KR100679269B1 - 멀티 챔버형 반도체 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 멀티 챔버형 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 본 발명은 트랜스퍼 챔버(10)의 내부에서 상기 트랜스퍼 챔버(10)에 연결되는 다수의 챔버들로의 웨이퍼 이송을 위해 구비되는 웨이퍼 이송 로봇(60)과; 로드락 챔버(20)로 이송되는 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 냉각시키도록 상기 웨이퍼 이송 로봇(60)에 구비되는 냉각 장치; 상기 냉각 장치는 웨이퍼 이송 로봇(60)에 구비되는 블레이드(63)에 안치한 웨이퍼(W)를 감싸는 양측의 측면 상부에 냉매 분사 노즐(70)을 형성하여 웨이퍼(W)의 상부면으로 냉매가 분사되도록 하는 동시에 웨이퍼(W)가 안치되는 바닥면(635)으로 냉매 분사 노즐(70)를 구비하거나 웨이퍼(W)와의 접촉을 극대화시킨 웨이퍼 안치면(633)의 저부로 형성한 냉매 유동 라인(91)을 통해 웨이퍼(W)의 저면이 냉각되도록 함으로써 웨이퍼(W)를 로드락 챔버(20)로 이동시키면서 신속하게 냉각시킬 수 있도록 하여 보다 빠른 공정 진행을 제공하면서 별도의 쿨링 업 챔버를 생략할 수가 있도록 하고, 파티클 오염원을 감소시킴으로써 제품의 수율을 더욱 향상시킬 수 있도록 하는데 특징이 있다.
멀티 챔버, 웨이퍼 냉각, 웨이퍼 이송 장치, 블레이드

Description

멀티 챔버형 반도체 제조 장치{Semiconductor manufacturing device of multi-chamber type}
도 1은 종래의 멀티 챔버형 반도체 제조 장치를 도시한 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 멀티 챔버형 반도체 제조 장치를 도시한 평면도,
도 3은 본 발명에 따른 직접 냉각 방식의 일실시예를 도시한 사시도,
도 4는 도 3의 A-A선 단면도,
도 5는 본 발명에 따른 냉매 분사 노즐을 통한 냉매 분사 형태를 도시한 평면도,
도 6은 본 발명에 따른 냉매 분사 과정을 도시한 블록도,
도 7은 본 발명에 따른 직접 냉각 방식의 다른 실시예를 도시한 블레이드의 단면도,
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 냉매 공급 구성을 개략적으로 도시한 제어 구조도,
도 9는 본 발명에 따른 혼합 냉각 방식의 실시예를 도시한 단면도,
도 10은 본 발명에 따라 블레이드에 형성되는 냉매 유동 라인의 일실시예를 도시한 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 트랜스퍼 챔버
20 : 로드락 챔버
30 : 프로세스 챔버
40 : 스트립 챔버
60 : 웨이퍼 이송 로봇
70, 80 : 냉매 분사 노즐
본 발명은 멀티 챔버형 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 멀티 챔버 타입의 설비에서 공정 수행에 의해 고온화된 기판을 이송 중에 트랜스퍼 챔버에서 급냉시키도록 하여 쿨링 챔버를 생략할 수 있도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치를 제조하는 설비 중 최근에는 생산성 증대를 위해서 웨이퍼를 대구경화하기도 하고, 공정 설비를 멀티 챔버 방식으로 사용하기도 한다.
도 1은 일반적인 멀티 챔버 방식의 반도체 제조 장치를 예시한 것이다.
도시한 바와 같이 멀티 챔버 방식의 반도체 설비에는 중앙부에 웨이퍼 이송 용 로봇(1a)이 배치되며, 일정한 진공 상태를 유지하는 트랜스퍼 챔버(1)가 구비된다.
트랜스퍼 챔버(1)에는 복수 개의 챔버들이 각기 슬릿을 통해서 연결되도록 하고 있다.
트랜스퍼 챔버(1)의 일측에는 공정 수행을 위해 대기 중이거나 공정 수행이 이미 완료된 웨이퍼들이 대기하는 복수개의 로드락 챔버(2)가 나란하게 구비된다.
로드락 챔버(2)에 대응되는 트랜스퍼 챔버(1)의 타측에는 식각이나 금속 배선 등의 공정을 수행하는 복수개의 프로세스 챔버(3)가 나란하게 구비된다.
로드락 챔버(2)와 프로세스 챔버(3)의 사이에는 프로세스 챔버(3)에서 공정이 완료된 후에 냉각시킨 후 로드락 챔버(2)로 언로딩시키기도 하지만 예시한 도면에서와 같이 웨이퍼에 잔류하게 되는 포토레지스트 패턴을 스트립하는 스트립 챔버(4)를 거치도록 하기도 한다.
그리고 트랜스퍼 챔버(1)에는 일측으로 웨이퍼의 플랫존을 정렬하기 위한 프리 얼라인 챔버(5)를 구비하고, 타측으로는 공정 수행이 완료된 직후의 웨이퍼를 일정한 온도로 냉각시키기 위한 쿨 다운 챔버(6)가 구비되기도 한다.
이때 프리 얼라인 챔버(5)와 쿨 다운 챔버(6)는 통상 로드락 챔버(2)와 스트립 챔버(4)의 사이에 위치되도록 하고 있다.
이와 같은 멀티 챔버형 반도체 제조 장치에서 웨이퍼는 로드락 챔버(2)에서 트랜스퍼 챔버(1)에 구비되는 웨이퍼 이송 로봇(1a)을 이용하여 한 매씩 프리 얼라인 챔버(5)에 공급하고, 얼라인이 완료된 웨이퍼는 프로세스 챔버(3)에 공급되어 필요로 하는 공정이 수행되도록 한다.
프로세스 챔버(3)에서 공정 수행이 완료된 웨이퍼는 전술한 바와 같이 바로 쿨 다운 챔버(6)로 이동되어 냉각이 이루어지게 한 다음 로드락 챔버(2)로 언로딩되게 할 수도 있고, 도시한 바와 같이 프로세스 챔버(3)로부터 스트립 챔버(4)를 거치는 구성으로도 공정이 수행되기도 하는 바 이때의 스트립 챔버(4)에서는 프로세스 챔버(3)를 통해 제거되고도 웨이퍼에 남아있는 포토레지스트 패턴을 제거하는 스트립을 수행한다.
