TWI592763B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

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羅伯 真森
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造元件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。一般而言，積體電路(IC)包含藉由施加不同圖案而產生之複數個順次層。在使用微影裝置對兩個順次層之施加之間，常常在微影裝置外部(例如，在所謂塗佈顯影系統裝置中)處理基板，其中晶圓經歷各種熱處理及其他處理。一旦已處理晶圓，就必須在可施加下一曝光程序 之前調節(特別是熱調節)晶圓。為了確保將在下一曝光中所施加之圖案施加於相對於較早層之適當位置上，必須滿足關於溫度偏移及均一性之嚴格要求。
在習知裝置中，應用處置機器人以將待處理晶圓及經處理晶圓輸送至微影裝置以及自微影裝置輸送待處理晶圓及經處理晶圓。此等處置機器人常常經裝備有另外功能性，諸如，在將(例如)自塗佈顯影系統裝置所收納之晶圓轉移至微影裝置之前對此等晶圓之熱調節。
然而，已觀測到，在此等習知處置機器人中晶圓之熱調節不足以適應於諸如疊對的日益增加之要求。尤其是關於諸如450毫米之晶圓之大晶圓的處理，預期到，晶圓之當前熱調節不足以滿足關於溫度偏移及溫度均一性之未來需求。
需要在晶圓曝光於微影裝置中之前改良或促進晶圓之熱調節。
根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一隔室，其用於定位該基板台；一熱調節單元，其經配置以收納一待曝光基板，且熱調節該基板；及一轉移系統，其用以將一經熱調節基板轉移至該基板台，其中該基板台及該熱調節單元在該經熱調節基板自該熱調節單元至該基板台之一轉移期間配置於該微影裝置之該隔室內部。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元 件製造方法包含：提供包含一熱調節單元之一微影裝置；由該熱調節單元收納一待曝光基板；熱調節該基板；將該經熱調節基板轉移至提供於該微影裝置之一隔室中之一基板台；該基板台及該熱調節單元在該轉移期間配置於該裝置之該隔室內部；將一經圖案化輻射光束投影至該基板上。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化元件之第一定位元件PM。該裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位元件PW。該裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化元件」同義。
本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋 適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適引導鏡面及/或光束 擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化元件圖案化。在已橫穿圖案化元件(例如，光罩)MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位元件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位元件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。一般而言，可憑藉形成第一定位元件PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構(例如，光罩台)MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長 衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。
在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件(例如，光罩)MA上之情形中，圖案化元件對準標記可位於該等晶粒之間。
