회수통(110)와 제2회수통(120) 간의 이격 공간에 제공된다. 제3회수공간(RS3)은 제2회수통(120)와 제3회수통(130) 간의 이격 공간에 의해 제공된다.

제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)는 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 제공된다. 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러 들어간다.

제1회수공간(RS1)에 유입된 제1처리액은 제1회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2회수공간(RS2)에 유입된 제2처리액은 제2회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3회수공간(RS3)에 유입된 제3처리액은 제3회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.

기판 지지 유닛(200)는 스핀 헤드(210), 지지축(220) 그리고 회전 구동부(230)을 포함한다. 스핀 헤드(210)는 지지핀(212) 그리고 척핀(214)을 포함한다. 스핀 헤드(210)는 상부에서 바라볼 때 원형으로 제공되는 상부면을 가진다.

지지핀(212)은 복수 개 제공된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면의 가장 자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 스핀 헤드(210)에는 지지축(220)이 결합된다. 지지축(220)은 회전 구동부(230)에 의해 회전가능하다. 척핀(214)은 복수 개 제공된다. 척핀(214)은 지지핀(214)의 외측에 배치된다. 척핀(214)은 기판 지지 유닛(200)이 회전할 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다.

분사 부재(300)는 기판 처리 공정시 처리액을 공급받아 기판 지지 유닛(200)의 스핀헤드(210)에 놓인 기판의 처리면으로 처리액을 분사한다. 분사 부재(300)는 구동기(310), 지지축(320), 노즐 지지대(330) 그리고 분사 노즐(340)을 포함한다.

지지축(320)은 그 길이 방향이 제 3 방향(3)으로 제공되며, 지지축(320)의 하단은 구동기(310)와 결합된다. 구동기(310)는 지지축(320)을 회전시킨다. 노즐 지지대(330)는 지지축(320)에 결합되어 분사 노즐(340)을 기판 상부로 이동시키거나, 기판(w) 상부에서 분사 노즐(340)이 처리액을 분사하면서 이동한다.

분사 노즐(340)은 노즐 지지대(330)의 끝단 저면에 위치한다. 분사 노즐(340)은 구동기(310)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치이다. 대기 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(340)은 약액 공급 장치로부터 공급된 약액을 분사한다.

공정 배기부(500)는 처리 용기(100) 내부를 배기한다. 일 실시예로, 공정 배기부(500)는 공정시 제1 내지 제3회수통(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 회수통에 배기압력을 제공한다. 공정 배기부(500)는 배기라인(510)과 댐퍼(520)를 포함한다. 배기라인(510)은 배기덕트(190)와 연결된다. 배기라인(510)은 배기펌프로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다.

처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 설치된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 결합된다. 기판(w)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 공정이 진행시에는 기판(w)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 기판 처리 장치(1)는 기판 지지 유닛(200)을 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.

도 4는 처리 용기의 내측 면을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 처리 용기(100)의 내측 면에는 결을 형성한다. 결은 선형으로 제공될 수 있다. 결은 수평면에 수직하게 상항 방향으로 제공되는 수직 결(710)로 제공될 수 있다. 수직 결(710)은 복수개가 제공될 수 있다. 수직 결(710)은 원주방향을 따라 복수개가 제공될 수 있다. 수직 결(710)들은 그들간의 간격(d1)은 서로 동일하게 제공될 수 있다. 수직 결(710)들의 깊이(d3)는 서로 동일하게 제공될 수 있다. 수직 결(710)은 음각으로 제공될 수 있다.

용기(100)의 내측 면에 형성된 결로 인해 처리액이 용기(100)에 부딪히는 경우, 처리액은 결을 따라서 아래 방향으로 안내되므로, 처리액이 다시 기판으로 튀는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 용기(100)에 부딪힌 처리액의 입자가 결에 의해 작은 크기로 쪼개지므로, 후속하여 다가오는 처리액과 충돌 시 그 처리액이 기판으로 튀는 것을 최소화할 수 있다.