스트립이 완료되어 고온으로 가열된 상태인 웨이퍼는 쿨 다운 챔버(6)를 경유하여 쿨링이 수행되도록 한 다음 로드락 챔버(2)에 언로딩되도록 하고 있다.
한편 현재의 멀티 챔버형 반도체 제조 장치에서 프로세스 챔버(3) 또는 스트립 챔버(4)를 통해 고온으로 가열된 웨이퍼는 반드시 쿨 다운 챔버(6)를 거쳐야만 하므로 설비 내에서의 웨이퍼 가공 공정 시간이 길어지게 되어 생산성과 함께 수율저하를 초래하게 되고, 또한 쿨 다운 챔버(6)를 경유하면서 더욱 파티클에 의한 오염에 노출되는 상태가 되므로 공정 불량을 발생시키는 원인이 되고 있다.
따라서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 설비 내에서의 별도의 냉각 공정을 수행하지 않고 웨이퍼를 이송 중에 냉각되게 함으로써 웨이퍼에의 파티클 영향을 최소화하여 공정 불량하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 설비 내에서 별도의 웨이퍼 냉각을 위한 시간을 최소화함으로써 공정 진행 시간을 단축시켜 생산성이 향상되도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 설비 내에서 웨이퍼 냉각을 위한 쿨 다운 챔버가 제거되게 함으로써 설비 구조를 보다 간소화하여 경제적인 제작이 될 수 있도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 트랜스퍼 챔버의 내부에서 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되는 복수의 챔버들로 웨이퍼를 이송하도록 구비되는 웨이퍼 이송 로봇과; 로드락 챔버로 이송되는 웨이퍼를 소정의 온도로 냉각시키도록 상기 웨이퍼 이송 로봇에 구비되는 냉각 장치; 상기 냉각 장치는 상기 웨이퍼 이송 로봇의 블레이드에 형성한 홈의 양측에 형성한 측면을 일정한 높이만큼 상부로 연장시킨 연장부와, 상기 연장부의 서로 마주보는 주면에 일정한 간격으로 다수 형성한 냉매 분사 노즐로서 이루어지며, 상기 블레이드에 얹허진 웨이퍼의 상부면으로 상기 냉매 분사 노즐을 통해 냉매를 분사하여 상기 웨이퍼를 냉각시키도록 하는 구성이다.
또한 본 발명은
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명 하면 다음과 같다.
본 발명은 멀티 챔버 방식의 설비에서 공정 수행 중 고온으로 가열되는 웨이퍼의 냉각을 위해 구비되는 쿨 다운 챔버를 제거하고, 웨이퍼를 로드락 챔버로 언로딩하는 이동 중에 필요로 하는 온도만큼 냉각시킬 수 있도록 하는데 특징이 있다.
본 발명의 멀티 챔버 방식의 반도체 제조 장치는 트랜스퍼 챔버와 이 트랜스퍼 챔버에 복수의 챔버들이 슬릿을 통해 서로 연결되도록 하는 구성에 의해 이루어진다.
도 2는 본 발명에 따른 멀티 챔버 방식의 반도체 제조 장치를 예시한 도면이다.
멀티 챔버 방식의 반도체 제조 장치는 현재 다양한 공정에서 적용되고 있으나 본 발명에서는 식각 공정에 사용되는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치를 예로 들어 설명하기로 한다.
본 발명은 중앙의 트랜스퍼 챔버(10)와, 이 트랜스퍼 챔버(10)에 연결되는 복수의 챔버들, 즉 일측의 로드락 챔버(20)와, 타측의 프로세스 챔버(30)와, 로드락 챔버(20)와 프로세스 챔버(30)의 사이에 각각 구비되는 스트립 챔버(40)와, 로드락 챔버(20)와 일측의 스트립 챔버(40) 사이에 구비되는 프리 얼라인 챔버(50) 및 트랜스퍼 챔버(10)의 내부에 구비되는 웨이퍼 이송 로봇(60)으로 이루어지는 구성이다.
이중에서 트랜스퍼 챔버(10)는 공정 설비의 중앙에 위치하면서 복수 개의 챔 버들과 각각 슬릿을 통해서 연결된다.
트랜스퍼 챔버(10)는 웨이퍼가 챔버와 챔버를 이동하도록 하는 이동 공간을 이루며, 내부는 일정한 진공 상태를 유지하도록 한다.
로드락 챔버(20)는 트랜스퍼 챔버(10)를 둘러싸는 챔버들 중 일측에 구비되면서 웨이퍼 및 카세트가 대기하도록 하는 부위이다.
로드락 챔버(20)는 통상 복수 개가 나란하게 구비되면서 독립적으로 작용하며, 로드락 챔버(20)에서는 카세트에 적재되어 있는 웨이퍼를 공정 수행을 위해 로딩하거나 공정 수행이 완료된 웨이퍼를 언로딩하는 작용을 한다.
즉 로드락 챔버(20)에는 다수의 웨이퍼가 적재된 카세트 단위로 외부로부터 공급된다.
카세트에 적재된 웨이퍼는 로드락 챔버(20)에 대기하면서 순차적으로 로딩되어 공정을 수행하게 되고, 공정 수행을 완료한 웨이퍼는 다시 로드락 챔버(20)의 카세트에 언로딩되어 본래의 위치에 적재된다.
이때의 로드락 챔버(20)는 외부로부터 카세트가 공급되거나 공정이 완료된 카세트를 외부로 이동시키기 위하여 외부와 통하는 시기에는 대기 상태이지만 외부와 완전 차단시키고 트랜스퍼 챔버와 통하도록 한 시기에는 진공 상태를 유지하도록 한다.
따라서 로드락 챔버(20)는 대기 상태와 진공 상태가 반복되면서 공정 분위기와 준비 분위기를 유지하도록 한다.
프로세스 챔버(30)는 본 멀티 챔버형 반도체 제조 장치의 공정 설비에서 실 질적으로 반도체 제조 공정을 수행하게 되는 부위이다.
즉 프로세스 챔버(30)는 웨이퍼를 로딩하여 웨이퍼에 필요로 하는 공정이 수행될 수 있도록 하는 구성으로서, 공정 수행 중 내부는 고온의 진공압 상태가 된다.
이러한 프로세스 챔버(30)에는 내부의 진공압 형성을 위한 펌프(미도시)가 연결되어 있고, 공정 수행에 필요한 반응 가스가 주입되도록 한다.
