CN103091999A - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光刻设备，包括：衬底台，构造用以保持衬底；隔间，用于放置衬底台；热调节单元，布置成接纳将要被曝光的衬底和热调节衬底；和转移系统，用于将热调节后的衬底转移至衬底台，其中至少在将热调节后的衬底从热调节单元转移至衬底台期间所述衬底台和热调节单元布置在光刻设备的隔间内部。

Description

光刻设备和器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻设备和用于制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。通常，集成电路(ICs)包括多个连续的层，它们通过应用不同的图案形成。在使用光刻设备应用两个连续的层之间，衬底通常在光刻设备的外部处理，例如在所谓的轨道设备中，其中晶片经历不同的热处理和其他处理。一旦已经处理晶片，则必须在可以应用下一次曝光过程之前调节晶片(尤其是热调节)。为了确保相对于较早的层在正确的位置上应用下一曝光中被应用的图案，必须满足温度偏离和一致性的严格的要求。
在传统的设备中，处理机器人被用来转移将要被处理的晶片和处理过的晶片至光刻设备和离开光刻设备。这种处理机器人通常配置有其他功能，例如在将这些晶片转移至光刻设备之前热调节由轨道设备接纳的晶片。
然而已经发现，以这种传统的处理机器人的方式热调节晶片不足以满足不断提高的要求，例如重叠。尤其地，在例如450mm晶片的大晶片的处理方面，预期当前的晶片热调节不足以满足将来温度偏移和温度一致性的要求。
发明内容
期望改进或促进在光刻设备中在晶片被曝光之前热调节晶片。
根据本发明的一个实施例，提供一种光刻设备，包括：衬底台，构造用以保持衬底；隔间，用于放置衬底台；热调节单元，布置成接纳将要被曝光的衬底；热调节衬底；和转移系统，配置成将热调节后的衬底转移至衬底台，其中，在将热调节后的衬底从热调节单元转移至衬底台期间所述衬底台和热调节单元布置在光刻设备的隔间内部。
根据本发明一个实施例，提供一种器件制造方法，包括步骤：提供包括热调节单元的光刻设备；由热调节单元接纳将要被曝光的衬底；热调节所述衬底；将热调节后的衬底转移至设置在光刻设备的隔间内的衬底台；所述衬底台和热调节单元在所述转移期间布置在所述设备的隔间内部；将图案化的辐射束投影到衬底上。
附图说明
现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：
图1示出了根据本发明一个实施例的光刻设备；
图2示出根据本发明一个实施例的用于运输衬底的结合部和光刻设备的一部分的通常的布局；
图3示出根据本发明一个实施例的用于运输衬底的结合部和光刻设备的一部分的通常的布局的俯视图；
图4示出根据本发明一个实施例的用于运输衬底的结合部和根据本发明一个实施例的光刻设备的一部分的布局；
图5示出用于运输衬底的结合部和根据本发明一个实施例的光刻设备的一部分的俯视图；
图6示出根据本发明一个实施例的可以应用在光刻设备中的热调节单元。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其他合适的辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连。所述设备还包括衬底台(例如晶片台)WT或“衬底支撑结构”，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述图案形成装置支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台或“衬底支撑结构”(和/或两个或多个掩模台或“掩模支撑结构”)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台或支撑结构，或可以在一个或更多个台或支撑结构上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台或支撑结构用于曝光。
光刻设备还可以是至少一部分衬底可以被相对高折射率的液体(例如水)覆盖、以便填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。如在此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底等结构必须浸没在液体中，而是意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置(例如，掩模)MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构(例如掩模台)MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT或“衬底支撑结构”的移动。
在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构(例如掩模台)MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如掩模)MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。
