CN101436564A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种基板处理装置，该基板处理装置在对基板进行斜面清洗处理时，使第一磁铁板配置在下方位置，使第二磁铁板配置在上方位置。此时，在第一磁铁板的外侧区域，各卡销处于闭状态，在第二磁铁板的外侧区域，各卡销处于开状态。即，各卡销的保持部在通过第一磁铁板的外侧区域时，保持与基板的外周端部接触的状态，在通过第二磁铁板的外侧区域时，与基板的外周端部分离。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一边保持基板一边使基板旋转的基板保持旋转装置、具有该基板保持旋转装置的基板清洗装置以及基板处理装置。
背景技术
以往，为了对半导体芯片、光掩模用玻璃基板、液晶显示装置用玻璃基板、光盘用玻璃基板等基板进行各种处理，使用基板处理装置。
在基板处理装置中，例如在通过旋转卡盘来保持基板的状态下，对基板进行清洗处理。作为旋转卡盘，有保持基板的外周端部的端面保持式的旋转卡盘(例如参照JP特开平10-92912号)。端面保持式的旋转卡盘例如由马达、通过马达来旋转驱动的旋转基座、设在旋转基座上的多个保持销构成。多个保持销抵接在基板的外周端部，从而将基板保持在旋转基座上。旋转卡盘围绕铅直轴旋转，从而使基板以水平姿态旋转。在该状态下，利用刷子等对基板的表面进行清洗。
然而，有时不仅需要清洗基板的表面，还需要清洗基板的外周端部。这种情况下，如果利用多个保持销来保持基板的外周端部，则很难均匀地清洗整个基板的外周端部。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够对基板的整个外周端部进行清洗的基板保持旋转装置、具有该基板保持旋转装置的基板清洗装置以及基板处理装置。
(1)根据本发明的一方面的基板保持旋转装置，其用于一边保持基板一边使该基板旋转，具有：旋转部件，设置为能够围绕旋转轴线旋转，旋转驱动机构，用于使旋转部件旋转，多个保持部件，设置在旋转部件上，能够在基板保持状态和基板释放状态之间切换，其中，该基板保持状态是指，上述保持部件与基板的外周端部抵接并保持基板的状态，该基板释放状态是指，上述保持部件与基板的外周端部分离的状态，保持部件切换机构，用于将多个保持部件在基板保持状态和基板释放状态之间切换；多个保持部件中的每一个保持部件，伴随着借助旋转驱动机构的旋转部件的旋转而围绕旋转轴旋转，并通过沿着基板的外周端部的第一区域和第二区域，在旋转部件旋转的过程中，保持部件切换机构将在多个保持部件中位于第一区域的保持部件置为基板保持状态，并且将在多个保持部件中位于第二区域的保持部件置为基板释放状态。
在该基板保持旋转装置中，通过旋转驱动机构使旋转部件围绕旋转轴线旋转。保持部件切换机构使设在旋转部件上的多个保持部件在与基板的外周端部抵接并保持基板的基板保持状态和与基板的外周端部分离的基板释放状态之间切换。
在旋转部件旋转过程中，保持部件切换机构将多个保持部件中的位于第一区域的保持部件置为基板保持状态，并且将多个保持部件中的位于第二区域的保持部件置为基板释放状态。此时，位于第一区域的保持部件在保持基板的状态下移动，位于第二区域的保持部件在与基板的外周端部分离的状态下移动。由此，通过第二区域的基板的外周端部与保持部件之间形成空间(space)，从而能够在该空间内对基板的整个外周端部进行清洗。因此，能够防止因基板的外周端部被污染而对基板的处理发生不良。
(2)保持部件切换机构可以包括：第一磁力产生部件，通过磁力，将位于第一区域的保持部件切换至基板保持状态；第二磁力产生部件，通过磁力，将位于第二区域的保持部件切换至基板释放状态。
此时，通过利用磁力，能够在第一和第二磁力产生部件与正在移动的保持部件分离的状态下，将位于第一区域的保持部件切换为基板保持状态，并且将位于第二区域的保持部件切换为基板释放状态。因此，能够防止保持部件切换机构的结构变得复杂。
(3)第一磁力产生部件可以包括第一磁铁部件，该第一磁铁部件相对位于第一区域的保持部件接近或分离，以此对位于第一区域的保持部件施加磁力，第二磁力产生部件可包括第二磁铁部件，该第二磁铁部件相对位于第二区域的保持部件接近或分离，以此对位于第二区域的保持部件施加磁力。
此时，通过简单的结构就能够将位于第一区域的保持部件可靠地切换为基板保持状态，并且能够将位于第二区域的保持部件切换为基板释放状态。
(4)多个保持部件中的每一个保持部件可以具有保持部，该保持部设置在旋转部件的下侧，并能够在抵接位置和分离位置之间移动，其中，该抵接位置是指，该保持部与基板的外周端部抵接的位置，该分离位置是指，该保持部与基板的外周端部分离的位置。
此时，在基板配置于旋转部件的下侧的状态下，保持部件的保持部移动到抵接位置，从而基板保持在旋转部件的下侧。因此，在基板的下方形成用于清洗基板下表面的空间。因此，能够容易地清洗基板的下表面。
(5)根据本发明的其他方面的基板清洗装置，其包括：基板保持旋转装置，用于一边保持基板一边使该基板旋转；第一清洗器具，其用于清洗基板的外周端部；第一清洗器具移动机构，其使第一清洗器具移动；另外，基板保持旋转装置包括：旋转部件，其设置为能够围绕旋转轴线旋转；旋转驱动机构，其使旋转部件旋转；多个保持部件，设置在旋转部件上，能够在基板保持状态和基板释放状态之间切换，其中，该基板保持状态是指，上述保持部件与基板的外周端部抵接并保持基板的状态，该基板释放状态是指，上述保持部件与基板的外周端部分离的状态；保持部件切换机构，其用于将多个保持部件在基板保持状态和基板释放状态之间切换；而且，多个保持部件中的每一个保持部件，伴随着借助旋转驱动机构的旋转部件的旋转而围绕旋转轴旋转，并通过沿着基板的外周端部的第一区域和第二区域，在旋转部件旋转的过程中，保持部件切换机构将在多个保持部件中位于第一区域的保持部件置为基板保持状态，并且将在多个保持部件中位于第二区域的保持部件置为基板释放状态，在位于第一区域的保持部件处于基板保持状态且位于第二区域的保持部件处于基板释放状态时，第一清洗器具移动机构使第一清洗器具移动到第二区域。
在该基板清洗装置中，基板保持旋转装置保持并旋转基板。基板保持旋转装置的旋转部件借助旋转驱动机构的驱动而围绕旋转轴线旋转。保持部件切换机构使设在旋转部件上的多个保持部件，在与基板的外周端部抵接并保持基板的基板保持状态和与基板的外周端部分离的基板释放状态之间切换。
在旋转部件旋转的过程中，保持部件切换机构将多个保持部件中的位于第一区域的保持部件置为基板保持状态，并且将多个保持部件中的位于第二区域的保持部件置为基板释放状态。此时，位于第一区域的保持部件以保持基板的状态移动，位于第二区域的保持部件以与基板的外周端部分离的状态移动。由此，在通过第二区域的基板的外周端部与保持部件之间形成空间。
第一清洗器具移动机构使第一清洗器具移动到该空间，并使该第一清洗器具与旋转的基板的外周端部接触。由此，能够通过第一清洗器具对基板的整个外周端部进行清洗，从而能够可靠地除去附着在基板的外周端部上的污染物。其结果，能够防止因基板的外周端部被污染而对基板的处理发生不良。
(6)基板清洗装置可以还包括：第二清洗器具，用于清洗基板的上表面或下表面，第二清洗器具移动机构，用于使第二清洗器具移动；在位于第一区域的保持部件处于基板保持状态且位于第二区域的保持部件处于基板释放状态时，第二清洗器具移动机构可以使第二清洗器具经过第二区域移动到基板的上表面一侧或下表面一侧。
此时，位于第一区域的保持部件能够保持并旋转基板，并且能够使第二清洗器具通过第二区域在基板和旋转部件之间移动。由此，在基板位于旋转部件的下侧时，能够通过第二清洗器具对基板的上表面进行清洗，并且，在基板位于旋转部件的上侧时，能够利用第二清洗器具对基板的下表面进行清洗。
(7)保持部件切换机构可以包括：第一磁力产生部件，通过磁力，将位于第一区域的保持部件切换至基板保持状态；第二磁力产生部件，通过磁力，将位于第二区域的保持部件切换至基板释放状态。
在此情况下，利用磁力，能够在第一和第二磁力产生部件与正在移动的保持部件分离的状态下，将位于第一区域的保持部件切换为基板保持状态，并且将位于第二区域的保持部件切换为基板释放状态。因此，能够防止保持部件切换机构的结构变得复杂。
(8)第一磁力产生部件可以包括第一磁铁部件，该第一磁铁部件相对位于第一区域的保持部件接近或分离，以此对位于第一区域的保持部件施加磁力，第二磁力产生部件可以包括第二磁铁部件，该第二磁铁部件相对位于第二区域的保持部件接近或分离，以此对位于第二区域的保持部件施加磁力。
此时，通过简单的结构就能够将位于第一区域的保持部件可靠地切换为基板保持状态，并且将位于第二区域的保持部件切换为基板释放状态。
(9)多个保持部件中的每一个保持部件可以具有保持部，该保持部设置在旋转部件的下侧，能够在抵接位置和分离位置之间移动，其中，该抵接位置是指，该保持部与基板的外周端部抵接的位置，该分离位置是指，该保持部与基板的外周端部分离的位置，基板清洗装置可以还包括：基板支撑部件，用于在旋转部件的下方支撑基板，支撑部件升降机构，用于使基板支撑部件升降。
此时，在基板支撑部件支撑基板的状态下，通过支撑部件升降机构使基板支撑部件上升。由此，使基板在多个保持部件之间移动。在该状态下，多个保持部件的保持部移动到抵接位置，从而能够在旋转部件的下侧保持基板。然后，基板支撑部件下降，从而在基板的下方形成用于清洗基板的下表面的空间。因此，能够容易地清洗基板的下表面。