프로세스 챔버(30)는 로드락 챔버(20)와 마찬가지로 복수 개로서 구비하고, 이들 복수의 프로세스 챔버(30)는 트랜스퍼 챔버(10)를 따라서 나란하게 구비되도록 하며, 각 프로세스 챔버(30)는 독립적으로 공정을 수행하도록 한다.
프로세스 챔버(30)에서 수행되는 공정은 주로 반응 가스에 RF 파워를 인가함으로써 생성되는 플라즈마에 의해서 이루어지게 되며, 이런 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트를 필요로 하는 패턴으로 식각하게 된다.
프로세스 챔버(30)에서 식각 공정이 완료되면 플라즈마의 생성에 의해 프로세스 챔버(30) 내부의 온도가 급격하게 상승하면서 통상 웨이퍼를 소정의 온도 이상으로 가열하게 된다.
프로세스 챔버(30)로부터 공정 수행이 완료된 웨이퍼는 바로 로드락 챔버(20)로 공급될 수도 있고, 도시되어 있는 바와 같이 스트립 챔버(40)에 공급되게 할 수도 있다.
스트립 챔버(40)는 로드락 챔버(20)와 프로세스 챔버(30)의 사이에 구비되도록 하면서 프로세스 챔버(30)로부터 공정 수행이 완료된 웨이퍼가 반드시 거쳐가도 록 하는 부위이다.
즉 프로세스 챔버(30)로부터 인출되는 웨이퍼에는 프로세스 챔버(30)에서의 공정 수행에 의해 패터닝되고 나서도 표면에는 여전히 소정의 포토레지스트 패턴이 잔류하고 있다.
스트립 챔버(40)는 이렇게 프로세스 챔버(30)로부터 인출된 웨이퍼에서의 잔류 포토레지스트를 제거시키기 위해 구비되는 구성이다.
스트립 챔버(40)에서의 잔류 포토레지스트의 제거는 프로세스 챔버(30)에서와 같이 플라즈마에 의해서 스트립 공정을 수행하게 되며, 이때의 스트립 공정에서는 프로세스 챔버(30)에서의 플라즈마 생성 시보다 더욱 고온의 온도에서 이루어지게 된다.
스트립 챔버(40)에서의 스트립 공정에 의해 웨이퍼는 통상 310℃ 이상으로 고온화된다.
스트립 챔버(40)에서 스트립 공정이 수행되고 나면 웨이퍼는 다시 로드락 챔버(20)로 이송되어 본래의 위치에 언로딩되어 카세트에 적재된다.
스트립 챔버(40) 또한 하나 이상으로 복수개가 구비되도록 하며, 프로세스 챔버(30)와 동일한 수로 형성되게 하는 것이 가장 바람직하다.
프리 얼라인 챔버(50)는 프로세스 챔버(30)에 로딩될 웨이퍼의 플랫존 얼라인을 위해 구비되는 구성이다.
즉 프로세스 챔버(30)에서의 공정 수행을 위해서는 웨이퍼가 항상 균일한 상태로 로딩되어야만 한다.
웨이퍼의 얼라인을 위한 기준은 통상 웨이퍼의 주면 일부를 직선면으로 절단한 플랫존이 되며, 이 플랫존을 기준으로 항상 동일한 형상으로 프로세스 챔버(30)에 웨이퍼가 공급되도록 한다.
이러한 플랫존 얼라인은 프로세스 챔버(30)로 공정 수행할 웨이퍼에 대해서 실시하기도 하지만 공정 수행을 완료한 직후 로드락 챔버(20)의 카세트에 적재시키기 전에도 플랫존 얼라인을 실시한 다음 카세트에 적재시키기도 한다.
이와 같은 플랫존 얼라인을 실시하는 프리 얼라인 챔버(20)는 통상 로드락 챔버(20)와 프로세스 챔버(30)의 사이에 구비되도록 한다.
다만 이들 로드락 챔버(20)와 프로세스 챔버(30)의 사이에 스트립 챔버(40)가 구비되기도 하므로 이 스트립 챔버(40)를 기준으로 로드락 챔버(20)측으로 구비되게 할 수도 있고, 프로세스 챔버(30)측으로 구비되게 할 수도 있으나 가장 바람직하게는 프리 얼라인 챔버(50)는 로드락 챔버(20)와 스트립 챔버(40)의 사이에 구비되도록 하는 것이다.
한편 웨이퍼 이송 로봇(60)은 웨이퍼를 이송시키기 위해 트랜스퍼 챔버(10)의 내부에 구비되는 구성이다.
즉 웨이퍼 이송 로봇(60)은 트랜스퍼 챔버(10)의 내부에서 트랜스퍼 챔버(10)에 연결되는 복수의 챔버들인 로드락 챔버(20)와 프로세스 챔버(30)와 스트립 챔버(40)와 프리 얼라인 챔버(50)들간으로 웨이퍼를 로딩/언로딩시키기 위해 구비되는 구성이다.
웨이퍼 이송 로봇(60)은 트랜스퍼 챔버(10)의 중앙에 구비되는 구동축(61)과 이 구동축(61)에서 서로 반대 방향으로 구비되는 2개의 이송 아암(62)으로 이루어진다.
구동축(61)은 트랜스퍼 챔버(10)의 저부에 구비되는 복수의 모터에 의해 중앙에서 360°회전이 가능하게 구비되는 동시에 소정의 높이를 승강할 수 있도록 하고 있다.
웨이퍼 이송 로봇(60)의 이송 아암(62)은 구동축(61)에 축지지되어 일정한 높이차를 두고 서로 독립적으로 대응하는 방향으로 움직이도록 하고 있다.
한편 이송 아암(62)에는 선단부에 각각 웨이퍼가 안치될 수 있도록 하는 블레이드(63)를 구비하고 있다.
이때 블레이드(63)는 다양한 형상으로서 형성되나 웨이퍼가 안전하게 얹혀질 수 있도록 하는 충분한 면적의 웨이퍼 안치면을 갖도록 한다.
또한 블레이드(63)에는 웨이퍼의 센터링 얼라인을 자동으로 수행되게 하는 구성이 일체로 형성되게 하는 것도 보다 바람직하다.
이와 같은 웨이퍼 이송 로봇(60)은 구동축(61)의 회전과 승강 작용 및 이송 아암(62)에 의한 블레이드(63)의 전후진 작동에 의해서 블레이드(63)에 얹혀지도록 하면서 블레이드(63)에 얹혀지게 되는 웨이퍼를 트랜스퍼 챔버(10)를 둘러싸고 있는 각 챔버들로 로딩/언로딩시키도록 하는 것이다.