根據本發明之一實施例，如圖1所示之微影裝置進一步包含熱調節單元(TCU)，TCU在所示實施例中經安裝成靠近基板載物台。在所示配置中，TCU處於一位置而使得基板載物台可定位於熱調節單元TCU下方，以便在經熱調節基板由經圖案化輻射光束曝光之前收納經熱調節基板。藉由將熱調節單元配置成靠近基板載物台(亦即，配置於經定位有基板載物台的裝置之同一隔室中)，會更容易地維持基板之所需熱條件(關於溫度偏移及均一性)。已觀測到，當更遠端地(例如，在諸如在塗佈顯影系統與微影裝置之間建立界面連接之基板處置器的界面模組中)進行待曝光基板之熱調節時，會難以維持關於溫度偏移及均一性之所要約束。為了將經熱調節晶圓(由TCU熱調節)轉移至基板台，在本發明之一實施例中應用轉移系統。下文更詳細地描述此轉移系統之各種實施例。在一實施例中，轉移 系統包含經組態以使經熱調節基板自熱調節單元位移至基板台之夾緊器。然而，此情形並非限制性的。在本發明之其他實施例中使用轉移系統之其他變化為吾人所預見。
溫度偏移或非均一性可在積體電路之製造程序期間引起諸如疊對誤差之誤差。歸因於關於疊對的日益增加之要求，待曝光基板之熱穩定性之要求亦正在增加。另外，當將使用諸如450毫米之基板之較大基板時，此情形可使熱穩定性要求進一步緊密。
根據下文更詳細地所解釋的本發明之一實施例，提議縮短由經熱調節基板自熱調節單元行進至基板台之路徑。此情形在本發明之一實施例中係藉由如下方式實現：規定基板台及熱調節單元至少在經熱調節基板至基板台之轉移期間處於微影裝置之同一隔室內部。在一實施例中，熱調節單元(TCU)及基板台經組態為在轉移期間經定位成彼此鄰近。在此實施例中，TCU可(例如)經配置成使得基板台可定位於TCU下方，從而實現經調節基板至基板台之快速轉移。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單 次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
在圖2中，示意性地描繪微影裝置之部件以及用於將基板(亦被稱作晶圓)輸送至微影裝置及自微影裝置輸送基板(亦被稱作晶圓)之界面之典型佈局。
在圖2中，用於轉移基板之界面被稱作晶圓處置器WH，晶圓處置器WH包含(例如)含有用於儲存晶圓之卡匣(或其他類型之儲存構件)之儲存區域100。晶圓處置器WH進一步包含用於將晶圓105自卡匣輸送至經配置以調節該晶圓之熱調節單元(TCU)之機器人110。隨後，經熱調節晶圓由另外機器人130輸送至微影裝置之晶圓載物台隔室WSC，其中經調節晶圓可(例如)定位於晶圓載物台140上。通常，在晶圓處置器WH與微影裝置之間的轉移(更具體言之，至晶圓載物台隔室WSC之轉移)係經由使能夠密封晶圓載物台隔室WSC以與晶圓處置器WH隔絕之所謂負載鎖或裝載埠150而發生。
在圖3中，展示上文所提及之組件之典型配置的俯視圖。在該配置中，晶圓處置器WH被示意性地展示為塗佈顯影系統裝置TRA與微影裝置之晶圓載物台隔室WSC之間的界面。晶圓係自塗佈顯影系統裝置輸送至晶圓處置器WH之熱調節單元(TCU)，如由箭頭205所指示(例如，經由機器人，圖中未繪示)，其中晶圓被熱調節。晶圓在被調節時可由機器人210輸送(例如，經由負載鎖或裝載埠，圖中未繪示)至配置於微影裝置之晶圓載物台隔室WSC內部之晶圓載物台WS1。在微影裝置內部，可處理提供於晶圓載物台上之晶圓。此處理可(例如)包括對晶圓執行量測(例如，包括判定晶圓表面之高度圖或使用基板上之標記來執行準確對準)，及對晶圓執行曝光(例如，使用經圖案化輻射光束)。通常，對晶圓載物台隔室內部之不同(常常是鄰 近)部位執行量測及曝光(由量測位置P1及曝光位置P2所指示)。通常，在定位於晶圓載物台WS1上之第一基板之量測期間(在位置P1中)，將另一基板曝光於第二晶圓台WS2上(在第二位置P2中)。當已曝光WS2上之基板時，晶圓處置器WH之另外機器人220可自晶圓載物台隔室WSC移除經曝光晶圓以供在(例如)塗佈顯影系統裝置中之進一步處理；晶圓載物台WS1接著可移動至第二位置以供曝光。
