CN105280524A - 用于处理基板的装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于处理基板的装置。用于处理基板的装置可以包括：器皿，被配置为在其中提供处理空间；基板支撑单元，设置在器皿中以支撑基板；以及喷射构件，被配置为在加载在基板支撑单元上的基板上喷射处理溶液。器皿可具有内侧面，在该内侧面上形成有至少一个纹理图案。

Description

用于处理基板的装置

技术领域

本发明构思的示例性实施方式涉及用于处理基板的装置，并且更具体地，涉及用于清洗基板的基板处理装置。

背景技术

在基板的表面上残留的污染物质(例如，颗粒、有机污染物以及金属污染物)导致半导体器件的电特性劣化且产品收得率降低。因此，在半导体制造过程期间，可在半导体制造过程的每个单步之前和/或之后执行清洗过程以从基板表面除去污染物质。通常，清洗基板的过程可以包括化学处理过程、漂洗过程、以及干法，在化学处理过程中，使用化学品从基板去除在基板上残留的金属材料、有机材料或颗粒；在漂洗工艺中，使用去离子水去除在基板上残留的化学品；在干法中，有机溶剂、氮气等被用于使基板干燥。

在韩国专利公开第2012-0056620号中公开了用于清洗过程的传统设备。该设备包括用于收集各种处理溶液的器皿和设置在器皿中的基板支撑构件。设备的器皿被设置成具有平滑的内侧面。然而，使用这种器皿可能会导致基板的二次污染。例如，提供的用于清洗基板的化学溶液因离心力与器皿内侧面碰撞然后被弹回从而污染基板。此外，与器皿碰撞的一小部分化学溶液可能形成朝向基板向下移动的大液滴然后与朝向器皿移动的其他化学溶液碰撞。一小部分碰撞的化学溶液可能落到基板上，这会导致基板污染。

发明内容

本发明构思的示例性实施方式提供了基板处理装置，该基板处理装置被配置为当在基板清洗过程中化学溶液与器皿碰撞时抑制化学溶液朝向基板弹回。

本发明构思的其他示例性实施方式提供了基板处理装置，其被配置为减小化学溶液的每个液滴的大小，在基板清洗过程期间因与器皿碰撞减小的液滴朝向基板弹回。

根据本发明构思的示例性实施方式，基板处理装置可以包括：器皿，被配置为在其中提供处理空间；基板支撑单元，设置在器皿中以支撑基板；以及喷射构件，被配置为在基板支撑单元上装载的基板上喷射处理溶液。器皿可具有内侧面，在该内侧面上形成有至少一个纹理图案。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可被设置成具有线性形状。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括设置成垂直于水平面并平行于垂直方向的垂直纹理图案。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括设置成相对于水平面倾斜的倾斜纹理图案。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括设置成螺旋状的螺旋纹理图案。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括：被设置成垂直于水平面并平行于垂直方向的垂直纹理图案，以及被设置成平行于水平面的水平纹理图案。水平纹理图案可被设置成与垂直纹理图案交叉。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括以与砂纸表面的类似方式形成的砂纸状纹理图案。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括多个纹理图案，其中一些纹理图案被设置成彼此间隔开均匀距离。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括多个纹理图案，其中一些纹理图案被设置成以至少两种不同的距离彼此间隔开。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括多个纹理图案，其中一些纹理图案被设置成彼此具有基本上相同的深度。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括多个纹理图案，其中一些纹理图案被设置成具有至少两种不同的深度。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以设置成雕刻形状。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以设置成浮雕形状。

在示例性实施方式中，器皿可以包括多个收集瓶，多个收集瓶具有在垂直方向上位于不同水平高度(level)的入口，并且至少一个纹理图案可以设置在每个收集瓶的内侧面上。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括在器皿的内侧面上沿着器皿的周向设置的多个纹理图案。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括设置成垂直于水平面并平行于垂直方向的垂直纹理图案。