한편 상기와 같은 구성에서 본 발명은 웨이퍼 이송 로봇(60)에 웨이퍼를 냉각시킬 수 있도록 하는 냉각 장치가 일체로 구비되도록 하는데 가장 두드러진 특징이 있다.
즉 종전에는 프로세스 챔버 및 스트립 챔버에서의 식각 및 스트립 공정이 완료된 웨이퍼를 별도로 구비시킨 쿨 다운 챔버에 공급하여 냉각이 이루어지도록 하였으나 본 발명에서는 별도의 쿨 다운 챔버를 제거하고 웨이퍼 이송 로봇(60)에 일체로 웨이퍼 냉각 장치가 구비되도록 하는 것이다.
웨이퍼의 냉각은 전술한 바와 같이 식각 공정이 수행되는 프로세스 챔버(30)를 통해 인출되는 웨이퍼의 온도는 80℃ 이상이 된다.
프로세스 챔버(30)로부터 인출된 다음 스트립 챔버(40)에서 스트립 공정을 수행한 후 인출되는 웨이퍼는 약 310℃ 이상이 된다.
이때의 스트립 공정에서도 프로세스 챔버(30)에서와 마찬가지로 플라즈마에 의해 포토레지스트를 제거하게 된다.
따라서 이렇게 고온으로 가열된 웨이퍼를 로드락 챔버(20)의 카세트에 그대로 적재시키게 되면 웨이퍼 및 카세트의 변형과 함께 후속 공정에서의 공정 오류를 유발할 수가 있다.
이에 본 발명은 로드락 챔버(20)로 언로딩되는 웨이퍼를 웨이퍼 이송 로봇(60)에 의해 이송 중에 충분한 온도로 냉각시킬 수 있도록 하는 것이다.
웨이퍼 이송 로봇(60)에 구비되는 웨이퍼 냉각 장치는 다양한 양태로 실시가 가능하다.
즉 웨이퍼 냉각 장치는 웨이퍼에 대해서 직접 냉각시키는 직접 냉각 방식과 간접 냉각 방식으로 실시가 가능하다.
직접 냉각 방식은 냉매를 웨이퍼에 직접적으로 접촉시키는 방식으로서, 이때 의 냉매는 가스의 형태로 구비되게 하는 것이 바람직하며, 이런 냉매 가스로는 헬륨 가스가 가장 바람직하다.
직접 냉각 방식은 냉매 가스를 웨이퍼의 표면 또는 저면으로 직접 분사되도록 하여 웨이퍼가 냉각되도록 하는 것이다.
이중 웨이퍼의 표면으로 냉매를 직접 분사하는 방식에서는 블레이드(63)에 안치된 웨이퍼의 상부면보다는 냉매를 분사하는 노즐의 위치가 더 상부에 위치되도록 하여야만 한다는 것이다.
즉 블레이드(63)에 안치되어 있는 웨이퍼의 표면으로 냉매를 분사하여 냉각시키기 위해서는 반드시 웨이퍼의 표면보다는 더 상부의 위치에서 웨이퍼의 표면을 향해 냉매 가스가 분사되도록 해야만 한다.
도 3은 본 발명에 따른 직접 냉각 방식의 일실시예를 도시한 사시도이고, 도 4는 도 3의 A-A선 단면도이다.
본 실시예에서는 웨이퍼 이송 장치 중에서 웨이퍼(W)를 안치시키는 구성인 블레이드(63)에 복수의 냉매 분사 노즐(70)이 형성되도록 하는 것이다.
냉매 분사 노즐(64)은 블레이드(63)의 웨이퍼(W)가 얹혀질 수 있도록 하기 위한 홈(632)을 감싸도록 하는 양측의 측면(631)을 상부로 보다 연장시킨 부위에 일정한 간격으로 복수 개로서 형성되도록 한다.
블레이드(63)에서 홈(632)의 측면(631)은 통상 웨이퍼(W)가 미세하게 센터링 위치에서 벗어나게 되더라도 자동으로 센터링이 맞추어지도록 하기 위하여 내경을 상부는 넓고 하부는 좁은 형상으로 경사지도록 하고 있다.
경사지게 형성한 양측의 측면(631)간 하단부의 내경은 웨이퍼(W)의 외경보다는 크게 형성되고, 측면(631)의 하단부는 다시 서로 마주보게 수평으로 연장되게 함으로써 웨이퍼가 얹혀질 수 있도록 하는 웨이퍼 안치면(633)을 이룬다.
웨이퍼 안치면(633)은 양측의 측면(631)간 중심으로부터 내경이 반드시 웨이퍼(W)의 외경보다는 작게 형성되도록 한다.
이렇게 경사지게 형성한 양측의 측면(631)은 상단부를 소정의 높이로 상향 연장되도록 하여 연장부(634)를 형성하고, 이 연장부(634)의 양측 측면(631)의 내주면에는 주면을 따라 복수의 냉매 분사 노즐(70)이 형성되도록 하는데 본 발명의 가장 두드러진 특징이 있다.
이때 측면(631)의 상부로 연장한 연장부(634)는 이미 경사지게 형성한 측면(631)을 동일한 각도로 연속해서 연장되도록 하는 구성으로도 할 수가 있고, 단순히 경사지게 형성한 측면(631)의 상단부를 수직으로 일정한 높이로 연장시켜 형성되게 할 수도 있다.
또한 연장부(634)는 종전의 측면(631)을 그대로 상향 연장시킨 구성이므로 내주면은 원호형상으로 형성되도록 한다.
측면(631)의 연장 부위에 형성되는 냉매 분사 노즐(70)은 형성 높이가 블레이드(63)에 안치된 웨이퍼(W)의 상부 표면보다는 상측에 있도록 한다.
냉매 분사 노즐(70)이 웨이퍼(W)의 상부면보다는 상부에 위치되게 함으로써 냉매 분사 노즐(70)을 통한 냉매의 분사 각도는 도시한 바와 같이 미세한 각도로 하향 경사지도록 하는 것이 가장 바람직하다.
즉 블레이드(63)의 홈(632) 양측에서 측면(631)의 상단부에 형성되도록 한 냉매 분사 노즐(70)을 통하여 냉매가 분사되도록 하면서 웨이퍼 안치면(633)에 안치한 웨이퍼(W)를 냉각시키게 되며, 이때 분사되는 냉매에 의해서 웨이퍼(W)를 소정의 압력으로 눌려지도록 함으로써 블레이드(63)에서의 보다 견고한 안착상태를 유지하게 되면서 웨이퍼(W)의 이송을 더욱 안정시키도록 한다.