(10)根据本发明的另外其他方面的基板处理装置，与曝光装置相邻配置，包括：处理部，用于对基板进行处理，交接部，用于在处理部和曝光装置之间交接基板；处理部和交接部中的至少一个包括用于对基板进行清洗处理的清洗处理单元，清洗处理单元包括：基板保持旋转装置，用于一边保持基板一边使该基板旋转，清洗器具，用于清洗基板的外周端部，清洗器具移动机构，用于使清洗器具移动；基板保持旋转装置包括：旋转部件，设置为能够围绕旋转轴线旋转，旋转驱动机构，用于使旋转部件旋转，多个保持部件，设置在旋转部件上，能够在基板保持状态和基板释放状态之间切换，其中，该基板保持状态是指，保持部件与基板的外周端部抵接并保持基板的状态，该基板释放状态是指，保持部件与基板的外周端部分离的状态，保持部件切换机构，用于将多个保持部件在基板保持状态和基板释放状态之间切换；多个保持部件中的每一个保持部件，伴随着借助旋转驱动机构的旋转部件的旋转而围绕旋转轴旋转，并通过沿着基板的外周端部的第一区域和第二区域，在旋转部件旋转的过程中，保持部件切换机构将在多个保持部件中位于第一区域的保持部件置为基板保持状态，并且将在多个保持部件中位于第二区域的保持部件置为基板释放状态，在保持部件切换机构将位于第一区域的保持部件切换至基板保持状态且将位于第二区域的保持部件切换至基板释放状态的状态下，清洗器具移动机构使清洗器具移动到第二区域。
在该基板处理装置中，处理部对基板进行规定的处理，交接部将该基板从处理部交接至曝光装置。在曝光装置对基板进行曝光处理后，交接部将该基板从曝光装置交接至处理部。在曝光装置进行的曝光处理前或曝光处理后，通过清洗处理单元对基板进行清洗处理。
在基板清洗装置中，基板保持旋转装置保持并旋转基板。基板保持旋转装置的旋转部件由旋转驱动机构驱动而围绕旋转轴线旋转。保持部件切换机构使设在旋转部件上的多个保持部件，在与基板的外周端部抵接并保持基板的基板保持状态和与基板的外周端部分离的基板释放状态之间切换。
在旋转部件旋转的过程中，保持部件切换机构将多个保持部件中的位于第一区域的保持部件置为基板保持状态，并且将多个保持部件中的位于第二区域的保持部件置为基板释放状态。此时，位于第一区域的保持部件以保持基板的状态移动，位于第二区域的保持部件以与基板的外周端部分离的状态移动。由此，在通过第二区域的基板的外周端部与保持部件之间形成空间。
清洗器具移动机构使清洗器具移动到该空间，并使该清洗器具与旋转的基板的外周端部接触。由此，能够通过清洗器具对基板的整个外周端部进行清洗，从而能够可靠地除去附着在基板的外周端部上的污染物。其结果，能够防止因基板的外周端部被污染而对基板的处理发生不良。
在通过曝光装置进行曝光处理前通过清洗处理单元对基板的外周端部进行清洗时，能够防止因基板的外周端部污染而曝光装置被污染，而且能够防止在尺寸以及形状上发生不良等的图案不良。另外，在曝光装置进行曝光处理后通过清洗处理单元对基板的外周端部进行清洗时，能够防止在曝光图案显影时发生显影缺陷。
根据本发明，能够对基板的整个外周端部进行清洗。由此，能够防止因基板外周端部被污染而对基板的处理发生不良。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置时的概略侧视图。
图3是从-X方向观察图1的基板处理装置时的概略侧视图。
图4是从+Y侧观察接口区块时的概略侧视图。
图5是表示清洗/干燥处理单元的结构的侧视图。
图6是表示清洗/干燥处理单元的结构的概略俯视图。
图7A、图7B是用于说明旋转卡盘保持基板W的动作的图。
图8C、图8D是用于说明旋转卡盘保持基板的动作的图。
图9A、图9B是用于说明基板的表面清洗处理以及背面清洗处理的侧视图。
图10A、图10B是用于说明基板的斜面(bevel)清洗处理的侧视图以及俯视图。
图11是本发明的第二实施方式的基板处理装置的俯视图。
图12是表示清洗处理单元的结构的侧视图。
图13是表示清洗处理单元的结构的概略俯视图。
图14A、图14B是用于说明利用表面清洗刷对基板W进行的表面清洗处理的侧视图以及概略俯视图。
具体实施方式
下面，利用附图，对本发明的实施方式的基板保持旋转装置、具有该基板保持旋转装置的基板清洗装置以及基板处理装置进行说明。在下面的说明中，所谓基板是指，半导体衬底、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。
(1)第一实施方式
(1-1)基板处理装置的结构
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的俯视图。此外，在图1以及后述的图2～图4中，为了明确位置关系，标注有表示相互垂直相交的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直相交，Z方向相当于铅直方向。此外，对于各方向而言，箭头指向的方向为+方向，其相反的方向为-方向。另外，以Z方向为中心的旋转方向为θ方向。
如图1所示，基板处理装置500包括分度器区块9、防反射膜用处理区块10、抗蚀剂膜用处理区块11、显影处理区块12、抗蚀剂盖膜用处理区块13、抗蚀剂盖膜除去区块14以及接口区块15。另外，曝光装置16配置为与接口区块15相邻。在曝光装置16中，利用浸液法对基板W进行曝光处理。
下面，分别将分度器区块9、防反射膜用处理区块10、抗蚀剂膜用处理区块11、显影处理区块12、抗蚀剂盖膜用处理区块13、抗蚀剂盖膜除去区块14以及接口区块15称为处理区块。
分度器区块9包括用于控制各处理区块的动作的主控制器(控制部)30、多个搬运器装载台40以及分度器机械手IR。分度器机械手IR上设有用于交接基板W的手部IRH。
防反射膜用处理区块10包括防反射膜用热处理部100、101，还包括防反射膜用涂敷处理部50以及第一中心机械手CR1。防反射膜用涂敷处理部50隔着第一中心机械手CR1而与防反射膜用热处理部100、101相对设置。在第一中心机械手CR1的上下设有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在分度器区块9与防反射膜用处理区块10之间设有隔断环境用的隔断壁17。在该隔断壁17上，上下接近地设有基板装载部PASS1、PASS2，所述基板装载部PASS1、PASS2用于在分度器区块9与防反射膜用处理区块10之间交接基板W。在将基板W从分度器区块9向防反射膜用处理区块10搬运时使用上侧的基板装载部PASS1，在将基板W从防反射膜用处理区块10向分度器区块9搬运时使用下侧的基板装载部PASS2。
另外，在基板装载部PASS1、PASS2上设有用于检测有无基板W的光学传感器(未图示)。由此，能够判断在基板装载部PASS1、PASS2上是否装载有基板W。另外，在基板装载部PASS1、PASS2上设有被固定设置的多根支撑销。此外，同样，在后述的基板装载部PASS3～PASS13上也设置有上述光学传感器和支撑销。
抗蚀剂膜用处理区块11包括抗蚀剂膜用热处理部110、111，还包括抗蚀剂膜用涂敷处理部60以及第二中心机械手CR2。抗蚀剂膜用涂敷处理部60隔着第二中心机械手CR2而与抗蚀剂膜用热处理部110、111相对设置。在第二中心机械手CR2的上下设有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在防反射膜用处理区块10与抗蚀剂膜用处理区块11之间设有隔断环境用的隔断壁18。在该隔断壁18上，上下接近地设有基板装载部PASS3、PASS4，所述基板装载部PASS3、PASS4用于在防反射膜用处理区块10与抗蚀剂膜用处理区块11之间交接基板W。在将基板W从防反射膜用处理区块10向抗蚀剂膜用处理区块11搬运时使用上侧的基板装载部PASS3，在将基板W从抗蚀剂膜用处理区块11向防反射膜用处理区块10搬运时使用下侧的基板装载部PASS4。
显影处理区块12包括显影用热处理部120、121，还包括显影处理部70以及第三中心机械手CR3。显影处理部70隔着第三中心机械手CR3而与显影用热处理部120、121相对设置。在第三中心机械手CR3的上下设有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蚀剂膜用处理区块11与显影处理区块12之间设有隔断环境用的隔断壁19。在该隔断壁19上，上下接近地设有基板装载部PASS5、PASS6，所述基板装载部PASS5、PASS6用于在抗蚀剂膜用处理区块11与显影处理区块12之间交接基板W。在将基板W从抗蚀剂膜用处理区块11向显影处理区块12搬运时使用上侧的基板装载部PASS5，在将基板W从显影处理区块12向抗蚀剂膜用处理区块11搬运时使用下侧的基板装载部PASS6。
抗蚀剂盖膜用处理区块13包括抗蚀剂盖膜用热处理部130、131，还包括抗蚀剂盖膜用涂敷处理部80以及第四中心机械手CR4。抗蚀剂盖膜用涂敷处理部80隔着第四中心机械手CR4而与抗蚀剂盖膜用热处理部130、131相对设置。在第四中心机械手CR4的上下设有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
在显影处理区块12与抗蚀剂盖膜用处理区块13之间设有隔断环境用的隔断壁20。在该隔断壁20上，上下接近地设有基板装载部PASS7、PASS8，所述基板装载部PASS7、PASS8用于在显影处理区块12与抗蚀剂盖膜用处理区块13之间交接基板W。在将基板W从显影处理区块12向抗蚀剂盖膜用处理区块13搬运时使用上侧的基板装载部PASS7，在将基板W从抗蚀剂盖膜用处理区块13向显影处理区块12搬运时使用下侧的基板装载部PASS8。