在示例性实施方式中，至少一个纹理图案可以包括设置成相对于水平面倾斜的倾斜纹理图案。

根据本发明构思的示例性实施方式，基板处理装置可以包括：器皿，被配置为在其中提供处理空间；基板支撑单元，设置在器皿中以支撑基板；以及喷射构件，被配置为在加载在基板支撑单元上的基板上喷射处理溶液。器皿可以包括分割构件，其被配置为当用于基板处理过程的处理溶液与器皿的内侧面碰撞时分割处理溶液。

在示例性实施方式中，分割构件可以包括沿着器皿的周向设置在器皿的内侧面上的多个纹理图案。

在示例性实施方式中，纹理图案可设置成垂直于水平面并平行于垂直方向。

根据本发明构思的示例性实施方式，基板处理装置可以包括：器皿，被配置为在其中提供处理空间；基板支撑单元，设置在器皿中以支撑基板；以及喷射构件，被配置为在加载在基板支撑单元上的基板上喷射处理溶液。器皿可以包括防止弹回构件，其被配置为当用于基板处理过程的处理溶液与器皿的内侧面碰撞时抑制处理溶液朝向基板弹回。

在示例性实施方式中，防止弹回部件可以包括沿着器皿的周向设置在器皿的内侧面上的多个纹理图案。

在示例性实施方式中，纹理图案可设置成垂直于水平面并平行于垂直方向。

附图说明

将根据以下连同附图的简要说明更清晰地理解示例性实施方式。附图相当于在本文中所描述的非限制性示例性实施方式。

图1是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的基板处理系统的平面图。

图2是示出图1的基板处理装置的平面图。

图3是示出图1的基板处理装置的剖视图。

图4是示出根据本发明构思的示例性实施方式的具有纹理的器皿的实例的示图。

图5到图11是示出根据本发明构思的其他示例性实施方式的具有纹理的器皿的其他实例的示图。

图12是示意性地示出当器皿设置成具有平滑内侧面时处理溶液的轨迹的示图。

图13是示意性地示出当器皿设置成具有在图4中所示的结构时处理溶液的轨迹的示图。

应注意，这些图旨在示出在某些示例性实施方式中使用的方法、结构和/或材料的一般特性并补充如下提供的书面说明。然而，这些附图不是按比例的并可能不会精确地反应任何特定实施方式的精确的结构或性能特性，并不应当解释为定义或限制示例性实施方式包括的值或性能的范围。例如，为清晰起见，可以减小或放大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各个附图中使用相似或相同的参考标号旨在表示存在相似或相同的元件或特征。

具体实施方式

现将参考附图更详细地描述本发明构思的示例性实施方式，其中示出示例性实施方式。然而，可以许多不同的形式涵盖本发明构思的示例性实施方式并且不应当解释为限于在本文中阐述的实施方式；相反地，提供这些实施方式以便本公开详尽且完整，并将向本领域普通技术人员完全传达示例性实施方式的构思。在附图中，为了清楚起见可放大层和区域的厚度。附图中相同参考标号表示相同元件，从而将省略对它们的说明。

应当理解，当提及一个元件“连接”或“耦接”至另一个元件时，其可以直接连接或耦接至另一个元件或者可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接耦接”至另一元件时，则不存在中间元件。遍及全文，相同的标号表示相同元件。在本文中使用的术语“和/或”包括一个或多个所列出的相关项的任意和所有组合。用于描述元件或层之间的关系的其他词汇应当以类似的方式来做解释(例如“之间”与“直接在…之间”相对、“邻接”与“直接邻接”相对、“上”与“直接在……之上”相对等等)。

为了便于描述，在此使用的诸如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相关术语可用于描述如附图中示出的一个元件或者特征与另一元件或者特征的关系。将理解，空间相对术语旨在包括除图中所示的方位以外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“以下”可以包括以上和以下两个方位。该装置可以以其他方式被定位(旋转90度或者在其他方位上)并且相应解释本文所用的空间相对描述符。