根据本发明一个实施例，图1中示出的光刻设备还包括热调节单元(TCU)，其在如图所示的实施例中被安装在衬底台附近。在如图所示的布置中，TCU在这种衬底台可以定位在热调节单元TCU下面的位置，以便在通过图案化的辐射束曝光衬底之前接受热调节后的衬底。通过将热调节单元布置在衬底台附近，即设备的衬底台所处的相同隔间内，更容易保持衬底(在温度偏离和一致性方面)所需的热调节。已经观察到，当更远程，例如在轨道和光刻设备之间的衬底处理器结合部的结合部模块中，完成将要曝光的衬底的热调节，难以保持温度偏离和一致性的想要的约束。为了将热调节过的晶片(通过TCU)转移至衬底台，在本发明的一个实施例中应用转移系统。下面更加详细地描述这种转移系统的不同的实施方式。在一个实施例中，转移系统包括夹具，夹具配置成将热调节后的衬底从热调节单元位移至衬底台。然而，这并不是限制的。应该想到，在本发明其他实施例中使用转移系统的其他变体。
温度偏离或不一致会在集成电路的制造过程中导致诸如重叠误差的误差。由于重叠的不断提高的要求，将要曝光的衬底的热稳定性的要求也提高。而且，当较大的例如450mm衬底的衬底被使用时，这会进一步提高热稳定性的要求。
根据下面详细解释的本发明一个实施例，提出缩短热调节后的衬底从热调节单元行进至衬底台的路径。在本发明一个实施例中通过至少在转移热调节后的衬底至衬底台期间将衬底台和热调节单元设置在光刻设备的相同隔间内实现上述目的。在一个实施例中，热调节单元(TCU)和衬底台配置成在转移期间彼此相邻地定位。在这种实施例中，TCU可以例如布置成使得衬底台可以定位在TCU下面，由此允许调节后的衬底快速地转移至衬底台。
可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑结构”和衬底台WT或“衬底支撑结构”保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT或“衬底支撑结构”沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑结构”和衬底台WT或“衬底支撑结构”同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT或“衬底支撑结构”相对于支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑结构”的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT或“掩模支撑结构”保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT或“衬底支撑结构”进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT或“衬底支撑结构”的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以附加地或可选地采用上述使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用模式。
在图2中，示意地示出现有技术中的，用于转移衬底(也指晶片)至光刻设备和用于转移衬底从光刻设备离开的结合部以及光刻设备的一部分布局。
在图2中，用于转移衬底的结合部被称为晶片处理器WH，其包括用于存储晶片的存储区域100，例如包含盒子(或其他类型的存储装置)。晶片处理器WH还包括机器人110，其用于将晶片105从盒子运输至布置用以调节晶片的热调节单元(TCU)。随后，热调节后的晶片通过另一机器人130运输至光刻设备的晶片台隔间WSC，在此调节后的晶片可以例如被定位在晶片台140上。通常，经由所谓的负载锁或装载口150进行晶片处理器WH和光刻设备之间的所述转移，更具体地是晶片处理器WH与晶片台隔间WSC之间的转移，由此允许晶片台隔间WSC与晶片处理器WH的密封隔离。
在图3中，俯视图示出上述部件的通常的布置。在该布置中，晶片处理器WH被示意地表示为光刻设备的晶片台隔间WSC和轨道设备TRA之间的结合部。晶片从轨道设备运输至晶片处理器WH的热调节单元(TCU)(例如经由机器人，未示出)，如箭头205所示，在晶片处理器WH晶片被热调节。当晶片被调节之后，晶片可以通过机器人210(例如，经由负载锁或装载口，未示出)运输至布置在光刻设备的晶片台隔间WSC内部的晶片台WS1。在光刻设备的内部，可以处理提供到晶片台上的晶片。所述处理可以例如包括执行晶片上的测量(例如，包括使用衬底上的标记执行精确的对准或确定晶片表面的高度绘图)和执行晶片上的曝光(例如使用图案化的辐射束)。通常，在晶片台隔间内通常是相邻的不同位置(表示为测量位置P1和曝光位置P2)上执行测量和曝光。通常，在定位在晶片台WS1(位置Pi)上的第一衬底的测量期间，另一衬底被暴露在第二晶片台WS2上(第二位置P2)。当在WS2上的衬底已经曝光，晶片处理器WH的另一机器人220可以将曝光后的晶片从晶片台隔间WSC移走用于例如轨道设备中的另一处理，随后晶片台WS1可以移动至第二位置用于曝光。
图2和3中示意地示出的布置的缺点在于，在从设置在晶片处理器的TCU至晶片台的转移期间难以保持晶片的期望的热特性。结果，当调节后的晶片到达晶片台的晶片台并需要处理(即曝光)时发生温度的温度偏离(与期望的值相比)或不一致。正如本领域技术人员知道的，这种偏离期望的温度曲线负面影响晶片的正确的曝光，由此导致施加到晶片上的连续层之间的不想要的重叠误差。
