KR101582566B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 처리공간을 가지는 처리 용기와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 그리고 상기 기판 지지 유닛에 제공되는 기판에 유체를 분사하는 분사 부재를 포함하되, 상기 분사 부재는 유체를 공급하는 제1노즐과 가스를 공급하는 제2노즐이 제공되는 노즐 지지대와; 상기 노즐 지지대를 지지하는 지지 축과; 그리고 상기 지지 축 하부에 제공되어, 상기 지지 축을 구동하는 구동기;를 포함하며, 상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 상기 노즐 지지대의 끝단으로부터 서로 거리가 상이하게 제공되는 기판 처리 장치를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판 세정에 사용되는 세정 노즐에 관한 것이다.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.

일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.

한국 공개 특허공보 10-2006-0132848에는 위와 같은 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 대해 개시하고 있다. 상기 기판 처리 장치는 기판에 질소 가스의 공급 위치가 유기 용제의 공급 위치보다도 기판의 회전 중심에 가깝게 유지하면서, 불활성 가스 노즐과 유체 노즐은 기판의 중심에서 가장자리로 이동하면서 기판을 처리 하는 공정을 수행한다. 그러나 위와 같은 유체 공급위치와 가스의 공급위치의 배치로 공정 수행시, 세정 공정의 세정 효율이 높지 않다.

본 발명은 기판의 세정을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 처리공간을 가지는 처리 용기와, 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 그리고 상기 기판 지지 유닛에 제공되는 기판에 유체를 분사하는 분사 부재를 포함하되, 상기 분사 부재는 유체를 공급하는 제1노즐과 가스를 공급하는 제2노즐과 상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 지지하는 노즐 지지대와 상기 노즐 지지대를 지지하는 지지 축과 그리고 상기 지지 축 하부에 제공되어, 상기 지지 축을 구동하는 구동기를 포함하며, 상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 상기 노즐 지지대의 끝단으로부터 서로 거리가 상이하게 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 유체는 유기 용제를 포함하며 상기 가스는 건조가스를 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 연결하는 가상의 선은 상기 노즐 지지대의 길이 방향과 평행할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 상기 노즐 지지대의 중심축상에 배치될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1노즐은 상기 노즐 지지대의 중심축 상에 배치되며, 상기 제2노즐은 상기 노즐 지지대의 중심축 상에서 벗어나게 배치될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제2노즐이 상기 제1노즐보다 상기 노즐 지지대의 끝단으로부터 더 멀리 위치할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 기판 처리 공정 중에 상기 분사부재는 상기 가스가 기판에 충돌하는 가스 착액 위치가 상기 유체가 기판에 충돌하는 유체 착액 위치보다 기판의 중심에서 더 멀도록 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 구동기는 상기 유체 착액 위치와 상기 가스 착액 위치가 기판의 중앙 영역과 기판의 가장 자리 영역간에 이동 가능하도록 상기 노즐 지지대를 구동할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 구동기는 상기 유체 착액 위치와 상기 가스 착액 위치는 상기 기판의 중앙 영역과 상기 기판의 가장 자리 영역간에 상기 노즐 지지대를 스윙 이동 시킬 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 상기 유체의 토출방향과 상기 가스의 토출방향이 기판과 각각 수직하게 되도록 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1노즐은 상기 유체의 토출 방향이 기판과 수직하게 제공되며, 상기 제2노즐은 상기 가스의 토출 방향이 상기 유체 착액 위치를 향하여 경사지게 되도록 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제2노즐은 상기 가스를 미스트로 분사하도록 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제1노즐의 토출구의 면적은 상기 제2노즐의 토즐구의 면적보다 크게 제공 될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 제2노즐은 제1직경으로 제공되는 상류 토출 라인과, 상기 상류 토출라인으로부터 아래로 연장되고 상기 제1직경보다 큰 제2직경으로 제공되는 하류 토출 라인을 포함할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 하류 토출라인은 아래로 갈수록 직경이 점점 커지게 제공될 수 있다.