本文中所使用的措辞仅是为了描述特定实施方式而并不旨在对示例实施方式进行限制。如本文中使用的，除非在上下文中另有明确表示，否则单数形式“一(a)”、“一个(an)”以及“该(the)”旨在也包括复数形式。将进一步理解，当在本文中使用术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含(including)”时，规定指定特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除具一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

除非另外有定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本发明构思示例性实施方式所属的相关领域的普通技术人员通常所理解的具有同样的含义。将进一步理解，术语(诸如在常用字典中定义的那些)，应解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文中明确如此定义。

图1是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施方式的基板处理系统的平面图。

参考图1，根据本发明构思的示例性实施方式的基板处理系统1000可以包括索引模块10、缓冲模块20以及处理模块50。

索引模块10、缓冲模块20以及处理模块50可以以顺序的方式布置。在下文中，如果索引模块10、缓冲模块20以及处理模块50沿着第一方向D1设置，当在俯视图中观看时，垂直于第一方向D1的方向将称作第二方向D2，并且垂直于包括第一方向D1和第二方向D2的平面的方向将称作第三方向D3。

索引模块10可以包括加载端口12和索引机器人13。

加载端口12可以在第一方向D1上布置在索引模块10的前部。加载端口12可以设置成多个，并且可沿着第二方向D2布置多个加载端口12。例如，四个加载端口12可以设置在索引模块10中。加载端口12的数目可根据基板处理系统1000的处理效率和/或足迹环境改变。载体16可以装载在加载端口12上，并且载体16可被配置为包含基板w，这将用在基板处理过程中或已执行基板处理过程。在示例性实施方式中，正面开口标准箱(FOUP)可装载在载体16上。载体16可被配置为具有沿平行于地面的方向存储基板w的多个狭孔。

索引机器人13可安装于加载端口12与缓冲模块20之间。索引机器人13可被配置为将基板w从载体16移动到缓冲模块20，或反之亦然。待移动到载体16中的基板w可保留在缓冲模块20上部。从载体16待移动到缓冲模块20的基板w可放置在缓冲模块20的下部。

缓冲模块20可被用以暂时存储将要执行或已经执行基本处理过程的基板w(即，在使用索引机器人13或主传输机器人30传输之前)。

处理模块50可以包括主传输机器人30、传输通道40以及基板处理装置1。可在处理模块50的基板处理装置1中处理从缓冲模块20传输来的基板w。

主传输机器人30可安装在传输通道40中。主传输机器人30可被配置为允许基板w在相应基板处理装置1与缓冲模块20之间传输。主传输机器人30可将保留在缓冲模块20中的基板w传输到基板处理装置1的相应的一个基板处理装置。主传输机器人30同样可以将在已对其进行基板处理过程的基板处理装置1中的基板w传输到缓冲模块20。

传输通道40可以布置在处理模块50中并平行于第一方向D1。传输通道40可被配置为允许移动主传输机器人30。基板处理装置1可沿着与第二方向D2彼此相向的第一方向D1设置在传输通道40两侧。至少一个移轨可设置在传输通道40中，并且至少一个移轨可以设置成允许主传输机器人30沿着第一方向D1移动并且不仅移动到基板处理装置1的顶层和底层还移动到缓冲模块20的顶层和底层。

多个基板处理装置1可以布置在安装主传输机器人30的传输通道40两侧。在基板处理系统1000中，多个基板处理装置1可布置以具有多层布置。基板处理装置1的数目可根据基板处理系统1000的处理效率和/或足迹环境改变。基板处理装置1中的每一个可被配置为用作隔离室，从而允许独立地执行基板处理过程。换言之，基板处理装置1中的每一个可以以被配置为与其他基板处理装置1无关的隔离的方式在基板w上进行处理。

图2是示出图1的基板处理装置的平面图。图3是示出图1的基板处理装置的剖视图。参考图2和图3，根据本发明构思的示例性实施方式的基板处理装置1可以包括室800、器皿100、基板支撑单元200、喷射构件300、排出单元500以及提升单元600。