如圖2及圖3示意性地所示之配置之缺點在於：難以在自提供於晶圓處置器中之TCU至晶圓載物台之轉移期間維持晶圓之所要熱特性。結果，當經調節晶圓到達晶圓載物台之晶圓台上且需要被處理(亦即，被曝光)時，可能已發生關於溫度之溫度偏移(相比於所要值)或非均一性。熟習此項技術者將公認為，針對所要溫度剖面之此偏差可不利地影響晶圓之適當曝光，從而在提供於晶圓上之連續層之間引起非想要疊對誤差。
為了減輕此效應，已提議確保儘可能地再現自諸如晶圓處置器WH之界面中之TCU至晶圓載物台隔室WSC內部之基板台的轉移程序。藉此，可預測及考量熱剖面之偏差。此途徑可能對作為緩衝器之界面之操作有負面影響，此係因為此途徑需要熱調節單元與晶圓台之間的緊密時序要求。
根據本發明之一實施例，相比於如圖2及圖3所示之先前技術配置，提議熱調節單元之不同位置。根據本發明之一實施例，提議規定熱調節單元在經熱調節基板自熱調節單 元轉移至基板台時配置於微影裝置內部，更具體言之，配置於經定位有基板(或晶圓)台之同一隔室內部。為了生產實質上無缺陷之IC，需要環繞待曝光基板之氛圍之準確調節。因而，一般而言，在關於溫度及粒子污染兩者予以準確地調節的裝置之隔室中進行基板之曝光。亦可考慮藉由使用特定類型之氣體之另外調節。因而，在微影裝置中，一般而言，可識別含有一或多個晶圓或基板載物台及投影系統之下部部件的晶圓載物台隔室(參見(例如)如圖1所指示之隔室WSC)。在此隔室中，一般而言，亦應用諸如干涉計系統或以編碼器為基礎之量測系統的位置量測系統。關於圖案化元件，可同等地找到相似配置。為了確保此隔室內部之經調節氛圍保持穩定，常常經由可被敞開及閉合以使基板能夠轉移至該隔室及自該隔室轉移之裝載埠或所謂負載鎖來配置對此隔室之接取。藉由規定熱調節單元在轉移期間配置於含有基板載物台之隔室內部，相比於藉以經調節基板必須經由裝載埠或負載鎖而轉移的習知配置，可更快速地將經熱調節基板轉移至基板台。在根據本發明之一實施例的配置中，可實質上縮短待由經熱調節基板自熱調節單元行進至基板台之路徑。
在本發明之一實施例中，為了減輕在轉移期間晶圓之熱漂移之發生，將熱調節單元整合於執行在晶圓處置器與微影裝置之晶圓載物台隔室之間的轉移之機器人中。因而，可執行熱調節直至待交遞至基板台之基板處於晶圓載物台隔室內部為止。
在圖4中，展示根據本發明之另一實施例的示意性配置。在所示配置中，熱調節單元安裝於包含基板台之隔室內部，而非安裝至執行在晶圓處置器與晶圓載物台隔室之間的轉移之機器人。在圖4中，諸如基板處置器WH之界面單元被示意性地展示為包含緩衝器單元400或用於(例如)儲存已由塗佈顯影系統裝置處理之基板之儲存區域。界面WH進一步包含用於將基板405經由裝載埠450而輸送至熱調節單元TCU之機器人410。在所示實施例中，熱調節單元TCU配置於亦含有基板台440的裝置之隔室WSC中。為了組織經熱調節基板自熱調節單元至基板台之交遞，存在下文更詳細地解釋之各種選項。
在圖5中，示意性地展示根據本發明之一實施例之配置的俯視圖。在圖5中，界面WH被示意性地展示為處於塗佈顯影系統裝置TRA與微影裝置之晶圓載物台隔室WSC之間。在隔室WSC內部，提供可被供應有需要予以熱調節之基板(例如，經由諸如機器人510之機器人而供應)之熱調節單元(TCU)。晶圓在被調節時可提供至配置於微影裝置之同一隔室WSC中的基板載物台WS1之基板台以供處理，例如，在晶圓載物台隔室內部之量測位置P1處對晶圓執行量測(例如，包括判定晶圓表面之高度圖或執行準確對準)及在晶圓載物台隔室之內部之曝光位置P2處執行曝光(例如，使用經圖案化輻射光束)。一旦已曝光晶圓，界面WH之另外機器人520就可自晶圓載物台隔室WSC移除經曝光晶圓以供在(例如)塗佈顯影系統裝置中之進一步處理。
在一實施例中，配置於同一隔室中之熱調節單元及基板台經組態為在轉移期間經定位成彼此鄰近。藉此，可進一步縮減經熱調節基板之處置。作為一實例，熱調節單元可經組態以將基板固持於單元之下部表面下方(例如，經由固持器)，而基板台經組態成在熱調節單元下方移動以用於收納經調節基板。舉例而言，US 7,106,420中描述用於在微影裝置內部提供緩衝區域之相似固持器。作為一替代例，熱調節單元及基板台可經定位成彼此鄰接以用於(例如)由配置於隔室內部之機器人轉移基板。
在一實施例中，熱調節單元可進一步包括對準單元以在熱調節之前、期間或之後執行基板之粗略對準。此粗略對準可(例如)包括偵測諸如晶圓之凹口之邊緣特徵的位置。