도면 중 부호 635는 웨이퍼 감지홀이다.
도 5는 본 발명에 따른 냉매 분사 노즐을 통한 냉매 분사 형태를 도시한 평면도이다.
냉매 분사 노즐(70)은 홈(632)을 기준으로 양측에 구비되는 측면(631)에서 웨이퍼(W)의 상부면 전면에 걸쳐서 냉매를 분사할 수 있도록 한다.
양측의 측면(631)에 구비되는 냉매 분사 노즐(70)은 각각이 일정한 분사 각도를 가지면서 일정 범위의 냉각 범위를 갖도록 한다.
또한 각 냉매 분사 노즐(70)은 웨이퍼(W)에서의 냉각 범위가 일부 겹쳐지도록 하면서 측면(631)의 가장 바깥측에 위치한 냉매 분사 노즐(70)에 의해 웨이퍼(W)의 에지부도 냉각될 수 있도록 한다.
한편 각 냉매 분사 노즐(70)로부터 분사되는 냉매는 블레이드(63)의 내부에 형성한 냉매 유동 라인(71)을 통해 공급되도록 하며, 냉매 유동 라인(71)은 별도의 파이프를 블레이드(63)에 매설하는 구성으로 할 수도 있고, 블레이드(63)에 일체로 형성하는 구성으로 할 수도 있다.
또한 웨이퍼(W)가 얹혀지는 블레이드(63)의 안치면(633)에는 웨이퍼(W)의 온 도를 감지하는 온도 감지 센서(72)가 구비되도록 한다.
도 6은 본 발명에 따른 냉매 분사 과정을 도시한 블록도이다.
온도 감지 센서(72)에서 감지되는 웨이퍼 온도는 설비의 컨트롤러(73)에 인가되고, 컨트롤러(73)는 별도로 구비되는 펌프(74)의 구동을 제어하여 웨이퍼(W)의 온도 상태에 따라 냉매 공급을 온/오프하면서 냉매의 공급압을 제어하도록 한다.
즉 온도 감지 센서(72)에서 감지되는 웨이퍼(W)의 온도가 높으면 높을수록 펌프(74)를 통한 냉매의 공급압을 증가시키도록 하는 것이다.
컨트롤러(73)에 의한 냉매 분사는 설비에서의 스트립 공정이 완료되고 난 이후 로드락 챔버(20)로 언로딩하는 웨이퍼의 이송중에 이루어지게 된다.
다시 말해 프로세스 챔버(30)에서의 메인 공정을 수행하고, 다시 스트립 챔버(40)를 거치면서 웨이퍼(W)는 대단히 고온으로 가열된 상태가 되며, 가열된 상태의 웨이퍼(W)를 단순히 로드락 챔버(20)로 이동시키는 시간 동안에 냉매 가스가 블레이드(63)에 공급되면서 냉매 분사 노즐(70)을 통해 직접 웨이퍼(W)에 분사되도록 하여 웨이퍼(W)를 적정한 온도 이하로 냉각되도록 하는 것이다.
특히 컨트롤러(73)에서는 온도 감지 센서(72)로부터 감지되는 온도에 따라서 냉매의 공급압을 조절하여 웨이퍼(W)의 냉각 온도가 일정 온도 즉 약 80℃ 이하로 유지될 수 있도록 한다.
한편 도 7은 본 발명에 따른 직접 냉각 방식의 다른 실시예를 도시한 블레이드의 단면도이다.
본 발명은 블레이드(63)에 안치되는 웨이퍼(W)에 대해서 냉매를 연장부(634) 의 냉매 분사 노즐(70)를 통해 웨이퍼(W)의 상부면으로 분사되도록 하여 냉각되게 하는 동시에 웨이퍼(W)의 저면으로도 냉매가 분사되게 함으로써 웨이퍼(W)의 냉각이 더욱 촉진되도록 하는 것이다.
웨이퍼(W)의 상부면으로 냉매를 분사하는 구성은 전술한 실시예와 동일하게 이루어지도록 하고, 웨이퍼(W)의 저면측 블레이드(63)의 웨이퍼 안치면(633)에서 보다 하향 구비되는 바닥면(636)으로도 복수의 냉매 분사 노즐(80)이 구비되도록 하는 것이다.
블레이드(63)에서 웨이퍼 안치면(633)은 웨이퍼(W)가 안전하게 얹혀질 수 있도록 외경은 웨이퍼(W)의 외경보다는 크고, 내경은 웨이퍼(W)의 외경보다는 작은 링형상으로 형성되며, 이때 웨이퍼 안치면(633)의 내경부는 웨이퍼 안치면(633) 보다는 소정의 높이로 하향 요입되면서 바닥면(636)을 이루고, 이 바닥면(636)의 중앙 부위를 소정의 크기로 수직 관통되도록 하여 웨이퍼 감지홀(635)이 형성되도록 한다.
따라서 웨이퍼 안치면(633)에 웨이퍼(W)가 얹혀지도록 하면 웨이퍼(W)의 저면과 블레이드(63)의 바닥면(636)과는 소정의 높이로 이격되는 상태가 된다.
이와 같이 웨이퍼(W)와 이격되는 블레이드(63)의 바닥면(636)에 복수의 냉매 분사 노즐(80)이 형성되도록 하는 것이 본 발명의 특징이다.
바닥면(635)에 형성되는 냉매 분사 노즐(80)을 통해 분사되는 냉매는 웨이퍼(W)의 상부면으로 분사되는 냉매와 동일한 냉매 유동 라인(71)을 통해 공급되게 할 수도 있고, 별도의 냉매 유동 라인을 통해 공급되게 하는 것이 보다 바람직하다.
한편 웨이퍼(W)의 상부면으로 분사되는 냉매의 분사 압력은 웨이퍼(W)의 저면으로 분사되는 냉매의 분사 압력보다는 높게 형성되도록 하는 것이 가장 바람직하다.
만일 웨이퍼(W)의 저면으로 분사되는 냉매의 분사 압력이 웨이퍼(W)의 상부면으로 분사되는 냉매의 분사 압력보다 같거나 높은 경우에는 블레이드(63)에서 웨이퍼(W)가 들뜨는 현상이 초래되면서 안치 상태가 불안정해지게 되어 자칫 블레이드(63)로부터 웨이퍼(W)가 이탈되거나 얼라인 상태가 심하게 틀어질 수 있는 문제가 발생할 수가 있다.