室800可被配置为提供全封闭的内部空间。风机过滤器单元810可以安装在室800的顶部。风机过滤器单元810可在室800中产生下降气流。

风机过滤器单元810可以包括过滤器和送风风机。可以以单个单元或模块的形式设置过滤器和送风风机。风机过滤器单元810可以将过滤的外部空气供应到室800内。外部空气可穿过风机过滤器单元810并可形成供应到室800内的下降气流。

室800可通过横向隔壁814分成处理区域816和保持区域818。器皿100和基板支撑单元200可设置在处理区域816中。连接到器皿100的排出线路141、143和145、排出线路510、提升单元600的驱动部分、连接到喷射构件300的驱动部分、供应线路等等可布置在保持区域818中。保持区域818可与处理区域816隔离。

器皿100可以以顶开口汽缸的形式设置。器皿100可提供用于处理基板w的处理空间。器皿100的顶部敞开的入口可用作装卸基板w的通道。基板支撑单元200可以设置在处理空间中。基板支撑单元200可被配置为在基板处理过程期间将基板w紧固在其上表面上，而且使紧固的基板w旋转。

器皿100可以提供强制排出的下部空间，下部空间的下部可连接到排出管道190。第一至第三收集瓶110、120以及130可以布置在器皿100中以吸收和收集从旋转的基板w吹离的液体化学品和气体。

第一至第三收集瓶110、120以及130可具有排出孔H，它们共同连接至单个圆形空间。

详细地，第一至第三收集瓶110、120以及130中的每一个可以包括圆环状的底部和从底部竖直延伸的圆形侧壁。第二收集瓶120可与第一收集瓶110隔开以将第一收集瓶110围起来。第三收集瓶130可与第二收集瓶120隔开以将第二收集瓶120围起来。

第一至第三收集瓶110、120以及130可以提供第一至第三收集空间RS1、RS2以及RS3，在收集空间中吸收和收集包含从基板w吹离的处理溶液和气体的气流。第一收集空间RS1可由第一收集瓶110提供。第二收集空间RS2可以设置在第一收集瓶110与第二收集瓶120之间。第三收集空间RS3可以设置在第二收集瓶120与第三收集瓶130之间。

第一至第三收集瓶110、120以及130中的每一个可以设置成具有位于其中央部的顶部敞开的入口。第一至第三收集瓶110、120以及130中的每一个可以以沿其侧壁的方向从其底部到其顶部入口的距离增大的方式设置，从而具有倾斜面。从基板w吹离的处理溶液可以沿着第一至第三收集瓶110、120以及130的上表面流入收集空间RS1、RS2以及RS3。

流入第一收集空间RS1的第一处理溶液可通过第一排出线路141被排到外部。流入第二收集空间RS2的第二处理溶液可通过第二排出线路143被排到外部。流入第三收集空间RS3的第三处理溶液可通过第三排出线路145被排到外部。

基板支撑单元200可以包括旋转头部210、支撑轴220以及旋转驱动部分230。旋转头部210可以包括支撑销224和卡盘销212。当在俯视图中观看时，旋转头部210可具有圆形上表面。

支撑销224可以设置成多个。支撑销224可布置成与旋转头部210的上表面的边缘隔开指定距离。支撑销224可以支撑基板w的底表面的边缘以将基板w与旋转头部210的上表面分开指定距离。支撑轴220可耦接至旋转头部210。支撑轴220可被配置为通过旋转驱动部分230旋转。卡盘销212可以设置成多个。卡盘销212可设置在支撑销224的外部。当基板支撑单元200旋转时，卡盘销212可以支撑基板w的侧部分以防止基板w侧向偏离其正常位置。

在基板处理过程期间，喷射构件300可被配置为将所提供的处理溶液喷射在加载在基板支撑单元200的旋转头部210上的基板w的待处理表面上。喷射构件300可以包括驱动单元310、支撑轴320、喷嘴支撑部分330以及喷雾嘴340。