为了减轻这种影响，已经提出确保，从例如晶片处理器WH的结合部内的TCU至晶片台隔间WSC内的衬底台的转移过程被尽可能地再现。由此，可以预测并计算热曲线的偏离。这种方法可能对作为缓冲器的结合部的操作具有不利的影响，因为这种方法在热调节单元和晶片台之间需要严格的定时要求。
根据本发明的一个实施例，提出热调节单元的与图2和3中示出的现有技术的布置不同的位置。根据本发明一个实施例，提出设置为，当热调节后的衬底从热调节单元转移至衬底台时，热调节单元布置在光刻设备内部，更具体地，热调节单元布置在定位衬底(或晶片)的相同隔间内部。为了生产基本上没有缺陷的集成电路，需要精确调节将要曝光的衬底周围的气氛。通常，在设备的精确调节温度和精确调节颗粒污染物的隔间内进行衬底曝光。也可以考虑通过使用特定类型的气体的其他调节。同样，在光刻设备内，包含一个或多个晶片或衬底台的晶片台隔间(见例如如图1所示的隔间WSC)和投影系统的下部通常是一致的。在这种隔间中，通常还应用例如干涉仪系统或基于编码器测量系统的位置测量系统。对于图案形成装置可以同等地找到类似的布置。为了确保在这种隔间内的调节后的气氛保持稳定，进入这种隔间通常被布置成经由装载口或所谓的负载锁，其可以打开和闭合以允许衬底转移进入和离开隔间。通过在转移期间将热调节单元布置在包含衬底台的隔间内，热调节后的衬底可以比调节后的衬底必须转移通过装载口或负载锁的传统的布置更迅速地转移至衬底台。在根据本发明一个实施例的布置中，热调节后的衬底从热调节单元行进至衬底台的路径可以显著地缩短。
在本发明的一个实施例中，为了减轻转移期间晶片的热漂移，热调节单元被集成在执行光刻设备的晶片台隔间和晶片处理器之间的转移的机器人中。同样，可以执行热调节直到将要被装载至衬底台的衬底位于晶片台隔间内。
在图4中，示出根据本发明另一实施例的示意布置。在如图所示的该布置中，热调节单元安装在包括衬底台的隔间内部，而不是安装在执行晶片处理器和晶片台隔间之间的转移的机器人。在图4中，作为衬底处理器WH的结合部单元被示意地表示为包括缓冲器单元400或存储区域，其用于例如存储已经通过轨道设备处理的衬底。结合部WH还包括机器人410，其用于经由装载口450运输衬底405至热调节单元TCU。在如图所示的实施例中，热调节单元TCU布置在设备的隔间WSC内，其还包括衬底台440。为了组织热调节后的衬底从热调节单元至衬底台的移交，存在下文中详细地描述的不同的选择。
在图5中，示意地示出根据本发明一个实施例的布置的俯视图。在图5中，结合部WH被示意地示出为在光刻设备的晶片台隔间WSC和轨道设备TRA之间。在隔间WSC内，设置可以(例如通过机器人，例如机器人510)提供需要热调节的衬底的热调节单元(TCU)。当晶片被调节时，晶片可以被提供至布置在光刻设备的相同隔间WSC内衬底台WS1的衬底台用于处理，例如在测量位置P1在晶片(例如包括确定晶片表面的高度绘图或执行精确的对准)上执行测量和在晶片台隔间内的曝光位置P2执行曝光(例如使用图案化的辐射束)。一旦晶片已经被曝光，结合部WH的另一机器人520可以将已经被曝光的晶片从晶片台隔间WSC移走以用于在例如轨道设备中的其他处理。
在一个实施例中，布置在相同隔间内的热调节单元和衬底台配置成在转移期间彼此相邻地定位。由此，可以进一步减少热调节后的衬底的处理。作为示例，热调节单元可以配置成将衬底保持(例如经由保持器)在单元的下表面之下，同时衬底台配置成在热调节单元下面移动用于接纳调节后的衬底。类似的保持器例如在US 7,106,420中描述，用于在光刻设备的内部提供缓冲器区域。作为替换，热调节单元和衬底台可以彼此相邻地定位用于通过布置在隔间内的机器人转移衬底。
在一个实施例中，热调节单元可以进一步包括对准单元以在热调节之前、期间或之后执行衬底的粗对准。这种粗对准可以例如包括检测例如晶片的槽口的边缘特征的位置。
在图6中，如图示意地示出应用在根据本发明一个实施例的光刻设备内的热调节单元(TCU)。如图所示的热调节单元TCU被布置成使用保持器620(用托座620.1和620.2表示)保持将要被调节的衬底W。在一个实施例中，保持器或保持结构可以包括多个620.1和620.2，布置用以沿衬底的边缘支撑衬底。在这种实施例中，托座可以布置成向外和向内移动以取回和释放衬底。为了允许这种位移，保持器可以设置一个或多个致动器，例如压电或电磁致动器。根据本发明，也可以考虑其他类型的保持器，例如(预装载)空气轴承，以保持和/或定位衬底。
在一个实施例中，保持器还可以布置以围绕基本上垂直于衬底平面的轴线旋转衬底，以便通过检测衬底边缘上的槽口或类似物来粗对准衬底。为了提供粗对准，热调节单元可以设置有对准单元，例如包括用于检测衬底边缘的光学检测器或机械检测器。
在一个实施例中，如图6所示的热调节单元(TCU)可以安装在隔间内部，隔间包括衬底台650，衬底台可以定位在热调节后的衬底之下。在这种情况下，定位装置，例如如图1所示的定位装置PW可以用于将衬底定位在热调节单元下面。一旦衬底台650与衬底W垂直对准，保持器620可以释放衬底，使得通过衬底台650接纳衬底。在一个实施例中，衬底台650可以装配有支撑机构或支撑结构660(例如包括多个可位移支撑销)用于在通过保持器释放衬底之前支撑衬底。