抗蚀剂盖膜除去区块14包括曝光后烘干用热处理部140、141，还包括抗蚀剂盖膜除去用处理部90以及第五中心机械手CR5。曝光后烘干用热处理部141不但与接口区块15相邻，而且如后述那样具有基板装载部PASS11、PASS12。抗蚀剂盖膜除去用处理部90隔着第五中心机械手CR5而与曝光后烘干用热处理部140、141相对设置。在第五中心机械手CR5的上下设有用于交接基板W的手部CRH9、CRH10。
在抗蚀剂盖膜用处理区块13与抗蚀剂盖膜除去区块14之间设有隔断环境用的隔断壁21。在该隔断壁21上，上下接近地设有基板装载部PASS9、PASS10，所述基板装载部PASS9、PASS10用于在抗蚀剂盖膜用处理区块13与抗蚀剂盖膜除去区块14之间交接基板W。在将基板W从抗蚀剂盖膜用处理区块13向抗蚀剂盖膜除去区块14搬运时使用上侧的基板装载部PASS9，在将基板W从抗蚀剂盖膜除去区块14向抗蚀剂盖膜用处理区块13搬运时使用下侧的基板装载部PASS10。
接口区块15包括输送缓冲部SBF、清洗/干燥处理单元SD1、第六中心机械手CR6、边缘曝光部EEW、返回缓冲部RBF、装载兼冷却单元PASS-CP(以下简称为P-CP)、基板装载部PASS13、接口用搬运机构IFR以及清洗/干燥处理单元SD2。此外，清洗/干燥处理单元SD1对曝光处理前的基板W进行清洗和干燥处理，清洗/干燥处理单元SD2对曝光处理后的基板W进行清洗和干燥处理。在后面对清洗/干燥处理单元SD1、SD2进行详细描述。
另外，在第六中心机械手CR6的上下设有用于交接基板W的手部CRH11、CRH12(参照图4)，在接口用搬运机构IFR的上下设有用于交接基板W的手部H1、H2(参照图4)。在后面对接口区块15进行详细描述。
在本实施方式的基板处理装置500中，沿着Y方向按顺序排列设置有分度器区块9、防反射膜用处理区块10、抗蚀剂膜用处理区块11、显影处理区块12、抗蚀剂盖膜用处理区块13、抗蚀剂盖膜除去区块14以及接口区块15。
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置500时的概略侧视图，图3是从-X方向观察图1的基板处理装置500时的概略侧视图。此外，在图2中主要表示设在基板处理装置500的+X侧的部分，在图3中主要表示设在基板处理装置500的-X侧的部分。
首先，利用图2对基板处理装置500的+侧的结构进行说明。如图2所示，在防反射膜用处理区块10的防反射膜用涂敷处理部50(参照图1)上，上下层叠配置有三个涂敷单元BARC。各涂敷单元BARC具有旋转卡盘51和供给喷嘴52，该旋转卡盘51以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴52对保持在旋转卡盘51上的基板W供给防反射膜的涂敷液。
在抗蚀剂膜用处理区块11的抗蚀剂膜用涂敷处理部60(参照图1)上，上下层叠配置有三个涂敷单元RES。各涂敷单元RES具有旋转卡盘61和供给喷嘴62，该旋转卡盘61以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴62对保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀剂膜的涂敷液。
在显影处理区块12的显影处理部70上，上下层叠配置有五个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有旋转卡盘71和供给喷嘴72，该旋转卡盘71以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴72对保持在旋转卡盘71上的基板W供给显影液。
在抗蚀剂盖膜用处理区块13的抗蚀剂盖膜用涂敷处理部80上，上下层叠配置有三个涂敷单元COV。各涂敷单元COV具有旋转卡盘81和供给喷嘴82，该旋转卡盘81以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴82对保持在旋转卡盘81上的基板W供给抗蚀剂盖膜的涂敷液。作为抗蚀剂盖膜的涂敷液，可以使用与抗蚀剂以及水的亲和力弱的材料(与抗蚀剂以及与水的反应性弱的材料)。例如氟树脂。涂敷单元COV一边使基板W旋转一边在基板W上涂敷涂敷液，从而在形成于基板W上的抗蚀剂膜上形成抗蚀剂盖膜。
在抗蚀剂盖膜除去区块14的抗蚀剂盖膜除去用处理部90上，上下层叠配置有三个除去单元REM。各除去单元REM具有旋转卡盘91和供给喷嘴92，该旋转卡盘91以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该供给喷嘴92对保持在旋转卡盘91上的基板W供给剥离液(例如氟树脂)。除去单元REM一边使基板W旋转一边在基板W上涂敷剥离液，从而除去形成于基板W上的抗蚀剂盖膜。
此外，除去单元REM的除去抗蚀剂盖膜的方法并不仅限于上述的例子。例如，可以一边在基板W的上方移动狭缝喷嘴，一边对基板W上供给剥离液，从而除去抗蚀剂盖膜。
在接口区块15内的+X侧，上下层叠配置有边缘曝光部EEW以及三个清洗/干燥处理单元SD2。各边缘曝光部EEW具有旋转卡盘98和光照射器99，该旋转卡盘98以水平姿态吸附保持基板W并旋转，该光照射器99对保持在旋转卡盘98上的基板W的周边进行曝光。
接着，利用图3对基板处理装置500的-X侧的结构进行说明。如图3所示，在防反射膜用处理区块10的防反射膜用热处理部100、101上，分别层叠配置有两个加热单元(加热板)HP和两个冷却单元(冷却板)CP。另外，在防反射膜用热处理部100、101在其最上部分别配置有对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
在抗蚀剂膜用处理区块11的抗蚀剂膜用热处理部110、111上，分别层叠配置有两个加热单元HP和两个冷却单元CP。另外，抗蚀剂膜用热处理部110、111在其最上部分别配置对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
在显影处理区块12的显影热处理部120、121上，分别层叠配置有两个加热单元HP和两个冷却单元CP。另外，显影热处理部120、121在其最上部分别配置对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
在抗蚀剂盖膜用处理区块13的抗蚀剂盖膜用热处理部130、131上，分别层叠配置有两个加热单元HP和两个冷却单元CP。另外，抗蚀剂盖膜用热处理部130、131在其最上部分别配置对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
在抗蚀剂盖膜除去区块14的曝光后烘干用热处理部140上，上下层叠配置有两个加热单元HP和两个冷却单元CP，在曝光后烘干用热处理部141上，上下层叠配置有两个加热单元HP、两个冷却单元CP以及基板装载部PASS11、PASS12。另外，曝光后烘干用热处理部140、141在其最上部分别配置对加热单元HP和冷却单元CP的温度进行控制的局部控制器LC。
接着，利用图4对接口区块15进行详细说明。
图4是从+Y侧观察分度器区块15时的概略侧视图。如图4所示，在接口区块15内，在-X侧层叠配置有输送缓冲部SBF以及三个清洗/干燥处理单元SD1。另外，在接口区块15内，在+X的上部配置有边缘曝光部EEW。
在边缘曝光部EEW的下方，在接口区块15内的大致中央部，上下层叠配置有返回缓冲部RBF、两个装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13。在边缘曝光部EEW的下方，在接口区块15内的+X侧，上下层叠配置有三个清洗/干燥处理单元SD2。
另外，在接口区块15内的下部，设有第六中心机械手CR6和接口用搬运机构IFR。将第六中心机械手CR6设置为，能够在输送缓冲部SBF及清洗/干燥处理单元SD1和边缘曝光部EEW、返回缓冲部RBF、装载兼冷却单元P-CP及基板装载部PASS13之间上下移动并且能够转动。将接口用搬运机构IFR设置为，能够在返回缓冲部RBF、装载兼冷却单元P-CP及基板装载部PASS13和清洗/干燥处理单元SD2之间上下移动并且能够转动。
(1-2)基板处理装置的动作
接着，参照图1～图4，针对本实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。
(1-2-1)分度器区块～抗蚀剂盖膜除去区块的动作
首先，针对分度器区块9～抗蚀剂盖膜除去区块14的动作进行简单说明。
将搬运器C搬入到分度器区块9的搬运器装载台40上，该搬运器C以多层收纳多张基板W。分度器机械手IR利用手部IRH取出收纳在搬运器C内的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR一边向±X方向移动一边向±θ方向转动，从而将未处理的基板W装载在基板装载部PASS1上。
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod：前开式统一标准箱)作为搬运器C，但并不仅限于此，也可以采用SMIF(Standard MechanicalInter Face：标准机械界面)容器或将收纳的基板W暴露在外部空气中的OC(open cassette：开放式盒子)等。