본 발명은 기판을 처리 하는 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은, 유체와 가스를 동시에 분사하여 기판을 처리 하되, 상기 가스가 기판에 충돌하는 가스 착액 위치가 상기 유체가 상기 기판에 충돌하는 유체 착액 위치보다 상기 기판의 중심에서 더 멀리 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 공정 진행시 상기 기판은 일방향으로 회전하고, 상기 가스 착액 위치가 상기 유체 착액 위치보다 상기 기판의 회전방향의 상류에 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 공정 진행시 상기 유체 착액 위치와 상기 가스 착액 위치는 상기 기판의 중앙 영역과 상기 기판의 가장 자리 영역간에 이동될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 유체의 토출방향과 상기 가스의 토출방향은 상기 기판과 각각 수직하게 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 유체의 토출방향은 상기 기판과 수직하게 제공되며, 상기 가스의 토출방향은 상기 유체 착액 위치를 향하여 경사지게 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 가스는 미스트로 분사될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 세정공정의 효율을 향상시키는 분사 노즐을 제공하여 세정 공정의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가스 착액 위치가 유체 착액 위치보다 기판의 중심에서 더 멀리 제공하여 세정 공정의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가스 착액 위치가 유체 착액 위치보다 기판의 회전방향의 상류에 제공되어 세정 공정의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가스 노즐의 토출구의 면적이 유체 노즐의 토출구의 면적보다 작아서 가스의 사용량을 줄이면서 세정 공정의 효율을 향상시키는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 제1노즐과 제2노즐의 배치를 보여주는 평면도이다.
도 5는 제1노즐과 제2노즐의 다른 배치를 보여주는 평면도이다.
도 6은 제2노즐이 미스트로 분사되는 것을 보여주는 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 기판 처리 장치에서 노즐 지지대의 위치별로
기판에 분사되는 착액 위치를 보여주는 도면이다.
도 10은 제1노즐과 제2노즐을 보여주는 단면도이다.
도 11은 제1노즐과 제2노즐의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 12는 제2노즐의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 13은 제1노즐과 제2노즐의 토출구의 직경을 보여주는 단면도이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 설비(1000)은 인덱스 모듈(10), 버퍼 모듈(20) 그리고 처리 모듈(50)를 포함할 수 있다.

인덱스 모듈(10), 버퍼 모듈(20) 그리고 처리 모듈(50)는 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10), 버퍼 모듈(20) 그리고 처리 모듈(50)가 배열된 방향을 제1방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(1)의 수직인 방향을 제2방향(2)이라 하며, 제1방향(1)과 제2방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(3)이라 한다.

인덱스 모듈(10)은 로드 포트(12)와 인덱스 로봇(13)을 포함한다.

로드 포트(12)는 제1방향(1)으로 인덱스 모듈(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(2)을 따라 배치된다. 일 예에 의하면 로드 포트(12)는 4개가 제공될 수 있다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 설비(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 가감할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(w) 및 공정처리가 완료된 기판(w)이 수납된 캐리어(16)가 안착된다. 일 실시예로 캐리어(16)에는 전면개방일체형포트(FOUP: front opening unified pod)가 안착될 수 있다. 캐리어(16)에는 기판(w)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼 모듈(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 기판(w)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(w)을 버퍼 모듈(20)로 이송한다.

버퍼 모듈(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(w) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(w)이 일시적으로 수납되어 대기한다.

버퍼 모듈(20)의 상층에는 캐리어(16)로 이송하는 기판(w)이 대기한다. 캐리어(16)에서 버퍼 모듈(20)로 이송하는 기판(w)은 버퍼 모듈(20)의 하층에 위치한다.