따라서 웨이퍼(W)의 상부면과 저면에 분사되는 냉매의 분사 압력을 서로 다르게 하면서 상부면으로 분사되는 분사 압력이 항상 더 높게 유지되도록 하는 것이 웨이퍼(W)를 블레이드(63)에서 안정적으로 유지되도록 하는데 가장 유리하다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 냉매 공급 구성을 개략적으로 도시한 제어 구조도이다.
도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 상부면과 저면으로 분사하는 냉매의 분사 압력을 다르게 형성되도록 하기 위해서는 블레이드(63)의 측면(631)과 바닥면(636)에 각각 형성한 냉매 분사 노즐(70)(80)로의 냉매를 공급하는 냉매 유동 라인(71)(81)을 분리 형성하고, 이들 각각을 별도의 펌프(74)(84)에 의해서 분사되도록 한다.
즉 설비측의 컨트롤러(73)에 의해서 웨이퍼(W)의 상부면으로 분사되도록 하는 냉매 유동 라인(71)과 웨이퍼(W)의 저면으로 분사되도록 하는 냉매 유동 라인(81)으로 공급되는 냉매가 각각의 펌프(74)(84)에 의해 제어되도록 하며, 컨트롤러 (73)는 블레이드(63)의 웨이퍼(W)가 얹혀진 웨이퍼 안치면(633)에 부착한 온도 감지 센서(72)로부터의 감지 신호에 의해서 각각의 펌프(74)(84)를 구동시키도록 한다.
이와 같이 웨이퍼(W)의 상부면과 저면으로 분사하는 냉매의 분사 압력을 각각 다르게 형성되도록 하면서 웨이퍼(W)의 상부면에 분사되는 냉매의 분사 압력을 더 높게 유지되도록 하면 블레이드(63)에서의 웨이퍼(W)가 안정적으로 유지되면서 상부면과 저면으로 동시에 냉매와 접촉되어 급속한 웨이퍼 냉각을 달성할 수가 있게 된다.
한편 전기한 실시예에서와 같은 직접 냉각 방식과 간접 냉각 방식을 결합한 냉각 방식에 의해서도 웨이퍼(W)를 급속 냉각시킬 수가 있다.
통상적으로 간접 냉각 방식은 직접 블레이드(63)를 냉각시켜 블레이드(63)에 접촉되는 웨이퍼(W)의 저면이 냉각될 수 있도록 하는 것이다.
즉 블레이드(63)에서 웨이퍼(W)가 얹혀지게 되는 면은 최대한 확장되도록 하고, 웨이퍼(W)의 접촉면을 냉각시켜 웨이퍼(W)가 냉각될 수 있도록 하는 것이다.
하지만 웨이퍼(W)의 저면을 간접적으로 냉각하는 방식만으로는 웨이퍼(W)의 급속 냉각을 달성할 수가 없다.
따라서 본 발명은 전술한 웨이퍼(W)의 상부면으로 냉매를 분사하여 냉각시키도록 하는 직접 냉각 방식과 블레이드(63)의 웨이퍼(W) 저면이 접촉하는 면을 냉각시켜 냉각시키도록 하는 간접 냉각 방식을 결합한 혼합 냉각 방식에 의해서도 실시가 가능하다.
도 9는 본 발명에 따른 혼합 냉각 방식의 실시예를 도시한 단면도이다.
본 발명의 혼합 냉각 방식은 웨이퍼(W)의 상부면으로 냉매를 분사하는 직접 냉각 방식과 웨이퍼(W)의 저면이 접촉되는 블레이드(63)의 웨이퍼 안치면(633)을 냉각시켜 웨이퍼 안치면(633)을 통해 웨이퍼(W)가 냉각되도록 하는 간접 냉각 방식을 결합한 냉각 방식이다.
이를 위한 직접 냉각 방식은 전술한 바와 같이 블레이드(63)에서 양측의 측면(631)을 일정한 높이 상향 연장되게 한 연장부(634)의 내주면으로 복수의 냉매 분사 노즐(70)이 형성되도록 하는 것이다.
이때의 냉매 분사 노즐(70)을 통해 분사되는 냉매는 소정의 경사각으로 하향 분사되면서 블레이드(63)에 얹혀지는 웨이퍼(W)의 상부면을 냉각시키도록 한다.
각 냉매 분사 노즐(70)은 웨이퍼(W)의 상부면으로 균일하게 냉매가 분사되도록 각각의 분사 범위가 서로 겹쳐지도록 하면서 일정한 각도의 분사 각도를 갖도록 하여 웨이퍼(W)의 상부면 전체에 냉매가 균등하게 분사되어 웨이퍼(W)를 냉각시킬 수 있도록 한다.
직접적으로 냉매와의 접촉에 의해서 웨이퍼(W)를 냉각시키는 직접 냉각 방식과는 달리 웨이퍼(W)가 얹혀지는 웨이퍼 안치면(633)을 냉각시키는 간접 냉각 방식은 우선 웨이퍼(W)를 얹어지도록 하는 블레이드(63)가 열전도성이 우수한 재질로서 형성되도록 한다.
이때의 웨이퍼 안치면(633)은 웨이퍼(W)와의 접촉면적을 극대화시키도록 하는 것이 바람직하며, 이를 위해서 웨이퍼 안치면(633) 자체가 바닥면(636)을 이루 는 구성으로도 형성할 수가 있다.
이러한 블레이드(63)의 재질로는 알루미늄 합금이나 스테인레스 스틸 합금 등으로 이루어지도록 하고, 이 블레이드(63)에는 웨이퍼 안치면(633) 저부의 내부에 냉매 유동 라인(91)이 다양한 형상으로 형성되도록 한다.
도 10은 본 발명에 따라 블레이드에 형성되는 냉매 유동 라인의 일실시예를 도시한 단면도이다.
본 발명의 블레이드(63)에는 웨이퍼 안치면(633)의 저부를 순환하는 구성으로 냉매 유동 라인(91)이 형성되도록 하고, 이와 더불어 홈(632) 양측의 측면(631) 상단부를 연장한 연장부(634)에 형성한 냉매 분사 노즐(70)에는 별도의 냉매 유동 라인(71)을 통해 냉매가 공급되도록 한다.