도 5 내지 도 11은 각각 처리 용기의 형성된 결의 다양한 예를 보여주는 도면이다. 도 5와 같이 용기에 형성된 결은 수평면에 경사지게 형성되는 사선 결(720)로 제공될 수 있다. 선택적으로, 도 6과 같이 용기에 형성된 결은 나선으로 형성되는 나선 결(730)로 제공될 수 있다. 선택적으로 도 7과 같이 용기에 형성된 결은 수직결과 수직결에 교차하는 수평결을 포함하는 격자 모양의 결(740)로 제공될 수 있다. 선택적으로 도 8과 같이 용기에 형성된 결은 샌딩 형상으로 형성되는 샌딩결(750)로 제공될 수 있다. 선택적으로 도 9와 같이 용기에 형성되는 결은 영역에 따라 수직결(710)들 중 일부는 그들간에 간격(d1,d2)이 서로 상이하게 제공될 수 있다. 선택적으로 도10과 같이 용기에 형성된 결은 양각으로 제공될 수 있다. 선택적으로 도11과 같이 용기에 형성된 결은 영역에 따라 수직 결(710)들 중 일부는 그 깊이(d4,d5)가 서로 상이하게 제공될 수 있다.

도 12는 내측면이 매끈하게 제공된 용기 사용시 처리액의 궤적을 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 13은 도4의 용기 사용시 처리액의 궤적을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 12와 도13을 참조하면, 용기의 내측면이 매끈한 면으로 제공되는 경우 처리에 사용된 케미칼은 원심력에 의해 용기의 내측면과 부딪힌 후, 많은 양의 큰 입자가 기판으로 튄다. 이로 인해 기판이 오염된다.

그러나, 도 13과 같이 내측면에 결이 형성된 용기 사용시, 처리에 사용된 케미칼은 용기의 내측면과 부딪힌 후 용기의 결에 의해 작은 입자로 쪼개진다. 이 후 케미칼은 아래 방향으로 결을 따라 흘러내린다.

다른 실시예로 기판 처리 장치는 처리 용기, 기판 지지 유닛, 분사 부재 그리고 분해 부재를 포함한다. 처리용기는 내부에 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛은 용기 내부에 위치하며 기판을 지지한다. 분사 부재는 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사한다. 분해 부재는 기판 처리에 사용된 후 용기의 내측면에 부딪힌 처리액을 쪼갠다. 처리 용기, 기판 지지 유닛, 분사 부재는 도2의 처리 용기(100), 기판 지지 유닛(200) 그리고 분사 부재(300)와 대체로 동일하게 제공된다.

분해 부재는 용기의 내측면에 제공된다. 분해 부재는 용기의 내측면에 부딪힌 처리액을 작은 입자로 분해한다. 분해 부재는 용기의 내측면 원주 방향을 따라 제공되는 복수개의 결로 제공될 수 있다. 복수개의 결은 도 4 내지 도 8과 같이 수직결, 사선결, 나선결, 격자결, 샌딩결로 제공될 수 있다. 복수개의 결은 도 4와 도10과 같이 음각 또는 양각으로 형성된 결로 제공될 수 있다. 복수개의 결은 도 4와 도 9와 같이 일정한 간격 또는 상이한 간격으로 형성된 결로 제공될 수 있다. 복수개의 결은 도 4와 도11과 같이 일정한 깊이 또는 상이한 깊이로 형성된 결로 제공될 수 있다.

또 다른 실시예로 기판 처리 장치는 처리 용기, 기판 지지 유닛, 분사 부재 그리고 튐 방지 부재를 포함한다. 처리용기는 내부에 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛은 용기 내부에 위치하며 기판을 지지한다. 분사 부재는 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사한다. 튐 방지 부재는 기판 처리에 사용된 후 용기의 내측면에 부딪힌 처리액이 다시 기판으로 튀는 것을 최소화시킨다. 처리 용기, 기판 지지 유닛, 분사 부재는 도2의 처리 용기(100), 기판 지지 유닛(200) 그리고 분사 부재(300)와 대체로 동일하게 제공된다.

튐 방지 부재는 용기의 내측면에 제공된다. 튐 방지 부재는 용기의 내측면에 부딪힌 처리액을 기판으로 튀는 것을 최소화한다. 튐 방지 부재는 용기의 내측면 원주 방향을 따라 제공되는 복수개의 결로 제공될 수 있다. 복수개의 결은 도 4 내지 도 8과 같이 수직결, 사선결, 나선결, 격자결, 샌딩결로 제공될 수 있다. 복수개의 결은 도 4와 도10과 같이 음각 또는 양각으로 형성된 결로 제공될 수 있다. 복수개의 결은 도 4와 도 9와 같이 일정한 간격 또는 상이한 간격으로 형성된 결로 제공될 수 있다. 복수개의 결은 도 4와 도11과 같이 일정한 깊이 또는 상이한 깊이로 형성된 결로 제공될 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