처리 모듈(50)은 메인 이송로봇(30), 이동 통로(40), 그리고 기판 처리 장치(60)를 포함한다. 처리 모듈(50)은 버퍼 모듈(20)에서 이송된 기판(w)을 기판 처리 장치(60)에서 처리한다.

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치된다. 메인 이송 로봇(30)은 각 기판 처리 장치(60)들 및 버퍼 모듈(20) 간에 기판(w)을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼 모듈(20)에서 대기하는 기판(w)을 각 기판 처리 장치(60)로 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 각 기판 처리 장치(60)에서 공정 처리가 완료된 기판(w)을 버퍼 모듈(20)로 이송한다.

이동 통로(40)는 처리 모듈(50) 내의 제1방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)는 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(60)들이 서로 마주보며 제1방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제1방향(1)을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(60)의 상하층, 그리고 버퍼 모듈(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.

기판 처리 장치(60)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 배치된다. 기판 처리 설비(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(60)을 구비한다. 기판 처리 장치(60)의 개수는 기판 처리 설비(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다. 도 3은 도1의 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(60)는 챔버(800), 처리 용기(100), 기판 지지 유닛(200), 분사 부재(300), 배기 부재(400), 고정 노즐(500), 그리고 승강 부재(600)를 포함한다.

챔버(800)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 챔버(800)의 상부에는 팬 필터 유닛(810)이 설치된다. 팬 필터 유닛(810)은 챔버(800) 내부에 하강 기류를 발생시킨다.

팬 필터 유닛(810)은 필터와 공기 공급 팬을 포함한다. 팬 필터 유닛(810)은 필터와 공기 공급팬이 하나의 유니트로 모듈화 될 수 있다. 팬 필터 유닛(810)은 외기를 필터링하여 챔버(800) 내부로 공급한다. 외기는 팬 필터 유닛(810)을 통과하여 챔버(800) 내부로 공급되어 하강기류를 형성한다.

챔버(800)는 수평 격벽(814)에 의해 공정 영역(816)과 유지보수 영역(818)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(818)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 배기라인(410), 승강유닛의 구동부, 분사 부재(300)의 노즐들과 연결되는 구동부, 그리고 공급라인 등이 위치된다. 유지보수 영역(818)은 기판(w) 처리가 이루어지는 공정 영역(816)으로부터 격리된다.

처리 용기(100)는 상부가 개방된 원통 형상을 갖는다. 처리 용기(100)는 기판(w)을 처리하기 위한 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개방된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지 유닛(200)이 위치된다. 기판 지지 유닛(200)은 공정 진행시 기판(w)을 지지한 상태에서 가열하고 기판(w)을 회전시킨다.

처리 용기(100)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간을 제공한다. 처리 용기(100)에는 회전되는 기판(w)상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 회수통(110, 120, 130)이 다단으로 배치된다.

환형의 제1, 제2 및 제3 회수통(110, 120, 130)은 하나의 공통된 환형공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다.

구체적으로, 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 제공한다. 제2 회수통(120)은 제1 회수통(110)을 둘러싸고, 제1 회수통(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 회수통(130)은 제2 회수통(120)을 둘러싸고, 제2 회수통(120)로부터 이격되어 위치한다.

제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 회수통(110)에 의해 제공된다. 제2 회수공간(RS2)은 제1 회수통(110)과 제2 회수통(120) 간의 이격 공간에 제공된다. 제3 회수공간(RS3)은 제2 회수통(120)과 제3 회수통(130) 간의 이격 공간에 의해 제공된다.

제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 제공된다. 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러 들어간다.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.

지지 유닛(200)은 척 스테이지(210), 지지 축(220) 그리고 구동부(230)를 포함한다.

척 스테이지(210)는 원형의 상부면을 갖는다. 척 스테이지(210)는 구동부(230)에 결합되어 회전된다. 척 스테이지(210)는 척킹 핀(212)과 지지 핀(214)를 포함한다.