支撑轴320可以以其纵向平行于第三方向D3的方式设置，并且支撑轴320的底部可以耦接至驱动单元310。驱动单元310可被配置为使支撑轴320旋转。喷嘴支撑部分330可以耦接至支撑轴320以在基板w上移动喷雾嘴340或允许喷雾嘴340将处理溶液喷射在基板w上。

喷雾嘴340可以布置在喷嘴支撑部分330的端部的底面。喷雾嘴340可通过驱动单元310移动到基板处理过程的处理位置或备用位置。处理位置可以位于垂直方向上的器皿100上。备用位置可以位于器皿100外部。喷雾嘴340可以将化学溶液供应装置提供的化学溶液喷涂在基板w上。

排出单元500可被配置为将供应到器皿100中的物质排出到外部。在示例性实施方式中，在基板处理过程期间，排出单元500可被配置为向正进行收集处理溶液的过程的第一至第三收集瓶110、120以及130中至少一个施加排出压力。排出单元500可以包括排出线路510和阻尼器520。排出线路510可连接到排出管道190。通过排出泵施加的排出压力可施加于排出线路510上，并且排出线路510可连接到埋入半导体加工设备的底板下方的主排出线路。

器皿100可耦接至用以改变器皿100的垂直位置的提升单元600。提升单元600可被配置为允许器皿100沿着垂直方向线性移动。器皿100的这种垂直运动使得可以改变器皿100相对于基板支撑单元200的垂直位置。

提升单元600可以包括支架612、移动轴614以及驱动部分616。支架612可安装在器皿100的外侧壁上。移动轴614可被配置为通过驱动部分616竖直地移动，并且移动轴614可以耦接至支架612。当在旋转头部210上加载或从旋转头部210卸载基板w时，器皿100可以向下移动以致于旋转头部210在器皿100之上突出。在基板处理过程期间，可以根据在基板w上供应的处理溶液的种类控制器皿100的高度，并且这使得处理溶液可以流入第一至第三收集瓶110、120以及130中预定的一个。器皿100与基板w之间的相对垂直位置可以改变。因此，器皿100可被配置为允许收集空间RS1、RS2以及RS3中的每一个收集相应种类的处理溶液和污染气体。

在示例性实施方式中，基板处理装置1可被配置为垂直地移动器皿100并改变器皿100相对于基板支撑单元200的相对垂直位置。基板处理装置1也可被配置为垂直地移动基板支撑单元200并改变基板支撑单元200相对于器皿100的相对垂直位置。

图4是器皿的内侧面的实例。参考图4，器皿100可被设置成具有拥有纹理的内侧面。纹理可以是线性的。可通过垂直纹理图案710实现纹理，可以在垂直于水平面的垂直方向上形成该垂直纹理图案。垂直纹理图案710可以设置成多个。多个垂直纹理图案710可沿着器皿100的周向以圆形方式设置。垂直纹理图案710可以形成为彼此间隔开均匀的距离d1。垂直纹理图案710可以形成为具有基本相同的深度d3。垂直纹理图案710可以以凹纹的形式设置。

形成在器皿100的内侧面上的纹理图案可以引导与器皿100碰撞的处理溶液朝向下的方向从而防止或抑制处理溶液朝向基板弹回。此外，与器皿100碰撞的处理溶液的液滴可以通过纹理图案被分成较小的小滴，因此，当分割的小滴与朝向纹理图案飞行的处理溶液碰撞时，可以抑制一小部分处理溶液朝向基板弹回。

图5到图11是示出根据本发明构思的其他示例性实施方式的具有纹理的器皿的其他实例的示图。如图5中所示，器皿100可以设置成具有倾斜纹理图案720，以与水平面成一定角度形成该倾斜纹理图案。作为其他实例，器皿100可以设置成具有形成为螺旋状的螺旋纹理图案730，如图6所示。又作为其他实例，器皿100可设置成具有包含彼此交叉的垂直和水平纹理图案的网格状纹理图案740，如图7所示。甚至作为其他实例，器皿100可以设置成具有以与砂纸表面类似的方式形成的磨砂纹理图案750，如图8所示。仍作为其他实例，器皿100可以设置成具有形成为具有至少两个不同距离d1和d2的多个竖直纹理图案710，如图9所示。作为又一实例，器皿100可以设置成具有浮雕纹理图案，如图10所示。可替换地，如图11所示，器皿100可以设置成具有多个竖直纹理图案710，其中有一些形成为具有至少两种不同的深度d4和d5。