在圖6中，示意性地展示根據本發明之一實施例的可應用於微影裝置中之熱調節單元(TCU)。如圖所示之熱調節單元TCU經配置以使用由托架620.1及620.2所指示之固持器620來固持待調節基板W。在一實施例中，固持器或固持機構可包含經配置以沿著基板之邊緣來支撐基板之複數個托架620.1、620.2。在此實施例中，托架可經配置成向外及向內移動以擷取及釋放基板。為了允許此位移，可使固持器具備諸如壓電致動器或電磁致動器之一或多個致動器。根據本發明，可認為諸如(經預載)空氣軸承的其他類型之固持器亦用以固持及/或定位基板。
在一實施例中，固持器可經進一步配置以圍繞實質上垂直於基板之平面之軸線來旋轉基板，以便(例如)藉由偵測 基板之邊緣上之凹口或其類似者而使基板進行粗略對準。為了提供粗略對準，可使熱調節單元裝備有(例如)包含用於偵測基板之邊緣之光學或機械偵測器的對準單元。
在一實施例中，如圖6所示，熱調節單元(TCU)可安裝於包含基板台650之隔室內部，基板台650可定位於經熱調節基板下方。在此狀況下，諸如圖1所示之定位元件PW之定位元件可用以將基板台定位於熱調節單元下方。一旦基板台650與基板W垂直地對準，固持器620就可釋放該基板，使得由基板台650收納該基板。在一實施例中，基板台650可經裝備有支撐機構或支撐件660(例如，包含複數個可位移支撐銷)以用於在由固持器釋放基板之前支撐基板。
為了熱調節該基板，可使熱調節單元TCU裝備有冷卻板670，冷卻板670可(例如)為具備流體可流動通過之通道之金屬結構。在使用固持器620的情況下，可使基板W極近接於可(例如)形成熱調節單元之下部表面之冷卻板，以便在基板W與熱調節單元TCU之間達成熱輸送，以便熱調節該基板。藉以熱調節單元TCU經配置以收納鄰近於底部表面之基板而非將基板安裝於該熱調節單元之頂部表面上的如圖6所示之配置的益處在於：自該熱調節單元至基板台之交遞無需複雜(常常是龐大)機器人以將經調節基板輸送至基板台。另外，如圖所示，可使用基板台之支撐件660以促進轉移。
值得進一步提及的是，在微影裝置之與基板台所處之隔室是同一隔室的隔室內部應用熱調節單元可歸因於將用微 影裝置與諸如塗佈顯影系統之另外裝置之間的界面(諸如，上文所示之界面WH)內部之基板所執行的處置之縮減型數目而簡化該界面之設計。當(如上文所描述)基板之粗略對準(亦被稱為預對準)之功能性併入於熱調節單元中時，可達成界面單元之進一步簡化。根據本發明之微影裝置之各種實施例可進一步實現微影裝置之產出率增加，此係因為該等實施例實現基板之更快速接管。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界 定創製於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
100‧‧‧儲存區域
105‧‧‧晶圓
110‧‧‧機器人
130‧‧‧機器人
140‧‧‧晶圓載物台
150‧‧‧負載鎖/裝載埠
205‧‧‧輸送方向
210‧‧‧機器人
220‧‧‧機器人
400‧‧‧緩衝器單元
405‧‧‧基板
410‧‧‧機器人
440‧‧‧基板台
450‧‧‧裝載埠
510‧‧‧機器人
520‧‧‧機器人
620‧‧‧固持器
620.1‧‧‧托架
620.2‧‧‧托架
650‧‧‧基板台
660‧‧‧支撐機構/支撐件
670‧‧‧冷卻板
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件/光罩
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記(圖1)/量測位置(圖3)
P2‧‧‧基板對準標記(圖1)/曝光位置(圖3)/第二位置(圖3)
PM‧‧‧第一定位元件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位元件
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧熱調節單元
TRA‧‧‧塗佈顯影系統裝置
W‧‧‧基板
WH‧‧‧晶圓處置器/界面
WS1‧‧‧晶圓載物台/基板載物台
WS2‧‧‧第二晶圓台
WSC‧‧‧晶圓載物台隔室