척 스테이지(210)의 가장자리에는 척킹 핀(212)들이 설치된다. 척킹 핀(212)들은 다수의 지지 핀(214)들에 의해 지지된 기판(w)이 정 위치에 놓이도록 기판(w)을 정렬한다. 또한, 공정 진행시 척킹 핀(212)들은 기판(w)의 측부와 접촉되어 기판(w)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 지지 핀(214)들은 기판(w)을 지지한다.

배기 부재(400)는 처리 용기(100) 내부의 배기를 제공한다. 일 실시예로, 배기 부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 회수통에 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 배기 부재(400)는 배기라인(410)과 댐퍼(420)를 포함한다. 배기라인(410)은 배기덕트(190)와 연결된다. 배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기라인과 연결된다.

고정 노즐(500)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(500)은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(w)으로 처리유체를 분사한다. 고정 노즐(500)은 기판(w)의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다.

처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 설치된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 결합된다. 기판(w)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 공정이 진행시에는 기판(w)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치(60)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 지지 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 기판 처리 장치(60)는 지지 유닛(200)을 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 지지 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.

분사 부재(300)는 기판 지지 유닛(200)에 제공되는 기판(w)에 유체를 분사한다.

분사 부재(300)는 제1노즐(340), 제2노즐(350), 지지 축(310), 구동부(320) 그리고 노즐 지지대(330)을 포함한다.

도 4는 제1노즐과 제2노즐의 배치를 보여주는 평면도이다. 제1노즐(340)과 제2노즐(350)은 노즐 지지대(330)의 끝단으로부터 서로 거리가 상이하게 제공된다. 제2노즐(350)은 제1노즐(340)보다 노즐 지지대(330)의 끝단으로부터 더 멀리 위치한다. 제1노즐(340)과 제2노즐(350)을 연결하는 가상의 선(L1)은 노즐 지지대(330)의 길이 방향과 평행하게 제공될 수 있다.

도 4를 참조하면, 제1노즐(340)과 제2노즐(350)은 노즐 지지대(330)의 중심축상에 배치될 수 있다.

이와는 달리 도 5와 같이 제1노즐(340)은 노즐 지지대(330)의 중심축 상에 배치되고, 제2노즐(350)은 노즐 지지대(330)의 중심축 상에서 벗어나게 배치된다.

제1노즐(340)은 유체를 공급할 수 있다. 유체는 유기 용제일 수 있다. 예컨대, 유기 용제는 이소프로필알콜 일수 있다. 유기 용제는 액상으로 공급 될 수 있다. 선택적으로 유기 용제는 가스 또는 미스트를 합해서 공급 할 수 있다. 제2노즐(350)은 가스를 공급할 수 있다. 제2노즐(350)에 공급되는 가스는 건조가스를 일 수 있다. 일 예로 건조가스는 질소가스 일 수 있다. 도 6과 같이 제2노즐(350)은 가스를 미스트로 분사하도록 제공될 수 있다.

노즐 지지대(330)는 제1노즐(340)과 제2노즐(350)을 지지한다.

노즐 지지대(330)의 후단에는 지지 축(310)이 연결된다. 지지 축(310)은 노즐 지지대(330)에 수직하게 배치된다.

구동부(320)는 지지 축(310)의 하단에 배치된다. 구동부(320)는 노즐 지지대(330)를 기판의 상부에 위치하는 공정 위치와 처리 용기(100)의 외측에 위치하는 대기 위치로 이동시킨다. 구동부(320)는 지지 축(310)의 길이 방향 회전축으로 하여 지지 축(310)을 회전시킨다. 지지 축(310)은 회전으로 노즐 지지대(330)와 제1노즐(340)과 제2노즐(350)의 지지 축(310)을 축으로 스윙 이동한다.