图12是示意性地示出当器皿设置成具有平滑内侧面时处理溶液的轨迹的示图，以及图13是示意性地示出当器皿设置成具有在图4中所示的结构时处理溶液的轨迹的示图。参考图12和图13，在器皿设置成具有平滑内侧面的情况下，所使用的化学溶液可能因离心力与器皿的内侧面碰撞从而形成大量要朝向基板弹回的大液滴。这可能会导致基板污染。

然而，如图13所示，在使用其内侧面形成为具有纹理的器皿执行基板处理过程的情况下，由于与器皿的内侧面碰撞，用于基板处理过程的化学溶液可能被分成多个较小的小滴。此后，化学溶液可以沿着器皿的内侧面的纹理向下流。

在其他示例实施方式中，基板处理装置可以包括器皿、基板支撑单元、喷射构件以及分割构件。器皿可被配置为在其中提供处理空间。基板支撑单元可以位于器皿中以支撑基板。喷射构件可被配置为在加载在基板支撑单元上的基板上喷射处理溶液。当用于基板处理过程的处理溶液与器皿的内侧面碰撞时，分割构件可被配置为将处理溶液分割成多个小部分、液滴或流。器皿、基板支撑单元以及喷射构件可被配置为具有与图2的器皿100、基板支撑单元200以及喷射构件300基本上相同的特征。

分割构件可设置在器皿的内侧面上。分割构件可将与器皿的内侧面碰撞的处理溶液分割成多个较小的小滴。分割构件可以包括沿着器皿的周向设置的多个纹理图案。多个纹理图案可以以垂直纹理图案、倾斜纹理图案、螺旋纹理图案、网格状纹理图案或类似砂纸的纹理图案的形式设置，如图4到图8所示。此外，多个纹理图案可以以雕刻或浮雕形状设置，如图4和图10所示。此外，多个纹理图案可以设置成具有相同的距离或至少两个不同的距离，如在图4和图9中所示。多个纹理图案可以设置成具有相同的深度或至少两种不同的深度，如在图4和图11中所示。

又在其他示例性实施方式中，基板处理装置可以包括器皿、基板支撑单元、喷射构件以及防止弹回构件。器皿可被配置为在其中提供处理空间。基板支撑单元可以位于器皿中以支撑基板。喷射构件可被配置为在加载在基板支撑单元上的基板上喷射处理溶液。防止弹回构件可被配置为当用于基板处理过程的处理溶液与器皿的内侧面碰撞时抑制处理溶液朝向基板弹回。器皿、基板支撑单元以及喷射构件可被配置为具有与图2的器皿100、基板支撑单元200以及喷射构件300基本上相同的特征。

防止弹回构件可设置在器皿的内侧面上。防止弹回构件可被配置为当用于基板处理过程的处理溶液与器皿的内侧面碰撞时抑制一小部分处理溶液朝向基板弹回。防止弹回构件可以包括沿着器皿的周向设置的多个纹理图案。多个纹理图案可以以垂直纹理图案、倾斜纹理图案、螺旋纹理图案、网格状纹理图案或类似砂纸的纹理图案的形式设置，如图4到图8所示。此外，多个纹理图案可以以雕刻或浮雕形状设置，如图4和图10所示。此外，多个纹理图案可以设置成具有相同的距离或至少两个不同的距离，如在图4和图9中所示。多个纹理图案可以设置成具有相同的深度或至少两种不同的深度，如在图4和图11中所示。