한편 웨이퍼 안치면(633)을 냉각시키기 위한 냉매는 웨이퍼(W)의 직접 냉각을 위해 분사하던 가스 상태의 냉매를 사용할 수도 있으나 보다 효과적인 냉각을 위해서는 액상의 냉매를 사용할 수도 있다.
웨이퍼 안치면(633)의 냉각을 위해 공급되는 냉매는 도 8에서와 같은 방식으로 측면(631)측 연장부(634)에 형성한 냉매 분사 노즐(70)을 통해 분사되는 냉매 공급용 펌프(74)와는 별도의 펌프(94) 구동에 의해서 지속적으로 순환될 수 있도록 한다.
이와 같은 본 발명의 냉각 장치에서 각 냉매 유동 라인(71)(91)으로 공급되는 냉매는 웨이퍼 안치면(633)에 부착시킨 온도 감지 센서(72)에 의해 감지되는 온도에 따라서 냉매의 공급압이 컨트롤러(73)에 의해서 조절되도록 한다.
이렇게 웨이퍼(W)의 저면이 블레이드(63)의 웨이퍼 안치면(633)을 통해 냉각되는 동시에 웨이퍼(W)의 상부면은 측면(631)의 냉매 분사 노즐(70)을 통해 분사되는 냉매에 의해 냉각되도록 하면 웨이퍼(W)는 대단히 빠른 시간내에 필요로 하는 온도에까지 냉각시킬 수가 있게 된다.
한편 블레이드(63)에서 웨이퍼(W) 냉각 시간은 프로세스 챔버(30) 또는 스트립 챔버(40)로부터 웨이퍼를 인출하여 로드락 챔버(20)로 언로딩시키기 위해 트랜스퍼 챔버(10)를 지나는 짧은 시간동안에 이루어지도록 한다.
하지만 스트립 챔버(40)로부터 인출되는 웨이퍼(W)는 스트립 공정을 거치면서 약 300℃ 이상으로 가열되므로 이러한 웨이퍼(W)를 로드락 챔버(20)에 적재시키기 위해서는 약 80℃ 이하로 냉각을 시켜야만 한다.
따라서 본 발명은 웨이퍼(W)를 프로세스 챔버(30) 또는 스트립 챔버(40)로부터 공정 수행이 완료된 후 로드락 챔버(20)로 이동하는 짧은 시간동안 블레이드(63)에서 충분한 냉각이 이루어질 수 있도록 하는 것이다.
웨이퍼(W)의 이동 중에 충분한 웨이퍼 냉각이 이루어지도록 하게 되면 종전과 같은 쿨링 업 챔버를 거치지 않아도 되므로 설비의 구성을 보다 간소화할 수가 있게 된다.
또한 별도의 웨이퍼 냉각 공정이 생략되면서 공정을 더욱 빠른 속도로 수행할 수가 있도록 한다.
특히 본 발명은 웨이퍼(W)의 상부면으로 직접 가스 상태의 냉매가 분사되게 함으로써 웨이퍼(W)에서의 패턴을 형성한 표면을 항상 청결하게 유지시킬 수가 있 도록 한다.
한편 상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다는 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.
따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 웨이퍼(W)가 안치되는 블레이드(63)에서 웨이퍼(W)의 상부면으로 냉매를 직접 분사하여 상부를 냉각시키도록 하며, 블레이드(63)의 바닥면(635)으로도 웨이퍼(W)의 저면으로 냉매를 직접 분사하거나 웨이퍼 안치면(633)을 냉각시켜 웨이퍼 안치면(633)에 접촉되는 웨이퍼(W)의 저면이 냉각되도록 블레이드(63)의 구성을 개선한 것이다.
따라서 공정 수행 중 웨이퍼(W)를 스트립 챔버(40)로부터 로드락 챔버(20)로 이동시키는 도중에 블레이드(63)에 웨이퍼(W)가 얹혀져 이동하는 순간 온도 감지 센서(72)에 의해 감지되는 웨이퍼(W)의 온도 상태에 따라 설비측 컨트롤러(73)에 의해 각 냉매 유동 라인(71)(81)(91)으로의 냉매 공급을 온/오프 또는 냉매의 공급압을 적절히 조절하여 신속하게 웨이퍼 냉각이 수행될 수 있도록 하는 것이다.
이상과 같은 작용을 통해 별도의 웨이퍼 냉각을 위한 쿨링 업 챔버가 생략될 수가 있게 되므로 설비의 구조를 간소화함으로써 레이 아웃의 이점과 함께 경제적 인 설비 제작을 제공할 수가 있게 된다.
또한 본 발명은 공정 수행이 완료된 웨이퍼(W)를 별도의 냉각을 위한 공정을 거치지 않고 이동 중 냉각이 이루어지게 함으로써 공정의 수행 효율을 대폭적으로 향상시킬 수가 있으므로 제품 생산성을 향상시키게 되는 이점이 있다.