进一步，对于分度器机械手IR、第一～第六中心机械手CR1～CR6以及接口用搬运机构IFR分别使用直动式搬运机械手，该直动式搬运机械手相对基板W进行直线滑动，从而实现手部的进退动作，但并不仅限于此，也可以使用通过活动关节从而直线地进行手部的进退动作的多关节式搬运机械手。
装载在基板装载部PASS1上的未处理的基板W被防反射膜用处理区块10的第一中心机械手CR1接收。第一中心机械手CR1将该基板W搬入到防反射膜用热处理部100、101。
然后，第一中心机械手CR1从防反射膜用热处理部100、101中取出经过热处理的基板W，将该基板W搬入到防反射膜用涂敷处理部50。在该防反射膜用涂敷处理部50中，为了减少曝光时发生的驻波或光晕，通过涂敷单元BARC，在基板W上涂敷形成防反射膜。
接着，第一中心机械手CR1从防反射膜用涂敷处理部50中取出经过涂敷处理的基板W，将该基板W搬入防反射膜用热处理部100、101。然后，第一中心机械手CR1从防反射膜用热处理部100、101中取出经过热处理的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS3上。
装载在基板装载部PASS3上的基板W被抗蚀剂膜用处理区块11的第二中心机械手CR2接收。第二中心机械手CR2将该基板W搬入抗蚀剂膜用热处理部110、111。
然后，第二中心机械手CR2从抗蚀剂膜用热处理部110、111中取出经过热处理的基板W，将该基板W搬入抗蚀剂膜用涂敷处理部60。在该抗蚀剂膜用涂敷处理部60中，通过涂敷单元RES在涂敷形成有防反射膜的基板W上涂敷形成抗蚀剂膜。
接着，第二中心机械手CR2从抗蚀剂膜用涂敷处理部60中取出经过涂敷处理的基板W，将该基板W搬入抗蚀剂膜用热处理部110、111。然后，第二中心机械手CR2从抗蚀剂膜用热处理部110、111中取出经过热处理的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS5上。
装载在基板装载部PASS5上的基板W被显影处理区块12的第三中心机械手CR3接收。第三中心机械手CR3将该基板W装载在基板装载部PASS7上。
装载在基板装载部PASS7上的基板W被抗蚀剂盖膜用处理区块13的第四中心机械手CR4接收。第四中心机械手CR4将该基板W搬入抗蚀剂盖膜涂敷处理部80。在该抗蚀剂盖膜涂敷处理部80中，通过涂敷单元COV在涂敷形成有抗蚀剂膜的基板W上涂敷形成抗蚀剂盖膜。由于形成了抗蚀剂盖膜，即使在曝光装置16中基板W与液体接触，也能够防止抗蚀剂膜与液体接触，从而防止抗蚀剂的成分溶解到液体中。
接着，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用涂敷处理部80中取出经过涂敷处理的基板W，将该基板W搬入抗蚀剂盖膜用热处理部130、131。然后，第四中心机械手CR4从抗蚀剂盖膜用热处理部130、131中取出经过热处理的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS9上。
装载在基板装载部PASS9上的基板W被抗蚀剂盖膜除去区块14的第五中心机械手CR5接收。第五中心机械手CR5将该基板W装载在基板装载部PASS11上。
装载在基板装载部PASS11上的基板W被接口区块15的第六中心机械手CR6接收，如后述那样，在接口区块15以及曝光装置16中实施规定的处理。在接口区块15以及曝光装置16中对基板W实施了规定的处理后，该基板W被第六中心机械手CR6搬入抗蚀剂盖膜除去区块14的曝光后烘干用热处理部141。
在曝光后烘干用热处理部141中，对基板进行曝光后烘干(PEB)。然后，第六中心机械手CR6从曝光后烘干用热处理部141中取出基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS12上。
此外，在本实施方式中通过曝光后烘干用热处理部141进行曝光后烘干，但也可以通过曝光后烘干用热处理部140进行曝光后烘干。
装载在基板装载部PASS12上的基板W被抗蚀剂盖膜除去区块14的第五中心机械手CR5接收。第五中心机械手CR5将该基板W搬入抗蚀剂盖膜除去用处理部90。在抗蚀剂盖膜除去用处理部90中，除去抗蚀剂盖膜。
接着，第五中心机械手CR5从抗蚀剂盖膜除去用处理部90中取出经过处理的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS10上。
装载在基板装载部PASS10上的基板W被抗蚀剂盖膜用处理区块13的第四中心机械手CR4装载在基板装载部PASS8上。
装载在基板装载部PASS8上的基板W被显影处理区块12的第三中心机械手CR3接收。第三中心机械手CR3将该基板W搬入到显影处理部70。在显影处理部70中，对经过曝光的基板W进行显影处理。
接着，第三中心机械手CR3从显影处理部70中取出经过显影处理的基板W，将该基板W搬入到显影用热处理部120、121。然后，第三中心机械手CR3从显影用热处理部120、121中取出热处理后的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS6上。
装载在基板装载部PASS6上的基板W被抗蚀剂膜用处理区块11的第二中心机械手CR2装载在基板装载部PASS4上。装载在基板装载部PASS4上的基板W被防反射膜用处理区块10的第一中心机械手CR1装载在基板装载部PASS2上。
装载在基板装载部PASS2上的基板W通过分度器区块9的分度器机械手IR而被收纳在搬运器C中。由此，基板处理装置500对基板W进行的各处理结束。
(1-2-2)接口区块的动作
接着，针对接口区块15的动作进行详细说明。
如上所述，对搬入到分度器区块9中的基板W实施了规定的处理后，将该基板W装载在抗蚀剂盖膜除去区块14(图1)的基板装载部PASS11上。
装载在基板装载部PASS11上的基板W被接口区块15的第六中心机械手CR6接收。第六中心机械手CR6将该基板W搬入到边缘曝光部EEW(图4)。在该边缘曝光部EEW中，对基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第六中心机械手CR6从边缘曝光部EEW中取出经过边缘曝光处理的基板W，将该基板W搬入到某个清洗/干燥处理单元SD1中。在清洗/干燥处理单元SD1中，如上述那样对曝光处理前的基板W进行清洗以及干燥处理。
在此，曝光装置16进行曝光处理的时间通常比其它处理工序和搬运工序的时间长。其结果，很多时候曝光装置16无法接收排在后面的基板W。此时，将基板W暂时收纳保管在输送缓冲部SBF(图4)中。在本实施方式中，第六中心机械手CR6从清洗/干燥处理单元SD1中取出经过干燥处理的基板W，将该基板W搬运至输送缓冲部SBF。
接着，第六中心机械手CR6取出收纳保管在输送缓冲部SBF中的基板W，将该基板W搬入到装载兼冷却单元P-CP。将被搬入到装载兼冷却单元P-CP中的基板W保持为与曝光装置16内相同的温度(例如23℃)。
此外，在曝光装置16具有足够的处理速度的情况下，可以不将基板W收纳保管在输送缓冲部SBF中，而是将基板W从清洗/干燥处理单元SD1搬运至装载兼冷却单元P-CP。
接着，通过接口用搬运机构IFR的上侧的手部H1(图4)接收由装载兼冷却单元P-CP保持为上述规定温度的基板W，并将该基板W搬入到曝光装置16内的基板搬入部16a(图1)。
在曝光装置16中对基板W实施曝光处理，然后通过接口用搬运机构IFR的下侧的手部H2(图4)将该基板W从基板搬出部16b(图1)搬出。接口用搬运机构IFR通过手部H2将该基板W搬入到某个清洗/干燥处理单元SD2。在清洗/干燥处理单元SD2中，如上述那样对曝光处理后的基板W进行清洗以及干燥处理。
在清洗/干燥处理单元SD2中，对基板W实施清洗和干燥处理，然后通过接口用搬运机构IFR的手部H1(图4)取出该基板W。接口用搬运机构IFR通过手部H1将该基板W装载在基板装载部PASS13上。
装载在基板装载部PASS13上的基板W被第六中心机械手CR6接收。第六中心机械手CR6将该基板W搬运至抗蚀剂盖膜除去区块14(图1)的曝光后烘干用热处理部141。
此外，在因除去单元REM(图2)发生故障等而导致抗蚀剂盖膜除去区块14暂时无法接收基板W时，能够将曝光处理后的基板W暂时收纳保管在返回缓冲部RBF中。
因此，在本实施方式中，第六中心机械手CR6虽然在基板装载部PASS11(图1)、边缘曝光部EEW、清洗/干燥处理单元SD1、输送缓冲部SBF、装载兼冷却单元P-CP、基板装载部PASS13以及曝光后烘干用热处理部141之间搬运基板W，但能够在短时间(例如24秒)内进行这一系列的动作。
另外，接口用搬运机构IFR虽然在装载兼冷却单元P-CP、曝光装置16、清洗/干燥处理单元SD2以及基板装载部PASS13之间搬运基板W，但能够在短时间(例如24秒)内进行这一系列的动作。
这些处理的结果，能够可靠地提高生产能力。
(1-3)清洗/干燥处理单元
接着，利用附图，对清洗/干燥处理单元SD1进行详细说明。图5和图6是表示清洗/干燥处理单元SD1的结构的侧视图和概略俯视图。此外，图6示意地表示清洗/干燥处理单元SD1的一部分结构要素。清洗/干燥处理单元SD2的结构与清洗/干燥处理单元SD1相同。
如图5和图6所示，清洗/干燥处理单元SD1具有旋转卡盘610，该旋转卡盘610用于水平保持基板W并使其旋转。旋转卡盘610包括旋转马达611、旋转轴611a、圆板状的旋转板612、板支撑部件613、磁铁板(magnet plate)614a、614b以及多个卡销615。