도 7 내지 도 9는 본 발명의 기판 처리 장치에서 노즐 지지대(330)의 위치별로 기판(w)에 분사되는 착액 위치를 보여주는 도면이다. 도 7 내지 도 9를 참조하며, 구동부(320)는 공정 진행 중 제1노즐(340)과 제2노즐(350)을 기판(w)의 중앙 영역과 기판(w)의 가장 자리 영역간에 이동 가능하도록 노즐 지지대(330)를 구동한다. 노즐 지지대(330)가 이동시, 제1노즐(340)은 기판(w)에 유체를 공급하고, 제2노즐(350)은 기판(w)에 가스를 공급한다. 제1노즐(340)이 공급하는 유체가 기판에 닿는 부분을 유체 착액 위치(F1,F2,F3)라 한다. 제2노즐(350)이 공급하는 가스가 기판에 닿은 부분을 가스 착액 위치(G1,G2,G3)라 한다. 공정 진행시 가스 착액 위치(G1,G2,G3)가 유체 착액 위치(F1,F2,F3)보다 기판(w)의 중심에서 더 멀도록 제공된다.

분사 부재(300)에서 유체를 공급할 때, 기판(w)은 일방향으로 회전한다. 일 예로 일방향은 시계 반대 방향일 수 있다. 이 때 가스 착액 위치(G1,G2,G3)는 유체 착액 위치(F1,F2,F3)보다 기판(w)의 회전 방향의 상류에 제공된다.

제1노즐(340)과 제2노즐(350)은 도 10과 같이 유체의 토출방향과 가스의 토출방향이 기판(w)과 각각 수직하게 제공될 수 있다. 이와 달리, 도 11과 같이 제1노즐(340)은 유체의 토출방향이 기판(w)과 수직하게 제공되며, 제2노즐(350)은 가스의 토출 방향이 유체 착액 위치를 향하여 경사지게 제공될 수 있다.

도 12는 제2노즐의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 도 13은 제1노즐과 제2노즐의 토출구의 직경을 보여주는 단면도이다. 도 12와 도 13을 참조하면, 제1노즐(340)의 토출구의 면적(d1)은 제2노즐(350)의 토출구의 면적(d3)보다 크게 제공된다.

제2노즐(350)은 토출 라인(360)을 포함한다. 토출 라인(360)은 상류 토출 라인(361)과 하류 토출 라인(362)을 포함한다. 상류 토출 라인(361)은 제1직경(d2)으로 제공된다. 하류 토출 라인(362)은 상류 토출 라인(361)으로부터 아래로 연장되고, 제1직경(d2)보다 크게 제공되는 제2직경(d3)으로 제공된다. 일 예로 하류 토출 라인(362)은 아래로 갈수록 직경이 점점 커지게 제공될 수 있다. 상술한 바와는 달리 제2노즐(350)은 그 길이 방향을 따라 동일한 직경으로 제공될 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

1000: 기판 처리 설비 60: 기판 처리 장치
100: 처리 용기 200: 기판 지지 유닛
300: 분사 부재 400: 배기 부재
500: 고정 노즐 600: 승강 부재
340: 제1노즐 350: 제2노즐

Claims (21)