为了热调节衬底，热调节单元TCU可以设置有冷却板670，其可以例如是设置流体可以流动的沟道的金属结构。使用保持器620，衬底W可以被送靠近可以例如形成热调节单元的下表面的冷却板的附近，以便实现衬底W和热调节单元TCU之间的热传递，使得热调节衬底。在如图6所示的这种布置中，热调节单元TCU布置用以在底表面附近接纳衬底而不是将衬底安放在热调节单元的上表面，其优点在于，从热调节单元至衬底台的转送不需要通常的用于运输调节后的衬底至衬底台的大体积的复杂的机器人。此外，如图所示，使用衬底台的支撑结构660以方便转移。
还值得指出的是，在光刻设备的相同隔间内将热调节单元应用作为衬底台可以简化光刻设备和例如轨道的另一设备之间的结合部(例如上面图示的结合部WH)设计，因为减少了在结合部内执行与衬底相关的处理次数。当如上所述将衬底的粗对准(即已知的预对准)的功能并入热调节单元可以实现结合部单元的进一步简化。根据本发明的光刻设备的多个实施例还可以允许提高光刻设备的产出，因为它们允许更快速地传递衬底。
虽然本说明书详述了光刻设备在制造ICs中的应用，应该理解到，这里描述的光刻设备可以有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将这里公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
虽然上面详述了本发明的实施例在光刻设备的应用，应该注意到，本发明可以有其它的应用，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(UV)(例如具有或约为365、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
在允许的情况下术语“透镜”可以表示不同类型的光学构件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的以及静电的光学构件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的一个或更多个计算机程序的形式，或具有存储其中的所述一个或更多个计算机程序的一个或更多个数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
上面描述的内容是例证性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本领域的技术人员在不脱离以下所述权利要求的范围的情况下，可以对上述本发明进行更改。

Claims (15)

1.一种光刻设备，包括：
衬底台，构造用以保持衬底；
隔间，配置成接纳所述衬底台；
热调节单元，布置成
接纳将要被曝光的衬底，和
热调节所述衬底；以及
转移系统，配置成将热调节后的衬底转移至所述衬底台，其中，在将热调节后的衬底从所述热调节单元转移至所述衬底台期间，所述衬底台和热调节单元布置在所述光刻设备的隔间内部。
2.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述热调节单元安装在所述隔间内部。
3.如权利要求1或2所述的光刻设备，其中，所述热调节单元和所述衬底台配置成在转移期间彼此相邻地定位。
4.如前述权利要求1-3中任一项所述的光刻设备，其中，所述转移系统包括保持器，所述保持器安装至所述热调节单元并配置成保持所述衬底。
5.如权利要求4所述的光刻设备，其中，所述保持器布置成围绕垂直轴线旋转所述衬底以用于衬底的粗对准。
6.如权利要求4或5所述的光刻设备，其中，所述保持器布置成将所述衬底保持在所述热调节单元的冷却板下面。
7.如权利要求6所述的光刻设备，其中，所述保持器布置成将衬底保持在冷却板的附近以允许所述衬底和冷却板之间的热交换。
8.如权利要求6或7所述的光刻设备，其中，所述保持器布置成当所述衬底台布置在所述热调节单元下面并且所述衬底台的支撑结构支撑所述衬底时释放所述衬底。
9.如权利要求1-5中任一项所述的光刻设备，其中，所述转移系统包括夹具，所述夹具配置成当热调节单元邻近所述衬底台时从所述热调节单元将热调节后的衬底移位至所述衬底台。
10.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述热调节单元布置在所述隔间的装载口的附近。
11.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述热调节单元包括对准单元，所述对准单元配置成执行所述衬底的粗对准。
12.一种器件制造方法，包括步骤：
提供包括热调节单元的光刻设备；
由所述热调节单元接纳将要被曝光的衬底；
热调节所述衬底；
将热调节后的衬底转移至设置在所述光刻设备的隔间内的衬底台，所述衬底台和所述热调节单元在所述转移期间布置在所述设备的隔间内部；和
将图案化的辐射束投影到所述衬底上。
13.如权利要求12所述的器件制造方法，其中，热调节所述衬底包括把将要曝光的衬底保持在所述热调节单元的冷却板附近以允许所述衬底和所述冷却板之间的热交换。
14.如权利要求12或13所述的器件制造方法，其中，所述转移包括将所述热调节单元定位在所述衬底台附近。
15.如权利要求12-14中任一项所述的器件制造方法，包括通过安装至所述热调节单元的对准单元执行所述衬底的粗对准。
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