在清洗/干燥处理单元SD1的上部设有旋转马达611。旋转马达611被未图示的支撑部件所支撑。将旋转轴611a设置为从旋转马达611下方延伸。在旋转轴611a的下端部安装有板支撑部件613。板支撑部件613水平支撑旋转板612。旋转马达611使旋转轴611a旋转，从而使旋转板612围绕铅直轴旋转。
液体供给管610a插入贯通旋转马达611、旋转轴611a以及板支撑部件61。能够通过液体供给管610a向由旋转卡盘610保持的基板W上供给清洗液。作为清洗液，例如可以使用纯水。
在旋转板612的周边部，相对于旋转轴611a以等角度间隔设有多个(本例中为5个)卡销615。卡销615的个数最好是在5个以上。关于其理由在后面叙述。
各卡销615包括轴部615a、销支撑部615b、保持部615c以及磁铁(magnet)616。将轴部615a设置为贯通旋转板612，水平方向延伸的销支撑部615b与轴部615a的下端部相连接。将保持部615c设置为从销支撑部615b的前端部向下方突出。另外，在旋转板612的上表面一侧上，在轴部615a的上端部安装有磁铁616。
各卡销615能够以轴部615a为中心围绕铅直轴旋转，并能够在闭状态和开状态之间切换，其中，该闭状态是指保持部615c与基板W的外周端部抵接的状态，该开状态是指保持部615c与基板W的外周端部分离的状态。此外，在本例中，在磁铁616的N极处于内侧时各卡销615是闭状态，而在磁铁616的S极处于内侧时各卡销615是开状态。
在旋转板612的上方，沿着以旋转轴611a作为中心的圆周方向配置有磁铁板614a、614b。磁铁板614a、614b的外侧为S，内侧为N极。通过磁铁升降机构617a、617b分别独立地升降磁铁板614a、614b，并且在上方位置和下方位置之间移动磁铁板614a、614b，其中，该上方位置是指比卡销615的磁铁616高的位置，该下方位置是指高度大致与卡销615的磁铁616相等的位置。
通过升降磁铁板614a、614b，在开状态和闭状态之间切换各卡销615。在后面详细叙述磁铁板614a、614b以及卡销615的动作。
在旋转卡盘610的外侧设有挡板618，该挡板618用于挡住从基板W飞散的清洗液。挡板618的形状为相对旋转卡盘610的旋转轴611a旋转对称。另外，通过挡板升降机构618a升降挡板618。挡板618挡住的清洗液被未图示的排液装置或回收装置排出或回收。
在挡板618的外侧，以旋转卡盘610的旋转轴611a为中心地等角度间隔配置有3个以上(本例中为3个)基板交接机构620。各基板交接机构620包括升降旋转驱动部621、旋转轴622、臂部623以及保持销624。将旋转轴622设置为从升降旋转驱动部621向上方延伸，并且臂部623以从旋转轴622的上端部向水平方向延伸的方式与旋转轴622相连接。在臂部623的前端部，设有用于保持基板W的外周端部的保持销624。
通过升降旋转驱动部621，使旋转轴622进行升降动作以及旋转动作。由此，保持销624在水平方向以及上下方向上移动。
另外，在清洗/干燥处理单元SD1的下部设有清洗刷630，该清洗刷630用于对旋转卡盘610所保持的基板W的外周端部以及背面进行清洗。清洗刷630大致为圆柱形状，而且在外周面上形成有剖面呈V字状的沟槽635。通过刷子保持部件631保持清洗刷630。刷子移动机构632驱动刷子保持部件631，使清洗刷630在水平方向以及铅直方向上移动。
在清洗刷630附近的刷子保持部件631的一部分上，安装有清洗喷嘴633。清洗喷嘴633与用于供给清洗液的液体供给管(未图示)相连接。清洗喷嘴633的喷出口朝向清洗刷630周围，并且喷出口向清洗刷630周围喷出清洗液。
(1-4)基板的保持动作
接着，针对旋转卡盘610保持基板W的动作进行说明。图7A、图7B以及图8C、图8D是用于说明旋转卡盘610保持基板W的动作的图。
首先，如图7A所示，挡板618移动到比卡销615低的位置。然后，多个基板交接机构620(图5)的保持销624经过挡板618的上方而移动到旋转板612的下方。通过第六中心机械手CR6(图1)将基板W装载在多个保持销624上。
此时，磁铁板614a、614b位于上方位置。在该情况下，磁铁板614a、614b的磁力线B在卡销615的磁铁616的高度上从内侧朝向外侧。由此，各卡销615的磁铁616的S极被吸引至内侧。从而各卡销615成为开状态。
接着，如图7B所示，多个保持销624在保持基板W的状态下上升。由此，基板W移动到多个卡销615的保持部615c之间。
接着，图8C所示，磁铁板614a、614b移动到下方位置。此时，各卡销615的磁铁616的N极被吸引至内侧。由此，各卡销615变为闭状态，各卡销615的保持部615c保持基板W的外周端部。此外，各卡销615在相邻的保持销624之间保持基板W的外周端部。因此，卡销615与保持销624互不干涉。然后，多个保持销624移动至挡板618的外侧。
接着，如图8D所示，挡板618移动到能够包围被卡销615保持的基板W的高度。然后，依次进行基板W的清洗处理以及干燥处理。
(1-5)清洗处理以及干燥处理
清洗/干燥处理单元SD1进行如下的清洗处理之后对基板W进行干燥处理，即，进行对基板W的表面(上表面)进行清洗的表面清洗处理、对基板的背面(下表面)进行清洗的背面清洗处理、对基板W的外周端部(斜面部)进行清洗的斜面清洗处理。
图9A、图9B是用于说明基板W的表面清洗处理以及背面清洗处理的侧视图，图10A、图10B是用于说明基板W的斜面清洗处理的侧视图以及俯视图。
如图9A所示，在对基板W的表面进行清洗处理时，在由旋转卡盘610旋转基板W的状态下，通过液体供给管610a向基板W的表面供给清洗液。清洗液因离心力而扩散到基板W的整个表面上，并向外侧飞散。由此，附着在基板W表面上的灰尘等被冲洗掉。另外，基板W上的抗蚀剂盖膜的一部分成分会溶解到清洗液中，被冲洗掉。
如图9B所示，在对基板W的背面进行清洗处理时，在由旋转卡盘610旋转基板W的状态下，清洗刷630移动到基板W的下方。然后，在清洗刷630的上表面与基板W的背面相接触的状态下，清洗刷630在基板W的中心部下方与周边部下方之间移动。清洗喷嘴633向基板W与清洗刷630接触的接触部分供给清洗液。由此，利用清洗刷630对基板W的整个背面进行清洗，从而除去附着在基板W的背面上的污染物。
如图10A、10B所示，在对基板W进行斜面清洗处理时，磁铁板614a配置在下方位置，磁铁板614b配置在上方位置。在该状态下，旋转卡盘610旋转基板W。
此时，在磁铁板614a的外侧区域R1(参照图10B)，各卡销615为闭状态；在磁铁板614b的外侧区域R2(参照图10B)，各卡销615为开状态。即，各卡销615的保持部615c在通过磁铁板614a的外侧区域R1时，保持与基板W的外周端部接触的状态，而在通过磁铁板614b的外侧区域R2时，与基板W的外周端部分离。
在本例中，5个卡销615中的至少4个卡销615位于磁铁板614a的外侧区域R1。此时，至少由4个卡销615来保持基板W。由此，能够确保基板W的稳定性。
在该状态下，在外侧区域R2，清洗刷630在卡销615的保持部615c与基板W的外周端部之间移动。并且，清洗刷630的沟槽635与基板W的外周端部抵接。清洗喷嘴633(图5)向清洗刷630与基板W接触的接触部分供给清洗液。由此，对基板W的整个外周端部进行清洗，从而除去附着在基板W的外周端部的污染物。
此外，可以在进行斜面清洗处理时通过图5的液体供给管610a来对基板W的表面供给清洗液。这种情况下，能够同时进行斜面清洗处理和表面清洗处理。另外，可以与清洗刷630分开而单独设置对基板W的背面进行清洗的背面清洗刷，在进行斜面清洗处理时可以使背面清洗刷与基板W的背面相接触。这种情况下，能够同时进行斜面清洗处理和背面清洗处理。或者，可以同时进行斜面清洗处理、表面清洗处理以及背面清洗处理。
在进行上述表面清洗处理、背面清洗处理以及斜面清洗处理之后，对基板W进行干燥处理。此时，磁铁板614a、614b配置在下方位置，通过全部卡销615保持基板W。在该状态下，旋转卡盘610高速旋转基板W。由此，附着在基板W上的清洗液被甩开，从而干燥基板W。
此外，在对基板W进行干燥处理时，通过液体供给管610a对基板W供给非活性气体(例如氮气)或空气(air)等气体。此时，在旋转板612与基板W之间形成的气流将基板W上的清洗液向外侧吹除出去。由此，能够有效地干燥基板W。
(1-6)第一实施方式的效果
在本实施方式中，清洗/干燥处理单元SD1对曝光处理前的基板W进行清洗处理。由此，不但能够防止曝光装置16被污染，而且还能够防止曝光图案在尺寸以及形状上发生不良。
另外，在对基板W进行表面清洗处理时，基板W上的抗蚀剂盖膜的一部分成分溶解到清洗液中，从而被冲洗。因此，在曝光装置16中，能够防止在向基板W上供给液体时，抗蚀剂盖膜的成分溶解到该液体中。
另外，在清洗/干燥处理单元SD1中，一边通过位于外侧区域R1的卡销615的保持部615c对基板W的外周端部进行保持并使基板W旋转，一边使位于外侧区域R2的卡销615的保持部615c与基板W的外周端部分离，从而能够利用清洗刷630对基板W的外周端部进行清洗。此时，与利用通过真空吸附对基板W背面进行保持的吸附式的旋转卡盘的情况不同，不会在基板W的背面形成吸附痕迹等，并且能够充分地清洁基板W的外周端部。
另外，在清洗/干燥处理单元SD1中，旋转卡盘610位于基板W的上方，因此能够利用清洗刷630对基板W的背面进行清洗，从而能够可靠地除去附着在基板W背面上的污染物。另外，在涂敷单元RES等其他单元中，即使在吸附式的旋转卡盘使基板W的背面形成了吸附痕迹的情况下，也能够在进行曝光处理前可靠地除去该吸附痕迹。由此，能够可靠地防止曝光装置被污染以及因基板W背面的凹凸而发生散焦。