1: 기판 처리 장치
100: 처리 용기
200: 기판 지지 유닛
300: 분사 부재
500: 공정 배기부
600: 승강 유닛
710: 수직결
720: 사선결

Claims

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 용기와;
상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되;
상기 용기는 입구가 서로 상하 방향으로 적층되게 제공된 복수의 회수통을 포함하며,
상기 용기의 내측 면에는 결이 형성되고,
상기 결은 각각의 상기 회수통의 내측면에 제공되는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 결은 선형으로 제공되는 기판 처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 결은 수평면에 대해 수직하게 상하 방향으로 제공되는 수직 결을 포함하는 기판 처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 결은 수평면에 대해 경사지게 제공되는 사선 결을 포함하는 기판 처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 결은 나선의 형상으로 제공되는 나선 결을 포함하는 기판 처리 장치.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 용기와;
상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되;
상기 용기의 내측 면에는 결이 형성되고,
상기 결은 선형으로 제공되며,
상기 결은,
수평면에 대해 수직하게 상하 방향으로 제공되는 수직 결과,
수평면에 대해 평행하게 제공되는 수평 결을 포함하되,
상기 수평 결은 상기 수직 결에 교차하게 제공되는 기판 처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 결은 샌딩 형상으로 제공되는 샌딩결을 포함하는 기판 처리 장치.
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결은 복수개가 제공되고,
상기 결들 중 일부는 그들간의 간격이 서로 동일하게 제공되는 기판 처리 장치.
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결은 복수개가 제공되고,
상기 결들 중 일부는 그들간의 간격이 서로 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결은 복수개가 제공되고,
상기 결들 중 일부는 그 깊이가 서로 동일하게 제공되는 기판 처리 장치.
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결은 복수개가 제공되고,
상기 결들 중 일부는 깊이가 서로 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결은 음각으로 제공되는 기판 처리 장치.
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결은 양각으로 제공되는 기판 처리 장치.
삭제
제1항에 있어서,
상기 결은,
상기 용기의 내측면에 그 원주방향을 따라 복수개가 제공되는 기판 처리 장치.
제15항에 있어서,
상기 결은 수평면에 대해 수직하게 상하 방향으로 제공되는 수직 결을 포함하는 기판 처리 장치.
제15항에 있어서,
상기 결은 수평면에 대해 경사지게 제공되는 사선 결을 포함하는 기판 처리 장치.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 용기와;
상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되,
기판 처리에 사용된 후 상기 용기의 내측면에 부딪힌 상기 처리액을 쪼개는 분해 부재를 가지되,
상기 용기는 입구가 서로 상하 방향으로 적층되게 제공된 복수의 회수통을 포함하며,
상기 분해 부재는 각각의 상기 회수통의 내측면에 제공되는 기판 처리 장치.
제18항에 있어서,
상기 분해 부재는 상기 용기의 내측면에 그 원주방향을 따라 복수개의 결로 제공되는 기판 처리 장치.
제19항에 있어서,
상기 결은 수평면에 수직하게 상하 방향으로 제공되는 기판 처리 장치.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 용기와;
상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되,
기판 처리에 사용된 후 상기 용기의 내측면에 부딪힌 상기 처리액이 다시 기판으로 튀는 것을 최소화시키는 튐 방지 부재을 포함하고,
상기 용기는 입구가 서로 상하 방향으로 적층되게 제공된 복수의 회수통을 포함하며,
상기 튐 방지 부재는 각각의 상기 회수통의 내측면에 제공되는 기판 처리 장치.
제21항에 있어서,
상기 튐 방지 부재는 상기 용기의 내측면에 그 원주방향을 따라 복수개의 결로 제공되는 기판 처리 장치.
제22항에 있어서,
상기 결은 수평면에 수직하게 상하 방향으로 제공되는 기판 처리 장치.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 용기와;
상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되;
상기 용기의 내측 면에는 결이 형성되고,
상기 결은 선형으로 제공되며,
상기 결은 복수개가 제공되고 상기 결들 중 일부는 그들간의 간격이 서로 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 용기와;
상기 용기 내부에 위치하며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 놓여지는 기판으로 처리액을 분사하는 분사 부재를 포함하되;
상기 용기의 내측 면에는 결이 형성되고,
상기 결은 복수개가 제공되고 상기 결들 중 일부는 깊이가 서로 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.