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件及用 於輸送基板之界面之典型佈局；圖3描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件及用於輸送基板之界面之典型佈局的俯視圖；圖4描繪根據本發明之一實施例的根據本發明之微影裝置之部件及用於輸送基板之界面的佈局；圖5描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件及用於輸送基板之界面的俯視圖；及圖6描繪根據本發明之一實施例的可應用於微影裝置中之熱調節單元。
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件/光罩
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位元件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位元件
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧熱調節單元
W‧‧‧基板
WSC‧‧‧晶圓載物台隔室
WT‧‧‧基板台

Claims (15)

  1. 一種微影裝置，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一晶圓載物台隔室(wafer stage compartment)，該基板台定位於該晶圓載物台隔室中；一熱調節單元(thermal conditioning unit)，其經配置以收納一待曝光基板，且熱調節該基板；及一轉移(transfer)系統，其經組態以將一經熱調節基板轉移至該基板台，其中，在該經熱調節基板自該熱調節單元至該基板台之一轉移期間，該基板台及該熱調節單元配置於該微影裝置之該晶圓載物台隔室內部。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該熱調節單元安裝於該晶圓載物台隔室內部。
  3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該熱調節單元及該基板台經組態為在該轉移期間經定位成彼此鄰近。
  4. 如請求項1或2之微影裝置，其中該轉移系統包含安裝至該熱調節單元且經組態以固持該基板之一固持器。
  5. 如請求項4之微影裝置，其中該固持器經配置以圍繞一垂直軸線來旋轉該基板以用於該基板之粗略對準。
  6. 如請求項4之微影裝置，其中該固持器經配置以將該基板固持於該熱調節單元之一冷卻板下方。
  7. 如請求項6之微影裝置，其中該固持器經配置以將該基板固持成靠近該冷卻板以在該基板與該冷卻板之間實現 一熱交換。
  8. 如請求項6之微影裝置，其中該固持器經配置以在該基板台配置於該熱調節單元下方且該基板台之一支撐件正在支撐該基板時釋放該基板。
  9. 如請求項1或2之微影裝置，其中該轉移系統包含經組態以在該熱調節單元鄰近於該基板台時使該經熱調節基板自該熱調節單元位移至該基板台之一夾緊器。
  10. 如請求項1或2之微影裝置，其中該熱調節單元經配置成靠近該晶圓載物台隔室之一裝載埠。
  11. 如請求項1或2之微影裝置，其中該熱調節單元包含經組態以執行該基板之一粗略對準之一對準單元。
  12. 一種元件(device)製造方法，其包含：提供包含一熱調節單元之一微影裝置；由該熱調節單元收納一待曝光基板；熱調節該基板；將該經熱調節基板轉移至提供於該微影裝置之一隔室中之一基板台，在該轉移期間，該基板台及該熱調節單元配置於該裝置之該隔室內部；及將一經圖案化輻射光束投影至該基板上。
  13. 如請求項12之元件製造方法，其中熱調節該基板包含：將該待曝光基板固持成靠近該熱調節單元之一冷卻板以在該基板與該冷卻板之間實現一熱交換。
  14. 如請求項12或13之元件製造方法，其中該轉移包含：將該熱調節單元定位成鄰近於該基板台。
  15. 如請求項12或13之元件製造方法，其包含由安裝至該熱調節單元之一對準單元執行該基板之一粗略對準。
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