另外，清洗/干燥处理单元SD2对曝光处理后的基板W进行清洗处理。此时，即使在进行曝光处理时，在附着有液体的基板W上附着环境中的灰尘等，也能够除去该付着物。由此，能够更加可靠地防止对基板W的处理发生不良。另外，由于能够保持曝光处理后的基板W的清洁，因此能够防止发生显影缺陷。
(1-7)变形例
在上述第一实施方式的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，通过磁力使卡销615在闭状态与开状态之间切换，但也可以通过机械结构以及电控制来使卡销615在闭状态与开状态之间切换。
另外，在上述第一实施方式的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，利用在旋转板612的下侧保持基板W的旋转卡盘610，但也可以利用在旋转板612的上侧保持基板W的旋转卡盘。
另外，对于清洗/干燥处理单元SD1、清洗/干燥处理单元SD2、涂敷单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、加热单元HP、冷却单元CP以及装载兼冷却单元P-CP的个数，可以配合各区块的处理速度适当变更。
另外，在上述第一实施方式中，清洗/干燥处理单元SD1、SD2配置在接口区块15内，但也可以将清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的至少一个配置在图1所示的抗蚀剂盖膜除去区块14内。或者，也可以将包括清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的至少一个的清洗/干燥处理区块，设在图1所示的抗蚀剂盖膜除去区块14和接口区块15之间。
另外，在上述实施方式中，针对将通过浸液法对基板W进行曝光处理的曝光装置16设为基板处理装置500的外部装置的情况进行了说明，但并不仅限于此，也可以将不用液体也能够对基板W进行曝光处理的曝光装置设为基板处理装置500的外部装置。
(2)第二实施方式
(2-1)基板处理装置的结构以及动作
图11是本发明的第二实施方式的基板处理装置的俯视图。在该基板处理装置中，在基板W上未形成各种膜的状态下对基板W进行清洗处理。
如图11所示，基板处理装置800包括分度器部810以及清洗处理部820。在分度器部810上设有多个搬运器装载台811以及分度器机械手IRa。向搬运器装载台811上，搬入多层地收纳多张基板W的搬运器C。分度器机械手IRa在搬运器C与清洗处理部820之间搬运基板W。
在清洗处理部820的中央部，设有主机械手MR。在主机械手MR与分度器部810之间，上下地设有暂时装载基板W的基板装载部PASS81、PASS82。另外，围绕主机械手MR设有两个清洗处理单元SS、干燥处理单元DRY、控制单元CON以及处理液贮藏部TA。
此外，清洗处理单元SS以及干燥处理单元DRY的个数并不仅限于此，可以任意设定。另外，也可以分别多层层叠设置多个清洗处理单元SS和多个干燥处理单元DRY。
通过清洗处理单元SS对基板W进行清洗处理。针对清洗处理单元SS在后面详细叙述。通过干燥处理单元DRY对清洗处理后的基板W进行干燥处理。通过控制单元CON对基板处理装置800的各结构要素的动作进行控制。在处理液贮藏部TA中，收纳有存储清洗液等处理液的存储罐和配管等流体关联设备。
接着，说明基板处理装置800的动作。首先，分度器机械手IRa取出收纳在搬运器C内的未处理的基板W。接着，分度器机械手Ira一边沿着箭头U方向移动一边围绕铅直轴旋转，将未处理的基板W装载在基板装载部PASS82。
装载在基板装载部PASS82上的未处理的基板W被主机械手MR接收。主机械手MR将该基板W搬入清洗处理单元SS。然后，主机械手MR从清洗处理单元SS中取出清洗处理后的基板W，将该基板W搬入干燥处理单元DRY。
接着，主机械手MR从干燥处理单元DRY中取出干燥处理后的基板W，将该基板W装载在基板装载部PASS81上。装载在基板装载部PASS81上的基板W被分度器机械手IR收纳到搬运器C中。由此，基板处理装置800中的基板W的各处理结束。
(2-2)清洗处理单元SS
接着，对清洗处理单元SS与上述清洗/干燥处理单元SD1的不同点进行说明。图12和图13是表示清洗处理单元SS的结构的侧视图和概略俯视图。此外，图13示意地表示清洗处理单元SS的一部分的结构要素。
如图12所示，在清洗处理单元SS中，在旋转卡盘610的下方设有表面清洗机构660。表面清洗机构660包括升降旋转驱动部661、旋转轴662、臂部663以及表面清洗刷664。将旋转轴662设置为从升降旋转驱动部661向上方延伸，并且以从旋转轴662的上端部向水平方向延伸的方式与臂部663连接。在臂部663的前端部安装有表面清洗刷664。通过升降旋转驱动部661使旋转轴622进行升降动作和旋转动作。由此，使表面清洗刷664在水平方向和上下方向上移动。
如图13所示，表面清洗机构660的旋转轴662位于外侧区域R2。表面清洗机构660的臂部663沿着基板W的外周弯曲。将臂部663的长度设定为与磁铁板614b的长度大致相等。另外，在图12的旋转板612的周边部，相对旋转轴611a以等角度间隔设有8个卡销615。
在该清洗处理单元SS中，进行图9B所示的基板W的背面清洗处理以及图10A、图10B所示的基板W的斜面清洗处理，并且利用表面清洗刷664进行基板W的表面清洗处理。图14A、图14B是用于说明利用表面清洗刷664进行基板W的表面清洗处理的侧视图以及概略俯视图。
如图14A、图14B所示，在进行表面清洗处理时，磁铁板614a配置在下方位置，磁铁板614b配置在上方位置。在该状态下，旋转卡盘610旋转基板W。此时，与进行上述斜面清洗处理时同样地，各卡销615的保持部615c在通过磁铁板614a的外侧区域R1时，保持与基板W的外周端部接触的状态，而在通过磁铁板614b的外侧区域R2时，与基板W的外周端部分离。
在本例中，8个卡销615中的至少6个卡销615位于磁铁板614a的外侧区域R1。此时，至少6个卡销615保持基板W。由此，能够确保基板W的稳定性。
表面清洗机构660的旋转轴662经过互相分离的基板W的外周端部与卡销615的保持部615c之间，并上升至规定的高度。然后，臂部663围绕旋转轴662旋转。由此，表面清洗刷664在旋转板612与基板W的表面之间移动。
在旋转轴662上升时，臂部663保持沿着基板W外周的状态(在图14B中以虚线表示的状态)。此时，在外侧区域R2，臂部663经过互相分离的基板W的外周端部与卡销615的保持部615c之间。
接着，在表面清洗刷664的下表面与基板W的表面接触的状态下，表面清洗刷664在基板W的中心部上方与基板W的周边部上方之间移动。另外，通过图12的液体供给管610a向基板W的表面供给清洗液。由此，利用表面清洗刷664清洗基板W的整个表面，充分地除去附着在基板W表面的污染物。
此外，可以同时进行如下的清洗处理：利用表面清洗刷664进行的表面清洗处理和利用清洗刷630进行的基板W的斜面清洗处理。另外，可以与清洗刷630和表面清洗刷664分开而单独地设置对基板W背面进行清洗的背面清洗刷，从而可以同时进行上述表面清洗处理和利用背面清洗刷进行的背面清洗处理。或者，可以同时进行斜面清洗处理、表面清洗处理以及背面清洗处理。
在表面清洗处理、背面清洗处理以及斜面清洗处理之后，与上述清洗/干燥处理单元SD1同样地对基板W进行干燥处理。
(2-3)第二实施方式的效果
在本实施方式中，能够在共用的清洗处理单元SS中对基板W的表面、背面以及外周端部进行清洗。因此，与分别单独地设置用于清洗基板W表面的单元、用于清洗基板W背面的单元和用于清洗基板W外周端部的单元的情况相比，能够减少占用面积且实现基板处理装置800的小型化。另外，与设置这样多个单元的情况相比，能够消减基板W的搬运工序，因此能够提高产量。
(2-4)
在上述第二实施方式的清洗处理单元SS中，通过磁力使卡销615在闭状态与开状态之间切换，但也可以通过机械结构以及电控制使卡销615在闭状态与开状态之间切换。
另外，在上述第二实施方式的清洗处理单元SS中，利用在旋转板612的下侧保持基板W的旋转卡盘610，但也可以利用在旋转板612的上侧保持基板W的旋转卡盘。
(3)其他实施方式
在上述实施方式中，对在基板处理装置500中设置清洗/干燥处理单元SD1的情况和在基板处理装置800中设置清洗处理单元SS的情况进行了说明，但并不仅限于此，可以将清洗/干燥处理单元SD1和清洗处理单元SS设在其他的基板处理装置中，或者也可以单独使用清洗/干燥处理单元SD1和清洗处理单元SS。
(4)技术方案中的各构成要素与实施方式中的各要素的相对应
下面，针对技术方案中的各构成要素与实施方式中的各要素相对应的例子进行说明，但本发明并不限定于下述内容。
在上述实施方式中，旋转卡盘610是基板保持旋转装置的例子，旋转板612是旋转部件的例子，旋转马达611是旋转驱动机构的例子，卡销615是保持部件的例子，磁铁板614a、614b以及磁铁升降机构617a、617b是保持部件切换机构的例子，磁铁板614a是第一磁力产生部件以及第一磁铁部件的例子，磁铁板614b是第二磁力产生部件以及第二磁铁部件的例子。