특히 본 발명은 웨이퍼(W)가 거쳐야 할 부위를 축소하는 동시에 웨이퍼(W)의 상부면으로 냉매를 분사시켜 웨이퍼 냉각이 이루어지도록 하고 있으므로 웨이퍼(W)를 이동하는 도중의 블레이드(63)에서 보다 안전하게 안치되도록 하며, 파티클에 의한 오염을 최대한 방지 및 제거할 수가 있게 되어 제품 수율을 대폭 증대시킬 수 있도록 하는 매우 유용한 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 트랜스퍼 챔버의 내부에서 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되는 복수의 챔버들로 웨이퍼를 이송하도록 구비되는 웨이퍼 이송 로봇과;
    로드락 챔버로 이송되는 웨이퍼를 냉각시키도록 상기 웨이퍼 이송 로봇에 구비되는 냉각 장치;
    상기 냉각 장치는,
    상기 웨이퍼 이송 로봇의 블레이드에 형성한 홈의 양측에서 측면을 상부로 연장되도록 한 연장부와;
    상기 연장부의 서로 마주보는 주면에 다수 형성시킨 냉매 분사 노즐;
    로서 이루어지며, 상기 블레이드에 얹허진 웨이퍼의 상부면으로 상기 냉매 분사 노즐을 통해 분사되는 냉매에 의해 상기 웨이퍼를 냉각시키도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 냉매는 가스 상태인 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 냉매 분사 노즐은 상기 측면의 상부로 연장한 연장 부에서의 형성 높이가 상기 블레이드에 안치되는 웨이퍼의 상부면보다는 상부에 위치되면서 상기 웨이퍼를 향해 냉매를 하향 경사지게 분사되도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 냉매 분사 노즐은 상기 블레이드에 안치되는 웨이퍼의 상부면으로 균일하게 냉매가 분사되도록 하는 분사 각도로서 배열되고, 상기 웨이퍼에서 분사 각도가 일부 겹쳐지도록 냉각 범위를 갖는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 냉매는 상기 블레이드의 내부에 형성한 냉매 유동 라인을 통해 공급되는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 냉매는 상기 블레이드의 웨이퍼 안치면에 부착시킨 온도 감지 센서를 통해 감지되는 웨이퍼 온도에 따라 설비측 컨트롤러에 의해서 펌프를 구동시켜 상기 냉매 유동 라인으로의 냉매 공급을 온/오프시키는 동시에 공급압을 조절하도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 냉매 분사 노즐은 공정 수행이 완료된 다음 상기 로드락 챔버에 언로딩하기 위하여 상기 트랜스퍼 챔버를 이동하는 시간동안 냉매를 분사하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  8. 트랜스퍼 챔버의 내부에서 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되는 복수의 챔버들로 웨이퍼를 이송하도록 구비되는 웨이퍼 이송 로봇과;
    로드락 챔버로 이송되는 웨이퍼를 냉각시키도록 상기 웨이퍼 이송 로봇에 구비되는 냉각 장치;
    상기 냉각 장치는,
    상기 웨이퍼 이송 로봇의 블레이드에 형성한 홈의 양측에서 측면을 상부로 연장되도록 한 연장부와;
    상기 연장부의 서로 마주보는 주면에 다수 형성시킨 냉매 분사 노즐;
    상기 블레이드의 웨이퍼 안치면으로부터 하향 요입되게 한 바닥면에 형성하여 상기 블레이드에 안치되는 웨이퍼의 저면으로 냉매가 분사되도록 복수로 형성되는 냉매 분사 노즐;
    로서 이루어지며, 상기 블레이드에 얹허진 웨이퍼의 상부면과 저면으로 상기 연장부와 바닥면에 형성한 각 냉매 분사 노즐을 통해 분사되는 냉매에 의해서 상기 웨이퍼를 냉각시키도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 냉매는 가스 상태인 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 연장부에 형성한 냉매 분사 노즐은 상기 블레이드에 안치되는 웨이퍼의 상부면보다는 상부에 위치되면서 상기 웨이퍼의 상부면으로 냉매를 하향 경사지게 분사하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 연장부에 형성한 냉매 분사 노즐은 상기 블레이드에 안치되는 웨이퍼의 상부면으로 균일하게 냉매가 분사되도록 하는 분사 각도로서 배열되고, 상기 웨이퍼에서 분사 각도가 일부 겹쳐지게 냉각 범위를 갖는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 연장부에 형성한 냉매 분사 노즐과 상기 바닥면에 형성한 냉매 분사 노즐로부터 분사되는 냉매는 상기 블레이드의 내부에 형성한 각각의 냉매 유동 라인을 통해 공급되는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  13. 제 8 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 연장부에 형성한 냉매 분사 노즐로부터 분사되는 냉매는 상기 바닥면측 냉매 분사 노즐로부터 분사되는 냉매 공급압보다 높은 압력을 형성하도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 연장부에 형성한 냉매 분사 노즐을 통해 분사되는 냉매와 상기 바닥면에 형성한 냉매 분사 노즐을 통해 분사되는 냉매는 상기 블레이드의 웨이퍼 안치면에 부착시킨 온도 감지 센서를 통해 감지되는 웨이퍼 온도에 따라 설비측 컨트롤러에 의해서 각각의 냉매 유동 라인에 구비시킨 펌프를 구동시켜 각 냉매 유동 라인을 통해 냉매의 공급을 온/오프시키면서 공급압을 조절하도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  15. 트랜스퍼 챔버의 내부에서 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되는 복수의 챔버들로 웨이퍼를 이송하도록 구비되는 웨이퍼 이송 로봇과;
    로드락 챔버로 이송되는 웨이퍼를 냉각시키도록 상기 웨이퍼 이송 로봇에 구비되는 냉각 장치;
    상기 냉각 장치는,
    상기 웨이퍼 이송 로봇의 블레이드에 형성한 홈의 양측에서 측면을 상부로 연장되도록 한 연장부와;
    상기 연장부의 서로 마주보는 주면에 다수 형성시킨 냉매 분사 노즐;
    상기 블레이드의 웨이퍼 안치면은 웨이퍼와의 접촉면적이 최대로 확장되도록 하고, 상기 웨이퍼 안치면의 저부에는 내부로 냉매가 순환하도록 하는 냉매 유동 라인;
    을 구비하여 상기 연장부에 형성한 상기 냉매 분사 노즐을 통해 분사되는 냉매에 의해 상기 웨이퍼의 상부면을 냉각하고, 상기 웨이퍼 안치면의 저부측 내부에 형성한 상기 냉매 유동 라인을 순환하는 냉매에 의해서는 상기 웨이퍼의 저면을 냉각하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 냉매 분사 노즐을 통해 분사되고, 상기 냉매 유동 라인을 순환하는 냉매는 각각 가스 상태인 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 냉매 유동 라인을 순환하는 냉매는 액상인 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 냉매 분사 노즐은 상 기 블레이드에 안치되는 웨이퍼의 상부면보다는 상부에 위치되면서 상기 웨이퍼의 상부면으로 냉매를 하향 경사지게 분사되도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  19. 제 15 항에 있어서, 상기 냉매 분사 노즐은 상기 블레이드에 안치되는 웨이퍼의 상부면으로 균일하게 냉매가 분사되도록 하는 분사 각도로서 배열되고, 상기 웨이퍼에서 분사 각도가 일부 겹쳐지게 냉각 범위를 갖는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
  20. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 냉매 분사 노즐을 통해 분사되는 냉매와 상기 냉매 유동 라인을 순환하는 냉매는 상기 블레이드의 웨이퍼 안치면에 부착시킨 온도 감지 센서를 통해 감지되는 웨이퍼 온도에 따라 설비측 컨트롤러에 의해서 각각의 냉매 유동 라인에 구비시킨 펌프를 구동시켜 각 냉매 유동 라인을 통해 냉매의 공급을 온/오프시키면서 공급압을 조절하도록 하는 멀티 챔버형 반도체 제조 장치.
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