1. 기판 처리 장치에 있어서,
   처리공간을 가지는 처리 용기와;
   상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 그리고
   상기 기판 지지 유닛에 제공되는 기판에 유체를 분사하는 분사 부재를 포함하되,
   상기 분사 부재는,
   유체를 공급하는 제1노즐과 가스를 공급하는 제2노즐이 제공되는 노즐 지지대와;
   상기 노즐 지지대를 지지하는 지지축과; 그리고
   상기 지지축 하부에 제공되어, 상기 지지축을 구동하는 구동기;를 포함하며,
   상기 제2노즐이 상기 제1노즐보다 상기 노즐 지지대의 끝단으로부터 더 멀리 위치하고,
   기판 처리 공정 중에 상기 분사부재는 상기 가스가 기판에 충돌하는 가스 착액 위치가 상기 유체가 기판에 충돌하는 유체 착액 위치보다 기판의 중심에서 더 멀도록 제공되는 기판 처리 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 유체는 유기 용제를 포함하며,
   상기 가스는 건조가스를 포함하는 기판 처리 장치.
3. 제2항에 있어서,
   상기 제1노즐과 상기 제2노즐을 연결하는 가상의 선은 상기 노즐 지지대의 길이 방향과 평행한 기판 처리 장치.
4. 제2항에 있어서,
   상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 상기 노즐 지지대의 중심축상에 배치되는 기판 처리 장치.
5. 제2항에 있어서,
   상기 제1노즐은 상기 노즐 지지대의 중심축 상에 배치되며,
   상기 제2노즐은 상기 노즐 지지대의 중심축 상에서 벗어나게 배치되는 기판 처리 장치.
6. 삭제
7. 삭제
8. 제1항에 있어서,
   상기 구동기는 상기 유체 착액 위치와 상기 가스 착액 위치가 기판의 중앙 영역과 기판의 가장 자리 영역간에 이동 가능하도록 상기 노즐 지지대를 구동하는 기판 처리 장치.
9. 제1항에 있어서,
   상기 구동기는 상기 유체 착액 위치와 상기 가스 착액 위치는 상기 기판의 중앙 영역과 상기 기판의 가장 자리 영역간에 상기 노즐 지지대를 스윙 이동 시키는 기판 처리 장치.
10. 제1항에 있어서,
    상기 제1노즐과 상기 제2노즐은 상기 유체의 토출방향과 상기 가스의 토출방향이 기판과 각각 수직하게 되도록 제공되는 기판 처리 장치.
11. 제1항에 있어서,
    상기 제1노즐은 상기 유체의 토출 방향이 기판과 수직하게 제공되며,
    상기 제2노즐은 상기 가스의 토출 방향이 상기 유체 착액 위치를 향하여 경사지게 되도록 제공되는 기판 처리 장치.
12. 제1항에 있어서,
    상기 제2노즐은 상기 가스를 미스트로 분사하도록 제공되는 기판 처리 장치.
13. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1노즐의 토출구의 면적은 상기 제2노즐의 토즐구의 면적보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.
14. 제13항에 있어서,
    상기 제2노즐은,
    제1직경으로 제공되는 상류 토출 라인과,
    상기 상류 토출라인으로부터 아래로 연장되고 상기 제1직경보다 큰 제2직경으로 제공되는 하류 토출 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
15. 제14항에 있어서,
    상기 하류 토출라인은 아래로 갈수록 직경이 점점 커지게 제공되는 기판 처리 장치.
16. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    유체와 가스를 동시에 분사하여 기판을 처리 하되,
    상기 가스가 기판에 충돌하는 가스 착액 위치가 상기 유체가 상기 기판에 충돌하는 유체 착액 위치보다 상기 기판의 중심에서 더 멀리 제공되는 기판 처리 방법.
17. 제16항에 있어서,
    공정 진행시 상기 기판은 일방향으로 회전하고,
    상기 가스 착액 위치가 상기 유체 착액 위치보다 상기 기판의 회전방향의 상류에 제공되는 기판 처리 방법.
18. 제16항에 있어서,
    공정 진행시 상기 유체 착액 위치와 상기 가스 착액 위치는 상기 기판의 중앙 영역과 상기 기판의 가장 자리 영역간에 이동되는 기판 처리 방법.
19. 제16항에 있어서,
    상기 유체의 토출방향과 상기 가스의 토출방향은 상기 기판과 각각 수직하게 제공되는 기판 처리 방법.
20. 제16항에 있어서,
    상기 유체의 토출방향은 상기 기판과 수직하게 제공되며, 상기 가스의 토출방향은 상기 유체 착액 위치를 향하여 경사지게 제공되는 기판 처리 방법.
21. 제19항 또는 제20항에 있어서,
    상기 가스는 미스트로 분사되는 기판 처리 방법.
    

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