另外，清洗/干燥处理单元SD1、SD2以及清洗处理单元SS是基板清洗装置的例子，清洗刷630是第一清洗器具的例子，刷子移动机构632是第一清洗器具移动机构的例子，表面清洗刷664是第二清洗器具的例子，升降旋转驱动部661是第二清洗器具移动机构的例子，保持销624是基板支撑部件的例子，升降旋转驱动部621是支撑部件升降机构的例子。
另外，防反射膜用处理区块10、抗蚀剂膜用处理区块11、显影处理区块12、抗蚀剂盖膜用处理区块13以及抗蚀剂盖膜除去区块14是处理部的例子，接口区块15是交接部的例子。
作为技术方案的各结构要素，可以使用具有技术方案所记载的结构或功能的其它各种要素。

Claims (10)

1.一种基板保持旋转装置，用于一边保持基板一边使该基板旋转，其特征在于，
具有：
旋转部件，设置为能够围绕旋转轴线旋转，
旋转驱动机构，用于使上述旋转部件旋转，
多个保持部件，设置在上述旋转部件上，能够在基板保持状态和基板释放状态之间切换，其中，该基板保持状态是指，上述保持部件与基板的外周端部抵接并保持基板的状态，该基板释放状态是指，上述保持部件与基板的外周端部分离的状态，
保持部件切换机构，用于将上述多个保持部件在上述基板保持状态和上述基板释放状态之间切换；
上述多个保持部件中的每一个保持部件，伴随着借助上述旋转驱动机构的上述旋转部件的旋转而围绕上述旋转轴旋转，并通过沿着基板的外周端部的第一区域和第二区域，
在上述旋转部件旋转的过程中，上述保持部件切换机构将在上述多个保持部件中位于上述第一区域的保持部件置为上述基板保持状态，并且将在上述多个保持部件中位于上述第二区域的保持部件置为上述基板释放状态。
2.如权利要求1所述的基板保持旋转装置，其特征在于，上述保持部件切换机构包括：
第一磁力产生部件，通过磁力，将位于上述第一区域的保持部件切换至上述基板保持状态；
第二磁力产生部件，通过磁力，将位于上述第二区域的保持部件切换至上述基板释放状态。
3.如权利要求2所述的基板保持旋转装置，其特征在于，
上述第一磁力产生部件包括第一磁铁部件，该第一磁铁部件相对位于上述第一区域的保持部件接近或分离，以此对位于上述第一区域的保持部件施加磁力，
上述第二磁力产生部件包括第二磁铁部件，该第二磁铁部件相对位于上述第二区域的保持部件接近或分离，以此对位于上述第二区域的保持部件施加磁力。
4.如权利要求1所述的基板保持旋转装置，其特征在于，上述多个保持部件中的每一个保持部件具有保持部，该保持部设置在上述旋转部件的下侧，能够在抵接位置和分离位置之间移动，其中，该抵接位置是指，该保持部与基板的外周端部抵接的位置，该分离位置是指，该保持部与基板的外周端部分离的位置。
5.一种基板清洗装置，其特征在于，
包括：
基板保持旋转装置，用于一边保持基板一边使该基板旋转，
第一清洗器具，用于清洗基板的外周端部，
第一清洗器具移动机构，用于使上述第一清洗器具移动；
上述基板保持旋转装置包括：
旋转部件，设置为能够围绕旋转轴线旋转，
旋转驱动机构，用于使上述旋转部件旋转，
多个保持部件，设置在上述旋转部件上，能够在基板保持状态和基板释放状态之间切换，其中，该基板保持状态是指，上述保持部件与基板的外周端部抵接并保持基板的状态，该基板释放状态是指，上述保持部件与基板的外周端部分离的状态，
保持部件切换机构，用于将上述多个保持部件在上述基板保持状态和上述基板释放状态之间切换；
上述多个保持部件中的每一个保持部件，伴随着借助上述旋转驱动机构的上述旋转部件的旋转而围绕上述旋转轴旋转，并通过沿着基板的外周端部的第一区域和第二区域，
在上述旋转部件旋转的过程中，上述保持部件切换机构将在上述多个保持部件中位于上述第一区域的保持部件置为上述基板保持状态，并且将在上述多个保持部件中位于上述第二区域的保持部件置为上述基板释放状态，
在位于上述第一区域的保持部件处于上述基板保持状态且位于上述第二区域的保持部件处于上述基板释放状态时，上述第一清洗器具移动机构使上述第一清洗器具移动到上述第二区域。
6.如权利要求5所述的基板清洗装置，其特征在于，
还包括：
第二清洗器具，用于清洗基板的上表面或下表面，
第二清洗器具移动机构，用于使上述第二清洗器具移动；
在位于上述第一区域的保持部件处于上述基板保持状态且位于上述第二区域的保持部件处于上述基板释放状态时，上述第二清洗器具移动机构使上述第二清洗器具经过上述第二区域移动到基板的上表面一侧或下表面一侧。
7.如权利要求5所述的基板清洗装置，其特征在于，上述保持部件切换机构包括：
第一磁力产生部件，通过磁力，将位于上述第一区域的保持部件切换至上述基板保持状态；
第二磁力产生部件，通过磁力，将位于上述第二区域的保持部件切换至上述基板释放状态。
8.如权利要求7所述的基板清洗装置，其特征在于，
上述第一磁力产生部件包括第一磁铁部件，该第一磁铁部件相对位于上述第一区域的保持部件接近或分离，以此对位于上述第一区域的保持部件施加磁力，
上述第二磁力产生部件包括第二磁铁部件，该第二磁铁部件相对位于上述第二区域的保持部件接近或分离，以此对位于上述第二区域的保持部件施加磁力。
9.如权利要求5所述的基板清洗装置，其特征在于，
上述多个保持部件中的每一个保持部件具有保持部，该保持部设置在上述旋转部件的下侧，能够在抵接位置和分离位置之间移动，其中，该抵接位置是指，该保持部与基板的外周端部抵接的位置，该分离位置是指，该保持部与基板的外周端部分离的位置，
上述基板清洗装置还包括：
基板支撑部件，用于在上述旋转部件的下方支撑基板，
支撑部件升降机构，用于使上述基板支撑部件升降。
10.一种基板处理装置，与曝光装置相邻配置，其特征在于，
包括：
处理部，用于对基板进行处理，
交接部，用于在上述处理部和上述曝光装置之间交接基板；
上述处理部和上述交接部中的至少一个包括用于对基板进行清洗处理的清洗处理单元，
上述清洗处理单元包括：
基板保持旋转装置，用于一边保持基板一边使该基板旋转，
清洗器具，用于清洗基板的外周端部，
清洗器具移动机构，用于使上述清洗器具移动；
上述基板保持旋转装置包括：
旋转部件，设置为能够围绕旋转轴线旋转，
旋转驱动机构，用于使上述旋转部件旋转，
多个保持部件，设置在上述旋转部件上，能够在基板保持状态和基板释放状态之间切换，其中，该基板保持状态是指，上述保持部件与基板的外周端部抵接并保持基板的状态，该基板释放状态是指，上述保持部件与基板的外周端部分离的状态，
保持部件切换机构，用于将上述多个保持部件在上述基板保持状态和上述基板释放状态之间切换；
上述多个保持部件中的每一个保持部件，伴随着借助上述旋转驱动机构的上述旋转部件的旋转而围绕上述旋转轴旋转，并通过沿着基板的外周端部的第一区域和第二区域，
在上述旋转部件旋转的过程中，上述保持部件切换机构将在上述多个保持部件中位于上述第一区域的保持部件置为上述基板保持状态，并且将在上述多个保持部件中位于上述第二区域的保持部件置为上述基板释放状态，
在上述保持部件切换机构将位于上述第一区域的保持部件切换至上述基板保持状态且将位于上述第二区域的保持部件切换至上述基板释放状态的状态下，上述清洗器具移动机构使上述清洗器具移动到上述第二区域。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102569128A (zh) * 2010-12-09 2012-07-11 台湾积体电路制造股份有限公司 用于清洁薄晶圆的旋转夹盘
CN103091999A (zh) * 2011-10-27 2013-05-08 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
CN103165495A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 大日本网屏制造株式会社 基板保持旋转装置、基板处理装置以及基板处理方法
CN103456666A (zh) * 2013-08-29 2013-12-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种多组卡销式晶圆清洗设备和清洗方法
CN103920688A (zh) * 2014-04-18 2014-07-16 成都先进功率半导体股份有限公司 一种安装于用于清洗半导体芯片的清洗机的卡扣
CN107818928A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 株式会社斯库林集团 基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法
CN107818929A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 株式会社斯库林集团 基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法
CN109712927A (zh) * 2018-12-28 2019-05-03 天津洙诺科技有限公司 一种半导体晶片清洗机
CN114769176A (zh) * 2022-04-24 2022-07-22 中国原子能科学研究院 擦拭装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100949256B1 (ko) 2009-12-24 2010-03-25 이인오 웨이퍼 고정용 척
JP2011205004A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP6043060B2 (ja) * 2011-12-09 2016-12-14 東京応化工業株式会社 保持装置