根据本发明构思的示例性实施方式，当化学溶液与器皿碰撞时，可以抑制化学溶液朝向基板弹回。

此外，根据本发明构思的示例性实施方式，在基板清洗过程中，可以抑制从器皿弹回的化学溶液与朝向器皿移动的化学溶液碰撞。

此外，根据本发明构思的示例性实施方式，在基板清洗过程中，可以引导与器皿碰撞的化学溶液朝向器皿的下部流动。

另外，根据本发明构思的示例性实施方式，在基板清洗过程中，可以减小由于与器皿碰撞可能朝向基板弹回的化学溶液每个液滴的大小。

虽然已具体示出并描述了本发明构思的示例性实施方式，本领域普通技术人员将理解在不偏离所附权利要求的精神和范围的情况下可在其中进行形式和细节上的改变。

Claims (23)

1.一种基板处理装置，包括：

器皿，被配置为在其中提供处理空间；

基板支撑单元，设置在所述器皿中以支撑基板；以及

喷射构件，被配置为在被加载在所述基板支撑单元上的所述基板上喷射处理溶液，

其中，所述器皿具有内侧面，在所述内侧面上形成有至少一个纹理图案。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案被设置成具有线性形状。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括设置成垂直于水平面并平行于垂直方向的垂直纹理图案。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括设置成相对于水平面倾斜的倾斜纹理图案。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括设置成螺旋状的螺旋纹理图案。

6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括：

垂直纹理图案，被设置成垂直于水平面并平行于垂直方向；以及

水平纹理图案，被设置成平行于所述水平面，

其中，所述水平纹理图案被设置成与所述垂直纹理图案交叉。

7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括以与砂纸表面的类似方式形成的砂纸状纹理图案。

8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括多个纹理图案，其中一些纹理图案被设置成以均匀距离彼此间隔开。

9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括多个纹理图案，其中一些纹理图案被设置成以至少两种不同的距离彼此间隔开。

10.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括多个纹理图案，其中一些纹理图案被设置成彼此具有基本上相同的深度。

11.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括多个纹理图案，其中一些纹理图案被设置成具有至少两种不同的深度。

12.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案被设置成雕刻形状。

13.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案被设置成浮雕形状。

14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述器皿包括多个收集瓶，所述多个收集瓶具有在垂直方向上位于不同水平高度的入口，并且

所述至少一个纹理图案设置在所述收集瓶中每一个的内侧面上。

15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括在所述器皿的所述内侧面上沿着所述器皿的周向设置的多个纹理图案。

16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括设置成垂直于水平面并平行于垂直方向的垂直纹理图案。

17.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，所述至少一个纹理图案包括设置成相对于水平面倾斜的倾斜纹理图案。

18.一种基板处理装置，包括：

器皿，被配置为在其中提供处理空间；

基板支撑单元，设置在所述器皿中以支撑基板；以及

喷射构件，被配置为在被加载在所述基板支撑单元上的所述基板上喷射处理溶液，

其中，所述器皿包括分割构件，所述分割构件被配置为当用于基板处理过程的所述处理溶液与所述器皿的内侧面碰撞时分割所述处理溶液。

19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，所述分割构件包括沿着所述器皿的周向设置在所述器皿的所述内侧面上的多个纹理图案。

20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，所述纹理图案被设置成垂直于水平面并平行于垂直方向。

21.一种基板处理装置，包括：

器皿，被配置为在其中提供处理空间；

基板支撑单元，设置在所述器皿中以支撑基板；以及

喷射构件，被配置为在被加载在所述基板支撑单元上的所述基板上喷射处理溶液，

其中，所述器皿包括防止弹回构件，所述防止弹回构件被配置为当用于基板处理过程的所述处理溶液与所述器皿的内侧面碰撞时抑制所述处理溶液朝向所述基板弹回。

22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其中，所述防止弹回构件包括沿着所述器皿的周向设置在所述器皿的所述内侧面上的多个纹理图案。

23.根据权利要求21所述的基板处理装置，其中，纹理图案被设置成垂直于水平面并平行于垂直方向。