JP6061484B2 (ja) 2012-03-27 2017-01-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP6001896B2 (ja) 2012-03-27 2016-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
KR101501362B1 (ko) * 2012-08-09 2015-03-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치 및 기판처리방법
JP6073192B2 (ja) * 2013-06-14 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システムおよび基板洗浄方法
JP6503194B2 (ja) * 2015-02-16 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6461748B2 (ja) * 2015-08-25 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6726575B2 (ja) * 2016-02-01 2020-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
US10276365B2 (en) 2016-02-01 2019-04-30 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method
CN107665832B (zh) * 2016-07-27 2019-12-20 上海新昇半导体科技有限公司 晶盒清洗设备
JP6684191B2 (ja) 2016-09-05 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置
KR102030471B1 (ko) * 2017-07-25 2019-10-14 세메스 주식회사 리프트 핀 유닛 및 이를 구비하는 기판 지지 유닛
KR101934883B1 (ko) * 2018-07-26 2019-04-05 주식회사 지티아이코리아 반도체 제조 방법 및 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3492107B2 (ja) 1996-09-09 2004-02-03 大日本スクリーン製造株式会社 回転式現像装置
JPH1092912A (ja) * 1996-09-11 1998-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
US6115867A (en) 1997-08-18 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning both sides of substrate
JP4086398B2 (ja) 1999-01-28 2008-05-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP3888608B2 (ja) 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
JP2002368066A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2003007664A (ja) 2001-06-22 2003-01-10 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP4095613B2 (ja) 2005-01-13 2008-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置
JP4726752B2 (ja) * 2005-10-25 2011-07-20 義治 山本 基板洗浄装置
JP4719051B2 (ja) 2006-03-30 2011-07-06 ソニー株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR100892809B1 (ko) * 2006-03-30 2009-04-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100831988B1 (ko) * 2006-06-02 2008-05-23 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법
KR100746576B1 (ko) 2006-09-12 2007-08-06 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102569128A (zh) * 2010-12-09 2012-07-11 台湾积体电路制造股份有限公司 用于清洁薄晶圆的旋转夹盘
CN102569128B (zh) * 2010-12-09 2016-04-27 台湾积体电路制造股份有限公司 用于清洁薄晶圆的旋转夹盘
CN103091999A (zh) * 2011-10-27 2013-05-08 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
US9885964B2 (en) 2011-10-27 2018-02-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN103091999B (zh) * 2011-10-27 2016-07-06 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
CN103165495A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 大日本网屏制造株式会社 基板保持旋转装置、基板处理装置以及基板处理方法
CN103165495B (zh) * 2011-12-19 2016-04-20 斯克林集团公司 基板保持旋转装置、基板处理装置以及基板处理方法
US9385020B2 (en) 2011-12-19 2016-07-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method
CN103456666B (zh) * 2013-08-29 2016-07-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种多组卡销式晶圆清洗设备和清洗方法
CN103456666A (zh) * 2013-08-29 2013-12-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种多组卡销式晶圆清洗设备和清洗方法
CN103920688A (zh) * 2014-04-18 2014-07-16 成都先进功率半导体股份有限公司 一种安装于用于清洗半导体芯片的清洗机的卡扣
CN103920688B (zh) * 2014-04-18 2015-11-18 成都先进功率半导体股份有限公司 一种安装于用于清洗半导体芯片的清洗机的卡扣
CN107818928A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 株式会社斯库林集团 基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法
CN107818929A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 株式会社斯库林集团 基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法
CN107818929B (zh) * 2016-09-13 2021-07-09 株式会社斯库林集团 基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法
US11203094B2 (en) 2016-09-13 2021-12-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method
CN107818928B (zh) * 2016-09-13 2023-12-15 株式会社斯库林集团 基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法
CN109712927A (zh) * 2018-12-28 2019-05-03 天津洙诺科技有限公司 一种半导体晶片清洗机
CN114769176A (zh) * 2022-04-24 2022-07-22 中国原子能科学研究院 擦拭装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101436564B (zh) 2011-10-19
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